DE602004008653T2 - Flexible konforme antenne - Google Patents
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Description
- HINTERGRUND
- Typische aktive Array-Architekturen umfassen einen oder mehrere Ferrit-Zirkulatoren für ein passives Duplexing und zum Steuern der Streuung einer Mikrowellenantenne. Diese Zirkulatoren sind passive „diskrete" Mirkowellenvorrichtungen, die bspw. eine Mikrostreifen/Streifenleitungsresonatorschaltung auf einem Ferritsubstrat aufweisen, das zwischen einem Magnet und einer magnetischen Trägerplatte liegt.
- Für eine konforme Plattenarchitektur können die aktiven Vorrichtungen, die die T/R-Module umfassen, auf der Rückseite der Platte befestigt sein. Die Zirkulatoren liegen zwischen den abstrahlenden Aperturen bzw. Öffnungen und den T/R-Modulen. Es gibt einen Bedarf, diese Mikrowellenvorrichtungen, bspw. Zirkulatoren und andere Mikrowellenvorrichtungen, bspw. integrierte Schaltungen mit Schaltern, Filtern und MEMs, vergraben zu können, während die vertikalen Übergänge realisiert werden, um die Vorrichtungen mit den anderen Komponenten innerhalb der Antenne, bspw. Sende/Empfangsmodule (T/R-Module) und Strahler miteinander zu verbinden. Vergrabene Mikrowellen-Zirkulatoren und andere diskrete Mikrowellenvorrichtungen stellen eine Herausforderung dar.
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EP 0 534 826 A1 offenbart ein RF-Signalübergangssystem. - ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
- Ein RF-Signalübergang, wie er in Anspruch 1 definiert ist, umfasst eine kanalisierte Mikrostreifenübertragungsstruktur und eine koplanare Wellenleiterstruktur in elektrischer Verbindung mit der kanalisierten Mikrostreifenübertragungsstruktur. Eine eingehauste Rinnenübergangsstruktur ist in elektrischer Verbindung mit der koplanaren Wellenleiterstruktur. Eine eingehauste koaxiale Übertragungsstruktur ist in elektrischer Verbindung mit der Rinnenübergangsstruktur. Der Signalübergang kann in einer flexiblen gedruckten Leiterplattenstruktur mit einem Zirkulator für eine konforme Antennenstruktur eingebettet sein.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHUNGEN
- Merkmale und Vorteile der Offenbarung ergeben sich für den Fachmann aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung, wenn sie zusammen mit den Zeichnungen gelesen wird, wobei:
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1 ein funktionales Blockdiagramm einer Ausführungsform eines aktiven Arrays ist, das entsprechend den Gesichtspunkten der Erfindung hergestellt werden kann. -
2 zeigt eine perspektivische Explosionsansicht einer konformen Antennenanordnung mit einer mehrlagigen konformen RF-Übergangsstruktur entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
2A ist eine vereinfachte schematische freigeschnittene Darstellung eines Bereichs des RF-Übergangsbereichs von2 . -
3A zeigt eine Querschnittsansicht, die teilweise in Explosionsdarstellung gezeigt ist, eines ersten Abschnitts einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
3B zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines zweiten Abschnitts der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
3C zeigt eine schematische Querschnittsansicht in Explosionsdarstellung der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die in3A und3B gezeigt ist; -
4 zeigt eine schematische Draufsicht eines Abschnitts eines Mikrostreifens, der den Zirkulator mit einem vertikalen RF-Übergang entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verbindet. -
5A und5B zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht längs der Linien 5B einer schematischen Darstellung eines Abschnitts eines Mikrostreifens, der den Zirkulator mit einem vertikalen RF-Übergang entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verbindet. -
5C und5D zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht längs der Linien 5D einer schematischen Darstellung eines anderen Abschnitts des Mikrostreifens, der den Zirkulator mit dem vertikalen RF-Übergang verbindet, entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
6A und6B zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht längs der Linien 6B einer eingehausten Rinnenleitungsübergangsleitung, die innerhalb der PWB16 entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten ist. -
7B und7A zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht entlang der Linien 7B einer eingehausten koaxialen Übergangsleitung, die innerhalb der Balun- bzw. Symmetrieschaltungslage entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten ist. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER OFFENBARUNG
- In der nachfolgenden detaillierten Beschreibung und in den verschiedenen Figuren der Zeichnung werden gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
-
