DE68916358T2 - Wiedergabeanordnung mit Dioden und Verfahren zum Herstellen der Wiedergabeanordnung. - Google Patents

Wiedergabeanordnung mit Dioden und Verfahren zum Herstellen der Wiedergabeanordnung.

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Description

  • Die Erfindung betrifft eine Wiedergabeanordnung mit einem elektrooptischen Wiedergabemedium zwischen zwei Trägerplatten, einem in Zeilen und Spalten angeordneten System von Bildelementen, wobei jedes Bildelement von zwei auf den einander zugewandten Oberflächen der Trägerplatten vorhandenen Bildelektroden gebildet wird, einem System von Zeilen- und Spaltenelektroden zum Ansteuern der Bildelemente, wobei die Zeilenelektroden auf der einen Trägerplatte und die Spaltenelektroden auf der anderen Trägerplatte vorhanden sind, und mit einem System von Schaltelementen, wobei zwischen mindestens einer Zeilenelektrode und einer Spaltenelektrode in Reihe mit jedem Bildelement ein Schaltelement aufgenommen ist, wobei die Schaltelemente mindestens eine PIN-Diode mit einem mesaförmigen Halbleiterkörper umfassen, die in Schnittansicht quer zu einer Trägerplatte nacheinander mindestens ein erstes Halbleitergebiet eines ersten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration, ein zweites Halbleitergebiet des ersten oder eines zweiten Leitungstyps mit einer relativ niedrigen Dotierungskonzentration und ein drittes Halbleitergebiet des zweiten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration umfaßt, wobei das erste und das dritte Halbleitergebiet mit einem Anschlußleiter versehen sind.
  • Eine solche Wiedergabeanordnung ist für die Wiedergabe alphanumerischer und Videoinformation mit Hilfe passiver elektrooptische Wiedergabemedien, wie Flüssigkristalle, elektrophoretische Suspensionen und elektrochrome Materialien geeignet.
  • Eine Wiedergabeanordnung der eingangs erwähnten Art ist aus der britischen Patentanmeldung 2129183 bekannt, bei der die schädliche Wirkung von Umgebungsstrahlung auf die Funktionsweise der Wiedergabeanordnung und insbesondere der Schaltelemente erwähnt wird. Wenn solch Schaltelement eine oder mehrere Dioden umfaßt, ist eine der Anforderungen, daß beim Auftreten einer Sperrspannung an der Diode der von der Umgebungsstrahlung erzeugte Strom möglichst klein sein soll, damit die Spannung am Bildelement erhalten bleibt. In der genannten britischen Patentanmeldung wird bemerkt, daß mit der darin verwendeten Diodenkonfiguration, nämlich einer antiparallelen Schaltung einer gleichen Anzahl Dioden, der Einfluß der Umgebungsstrahlung teilweise beseitigt ist. Außerdem wird in der genannten britischen Patentanmeldung bemerkt, daß die Verwendung nicht transparenter Leiter verhindert, daß Licht in den Halbleiterkörper eindringt.
  • Ein Nachteil der bekannten Anordnung ist, daß bei der gegebenen Form des Anschlußleiters ein Teil der Umgebungsstrahlung, d. h. das seitlich auf den Halbleiterkörper fallende Licht noch immer in den Halbleiterkörper eindringen kann. Es ist technisch nicht interessant, einfallende Strahlung von allen Seitenflächen des Halbleiterkörpers einer Diode durch Bedecken der Diode mit nicht-transparenten Anschlußleitern abzuschirmen
  • Der Erfindung liegt unter anderem die Aufgabe zugrunde, den Nachteil der Empfindlichkeit des Halbleiterkörpers fuhr seitlich einfallendes Licht zu vermeiden.
  • Die Erfindung beruht unter anderem auf der Erkenntnis, daß diese Aufgabe dadurch gelöst werden kann, daß die Diode selbst, d. h. der Halbleiterkörper der Diode, weniger empfindlich gegenüber seitlich einfallender Strahlung gemacht wird.
  • Die Erfindung beruht weiterhin auf der Erkenntnis, daß zu diesem Zweck das Profil des elektrischen Feldes in dem Halbleiterkörper beeinflußt werden kann.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Das Ausmaß der so erhaltenen Abschirmung des Halbleiterkörpers von Umgebungsstrahlung und die damit zusammenhängende Verringerung der Stromstärke in der Sperrichtung hängt unter anderem vom Abstand des Gebiets, in dem das zweite und das dritte Halbleitergebiet aneinander grenzen, zum Rand des zweiten Halbleitergebiets ab. Die Abschirmung hängt auch von der Eindringtiefe der Umgebungsstrahlung in das zweite Halbleitergebiet und auch von der Diffusionslänge von Ladungsträgern in dem zweiten Halbleitergebiet ab. Allgemein kann gesagt werden, daß die Abschirmung umso besser ist, je größer der genannte Abstand vom Rand ist.
