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SACHGEBIET DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen keramischen Sinterkörper und
auf ein Verfahren zum Herstellen davon. Genauer gesagt bezieht sich
die Erfindung auf einen keramischen Sinterkörper, der ein Cordierit aufweist,
das eine spezifizierte Menge an Mullit, das darin dispergiert ist,
besitzt, wobei das Mullit eine niedrige thermische Expansion aufweist
und einen großen
Wert besitzt, der durch Teilen eines Elastizitätsmodul (Young'schen Modulus) durch
eine Dichte (nachfolgend bezeichnet als eine "spezifische Festigkeit") erhalten ist, und
auf ein Verfahren zum Herstellen davon.
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Die
Erfindung wird zum Beispiel für
keramische Teile für
Halbleiterherstellungsvorrichtungen, für keramische Teile für Präzisionssteuermaschinen,
für keramische
Teile für
optische Instrumente und für
Katalysatorträger
verwendet.
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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Zuvor
waren als keramische Sinterkörper
mit niedriger thermischer Expansion Aluminiumtitanat, auf Lithium-Alumino-Silikat
basierende Keramiken, wie beispielsweise Eucryptit, β-Spondumen,
und Petalit, und auf Magnesium-Alumino-Silikat basierende Keramiken,
wie beispielsweise Cordierit, bekannt.
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Obwohl
die auf Aluminiumtitanat und die auf Lithium-Alumino-Silikat basierenden
Keramiken einen kleinen, thermischen Expansionskoeffizienten haben,
besitzen sie ein kleines Elastizitätsmodul (Young'sches Modul), so
dass sie sich leicht durch eine äußere Kraft
oder die Schwerkraft verformen. Dementsprechend wird deren Anwendung
bei Tei len für
Präzisionsmaschinen
oder bei Teilen für
optische Instrumente aufgrund der dimensionsmäßigen Änderungen oder der Formänderungen
abgelehnt.
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Andererseits
ist Cordierit zuvor als ein keramischer Sinterkörper mit niedriger thermischer
Expansion bei Filtern, Waben und feuerfesten Materialien angewandt
worden. Allerdings ist dies ein poröser Körper, und dessen Elastizitätsmodul
ist niedrig von ungefähr
70 bis 90 Gpa. Weiterhin beträgt
dessen thermischer Expansionskoeffizient ungefähr 0,5 ppm/Km und es kann nicht
gesagt werden, dass dieser Wert ausreichend klein ist.
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Zuvor
ist ein bekanntes Verfahren, um ein sehr kleines Cordierit zu erhalten,
das einen kleinen thermischen Koeffizienten besitzt, zum Herstellen
einer Petalit-Phase oder einer β-Spodumen-Phase
nebeneinander bekannt gewesen (siehe JP-A-11-209171 (der Ausdruck "JP-A", wie er hier verwendet
wird, bedeutet eine "ungeprüfte, veröffentlichte,
Japanische Patentanmeldung")).
Allerdings werden entsprechend diesem Verfahren keine gesinterten
Körper
aus Cordierit, die einen ausreichend kleinen thermischen Koeffizienten
haben, erhalten. Weiterhin ist eine Technologie bekannt, bei der
ein Seltenerdelement hinzugefügt
wird, um einen gesinterten Cordierit-Körper zu erhalten, der eine
geringe Porosität
und einen geringen thermischen Expansionskoeffizienten besitzt (siehe
JP-A-10-53460).
Allerdings kann gerade in diesem Fall nicht gesagt werden, dass
der thermische Expansionskoeffizient ausreichend klein ist.
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Aus "Journal of the European
Ceramic Society",
Vol. 18, No. 14, Seiten 2149 bis 2157, sind gesinterte Cordierit-Mullit-Keramikkörper bekannt,
die 10 Gew.-% an Mullit zu Cordierit hinzugefügt haben.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung liegt darin, die vorstehenden Probleme des Stands der
Technik zu beseitigen, und sie zielt darauf, einen keramischen Sinterkörper zu
schaffen, der eine niedrige thermische Expansion besitzt und eine
hohe spezifische Festigkeit besitzt, und ein Verfahren zum Herstellen
davon zu schaffen.
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Im
Hinblick auf das vorstehende Produkt wird die vorstehende Aufgabe
durch einen keramischen Sinterkörper
gelöst,
der auf der Basis von 100 Gew.-% einer Gesamtsumme des Gehalts an
dem Cordierit und dem Mullit von 92 bis 99,5 Vol.-% Cordierit und
von 0,5 bis 8 Vol.-% Mullit umfasst, wobei die mit Röntgenbeugungsmessungen
erfasste Kristallphase des Sinterkörpers nur aus einer Cordierit-Phase
und einer Mullit-Phase einschließlich unvermeidbarer Verunreinigungen
besteht, und eine Dichte von 2,48 g/m3 oder
mehr hat, wobei der Cordierit-Kristall eine durchschnittliche Teilchengröße von 2 μm oder weniger
hat und der keramische Sinterkörper
einen Wärmeausdehnungskoeffizienten,
gemessen bei 20 bis 25°C,
von –0,03
bis 0,16 ppm/K und einen durch Dividieren seines Elastizitätsmoduls
durch seine Dichte ermittelten Wert von 54,7 bis 56,5 Gpa/g/cm3 hat.
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Der
keramische Sinterkörper
entsprechend der Erfindung kann geeignet als ein Element für die Herstellung
von Halbleitervorrichtungen verwendet werden.
