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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Gebiet der
Erfindung
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Die
Erfindung betrifft eine Positionierungsmaschine zum Bewegen eines
Objektes wie z.B. einer Plattform oder dergleichen, das in einer
Vorrichtung oder bei einem Verfahren zur Herstellung von Baugruppen
wie z.B. Halbleiterbauelementen oder Flüssigkristalldisplays verwendet
wird. Die Positionierungsmaschine kann zum Beispiel verwendet werden
in einer Projektionsbelichtungsvorrichtung, in verschiedenen Präzisionsbearbeitungsvorrichtungen und
Meßvorrichtungen
usw. zur Bewegung und Positionierung eines Substrates wie z.B. einer
Halbleiterscheibe, einer Maske und einer Zielmarke bei einer hohen
Geschwindigkeit und mit einer hohen Genauigkeit. Außerdem kann
die vorliegende Erfindung auch in einer Belichtungsvorrichtung angewendet werden,
die solch eine Positionierungsmaschine enthält.
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Stand der
Technik
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12 zeigt
eine perspektivische Ansicht einer XY-Plattform als ein Beispiel für eine bekannte Positionierungsmaschine.
Eine Positionierungsmaschine dieser Art wird z.B. offenbart im japanischen Dokument
8-229759.
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In 12 bezeichnet
das Bezugszeichen 42 eine Grundplatte, die eine Plattformvorrichtung
trägt und
eine Bezugsoberfläche 43 aufweist,
und das Bezugszeichen 38 bezeichnet eine fixierte Y-Führung, die
an der Grundplatte 42 befestigt ist, wobei deren Seitenoberfläche als
eine Bezugsoberfläche
dient. Darüber
hinaus bezeichnet das Bezugszeichen 37 eine Y-Plattform,
die als ein beweglicher Aufbau dient. Die Y-Plattform 37 wird
durch die fixierte Führung 38 geführt und
in Y-Richtung durch Y-Linearmotoren 41 bewegt, die an beiden
Enden davon angeordnet sind, wobei jeder Y-Linearmotor ein fixiertes Element 39 und
ein bewegliches Element 40 umfaßt. Das Bezugszeichen 32 bezeichnet
eine X-Plattform, die
bewegliche Elemente von X-Linearmotoren aufweist (nicht gezeigt).
Die X-Plattform 32 wird durch eine X-Führung 33 geführt, die
an der Y-Plattform 37 angeordnet ist und eine Schubkraft
von den fixierten Elementen 34 der X-Linearmotoren empfängt, die ebenfalls an der Y-Plattform 37 angeordnet
sind.
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Wie
in 12 gezeigt, hat eine Oberplatte 31 der
X-Plattform 32 eine
flache Form, und ein Spiegel in X-Richtung 45 und eine
Spiegel in Y-Richtung 46, die für die Positionsmessung in X-
bzw. Y-Richtung verwendet werden, sind auf der Oberplatte 31 angeordnet.
Die Positionsmessung wird durchgeführt durch das Anstrahlen der
Spiegel mit einem Laserstrahl und die das Erfassen des reflektierten
Lichts.
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Wenn
ein in 16 gezeigter θZT-Antriebsmechanismus
in dieser Plattformvorrichtung installiert wird, sind Bewegungen
möglich
in eine Z-Richtung, die eine Richtung parallel zu z.B. einer optischen
Achse eines Belichtungssystems ist, und auch in Drehrichtungen um
die X, Y und Z-Achsen (θX, θY, θZ).
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Das
in 12 gezeigte Oberteil der X-Plattform 32 entspricht
der in 16 gezeigten Grundplatte 151.
Ein zylindrisches fixiertes Element 202 ist auf der Grundplatte 151 angeordnet
und eine poröse, mit
dem fixierten Element 202 verbundene Einlage 207 erzeugt
eine innere Oberfläche
des Führungselements 203,
ohne es zu berühren.
Das Führungselement 203 ist
einstückig
ausgebildet mit einer Oberplatte 204, die der Oberplatte 31 entspricht
und für die
Aufnahme eines Wafers und einer Wafereinspannvorrichtung verwendet
wird (nicht gezeigt). Die Oberplatte 204 kann um ihre Mittelachse
durch einen θ-Linearmotor 216 gedreht
werden und in vertikaler Richtung in 16 durch
Z-Linearmotoren 215 hin- und herbewegt werden, die entlang
der Umfangsrichtung in gleich großen Abständen angeordnet sind.
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13 ist
ein Blockdiagramm für
jeden Freiheitsgrad in der bekannten Positionierungsmaschine. Das
Bezugszeichen 57 bezeichnet die mechanische Charakteristik
Go der Positionierungsmaschine. Entsprechend der mechanischen Charakteristik
Go wird eine Verschiebung x ausgegeben, wenn eine Kraft f zugeführt wird.
Das Bezugszeichen 58 bezeichnet die Steuerungscharakteristik
Gc einschließlich
der Charakteristik einer Proportional-Integral-Differential-Steuereinheit
(PID), einer Verstärker-Kenngröße und eines
Stabilisierungsfilters. Übereinstimmend
mit der Steuerungscharakteristik Gc wird eine vorbestimmte Kraft
f ausgegeben, wenn die Differenz zugeführt wird, die durch das Abziehen
der Verschiebung x von einer gewünschten
Position xr erhalten wird. Zum Beispiel wird bei der Positionssteuerung
in X- und Y-Richtung die Ausgabe eines Laser-Interferometers verwendet,
um die Verschiebung x zu bestimmen. Die Leistungsfähigkeit
der Positionierungsmaschine wird dadurch bestimmt, wie schnell und
genau die gewünschte
Position für
jeden Freiheitsgrad gefunden werden kann.
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14 ist
ein Diagramm, das die Verstärkungs/Phasen-Kennlinien
des Steuerungssystems von bekannten Positionierungsmaschinen zeigt.
Die in 14 gezeigten Verstärkungs-/Phasen-Kennlinien
stellen eine Kombination aus der in 13 gezeigten
mechanischen Charakteristik Go und der Steuerungscharakteristik
Gc dar und werden Schleifen-Übertragungskennlinien
genannt. Um eine Nachführungsleistung
mit hoher Geschwindigkeit und hoher Genauigkeit zu erhalten, werden
die Verstärkungskennlinien
der Positionierungsmaschine vorzugsweise so hoch wie möglich eingestellt.
Die mechanische Charakteristik Go beinhaltet jedoch verschiedene
Eigenfrequenzen und die plattenförmige, in
der bekannten Positionierungsmaschine verwendete Bühne 31 kann
eine Eigenfre quenz mit einem hohen Spitzenwert (schwache Dämpfung)
in einem niederfrequenten Bereich (bei 300 Hz) aufweisen.
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Wenn
Schwingungen der Plattformbauteile auftreten, vibrieren auch die
für Positionsmessungen an
der Plattform angebrachten Spiegel, so daß die Positionierungsgenauigkeit
verringert wird.
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Dazu
kommt, daß die
Verstärkungseigenschaften
des Steuerungssystems eingeschränkt
werden, da Schwingungen mit der Eigenfrequenz auftreten, wenn die
Verstärkung
zu groß ist.
In 14 beträgt
die Frequenz beim Nulldurchgang, um einen Anhaltspunkt für das Verstärkungsmaß zu haben,
annähernd
40 Hz.
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Folglich
ist es notwendig, den Spitzenwert durch die Verwendung von Stabilisierungsfiltern
wie z.B. Tiefpassfilter und Sperrfilter zu unterdrücken. Alternativ
wird das System so aufgebaut, daß die Eigenfrequenz in einen
hochfrequenten Bereich angehoben wird.
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Im
japanischen Dokument 11-142555 ist z.B. ein Plattformbauteil mit
einer Hohlstruktur offenbart. Unter Bezugnahme auf 15 bezeichnet
das Bezugszeichen 411 eine Deckplatteneinheit, die in einer X-Plattform
enthalten ist. Die Deckplatteneinheit 411 besteht aus Keramik
und weist, wie im Bild gezeigt, eine Hohlstruktur auf. Die Hohlstruktur 421 ist
aus zwei oder mehr keramischen Elementen aufgebaut und besitzt am
ihrem Boden ein Einspritzloch 431. Nachdem die zwei oder
mehr Elemente gebrannt sind, werden durch einen Resinterungsvorgang
zusammen verbunden. Im Resinterungsvorgang werden die Elemente üblicherweise
miteinander verbunden durch Glasbindung, indem ein Aluminium enthaltendes
Material verwendet wird, das einen thermischen Ausdehnungskoeffizient
hat, der ungefähr dem
der Elemente entspricht. Wenn jedoch ein Material mit einem kleinen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten verwendet wird, um die thermische
Deformierung der Deckplatteneinheit 411 zu unterdrücken, be steht
das Risiko, daß keine
ausreichende Bindestärke
erreicht wird. Außerdem
gibt es, wenn ein Klebemittel für
das Zusammenfügen
der Elemente verwendet wird, das Risiko, daß keine ausreichende Klebestärke und
Klebezuverlässigkeit
erhalten wird.
