JP2005314215A - 緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】コーディエライト本来の特性を良好に示し、かつ十分な強度を示す緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結体の結晶成分のうち、コーディエライトを93質量%以上含有し、焼結粒子の平均粒径が2μm以下である緻密質コーディエライト焼結体を提供する。平均粒径が2μm以下であるコーディエライト粉末を原料として用い、かつ1350〜1450℃で焼成する工程を含む緻密質コーディエライト焼結体の製造方法を提供する。
【選択図】なし

Description

本発明は、緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法に関する。特に、良好な強度、高温熱膨張係数及び電気特性を示す緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法に関する。
コーディエライトは、熱膨張係数が小さく、優れた特性を示すことから種々の分野で用いられている。しかし、コーディエライトを緻密質とすることは難しく、実質的にコーディエライトのみからなる緻密質コーディエライト焼結体は得られていない。そのためイットリア等の希土類酸化物等を添加して緻密質の焼結体を得る方法が提案されているが、このような焼結体は十分な強度を有するものではなかった。
このような焼結体について、強度及びヤング率を向上させることを目的として、コーディエライト93〜99.99質量%及び窒化珪素0.01〜7質量%を含有し、気孔率が5%以下の焼結体が開示されている(特許文献1参照)。
また、コーディエライト焼結体の誘電率、誘電損失及び熱膨張率を改良することを目的として、酸化サマリウムを0.1〜10質量%含むこと特徴とするコーディエライト質セラミックスの焼結体が開示されている(特許文献2参照)。
しかし、このような添加剤を用いる手法は、ある特定の特性を改良することが出来ても、コーディエライトが本来有する特性の何れかを損なうことにつながる。
また、コーディエライト粉末を高温で焼結して、緻密体を得た例が開示されている(非特許文献1参照)。しかし、この例では、高温で焼結しているため、ガラス質が形成されている。従って、得られた焼結体には、相当量のガラス質が含まれ、コーディエライトが本来有している特性を十分に示す焼結体とはなっていない。
特開2002−321969号公報 特公平6−74172号公報 M.A.Camerucci 等「Mechanical behavior of cordierite and cordierite−mullite materials evaluated by indentation techniques」、Journal of the European Ceramic Society 21(2001)1195−1204
本発明は、コーディエライト本来の特性を良好に示し、かつ十分な強度を示す緻密質コーディエライト焼結体を提供することを特徴とする。また、本発明は、特に添加剤を加えなくても、十分な強度を示す緻密質の焼結体を製造することが出来る製造方法を提供することを特徴とする。
本発明によって以下の緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法が提供される。
[1]焼結体に含まれる結晶成分のうち93質量%以上コーディエライトを含有し、焼結粒子の平均粒径が2μm以下である緻密質コーディエライト焼結体。
[2]曲げ強度が200MPa以上である[1]に記載の緻密質コーディエライト焼結体。
[3]40〜600℃における熱膨張係数が2.0×10-6/K以下である[1]又は[2]に記載の緻密質コーディエライト焼結体。
[4]ムライト、スピネル、サフィリンからなる群から選ばれる結晶相の1種以上を含有する[1]〜[3]の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体。
[5]ガラス質成分の含有量が5質量%以下である[1]〜[4]の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体。
[6]気孔率が2%以下である[1]〜[5]の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体。
[7]平均粒径が2μm以下であるコーディエライト粉末を原料として用い、かつ1350〜1450℃で焼成する工程を含む緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
[8]前記コーディエライト粉末にバインダーを添加し成形する成形工程を含み、該成形は、プレス成形、押出成形及びシート成形からなる群より選ばれるいずれか一つにより行われる[7]に記載の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