1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer beispielhaften Ausführungsform eines aktiven Array bzw. Gruppensystems200 , das entsprechend den Gesichtspunkten dieser Erfindung implementiert werden kann. In einem allgemeinen Sinn umfasst das Array eine Strahlerschicht200A , eine Zirkulatorschicht200B , eine T/R-Modulschicht200C und eine RF-Einspeiseschicht200D mit einem RF-Eingangs-/Ausgangs(I/O)-Anschluss200E . Die T/R-Modulschicht umfasst für jeden Zirkulator in der Schicht200B einen Phasenschieber und ein Dämpfungsglied, sowie einen Empfängerverstärker und einen Sendeverstärker, die mit den Anschlüssen des Zirkulators über einen T/R-Schalter verbunden sind. Strukturen des Arraysystems können in mehreren Schichten implementiert werden, um eine konforme abstrahlende Apertur bzw. Öffnung bereitzustellen. - Wendet man sich nun der
2 zu, ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung einer konformen Antennenanordnung gezeigt, die eine mehrlagige konforme RF-Übergangsstruktur10 entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung umfasst. Die konforme Antenne umfasst auch eine Aperturstruktur11 und eine Rückplatte13 , zwischen der die RF-Übergangsstruktur10 vorgesehen werden kann. Um eine Anpassung an die gekrümmte Form der Antennenapertur zu erreichen, umfasst die Struktur10 in einer beispielhaften Ausführungsform eine flexible gekrümmte mehrlagige konforme Antennen-RF-Übergangsstruktur. - Die Innovationen umfassen eine neue Kombination der Übertragungsleitungsstrukturen, die bei diesem Übergang verwendet werden, und Laminierungsprozesse, die beim Herstellen dreidimensionaler Mikrowellenübertragungsleitungsstrukturen in den flexiblen Abschnitten, bspw. Abschnitt
12 benutzt werden. -
2A zeigt eine schematische freigeschnittene Ansicht eines unteren Abschnitts an der Übergangsstruktur10 . Ein Mikrostreifenzirkulator44 ist in den flexiblen mehrlagigen unteren Abschnitt12 der Struktur10 in einer im Allgemeinen rechteckigen Öffnung70 befestigt, die im Abschnitt12 ausgebildet ist, wie nachfolgend im Detail erläutert werden wird. Die Hohlraumlufttaschen46 können ebenfalls in ausgewählte Schichten des Abschnitts12 vor einem Laminierungsprozess eingear beitet werden, wie nachfolgend beschrieben werden wird. Golddrähte oder Bandverbindungen74 werden eingesetzt, um entsprechende Mikrostreifenspuren zu und von dem Zirkulator44 mit Mikrostreifenspuren42 und80 auf der Oberseite des Abschnitts12 zu verbinden. -
2A zeigt eine schematische Darstellung der Positionierung eines vertikalen RF-Übergangs90 durch eine laminierte mehrlagige flexible gedruckte Leiterplatte (PWB)12 und die Balun- und Strahleraperturanordnung60 . Die Verbindung90 verbindet den Mikrostreifenleiter80 , der mit dem Zirkulator44 verbunden ist, mit der oberen Schichtanordnung60 . Der vertikale RF-Übergang90 kann mehrere Mikrowellenübertragungsleitungsstrukturen80 ,150 ,110 ,120 umfassen, um den elektromagnetischen Feld-Aufbau des RF-Signals von dem mit dem Zirkulator44 verbundenen Mikrostreifen80 auf den einer „eingehausten" koaxialen Übertragungsleitungsstruktur neu zu formen, wenn das RF-Signal in die Schichtanordnung60 gelangt. Es gibt ebenfalls eine Übertragungsstruktur40 von Mikrostreifen auf vertikale eingehauste koaxiale Leitungen, um das T/R-Modul mit dem Zirkulator zu verbinden. Bei dieser Ansicht ist nur eine Struktur40 dargestellt; allerdings versteht sich, dass zwei Strukturen40 für jeden Zirkulator vorgesehen sein können, um die Sende- bzw. Empfangsverbindung zwischen dem T/R-Modul und dem Zirkulator bereitzustellen, wie in1 gezeigt. - Es versteht sich, dass die beispielhafte Ausführungsform der Antenne von
1 für Sende- und Empfangsoperationen ausgelegt ist, und es versteht sich, dass allgemein die „Eingangs-" und „Ausgangs-"anschlüsse verschiedener Schaltungen ebenfalls als „Ausgänge" und „Eingänge" verwendet werden können, solange sich nichts anderes aus den Schaltungen ergibt. -
3A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Bereichs der PWB12 , die einen unteren Bereich der Struktur10 aufweist. Ein RF-Sende-Empfangsschnittstellenmodul30 ist mit der PWB12 verbunden und kann eine Flip-Chip-Anordnung oder ein Chip-Scale-Gehäuse aufweisen, das ein IC-Flip-Chip203 mit einem Kugelgitter201 aufweist, das Lotkugeln202 aufweist, die entsprechend zu vielen der Einfanganschlussflächen16e in dem Laminat12 ausgerichtet sind. Der IC-Chip203 integriert Funktionen eines T/R-Moduls bei dieser beispielhaften Ausführungsform. Das Modul30 ist elektrisch mit der Struktur10 über Lotkugelverbindungen mit den Einfanganschlussflächen verbunden. Das Modul30 ermöglicht es, dass RF- und DC-Signale an die PWB verbunden werden. -
3B zeigt einen Querschnitt des oberen Bereichs60 der Struktur10 , die mit dem Bereich12 zusammengesetzt wird. Der obere Bereich60 umfasst eine Balun bzw. Symmetrieschltungsschicht62 (nachfolgend Balunschicht genannt) und eine Strahleranordnungsschicht64 . Die Balunschicht62 kann aus einer unteren dielektrischen Balunschicht66 und einer oberen dielektrischen Balunschicht67 ausgebildet sein, zwischen denen eine untere Metallschicht60b und eine obere Metallschicht60c vorgesehen sind. Die untere Metallschicht60b bildet eine Masseebene und besitzt Ausschnitte60f , innerhalb denen eine Einfanganschlussfläche60e ausgebildet sein kann, die geformt ist, um die vertikale Übergangsleitung102 (3A ) mit dem koaxialen vertikalen Übergang120 zu verbinden. Die untere Balunschicht66 kann ebenfalls ein Via (Durchgangsbohrung) und eine Einfanganschlussfläche aufweisen, die einen Bereich einer Masseebene-Verbindung122 bildet. Die untere Balunschicht66 kann ebenfalls ein darin ausgebildetes Signalübertragungsstreifenleitungsmuster aufweisen, das in einer metallisierten Schicht66g ausgebildet ist, die auf der oberen Fläche der unteren Balunschicht66 ausgebildet ist. Die obere Balunschicht67 kann auf ihrer oberen Fläche die metallisierte Schicht60c aufweisen, die aus einer Masseebene gebildet ist und die darin Freischnitte60f besitzt, durch die ein vertikaler koaxialer Signalübergang120a hindurchlaufen kann. - Die Strahlerschicht