  • Für eine gute Abschirmung von seitlich einfallender Umgebungsstrahlung ist es wünschenswert, daß das Gebiet, in dem keine durch Licht erzeugten Ladungsträger gesammelt werden, mindestens eine Dicke hat - von der Seite des zweiten Halbleitergebiets gerechnet -, die einmal der Eindringtiefe des Lichtes plus der Diffusionslänge von Ladungsträgern entspricht. Unter dem Begriff "Eindringtiefe" ist hier die Tiefe zu verstehen, bei der die Lichtstärke um einen Faktor 1/e abgenommen hat. Der Abstand des oben genannten Gebiets vom Rand des zweiten Halbleitergebiets muß vorzugsweise mindestens gleich dieser Eindringtiefe plus der Diffusionslänge von Ladungsträgern sein. Eine zweite Ausführungsform ist daher dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand des Bereichs, in dem das zweite und das dritte Halbleitergebiet aneinander grenzen, zum Rand des zweiten Halbleitergebiets mindestens der Eindringtiefe von Umgebungsstrahlung plus der Diffusionslänge von Ladungsträgern entspricht. Der Halbleiterkörper der in einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung verwendeten PIN-Dioden wird vorzugsweise aus hydriertem amorphen Silicium (α-Si:H) hergestellt. Für dieses Material beträgt die Eindringtiefe für übliche Umgebungsstrahlung (λ = 450 bis 750 nm, entsprechend den Grenzen des Spektrums einer Leuchtstofflampe) ungefähr 0,4 um. Die Diffusionslänge von Ladungsträgern in diesem Material kann auf etwa 1 bis 2 um geschätzt werden. Zusammen mit dem zuvor Gesagten und den üblichen Toleranzen der Justiergenauigkeit während der verschiedenen photolithographischen Prozeßschritte des Verfahrens zur Herstellung einer Diode in einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung wird vorzugsweise ein Abstand von ungefähr 5 um gewählt.
  • Ein zusätzlicher Vorteil einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung liegt darin, daß auch eine mäßige Qualität der Grenzfläche zwischen den Seiten des Halbleiterkörpers und einer sich darauf befindlichen isolierenden Schicht einen geringeren Einfluß auf den Strom in Sperrichtung hat. Die Länge eines sich vom ersten Halbleitergebiet bis zum dritten Halbleitergebiet, gemessen entlang der Außenseite des Halbleiterkörpers, erstreckenden Oberflächenleckstrompfades ist in einer solchen Wiedergabeanordnung nämlich größer als in der gewöhnlichen Wiedergabeanordnung. Daher steigt der Widerstand eines solchen Leckstrompfades und nimmt der Leckstrom durch den Pfad ab.
  • Eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen dem zweiten und dem dritten Halbleitergebiet eine isolierende Schicht befindet, die örtlich dort ein Fenster hat, wo das zweite und das dritte Halbleitergebiet aneinander grenzen. Unter anderem wegen der Unterdrückung von Oberflächenleckströmen und des Vorbeugens vor Kurzschluß ist es wünschenswert, daß diese Teile des Halbleiterkörpers und insbesondere die des zweiten Halbleitergebiets, die nicht mit einem weiteren Halbleitergebiet bedeckt sind, mit einer isolierenden Schicht bedeckt sind. In dieser Ausführungsform ist diese Bedingung erfüllt und werden gleichzeitig einige Vorteile hinsichtlich der Fertigung erhalten, wie eine geringe Anzahl erforderlicher photolithographischer Prozeßschritte.
  • Der in einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung verwendete Halbleiterkörper der PIN-Dioden wird vorzugsweise aus α-Si:H enthaltenden Schichten hergestellt. Da sich gezeigt hat, daß es schwieriger ist, aus diesem Material Schichten hoher Qualität auf einer p-leitenden Schicht aufzuwachsen, ist eine weitere Ausführungsform einer Ausführungsformen Wiedergabeanordnung dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleitergebiet vom n-Leitungstyp ist. Das für eine PIN-Diode erforderliche p-leitende Gebiet wird dann folglich als letztes Gebiet angebracht und die erhaltene Diode wird als NIP-Diode bezeichnet.
  • Die Erfindung betrifft nicht nur eine Wiedergabeanordnung, sondern auch ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Wiedergabeanordnung.
  • Als elektrooptisches Medium in einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung können verschiedene Materialien verwendet werden, wie ein Flüssigkristall, eine elektrophoretische Suspension und elektrochromes Material.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • Fig. 1 schematisch ein Ansteuerungsschema eines Teils einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung.