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Im
vorstehend beschriebenen Beispiel wird, um die Deckplatte, die das
Substrat trägt – z.B. eine Halbleiterscheibe – zu einer
vorbestimmten Position in der XY-Ebene zu bewegen, die Grundplatte
durch die XY-Plattformeinheit in die X- und Y-Richtung bewegt, während die
Position der Deckplatte in der XY-Ebene durch Laser-Interferometer
bestimmt wird. Darüber
hinaus empfängt
die Deckplatte eine Antriebskraft von der Grundplatte durch radiale
Luftlager. Die Deckplatte bewegt sich somit zu einer vorbestimmten
Position. Zu diesem Zeitpunkt bewegen sich die Deckplatte und die
Grundplatte bevorzugt zusammen. In Wirklichkeit jedoch wird die
Antriebskraft auf die Deckplatte bezüglich der Bewegung der Grundplatte
mit einer Phasenverschiebung ausgeübt in Übereinstimmung mit der Verdichtung
der Luft in den radialen Luftlagern.
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Um
dies zu verhindern, können
die radialen Luftlager weggelassen und die in den θZT-Antriebsmechanismen
verwendeten Lorentzkraft-Stellantriebe (Linearmotoren) für genaue
Bewegungen in die X- und Y-Richtungen verwendet werden. In solch
einem Fall ist es jedoch für
die Lorentzkraft-Stellantriebe (Linearmotoren) äußerst schwierig, genug Kraft
zu erzeugen, um sowohl das Gewicht der Deckplatte, der Halbleiterscheibe
und der auf der Deckplatte angebrachten Spannvorrichtung für die Halbleiterscheibe aufzunehmen
als auch diese zu beschleunigen, wegen Beschränkungen der Größe der Motoren
und wegen der von den Motoren abgegebenen Wärme.
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Zudem
kann in den Positionierungsmaschinen der bekannten Art, wie z.B.
die im japanischen Dokument 8-229759 offenbarte XY-Plattformeinheit, die
Eigenfrequenz der Deckplatte 204 nicht erhöht werden,
da die Deckplatte als massi ve Platte ausgebildet ist. Außerdem kann
die Hohlstruktur, wenn die im japanischen Dokument 11-142555 offenbarte Hohlstruktur
verwendet wird, nicht ausgebildet werden, wenn es einen Unterschied
zwischen den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des keramischen
Verbindungsmaterials und dem Material der Hohlstruktur gibt. Dementsprechend
können
keine Materialien mit kleinem thermischen Ausdehnungskoeffizienten
verwendet werden. Weiterhin treten, wenn ein Klebstoff verwendet
wird, Unterschiede zwischen den Komponenten auf selbst wenn sie
in derselben Form ausgebildet sind und die Eigenfrequenz der kombinierten
Einheit kann aufgrund der Differenzen zwischen den Klebebedingungen
nicht so groß sein
wie der berechnete oder theoretische Wert.
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Weiterhin
wird, wenn ein Material verwendet wird, das einen kleinen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten aufweist, weil die Deckplatte als massive
Platte ausgebildet ist, die Dicke der Deckplatte erhöht, um eine
hinreichend große
Steifigkeit zu gewährleisten.
Damit wird das Gewicht der Deckplatte relativ zur Vergrößerung der
Steifigkeit beträchtlich erhöht. Dementsprechend
wird die Last, die an den oben beschriebenen Linearmotoren zur Beschleunigung
anliegt, erhöht
und der Strom, der für
die Aufrechterhaltung dieser Beschleunigung notwendig ist, wird
ebenfalls erhöht.
Außerdem
wächst
die durch die Linearmotoren ausgestoßene Wärme proportional zum Quadrat
des Stromes. Dies verschlechtert die Umgebung um die Halbleiterscheibe
herum, und ein Problem tritt dadurch auf, daß die Ausrichtungsgenauigkeit
und die Arbeitsganggenauigkeit ungünstig beeinflußt werden,
so daß die
Produktivität
verringert wird, wenn eine Mikrobearbeitung von Halbleiterbausteinen
erforderlich ist.
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In
Dokument US-A-6188150 wird eine leichtgewichtige, stabile Gestellplatte
für die
Fotolithographie vorgeschlagen, die einen rechteckigen Rahmen aufweist
und eine Matrix aus Rippen innerhalb des Rahmens aufweist. Primäre Rippen
erstrecken sich diagonal von den inneren Ecken des Rahmens und bilden
die Form eines X. Zusatzrippen verlaufen von den Mittelpunkten der
Rahmenseiten zur Rahmenmitte und treffen dort auf die primären Rippen,
so daß die
Form eines Kreuzes oder eines + gebildet wird, und weitere Zusatzrippen
verlaufen diagonal von den Mittelpunkten der Rahmenseiten zu den
primären,
diagonalen Rippen, so daß eine
Diamant-Form ausgebildet wird.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird eine Positionierungsmaschine aufgezeigt, wie in Anspruch
1 dargelegt und eine Belichtungsvorrichtung wie in Anspruch 17 dargelegt.
Optionale Eigenschaften werden in den verbleibenden Ansprüchen dargelegt.
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Eine
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung kann eine Positionierungsmaschine schaffen,
die einen beweglichen Aufbau mit ausgezeichneter Steuerbarkeit aufweist
und der bei einer hohen Geschwindigkeit und mit hoher Genauigkeit
positioniert werden kann.
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Vorzugsweise
die zweite Einheit ist aus einem keramischen Material zusammengesetzt
und weist eine Hohlstruktur mit einem Hohlprofil auf, wobei die
Hohlstruktur die Rippen und Löcher
enthält, die
eine Verbindung zwischen einem Inneren und einem Äußeren des
Hohlprofils schafft.
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In
einem Beispiel der vorliegenden Erfindung weist die zweite Einheit
(Deckplatteneinheit) mindestens auf ein Material mit geringem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten
von 1 × 10–6 K–1 oder
weniger, einen anorganischen Faser-Verbundwerkstoff und einen SiC-Verbundwerkstoff,
der SiC und Si enthält. Die
Rippen können
die Eigenfrequenz der zweiten Einheit in Bezug auf den Drehmoment-Mode
erhöhen.
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In
einem Beispiel der Erfindung weist die zweite Einheit eine Vielzahl
von Seitenplatten an ihrem Umfang auf und die Rippeneinheit erstreckt
sich von einem Zwischenbereich einer Seitenplatte aus der Vielzahl
von Seitenplatten zu einem Zwischenbereich einer anderen Seitenplatte
aus der Vielzahl von Seitenplatten, wobei der Zwischenbereich jeder
Seitenplatte aus der Vielzahl von Seitenplatten getrennt ist vom
Ende jeder Seitenplatte.
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Die
zweite Einheit kann eine Oberplatte und eine Unterplatte enthalten,
die einstückig
mit den Rippen ausgebildet sind. Die Rippen weisen auf eine erste
Rippeneinheit, die im Querschnitt eine Diamantform besitzt, und
eine zweite Rippeneinheit, die im Querschnitt eine rechteckige Form
hat.
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Wenn
die Positionierungsmaschine als eine substrattragende Plattform
in einer Halbleiterbelichtungsvorrichtung dient, kann das Objekt
ein fotosensitives Substrat oder eine Originalplatte sein, die ein Belichtungsmuster
aufweist. Vorzugsweise sind die Halbleiter-Spannvorrichtung, die
Deckplatteneinheit und die optischen Spiegel, die für die Bestimmung der
relativen Position des Objekts, wie z.B. Halbleiterscheiben, verwendet
werden, aus dem selben, eine Hohlstruktur aufweisenden Material
zusammengesetzt.
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Die
Deckplatteneinheit weist eine kurzhubige elektromagnetische Stellantriebseinheit
auf, die das Objekt mit sechs Freiheitsgraden zu einer vorbestimmten
Position bewegt und eine Vorrichtung zum Abstützen der Deckplatte gegen die
Schwerkraft.
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Die
Positionierungsmaschine gemäß der vorliegenden
Erfindung enthält
weiterhin bevorzugt eine langhubige elektromagnetische Stellantriebseinheit,
die die Deckplatteneinheit in langen Hüben in die X- und Y-Richtung
bewegt und eine X-Plattform, die durch die langhubige elektromagnetische
Stellantriebseinheit bewegt wird und sowohl die kurzhubige elektromagnetische
Stellantriebseinheit als auch die Vorrichtung zum Abstützen der
Deckplatte gegen die Schwerkraft trägt.
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Die
kurzhubige elektromagnetische Stellantriebseinheit weist bevorzugt
mindestens drei Lorentzkraft-Stellantriebe
auf zur Bewegung des Objektes in die horizontale Richtung und in
die Gier-Richtung zur vorbestimmten Position. Darüber hinaus enthält die kurzhubige
elektromagnetische Stellantriebseinheit weiterhin bevorzugt elektromagnetische Stellglieder,
die eine Beschleunigung für
die Bewegung des Objektes in horizontaler Richtung aufmodulieren.
Um den Abstand zwischen dem Gleichgewichtspunkt der Deckplatteneinheit
und einem Leistungspunkt der Lorentzkraft-Stellantriebe und der elektromagnetischen
Stellantriebe zu verringern, weist die Deckplatteneinheit, an der
die elektromagnetischen Stellantriebe befestigt sind, bevorzugt
eine Hohlstruktur auf mit einem offenen Bereich an dessen Bodenseite.