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Der
keramische Sinterkörper
entsprechend der Erfindung kann geeignet als ein Element für eine Vakuum-Spanneinrichtung
(gebildet aus einem keramischen Sinterkörper) verwendet werden.
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Der
keramische Sinterkörper
gemäß der Erfindung
kann geeignet als ein Element für
eine elektrostatische Spanneinrichtung (gebildet aus einem keramischen
Sinterkörper)
gebildet werden.
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Das
Verfahren zum Herstellen eines keramischen Sinterkörpers entsprechend
der Erfindung weist ein Mischen wenigstens eines Magnesiumoxidpulvers,
eines Magnesiumverbindungspulvers, das beim Erhitzen zu Magnesiumoxid
wird, eines Aluminiumoxidpulvers, eines Aluminiumverbindungspulvers,
das beim Erhitzen zu Aluminiumoxid wird, eines Siliziumoxidpulvers
und eines Siliziumverbindungspulvers, das beim Erhitzen zu Siliziumoxid
wird, und wenigstens eines von zusammengesetzten Oxidpulvern von
Magnesium, Aluminium oder Silizium auf, und Sintern des Gemischs,
so dass es auf Basis von 100 Gew.-% einer Gesamtsumme des Gehalts
an dem Cordierit und dem Mullit von 92 bis 99,5 Vol.-% Cordierit
und von 0,5 bis 8 Vol.-% Mullit umfasst, wobei die Pulver eine durchschnittliche
Teilchengröße von 2,0 μm oder weniger
haben und das Sintern von 1.300 bis 1.450 °C über 1 bis 5 Stunden ausgeführt wird,
auf.
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Entsprechend
diesem Herstellungsvorgang ist es möglich, einen keramischen Sinterkörper zu
schaffen, der einen thermischen Expansionskoeffizienten, wie er
bei 20 bis 25 °C
gemessen ist, von –0,03
bis 0,16 ppm/K und einen Wert, wie er durch Teilen seines Elastizitätsmoduls
erhalten wird, von 54,7 bis 56,5 Gpa/g/cm3 besitzt.
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Dabei
bedeutet, in der Erfindung, der Fall, bei dem der thermische Expansionskoeffizient
geringer als 0 ppm/K ist, dass der Sinterkörper thermisch schrumpft.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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[1]
Eine Grafik, die die Beziehung zwischen der Menge an Mullit, wie
sie enthalten ist, und dem thermischen Expansionskoeffizienten und
dem spezifischen Festigkeitswert, der durch Teilen des Elastizitätsmoduls
durch die Dichte erhalten ist, darstellt.
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[2]
Ein Diagramm der Röntgenbeugung
des keramischen Sinterkörpers
von Beispiel 3.
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[3]
Eine perspektivische Ansicht, um einen teilweise aufgebrochenen
Schnitt eines Halbleiter-Wafers und einer Vakuum-Spannvorrichtung,
die aus einem keramischen Sinterkörper gebildet sind, darzustellen.
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[4]
Eine perspektivische Ansicht, um einen teilweise aufgebrochenen
Schnitt einer elektrostatischen Spanneinrichtung, die aus einer
elektrostatischen Spanneinrichtung und einer Grundplatte gebildet
ist, darzustellen.
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- 1
- Vakuum-Spanneinrichtung
(adsorbierende Platte)
- 3,
35
- Halbleiter-Wafer
- 5
- Substrat
- 7
- adsorbierendes
Loch
- 9
- Vorsprung
- 11
- Dichtabschnitt
- 21
- Elektrostatische
Spanneinrichtung
- 27
- Grundplatte
- 31,
33
- Innere
Elektrode
- 29
- Elektrostatische
Spannvorrichtung
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung wird im Detail nachfolgend beschrieben.
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Der
keramische Sinterkörper
entsprechend der Erfindung weist 92 bis 9,5 Vol.-% an Cordierit, (2MgO·2Al2O3·5SiO2) und von 0,5 bis 8 Vol.-% an Mullit (3Al2O3·2SiO2) basierend auf 100 Gew.-% der Gesamtsumme
der Inhalte des Cordierits und des Mullits auf. Der Gehalt des Cordierits
beträgt
bevorzugter von 95 bis 99,3 Vol.-% und am bevorzugtesten von 95
bis 99,2 Vol.-%. Wenn der Gehalt an Cordierit geringer als 90 Vol.-%
ist, ist, obwohl die spezifische Festigkeit hoch ist, der thermische
Expansionskoeffizient auch groß,
und demzufolge ist dies nicht bevorzugt. Andererseits wird, wenn
er 99,8 Vol.-% übersteigt,
da eine Spinell-Phase oder eine Glas-Phase, die einen hohen Wärmeausdehnungskoeffizienten
besitzt, oder eine Cristobalit-Phase, die ein kleines Elastizitätsmodul
besitzt, der Wärmeausdehnungskoeffizient
groß,
und die spezifische Festigkeit wird gering, und ist ebenfalls nicht
bevorzugt.
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Der
Ausdruck "Vol.-%", wie er hier angeführt ist,
bedeutet % bezogen auf das Volumen sowohl von Cordierit als auch
Mullit, das durch die Reaktion der Pulver des Ausgangsmaterials
während
eines Sinterns basierend auf 100 Gew.-% der Gesamtsumme des Cordierits
und des Mullits gebildet ist.
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Der
Gehalt des Mullits reicht von 0,5 bis 8 Vol.-%, noch bevorzugter
von 0,7 bis 5 Vol.-%, und am bevorzugtesten von 0,8 bis 5 Vol.-%.
