DE60131712T2 - Radiofrequenzmodul mit elastische Oberflächenwellenelemente enhaltenden Bauelementen und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Radiofrequenzmodul mit elastische Oberflächenwellenelemente enhaltenden Bauelementen und Verfahren zur Herstellung derselben Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Radiofrequenzmodulbauteile, die ein Oberflächenwellen-Bauelement umfassen, das als Flip-Chip auf einem Mehrlagen-Keramiksubstrat montiert ist, und insbesondere betrifft die Erfindung Radiofrequenzmodulbauteile, die Oberflächenbauelemente umfassen, die die Zuverlässigkeit während der Verwendung erhöhen, die Befestigungsfähigkeit des Elements verbessern, die Produktgröße vermindern, und die Produktivität weiter steigern können, sowie deren Herstellungsverfahren.
  • Ein ähnliches Bauteil ist beispielsweise aus dem Dokument EP 0 794 616 A2 bekannt.
  • Bei elektronischen Vorrichtungen herrscht auf dem Markt immer ein Bedarf diese zu verkleinern, und hinsichtlich der verwendeten Bauteile besteht ebenfalls ein Bedarf deren Größe und Gewicht zu verringern. Diese Notwendigkeit zeigt sich insbesondere bei Radiofrequenzvorrichtungen, wie beispielsweise bei tragbaren Telefonen. Dieser Bedarf ist auch bei den verwendeten Bauteilen beachtlich. Hinsichtlich der Radiofrequenzvorrichtungen werden die elektronischen Bauteile mit einer hohen Packdichte befestigt, um den Anforderungen hinsichtlich der Verringerung der Größe und des Gewichts gerecht zu werden. Auch wird hinsichtlich der Substrate, die zur Befestigung der Elemente auf diesen verwendet werden, ein Mehrlagensubstrat mit mehreren leitenden Schichten anstelle eines herkömmlichen Substrats mit einem Einschichtleiter verwendet, um der Miniaturisierung gewachsen zu sein.
  • Ein Mehrlagen-Keramiksubstrat wird gebildet, indem eine aus Keramik hergestellte Isolierschicht auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat, die ein elektrischer Isolator ist, und eine leitende Schicht, die aus Silber hergestellt ist, gebildet wird. Im Vergleich zu einem herkömmlichen Mehrlagen-Harzsubstrat weist das Mehrlagen-Keramiksubstrat Eigenschaften, wie beispielsweise geringere Verluste bei höheren Frequenzen, eine gute Wärmeleitfähigkeit, eine höhere Formgenauigkeit, und eine höhere Zuverlässigkeit auf.
  • Das Mehrlagen-Keramiksubstrat ist mit inneren Leitern versehen, die wie eine Spule geformt oder parallel entgegengesetzt angeordnet sind, so dass eine Induktivität oder eine Kapazität in diesen ausbildbar ist. Des Weiteren ist es möglich, dass derartige Elemente aufgrund des geringen Verlustes und der hohen Formgenauigkeit mit einem hohen Q-Faktor und mit einer geringeren Toleranz im Inneren des Mehrlagen-Keramiksubstrats ausgebildet werden.
  • Diese Mehrlagen-Keramiksubstrate werden insbesondere in einer Radiofrequenzschaltung, wie beispielsweise ein tragbares Telefon, als Modul verwendet, indem unterschiedliche Bauteile auf der Oberfläche befestigt sind, um integrierte Bauelemente mit hervorragenden Eigenschaften und einer geringen Größe zu bilden.
  • Da die Radiofrequenzmodule für jede Funktion modularisierte Schaltungen aufweisen, im Vergleich zu einem herkömmlichen Verfahren zur Bildung einer Schaltung mit befestigten Einzelbauteilen, ist die Gerätestruktur einfach, zuverlässig, und ausgezeichnet in ihrem Verhalten. Des Weiteren erweist sich der Aufbau als schwierig, da die herkömmlichen Einzelbauteile ihre Funktionen jeweils in Verbindung mit den Eigenschaften eines jeden Elements ausführen. Jedoch wird bei der Modulherstellung die Spezifikation der Eigenschaften in jedem Modul bestimmt, so dass der Geräteaufbau beim Entwerfen der Vorrichtung strukturiert ist, woraus sich eine kürzere Fertigungszeit und somit eine Arbeitsersparnis ergeben.
  • Die 9 zeigt ein Blockdiagramm einer Radiofrequenzschaltung für ein tragbares Telefon mit GSM-Dualband, das weit verbreitet ist. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen ANT eine Antenne zum Übertragen und Empfangen der elektrischen Welle, DPX einen Diplexer (einen 2-Frequenzfilter) als einen Filter zum Trennen von mehreren Frequenzen, T/R SW einen Übertragungs/Empfangsschalter, um zwischen der Übertragung und dem Empfang umzuschalten, LPF einen Tiefpassfilter zur Steuerung der Radiofrequenz an der Übertragungsstufe, und BPF einen Bandpassfilter an der Empfangsstufe.
  • Bei einer derartigen Schaltung für ein tragbares Telefon ist das Modul mit einer bestimmten Anzahl von Funktionen ausgebildet, indem die Bauelemente beispielsweise an dem Leistungsverstärkerbereich innerhalb einer Übertragungssystemschaltung und an einem Antennenschaltbereich auf dem Mehrlagensubstrat befestigt sind. Die 10 und 11 zeigen den Aufbau der entsprechenden Fälle.