Außerdem
sind die Spulen und Magnete der Lorentzkraft-Stellantriebe so angeordnet, daß eine Schubkraftkonstante
innerhalb einiger Prozente einer maximalen Schubkraftkonstante liegt, wenn
sich das Objekt an einer Position befindet, bei der ein Belichtungsprozeß durchgeführt wird.
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Zudem
weist die Positionierungsmaschine weiterhin bevorzugt mindestens
drei Lorentzkraft-Stellantriebe auf zur Steuerung der Position des Objekts
in einer vertikalen Richtung, einer Neigungsrichtung und einer Abrollrichtung,
wobei die Lorentzkraft-Stellantriebe ausreichend große Hübe zum Bewegen
der Deckplatteneinheit aufweisen, die das Objekt transportiert.
Weiterhin enthält
die Positionierungsmaschine bevorzugt eine gewichtskompensierende
Vorrichtung, die Magnete zur Erzeugung einer rückstoßenden Kraft oder einer anziehenden
Kraft aufweist, eine Spiralfeder usw., und eine Kraft in Übereinstimmung
mit dem Gesamtgewicht der Deckplatteneinheit, der Halbleiterscheibe
und der Halbleiterscheiben-Spannvorrichtung erzeugt, die auf der Deckplatteneinheit
angeordnet ist, und vielleicht von beweglichen Elementen des Lorentzkraft-Stellantriebs,
elektromagnetischer Stellglieder und der gewichtskompensierenden
Vorrichtung, um das Gesamtgewicht gegen die Schwerkraft zu tragen.
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Zur
Vermeidung einer Verformung der Deckplatteneinheit, der Spiegel,
der Halbleiterscheibe usw. aufgrund der durch die Stellantriebe
abgegebenen Wärme
können
die Spulen der Stellantriebe an der X-Plattform befestigt werden.
Eine Rohrleitung oder eine Drahtleitung zur Zuführung von Strom, Gas oder Flüssigkeit
von der Oberplatte der X-Plattform zur Halbleiterscheiben-Spannvorrichtung
usw., die auf der Deckplatteneinheit angebracht ist, kann entweder
in einem zentralen Bereich oder einem dezentralen Bereich der Deckplatteneinheit
angeordnet werden. In solch einem Fall wird die Übertragbarkeit von Schwingungen,
die auf die Rohrleitung oder die Drahtleitung zurückzuführen sind,
verringert.
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Die
Oberplatte der X-Plattform hat bevorzugt drei Stützstäbe, die vorübergehend das Objekt tragen,
wenn das Objekt von einem Transportgreifer zur Halbleiterscheiben-Spannvorrichtung
bewegt wird. Die Stützstäbe erstrecken
sich über
die Halbleiterscheiben-Spannvorrichtung und die Deckplatteneinheit
oder zweite Platteneinheit, und wenn die Deckplatteneinheit durch
die Lorentzkraft-Stellantriebe und die gewichtskompensierende Vorrichtung
in die vertikale Richtung bewegt wird, ragen die Stützstäbe über die
obere Oberfläche
der Halbleiterscheibe heraus und tragen vorübergehend das Objekt.
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Zudem
können
bei der Endbehandlung der Oberfläche
der zweiten Platteneinheit Teilchen in das Hohlprofil der Hohlstruktur
durch die Löcher
für die Schaffung
der Verbindung zwischen dem Inneren und Äußeren des Hohlprofils injiziert
werden. Wenn das Gewicht des mit Teilchen gefüllten Hohlprofils genauso groß ist wie
das Gewicht, das erhalten wird, wenn das Hohlprofil mit dem gleichen
Material gefüllt ist
wie das Material der zweiten Platteneinheit, wird während eines
Läppvorgangs
ein konstanter Oberflächendruck
ausgeübt,
so daß die
Oberfläche
mit großer
Genauigkeit behandelt werden kann. Außerdem kann ein Prozeß zur Ausbildung
der Spiegeloberflächen
zur Bestimmung der relativen Position des Objektes nach der mechanischen
Befestigung einer dritten Plat teneinheit auf der zweiten Platteneinheit durchgeführt werden.
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Wie
vorstehend beschrieben, ist in einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung die Deckplatteneinheit, die als ein beweglicher Aufbau
in der Positionierungsmaschine dient, zusammengesetzt aus mindestens
einem Material mit niedrigem thermischen Ausdehnungskoeffizienten,
das eine thermische Ausdehnung von 1 × 10–6 K–1 oder
weniger aufweist, einem anorganischen Faserverbundwerkstoff und
einem SiC und Si enthaltenden SiC-Verbundwerkstoff und bildet eine einstückigen, hohlen
Aufbau. Dementsprechend wird eine leichte, stabile, steife Deckplatteneinheit
erhalten, die nicht leicht durch Wärme verformt werden kann. Weiter wird
aufgrund der elektromagnetischen Kopplungen und der Lorentzkraft-Stellantriebe
der Deckplatteneinheit eine Positionierungsmaschine mit einer hohen
Steuerbarkeit erhalten. Dazu kommt, daß wenn ein Läppvorgang
durchgeführt
wird, nachdem die Teilchen in das Hohlprofil injiziert wurden, ein
konstanter Oberflächendruck
angewendet wird, so daß die
Oberfläche
mit einer hohen Genauigkeit b arbeitet werden kann.
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Optionale
Merkmale der vorliegenden Erfindung werden ersichtlich durch die
folgende Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme
auf die beigefügten
Zeichnungen.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 zeigt
eine Draufsicht einer Positionierungsmaschine gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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2 zeigt
eine Querschnittsansicht von 1 geschnitten
entlang der Schnittlinie II-II.
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3 zeigt
eine Querschnittsansicht von 1 geschnitten
entlang der Schnittlinie III-III.
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4 zeigt
eine Querschnittsansicht der Positionierungsmaschine gemäß der ersten
Ausführungsform
geschnitten entlang einer Mittellinie, wodurch gezeigt wird auf
welche Art und Weise die Positionierungsmaschine arbeitet.
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5A ist
eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Rippenstruktur
einer Hohlplatteneinheit zeigt, die in der durch die vorliegende
Erfindung verkörperte
Positionierungsmaschine enthalten ist, und 5B ist
eine Querschnittsansicht, die eine Abwandlung der in 5A dargestellten
Rippenstruktur zeigt.
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6 ist
eine Querschnittsansicht, die ein anderes Beispiel der Rippenstruktur
einer Hohlplatteneinheit zeigt, die in der durch die vorliegende
Erfindung verkörperte
Positionierungsmaschine enthalten ist.
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7 zeigt
eine Querschnittsansicht einer Positionierungsmaschine gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung geschnitten entlang der Mittellinie.
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8 zeigt
eine Querschnittsansicht einer Positionierungsmaschine gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung geschnitten entlang der Mittellinie.
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9 ist
eine Abbildung, die zeigt, auf welche Weise die Hohlplatteneinheit
gemäß den Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung bearbeitet wird.
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10 ist
eine Abbildung, die zeigt, auf welche Weise eine Spiegeloberfläche einer
Hohlplatteneinheit in einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung einem Läppvorgang unterworfen wird.
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11 ist
eine Abbildung, die zeigt, auf welche Weise eine Spannvorrichtung
aufnehmende Oberfläche
einer Hohlplatteneinheit in einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung einem Endbearbeitungsvorgang unterworfen wird.
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12 ist
eine perspektivische Ansicht einer bekannten Positionierungsmaschine.
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13 ist
ein Steuerungsblockdiagramm für jeden
Freiheitsgrad der bekannten Positionierungsmaschine.
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14 zeigt
Diagramme, die die Verstärkungs/Phasencharakteristik
des Steuerungssystems der bekannten Positionierungsmaschine darstellen.
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15 ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Hohlstruktur einer bekannten
Plattformkomponente zeigt.
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16 zeigt
eine Querschnittsansicht eines θZT-Antriebsmechanismus', der auf der bekannten Plattformvorrichtung
angeordnet ist.
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17 zeigt
eine Querschnittsansicht einer langhubigen X-Plattform.
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18 ist
eine Abbildung, die fünf
Muster (keine Rippen, diamantförmig,
kreuzförmig,
kreisförmig
und x-förmig) einer
Rippenstruktur der Hohlplatteneinheit zeigt.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Positionierungsmaschinen
gemäß den Ausführungsform
en der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend im Detail beschrieben
unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen, wobei ein Fall als
ein Beispiel betrachtet wird, in dem ein bewegtes Objekt eine Halbleiterscheibe
ist, die als ein fotosensitives Substrat dient. Die vorliegende
Erfindung kann auch in einem Fall verwendet werden, in dem das bewegte
Objekt eine Originalplatte ist, die ein Belichtungsraster aufweist.