Wenn der Gehalt des Mullits geringer als 0,2 Vol.-% ist, wird, da
sich eine Spinell-Phase oder eine Glas-Phase, die einen großen Wärmeausdehnungskoeffizienten
besitzt, oder eine Cristobalit-Phase, die ein kleines Elastizitätsmodul
besitzt, niederschlägt,
der Wärmeausdehnungskoeffizient groß, und die
spezifische Festigkeit wird klein, und ist demzufolge nicht bevorzugt.
Andererseits ist, wenn er 10 Gew.-% übersteigt, obwohl die spezifische
Festigkeit groß ist,
der Wärmeaus dehnungskoeffizient
auch groß,
und ist demzufolge ebenfalls nicht bevorzugt. Weiterhin besteht
bevorzugt in diesem Sinterkörper
die Kristall-Phase, wie sie durch Röntgenbeugungsmessungen erfasst
ist, nur aus einer Cordierit-Phase und einer Mullit-Phase.
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Dabei
kann der Sinterkörper
Spurenmengen anderer Komponenten (unvermeidbare Verunreinigungen
bei der Herstellung, und andere Komponenten) als das Cordierit und
das Mullit enthalten, ohne dass die Dichte, der Wärmeausdehnungskoeffizient
und die spezifische Festigkeit beeinflusst werden.
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Der
keramische Sinterkörper
entsprechend der Erfindung kann ein Peak-Intensitätsverhältnis von 0,2 bis 20, vorzugsweise
von 0,5 bis 16, noch bevorzugter von 0,7 bis 10, und am bevorzugtesten
von 0,8 bis 10 haben. Wenn das Peak-Intensitätsverhältnis des keramischen Sinterkörpers geringer
als 0,2 ist, wird, da eine Spinell-Phase oder eine Glas-Phase einen
hohen Wärmeausdehnungskoeffizienten
besitzt, oder sich eine Cristobalit-Phase, die ein geringes Elastizitätsmodul
besitzt, niederschlägt,
der Wärmeausdehnungskoeffizient groß, und die
spezifische Festigkeit wird klein, und ist demzufolge nicht bevorzugt.
Andererseits ist, wenn er 20 übersteigt,
obwohl die spezifische Festigkeit groß ist, der Wärmeausdehnungskoeffizient
auch groß,
und ist demzufolge als solcher ebenfalls nicht bevorzugt. Weiterhin
besteht in diesem Sinterkörper
die Kristall-Phase, wie
sie mit Röntgenbeugungsmessungen
erfasst ist, nur aus einer Cordierit-Phase und einer Mullit-Phase.
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Dabei
kann der Sinterkörper
Spurenmengen anderer Komponenten (unvermeidbare Verunreinigungen
bei der Herstellung, und andere Komponenten) als das Cordierit und
das Mullit enthalten, ohne dass die Dichte, der Wärmeausdehnungskoeffizient
und die spezifische Festigkeit beeinflusst werden.
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Der
keramische Sinterkörper
besitzt eine Dichte von 2,48 g/cm3 oder
mehr, vorzugsweise von 2,49 g/cm3 oder mehr,
und noch bevorzugter von 2,50 g/cm3 oder
mehr. Wenn die Dichte des keramischen Sinterkörpers geringer als 2,48 g/cm3 ist, wird kein großes Elastizitätsmodul
erhalten, und die spezifische Festigkeit ist gering, und ist demzufolge
nicht bevorzugt. Weiterhin wird nur schwer eine Oberflächenglätte erhalten,
da sich die Anzahl der Poren erhöht,
wenn die Oberfläche
des keramischen Sinterkörpers
poliert wird.
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Der
Cordierit-Kristall, der in dem keramischen Sinterkörper enthalten
ist, besitzt eine durchschnittliche Teilchengröße von 2 μm oder geringer, noch bevorzugter
von 1,9 μm
oder geringer, und am bevorzugtesten von 1,8 μm oder geringer. Da sich in
dem Cordierit-Kristall
der Wärmeausdehnungskoeffizient
auf der a-Achse von derjenigen auf der c-Achse unterscheidet, wenn die durchschnittliche
Teilchengröße des Cordierit-Kristalls 2 μm übersteigt,
werden Mikrorisse durch den Unterschied in der Wärmeausdehnung in dem Sinterkörper während des
Sinterschritts hervorgerufen, und die spezifische Festigkeit der
erhaltenen Keramik wird gering, und ist demzufolge nicht bevorzugt.
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Der
keramische Sinterkörper
besitzt einen Wärmeausdehnungskoeffizienten,
gemessen bei 20 bis 25 °C,
von –0,03
bis 0,16 ppm/K, noch bevorzugter von –0,11 bis 0,11 ppm/K und am
bevorzugtesten von –0,08 bis
0,08 ppm/K. Weiterhin besitzt der keramische Sinterkörper vorzugsweise
eine spezifische Festigkeit (erhalten durch Teilen dessen Elastizitätsmoduls
durch seine Dichte) von 54,7 bis 56,5 Gpa/g/cm3.
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Weiterhin
sind, in Bezug auf den Wärmeausdehnungskoeffizienten
und die spezifische Festigkeit, wie dies in 1 dargestellt
ist, die folgenden Ausführungsformen
(1) bis (3) in Abhängigkeit
von dem Gehalt des Mullits bevorzugt.
- (1) In
dem Fall, bei dem der Gehalt des Mullits von 0,5 bis 8 Vol.-% reicht,
reicht nicht nur der Wärmeausdehnungskoeffizient
von –0,03
bis 0,16 ppm/K, sondern auch die spezifische Festigkeit reicht von
54,7 bis 56,5 Gpa/g/cm3.