[9]前記コーディエライト粉末中のコーディエライトの含有量が93質量%以上である[7]又は[8]に記載の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
[10]気孔率が2%以下であるコーディエライト焼結体を製造する[7]〜[9]の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
本発明の緻密質コーディエライト焼結体は、コーディエライト本来の特性を良好に示し、かつ十分な強度を示す。また、本発明の製造方法は、このような焼結体を好適に製造することが出来る。
以下、本発明の実施の形態を具体的に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。
まず、本発明の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法の実施の形態について説明する。この実施の形態において、原料として、コーディエライト粉末を用意する。コーディエライト粉末は、例えば以下のようにして用意することが出来る。
コーディエライト化原料を焼成して、コーディエライトを形成する。ここで、コーディエライト化原料とは、焼成によりコーディエライトとなる原料を意味し、SiO2が42〜56質量%、Al23が30〜45質量%、MgOが12〜16質量%の範囲に入る化学組成となるようにように配合されたセラミック原料である。具体的にはタルク、カオリン、仮焼カオリン、アルミナ、水酸化アルミニウム、シリカの中から選ばれた複数の無機原料を上記化学組成となるような割合で含むものが挙げられる。
次に、形成されたコーディエライトを粉末化してコーディエライト粉末とする。この際、コーディエライト粉末の平均粒径を2μm以下、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.8μm以下とする。このように、コーディエライト粉末の平均粒径を小さくすることにより、他の成分を添加しなくても、強度の高い緻密質の焼結体とすることが可能とな
る。コーディエライト粉末の平均粒径の下限に特に制限はないが、小さすぎると粉末化が困難になる場合や、粉砕時間が長時間に及ぶ場合がある。また、粉末のハンドリングが難しくなる場合もある。従って、平均粒径は、0.1μm以上であることが好ましく、0.3μm以上であることが更に好ましい。なお、この平均粒径は、レーザー回折法により測定することが出来る。
粉末化の方法に特に制限はなく、例えばボールミル、アトライター、ビーズミル、ジェットミル等により粉末化することが出来る。但し、この際、通常の条件よりもより平均粒径を小さくすることが出来る条件で粉末化を行う。例えばボールミルを用いた場合には、使用するボールを小さくし、適切な粘度、処理時間を選択することで、より小さな平均粒径の粉末を得ることが出来る。従来から、一般的に用いられているボールミル等を用いた場合には、粉砕の時間を長くすることが好ましく、例えば3日間程度の時間をかければ、上述のような平均粒径の小さな粉末を得ることが出来る。なお、粉末化は、天然のコーディエライト鉱石に対して行っても良い。
このようにして得ることが出来るコーディエライト粉末は、コーディエライトの含有量が93質量%以上であることが好ましく、95質量%以上であることが更に好ましい。また、コーディエライトの含有量が100質量%であることが更に好ましいが、このようなコーディエライト粉末を工業的に安定して得ることは困難である。従って、実用上及び経済上の観点から、コーディエライト粉末がある程度の異相を含んでも良い。しかし、含まれる異相は、コーディエライトの特性に悪影響を与えないものが好ましい。
上述のような観点から、コーディエライト粉末が、同じAl,Mg,Si,Oから形成されるムライト、スピネル、サフィリン、コランダムからなる群から選ばれる結晶相を1種以上含むことも好ましい。また、コーディエライト粉末中の、コーディエライト、ムライト、スピネル、サフィリン及びコランダムの合計の含有量が95質量%以上であることが好ましく、99質量%以上であることが更に好ましい。
また、コーディエライトに、Tiが固溶していることも好ましい。Tiが固溶することにより、焼結性が向上する。固溶するTiは多すぎると、低熱膨張性などのコーディエライト本来の特性が阻害されるため好ましくない。従って、固溶するTiの量は、酸化物換算(TiO2)で0.7質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以下であることが更に好ましい。
次に、得られたコーディエライト粉末を所定形状に成形する。成形の方法に特に制限はなく、一般的な成形法を用いることが出来る。例えば、コーディエライト粉末に有機バインダーを加えた混合物を混練して坏土とし、これをプレス成形や押出し成形、シート成形等により所定形状に成形することが出来る。また、有機バインダーを加えなくても、粉体を直接加圧して所定の形状に成形することも出来る。成形により得る形状にも特に制限はなく、用途に応じて種々の形状とすることが出来る。例えば、円板、板状等とすることが出来る。