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Erste Ausführungsform
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1 ist
eine schematische Draufsicht einer Deckplatte, die in einer Positionierungsmaschine
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung und deren Randgebieten enthalten ist. 2 ist
eine Querschnittsansicht von 1 geschnitten
entlang der Linie II-II und 3 ist eine Querschnittsansicht
von 1 geschnitten entlang der Linie III-III. Die Positionierungsmaschine
enthält eine
Halbleiterscheiben-Spannvorrichtung 1, die als eine erste
Platteneinheit dient, eine Hohlplatteneinheit 2, die als
eine zweite Platteneinheit dient und die Spannvorrichtung 1,
einen Spiegel 3, elektromagnetische Kupplungen 4,
gewichtskompensierende Vorrichtungen 6, Stützstäbe 8 und
Linearmotoren mit Feingetriebe in X-Richtung LMX, in Y-Richtung LMY und
in Z-Richtung LMZ enthält,
die für
eine genaue Einstellung der Position der Hohlplatteneinheit 2 usw. verwendet
werden. Die vorstehend beschriebenen Komponenten sind auf einer
Oberplatte 51a auf einer X-Plattform angeordnet.
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Die
in den Abbildungen gezeigte Hohlplatteneinheit 2 ist so
konstruiert, daß zuerst
eine einstückige,
hohle Struktur ausgebildet wird und dann wird sie gesintert. Die
Hohlplatteneinheit 2 kann ausgebildet werden durch die
Verwendung von anorganischen Faserverbundwerkstoffen oder von SiC
und Si enthaltenden SiC-Verbundwerkstoffen, wobei deren gesamter
Aufbau aus einem einzelnen Material durch den Sinterungsvorgang
ausgebildet wird. Da die Hohlstruktur ausgebildet wird ohne die
Verbindung zweier oder mehrerer unterschiedlicher Materialien und
ohne Verwendung einer Klebstoff- oder Glasklebeverbindung im wiederholten
Sinterungsprozeß,
tritt an den Verbindungsabschnitten im Gegensatz zum Stand der Technik
keine Verringerung der Festigkeit auf.
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In
dem Fall, in dem ein Material mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten
wie z.B. 1 × 10–6 K–1 oder
weniger oder SiC verwendet wird, kann der Mit-Sinterungsprozeß zur Erzielung
einer Hohlstruktur nicht durchgeführt wer den. Dementsprechend
müssen
zwei oder mehr Elemente miteinander verbunden werden. Auch in diesem
Fall, wenn die Elemente durch Metallverbindung miteinander verbunden
sind anstatt durch die Verwendung einer Klebstoff- oder Glasklebeverbindung,
kann der Unterschied zwischen den Koeffizienten für die lineare thermische
Ausdehnung ausgeglichen werden, so daß die Verringerung der Festigkeit
an den Verbindungsabschnitten nicht wie in dem Maße auftritt
wie beim Stand der Technik. Auf diese Weise wird eine aus einem
einzelnen Material bestehende einstückige, hohle Struktur erhalten.
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Des
Weiteren weist die Hohlplatteneinheit 2, um die Festigkeit
zu sichern, eine Rippenstruktur auf, die ähnlich ist wie jene in den 5A, 5B und 6 gezeigten,
und die in 2 gezeigten Löcher H2a
sind ausgebildet, um das Umgebungsgas hindurchströmen zu lassen
und um eine Verbindung zwischen dem Inneren und dem Äußeren des
Hohlprofils H2, das die Rippenstruktur aufweist, zu schaffen. Die äußere Umgebung
kann zum Beispiel die Atmosphäre,
eine N2-Umgebung, eine He- Umgebung, eine
Vakuum-Umgebung usw. sein. Obgleich die Hohlstruktur in einer Inertgas-Umgebung
hergestellt wird, unterscheidet sich diese Umgebung von jener, in
der die Hohlplatteneinheit 2 auf der Plattform angebracht
ist oder in der die Positionierungsmaschine untergebracht ist. Die
Durchgangslöcher
H2a haben die Aufgabe, eine Situation zu vermeiden, bei der das in
der Hohlplatteneinheit gesammelte Restgas in die äußere Umgebung
entweicht und die Umgebung rund um die Plattform verunreinigt, was
es schwieriger macht, die Vakuumqualität zu verbessern.
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Die
Halbleiterscheiben-Spannvorrichtung 1 zur Aufnahme einer
Halbleiterscheibe W, die ein fotosensitives Substrat darstellt,
ist auf der oberen Fläche
der Hohlplatteneinheit 2 angeordnet. Die Spannvorrichtung 1 ist
durch Luftansaugung oder ein mechanisches Befestigungselement auf
der Hohlplatteneinheit 2 (nicht gezeigt) befestigt und
die Halbleiterscheibe W wird auf der Spannvorrichtung 1 durch Luft ansaugung
oder eine elektromagnetische Kraft (nicht gezeigt) festgehalten.
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Darüber hinaus
steht der Spiegel 3 zur Bestimmung der relativen Position
der Halbleiterscheibe W zur Verfügung.
Obwohl in 2 nur ein Spiegel gezeigt ist,
sind tatsächlich
eine Vielzahl von Spiegeln angeordnet, um die Position in sechs
Freiheitsgraden zu bestimmen. Auch wenn die Oberseite des Spiegels 3 von
oben zu sehen sein sollte, wurde diese in 1 weggelassen.
Der Spiegel 3 ist auf der Hohlplatteneinheit 2 durch
z.B. ein im japanischen Dokument 5-19157 offenbartes Verfahren befestigt.
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Die
Spannvorrichtung 1 und der Spiegel 3 sind aus
dem gleichen Material wie die Hohlplatteneinheit 2 hergestellt,
so daß sie
den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und die gleiche thermische
Leitfähigkeit
aufweisen. Dementsprechend kommt, selbst wenn die Temperatur der
Hohlplatteneinheit 2 sich aufgrund von Wärme verändert, die
von den Stellgliedern abgegeben wird, keine auf Differenzen der
thermischen Ausdehnungen zurückzuführende Verformung
zwischen der Hohlplatteneinheit 2 und dem Spiegel 3 oder
zwischen der Hohlplatteneinheit 2 und der Spannvorrichtung 1 vor.
Zudem haben die Spannvorrichtung 1 und der Spiegel 3 Hohlstrukturen
und enthalten Hohlprofile 1 bzw. 3, so daß deren
Gewichte verringert und deren Festigkeit erhöht werden. Wenn das Gewicht
der Spannvorrichtung 1 und des Spiegels 3 verringert
wird, erhöht
sich die Eigenfrequenz des gesamten beweglichen Aufbaus einschließlich der
Hohlplatteneinheit 2.
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Die
Stellantriebe, die eine elektromagnetische Kraft zur Bewegung der
Halbleiterscheibe W zu einer vorbestimmten Position mit sechs Freiheitsgraden
verwenden, sind unter der Hohlplatteneinheit 2 angeordnet.
Genauer gesagt liegen zwei Typen von elektromagnetische Kräfte nutzenden
Stellantrieben vor: die elektromagnetischen Kupplungen 4 zur
Beschleunigung in die X- und Y-Richtungen und die Linearmotoren
mit Feinge triebe LM, die als Lorentzkraft-Stellantriebe dienen,
die zur Positionssteuerung mit sechs Freiheitsgraden verwendet werden.
Die vorstehend beschriebenen Stellglieder besitzen kurze Hübe und sind
auf der Oberplatte 51a einer in 17 gezeigten
X-Plattform 51 angeordnet, welche einen langen Hub aufweist.
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Als
nächstes
wird nachfolgend eine Y-Plattform 54 und die X-Plattform 51,
die als eine langhubige Plattformeinheit dient, unter Bezugnahme
auf 17 beschrieben. Die Y-Plattform 54 wird schwebend über einer
Grundplatte 55 gehalten mittels Zuführung von Luft zu hydrostatischen
Luftlagern (nicht gezeigt), die unter Y-Plattformführungen 54a angeordnet
sind. Wenn den hydrostatischen Luftlagern (nicht gezeigt) Luft zugeführt wird
an einer festen Führung 52,
die an einer Seite der Grundplatte 55 platziert ist, und
an einer der Y-Plattformführungen 54a,
wird die Y-Plattform 54 durch zwei an beiden Seiten der
Y-Plattform 54 angeordnete Antriebsstellglieder 54c in
die Y-Richtung bewegt und dabei in horizontaler Richtung entlang
der festen Führung 52 geführt. Außerdem wird
die X-Plattform 51, ähnlich
wie die Y-Plattform 54,
ebenfalls schwebend über
der Grundplatte 55 gehalten mittels Zuführung von Luft zu hydrostatischen
Luftlagern (nicht gezeigt), die unter einem X-Plattformboden 51c angeordnet
sind. Wenn den hydrostatischen Luftlagern (nicht gezeigt) Luft zugeführt wird
an einer Seitenfläche 54b der Y-Plattform 54 und
an einer X-Plattformführung 51b, wird
die X-Plattform 51 Antriebsstellglieder 51d in
die X-Richtung bewegt und dabei in horizontaler Richtung entlang
der Seitenfläche 54b geführt. Die X-Plattform 51 und
die Y-Plattform 54 werden in einer vorbestimmten Orientierung
gehalten durch eine Vielzahl von Druckmagneteinheiten. Laserinterferometer
(nicht gezeigt) sind auf der langhubigen Plattformeinheit angeordnet.