- (2) In dem Fall, bei dem der Gehalt des Mullits von 0,7 bis
5 Vol.-% reicht, reicht nicht nur der Wärmeausdehnungskoeffizient von –0,03 bis
0,08 ppm/K, sondern auch die spezifische Festigkeit reicht von 54,9
bis 56,0 Gpa/g/cm3.
- (3) In dem Fall, bei dem der Gehalt des Mullits von 0,8 bis
5 Vol.-% reicht, reicht nicht nur der Wärmeausdehnungskoeffizient von –0,03 bis
0,08 ppm/K, sondern auch die spezifische Festigkeit reicht von 55,0
bis 56,0 Gpa/g/cm3.
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Als
nächstes
wird das Verfahren zum Herstellen eines keramischen Sinterkörpers entsprechend
der Erfindung nachfolgend beschrieben.
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Bei
dem Herstellungsverfahren der Erfindung können zumindest entweder ein
Magnesiumoxidpulver oder ein Magnesiumverbindungspulver, das zu
Magnesiumoxid unter Erwärmen
wird, mindestens entweder ein Aluminiumoxidpulver oder ein Aluminiumverbindungspulver,
das Aluminiumoxid unter einem Erwärmen wird, und mindestens entweder
ein Siliziumoxidpulver oder ein Siliziumverbindungspulver, das Siliziumoxid
unter Erwärmen
wird, gemischt und verwendet werden. Für jede dieser Verbindungen
ist nur erforderlich, dass sie ein Oxid unter Erwärmen wird.
Als solche Verbindungen sind ein Karbonat, ein Wasserstoffkarbonat,
ein Hydroxid und ein Nitrat jedes der Metalle aufzuzählen. Weiterhin
können,
neben den jeweiligen Metalloxidpulvern und den jeweiligen Metallverbindungspulvern,
zwei oder mehr Verbundoxidpulver der vorstehenden Metalle (d.h.
Magnesium, Aluminium und Silizium) gemischt und verwendet werden.
Als Verbundoxidpulver können
Pulver von z.B. Codierit, Mullit und anderen Aluminosilikaten aufgezählt werden.
Weiterhin kann zumindest eines der jeweiligen Metalloxidpulver und
der jeweiligen Metallverbindungspulver und eines der Metallverbundoxidpulver
gemischt und verwendet werden. Zum Beispiel können ein oder mehrere der Pulver
von z.B. Cordierit, Mullit und anderen Aluminosilikaten und eines
oder mehrere der Pulver von z.B. Magnesiumdioxid, Magnesiumkarbonat,
Aluminiumoxid, Aluminiumhydroxid und Siliziumdioxid verwendet werden.
Auch können kalzinierte
Pulver als die Pulver für
das Ausgangsmaterial verwendet werden.
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Jedes
der nachfolgenden Pulver besitzt vorzugsweise eine durchschnittliche
Teilchengröße von 2,0 μm oder geringer,
bevorzugter von 1,9 μm
oder geringer, und am bevorzugtesten von 1,8 μm oder geringer. Wenn die Teilchengröße des Pulvers
2,0 μm übersteigt,
wird kein Sinterkörper,
der ein großes
Elastizitätsmodul
besitzt, erhalten, und die spezifische Festigkeit ist gering, und
demzufolge ist dieses nicht bevorzugt. Die Metalloxidpulver werden
gewogen und so gemischt, dass diese Pulver miteinander während des
Sinterns zur Reaktion gebracht werden, um einen Sinterkörper zu
erhalten, der von 92 bis 99,5 Vol.-% einer Cordierit-Phase und von
0,5 bis 8 Vol.-% einer Mullit-Phase aufweist.
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In
diesem Sinterkörper
besteht die Kristall-Phase, wie sie durch Röntgenbeugungsmessungen erfasst wird,
nur aus der Cordierit-Phase und der Mullit-Phase. Dabei können Spurenmengen
anderer Ausgangsmaterialien (unvermeidbare Verunreinigungen bei
der Herstellung, und andere Ausgangsmaterialien), die andere Phasen
als die Cordie rit-Phase und die Mullit-Phase bilden, gemischt werden,
ohne dass die Dichte, der Wärmeausdehnungskoeffizient
und die spezifische Festigkeit beeinflusst werden.
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Danach
kann die Mischung geformt werden. Dabei sind keine besonderen Einschränkungen
in Bezug auf die Form und die Größe der Form
vorhanden. Weiterhin sind keine besonderen Einschränkungen
in Bezug auf das Formungsverfahren vorhanden.
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Darauf
folgend wird der Formling gesintert, um einen keramischen Sinterkörper zu
erhalten. Das Sintern wird bei 1.300 bis 1.450 °C für 1 bis 5 Stunden in einer
vorgegebenen Atmosphäre
durchgeführt.
Weiterhin ist die Sinter-Atmosphäre
nicht beschränkt,
allerdings wird das Sintern vorzugsweise in Luft durchgeführt. Allerdings
kann das Sintern in einer Inertgas-Atmosphäre, wie beispielsweise Argon,
oder in Vacuo, oder in einer nicht oxidierenden Atmosphäre, wie
beispielsweise Stickstoffgas, durchgeführt werden. Zusätzlich kann
der Sinterkörper,
während
der Sinterkörper
vorzugsweise durch Sintern unter Atmosphärendruck erhalten wird, um einen
wesentlich kleineren Sinterkörper
zu erhalten, nach dem Sintern unter Atmosphärendruck weiterhin einer HIP
(Heiß-Isostatisches-Pressen) Verarbeitung
unterworfen werden. Weiterhin kann ein Sintern unter Druck, wie
beispielsweise HP (Heißpressen),
eingesetzt werden.