  • Fig. 2 schematisch als Draufsicht den Teil einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung, der zwischen den in Fig. 1 mit II bezeichneten, gestrichelten Linien liegt und
  • Fig. 3 und 4 schematisch einen Querschnitt entlang der Linien III-III und IV-IV in Fig. 2 einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung, während
  • Fig. 5 bis 7 schematisch im Querschnitt entlang der Linie IV-IV die Wiedergabeanordnung von Fig. 2 bei aufeinanderfolgenden Stadien der Herstellung und
  • Fig. 8 schematisch einen Querschnitt entlang der Linie III-III in Fig. 2 einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung bei einer anderen Ausführungsform zeigen.
  • Die Zeichnung ist schematisch und nicht maßstabsgetreu, wobei insbesondere die Abmessungen in Richtung der Dicke der Deutlichkeit halber stark vergrößert dargestellt sind. Gleiche Teile haben in den verschiedenen Ausführungsformen im allgemeinen gleiche Bezugszeichen. Halbleiterbereiche des gleichen Leitungstyps sind im allgemeinen in der gleichen Richtung schraffiert.
  • Fig. 1 zeigt schematisch ein Ansteuerungsschema eines Teils einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung. Dieser Teil der Anordnung umfaßt Zeilenelektroden 15 und Spaltenelektroden 14, zwischen denen Bildelemente A liegen. Zwischen einem Bildelement A und einer Zeilenelektrode 15 liegen zwei Halbleiterdioden B und C, die anti-parallel geschaltet sind und zusammen ein Schaltelement bilden. Die Dioden B und C umfassen einen Halbleiterkörper 20 bzw. 25. Diese Halbleiterkörper sind mit einer Zeilenelektrode 15 und - über das zwei Bildelektroden 2 und 12 enthaltende Bildelement A - über die Anschlußleiter 6 und 7 mit einer Spaltenelektrode 14 verbunden.
  • Fig. 2 zeigt schematisch als Draufsicht den Teil einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung, der zwischen den in Fig. 1 mit II bezeichneten, gestrichelten Linien liegt. Der Deutlichkeit halber ist in dieser Figur die obere Trägerplatte, auf der sich unter anderem eine Spaltenelektrode 14 und eine Bildelektrode 12 befinden, weggelassen und wird nur eine Draufsicht der unteren Trägerplatte der Wiedergabeanordnung gezeigt. Auf dieser Platte befinden sich eine Zeilenelektrode 15, eine Bildelektrode 2 des Bildelements A und die beiden Dioden B und C. Dieser Teil der Wiedergabeanordnung umfaßt in Draufsicht unter anderem einen Halbleiterkörper 20 der an der unteren Seite über den Anschlußleiter 6 und einen Kontaktbereich 22 mit der Bildelektrode 2 verbundenen Diode B, während die obere Seite über die Kontaktöffnung 21, den Anschlußleiter 7 und die Kontaktöffnung 24 mit der Zeilenelektrode 15 verbunden ist. Dieser Teil umfaßt weiterhin einen Halbleiterkörper 25 der an der unteren Seite über einen Anschlußleiter 6 mit der Zeilenelektrode 15 und an der oberen Seite über die Kontaktöffnung 23, den Anschlußleiter 7 und den Kontaktbereich 26 mit der Bildelektrode 2 verbundenen Diode C. Somit sind die Dioden B und C anti-parallel geschaltet. Die Längen und Breiten der quadratischen und mesaförmigen Halbleiterkörper sind etwa 30 um, während die Längen und Breiten der Kontaktöffnungen ungefähr 20 um betragen. Die Anschlußleiter 6 und 7 und die Zeilenelektrode 15 ebenso wie die hier nicht abgebildete Zeilenelektrode 14 enthalten beispielsweise Gold, Chrom oder Aluminium. Die Bildelektrode 2 umfaßt beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO), das lichtdurchlässig ist.