Optische Spiegel, ähnlich denen
auf der Deckplatte entsprechend dem Stand der Technik angeordneten,
können
auf der Deckfläche
der X-Plattform 51 für
die Laserinterferometer angeordnet werden. Alternativ kann ein optischer Spiegel
auf jedem der ebenen Abschnitte 54d der Y-Plattform 54 für die Y-Richtung
angebracht werden und die Position der X-Plattform 51 kann
relativ zur Y-Plattform 54 bestimmt werden durch die Bestimmung
der Position des optischen Spiegels, der auf der X-Plattform 51 angeordnet
ist. Diese langhubige Plattformeinheit kann denselben Aufbau wie
die Plattformvorrichtung haben, die im japanischen Dokument 8-229759
offenbart wird bis auf die Laserinterferometer, die für die Steuerung
der langhubigen Plattformeinheit verwendet werden.
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Entsprechend
einem bekannten Verfahren wird bei der Endpositionssteuerung in
X- und Y-Richtung die Halbleiterscheibe W durch die Antriebsstellglieder 54c und 51d bewegt,
die lange Hübe über die radialen
Luftlager aufweisen. In der vorliegenden Ausführungsform wird die Endpositionssteuerung
in X- und Y-Richtung durch die Verwendung der oben beschriebenen
Linearmotoren mit Feingetriebe LMX und LMY durchgeführt, die
unter der Hohlplatteneinheit 2 angeordnete Lorentzkraft-Stellantriebe
sind. Demgemäß kann auch
eine langhubige Plattformeinheit mit einer relativ geringen Steuerungsleistung verwendet
werden, so daß die
Bauteilkosten und Einstellungskosten verringert werden können. Zudem
ist es erforderlich, die Lorentzkraft-Stellantriebe als langhubige
Stellglieder zu verwenden, wobei andere Bauformen von Linearmotoren,
bei denen mehr Gewicht auf die Wärmeabgabe
oder Schubkraft gelegt wird, auch benutzt werden können.
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Die
elektromagnetischen Kupplungen 4 übertragen eine durch die langhubigen
Stellglieder erzeugte Beschleunigung zur Feingetriebeeinheit, welche
die Hohlplatteneinheit 2 beinhaltet. Da eine einzelne elektromagnetische
Kupplung nur eine anziehende Kraft erzeugt, werden zwei elektromagnetische
Kupplungen 4 so angeordnet, daß sie wie in 2 gezeigt
einander in X-Richtung gegenüberstehen.
Außerdem,
auch wenn nicht in der Abbildung gezeigt, sind zwei elektromagnetische
Kupplungen 4 so angeordnet, daß sie einander in X-Richtung gegenüberstehen,
das heißt
in die Richtung senkrecht zum Blatt in 2. Jede
der elektromagnetischen Kupplungen 4 enthält ein starres
Element 4b, das mit der Oberplatte 51a der X-Plattform über deren
mittleren Bereich verbunden ist, und ein bewegliches Element 4b,
das an der Hohlplatteneinheit 2 angebracht ist. Unter dem
Gesichtspunkt der Wärmeabgabe
und des Montageverfahrens werden die Spulen (nicht gezeigt) der
elektromagnetischen Kupplungen 4 an den starren Elementen 4b angeordnet.
Die beweglichen Elemente 4a und die starren Elemente 4b sind
beide unter Benutzung von elektromagnetischen Stahlblechen gefertigt,
wobei die lamellenförmigen
Stahlbleche der starren Elemente 4b eine E-Form oder eine U-Form
besitzen, so daß die
Spulen um diese herumgewickelt werden können. In jeder der elektromagnetischen
Kupplungen 4 ist ein ausreichend großer Abstand zwischen dem beweglichen
Element 4a und dem starren Element 4b ausgebildet.
Der Betrag dieses Abstands wird auf der Grundlage der Genauigkeit
der Oberflächenbearbeitung
und der Herstellungsgenauigkeit der elektromagnetischen Kupplungen 4 bestimmt,
und weiterhin durch einen Hub, der für die Bewegung in sechs Freiheitsgraden
für die Positionssteuerung
oder die Ausrichtung der Halbleiterscheibe notwendig ist und durch
die Differenz zwischen der Position der durch die langhubigen Stellglieder
gesteuerten X-Plattform 51 und der Position der Feingetriebeeinheit
während
der Beschleunigung (Steuerungsstörfehler
der langhubigen Einheit). Darüber
hinaus sind die gegenüberliegenden
Oberflächen
der elektromagnetischen Kupplungen 4 entlang zylindrischer
Oberflächen
ausgebildet, so daß sie keine
störenden
Auswirkungen aufeinander haben, wenn die Feingetriebeeinheit die
Halbleiterscheibe W in die Rotationsrichtung um die Z-Achse bewegt.
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In
der Einheit, welche die vorstehend beschriebenen vier elektromagnetischen
Kupplungen 4 enthält,
haben alle einander zugewandten Bogenflächen denselben Mittelpunkt.
Zudem sind unter dem Gesichtspunkt der Verarbeitungsgenauigkeit
deren Radien bevorzugt gleich groß. Weiterhin befindet sich
der Mittelpunkt der Bogenflächen
in der XY-Ebene bevorzugt an der gleichen Position wie der Schwerpunkt
G der Feingetriebeeinheit, welche die Hohlplatteneinheit 2 enthält.
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Wie
vorstehend beschrieben sind die Linearmotoren mit Feingetriebe LM,
die als Lorentzkraft-Stellantriebe dienen, zur Positionssteuerung
mit sechs Freiheitsgraden unter der Hohlplatteneinheit 2 angeordnet.
Die Linearmotoren mit Feingetriebe LMX und LMY, die für die genaue
Bewegung in die X- und
Y-Richtung verwendet werden, sind am Umfang der elektromagnetischen
Kupplungen 4 angeordnet. Zwei Linearmotoren mit Feingetriebe
LMY für
die Y-Richtung sind entlang der X-Achse angeordnet und zwei Linearmotoren
mit Feingetriebe LMX sind entlang der Y-Richtung angeordnet. Die
Steuerung in Gierrichtung wird durchgeführt durch die Verwendung entweder
eines der Linearmotoren mit Feingetriebe LMY in Y-Richtung oder
der Linearmotoren mit Feingetriebe LMX in X-Richtung. Als andere
Anordnung der Linearmotoren mit Feingetriebe LM können entweder
einer der Linearmotoren mit Feingetriebe LMX in X-Richtung oder
der Linearmotoren mit Feingetriebe LMY in Y-Richtung auf je einen
reduziert und im Schwerpunkt der Feingetriebeeinheit angeordnet werden.
In den Linearmotoren mit Feingetriebe LMX in X-Richtung und LMY
in Y-Richtung sind Magneten und Bügel auf den beweglichen Elementen
LMX1 und LMY1 angeordnet, und die Wärme abgebenden Spulen, sind
aus Gründen
der Wärmeabgabe
und des Montageprozesses an den starren Elementen LMX2 und LMY2
angeordnet.
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Um
die Bewegung in Z-Richtung, Neigungsrichtung und Rollrichtung zu
steuern, sind wie in 1 gezeigt drei Linearmotoren
mit Feingetriebe LMZ in Z-Richtung unter der Hohlplatteneinheit 2 angeordnet. 3 ist
eine Querschnittsansicht von 1 geschnitten
entlang der Linie III-III. Ähnlich
wie die Linearmotoren mit Feingetriebe LMX und LMY in X-Richtung
bzw. Y-Richtung, sind bei den Linearmotoren mit Feingetriebe LMZ
in Z-Richtung Magneten und Bügel
auf dem beweglichen Element LMZ1 angeordnet, und die Wärme abgebenden
Spulen sind aus Gründen
der Wärmeabgabe
und des Montageprozesses am starren Element LMZ2 angeordnet.
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Weiterhin
sind die gewichtskompensierenden Vorrichtungen 6 unter
der Hohlplatteneinheit 2 angebracht. Wie in 3 gezeigt,
sind die gewichtskompensierenden Vorrichtungen 6 so aufgebaut,
daß die
durch die gewichtskompensierenden Vorrichtungen 6 erzeugte
Gesamtkraft ungefähr
genauso groß ist
wie das Gewicht der Feingetriebeeinheit. Obwohl eine Restkraft übrigbleibt,
da sich die durch die gewichtskompensierenden Vorrichtungen 6 erzeugte Gesamtkraft
in Übereinstimmung
mit der vertikalen Position der Hohlplatteneinheit 2 ändert, wird
sie vollständig
durch die Linearmotoren mit Feingetriebe LMZ in Z-Richtung ausgeglichen.
Die Linearmotoren mit Feingetriebe LMZ in Z-Richtung müssen wegen der
Restkraft kontinuierlich einen langen Hub erzeugen, und die durch
die gewichtskompensierenden Vorrichtungen 6 erzeugte Gesamtkraft
ist so eingestellt, daß die
Umgebung um die Hohlplatteneinheit 2 herum nicht gestört wird
aufgrund der von den Linearmotoren mit Feingetriebe LM abgegebenen
Wärme.