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Auf
den keramischen Sinterkörper,
wie er entsprechend diesem Herstellungsverfahren hergestellt ist, können der
vorstehende Wärmeausdehnungskoeffizient
und die spezifische Festigkeit (erhalten durch Teilen des Elastizitätsmoduls
durch dessen Dichte) angewandt werden.
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Der
keramische Sinterkörper
entsprechend dieser Erfindung kann als ein Element für eine Vorrichtung zur
Herstellung von Halbleitern verwendet werden.
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Dies
zählt nur
eine der Verwendungen des keramischen Sinterkörpers entsprechend der Erfindung auf.
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Entsprechend
kann, wenn der keramische Sinterkörper der Erfindung als ein
Element einer Halbleiter-Herstellungsvorrichtung für die Herstellung
von, zum Beispiel, Halbleiter-Wafern verwendet werden soll, die Deformation
der Vorrichtung durch Wärme
so kontrolliert werden, dass ein Halbleiter-Wafer, der eine sehr
gute Dimensions-Genauigkeit besitzt, erhalten werden kann.
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Der
keramische Sinterkörper
nach der vorliegenden Erfindung kann als ein Element für eine Vakuum-Spanneinrichtung
verwendet werden.
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Dies
zählt eine
der Verwendungsmöglichkeiten
des keramischen Sinterkörpers
entsprechend der Erfindung auf.
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Dementsprechend
kann, wenn der keramische Sinterkörper der Erfindung als ein
Element einer Vakuum-Spanneinrichtung eingesetzt wird, die für die Herstellung
von zum Beispiel Halbleiter-Wafern verwendet werden soll, die Deformation
des Elements durch Wärme
so kontrolliert werden, dass ein Halbleiter-Wafer, der eine ausgezeichnete
Dimensions-Genauigkeit besitzt, erhalten werden kann.
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Der
keramische Sinterkörper
entsprechend der Erfindung kann als ein Element für eine elektrostatische
Spanneinrichtung verwendet werden.
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Der
vorstehende keramische Sinterkörper
kann auch bei elektrostatischen Spanneinrichtungen angewandt werden
(wie zum Beispiel in dem Fall, bei dem ein Wafer unter Verwendung
einer Coulomb-Kraft gehalten wird).
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BEISPIELE
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Die
Erfindung wird genauer nachfolgend unter Bezugnahme auf die Beispiele
beschrieben.
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[1] Präparation eines keramischen
Sinterkörpers:
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Ein
kommerziell erhältliches
Cordierit-Pulver wurde mit vorgegebenen Mengen eines Magnesiumoxid-Pulvers,
eines Siliziumdioxid-Pulvers, eines Aluminiumoxid-Pulvers und eines
Mullit-Pulvers gemischt, so dass es eine Zusammensetzung besaß, wie dies
in Tabelle 1 dargestellt ist, und die Mischung wurde unter Vorhandensein
von Wasser als ein Lösungsmittel
unter Verwendung von hoch reinen Aluminiumoxid-Flintsteinen (Reinheit:
99,9% oder mehr) pulverisiert. Nach der Pulverisierung besaß das Pulver
eine durchschnittliche Teilchengröße von 1,7 μm. Danach wurde ein Bindemittel
zu dem Pulver hinzugegeben, und die Mischung wurde sprühgetrocknet.
Als nächstes
wurde die erhaltene Mischung zu einer vorgegebenen Form geformt
und gesintert. Für
alle Proben wurde das Sintern in Luft unter Atmosphärendruck
bei einer Sinter-Temperatur von ungefähr 1.300 bis 1.450 °C für eine Haltezeit
von 2 Stunden ausgeführt.
Entsprechend wurden so Proben der Beispiele 1 bis 5 und der Vergleichsbeispiele
1 bis 3 erhalten.
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Tabelle
2 zeigt die Menge an Cordierit und die Menge an Mullit, erhalten
in jedem Beispiel, und die Sintertemperatur, die Dichte, die das
Peak-Intensitätsverhältnis, das
Elastizitätsmodul
(Young'sches Modul), den
spezifischen Festigkeitswert und den Wärmeausdehnungskoeffizienten
jedes Beispiels an. Weiterhin zeigt 1 die Beziehung
zwischen der Menge an Mullit und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten
und der spezifischen Festigkeit in jedem der Beispiele 1 bis 5 und
den Vergleichsbeispielen 1 bis 3.
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Dabei
bedeutet in Tabelle 2 der Ausdruck "Vol.-%" Volumen-% sowohl von Cordierit als
auch von Mullit, gebildet durch die Reaktion der Ausgangsmaterialpulver,
basierend auf 100 Gew.-% der Gesamtsumme des Cordierits und des
Mullits.
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[2] Bewertung der physikalischen
Eigenschaften, usw.:
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Die
Bewertung der Beispiele und der Vergleichsbeispiele, wie sie in 2 dargestellt
sind, wurden in der folgenden Art und Weise vorgenommen.
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(1) Durchschnittliche
Teilchengröße des Pulvers:
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Die
Teilchengrößenverteilung
wurde durch das Laserbeugungsverfahren gemessen, und deren Durchmesser
bei 50 % wurde als die mittlere Teilchengröße bezeichnet.