64 umfasst eine dielektrische Schicht64a , die ein darin eingebettetes Strahlerleitermuster aufweist, das eine Vielzahl von Strahlern definiert, und bspw. den Strahler94 umfasst, der mit dem vertikalen Übergang120a elektrisch verbunden ist. Die Strahleranordnungsschicht64 hat darin, wie in3B gezeigt ist, ein Via96 zur Verbindung mit dem vertikalen koaxialen Übergang120a durch einen Freischnitt60f in der oberen Metallschicht60c der Balunschicht62 . Eine dielektrische Kuppelschicht76 bedeckt die obere Fläche der Schicht64a . - Die Balun- und Strahlerschichtanordnung
60 kann an einer oberen Metallschicht28g (3A ) eines oberen dielektrischen Laminats28 der PWB12 über eine Klebeschicht68 angebracht sein. Die Schicht68 kann eine Schicht68a eines Haftlagen(engl. bondply)-Klebers enthalten, die Vias68b besitzt, die mit einer leitfähigen Tinte für eine elektrische Verbindung über die Kleberschicht68a gefüllt ist, bspw. zwischen der Einfanganschlussfläche60e an dem unteren Ende der Signalübergangsleitung120 und der Einfanganschlussfläche28e an dem oberen Ende der Rinnenleitung102 , oder zwischen der Masseebene28g auf der oberen Fläche des Laminats28 und der Masseebene, die durch die Metallisierungsschicht60b auf der Unterseite der laminierten Schicht60 gebildet ist. Dies kann eine Verbindung zu einer Masseebene-Zwischenverbindung122 bereitstellen, die die Masseebene60b auf der Unterseite der Balunschicht66 mit der Masseebene60c der oberen Fläche der Balunschicht67 verbindet. Bei dieser beispielhaften Ausführungsform ist die Balunschicht62 aus zwei Balunschichten66 ,67 gebildet, um das Ausbilden der Metallisierung66g auf der oberen Fläche der unteren Balunschicht66 zu erleichtern, um ein horizontales Signalübergangsmuster66g darauf auszubilden. - Die Klebeschicht
68 kann bei dieser beispielhaften Ausführungsform ein Z-Achsen-Kleber sein, der die Einfanganschlussflächen60e (in der unteren Metallschicht60b der Balunschicht66 ) mit28e (verbunden mit dem oberen Ende der Rinnenleitung102 ) elektrisch verbindet und ebenfalls die entsprechenden Massenebenen60b und28g . Der Z-Achsen-Kleber, bspw. eine Schicht von 3M 7373 oder 3M 9703, die von 3M hergestellt werden, in dem Bereich der Einfanganschlussflächen60e ,28e und der Masseebenen60b und28g werden zusammen gequetscht und in Gebiete der Freischnitte bzw. Ausnehmungen60f und28f gequetscht. Deshalb werden zufällig verteilte leitende Partikel, die in dem Z-Achsen-Kleber enthalten sind, eine anisotropische vertikale elektrische Verbindung zwischen der Einfanganschlussfläche60e und der Einfanganschlussfläche28e und zwischen den Masseebenen60b und28g ausbilden, während sie die vertikalen Übergänge102 ,120 nicht mit den jeweiligen Masseebenen60b und28g im Bereich der Ausnehmungen60f und28f kurzschließt. Dies ermöglicht, dass die flexible DC/RF-Manifold-Anordnung12 elektrisch mit dem oberen Balun und mit den Strahlerschichten60 ,62 angebracht ist, da diese Anordnung mit zunehmender Krümmung ausgebildet ist. Derartige Verbindungen sind für DC und Mikrowellenfrequenzen geeignet, bspw. über eine planare Schnittstelle und eine Schnittstelle mit gekrümmter Oberfläche, wobei angenommen wird, dass der Abschnitt12 relativ planar bzw. eben ist, d.h. weniger gekrümmt ist als der Balun-/Strahlerabschnitt6 . Der Balun-/Strahlerabschnitt60 kann Teil der Struktur der Aperturstruktur11 sein, bspw. eine eingebettete Dipolaperturstruktur. - Diese Benutzung eines Z-Achsen-Klebstoffs kann auch als Ersatz dienen für einige oder alle der anderen Klebeschichten
18 ,22 und26 , bspw. um eine weitere Flexibilität des Abschnitts12 zu erreichen. - Wenden wir uns nun der
3C zu, in der eine Schnittansicht in Explosionsdarstellung einer beispielhaften mehrlagigen konformen PWB-Anordnung12 gezeigt ist, die als ein RF/DC-Einspeiseabschnitt bei dieser Ausführungsform dient. Bei einer beispielhaften Ausführungsform umfasst die PWB12 Abschnitte14 und15 . Der Abschnitt14 kann aus einem unteren dielektrischen Laminat16 und einem oberen dielektrischen Laminat20 hergestellt sein. - Das untere dielektrische Laminat