Um die Schwankung der erzeugten Kraft zu verringern, verwenden jede
der gewichtskompensierenden Vorrichtungen 6 sowohl ein
Paar anziehender Magnete 6a als auch eine Druckfeder 6b.
Alternativ kann auch eine Blasebalgwand oder ein Paar sich abstoßender Magnete
verwendet werden, was eine ähnliche
Wirkung hervorruft.
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Wenn
die gewichtskompensierenden Vorrichtungen 6 koaxial zu
den Z-Richtungs-Linearmotoren mit Feingetriebe LMZ angeordnet werden,
empfängt
die Hohlplatteneinheit 2 nicht die Restkraft der gewichtskompensierenden
Vorrichtungen 6, die nicht beseitigt werden kann. Dementsprechend
werden sie bevorzugt koaxial zu den Z-Richtungs-Linearmotoren mit
Feingetriebe LMZ angeordnet.
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Drei
Stützstäbe 8 für das zeitweise
Tragen der Halbleiterscheibe W bei deren Austausch sind an der gleichen
Seite wie die starren Elemente 4b der elektromagnetischen
Kupplungen 4 angeordnet. Während die Halbleiterscheibe
W in der Spannvorrichtung 1 eingespannt ist und dem Belichtungsvorgang
unterzogen wird, werden die Deckflächen der Stütz stäbe 8 unter der Bodenfläche der
Halbleiterscheibe W positioniert. Die Stützstäbe 8 selbst haben keine
Funktion, um sich vertikal zu bewegen, und wenn der gesamte Aufbau
der Hohlplatteneinheit 2 durch den Z-Richtungs-Linearmotor
mit Feingetriebe LMZ abwärts
bewegt wird, ragen die Stützstäbe 8, wie
in 4 gezeigt, über
die Oberfläche
der Spannvorrichtung 1 heraus. Folglich stützen die
Stützstäbe 8 die
Halbleiterscheibe W an deren Unterseite ab. Der gesamte Aufbau der
Hohlplatteneinheit 2 wird abwärts bewegt bis die Lücke zwischen
der Unterseite der Halbleiterscheibe W und der Deckfläche der Spannvorrichtung 1 ausreichend
vergrößert wurde, so
daß ein
für den
Transport der Halbleiterscheibe W verwendeter Transportgreifer 9 darin
eingeführt
werden kann.
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Die
Position des Spiegels 3 in vertikaler Richtung wird derartig
bestimmt, daß die
Messung mittels des Laser-Interferometers
sogar durchgeführt werden
kann, wenn die Hohlplatteneinheit 2 abwärts bewegt wird von der Position,
bei der der Belichtungsprozeß vorgenommen
wird (nachfolgend als Belichtungsposition bezeichnet), um die Halbleiterscheibe
Q auszuwechseln usw.
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Wie
in 4 gezeigt, sind die Magneten und die Spulen der
X-Richtungs-, Y-Richtungs- und Z-Richtungs-Linearmotoren mit Feingetriebe
LMX, LMY bzw. LMZ so angeordnet, daß der Schub sogar dann erzeugt
werden kann, wenn sich die Hohlplatteneinheit 2 an einer
höheren
Position befindet als die Belichtungsposition zur Reinigung der
Spannvorrichtung 1 oder an einer niedriger Position als
die Belichtungsposition zum Auswechseln der Halbleiterscheibe W.
Da die Halbleiterscheibe W innerhalb einer kurzen Zeit ausgewechselt
wird und nur eine kleine Wärmemenge
abgegeben wird, ist es nicht erforderlich, einen Schub zu erzeugen
der so groß ist
wie der Schub, der erzeugt wird, wenn sich die Hohlplatteneinheit 2 in
der Belichtungsposition befindet. Somit wird die Größe der Linearmotoren
mit Feingetriebe LM bevorzugt verringert durch die Verringerung der
Schubkonstante um annähernd
10% im Vergleich zum Status, wenn sich die Hohlplatteneinheit 2 in
der Belichtungsposition befindet. Wenn große Linearmoto ren mit Feingetriebe
LM verwendet werden, um denselben Schub an jeder Position zu erzeugen,
wird die Größe der Magneten
vergrößert, so
daß sich
das Gewicht der Feingetriebeeinheit dementsprechend erhöht. Folglich
erhöht
sich die Last, die während
der Beschleunigung an den elektromagnetischen Kupplungen 4 anliegt,
und Wärme
wird von den elektromagnetischen Kupplungen 4 abgegeben,
wodurch sich die benachbarte Umgebung verschlechtert. Zudem tritt
ein Problem dadurch auf, daß die
Temperatur der Hohlplatteneinheit 2 sich aufgrund der erzeugten Wärme erhöht und der
Abstand zwischen der Halbleiterscheibe W und dem Spiegel 3 schwankt.
Zusätzlich
erhöht
sich auch die auf die langhubigen Linearmotoren ausgeübte Last.
Weiterhin erhöht
sich auch der Abstand zwischen dem Schwerpunkt G der Feingetriebeeinheit
und dem Antriebspunkt (Leistungspunkt) der langhubigen Linearmotoren,
wenn die Höhe
der Linearmotoren mit Feingetriebe LM in die Z-Richtung mit der Zunahme von deren Größe steigt. Dementsprechend
wird ein Drehmoment auf die X-Plattform 51 ausgeübt und die
Last, die an den unter der Bodenfläche der die X-Plattform 51 angebrachten
hydrostatischen Luftlagern anliegt, erhöht sich. Da die auf die hydrostatischen
Luftlager ausgeübte
Last pro Flächeneinheit
bevorzugt konstant gehalten wird, vergrößert sich die Fläche der
Bodenfläche
der die X-Plattform 51. Wenn die Größe der X-Plattform 51 zunimmt,
empfangen die für
die Beförderung
der X-Plattform 51 verwendeten X-Linearmotoren und die
für die
Beförderung
der X-Linearmotoren
verwendeten Y-Linearmotoren größere Lasten. Auf
diese Weise werden die Lasten schrittweise von der Seite der Halbleiterscheibe
in Richtung der Grundplatte vergrößert. Daher ist es in der vorliegenden
Ausführungsform
wichtig, die Größe der Linearmotoren
mit Feingetriebe LM zu verringern. Wie in 2 gezeigt,
sind die Linearmotoren mit Feingetriebe LM so aufgebaut, daß die Spulen
und die Magneten asymmetrisch (deren Mittelpunkte liegen nicht an derselben
Position) an der Belichtungsposition angeordnet sind, und die Schubkonstante
liegt innerhalb einiger Prozente der maximalen Schubkonstante an der
Belichtungsposition.
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Der
Grund dafür,
warum die Schubkonstante auf einige Prozent der maximalen Schubkonstante festgelegt
wird und nicht auf die maximale Schubkonstante, liegt darin, daß wenn die
Verringerung der Schubkonstante, die verursacht wird wenn die Hohlplatteneinheit 2 zum
Austausch der Halbleiterscheiben abwärts bewegt wird, 20% überschreitet,
der Einfluß der
Wärme nicht
vernachlässigt
werden kann, selbst wenn der Austauschvorgang nur eine kurze Zeit
beansprucht.
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Wie
in 2 gezeigt, enthält die Hohlplatteneinheit 2 der
vorliegenden Ausführungsform
einen offene Teilfläche
in deren mittleren Bereich, um den Schwerpunkt der Feingetriebeeinheit
nahe am Leistungspunkt der elektromagnetischen Kupplungen 4 zu
halten. Wenn der Abstand α 10
mm beträgt,
das Gewicht der Hohlplatteneinheit 2 10 kg beträgt, die Stützspannweite
der Z-Richtungs-Linearmotoren mit Feingetriebe LMZ 100 mm beträgt und die
Halbleiterscheibe W mit einer Beschleunigung von z.B. 1 g bewegt
wird, müssen
die Z-Richtungs-Linearmotoren mit
Feingetriebe LMZ aufgrund des durch den Abstand α bestimmten Drehmoments eine
Kraft von 1 kgf halten. Um die durch die Z-Richtungs-Linearmotoren
mit Feingetriebe LMZ abgegebene Wärme zu verringern, ist der
Abstand α zwischen
dem Schwerpunkt G der Feingetriebeeinheit und dem Leistungspunkt
der elektromagnetischen Kupplungen 4 bevorzugt null. Im
Gegensatz dazu steigt die Kraft, die durch die Z-Richtungs-Linearmotoren
mit Feingetriebe LMZ aufgenommen wird, wenn die elektromagnetischen
Kupplungen 4 auf der gleichen Ebene angeordnet sind wie
die X-Richtungs-, Y-Richtungs- und Z-Richtungs-Linearmotoren mit
Feingetriebe LMX, LMY bzw. LMZ proportional zum Abstand α, so daß die Größe der Z-Richtungs-Linearmotoren
mit Feingetriebe LMZ erhöht
werden muß.
Folglich steigt auch das bewegte Gewicht, was zu Schwierigkeiten bei
der Funktion der Plattformeinheit führt. In 2 ist der
Abstand α übertrieben
dargestellt, um das Verständnis
zu erleichtern.
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Als
nächstes
wird nachfolgend der Aufbau der Hohlplatteneinheit 2 beschrieben.