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(2) Gehalte des Cordierits
und des Mullits:
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Der
Sinterkörper
wurde durch Röntgenstrahlenbeugung
gemessen und die Menge an Mullit wurde durch eine Kalibrierungskurve
berechnet, die zuvor aus der Peak-Intensität der (110)-Ebene des Mullit-Kristalls und
der (110)-Ebene des Cordierit-Kristalls präpariert wurde. Die Kalibrierungskurve
wurde durch Präparieren gesinterter
Körper
aus Cordierit, zu dem Mullit in einer Menge von 0 Vol.-%, 5 Vol.-%
und 10 Vol.-% jeweils hinzugegeben wurde, und durch Messen dieser
gesinterten Körper
durch die Röntgenstrahlenbeugung,
um ein Verhältnis
der Peak-Intensität
der (110)-Ebene des Mullit-Kristalls und der (110)-Ebene des Cordierit-Kristalls zu
bestimmen, präpariert.
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(3) Peak-Intensitätsverhältnis:
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Der
Sinterkörper
wurde durch die Röntgenstrahlenbeugung
gemessen und das Peak-Intensitätsverhältnis wurde
aus der Peak-Intensität
der (110)-Ebene des erhaltenen Cordierit-Kristalls und der Peak-Intensität der (110)-Ebene
des erhaltenen Mullit-Kristalls entsprechend der vorstehenden Gleichung
(1) (siehe das Röntgenbeugungs-Diagramm
des keramischen Sinterkörpers
des Beispiels 3, wie dies in 2 dargestellt
ist) bestimmt.
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(4) Dichte des Sinterkörpers:
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Die
Bewertung wurde durch das Verfahren nach Archimedes, wie es in JIS
R 1634 angegeben ist, vorgenommen und der numerische Wert wurde
auf die zweite Dezimalstelle entsprechend JIS Z 8401 abgerundet.
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(5) Durchschnittliche
Teilchengröße der Cordierit-Teilchen
in dem Sinterkörper:
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Der
Sinterkörper
wurde auf Spiegelglanz endbearbeitet und thermisch geätzt und
wurde dann durch ein SEM (Rasterelektronen-Mikroskop) betrachtet.
Die durchschnittliche Teilchengröße wurde
anhand der SEM-Fotografie durch die Intercept-Technik berechnet.
Die Cordierit-Teilchen jeder der Proben der Beispiele und der Vergleichsbeispiele
besaßen
eine durchschnittliche Teilchengröße von 1,8 μm.
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(6) Wärmeausdehnungskoeftizient:
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Die
Bewertung wurde durch die Laser-Interferometrie, wie sie in JIS
R 3251 definiert ist, vorgenommen, um dadurch einen durchschnittlicher
Wärmeausdehnungskoeftizienten
bei 20 bis 25 °C
zu berechnen.
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(7) Spezifische Festigkeit:
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Die
spezifische Festigkeit wurde durch Teilen des Werts des Elastizitätsmoduls
durch die Dichte berechnet.
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Weiterhin
wurde das Elastizitätsmodul
bei Raumtemperatur durch die Ultraschall-Pulstechnik, wie sie in JIS R 1602 definiert
ist, gemessen.
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[3] Effekte der Beispiele:
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Wie
in 1 und in Tabelle 2 dargestellt ist, ist in dem
Vergleichsbeispiel 1 (keramischer Sinterkörper, der nur aus Cordierit
besteht, das frei von Mullit ist) und dem Vergleichsbeispiel 2 (keramischer
Sinterkörper, der
aus 87 Vol.-% aus Cordierit und 13 Vol.-% Mullit besteht) der Wärmeausdehnungskoeffizient
bis zu 0,22 ppm/K und 0,48 ppm/K jeweils groß. Insbesondere ist in dem
Vergleichsbeispiel 2 der Wärmeausdehnungskoeftizient
sehr groß.
Weiterhin beträgt
die spezifische Festigkeit jeweils 54,2 Gpa/g/cm3 und
56,6 Gpa/g/cm3, und insbesondere kann verständlich werden,
dass in dem Vergleichsbeispiel 1 die spezifische Festigkeit gering ist.
Zusätzlich
ist, entsprechend Tabelle 2, in dem Vergleichsbeispiel 3 (keramischer
Sinterkörper,
der aus 97 Vol.-% an Cordierit und 3 Vol.-% an Mullit besteht und der eine geringe
Dichte von 2,37 g/cm3 besitzt), die spezifische
Festigkeit mit 50,6 Gpa/g/cm3 sehr gering,
obwohl der Wärmeausdehnungskoeftizient
0,06 ppm/K klein ist.
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Im
Gegensatz dazu ist, wie in 1 und Tabelle
2 dargestellt ist, in den Beispielen 1 bis 6 der Wärmeausdehnungskoeffizient
von –0,03
bis 0,16 ppm/K klein. Insbesondere ist in den Beispielen 1 bis 5
der Wärmeausdehnungskoeffizient
von –0,03
bis 0,10 ppm/K klein, die Werte davon sind von 1/10 bis 1/3 derjenigen in
dem Vergleichsbeispiel 1 sehr klein. Insbesondere ist in den Beispielen
1 und 3 der Wärmeausdehnungskoeftizient
mit ungefähr
1/10 desjenigen in dem Vergleichsbeispiel 1 extrem klein. Das bedeutet,
dass in Beispiel 1 (eine kleine Menge (1 Vol.-%) des Mullits wird
zu Cordierit hinzugefügt)
und in Beispiel 3 (eine kleine Menge (3 Vol.-%) an Mullit wird zu
dem Cordierit hinzugefügt)
der Wärmeausdehnungskoeftizient
plötzlich
0,02 ppm/K, verglichen mit demjenigen (0,22 ppm/K) des Vergleichsbeispiels
1, klein ist.
