DE60305986T2

DE60305986T2 - Reinigung von Halogeniden der Gruppe IVb

Info

Publication number: DE60305986T2
Application number: DE60305986T
Authority: DE
Inventors: Heather Regina Vista Bowen; David Allen Fogelsville Roberts
Original assignee: Air Products and Chemicals Inc
Current assignee: Air Products and Chemicals Inc
Priority date: 2002-01-17
Filing date: 2003-01-16
Publication date: 2009-10-01
Anticipated expiration: 2023-01-17
Also published as: DE60305986D1; US6770254B2; TWI226875B; EP1329418A3; ATE329879T1; KR20030063136A; JP3958691B2; EP1329418A2; US20030133861A1; KR100501049B1; TW200302205A; JP2003212544A; EP1329418B1

Description

Hintergrund der Erfindung
Tetrahalogenide eines Metalls der Gruppe IVb werden bei der Herstellung integrierter Schaltkreise sowie von Schwermetallgläsern für die Faseroptik verwendet. Bei der Herstellung der integrierten Schaltkreise und Gläser wünscht die Industrie ein hochreines Metall der Gruppe IVb, das im Wesentlichen frei von Spurenelementen ist. Jedoch können bei der Herstellung von Tetrahalogeniden eines Metalls der Gruppe IVb, z. B. Titantetrahalogenid, Spurenmengen von Zirconium, Hafnium und möglicherweise Metallen der Gruppe Vb wie Niob und Tantal vorhanden sein. Es ist wünschenswert, die Konzentration dieser Metalle im Halogenid des Metalls der Gruppe IVb zu verringern.
Eines der industriell erwünschten Produkte zur Verwendung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ist Titantetrachlorid. Titantetrachlorid ist eine reaktive Flüssigkeit mit einem normalen Siedepunkt von 136°C. Sein Dampf findet Verwendung bei Verfahren für die Abscheidung von Titanntrid- oder Titansilicidfilmen in integrierten Schaltkreisen großen Maßstabs durch chemische Dampfverfahren, CVD. Die Gesamtleistung des Schaltkreises kann sehr empfindlich auf Verunreinigungen reagieren, die im Vorläufermaterial vorliegen und mit abgeschieden werden. Die Titanreinheit ist von großer Bedeutung für die Industrie, wobei eine Reinheit von 99,99999+% bezogen auf die überwiegend metallischen und metalloiden Verunreinigungen erwünscht ist.
Im Handel erhältliches Titantetrachlorid enthält Spurenmengen von Zirconium mit typischen Mengen von 500 ppb (parts per billion = nachstehend Gewichtsteile pro Milliarde). Die Nutzer von Titantetrachlorid in der Halbleiterindustrie wünschen Zirconiummengen von weniger als 1 ppb. Die Abtrennung von Halogeniden eines Metalls der Gruppe IVb wie Zirconiumtetrachlorid, eine häufig auftretende Verunreinigung, von Titantetrachlorid ist schwierig. Herkömmlich setzte man die Destillation als Mittel ein, um eine Reinigung zu bewirken. Allerdings sind oft mehrere Destillationsdurchläufe oder der Einsatz von Destillationsverfahren mit mehreren Platten erforderlich, um ein akzeptables Niveau, z. B. eine Menge von 1 ppb des kontaminierenden Metalls zu erreichen.
In jüngerer Zeit ist die Abscheidung dünner Filme von Zirconium- und Hafniumoxiden durch Atomschichtabscheidung aus ihren jeweiligen Halogeniden beschrieben worden. Diese Dünnfilmvorläufer erfordern ebenfalls hochreine Quellen von Zirconium- und Hafniumtetrahalogeniden.
Die folgenden Patente beschreiben Verfahren zur Herstellung von Tetrahalogeniden von Metallen der Gruppe IVb und ihre Verwendung bei Halbleiter- und Glasanwendungen.
US-A-4,578,252 offenbart ein Verfahren zur Entfernung von Eisenverunreinigungen in Zirconium- und Hafniumtetrafluoriden, die zur Herstellung von Schwermetallfluoridgläsern verwendet werden. Das Verfahren zur Herstellung von Gasen mit ultrahoher Reinheit umfasst die Schritte des Anlegens eines elektrischen Kraft an die Metallfluoride während der Destillation oder Sublimierung. Eisenkationen werden zu nichtflüchtigem Eisenmetall umgewandelt und dadurch während der Destillation entfernt.
US-A-6,090,709 offenbart Verfahren zur Durchführung der chemischen Dampfabscheidung von Filmen auf Titanbasis, z. B. Titanmetall, Titannitrid und Titansilicid aus Titantetrachlorid und anderen Tetrahalogeniden. Die Abscheidung dieser Filme erfolgt in einer Kammer, in der das Substrat in Kontakt mit einem Titanhalogenid, einem aus Ammonium und Hydrazin ausgewählten Gas und einem aus Wasserstoff, Stickstoff, Argon oder Xenon ausgewählten zweiten Gas gebracht wird.
US-A-4,965,055 offenbart ein Verfahren für die Ultrareinigung von Metallhalogeniden, z. B. Zirconium- und Hafniumchloriden. Der Stand der Technik in diesem Patent verwendete Kombinationen aus Sublimierung und Destillation, um die Reinigung zu bewirken. Die Patentinhaber schlagen vor, ein Metallhalogenid in Gegenwart eines komplexbildenden Mittels mit Komplexen mit dem Halogenid zu lösen, um einen löslichen anionischen oder kationischen Komplex zu bilden. Die Metallverunreinigungen bilden einen Komplex mit einer Ladung, die der des Metallhalogenidkomplexes entgegengesetzt ist. Dies ermöglicht die Trennung in einer Ionenaustauschsäule.
US-A-4,356,160 offenbart ein Verfahren zur Reduktion von Titantetrachlorid zu Titantrichlorid zur Verwendung bei der Olefinpolymerisation. Das Verfahren um fasst die Umsetzung des Titantetrachlorids mit Wasserstoff in Gegenwart eines Ethers, z. B. Diethylether, und eines Metalls der Gruppe 1B, IIb, IVB und VIII.
US-A-3,871,874 offenbart ein Verfahren zur Reinigung von vanadiumhaltigem Titantetrachlorid. Dieses Verfahren umfasst das Erwärmen des vanadiumhaltigen Titantetrachlorids auf eine Temperatur von etwa 120 bis 180°C in Gegenwart von TiCl₃ 0,33 AlCl₃ und das Abtrennen des resultierenden vanadiumfreien Tetrachlorids von den Feststoffen.
Kurze Zusammenfassung der Erfindung
Diese Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren zur Entfernung von Spurenmengen von Metallen der Gruppe IVb und Vb, die als ”Kontaminanten” bezeichnet werden, aus einem Tetrahalogenid eines Metalls der Gruppe IVb und insbesondere die Verringerung von Zirconium und Hafnium in Titantetrahalogenid. Das Verfahren eignet sich besonders gut zur Erzeugung eines Tetrahalogenids eines Metalls der Gruppe IVb von hoher Reinheit. Die Verbesserung im Verfahren zur Verringerungen von Spurenmengen eines Kontaminanten in einem Metall der Gruppe IVb oder Gruppe Vb umfasst folgende Schritte:

(a) das In-Kontakt-Bringen des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb, das eine Spurenmenge eines Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb oder Vb oder beiden enthält, mit einer ausreichenden Menge eines Hydrids, ausgewählt aus einem eines Metalls der Gruppe IVb unter Bedingungen, dass die flüchtigen Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb und Gruppe Vb zu einer geringer flüchtigen Verbindung umgewandelt werden, die die Entfernung dieser Metallkontaminanten durch Destillation oder Sublimierung erleichtert;
(b) das Abtrennen des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb von der geringer flüchtigen Verbindung durch Destillieren und
(c) die Gewinnung des resultierenden Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb als Destillatfraktion.

Durch dieses Verfahren können verschiedene Vorteile erzielt werden. Diese umfassen:

– die Fähigkeit, die Menge an kontaminierendem Zirconium oder Hafnium oder beiden aus einer Titantetrachloridbeschickung auf ein sehr geringes Niveau zu verringern, was Titantetrachlorid von ultrahoher Reinheit ergibt, das zur Bildung von Titanfilmen durch chemische Dampfabscheidung und andere bei der Herstellung integrierter Schaltkreise erforderliche Mittel geeignet ist;
– die Fähigkeit, Schwermetallverunreinigungen aus einer Beschickung mit einem Tetrahalogenid eines Metalls der Gruppe IVb zu entfernen, ohne dass dabei eine erhebliche Menge an Produkt verloren geht;
– die Fähigkeit, Spuren von Metallkontaminanten in einem Verfahren mit einem Durchgang zu entfernen, und
– die Fähigkeit, in einer herkömmlichen Anlage Schwermetallhalogenide aus Titantetrachlorid zu entfernen.