Die Hohlplatteneinheit 2 be sitzt eine Rippenstruktur, um
die Festigkeit und Steifigkeit zu erhöhen. Zudem weist die Hohlplatteneinheit 2 Durchgangslöcher H2a
auf, damit sich das Milieu im inneren Bereich der durch die Rippen
gebildeten Hohlzellen mit der äußeren Umgebung
austauschen bzw. ausgleichen kann.
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Im
Steuerungssystem der Positionierungsmaschine gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird
die Verstärkungscharakteristik
der Positionierungsmaschine vorzugsweise so groß wie möglich eingerichtet, um eine
Nachführungsleistung
mit hoher Geschwindigkeit und hoher Genauigkeit zu erhalten. Aus
diesem Grund ist es erforderlich, die Eigenfrequenz zu erhöhen, die
eine der mechanischen Merkmale der Plattformeinheit ist, welche
beim bisherigen Stand der Technik die Verstärkungscharakteristik begrenzt.
In der Hohlplatteneinheit 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform
ist die Eigenfrequenz im Vergleich zu der durch bekannte Verfahren
erhaltenen beträchtlich
erhöht,
was auf die Rippenstruktur und das Hohlprofil zurückzuführen ist,
und die Verstärkungscharakteristik
des Steuerungssystems wird verbessert. Vor kurzem ist es z.B. in
abtastenden Belichtungsvorrichtungen erforderlich geworden, die Frequenz
beim Nulldurchgang der Plattformeinheit selbst zu erhöhen, um
ein hohes Maß an
Synchronität
zwischen der Halbleiterscheibe und der Zielmarke, wie z.B. innerhalb
einiger Nanometer, zu erhalten. Dementsprechend ist die Frequenz
beim Nulldurchgang für
die Hohlplatteneinheit 2, die dieses Erfordernis erfüllt, einige
Mal erhöht
worden. Mit den Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann eine Hohlplatteneinheit 2 mit
einer hohen Eigenfrequenz erhalten werden.
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Als
nächstes
wird die Rippenstruktur erläutert.
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5A und 5B sind
Querschnittsansichten, die Beispiele einer Rippenstruktur der Hohlplatteneinheit 2 zeigen.
In dem Fall, in dem keine offene Teilfläche im mittleren Bereich ausgebildet
ist, kann die Hohlplatteneinheit 2 die in 5A und 5B gezeigten
Rippenstrukturen aufweisen.
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Fünf verschiedene,
in 18 gezeigte Muster von Rippenstrukturen (keine
Rippen, diamantförmig,
kreuzförmig,
kreisförmig
und x-förmig)
wurden mittels der Durchführung
einer Eigenwert-Analyse bewertet. Als Ergebnis wurde gefunden, daß der erste
Schwingungsmode durch Drehungen entsteht und die Eigenfrequenz ansteigt
in der Reihenfolge von Strukturen, die dem Drehmode einen starken
Widerstand entgegensetzen bis zu Strukturen, die dem Drehmode einen
schwachen Widerstand entgegensetzen. Bei den vorstehend beschriebenen
fünf Mustern
nimmt die Eigenfrequenz in der Reihenfolge keine Rippen, kreuzförmig, kreisförmig, x-förmig und
diamantförmig
zu. Demzufolge werden in der Rippenstruktur der Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung die im Diamantmuster angeordneten Rippen mehr
bevorzugt als die x-förmig
angeordneten Muster, was üblicherweise
verwendet wird, wenn Rippen in einer Grundplatte eingebaut sind.
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Die
Rippen sind einstückig
mit einer Oberplatte und einer Unterplatte der Hohlplatteneinheit 2 ausgebildet
und Seitenplatten sind rund um die Oberplatte und Unterplatte angeordnet.
Jede Rippe erstreckt sich von einer der Seitenplatten in einem Zwischenbereich,
der getrennt ist von den Ecken, an denen die Seitenplatte mit der
benachbarten Seitenplatte verbunden ist, zu einem Zwischenbereich
einer angrenzenden Seitenplatte.
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5A und 5B zeigen
spezielle Beispiele der Rippenstruktur. In der in 5A gezeigten Rippenstruktur
sind eine Rippeneinheit R1 mit einer rechteckigen Querschnittsform,
deren Seiten sich entlang der X- und Y-Feingetrieberichtungen erstrecken,
und eine Rippeneinheit R2 mit einer diamantförmigen Querschnittsform, deren
Seiten sich in einem Winkel von 45° relativ zu den X- und Y-Feingetrieberichtungen
erstrecken, abwechselnd angeordnet. Genauer gesagt ist eine Rippeneinheit
R2a innerhalb einer Rippeneinheit R1a angeordnet, eine Rippeneinheit
R1b ist innerhalb der Rippeneinheit R2a angeordnet und eine Rippeneinheit
R2b ist innerhalb der Rippen einheit R1b angeordnet. Aufgrund dieses
Aufbaus wird eine beachtlich hohe Eigenfrequenz erhalten.
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Die
vorliegende Ausführungsform
ist dadurch gekennzeichnet, daß die
elektromagnetischen Kupplungen 4 in einem zentralen Bereich
angeordnet sind. Eine diesem Aufbau entsprechende Rippenstruktur
ist in 6 dargestellt. In dieser Rippenstruktur ist der
innere Kreis, der ein Aufnahmeloch H2c bildet, das für die Aufnahme
der beweglichen Elemente 4a der elektromagnetischen Kupplungen 4 verwendet
wird, hinreichend groß,
so daß die
innere Oberfläche
des Aufnahmelochs H2c und die äußere Oberfläche einer
starren Einheit, an der die festen Elemente 4b der elektromagnetischen
Kupplungen 4 angebracht sind, sich nicht gegenseitig behindern. Die
Rippenstruktur schließt
eine Rippeneinheit R3 ein, deren innerer Umfang eine kreisrunde
Form hat und deren äußerer Umfang
die Form einer Kombination aus einem Diamanten und einem Kreis hat.
Der äußere Bereich
dieser Rippeneinheit R3 ist ähnlich ausgebildet
wie in 5A, wo eine rechteckige Rippeneinheit
und eine diamantförmige
Rippeneinheit abwechselnd angeordnet sind. Genauer gesagt ist eine
diamantförmige
Rippeneinheit R2a innerhalb einer rechteckigen Rippeneinheit R1a
angeordnet und eine rechteckige Rippeneinheit R1b ist innerhalb
der diamantförmigen
Rippeneinheit R2a angeordnet.
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5B zeigt
eine Abwandlung der 5A. In 5A ist
das Gewicht an den dreieckigen Abschnitten der vier Ecken verringert,
um die Eigenfrequenz zu erhöhen.
Tatsächlich
jedoch wird das Gewicht des Spiegels 3 usw. dort angebracht.
In solch einem Fall kann die Eigenfrequenz eher wirksam durch die
Bildung von Rippen erhöht
werden, die sich von Zwischenbereichen Rw der Seitenplatten ausdehnen,
bei denen die Torsionsfestigkeit gering ist, als durch die Bildung
von Rippen, die sich diagonal von den Ecken erstrecken, an denen
die Seitenplatten miteinander verbunden sind.
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In
der vorliegenden Ausführungsform
ist die Dicke der Rippen entsprechend den Berechnungen bevorzugt
auf annähernd 5
mm festgelegt. Sogar wenn die Dicke auf 10 mm erhöht wird,
nimmt die Eigenfrequenz nur um einen kleinen Betrag zu. In diesem
Fall, in dem ein SiC Verbundwerkstoff, der SiC und Si enthält, verwendet
wird, wird der Sinterprozeß für jedes
Element der Hohlstruktur im Voraus nicht durchgeführt. Demgemäß ist es
nicht erforderlich, die Dicke der Rippen zu erhöhen, um hinreichend große Bindungsflächen zu
erhalten oder um die Festigkeit jedes Elements im Sinterprozeß beizubehalten.
In der vorliegenden Ausführungsform
wird die Rippenstruktur der Hohlplatteneinheit 2 vor dem
endgültigen Sintervorgang
gebildet. Somit gibt es einen Vorteil dadurch, daß die Festigkeit
der Hohlplatteneinheit auch vor dem Sintervorgang sichergestellt
wird. Da es nicht erforderlich ist, die Dicke der Rippen, die die Bindungsflächen schaffen,
zu erhöhen,
selbst wenn die Eigenfrequenz nicht wie bei bekannter Technik erhöht werden
kann, kann vermieden werden, daß das Gewicht
der Hohlplatteneinheit 2 mehr als notwendig ansteigt. Folglich
wird das Gewicht der Hohlplatteneinheit 2 verringert und
die für
die Beschleunigung an den Linearmotoren anliegende Last wird auch
reduziert. Darüber
hinaus wird auch die Stromstärke,
die erforderlich ist für
die Erzeugung einer ausreichenden Kraft, um diese Beschleunigung
durchzuführen, ebenfalls
verringert und die von den Linearmotoren abgegebene Wärme wird
beträchtlich
reduziert. Dementsprechend wird der nachteilige Einfluß auf die
Umgebung verkleinert und die Positioniergenauigkeit wird erhöht.