  • Fig. 3 und 4 zeigen schematisch Querschnitte einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung, entlang der Linien III-III und IV-IV in Fig. 2. Die Anordnung umfaßt (siehe Fig. 3) unter anderem ein erstes Substrat 1 aus beispielsweise Glas und darauf eine isolierende Schicht 3 aus beispielsweise Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid. Eine Bildelektrode 2, in diesem Beispiel aus ITO (Indium Tin Oxide), befindet sich darunter. Auf dem Substrat 1 befinden sich lokal eine Zeilenelektrode 15 und ein Anschlußleiter 6, über dem ein Halbleiterkörper 20 liegt. Dieser Anschlußleiter ist in einem außerhalb dieses Querschnitts liegenden Gebiet über einen Kontaktbereich 22 mit einer Bildelektrode 2 verbunden. Der Halbleiterkörper umfaßt eine Struktur mit nacheinander mindestens einem ersten Halbleitergebiet 8 vom n-Leitungstyp mit einer Dotierungskonzentration von ungefähr 10¹&sup9; bis 10²&sup0; Atomen/cm³ und einer Dicke von ungefähr 50 nm. Auf diesem Gebiet liegt ein zweites Halbleitergebiet 9, in diesem Beispiel vom n&supmin;-Leitungstyp mit einer sehr niedrigen Dotierungskonzentration und einer Dicke von etwa 400 nm, worauf sich ein drittes Halbleitergebiet 10 vom p-Leitungstyp mit einer Dotierungskonzentration von 10¹&sup9; bis 10²&sup0; Atomen/cm³ und einer Dicke von ungefähr 30 nm befindet. In diesem Beispiel sind die Halbleitergebiete aus α-Si:H. Zwischen dem zweiten Halbleitergebiet 9 und dem dritten Halbleitergebiet 10 liegt die isolierende Schicht 3, die lokal unterbrochen ist, während das zweite Halbleitergebiet 9 und das dritte Halbleitergebiet 10 am Ort dieser Unterbrechung, der mit der Kontaktöffnung 21 zusammenfällt, aneinander grenzen. Diese Unterbrechung hat überall einen Abstand von 5 um vom Rand des zweiten Halbleitergebiets 9, der mit dem Rand des Halbleiterkörpers 20 zusammenfällt. Auf der Halbleiterstruktur befindet sich ein Anschlußleiter 7, der zusammen mit der Halbleiterschicht 10 mit einer Zeilenelektrode 15 verbunden ist. Eine beispielsweise Polyimid enthaltende, erste Orientierungsschicht 4 ist darauf aufgebracht. Schließlich sind hierauf nacheinander eine beispielsweise Flüssigkristall enthaltende Schicht 19, eine beispielsweise ebenfalls Polyimid enthaltende, zweite Orientierungsschicht 11, eine ITO enthaltende Bildelektrode 12 und ein beispielsweise Glas enthaltendes, zweites Substrat 13 aufgebracht. Außer den Schichten 11 und 12 befindet sich auf dem Substrat 13 auch eine beispielsweise Gold, Chrom oder Aluminium enthaltende Spaltenelektrode 14. Die Funktion einer Spaltenelektrode kann auch von der ITO-Schicht 12 erfüllt werden, da diese selbst gut leitet. Das Halbleitergebiet 10 erstreckt sich über die isolierende Schicht 3 mindestens bis zu den Rändern des mesaförmigen Halbleiterkörpers 20. Dies gilt auch für den Anschlußleiter 7. Örtlich, d. h. dort, wo es notwendig ist, die Kontaktöffnung 24 und die Zeilenelektrode 15 zu erreichen, erstrecken sich das Halbleitergebiet 10 und der Anschlußleiter 7 n weiter über die isolierende Schicht 3. Bei der hier dargestellten erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung wird Abschirmung von seitlich einfallendem Licht dadurch erreicht, daß der Bereich, in dem das zweite Halbleitergebiet 9 und das dritte Halbleitergebiet 10 aneinander grenzen (beispielsweise das Gebiet 21), in Projektion betrachtet in dem Rand des zweiten Halbleitergebiets 9 liegt, wobei der Rand hier mit dem Rand des mesaförmigen Halbleiterkörpers (beispielsweise des Halbleiterkörpers 20) zusammenfällt. Die Abschirmung von seitlich einfallender Umgebungsstrahlung wird in diesem Beispiel erhalten, indem der Abstand des Bereichs, in dem die Halbleitergebiete 9 und 10 aneinander grenzen, zum Rand des Halbleitergebiets 9, der in diesem Fall etwa 5 Mm entspricht, größer ist als die Eindringtiefe der Umgebungsstrahlung plus der Diffusionslänge von Ladungsträgern. Fig. 4 zeigt außer dem Halbleiterkörper 20 (der Diode B) auch den Halbleiterkörper 25 (der Diode C). In dem Kontaktbereich 26 sind die Halbleiterschicht 10 und der Anschlußleiter 7 des Halbleiterkörpers 25 mit der Bildelektrode 2 verbunden. Im Kontaktbereich 22 ist der Anschlußleiter 6 des Halbleiterkörpers 20 mit der Bildelektrode 2 verbunden.