Detaillierte Beschreibung der Erfindung
Die Entfernung oder Verringerung von Spurenmengen von Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb oder Vb aus Tetrahalogeniden eines Metalls der Gruppe IVb, insbesondere die Verringerung von Zirconium- und Hafniumtetrahalogenid in Titantetrahalogenid, ist höchst wünschenswert. Oft sind diese Metalle der Gruppe IVb auch mit Spurenmengen eines Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe Vb wie Niob oder Tantal kontaminiert, und diese Metalle können ebenfalls zu Verbindungen geringerer Flüchtigkeit umgewandelt werden. Es folgt eine Beschreibung eines Verfahren zur Verringerung von Spurenmengen kontaminierender Metalle aus einer Beschickung mit einem Tetrahalogenid eines Metalls der Gruppe IVb.
Der erste Schritt des Verfahrens umfasst (a) das In-Kontakt-Bringen der Beschickung mit dem Tetrahalogenid des Metalls der Gruppe IVb, das eine Spurenmenge eines Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb oder Vb enthält, mit einer ausreichenden Menge eines Hydrids eines Metalls der Gruppe IVb, z. B. Titanhydrid und Zirconiumhydrid, unter Bedingungen, dass die Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb und Gruppe Vb zu einer geringer flüchtigen Spezies umgewandelt werden, die in einem Destillationsverfahren leichter entfernt werden kann. Die Temperatur beim In-Kontakt-Bringen liegt typischerweise im Bereich von 50 bis 150°C. Die bevorzugten Gruppe-IVb-Tetrahalogenide, in denen Kontaminanten verringert werden sollen, sind die Chloride, Bromide und Iodide, am meisten bevorzugt die Chloride von Titan.
Das im Hydrid verwendete Metall der Gruppe IVb kann ein beliebiges homoleptisches Hydrid der Gruppe IVb sein, aber die Wahl des Metalls, das das gleiche ist wie das des der Reinigung unterzogenen Tetrahalogenids, schließt die Zugabe einer möglicherweise kontaminierenden Metallquelle aus. Eine Anzahl anderer einfacher Hydridquellen, d. h. LiH, NaH, KH, LiAlH₄, kann verwendet werden. Man könnte auch erwarten, dass NbH₃ die Metallkontaminanten der Gruppe IVb und Vb verringert, doch dies könnte dazu führen, dass ein nicht zur Gruppe IVb gehörendes Material zugesetzt wird. In einigen Fällen kann es akzeptabel sein, das Hydrid eines anderen Metalls der Gruppe IV oder Gruppe V zuzusetzen, das bereits als Kontaminant vorliegt, wenn dies zu einer effizienteren Entfernung von Kontaminanten führt. Es ist sogar vorstellbar, dass andere Hydride und möglicherweise andere Formen des Metalls der Gruppe IVb verwendet werden können, doch die Zugabe eines anderen Metalls kann zur Kontamination beitragen. Nicht nur kann das Metall, z. B. Lithium aus seinem Hydrid, zur Kontaminierung beitragen, auch andere Formen als das Hydrid des Metalls, z. B. ein organometallischer Ligand, können zur Kontaminierung führen. Daher ist der Reaktant, der sich zur Umwandlung von Kontaminanten der Gruppe IVb oder Gruppe IVb [AdÜ: das zweite sollte ”Gruppe Vb” heißen] zu Verbindungen geringerer Flüchtigkeit eignet, idealerweise das Hydrid des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb, das gereinigt werden soll. Bei der Reinigung von Titantetrachloriden wird vorzugsweise Titanhydrid als Reaktant verwendet. Bei der Reinigung von Zirconiumtetrahalogenid ist Zirconiumhydrid der Reaktant usw.