16 kann etwa 6 Milliinch dick sein und kann eine untere dielektrische Schicht16a von etwa 2 Milliinch Dicke umfassen, die aus Kapton (TM) hergestellt ist, die zwischen einer unteren Metallschicht16b und einer oberen Metallschicht16c liegt, deren jede geätzt sein kann, um bspw. Einfanganschlussflächen16e , Ausnehmungen16f und eine Masse-/Signalebene16g zu bilden. Diese Abmessungen sind für eine beispielhafte Ausführungsform. Die dielektrische Schicht16a kann selbst mit vorgeschnittenen oder vorgebohrten Viaöffnungen16h ausgebildet sein, die mit einer leitfähigen Tinte gefüllt sein können, wie das im Stand der Technik bekannt ist, um bspw. eine Einfanganschlussfläche16e in der unteren Metallschicht16b mit einer Masse-/Signalebene16g in der oberen Metallschicht16c zu verbinden. - Über dem unteren dielektrischen Laminat
16 kann eine untere Klebeschicht18 sein, die eine Dicke im Bereich von etwa 3 Milliinch hat. Die untere Klebeschicht18 kann eine Schicht eines Haftlagenklebers18a umfassen, die vorgebohrt oder vorgeschnitten sein kann, um Viaöffnungen18b auszubilden, die mit einer leitfähigen Tinte gefüllt sind, um bspw. Einfanganschlussflächen16e und/oder Masse-/Signalebenen16g in der oberen Metallschicht16c des unteren dielektrischen Laminats16 durch die untere Klebeschicht18 zu verbinden. In die Klebeschicht18 kann auch ein Bereich der Öffnung70 eingeschnitten sein, der ausgebildet werden wird, wenn die Schichten16 ,18 ,20 ,22 und24 miteinander laminiert werden. - Oberhalb der unteren Klebeschicht
18 kann ein oberes dielektrisches Laminat20 sein, das etwa 6 Milliinch dick ist und eine obere dielektrische Schicht20a von etwa 2 Milliinch Dicke umfasst, die aus Kapton (TM) hergestellt ist, die zwischen einer unteren Metallschicht20b und einer oberen Metallschicht20c liegt, deren jede geätzt sein kann, um bspw. Einfanganschlussflächen20e , Ausnehmungen20f und Masse-/Signalebenen20g zu bilden. Die dielektrische Schicht20a kann selbst mit vorgeschnittenen oder vorgebohrten Viaöffnungen20h ausgebildet sein, die mit einer leitfähigen Tinte gefüllt sein können, wie dies im Stand der Technik bekannt ist, um bspw. eine Einfanganschlussfläche20e in der unteren Metallschicht20b mit einer Masse-/Signalebene20g in der oberen Metallschicht20c zu verbinden. In die obere dielektrische Schicht20a kann auch ein Bereich der Öffnung70 eingeschnitten sein, die ausgebildet wird, wenn die Schichten16 ,18 ,20 ,22 und24 zusammen laminiert werden. - Über dem oberen dielektrischen Laminat
20 kann eine mittlere Klebeschicht22 liegen, die eine Dicke im Bereich von etwa 3 Milliinch hat. Die mittlere Klebeschicht22 kann eine Schicht eines Haftlagenklebers22a aufweisen, die vorgebohrt oder vorgeschnitten sein kann, um Viaöffnungen22b auszubilden, die mit einer leitfähigen Tinte gefüllt sind, um bspw. Einfanganschlussflächen22e und/oder Masse-/Signalebenen20g in der oberen Metallschicht20c des oberen dielektrischen Laminats20 durch die mittlere Klebeschicht22 zu verbinden. In die Klebeschicht20 kann auch ein Bereich der Öffnung70 eingeschnitten sein, die ausgebildet werden wird, wenn die Schichten16 ,18 ,20 ,22 und24 zusammen laminiert werden. - Über der mittleren Klebeschicht
22 kann der obere Abschnitt15 des mehrlagigen Laminatabschnitts12 liegen. Der obere Abschnitt15 kann ein unteres dielektrisches Laminat24 umfassen, das eine Dicke im Bereich von etwa 10 Milliinch hat. Das untere dielektrische Laminat24 kann aus einer dielektrischen Schicht24a , wie bspw. Duroid (TM) hergestellt sein, kann zwischen einer unteren Metallschicht24b und einer oberen Metallschicht24c liegen, deren jede geätzt sein kann, um bspw. Einfanganschlussflächen24e , Ausnehmungen24f und Masse-/Signalebenen24g auszubilden. Die untere dielektrische Schicht24a kann selbst mit vorgeschnittenen oder vorgebohrten Viaöffnungen24h versehen sein, die mit einer leitfähigen Tinte gefüllt sein können, wie dies im Stand der Technik bekannt ist, um bspw. eine Einfanganschlussfläche24e in der unteren Metallschicht24b mit einer Masse-/Signalebene24g in der oberen Metallschicht24c zu verbinden. In das untere dielektrische Laminat24 kann auch ein Bereich der Öffnung70 eingeschnitten sein, die ausgebildet werden wird, wenn die Schichten16 ,18 ,20 ,22 und24 zusammen laminiert werden. - Über dem unteren dielektrischen Laminat
24 kann eine obere Klebeschicht26 ausgebildet sein, die eine Dicke im Bereich von etwa 3 Milliinch hat. Die obere Klebeschicht26 kann eine Schicht eines Haftlagenklebers26a umfassen, die vorgebohrt oder vorgeschnitten sein kann, um Viaöffnungen26b auszubilden, die mit einer leitfähigen Tinte gefüllt sind, um bspw. Einfanganschlussflächen24e und/oder Masse-/Signalebenen24g in der oberen Metallschicht24c des unteren dielektrischen Laminats24 durch die obere Klebeschicht26 zu verbinden. In die obere Klebeschicht26 kann auch ein Bereich der Öffnung70 eingeschnitten sein, der ausgebildet werden wird, wenn die Schichten16 ,18 ,20 ,22 und24 zusammen laminiert werden. - Über der oberen Klebeschicht
26 kann ein oberes dielektrisches Laminat28 ausgebildet sein, das eine Dicke im Bereich von etwa 60 Milliinch haben kann. Die obere dielektrische Schicht28 kann aus einer dielektrischen Schicht28a gebildet sein, bspw. einer Duroid(TM)-Schicht, die zwischen einer unteren Metallschicht28b und einer oberen Metallschicht28c liegt, deren jede geätzt sein kann, um bspw. Einfanganschlussflächen28e , Ausnehmungen28f und Masse-/Signalebenen28g zu bilden. Die obere dielektrische Schicht28a kann mit vorgeschnittenen oder vorgebohrten Viaöffnungen28a versehen sein, die gefüllt sind mit einer leitfähigen Tinte, um bspw. eine Einfanganschlussfläche28a in der unteren Metallschicht28b mit einer Einfanganschlussfläche28e in der oberen Metallschicht28c zu verbinden, bspw. als Teil des Übergangs102 . In das obere dielektrische Laminat28 kann auch eine Öffnung46 eingeschnitten sein. - Beim Zusammenlaminieren, wie in