-
Wenn
ein anorganischer Faserverbundwerkstoff verwendet wird, wird das
Gewicht noch mehr verringert und die Steifigkeit weiter erhöht, da dessen spezifische
Steifigkeit groß ist.
-
Des
Weiteren kann die Deckplatte gemäß dem Stand
der Technik nicht aus einem Material mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie
z.B. 1 × 10–6 K–1 oder
weniger ausgebildet werden, wenn dieses Material auf Cordierit basiert,
weil dessen Elastizitätsmodul
gering ist. Gemäß der vorliegenden
Erfindung jedoch kann die Hohlplatteneinheit, die die Rippenstruktur
aufweist, auch aus Materialien mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten
gebildet sein.
-
Zudem
werden natürlich
auch ähnliche
Wirkungen erzielt, wenn SiC mit einem hohen Elastizitätsmodul
verwendet wird, um eine höhere
Steifigkeit zu erhalten, als wenn SiC-Verbundwerkstoffe erwendet werden.
-
Zweite Ausführungsform
-
7 ist
eine schematische Querschnittsansicht einer Positionierungsmaschine
gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, die eine mit Spiegeln kombinierte Hohlplatteneinheit
aufweist, die aufgebaut wurde durch Verkleben oder mechanisches
Befestigen eines optischen Spiegels 3 an der Seitenfläche einer
Hohlplatteneinheit 2.
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Um
eine Verformung der Hohlplatteneinheit 2 aufgrund von Unterschieden
der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu vermeiden, sind der
optische Spiegel 3 und die Hohlplatteneinheit 2 aus
dem gleichen Material ausgebildet. Da sie einstückig ausgebildet sind und aus
dem gleichen Material bestehen, kann die auf Beschleunigungsbewegungen
der Plattform zurückzuführende Verschiebung
des Spiegels 3 vermieden werden. Zudem kann, da der Spiegel 3 durch
die Hohlplatteneinheit 2 festgehalten wird, die Verformung
des Spiegels 3 ebenfalls verhindert werden.
-
Rohrleitungen,
elektrische Leitungen usw., die für den Transport von Strom,
Gas und Flüssigkeiten
zur Spannvorrichtung 1 verwendet werden und Sensoren (nicht
gezeigt), die an der Hohlplatteneinheit 2 von der Oberplatte 51a der
X-Plattform 51 angebracht sind, sind im zentralen Bereich
oder im äußersten
Randbereich der Hohlplatteneinheit 2 angeordnet, so daß die Übertragbarkeit
von Schwingungen, die auf Rohrleitungen oder Drahtleitungen zurückzuführen sind,
verringert werden. Um die Übertragbarkeit
von Schwingungen zu verringern, wird wie in 7 gezeigt
ein relativ hartes Rohr, das einem internen Druck durch Luft usw.
ausgesetzt ist, so gestaltet, daß die Luft durch ein Induktionsrohr 11, das
im zentralen Bereich der starren Elemente der elektromagnetischen
Kupplungen 4 ausgebildet ist, ein Verbindungsrohr 13,
das eine vertikale Verbindung schafft und ein Induktionsrohr 15,
das im zentralen Bereich der beweglichen Elemente der elektromagnetischen
Kupplungen 4 und im zentralen Bereich der Hohlplatteneinheit 2 ausgebildet
ist, fließt und
einem in der Spannvorrichtung 1 ausgebildeten Vakuumhohlraum 18 mit
Einspannfunktion zugeführt wird.
-
Im
vorstehend beschriebenen Aufbau ist das die Übertragbarkeit von Schwingungen
bestimmende Element das Verbindungsrohr 13. Da das Verbindungsrohr 13 im
zentralen Bereich angeordnet ist, tritt nicht so leicht asymmetrische
Interferenz auf, und die Steuerbarkeit kann vor Verschlechterung
bewahrt werden. Zusätzlich
zur Anordnung des Verbindungsrohrs 13 im zentralen Bereich,
wird vorzugsweise deren Länge
erhöht,
wobei es bevorzugt in einer Spiralform ausgebildet wird, um den
Einfluß des
Verbindungsrohrs 13 zu verringern. Kabel mit einer relativ hohen
Flexibilität,
wie z.B. ein elektrisches Kabel 17, werden bevorzugt am äußeren Rand
der Hohlplatteneinheit 2 angeordnet, da dann deren Einfluß auf die
Schwingung klein ist. Signalkabel werden ähnlich wie bei der Luftrohrleitung
eher bevorzugt am Rand als in der Mitte angeordnet, so daß defekte
Drähte leicht
ausgewechselt werden können.
-
Als
nächstes
wird ein Verfahren zur Bearbeitung der Hohlplatteneinheit 2 beschrieben.
Wenn ein Endbearbeitungsprozeß der
Spiegeloberfläche durchgeführt wird,
wird als erstes der Spiegel 3 wie vorstehend beschrieben
an der Hohlplatteneinheit 2 befestigt. Danach werden wie
in 9 gezeigt Teilchen (kugelförmige oder zylindrische) 20 in
das Hohlprofil der Hohlstruktur durch die Durchgangslöcher H2a
eingefüllt,
die in der Hohlplatteneinheit 2 ausgebildet sind, damit
das Umgebungsgas hindurchströmen
kann. Durch das Einfüllen
der Teilchen 20 wird das Gewicht des mit den Teilchen gefüllten Hohlprofils
dem Gewicht angeglichen, das erhalten wird, wenn das Hohlprofil
mit dem gleichen Material gefüllt werden
würde wie
das Material aus dem die Hohlstruktur besteht. In dem Fall, wenn
die Teilchen 20 eine zylindrische Form besitzen, dicht
gepackt sind und die relative Dichte des SiC-Verbundwerkstoffes 3,0 ist,
wird eine relative Dichte der Teilchen 20 in Höhe von 3,8
ermittelt. Demzufolge können
Teilchen verwendet werden, die aus Aluminiumkeramik bestehen.
-
Wenn
die Teilchen 20 eingespritzt sind, ist der während des
Schleifens, Läppens
und Polierens ausgeübte
Anpreßdruck
genauso groß wie
der Anpreßdruck,
der ausgeübt
wird, wenn eine massive Platte verwendet wird. Insbesondere schwankt
der Bearbeitungsaufwand in Übereinstimmung
mit dem Anpreßdruck,
wenn eine hochgenaue, ebene Oberfläche durch die Verwendung einer
Läpp-Platte 22 ausgebildet
wird. Dies kann jedoch ausgeglichen werden durch das Auffüllen der
Teilchen 20 in das Hohlprofil. 10 ist
eine Abbildung, die eine Art und Weise zeigt, in der die Oberfläche des
Spiegels 3 einer Läppbearbeitung
unterzogen wird. 11 ist eine Abbildung, die eine
Methode zeigt, mit der die Oberfläche 2a der Hohlplatteneinheit 2,
die die Spannvorrichtung enthält,
einer Endbearbeitung unterworfen wird. Dieses Verfahren ist nicht
auf den Fall beschränkt,
bei dem die Oberfläche
des Spiegels 3 der Hohlplatteneinheit 2 bearbeitet
wird, sondern kann auch für
andere hohle Komponenten angewendet werden, deren Oberfläche eine
Ebenheit von 1 μm
oder weniger aufweisen muß,
wie z.B. Hohlführungen
usw..
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Dritte Ausführungsform
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8 ist
eine Zeichnung, die eine Positionierungsmaschine gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt. In 2 weist die
Hohlplatteneinheit 2 eine massive Plattenfläche in einem
Bereich auf, wo die beweglichen Elemente 4a der elektromagnetischen
Kupplungen 4 angebracht sind. In solch einem Fall wird
jedoch die Hohlplatteneinheit 2 verformt werden, wenn die
auf die elektromagnetischen Kupplungen 4 ausgeübte Beschleunigung
groß ist.
Wenn die Hohlplatteneinheit 2 deformiert wird, dann wird auch
die Spannvorrichtung 1 verformt, so daß im Ergebnis auch die Halbleiterscheibe
W verformt wird und ein Ausrichtungsfehler auftritt. Deshalb wird
gemäß der dritten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, um die Festigkeit der Hohlplatteneinheit 2 zu
erhöhen,
der Bereich der Hohlplatteneinheit 2, in dem die beweglichen
Elemente 4a der elektromagnetischen Kupplungen 4 angebracht
sind, ebenfalls in einer Hohlstruktur ausgebildet, anstatt lediglich
deren Dicke zu erhöhen,
so daß das
Gewicht verringert und die Steifigkeit erhöht wird.
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Obwohl
die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme darauf beschrieben wurde,
was derzeitig als bevorzugte Ausführungsform gilt, sollte es
klar sein, daß die
Erfindung nicht beschränkt
ist auf die offenbarten Ausführungsformen.
Ganz im Gegenteil wird mit der Erfindung beabsichtigt, verschiedene Abwandlungen
und gleichwertige Anordnungen abzudecken. Der Schutzbereich der
folgenden Ansprüche
soll der breitesten Interpretation entsprechen, um alle diese Abwandlungen
und gleichwertigen Anordnungen und Funktionen zu umfassen.