Die übliche Form eines Tetrahalogenids eines Metalls der Gruppe IVb, das bei der Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet wird, ist das Tetrachlorid, was größtenteils auf seine relativ hohe Flüchtigkeit zurückzuführen ist. Andere Tetrahalogenide werden für andere Anwendungen verwendet; z. B. verwendet man die Tetrafluoride bei der Herstellung von Schwermetallgläsern. Tetraiodide und Tetrabromide werden für andere Anwendungen verwendet. Solange das Hydrid des Metalls der Gruppe IVb verwendet wird, sind die resultierenden Gase, die bei der Reduktion der kontaminierenden Tetrahalogenide der Metalle der Gruppe IVb und Vb gebildet werden, stark flüchtig und lassen sich leicht von dem Produkt aus dem Tetrahalogenid des Metalls der Gruppe IVb abtrennen, das der Reinigung unterzogen wird.
Wenn die Umwandlung abgeschlossen ist, kann Schritt (b), der die Abtrennung des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb umfasst, durch Destillation oder Sublimierung durchgeführt werden. Die Umwandlung der Metalle der Gruppe IVb und Gruppe Vb zu weniger flüchtigen Verbindungen als das zu reinigende Metall der Gruppe IVb kann vor der Destillation oder während des Destillationsverfahrens selbst durchgeführt werden. Die Umwandlung läuft bei Destillationstemperaturen rasch ab. Daher wird bevorzugt, das Hydrid des Metalls der Gruppe IVb in den Reboiler der Destillationssäule zu geben. Damit wird ein Verfahren in einem Schritt zur Verfügung gestellt.
Die Abtrennung des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb von den kontaminierenden Halogeniden der Metalle der Gruppe IVb und Vb mit geringerer Flüchtigkeit erfolgt durch Destillation des Gemischs aus dem Tetrahalogenid des Metalls der Gruppe IVb und den Metallverbindungen der Gruppe IVb und Gruppe Vb von geringerer Flüchtigkeit. Das Tetrahalogenid des Metalls der Gruppe IVb wird als Destillatfraktion gewonnen. Manchmal kann es zur Gewinnung der anderen Tetrahalogenide des Metalls der Gruppe IVb als Titantetrachlorid erforderlich sein, sie in einem nicht reaktiven Medium zu lösen, um einen innigen Kontakt mit dem Hydridreinigungsmittel zu ermöglichen. In diesem Fall wird das nicht reagierende Medium vor der Reinigung des Produkts durch Destillation oder Sublimierung entfernt.
Bei einer spezifischen Ausführungsform der Erfindung werden Spurenmengen der Tetrachloride von Zirconium und Hafnium von Titantetrachlorid getrennt. Bei diesem Verfahren wird Titanhydrid in Kontakt mit einer Beschickung aus Titantetrachlorid gebracht, das mit Zirconium- oder Hafniumverunreinigungen, z. B. Tetrachlorid, kontaminiert ist. Dies erfolgt unter solchen Bedingungen, dass die Zirconium- und Hafniumtetrachloridverunreinigungen zu Verbindungen geringerer Flüchtigkeit umgewandelt werden. Bei der Bildung der geringer flüchtigen Verbindungen können die Produkte durch Destillation abgetrennt und ein hochreines Titantetrachlorid gewonnen werden.
Im Verfahren wird das Hydrid des Metalls der Gruppe IVb, z. B. Titanhydrid (TiH₂) in der Mindestmenge, die zur Entfernung der gewünschten Menge an Me tallen der Gruppe IVb oder Vb erforderlich ist, in Kontakt mit dem Destillationssystem gebracht bzw. diesem zugegeben. In der Praxis bedeutet das, dass zumindest eine stöchiometrische Menge und vorzugsweise ein Überschuss des Hydrids des Metalls der Gruppe IVb zugegeben wird. Die stöchiometrischen Mengen des Hydrids des Metalls der Gruppe IVb können durch folgende Gleichung bestimmt werden. TiH₂ + 5 Titantetrachlorid → 6TiCl₃ + 2HCl (g) 6TiCl₃ + 6ZrCl₄ → 6 Titantetrachlorid + 6ZrCl₃