3A gezeigt, können die jeweiligen Einfanganschlussflächen16e ,20e ,26e und28e zusammen mit den jeweiligen Masse-/Signalebenen16g ,20g ,24g und28g einen Masseebene-Verbindungspfad32 oder einen vertikalen RF-Signalübergang40 bilden, bspw. zwischen dem T/R-Modul30 und dem vergrabenen RF-Einspeisemikrostreifen42 , der aus einem Bereich der oberen Metallschicht28c des oberen dielektrischen Laminats28 ausgebildet ist, wie in4 gezeigt. - Der vergrabene Mikrostreifenzirkulator
44 (3a ) kann einen Permanentmagnet50 umfassen, der oben auf der vergrabenen Mikrostreifenzirkulatorschaltung liegt, die in einer Metallisierungsschicht54 ausgebildet ist, die oben auf einer Ferritschicht56 ausgebildet ist, die ihrerseits auf einem Stahlträger57 liegt, der mit einem Bereich einer Masseebene16g verbunden ist, die in der Metallschicht16c des Laminats16 ausgebildet ist, über eine Schicht58 eines leitfähigen Epoxiharzes. Der Permanentmagnet50 ist von der Zirkulatorschicht54 durch einen dielektrischen Abstandshalter52 getrennt. Der Zirkulator44 kann mit dem vergrabenen RF-Einspeisemikrostreifen42 über einen Draht oder ein Goldband74 verbunden sein. - Die Struktur bzw. der Aufbau
10 kann aus einer gekrümmten konformen Struktur gebildet werden, wie in2 dargestelit. -
4 zeigt eine schematische Draufsicht eines Bereichs des Mikrostreifenleiters80 . Der Mikrostreifenleiter80 besitzt eine Kontaktanschlussfläche82 an dessen einem Ende und ist auf der oberen Schicht des unteren Laminats24 hergestellt. Vias bzw. Durchgangsbohrungen85 (3A ), die mit einem Leiter gefüllt und plattiert sind, werden entlang des Umfangs jedes Lufttaschen-Hohlraums46 und dem umgebenden Übergang102 ausgebildet, wie nachfolgend detailliert erläutert werden wird. Die plattierten Vias85 dienen auch dazu, Masseebenenverbindungen96 (4 ) auszubilden, um eine virtuelle Seitenwand für die Hohlräume46 zu erzeugen, die ausreichen, um einen RF-abgeschirmten Hohlraum46 aufzubauen, der für RF-Übertragungsleitungsstrukturen erforderlich ist. - Wie in
4 gezeigt, enthält das Gebiet des Hohlraums46 in Richtung des Pfeils A den Mikrostreifenleiter80 , wobei ein Luftdielektrikum über dem Mikrostreifenleiter vorgesehen ist. Im Bereich des Hohlraums46 in Richtung des Pfeils B verläuft die Mikrostreifenkontaktanschlussfläche82 durch die Ausnehmung28f und erstreckt sich zu der Einfanganschlussfläche28e auf dem unteren Ende des vertikalen Übergangs102 , und die Kontaktanschlussfläche82 wird über die Einfanganschlussfläche28e kontaktiert. In diesem Bereich kann die Leiterspur mit einem Dielektrikum abgedeckt sein, das bspw. ein Laminat28 umfasst. Der Ort des Übergangs, der durch die Pfeile A und B markiert ist, ist auch in2A gezeigt. -
5A und5B zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht, die entlang der Linien 5B-5B aus5A genommen wurde, einer schematischen Darstellung eines Bereichs der Mikrostreifenspur80 , mit einer kanalisierten Mikrostreifenübertragungsstruktur81 im Gebiet 5A (2A ), die den Golddraht oder die Bandkontaktierung74 vom Zirkulator44 zu der Kontaktanschlussfläche82 (4 ) im Gebiet 5B (2A ) verbindet. Seitenwände der Öffnung46 haben darin ausgebildete leitfähige Vias96 , um einen metallisierten Kanal zu bilden. Feldlinien86 stellen die Form des elektrischen Felds für die kanalisierte Übertragungsstruktur dar. -
5C und5D zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht, die entlang der Linien 5D-5D von5C genommen ist, einer schematischen Darstellung einer anderen Übertragungsstruktur150 , die den Golddraht oder die Bandkontaktierung74 von dem Zirkulator44 mit der Kontaktanschlussfläche82 verbindet. Der Ort von 5D ist ebenfalls in2A gezeigt. Der kanalisierte Mikrostreifen81 geht in die kanalisierte, auf einem Leiter liegende, mit einem Dielektrikum gefüllte koplanare Wellenleiter(CPW)-Übertragungsstruktur150 über, da die Masseebenen24g sich auf dem Leiterstreifen80 schließen, was zu einer Neuformung der elektromagnetischen Felder führt. Der Spalt84 zwischen dem Mikrostreifenleiter80 und den Masseleitern24g verjüngt sich deshalb von dem Abstand am Übergang zwischen den Strukturen81 und150 zu einem kleineren Spalt an der vertikalen Übertragungsstruktur100 (6A ). -
6A und6B zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht entlang der Linien 6B-6B einer eingehausten Rinnenleitungsübergangsleitungsstruktur100 , die in der Laminatschicht28 ausgebildet ist. Der Ort von 6B ist auch in2A gezeigt. -
7B und7A zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht entlang der Linien 7B-7B einer eingehausten koaxialen Übergangsleitung120 , die innerhalb der unteren Balunschicht66 und der oberen Balunschicht64 der Balunschicht60 enthalten ist. - Wie in