  • Fig. 5 bis 7 zeigen schematisch in einem Querschnitt entlang der Linie IV-IV die erfindungsgemäße Wiedergabeanordnung von Fig. 2 bei aufeinanderfolgenden Stadien der Herstellung. Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer solchen Wiedergabeanordnung umfaßt unter anderem die folgenden Prozeßschritte: Nach Reinigung in üblicher Weise wird erst eine Indiumzinnoxid (ITO) enthaltende Bildelektrode 2 üblicher Zusammensetzung in üblicher Dicke auf ein Glassubstrat 1 mit üblichen Abmessungen mit Hilfe allgemein verwendeter Techniken aufgebracht, woraufhin diese Bildelektrode lokal mittels Photolithographie und allgemein gebräuchlichen Ätzmitteln entfernt wird. Anschließend wird eine leitende Schicht 6 aus Gold, Chrom oder Aluminium mit einer Dicke von etwa 150 nm mittels Sputtern aufgebracht. Auf dieser Schicht werden ausgehend von Silan (SiH&sub4;) nacheinander die aus hydriertem amorphen Silicium (α-Si:H) bestehenden Halbleiterschichten 8 und 9 mit Hilfe von PECVD (= Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) aufgebracht (siehe Fig. 5). Die Halbleiterschicht 8 ist vom n&supmin;-Leitungstyp und hat eine sehr hohe Dotierungskonzentration von etwa 10¹&sup9; bis 10²&sup0; Atome/cm³ und eine Dicke von etwa 50 nm. Die Dotierung in diesem Gebiet wird durch Hinzufügen von 1% Phosphin (PH&sub3;) zum Silan erhalten. Die Halbleiterschicht 9 ist vom n&supmin;-Leitungstyp, hat eine sehr niedrige Dotierungskonzentration, wodurch der spezifische Widerstand des Gebiets ungefähr 10&sup9; Ωcm ist, und hat eine Dicke von etwa 400 nm. Anschließend werden (siehe Fig. 6) mittels Photolithographie und allgemein üblichen Ätzmitteln die mesaförmigen Halbleiterkörper 20 und 25 gebildet, woraufhin in gleicher Weise Anschlußleiter 6 gebildet werden, auf denen die Halbleiterkörper 20 und 25 ruhen. Die Halbleiterkörper 20 und 25 haben in diesem Beispiel einen quadratischen Querschnitt mit den Abmessungen von ungefähr 30·30 um² und umfassen jetzt nur die auf einem Anschlußleiter 6 ruhenden Halbleitergebiete 8 und 9. Es sei bemerkt, daß es für die erfindungsgemäße Wirkung nicht notwendig ist, daß die Halbleiterkörper 20 und 25 quadratischen Querschnitt haben. Andere, z. B. rechteckige oder kreisförmige, Geometrien sind denkbar. Auf der sich ergebenden Struktur wird beispielsweise mittels Sputtern oder der genannten PECVD-Technik eine isolierende Schicht 3 aus beispielsweise Siliciumoxid (SiO&sub2;) mit einer Dicke von ungefähr 350 nm aufgebracht (siehe Fig. 6). Anschließend werden mittels Photolithographie und einem Ätzmittel auf der Basis von Wasserstofffluorid (HF) Kontaktöffnungen 21 und 23 und ein Kontaktbereich 26 gebildet. Die Abmessungen der Kontaktöffnungen betragen ungefähr 20·20 um² (siehe Fig. 7). Dann wird eine dritte Halbleiterschicht 10 aufgebracht, die das dritte Halbleitergebiet 10 darstellt und ebenfalls aus hydriertem amorphen Silicium des p-Leitungstyps mit hoher Dotierungskonzentration, in diesem Beispiel 10¹&sup9; bis 10²&sup0; Atome/cm³, und einer Dicke von etwa 30 nm gebildet wird. Diese Schicht wird ebenfalls mittels beispielsweise PECVD, ausgehend von Silan, aufgebracht. In diesem Fall wird die Dotierung durch Hinzufügen von 1% Diboran (B&sub2;H&sub6;) zum Silan erhalten. Anschließend wird eine Metallschicht 7 aus Gold, Chrom oder Aluminium mit einer Dicke von ungefahr 150 nm beispielsweise mittels Sputtern aufgebracht. Mittels Photolithographie und allgemein üblichen Ätzmitteln werden die Schichten 7 und 10 jetzt lokal entfernt. Anschließend wird eine Orientierungsschicht 4 aus beispielsweise Polyimid auf der sich ergebenden Struktur aufgebracht, woraufhin die in Fig. 4 dargestellte, untere Trägerplatte erhalten wird. Mit Hilfe eines zweiten Substrats, das in üblicher Weise mit einer Bildelektrode 12 aus ITO, mit einer Orientierungsschicht 11 aus beispielsweise Polyimid und mit einer Spaltenelektrode 14 aus Gold, Chrom oder Aluminium versehen ist, kann die Wiedergabeanordnung jetzt in üblicher Weise zusammengesetzt und beispielsweise mit einem beispielsweise Flüssigkristall enthaltendem Medium 19 gefüllt werden. So wird die vollständige Struktur von Fig. 4 erhalten.