Obwohl die vorstehenden Gleichungen über einen möglichen Mechanismus unter Beteiligung der Herstellung eines Reaktionsprodukts mit verringerter Flüchtigkeit (Zr(III)Cl₃) spekulieren, können sie zur Bestimmung der Menge eines Hydrids eines Metalls der Gruppe IVb, z. B. Titanhydrid, das der Beschickung zugesetzt wird, um die Verringerung der Metallverunreinigungen zu bewirken, verwendet werden. Typischerweise sind Mengen von 0,01 bis 0,1 Gew.-% des zu behandelnden Tetrahalogenids effektiv. Die Zugabe eines Metallhydrids zu diesem Verfahren ist einzigartig. In diesem Fall führt ein Hydrid eines Metalls der Gruppe IVb, das das Hydrid des gleichen Metalls wie das Metall der Gruppe IVb oder des Tetrahalogenids des Metall der Gruppe IVb ist, das gereinigt werden soll, keine kontaminierende Metallquelle, das heißt keine Titanquelle, ein.
Wie bereits erklärt, kann das Hydrid, Titan im Falle der Reinigung von Titantetrachlorid, der Beschickung vor der Destillation oder während des Destillationsverfahrens selbst zugesetzt werden. Die erhöhten Temperaturen und Zeiten für die Destillation liefern die notwendigen Bedingungen, damit speziell das Zirconium- und das Hafniumtetrachlorid Verbindungen von signifikant geringerer Flüchtigkeit als Titantetrachlorid bilden können. Diese Verbindungen können im Destillationsverfahren sehr leicht getrennt werden.
Bei erhöhten Destillationstemperaturen können die Zirconiummengen im Titantetrachlorid auf weniger als 1 ppb (Teile pro Milliarde) verringert werden. Auch andere IVb- und Vb-Elemente, z. B. Hf, V, Nb und Ta, können auf praktisch nicht nachweisbare Mengen verringert werden, z. B. 10 Teile pro Billion.
Die folgenden Beispiele sollen die verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung veranschaulichen, ihren Rahmen aber nicht einschränken.
Beispiel 1 – Reinigung von Titantetrachlorid
Die experimentellen Arbeiten bei der Behandlung von Titantetrachlorid mit dem TiH₂ erfolgten bei erhöhten Temperaturen zwischen 60 und 144°C. Ein erster Versuch wurde unter Verwendung von Rückständen aus einer Oldershaw-Destillationssäule durchgeführt, die eine konzentrierte Menge an Zirconium enthielten. Der erste Versuch wurde bei 60°C durchgeführt. Er war erfolgreich bei der Verringerung der Zirconiummenge.
Nach dem ersten Versuch mit Rückständen im kleinen Maßstab unternahm man einen zweiten und behandelte eine normale rohe Titantetrachloridbeschickung, die Zirconium im Bereich von 500 ppb enthielt. Die Beschickung wurde zuerst filtriert, um etwaige feste Niederschläge zu entfernen, bei 60°C mit TiH₂ behandelt, und dann in der Oldershaw-Säule destilliert. Genauer wurde bei 38 kg Titantetrachlorid, die mit ZrCl₄ in einer Menge von 500 ppb kontaminiert waren, der Zirconiumgehalt auf weniger als 1 ppb und die anderen IVb und Vb-Metallelemente in der Säule mit etwa 6 g TiH₂ verringert. Außerdem wurden die Hf-Mengen von den typischen 3 ppb auf 0,04 ppb, V von 8 ppb auf 0,01 ppb und Nb von 302 ppb auf 0,01 ppb verringert.
Beispiel 2 – Zugabe von Titanhydrid zum Destillationsreboiler
Um das in Beispiel 1 dargestellte Verfahren effizienter zu machen, gibt man Titanhydrid direkt in den Oldershaw-Reboiler, damit die Behandlung in einem Schritt durchgeführt werden kann. Der Reboiler wird auf 144°C Hauttemperatur erwärmt, um die Umwandlung von Zirconium zu einer nicht flüchtigen Verbindung zu bewirken, die aus den Rückständen gewonnen wird.
Mit TiH₂ behandelte Oldershaw-Rückstände wurden bis zur Trockenheit einer Flash-Destillation unterzogen und die Feststoffe durch ICP-MS und GFAAS analysiert. Die Ergebnisse zeigen eine hohe Konzentration an Zirconium (19 ppm) sowie konzentrierte Mengen an Nb, V, Ta und Hf.
Die Analyse zeigt nicht, in welcher Form die Elemente vorliegen, d. h. in Tetrahalogenid- oder Trihalogenidform von Zirconium, aber diese Elemente destillieren nicht in die Haupttitantetrachloridfraktion wie in unbehandelten Chargen.