5A ,5B ,5C und5D gezeigt, geht der kanalisierte Mikrostreifen81 -Feldaufbau innerhalb des Gebiets des Hohlraums46 in eine kanalisierte auf einem Leiter liegende CPW-Übertragungsstruktur150 über. Der kanalisierte leiterkaschierte koplanare Wellenleiter150 kann aus dem Kanal oder dem Spalt84 gebildet werden, der sich vom Eingang der CPW150 zu dem Ausgang verjüngt. Die Spaltabmessungen der kanalisierten Mikrostreifenstruktur81 , wie in5A angedeutet, bleiben im Wesentlichen konstant als Spalte84 zwischen den Masseebenen24g , die in der oberen Metallisierungsschicht24c des unteren Laminats24 ausgebildet sind, und dem Mikrostreifenleiter80 . Wie in5B gezeigt, verlaufen die Feldlinien86 in diesem Bereich des Lufthohlraums46 allgemein zwischen dem Mikrostreifen80 und der Masseebene24g , die in der unteren Metallisierungsschicht24b des unteren Laminats24 ausgebildet ist. Diese Feldlinien laufen durch das Dielektrikum24a des unteren Laminats24 . Wie in5C gezeigt, verengen sich die Kanäle84 in Richtung des vertikalen Übergangs102 , während ein geeigneter Widerstand, bspw. eine Impedanz von 50 Ohm, erhalten bleibt. Gleichzeitig konzentriert sich das E-Feld86 stärker über die Spalte84 und weniger entlang der Boden-Masseebene24g durch das Dielektrikum24a , auf dem der Mikrostreifen80 ausgebildet ist. Diese Neuverteilung der E-Felder86 über die Spalte84 setzt sich fort, so dass die E-Felder im Wesentlichen parallel zu der Ebene des Mikrostreifenleiters80 geformt werden, um es dem RF-Signal zu ermöglichen, in die eingehauste Rinnenleitung102 (6B ) überzugehen, um einen angepassten vertikalen Übergang mit minimaler Diskontinuität zu realisieren. Die eingehauste Rinnenleitung102 geht dann über in eine eingehauste Koaxialleitung120 , da das RF-Signal in die Balunschicht gelangt, wie in größerem Detail nachfolgend beschrieben werden wird. - Wie in
6A gezeigt, wird der eingehauste Rinnenleitungsübergang100 durch einen vertikalen Signaltibergangspfosten102 gebildet, der sich vertikal durch das obere Laminat28 von der Kontaktanschlussfläche82 des Mikrostreifens80 zum Ende der konischen Bereiche des Spalts84 erstreckt, wobei die E-Felder im Wesentlichen horizontal angegeben sind. Um den Pfosten102 liegt eine Vielzahl von im Allgemeinen gleichmäßig voneinander beabstandeten Pfosten104a –104g . Die Pfosten104a bis104g sind allgemein in einem kreisförmigen Muster um den Pfosten102 angeordnet, wie in6B gezeigt, wobei eine Öffnung106 in dem Muster vorgesehen ist, um eine Verbindung mit dem am stärksten konifizierten Ende der CPW-Struktur150 zu ermöglichen, wie in5C und5D dargestellt. Die oberen Enden der Pfosten104a –g sind in elektrischem Kontakt mit einer dazwischen liegenden Masseebene60b des Balun-/Strahlerlaminats60 . Die Pfosten104a bis104g , die den Stift in der 0,060 Inch dicken Schicht28a umgeben, können in Vias in dem oberen Laminat28 ausgebildet werden. Die geerdeten Pfosten104a bis104g sind eine Annäherung an eine kontinuierliche leitende Wand, die eine geerdete Abschirmung für den Übergangspfosten102 bildet, was eine Streuung in die umgebenden Schichten minimiert. Die geerdeten Pfosten104a bis104g stellen ebenfalls ein Mittel dar, um die Form der E-Feldlinien des Signals86 , die vertikal entlang des Pfostens102 übergehen, im Allgemeinen horizontal zu halten, wie in6B gezeigt. -
7A und7B zeigen einen eingehausten koaxialen vertikalen Übergang119 , der einen vertikalen Pfosten120 umfasst, der mit dem Pfosten102 quer über eine Klebeschicht68 durch Via68b verbunden ist, das die Kontaktanschlussflächen28e und60 verbindet. Die Pfosten122a bis122h bilden im Allgemeinen ein geschlossenes gleichmäßig beabstandetes kreisförmiges Muster um den Pfosten120 und liefern eine äußere Abschirmung für den mittleren Leiterpfosten102 . Die E-Felder86 gehen vertikal entlang der Pfosten122a bis h über, wie dies allgemein der Fall war für die Pfosten102a –102g , wobei die horizontale Ausrichtung von dem Pfosten120 zu den Pfosten122a –h aufrechterhalten bleibt und die Pfosten122a –102h ebenfalls dazu dienen, den Pfosten120 abzuschirmen und eine Signalstreuung in die umgebende Schicht zu verhindern. - Bei hohen Frequenzen (5–15 GHz) kann es zu einer Fehlanpassung zwischen der eingehausten Rinnenleitungsübertragungsleitung
100 und der Mikrostreifenleitung81 kommen. Um dem Rechnung zu tragen implementiert eine Ausführungsform der Erfindung eine Mikrostreifenanpassungsschaltung, um eine bessere Impedanzanpassung für den Übergang zu erhalten. Um eine bessere Anpassung zu erhalten wird eine Zweibereichs-Anpassungstopologie auf der Mikrostreifenleitung80 implementiert, die durch ein induktives und ein kapazitives Element dargestellt werden kann. Wie in4 gezeigt, dient eine verengte Diskontinuität83 in dem Mikrostreifenleiter80 dazu, ein induktives Element auszubilden, und die Diskontinuität durch das Luftdielektrikum in dem Hohlraum46 und dem Dielektrikum28a bildet das kapazitive Element. - Wichtig für die Realisierung der Mikrowellenübertragungsleitungsstrukturen innerhalb einer vergrabenen mehrlagigen flexiblen PWB ist die Herstellung von blinden und vergrabenen Vias, die zwischen der Schicht der Laminate eine Verbindung herstellen.