シート成形においては、例えば、コーディエライト粉末、バインダー、分散剤、可塑剤及び溶剤をポットで充分に混合した後粘度を調整し、所定の条件でシート成形する。必要に応じて、熱圧着もしくはCIP(冷間静水圧プレス)にて積層し、必要な厚さのシート成形体を得る。
次に、得られた成形体を加熱して脱脂する。なお、有機バインダーを用いずに成形した場合は、脱脂は不要である。その後更に加熱して焼成する。この際の焼成温度、即ち、最高温度が重要となる。この焼成温度が低すぎると粉体の粒子同士が十分に焼結せず、十分な強度が得られない。一方、高すぎると、ガラス質が多く生成し、気孔が大きくなり、強度が低下するばかりか、コーディエライトが有している特性を損なってしまう。特に、熱膨張係数が大きくなってしまう。従って、焼成温度は1350〜1450℃であることが必要であり、1375〜1425℃であることが更に好ましい。
最高温度での保持時間に特に制限はなく、当業者であれば成形体の形状や大きさ、加熱炉の特性などを考慮し、適宜、適当な時間を選択することが出来る。具体的な好ましい最高温度での保持時間は、例えば1〜12時間、更に好ましくは2〜8時間である。焼成雰囲気にも特に制限はなく、例えば、大気雰囲気、窒素、アルゴン雰囲気等の不活性雰囲気、水素、又は水素と窒素の混合雰囲気等の還元性雰囲気を選択することが出来る。
なお、バインダーを用いた成形体の焼成においては、大気雰囲気で焼成、又は脱脂を行わずに不活性雰囲気や還元性雰囲気下で焼成を行う場合、脱脂の為に加湿雰囲気で焼成することが好ましい。
次に、上述の製造方法により好適に得ることが出来る本発明の緻密質コーディエライト焼結体の実施の形態について説明する。
この焼結体は、結晶成分のうち、コーディエライトを93質量%以上、好ましくは94質量%以上、更に好ましくは95質量%以上含有する。そして、焼結粒子の平均粒径が2μm以下、好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.8μm以下である。
このような構成により、コーディエライトが本来有している特性、特に高温熱膨張係数及び電気特性を良好に示し、かつ強度の高い焼結体とすることが出来る。なお、コーディエライトは、低温型コーディエライト及び高温型コーディエライト(インディアライトとも言う)に区別される場合もあるが、本発明におけるコーディエライトは、低温型コーディエライトだけでなく、高温型コーディエライトも含む。
この焼結体において、コーディエライトの含有率がより高いことが好ましい。しかし、生産性等を考慮し、焼結体がある程度の異相を含んでも良い。この場合の異相は、コーディエライトの特性に大きな悪影響を与えないという観点から、ムライト、スピネル又はサフィリンであることが好ましい。従って、この焼結体が、ムライト、スピネル、サフィリンからなる群から選ばれる結晶相の1種以上を含むことも好ましい形態である。その場合には、焼結体中の、コーディエライト、ムライト、スピネル及びサフィリンの合計の含有量が95質量%以上であることが好ましく、99質量%以上であることが更に好ましい。
また、この焼結体は少量のガラス質を含んでも良いが、ガラス質の含有量が大きすぎると、熱膨張係数が増大する等、コーディエライトの特性を低下させる。従って、ガラス質の含有量は、5質量%未満であることが好ましく、1質量%以下であることが更に好ましい。なお、ガラス成分はXRD測定において、通常5質量%以上で初めて検出される。
また、上述の焼結性が向上するという理由から、コーディエライトにTiが固溶していることも好ましい。固溶するTiの量は、酸化物換算で0.7質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以下であることが更に好ましい。
焼結粒子の平均粒径は、適切な焼成条件を選択すれば、コーディエライト粉末の平均粒径に依存して増減する。従って、上述の製造上の理由から焼結粒子の平均粒径は、0.1μm以上であることが好ましく、0.3μm以上であることが更に好ましい。なお、この平均粒径は、試料を鏡面研磨した後、サーマルエッチングにより粒界を際立たせた試料の電子顕微鏡写真より、コーディエライト粒子を観察し、その30個の平均として算出した。
この焼結体の気孔率は、2%以下であることが好ましく、1.5%以下であることが更に好ましく、1%以下であることが特に好ましい。気孔率が、より低くなることにより、強度及び絶縁破壊特性がより向上し、例えば誘電体電極、半導体製造装置用部材として、より好ましいものとなる。
この焼結体は強度が高いものであるが、焼結体の用途や形状に応じて、生産性も考慮して強度を設定することが出来る。具体的には、曲げ強度が200MPa以上であることが好ましく、210MPa以上であることが更に好ましく、230MPa以上であることが極めて好ましい。なお、この強度は、上述のコーディエライト粉体の平均粒径、焼成温度、焼成時間などにより調整することが出来る。
