DE68910707T2 - Elektronische Mikroschaltung. - Google Patents

Elektronische Mikroschaltung.

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DE68910707T2 DE1989610707 DE68910707T DE68910707T2 DE 68910707 T2 DE68910707 T2 DE 68910707T2 DE 1989610707 DE1989610707 DE 1989610707 DE 68910707 T DE68910707 T DE 68910707T DE 68910707 T2 DE68910707 T2 DE 68910707T2
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices

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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Mikroelektronik- Schaltung. Diese Schaltung ermöglicht eine elektromagnetische Entkopplung mittels einer Wand, die zwei Räume eines Mikrowellen- (oder Hochfrequenz-)Gehäuses mit aktiven elektrischen Elementen voneinander trennt.
  • In bekannten Schaltungsanordnungen erfolgt eine elektromagnetische Entkopplung durch eine Wand, die durch Ausfräsen der beiden benachbarten Räume des Hochfrequenzgehäuses erhalten wird. Der elektrische Übergang zwischen den beiden Räumen (elektronisches Bauteil, Leitspur oder Kabel) ergibt sich über eine in der Wand ausgeschnittene Öffnung, die sich knapp über dem inneren Boden des Gehäuses befindet und die im übrigen eine komplexe Form besitzen kann, welche so genau wie möglich der Silhouette des elektrische Übergangs angepaßt ist. Lage, Form sowie Genauigkeit der Anordnung der Öffnung machen ihr Ausschneiden aus der Wand schwierig und manchmal sogar unmöglich, sofern die kleinen Abmessungen der Räume den Durchgang für das Schneidwerkzeug nicht zulassen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, diese Nachteile zu beheben.
  • Hierzu schlägt die Erfindung eine Mikroelektronik- Schaltung vor, die ein Mikrowellengehäuse mit mindestens einem darin angeordneten Mikroelektronik-Substrat enthält, wobei das Gehäuse einen längsgerichteten Raum besitzt, in dem jedes Substrat angeordnet ist, wobei eine metallische Quertrennwand zur elektromagnetischen Entkopplung vorgesehen ist, um das Gehäuse in zwei benachbarte Räume zur Aufnahme aktiver elektrischer Bauteile zutrennen, und wobei diese metallische Trennwand in ihrem unteren Teil eine Öffnung besitzt, dadurch gekennzeichnet, daß daß dieses Gehäuse mindestens ein Paar von seitlichen Höhlungen besitzt, die zu beiden Seiten des längsgerichteten Raums ausgefräst sind, und daß diese metallische Trennwand entfernbar ist und zu diesem Zweck aus einer Metallamelle besteht, deren zentraler Bereich den Trennbereich bildet und deren beide Endbereiche zwei elastische Flügel bilden, die so gestaltet sind, daß sie sich je in einer der beiden erwähnten seitlichen Höhlungen des Gehäuses blockieren, derart, daß diese entfernbare Trennwand in das Gehäuse durch einfachen auf die Metallamelle mit den elastischen seitlichen Flügeln ausgeübten senkrechten Druck eingesetzt werden kann.
  • Zum Stand der Technik können die Druckschriften JP-A- 55/97702 und DE-A-1 591 570 zitiert werden, von denen die eine eine leitende und fest zwischen einem Wellenleiter und einem integrierten Schaltkreis angeordnete Trennwand und die andere ein isolierendes Bauteil zeigt, das ein Substrat in Stellung hält, welches über ein metallisches Empfangsglied mit U-Querschnitt in Position gebracht wird.
  • Die Erfindung ermöglicht auch, gleichzeitig eine elektrische Verbindung zwischen den beiden Räumen sowie die erforderliche elektromagnetische Entkopplung herzustellen, ohne daß dabei die oben beschriebenen Probleme der mechanischen Bearbeitung auftreten würden.
  • Außerdem verbessert die Erfindung die elektrischen Eigenschaften des Hochfrequenzgehäuses dadurch, daß die beiden oben genannten Substrate, die in zwei benachbarten Räumen liegen, zu einem einzigen und gemeinsamen Substrat zusammengefaßt sind. Diese Lösung hat den Vorteil, die Toleranzabstände oder Freiräume aufgrund der Addition der Fertigungs- und Bearbeitungstoleranzen der Räume, die Toleranzen beim Ausschneiden des Substrats und die Toleranzen bezüglich der Positionierung des oder der aktiven Bauteile zu beschränken. Diese Freiräume sind im übrigen für den elektrischen Betrieb des Hochfrequenzgehäuses schädlich.
  • Außerdem erleichtert die Erfindung die Montage der Schaltung, da jedes aktive Element vor dem Einsetzen des Substrats in das Gehäuse auf dem Substrat montiert und verlötet werden kann. Die Erfindung erlaubt also eine Verringerung der Montagezeit sowie der Gefahren eines Fehlgriffs.
  • Vorzugsweise wird die Wand von einem zentralen Bereich, der in seinem unteren Teil eine Öffnung aufweist, und auf ihren Seiten von zwei bezüglich der Wand elastische Rippen gebildet, die sich je in einer der seitlichen Öffnungen blokkieren. Es kann sich hier beispielsweise um eine Metallamelle handeln, die zu beiden Seiten ihres zentralen Bereichs umgebogen ist, um zwei bezüglich dieses Bereichs geneigte Flügel zu bilden.
  • Die Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen im übrigen aus der nachfolgenden, nicht beschränkend zu verstehenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen hervor.
  • Figur 1 zeigt von oben die Mikroelektronik-Schaltung gemäß der Erfindung, wobei das Gehäuse ohne Deckel dargestellt ist.
  • Figur 2 zeigt die erfindungsgemäße Mikroelektronik- Schaltung im Querschnitt entlang der Ebene II-II in Figur 1.
  • Figur 3 zeigt eine abnehmbare Wand, die in der erfindungsgemäßen Mikroelektronik-Schaltung gemäß den Figuren 1 und 2 verwendet wird.
  • Die in Figur 1 dargestellte Mikroelektronik-Schaltung enthält:
  • - ein Hochfrequenzgehäuse 10, in dem ein längsgerichteter Raum 11 ausgefräst ist, wobei ein Deckel 12 auf dem Gehäuse unter Verwendung von Befestigungsmitteln 9, z.B. Schrauben, die beispielsweise Löchern 13 zugeordnet sind, befestigt werden kann, so daß der Raum 11 verschlossen wird,
  • - mindestens ein Mikroelektronik-Substrat 21,
  • - eine entfernbare Trennwand 14, die in zwei seitlichen Höhlen 15 und 16 angeordnet sind, welche aus den Seitenwänden des Gehäuses 10 zu beiden Seiten des Raums 11 ausgeschnitten wurden.
  • Die als Ausführungsbeispiel in Figur 1 gezeigte Schaltung ist ein rauscharmer Verstärker, der beispielsweise im Frequenzband von 10,3 bis 10,7 GHz arbeitet. Diese Schaltung enthält vier Teile, nämlich
  • - einen Eingangszirkulator 17,
  • - einen eigentlichen Verstärker 18,
  • - einen Ausgangszirkulator 19,
  • - eine Impedanzanpassungsleitung 20.
  • Diese verschiedenen Teile, die aus gravierten Substraten gebildet werden, sind schematisch in Figur 1 dargestellt.
  • Der eigentliche Verstärker 18 wird von einem gravierten Substrat 21 gebildet, auf das die aktiven Bauteile 22, hier zwei an der Zahl, und oberflächlich montierte Bauteile 23, wie z.B. Kondensatoren, Widerstände, aufgelötet sind.
  • Ein koaxialer Eingangsstecker 24 und ein koaxialer Ausgangsstecker 25 stellen eine Verbindung zum Zirkulator 17 bzw. der Anpassungsleitung 20 her.
  • Zwei Rinnen 31 und 32 befinden sich in der Nähe des Eingangs und des Ausgangs des Gehäuses 10, um den Zirkulator 17 bezüglich des Steckers 24 und die Leitung 20 bezüglich des Steckers 25 besser positionieren zu können.
  • Die entfernbare Wand 14, die genauer in Figur 3 gezeigt ist, besteht aus einem zentralen ebenen Bereich 26, der in seinem unteren Teil eine Öffnung 27, hier halbkreisförmig, und an seinen beiden Seiten zwei seitliche Flügel 28 und 29 besitzt, die eine gewisse Elastizität bezüglich des zentralen Bereichs besitzen.
  • Diese Trennwand 14 kann, wie hier, eine Metallamelle sein, die zu beiden Seiten des zentralen Bereichs 26 abgeknickt ist, um zwei bezüglich des zentralen Teils geneigte Flügel 28 und 29 zu bilden.
  • In den Figuren 1 und 2 ist diese Trennwand 14 in ihrer Lage im Gehäuse 10 zwischen den beiden Öffnungen 15 und 16 dargestellt.
  • Eine Absorptionsplatte 30, die in Figur 2 gezeigt ist, liegt zwischen dem oberen Bereich dieser Trennwand 14 und dem Deckel 12, um die eventuellen Vibrationen in senkrechter Richtung bei der Verwendung der Schaltung in einem Gerät zu dämpfen, während die Längsvibrationen durch die Elastizität dieser Trennwand 14 gedämpft werden.
  • Diese Trennwand 14 besteht aus einem Material, das elektromagnetische Strahlung aufgrund des Vorhandenseins mindestens eines aktiven Elements (Transistor 22) nur wenig durchläßt, aber stark reflektiert. Die Wand kann so aus einer Berylliumlegierung hergestellt sein.
  • Die Absorptionsplatte 30 besteht aus einem Material, das funkelektrisch absorbierende Eigenschaften hat.
  • In bekannter Weise können das Gehäuse 10 und sein Deckel aus einer Aluminiumlegierung sowie das Substrat bzw. die Substrate aus Ferrit, Epoxyharz oder Duroidharz bestehen.
  • Beispielsweise wurde der oben erwähnte, im Frequenzbereich von 10,3 bis 10,7 GHz betriebene rauscharme Verstärker mit einem Gehäuse der Abmessungen von etwa 72 x 21 x 16 cm realisiert.
  • Die Montage der erfindungsgemäßen Schaltung wird wie folgt durchgeführt:
  • - man fräst den Raum 11 im Gehäuse 10 aus, indem die beiden seitlichen Höhlungen 15 und 16 einander gegenüberliegend zu beiden Seiten des Raums 11 realisiert werden;
  • - man setzt die Trennwand 14 durch einfachen senkrechten Druck ein, nachdem das Substrat 21 bzw. die Substrate angebracht wurden. Die Blockierung der Trennwand 14 erfolgt aufgrund der Elastizität der beiden Flügel 28 und 29;
  • - man setzt die elektrisch absorbierende Platte 30 oberhalb der Trennwand 14 auf, um letztere in senkrechter Richtung festzulegen;
  • - man befestigt den Deckel 12 auf dem Gehäuse 10.
  • Die erfindungsgemäßen Merkmale erlauben es also, eine stark vereinfachte und qualitativ hochstehende Montage und Verdrahtung durchzuführen, wobei die entfernbare Trennwand 14 am Schluß der Montage installiert wird.
  • Selbstverständlich wurde die Erfindung nur anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben und dargestellt. Ihre wesentlichen Elemente können durch äquivalente Elemente ersetzt werden, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
  • So kann die Mikroelektronik-Schaltung ein anderes Element als ein Verstärker sein und kann außerdem eine beliebige Anzahl von Substraten enthalten.
  • Die Mikroelektronik-Schaltung erlaubt es, folgende Ergebnisse zu erzielen:
  • - Verbesserung der Isolation zwischen Eingang und Ausgang von Verstärkergehäusen:
  • . Verstärker auf einem Substrat mit einer kleinen Dielektrizitätskonstante,
  • . Verstärker mit großem Verstärkungsgrad (≥ + 20 dB);
  • - Verbesserung der Isolation zwischen einer Vorrichtung, die von einer strahlenden Vorrichtung gefolgt wird oder der eine solche Vorrichtung vorausgeht:
  • * Isolation zwischen einem Mikrostrip-Isolator und einem Verstärker,
  • * Isolation zwischen einem Mikrostrip-Isolator und einem Oszillator,
  • * Isolation zwischen einem Verstärker und einem Mikrostrip- Filter;
  • - Schutz gegen Störsignale:
  • . zwischen einem Verstärker und einer Mischstufe,
  • . zwischen einer Mischstufe und einem örtlichen Oszillator.