Claims

Verfahren zur Entfernung einer Spurenmenge eines Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb oder Vb oder beiden aus einem Tetrahalogenid eines Metalls der Gruppe IVb durch Verflüchtigung, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: (a) das In-Kontakt-Bringen des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb, das eine Spurenmenge eines Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb oder Vb oder beiden enthält, mit einer ausreichenden Menge eines Hydrids eines Metalls der Gruppe IVb unter Bedingungen, dass der Kontaminant aus einem Metall der Gruppe IVb und Gruppe Vb zu einer geringer flüchtigen Verbindung umgewandelt wird; (b) das Abtrennen des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb von der geringer flüchtigen Verbindung durch ein Verdampfungsverfahren, ausgewählt aus der aus Destillieren, Sublimieren und Kombinationen davon bestehenden Gruppe; und (c) Gewinnen des resultierenden Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb mit einem verringerten Gehalt an Kontaminanten aus Metallen der Gruppe IVb oder Vb oder beiden als leichter flüchtige Komponente aus der geringer flüchtigen Verbindung.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Kontakttemperatur im Bereich von 50 bis 150°C liegt.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Hydrid des Metalls der Gruppe IVb in einen Reboiler für eine Destillationssäule eingeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Tetrahalogenid der Gruppe IVb, das durch Entfernung von Kontaminanten daraus gereinigt werden soll, zuerst in einem nichtreaktiven Medium gelöst wird, um den innigen Kontakt mit dem Hydridreinigungsmittel zu ermöglichen, und das nichtreaktive Medium dann vor der Reinigung des Produkts durch Sublimieren entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Tetrahalogenid des Metalls der Gruppe IVb aus der aus Titantetrahalogenid, Zirconiumtetrahalogenid und deren Gemischen bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Hydrid eines Metalls der Gruppe IVb in einer Menge zugesetzt wird, die zur Verringerung des Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb und Vb auf weniger als je 1 ppb nach Gewicht führt.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Hydrid eines Metalls der Gruppe IVb in einem Bereich von 0,01 bis 0,2 Gew.-% des Tetrahalogenids des Metalls der Gruppe IVb, aus dem Kontaminanten entfernt werden, zugesetzt wird.
Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das Tetrahalogenid des Metalls der Gruppe IVb ein Tetrachlorid oder Tetrabromid eines Metalls der Gruppe IVb ist.
Destillationsverfahren zur Entfernung von Spurenmengen eines Metalls der Gruppe IVb oder eines Metalls der Gruppe Vb oder beiden aus einer Titantetrachloridbeschickung, die mit Spurenmengen eines Metalls der Gruppe IVb oder eines Metalls der Gruppe Vb oder beiden verunreinigt ist, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: (a) das In-Kontakt-Bringen der mit Spurenmengen eines Metalls der Gruppe IVb oder eines Metalls der Gruppe Vb oder beiden kontaminierten Titantetrachloridbeschickung mit einer ausreichenden Menge Titanhydrid, um das Metall der Gruppe IVb oder Gruppe Vb zu einer geringer flüchtigen Verbindung umzuwandeln; (b) Destillieren der behandelten Beschickung in einer Destillationssäule, wodurch das Titantetrachlorid von der geringer flüchtigen Verbindung eines Metalls der Gruppe IVb oder Gruppe Vb oder beiden getrennt wird, und (c) Gewinnen des resultierenden Titantetrachlorids von hoher Reinheit als Destillatfraktion.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Metalle der Gruppe IVb Zirconiumtetrachlorid oder Hafniumtetrachlorid sind.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Temperatur des In-Kontakt-Bringens im Bereich von 50 bis 150°C liegt.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Titanhydrid in einen Reboiler für die Destillationssäule eingeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Titanhydrid in einem Bereich von mindestens einer stöchiometrischen Menge bis zu etwa 0,02 Gew.-% des Titantetrachlorids zugegeben wird, um im Wesentlichen jeglichen Kontaminanten aus einem Metall der Gruppe IVb oder Metall der Gruppe Vb daraus zu entfernen.