この焼結体の熱膨張係数は、2.0×10-6/K以下であることが好ましく、1.8×10-6/K以下であることが更に好ましい。なお、ここでの熱膨張係数は、40〜600℃の平均の熱膨張係数を意味する。このような熱膨張係数であると、高温に曝される使用条件においても、十分実用に耐えることが出来る。
この焼結体において、ヤング率が高いことにより、強度が向上するが、ヤング率があまり高すぎると、耐熱衝撃性が低下する。従って、ヤング率は、100〜180GPaであることが好ましい。また、比誘電率は、5以下であることが好ましい。熱伝導率は、10W/mK以下であることが好ましく、5W/mK以下であることが更に好ましい。また、絶縁破壊強度は、10kV/mm以上であることが好ましく、15kV/mm以上であることが更に好ましい。
上述のような範囲の特性を有する焼結体とするためには、このような特性に影響を与える成分が少ないことが好ましい。このような成分としては、窒化珪素、希土類酸化物等が挙げられる。窒化珪素は、0.01質量%未満であることが好ましく、0.005質量%未満であることが更に好ましい。希土類酸化物は、0.1質量%未満であることが好ましく、0.01質量%未満であることが更に好ましい。更に、窒化珪素や希土類酸化物を実質的に含まないことが特に好ましい。
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
コーディエライト化原料を焼成することによって得られたコーディエライトを粉末化して、平均粒径が0.7μmのコーディエライト粉末を得た。
得られた粉末を一軸金型プレス成形して、成形体を得た。
得られた成形体を窒素雰囲気で、1400℃で12時間保持し、焼結体を得た。得られた焼結体について、以下の試験を行った。その結果を表1に示す。
焼結粒子の平均粒径(μm):上述の測定方法により求めた。
嵩密度(g/cm3):アルキメデス法により求めた。
結晶相:X線回折装置により同定。測定条件はCuKα、50kV、300mA、2θ=5−80°:回転対陰極型X線回折装置「理学電機製「RINT」」
結晶成分含有量(質量%):内部標準に酸化亜鉛を用い、各結晶成分のX線回折ピークの強度比から検量線を用いて含有量を求めた。
全気孔率(%):嵩密度と、焼結体の各結晶相の含有量から計算される理論密度から、以下の式で求めた。なお、理論密度を算出する際、サフィリンはスピネルと同じ密度として計算した。
全気孔率(%)=(1−嵩密度/理論密度)×100
開気孔率(%):アルキメデス法により求めた。
曲げ強度(MPa):JIS R1601に準じて、4点曲げ強度を測定した。試験片形状は3mm×4mm×40mm抗折棒もしくは、その1/2サイズで測定した。ここで、「1/2サイズで測定する」、とは、試験片形状を前記抗折棒の各辺のサイズの1/2とし、4点曲げの下部支点間距離、上部荷重点距離も1/2として測定することをいう。また、シート成形で得た薄板の場合は、シート厚さ(1mm前後)×2mm×20mmとし、測定値からワイブル係数を求めて換算を行った。
ワイブル係数はJIS R1625に準じて求め、下記式を用いて前記1/2サイズの強度に換算した。
ここで、σは破壊応力、Veは有効体積、mはワイブル係数を示す。なお、有効体積は下記式で表される。
ここで、wは試験片の幅、hは高さ、S1は下部支点間距離、S2は上部荷重点距離、mはワイブル係数である。
ヤング率(GPa):JIS R1602に準じた、静的撓み法で測定した。試験片形状は3mm×4mm×40mm抗折棒で測定した。
熱膨張係数(/K):JIS R1618に準じて、押し棒示差式で測定した。
熱伝導率(W/mk):JIS R1611に準じて、レーザーフラッシュ法により測定した。
比誘電率:JIS C2141に準じた方法により測定した。試験片形状は50mm×50mm×1mmの角板状とし、主電極径14mm、ガード電極内径16mm、ガード電極外径22mm、印加電極径22mmとなるよう各電極を、金をスパッタ蒸着することにより形成した。
絶縁破壊強度(kV/mm):JIS C2141に準じた方法により測定した。試験片形状は45mm×45mm×1mmの角板状であり、昇圧は1kV/秒で行った。
体積抵抗率(Ω・cm):JIS C2141に準じた方法により、真空雰囲気下で室温から700℃まで測定した。試験片形状はφ35mm×1mmの円板状、または50mm×50mm×1mmの角板状とし、主電極径10mm、ガード電極内径20mm、ガード電極外径30mm、印加電極径30mmとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は500V/mmとし、印加電圧後1分後の電流を読み取り、体積抵抗率を算出した。
(実施例2〜14及び比較例1〜2)