  • Fig. 8 zeigt schematisch einen Querschnitt entlang der Linie III-III in Fig. 2 einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung bei einer anderen Ausführungsform. Ein Unterschied zu der Struktur von Fig. 3 liegt in dem dritten Halbleitergebiet 10, das jetzt nur am Ort des Gebiets 21 vorhanden ist. Die Herstellung der Struktur von Fig. 8 erfolgt zum größten Teil in gleicher Weise wie die Herstellung der Struktur von Fig. 3. Die Unterschiede sind die folgenden: Die Halbleiterschichten 8, 9 und 10 werden jetzt direkt nacheinander aufgebracht, woraufhin die mesaförmigen Halbleiterkörper 20 und 25 geätzt werden (in diesem Querschnitt ist nur der Halbleiterkörper 20 sichtbar). Bevor eine isolierende Schicht 2 aufgebracht wird, wird erst die Halbleiterschicht 10 außerhalb des Gebiets 21 mittels Photolithographie und allgemein üblichen Ätzmitteln entfernt. Bei der hier zeigten erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung wird Abschirmung von seitlich einfallendem Licht dadurch erreicht, daß der Bereich, in dem das zweite Halbleitergebiet 9 und das dritte Halbleitergebiet 10 aneinander grenzen (beispielsweise das Gebiet 21 in Fig. 8), in Projektion betrachtet in dem Rand des zweiten Halbleitergebiets 9 liegt, wobei der Rand hier mit dem Rand des mesaförmigen Halbleiterkörpers (beispielsweise des Halbleiterkörpers 20 in Fig. 8) zusammenfällt. Die Abschirmung ist stark, weil der Abstand des Bereichs, in dem die Halbleitergebiete 9 und 10 aneinander grenzen, zum Rand des Halbleitergebiets 9 etwa 5 um beträgt und größer ist als die Eindringtiefe der Umgebungsstrahlung plus der Diffusionslänge von Ladungsträgern.
  • Obwohl in der vorliegenden Anmeldung die Erfindung für eine Wiedergabeanordnung mit einem bestimmten Ansteuerungsschema beschrieben worden ist, ist eine Anwendung der Erfindung auch für andere Ansteuerungsschemas aus den gleichen Gründen wie in dem vorliegenden Beispiel von großer Bedeutung.
  • Die Erfindung beschränkt sich daher keineswegs auf die angegebenen Ausführungsformen, sondern bezieht sich auf alle Formen von Wiedergabeanordnungen, bei denen die Schaltelemente Dioden umfassen, in denen ein Übergang vorhanden ist, für den der Sperrstrom auch beim Vorhandensein von Umgebungsstrahlung niedrig sein soll.
  • Es sei weiterhin bemerkt, daß außer den Strukturen der Fig. 3 und 8 noch weitere Strukturen denkbar sind, in denen die hier beschriebene Erfindung verkörpert wird, d. h. Strukturen, bei denen der Bereich, in dem das zweite Halbleitergebiet und das dritte Halbleitergebiet aneinander grenzen, in Projektion betrachtet in dem Rand des zweiten Halbleitergebiets liegt. Es ist beispielsweise auch möglich, den Bereich, in dem das erste und das zweite Halbleitergebiet aneinander grenzen, so auszuführen, daß es, in Projektion betrachtet, in dem Rand des zweiten Halbleitergebiets liegt. Hierdurch kann die Abschirmung von seitlicher Umgebungsstrahlung noch verbessert werden.
  • Es sei weiterhin bemerkt, daß der auf der oberen Seite der mesaförmigen Diode und dem dritten Halbleitergebiet vorhandene Anschlußleiter vorzugsweise so angebracht ist, daß er mindestens die gesamte obere Seite der Diode bedeckt. Da die für die Herstellung von Anschlußleitern geeigneten Materialien Metalle enthalten, die im allgemeinen für Umgebungsstrahlung undurchlässig sind, wird daher eine gute Abschirmung von seitlich einfallender Umgebungsstrahlung mit einer guten Abschirmung von von oben ein fallender Umgebungsstrahlung kombiniert. Es sei daher weiterhin bemerkt, daß es keineswegs notwendig ist, daß das dritte Halbleitergebiet überall unter dem Anschlußleiter des dritten Halbleitergebiets vorhanden ist. Das dritte Halbleitergebiet kann auf das Gebiet innerhalb der Ränder der mesaförmigen Diode begrenzt sein. In diesem Fall erstreckt sich nur der Anschlußleiter dieses dritten Halbleitergebiets örtlich (dort, wo es notwendig ist) über die isolierende Schicht.