Claims (6)

1. Mikroelektronik-Schaltung, die ein Mikrowellengehäuse (10) mit mindestens einem eingebauten Mikroelektronik-Substrat (21) enthält, wobei das Gehäuse einen längsgerichteten Raum (11) besitzt, in dem jedes Substrat (21) angeordnet ist, wobei eine metallische Quertrennwand zur elektromagnetischen Entkopplung vorgesehen ist, um das Gehäuse in zwei benachbarte Räume zur Aufnahme aktiver elektrischer Bauteile zu trennen, und wobei diese metallische Trennwand in ihrem unteren Teil eine Öffnung (27) besitzt, dadurch gekennzeichnet, daß dieses Gehäuse mindestens ein Paar von seitlichen Höhlungen (15, 16) besitzt, die zu beiden Seiten des längsgerichteten Raums (11) ausgefräst sind, und daß diese metallische Trennwand (14) entfernbar ist und zu diesem Zweck aus einer Metallamelle besteht, deren zentraler Bereich (26) den Trennbereich bildet und deren beide Endbereiche (28, 29) zwei elastische Flügel bilden, die so gestaltet sind, daß sie sich je in einer der beiden erwähnten seitlichen Höhlungen (15, 16) des Gehäuses blockieren, derart, daß diese entfernbare Trennwand (14) in das Gehäuse durch einfachen auf die Metallamelle mit den elastischen seitlichen Flügeln ausgeübten senkrechten Druck eingesetzt werden kann.
2. Mikrowellenschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zentrale Bereich (26) dieser entfernbaren Metallamelle (14) eben ist.
3. Mikrowellenschaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zentrale Bereich (26) dieser entfernbaren Metallamelle (14) rechteckförmig ist.
4. Mikrowellenschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennwand (14) eine Metallamelle ist, die zu beiden Seiten des zentralen Bereichs geknickt ist, um zwei bezüglich des zentralen Bereichs geneigte Flügel (28, 29) zu bilden.
5. Mikrowellenschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallamelle aus einer Berylliumlegierung besteht.
6. Mikrowellenschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine absorbierende Platte (30) zwischen dem Gehäuse (10) und seinem Deckel (12) angeordnet ist.
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