実施例2〜14として、コーディエライト粉末の平均粒径を0.5〜1.8μmにし、焼成条件を表2に示す条件とした以外は、実施例1と同様にして、焼結体を得た。比較例1として、コーディエライト粉末の平均粒径を6.5μmにし、焼成条件を表2に示す条件とした以外は、実施例1と同様にして、焼結体を得た。また、比較例2として、コーディエライト粉末の平均粒径を0.5μmにし、焼成条件を表2に示す条件とした以外は、実施例1と同様にして、焼結体を得た。得られた焼結体の評価結果を表2に示す。また、実施例1で得られた焼結体の破面の電子顕微鏡による反射電子像を図1に、その研磨面をサーマルエッチングした後の2次電子像を図2に、実施例11で得られた焼結体の破面の反射電子像を図3に、比較例1で得られた焼結体の破面の反射電子像を図4に、比較例2で得られた焼結体の破面の反射電子像を図5に各々示した。なお、図2に示すような画像を基に焼結体の平均粒径を算出した。
(実施例15〜17)
実施例15〜17として、コーディエライト粉末の平均粒径を1.5μmにし、これにバインダー、分散剤、可塑剤及び溶剤を添加してポットで充分に混合した後粘度を調整し、シート成形して成形体を得た。次いで、表2に示す焼成条件にて焼成を行い、焼結体を得た。なお、実施例16〜17における水素と窒素の混合雰囲気で焼成を行う場合、脱脂の為に加湿雰囲気で焼成した。上記以外の条件は実施例1と同様にした。得られた焼結体の評価結果を表2に示す。
表2及び図1〜5からわかるように、実施例1〜17で得られた焼結体は、焼結粒子径が小さく、かつコーディエライト結晶以外の成分が少ないため、良好な熱膨張係数及び電気特性を有し、更に良好な強度を示した。一方、比較例1で得られた焼結体は、焼結粒子径が大きく、全気孔率も大きく、更に低い強度を示した。また、焼成温度を1400℃付近とすることにより、より高い強度を示す焼結体が得られた。更に比較例2で得られた焼結体は、焼結粒子は小さいが、焼成温度が高すぎるため、多数の巨大気孔が生成し、強度が低下した。
以上、述べてきたように、本発明の緻密質コーディエライト焼結体は、良好な強度、高温熱膨張係数及び電気特性を示すため、種々の用途に用いることが出来る。この焼結体は、特に、誘電体電極や半導体製造装置用部材等の良好な電気特性と強度が要求される用途や急激な温度変化を伴う用途や、高温で使用され、かつ強度が要求される用途に好適に用いることが出来る。また、本発明の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法により、このような焼結体を好適に製造することが出来る。
実施例1で得られた焼結体の破面の電子顕微鏡による反射電子像を撮影した写真である。 実施例1で得られた焼結体の研磨面をサーマルエッチングした後の2次電子像を撮影した写真である。 実施例11で得られた焼結体の破面の反射電子像を撮影した写真である。 比較例1で得られた焼結体の破面の反射電子像を撮影した写真である。 比較例2で得られた焼結体の破面の反射電子像を撮影した写真である。 実施例6及び11で得られた焼結体のX線回折ピークを示す図である。

Claims (10)

  1. 焼結体に含まれる結晶成分のうち93質量%以上コーディエライトを含有し、焼結粒子の平均粒径が2μm以下である緻密質コーディエライト焼結体。
  2. 曲げ強度が200MPa以上である請求項1に記載の緻密質コーディエライト焼結体。
  3. 40〜600℃における熱膨張係数が2.0×10-6/K以下である請求項1又は2に記載の緻密質コーディエライト焼結体。
  4. ムライト、スピネル、サフィリンからなる群から選ばれる結晶相の1種以上を含有する請求項1〜3の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体。
  5. ガラス質成分の含有量が5質量%以下である請求項1〜4の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体。
  6. 気孔率が2%以下である請求項1〜5の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体。
  7. 平均粒径が2μm以下であるコーディエライト粉末を原料として用い、かつ1350〜1450℃で焼成する工程を含む緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
  8. 前記コーディエライト粉末にバインダーを添加し成形する成形工程を含み、該成形は、プレス成形、押出成形及びシート成形からなる群より選ばれるいずれか一つにより行われる請求項7に記載の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
  9. 前記コーディエライト粉末中のコーディエライトの含有量が93質量%以上である請求項7又は8に記載の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
  10. 気孔率が2%以下であるコーディエライト焼結体を製造する請求項7〜9の何れかに記載の緻密質コーディエライト焼結体の製造方法。
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