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Zusätzlich ist,
in den Beispielen 1 bis 6, die spezifische Festigkeit von 55,2 bis
56,5 Gpa/g/cm3 verglichen mit derjenigen in dem Vergleichsbeispiel
1 groß.
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Im
Hinblick auf das Vorstehende kann verstanden werden, dass die keramischen
Sinterkörper
der Beispiele 1 bis 5 einen ausgezeichneten Wärmeausdehnungskoeffizienten
und eine ausgezeichnete spezifische Festigkeit haben und sehr gut
in der Ausgeglichenheit zwischen beiden sind. Weiterhin ist, wie
in 1 dargestellt ist, der Wärmeausdehnungskoeffizient annähernd so
gekrümmt,
dass er eine nach unten gerichtete, konvexe Form besitzt, und er
zeigt ein unerwartetes Verhalten.
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Die
Beispiele geben Anlass zu unerwarteten Effekten gegenüber dem
Stand der Technik, so dass der Wärmeausdehnungskoeffizient
klein ist, und die spezifische Festigkeit groß ist, und zwar verglichen
mit dem herkömmlich
bekannten Codierit. Es kann davon ausgegangen werden, dass diese
Effekte aufgrund der folgenden Gründe auftreten. Der Bildungsbereich
des Cordierits ist sehr schmal, und sogar eine geringe Abweichung
in der Zusammensetzung führt
zu dem Niederschlag einer zweiten Phase. Dementsprechend wird, wenn
die Zusammensetzung des Cordierit-Sinterkörpers ein wenig zu der Mullit-Bildungsseite
hin abweicht, der Niederschlag einer Phase, die ein kleines Elastizitätsmodul
besitzt und einen großen
Wärmeausdehnungskoeftizienten
besitzt, so kontrolliert, dass es möglich wird, stabil einen Sinterkörper herzustellen,
der einen kleinen Wärmeausdehnungskoeftizienten
und ein großes
Elastizitätsmodul
besitzt. Dabei werden gerade dann, wenn beabsichtigt ist, eine einzelne
Phase eines Cordierits zu bilden, eine Glas-Phase, und dergleichen,
unvermeidbar gebildet, so dass die einzelne Phase des Cordierits
nicht stabil gebildet werden kann, und der Wärmeausdehnungskoeffizient wird
groß.
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[4] Anwendungen der Beispiele:
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Da
der keramische Sinterkörper
entsprechend der Erfindung Cordierit, das einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten
besitzt, als die Hauptkomponente enthält, ist der Wärmeausdehnungskoeffizient des
gesamten keramischen Sinterkörpers
extrem niedrig und die dimensionsmäßige Änderung und die Formänderung
mit der Temperaturänderung
sind gering. Weiterhin ist es durch Sintern der Materialien, die
den keramischen Sinterkörper
bilden, möglich,
einen keramischen Sinterkörper
zu erhalten, der nicht nur eine hohe Dichte besitzt, sondern auch
eine hohe spezifische Festigkeit.
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Dementsprechend
ergibt sich durch die Verwendung des keramischen Sinterkörpers entsprechend der
Erfindung ein bemerkenswerter Effekt, der ermöglicht, Keramikteile zu schaffen,
die in deren dimensionsmäßiger Änderung
und deren Formänderung
mit einer Temperaturänderung
gering sind und die in der Festigkeit hoch sind, wie beispielsweise
Keramikteile, die geeignet für
zum Beispiel Halbleiter-Herstellungsvorrichtungen, Präzisionssteuermaschinen,
optische Instrumente und katalytische Träger verwendet werden können.
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Als
nächstes
wird die Verwendung des keramischen Elements, das den keramischen
Sinterkörper
entsprechend der Erfindung aufweist, nachfolgend beschrieben.
- (1) Als erstes wird eine Vakuum-Spanneinrichtung,
die den keramischen Sinterkörper
verwendet, der den Aufbau der vorstehenden Beispiele besitzt, und
eine Halbleiter-Herstellungsvorrichtung,
die die Vakuum-Spanneinrichtung verwendet, beschrieben.
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Eine
Vakuum-Spanneinrichtung 1 ist, wie in 3 dargestellt
ist, eine scheibenähnliche
Adsorptionsplatte, die einen Halbleiter-Wafer 3 durch eine
Saugkraft durch den verringerten Druck adsorbiert und ihn hält.
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Die
Vakuum-Spanneinrichtung 1 ist mit einem scheibenähnlichen
Substrat 5, Adsorptionslöchern 7, die durch
das Substrat 5 in der Dickenrichtung hindurchdringen (zum Verringern
des Drucks), einer Anzahl von Vorsprüngen 9, die zu der
Seite einer adsorbierenden Fläche
K des Substrats 5 hin vorstehen (die Seite des Halbleiter-Wafers 3),
und einem Dichtabschnitt 11, der so vorsteht, dass er kreisförmig die
Umgebung der Vorsprünge 9 umgibt,
versehen.
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Die
Vakuum-Spanneinrichtung 1 ist in einer ausreichend bekannten
Poliermaschine (nicht dargestellt) eingebaut, die ein Teil der Halbleiter-Vorrichtung
bildet und dort verwendet wird. Die Poliermaschine ist eine CMP-(chemisches-mechanisches
Polieren)-Vorrichtung,
um ein CMP an dem Halbleiter-Wafer 3 vorzunehmen, und ist
hauptsächlich
aus einer drehbar ausgerichteten Auflageplatte und einem Polierkopf,
der an der Oberseite der Auflageplatte als eine Vakuum-Saugvorrichtung
ausgerichtet ist, aufgebaut.