  • Aus dem Vorstehenden wird gleichzeitig deutlich sein, daß sich die Erfindung nicht auf eine Wiedergabeanordnung beschränkt, sondern auch die Herstellung einer solchen Wiedergabeanordnung einschließt. Es sollte dann bemerkt werden, daß die verschiedenen Prozeßschritte in dem erfindungsgemäßen Verfahren durch andere allgemein übliche Prozeßschritte ersetzt werden können. Die p- und n-Dotierungen der Halbleiterschichten, in denen das ersten und dritte Halbleitergebiet gebildet werden, können beispielsweise auch mittels Diffusion oder Ionenimplantation erhalten werden. Die Halbleitergebiete werden dann durch Ätzen eines mesaförmigen Halbleiterkörpers in der Halbleiterschichtstruktur gebildet. Es ist auch möglich, das erste und insbesondere das dritte Halbleitergebiet durch Diffusion oder Implantation zu bilden. Wenn beispielsweise das dritte Halbleitergebiet auf diese Weise gebildet werden soll, kann in dem zweiten Halbleitergebiet lokale Implantation oder Diffusion stattfinden. Das dritte Halbleitergebiet wird also als eine in dem zweiten Halbleitergebiet versunkene Zone gebildet. In dieser Hinsicht weicht die Technologie des hydrierten amorphen Siliciums, das vorzugsweise für die Herstellung einer erfindungsgemäßen Wiedergabeanordnung verwendet wird, nicht wesentlich von der Technologie des einkristallinen Siliciums ab. Bei der letztgenannten Technologie gibt es eine große Zahl Alternativen und allgemein übliche Prozeßschritte und Ausführungsformen nebeneinander.

Claims (7)

1. Wiedergabeanordnung mit einem elektrooptischen Wiedergabemedium zwischen zwei Trägerplatten (1, 13), einem in Zeilen und Spalten angeordneten System von Bildelementen (A), wobei jedes Bildelement (A) von zwei auf den einander zugewandten Oberflächen der Trägerplatten (1, 13) vorhandenen Bildelektroden (2, 12) gebildet wird, einem System von Zeilen- und Spaltenelektroden (15, 14) zum Ansteuern der Bildelemente, wobei die Zeilenelektroden (15) auf der einen Trägerplatte (1) und die Spaltenelektroden (14) auf der anderen Trägerplatte (13) vorhanden sind, und mit einem System von Schaltelementen, wobei zwischen mindestens einer Zeilenelektrode (15) und einer Spaltenelektrode (14) in Reihe mit jedem Bildelement (A) ein Schaltelement aufgenommen ist, wobei die Schaltelemente (A) mindestens eine PIN-Diode (B, C) mit einem mesaförmigen Halbleiterkörper umfassen, die in Schnittansicht quer zu einer Trägerplatte (1, 13) nacheinander mindestens ein erstes Halbleitergebiet (8) eines ersten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration, ein zweites Halbleitergebiet (9) des ersten oder eines zweiten Leitungstyps mit einer relativ niedrigen Dotierungskonzentration und ein drittes Halbleitergebiet (10) des zweiten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration umfaßt, wobei das erste (8) und das dritte Halbleitergebiet (10) mit einem Anschlußleiter (6, 7) versehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich, in dem das zweite Halbleitergebiet (9) und das dritte Halbleitergebiet (10) aneinander grenzen, in Projektion betrachtet in dem Rand des zweiten Halbleitergebiets (9) liegt.
2. Wiedergabeanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand des Bereichs, in dem das zweite (9) und das dritte (10) Halbleitergebiet aneinander grenzen, zum Rand des zweiten Halbleitergebiets (9) mindestens der Eindringtiefe von Umgebungsstrahlung plus der Diffusionslänge von Ladungsträgern entspricht.
3. Wiedergabeanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand des Bereichs, in dem das zweite (9) und das dritte (10) Halbleitergebiet aneinander grenzen, zum Rand des zweiten Halbleitergebiets (9) mindestens 2 um beträgt.
4. Wiedergabeanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite (9) und das dritte (10) Halbleitergebiet jeweils von einer Halbleiterschicht (9,10) gebildet werden und sich zwischen diesen beiden Halbleiterschichten (9, 10) eine isolierende Schicht (3) befindet, wobei diese isolierende Schicht (3) örtlich unterbrochen ist und die Halbleiterschichten (9, 10) im Bereich dieser Unterbrechung aneinander grenzen.
5. Wiedergabeanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleitergebiet (8) vom n-Leitungstyp ist.
6. Wiedergabeanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergebiete (8, 9, 10) aus α-Si:H bestehen.
7. Verfahren zur Herstellung einer Wiedergabeanordnung, mit den folgenden Schritten: Verschaffen einer ersten Trägerplatte (1) und einer zweiten Platte (13), Bilden einer Matrix aus ersten Bildelektroden (2) und einer Vielzahl Zeilenelektroden (15) auf der einen Oberfläche der ersten Platte (1), Bilden einer Matrix aus zweiten Bildelektroden (12) und einer Vielzahl Spaltenelektroden (14) auf der einen Oberfläche der zweiten Platte (13), Verschaffen auf der ersten Platte (1) nacheinander eines ersten Anschlußleiters (6), der eine der ersten Bildelektroden (2) kontaktiert, eines ersten Halbleitergebiets (8) eines ersten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration, eines zweiten Halbleitergebiets (9) des ersten oder des zweiten Leitungstyps mit einer relativ niedrigen Dotierungskonzentration, eines dritten Halbleitergebiets (10) des zweiten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration und eines zweiten Anschlußleiters (7), der eine der Zeilenelektroden (15) kontaktiert, Positionieren der Platten (1, 13) zueinander in der Weise, daß die mit den Bildelektroden (2, 12) bedeckten Oberflächen der Platten (1, 13) an eine zwischen den Platten gebildete Lücke grenzen, und Füllen der zwischen den Platten (1, 13) gebildeten Lücke mit einem elektrooptischen Wiedergabemedium (19), dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Metallschicht (6), eine erste Halbleiterschicht (8) eines ersten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration, die das erste Halbleitergebiet (8) bildet, und eine zweite Halbleiterschicht (9) des ersten oder eines zweiten Leitungstyps mit einer relativ niedrigen Dotierungskonzentration, die das zweite Halbleitergebiet (9) bildet, aufeinanderfolgend auf die Platte (1) aufgebracht werden, daß die Halbleiterschichten (8, 9) dann zu einem mesaförmigen Halbleiterkörper geätzt werden, daß eine isolierende Schicht (3) über der resultierenden Struktur aufgebracht wird, in welche isolierende Schicht (3) ein Fenster über dem Halbleiterkörper geätzt wird, wobei das Fenster, in Projektion betrachtet, in dem Rand der zweiten Halbleiterschicht (9) liegt, und daß eine dritte Halbleiterschicht (10) eines zweiten Leitungstyps mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration, die das dritte Halbleitergebiet (10) bildet, über der so erhaltenen Struktur aufgewachsen wird.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5619092A (en) * 1993-02-01 1997-04-08 Motorola Enhanced electron emitter
US6180444B1 (en) 1998-02-18 2001-01-30 International Business Machines Corporation Semiconductor device having ultra-sharp P-N junction and method of manufacturing the same
US6704133B2 (en) 1998-03-18 2004-03-09 E-Ink Corporation Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays
AU3190499A (en) 1998-03-18 1999-10-11 E-Ink Corporation Electrophoretic displays and systems for addressing such displays
AU3552699A (en) 1998-04-10 1999-11-01 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
US7075502B1 (en) 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
JP4651193B2 (ja) 1998-05-12 2011-03-16 イー インク コーポレイション ドローイングデバイス用途のためのマイクロカプセル化した電気泳動性の静電的にアドレスした媒体
AU4703999A (en) * 1998-06-22 2000-01-10 E-Ink Corporation Means of addressing microencapsulated display media
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6504524B1 (en) 2000-03-08 2003-01-07 E Ink Corporation Addressing methods for displays having zero time-average field
US6531997B1 (en) 1999-04-30 2003-03-11 E Ink Corporation Methods for addressing electrophoretic displays
EP1196814A1 (de) 1999-07-21 2002-04-17 E Ink Corporation Verwendung eines speicherkondensators zur verbesserung der leistung einer, von einer aktiven matrix gesteuerten elektronischen anzeige
US7893435B2 (en) * 2000-04-18 2011-02-22 E Ink Corporation Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough
JP2003531487A (ja) 2000-04-18 2003-10-21 イー−インク コーポレイション 薄膜トランジスタを製造するためのプロセス
US20020060321A1 (en) 2000-07-14 2002-05-23 Kazlas Peter T. Minimally- patterned, thin-film semiconductor devices for display applications
US6967640B2 (en) * 2001-07-27 2005-11-22 E Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic display with integrated driver
KR102620764B1 (ko) * 2018-12-24 2024-01-02 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출장치용 어레이 패널 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8103376A (nl) * 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4642620A (en) * 1982-09-27 1987-02-10 Citizen Watch Company Limited Matrix display device
DE3424085A1 (de) * 1983-06-29 1985-01-17 Citizen Watch Co., Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung von hoechstminiaturisierten duennschichtdioden
US4748445A (en) * 1983-07-13 1988-05-31 Citizen Watch Co., Ltd. Matrix display panel having a diode ring structure as a resistive element
EP0150728A3 (de) * 1984-01-23 1986-01-08 Energy Conversion Devices, Inc. Mit Dioden aus amorphen Silizium-Legierungen gesteuerte Flüssigkristallanzeigevorrichtungen
JPS61217087A (ja) * 1985-03-22 1986-09-26 富士電機株式会社 液晶表示装置用非線形抵抗素子
NL8502663A (nl) * 1985-09-30 1987-04-16 Philips Nv Weergeefinrichting met verbeterde aansturing.

Also Published As

Publication number Publication date
DE68916358D1 (de) 1994-07-28
US5008590A (en) 1991-04-16
JP2524840B2 (ja) 1996-08-14
EP0362928A1 (de) 1990-04-11
NL8802409A (nl) 1990-04-17
JPH02116830A (ja) 1990-05-01
EP0362928B1 (de) 1994-06-22

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