3A zeigt die RF-Einspeisung40 in den Zirkulator44 über Via strukturen in den Klebschichten18 und22 und den Laminaten16 und20 zusammen mit den Einfanganschlussflächen16e und20e mit Laminaten16 und20 . - Bei einer herkömmlichen PWB-Herstellung werden Einfanganschlussflächen benötigt, um das Plattieren in die Vialöcher zu erleichtern. Häufig wurden komplexe sequentielle Plattierungs- und Laminierungsverfahren verwendet, um blinde und vergrabene Vias und Einfanganschlussflächen zu bilden. Darüber hinaus fügt die Einführung von Öffnungen
70 und Lufthohlraumtaschen46 einen Faktor hinzu, der die Verwendung herkömmlicher Laminierungsverfahren verbietet. Zwei neue und vereinfachte Laminierungsverfahren können eingesetzt werden, um vergrabene Mikrowellensignal- und Masseverbindungen herzustellen, wie sie bei den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden. Abhängig von der Anwendung kommt entweder eines oder eine Kombination dieser beiden neuen Verfahren zum Einsatz, um den neuen Aufbau von neuen vertikalen Mikrowellenverbindungen über ein großes Gebiet mehrerer flexibler Laminate des Abschnitts12 entsprechend den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zu benutzen. Das erste Verfahren ist ein Co-Laminierungsverfahren und das zweite Verfahren benutzt anisotropisch leitende Z-Achsen-Klebemittel. - Bei dem Co-Laminierungsverfahren kann das Muster der Vias
16h ,20h ,24h ,28h ,18b ,22b und26b in jede der Laminatsschichten16 ,20 und24 und jede Haftlagenschichten18 ,22 und26 vorgebohrt werden. Die Vialöcher16h ,20h ,24h ,28h ,18h ,22h und26h können mit einer/einem einer Vielzahl von geeigneten leitfähigen Metalltinten oder Epoxidharzen gefüllt werden, bspw. Transcent Liquid Phase Scintering („TLPS"), hergestellt von Ormer Circuits, Inc., oder einer Kupferpaste mit dem Namen ALIVH („Any Layer Interstitial Via Hole"), die von Matsushita vermarktet wird. Die Vialöcher16h ,20h ,24h ,28h ,18b ,22b und26b bilden geschichtete Paare und werden mit Material(ien) vor dem Laminieren gefüllt, und die Klebehaftlagenschichten18 ,22 ,26 werden dann zusammengesetzt und zusammenlaminiert. Die leitenden Tinten erzeugen eine Verbindung zwischen den Einfanganschlussflächen, bspw.16e auf dem Laminat16 und20e auf dem Laminat20 , und realisieren somit die Mikrowellen-Viastrukturen für die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Dieses Verfahren ist im Stand der Technik bekannt, wurde aber bisher nicht zur Ausbildung von Signalübergängen durch ein flexibles gedrucktes Leiterplattenlaminat, bspw. für gemischte Signal- und Mikrowellenanwendungen, verwendet. Testergebnisse haben die Funktionsfähigkeit der RF-Verbindung bis zu 13 GHz für eine Mehrlagenanordnung in einer beispielhaften Ausführungsform gezeigt.
- Das zweite Verfahren benutzt anisotop leitende Z-Achsen-Klebefilme („ZAF"), wie jene, die zuvor angegeben wurden, als ein Klebemittel, um die Verbindungen zwischen den Laminaten, bspw.
16 ,20 ,24 ,28 und60 , zu realisieren. ZAF ist ein Klebefilm, der mit leitfähigen Partikeln gefüllt ist, die Verbindungen zwischen geschichteten Paaren durch die Klebemitteldicke (die „z-Achse") ermöglichen. Die leitenden Partikel sind weit genug voneinander beabstandet, um die ZAF in der Ebene des Klebefilms elektrisch zu isolieren. Ähnlich zum Co-Laminieren könne die ZAF in einem herkömmlichen Laminierungsverfahren benutzt werden, um RF- und DC-Verbindungen mehrerer Schichten mit nur einer oder zwei Operationen zu realisieren. Anders als bei der Co-Laminierung sind die durch ZAF realisierten Verbindungen unterschiedslos und folglich können die geschichteten Paar, bspw.14 , zusätzliche Mustermerkmale benötigen, wie bspw. Einfanganschlussflächen und/oder Masseebenen und Ausnehmungen. Die zwischen den ZAF liegenden paarweisen Einfanganschlussflächen und Masseebenen werden zusammengedrückt weit genug, um einen leitfähigen Pfad zwischen den jeweiligen Merkmalen durch die stärker dichter komprimierten leitfähigen Partikel herzustellen. In einem Bereich einer Ausnehmung(en) tritt diese Komprimierung nicht auf, und das Z-Achsen-Klebemittel bleibt dielektrisch. Testergebnisse haben die Funktionsfähigkeit der RF-Verbindung bis zu 16 GHz für eine mehrlagige Anordnung gezeigt.