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In
der Poliermaschine ist die Vakuum-Spanneinrichtung 1 in
dem Polierkopf installiert und eine Vakuumpumpe wird betätigt, um
den Luftdruck eines Vakuumraums innerhalb des Polierkopfs zu verringern.
Folglich wird eine Differenz in dem Luftdruck innerhalb und außerhalb
der adsorbierenden Löcher 7 der
Vakuum-Spanneinrichtung 1 erzeugt, um dadurch den Halbleiter-Wafer 3 auf
die adsorbierende Oberfläche
K der Vakuum-Spanneinrichtung 1 zu
adsorbieren.
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Als
nächstes
wird in einem Zustand, in dem der Halbleiter-Wafer 3 zwischen
einem Polierkissen der Auflageplatte und der Vakuum-Spanneinrichtung 1 angeordnet
ist, eine Schlemme für
eine CMP zu der Oberfläche
des Polierkissens zugeführt
und die Auflageplatte und der Polierkopf werden so gedreht, um ein
Polieren der Oberfläche
des Halbleiter-Wafers 3 vorzunehmen.
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Wie
vorstehend beschrieben ist, kann, da die Vakuum-Spanneinrichtung 1 aus
dem keramischen Sinterkörper
aufgebaut ist, der die vorstehenden Eigenschaften einer niedrigen
Wärmeausdehnung
besitzt und eine hohe Festigkeit besitzt, und der in der dimensionsmäßigen Änderung
und in der Formänderung
mit der Temperaturänderung
gering ist, dies zu einem Halbleiter-Wafer 3 führen, der
eine hohe dimensionsmäßige Präzision besitzt.
- (2) Als nächstes
wird eine elektrostatische Spanneinrichtung, die den keramischen
Sinterkörper
verwendet, der den Aufbau der vorstehenden Beispiele besitzt, als
eine andere Anwendung beschrieben.
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Eine
elektrostatische Spanneinrichtung 21 enthält, wie
in 4 dargestellt ist, ein plattenähnliches Element, das den vorstehenden
keramischen Sinterkörper
als ein Substrat 23 aufweist, und eine aus Metall hergestellte,
scheibenähnliche
Grundplatte 27 ist an einer Oberfläche der elektrostatischen Spanneinrichtung 21 (die
rückwärtige Fläche in dem
unteren Bereich der 4) über eine Schweißschicht 25 angeschweißt. Dabei
wird die Anordnung, die die elektrostatische Spanneinrichtung 21 aufweist,
die die Grundplatte 27 angeschweißt besitzt, als eine elektrostatische
Spanneinrichtung 29 bezeichnet.
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Ein
Paar innerer Elektroden 31, 33 ist innerhalb der
elektrostatischen Spanneinrichtung 21 eingebettet (d.h.
innerhalb des Substrats 23). Die anderen Oberflächen der
elektrostatischen Spanneinrichtung 21 (die vordere Fläche in dem
oberen Bereich der 4) bilden eine adsorbierende
Oberfläche
(Oberfläche
der Spanneinrichtung) 37, um, zum Beispiel, einen Halbleiter-Wafer 35 daran
zu adsorbieren und zu fixieren.
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Dabei
können
Durchgangslöcher
(nicht dargestellt) so vorgesehen sein, dass sie durch die elektrostatische
Spanneinrichtung 21 und die Grundplatte 27 in
der vertikalen Richtung in 4 durchdringen,
durch die ein He-Gas zum Kühlen
an der Seite der Oberfläche 37 der
Spanneinrichtung führt.
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Eine
Gleichstromspannung von ungefähr ± 1.000
V wird an die elektrostatische Spanneinrichtung 21 angelegt,
um eine Coulomb-Kraft zum Adsorbieren des Halbleiter-Wafers 35 zu
erzeugen, und der Halbleiter-Wafer 35 wird, unter Ausnutzung
dieser adsorbierenden Kraft, adsorbiert und fixiert.
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Da,
wie vorstehend beschrieben ist, die elektrostatische Spanneinrichtung 21 aus
dem keramischen Sinterkörper
aufgebaut ist, der die vorstehenden Eigenschaften besitzt und die
geringe dimensionsmäßige Änderung
und die Änderung
in der Form mit der Temperaturänderung
aufweist, sie den Halbleiter-Wafer 35 herstellen, der die
hohe dimensionsmäßige Präzision besitzt.
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Im
Hinblick auf das Vorstehende besitzt, verglichen mit den auf Cordierit
basierenden Keramiken des Stands der Technik, der keramische Sinterkörper entsprechend
der Erfindung einen kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten
und besitzt eine große
spezifische Festigkeit, während
eine gute Ausgeglichenheit zwischen beiden beibehalten wird. Dementsprechend
kann der keramische Sinterkörper
nach der Erfindung geeignet für
Teile von Präzisionssteuermaschinen
und für
Teile von optischen Instrumenten verwendet werden, von denen gefordert
wird, dass sie niedrige Wärmeausdehnungseigenschaften
und eine hohe spezifische Festigkeit haben, oder für Teile,
von denen gefordert wird, dass sie eine hohe Beständigkeit
gegen einen thermischen Schock haben.
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Zusätzlich können, entsprechend
dem Herstellungsverfahren der Erfindung, aus einer Keramik gesinterte
Körper,
die einen kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten
und eine große
spezifische Festigkeit haben, einfach hergestellt werden.