Claims (13)
- Antennensystem (
200 ) mit: einer Strahlerschichtanordnung (200A ) mit einer Vielzahl von Strahlern; einer Zirkulatorschicht (200B ) mit einer Vielzahl von Zirkulatoren, deren jeder in elektrischer Kommunikation mit einem entsprechenden der Vielzahl von Strahlern steht; einer Vielzahl von Sende/Empfänger-T/R-Modulen (30 ), deren jedes einen Eingangsanschluss und einen Ausgangsanschluss in elektrischer Verbindung mit einem entsprechenden Anschluss einer der Zirkulatoren hat; und einer HF-Einspeiseschicht (200C ) mit einem Eingangs/Ausgangs-I/O-Anschluss und einer Vielzahl von T/R-Modulanschlüssen, die mit einem jeweiligen der T/R Module verbunden sind; wobei die Strahlerschichtanordnung und die Zirkulatorschicht als laminierte Mehrschichtstruktur (10 ) hergestellt sind mit einer gedruckten Leiterplatten-PWB-Struktur (12 ), wobei die Vielzahl von Zirkulatoren innerhalb von Räumen (46 ) eingebettet sind, die in der PWB-Struktur ausgebildet sind. - System nach Anspruch 1, ferner mit einem HF-Übergang (
90 ) innerhalb der laminierten Mehrlagenstruktur, um eine elektrische Verbindung zwischen jedem der Vielzahl von Zirkulatoren und der Strahlerschichtanordnung herzustellen, wobei der HF-Übergang für jeden Zirkulator aufweist: eine kanalisierte Mikrostreifenübertragungsstruktur (80 ) mit einem Eingang und einem Ausgang, wobei der Eingang elektrisch mit dem Zirkulator verbunden ist; eine coplanare Wellenleiterstruktur (150 ) mit einem Eingang und einem Ausgang, wobei der Eingang des coplanaren Wellenleiters in elektrischer Verbindung mit dem Ausgang der kanalisierten Mikrostreifenübertragungsstruktur ist; einer eingehausten Rinnenübergangsstruktur (100 ) in elektrischer Verbindung mit dem Ausgang des coplanaren Wellenleiters; und einer eingehausten coaxialen Übertragungsstruktur (120 ) mit einem Eingang und einem Ausgang, wobei der Eingang des coaxialen Übergangs in elektrischer Verbindung mit Rinnenleitungsübergangsstruktur ist, wobei die coaxiale Übertragungsstruktur eine schräge Ausrichtung relativ zu einer Ausrichtung der Mikrostreifenübertragungsstruktur besitzt. - System nach Anspruch 2, wobei zumindest die kanalisierte Mikrostreifenübertragungsstruktur, die coplanare Wellenleiterstruktur und der Rinnenleitungsübergang in einem Bereich einer konformen Antennenstruktur (
10 ) vergraben ist, wobei der Bereich ein Laminat flexibler Schichten umfasst. - System nach Anspruch 3, wobei der Eingang der kanalisierten Mikrostreifenübertragungsstruktur mit einer Zirkulatorvorrichtung (
44 ) elektrisch verbunden ist, die in dem Laminat flexibler Schichten vergraben ist. - System nach Anspruch 2, wobei die coplanare Wellenleiterstruktur einen mit einem Dielektrikum gefüllten und mit einem Leiter kaschierten Kanal aufweist.
- System nach Anspruch 3, wobei die coplanare Wellenleiterstruktur eine Signalleiterspur und eine erste und eine zweite Massespur aufweist, die gegenüber der Signalleiterspur beabstandet sind, und wobei Spalte (
84 ) zwischen der Leiterspur und der jeweiligen ersten und zweiten Massespur (24g ) sich von dem Eingang der coplanaren Wellenleiterstruktur zu dem Ausgang der coplanaren Wellenleiterstruktur verjüngen. - System nach Anspruch 2, wobei die Mikrostreifenübertragungsstruktur ein allgemein planares dielektrisches Substrat aufweist, das einen auf einer Oberflä che des Substrats gefertigten Mikrostreifenleiter aufweist, und der Rinnenleitungsübergang aufweist: einen leitfähigen Rinnenleitungssignalpfosten (
102 ) in elektrischer Verbindung mit dem Ausgang der coplanaren Wellenleiterstruktur, wobei der Pfosten schräg zur Oberfläche befestigt ist; eine Vielzahl von leitenden Rinnenleitungspfosten (104a –104g ), die mit Masse verbunden sind und sich allgemein parallel zu dem Rinnenleitungssignalpfosten erstrecken und im Allgemeinen so angeordnet sind, dass sie den Rinnenleitungssignalpfosten umgeben. - System nach Anspruch 2, wobei die Mikrostreifenübertragungsstruktur ein im Wesentlichen planares dielektrisches Substrat aufweist, das einen auf einer Oberfläche des Substrats hergestellten Mikrostreifenleiter aufweist, und der coaxiale Übergang aufweist: einen mittleren leitfähigen Coaxialmittelpfosten (
120 ) in elektrischer Verbindung mit dem Ausgang des Rinnenleitungsübergangs, wobei der Mittelpfosten im Wesentlichen quer zum planaren dielektrischen Substrat ausgerichtet ist; einer Vielzahl von geerdeten Pfosten (122a –122h ), die sich im Wesentlichen parallel zu den coaxialen Mittelpfosten erstrecken und angeordnet sind, so dass sie den coaxialen Mittelpfosten umgeben, um eine koaxiale äußere leitfähige Abschirmstruktur bereitzustellen. - System nach Anspruch 1, wobei jeder der Vielzahl von Zirkulatoren innerhalb einer Lufttasche (
46 ) befestigt ist, die in der PWB-Struktur ausgebildet ist. - System nach Anspruch 9, ferner mit einer Vielzahl von Masse-Vias (
96 ), die im Wesentlichen die Lufttasche umgeben, um eine HF-Abschirmung der Tasche bereitzustellen. - System nach Anspruch 2 und 9, wobei die kanalisierte Mikrostreifenübertragungsstruktur innerhalb der Lufttasche befestigt ist und zumindest einige der Vielzahl von Masse-Vias Seitenwände der Mikrostreifenübertragungsstruktur bilden.
- System nach Anspruch 1, wobei die Strahlerschichtanordnung eine Symmetrieübertragerschicht (
62 ) und eine Strahleranordnungsschicht (64 ) aufweist. - System nach Anspruch 1 oder 3, wobei die laminierte Mehrlagenstruktur eine gekrümmte Struktur ist.
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