  • Die 10 zeigt ein Beispiel eines Leistungsverstärkermoduls, wobei das Bezugszeichen 1 das dielektrische Mehrlagensubstrat kennzeichnet, das eine interne Elektrode 1a und eine externe Elektrode 1b aufweist. Auf dem dielektrischen Mehrlagensubstrat sind MMICs befestigt, die einen Hauptbereich des Leistungsverstärkers und der Chipelemente 2 der peripheren Schaltungen bilden. Das MMIC wird durch eine Schutzschicht 3 geschützt und die obere Seite des dielektrischen Mehrlagensubstrats ist zur Gänze mit einer Schutzschildummantelung 4 bedeckt.
  • Die 11 zeigt ein Beispiel eines Frontendmoduls, das den Antennenschaltbereich aufweist, wobei das Bezugszeichen 10 ein Mehrlagen-Keramiksubstrat bezeichnet, das einen internen Induktivitätsbereich 11, Kapazitätsbereiche 12 und externe Elektroden 13 aufweist. Weiterhin sind auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 10 befestigte Chip-Elemente 15 ausgebildet, die Dioden, Widerstände und Ähnliches umfassen, sowie eine Schutzschildummantelung 16 zum Abdecken des gesamten oberen Bereiches des Mehrlagen-Keramiksubstrats. Jedoch umfasst das Frontendmodul der 11 kein Oberflächenwellen-Bauelement (im Nachfolgenden als ein SAW-Element bezeichnet) oder eine Gehäusekomponente.
  • Zur Zeit wird die Modulherstellung mit einer einzigen Funktion realisiert, wie beispielsweise bei dem Leistungsverstärker oder dem Antennenschaltmodul. Sollte ein breiterer Funktionsbereich für die Module vorgesehen sein, können weitere Vorteile des Moduls genutzt werden. Dies hängt selbstverständlich davon ab, ob die Modulherstellung mit den SAW-Elementen einen wichtigen Faktor bilden.
  • Die herkömmlichen SAW-Elemente sind Gehäusekomponenten. Selbstverständlich ist es möglich, ein Modul durch Befestigen einer Gehäusekomponente herzustellen. Werden jedoch die Chip-Elemente direkt auf dem Substrat befestigt, wie in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung beschrieben, kann ein miniaturisiertes und höhenreduziertes Bauelement erzeugt werden. Des Weiteren können die Herstellungskosten verringert werden.
  • Das Mehrlagen-Keramiksubstrat kann eine Induktivität und eine Kapazität umfassen, wodurch es durch eine geringere Größe gekennzeichnet ist, wobei es jedoch schwierig ist, auch die Höhe zu verringern. Deshalb ist es bei dem herkömmlichen Modul mit einem zusätzlich auf dem Substrat montierten Gehäuse nicht möglich, die Nachfrage nach Bauteilen mit einer geringeren Höhe zu befriedigen, die in Zukunft noch steigen wird. Auch benötigt das Gehäuse einen größeren Besetzungsbereich im Vergleich mit einem ursprünglichen Chip ohne Ummantelung. Von dem verwendeten Bauteil ist das SAW-Element die größte Komponente und weist die größte Besetzungsfläche auf. Unter diesen Umständen ist es wünschenswert, dass das SAW-Element in irgendeiner Form direkt auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat befestigt wird, ohne die Gehäusekomponente zu verwenden.
  • Andererseits umfasst die Herstellung des SAW-Elements einen Schritt zur Erzeugung des SAW-Chips und einen Schritt zur Befestigung und Abdichtung des SAW-Chips auf dem Gehäuse. Die entsprechenden Prozessschritte sind äußerst kostenintensiv. Werden die SAW-Elemente direkt auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat befestigt, können die Herstellungskosten verringert werden, da der Schritt zum Befestigen und Abdichten des SAW-Elements auf dem Gehäuse weggelassen werden kann.
  • Bei dem zuvor beschriebenen Radiofrequenzmodul ist es wünschenswert, dass die SAW-Elemente direkt als Chip auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat montierbar sind, auf dem weitere Bauteile durch einen Lötvorgang befestigbar sind.
  • Im Übrigen treten die nachfolgenden Probleme bei der Realisierung der zuvor erwähnten Schaltung auf.
    • (1) Es ist notwendig, den Chip des SAW-Elements luftdicht zu verschließen.
    • (2) Es ist notwendig, eine Struktur zu realisieren, die in unterstützender Weise Temperaturänderungen widerstehen kann, so dass die Oberflächenwellen nicht beeinflusst werden.
    • (3) Es ist notwendig, den Lötvorgang und den Befestigungsschritt des SAW-Elements kompatibel zu gestalten.
    • (4) Es ist notwendig, eine flache Moduloberfläche mit einer geringen Höhe herzustellen.
    • (5) Es ist notwendig, die mehreren Mehrlagen-Keramiksubstrate gemeinsam zu bearbeiten, um die Produktivität zu erhöhen.
  • (1) Bezug nehmend auf das luftdichte Verschließen des Chips des SAW-Elements:
  • Das SAW-Element wird beispielsweise durch Bilden einer Leiterelektrode aus Aluminium mit einer Genauigkeit im Submikrometerbereich (μm) auf einem Substrat aus Lithiumtantalit erzeugt. Diese Elektrodenstruktur ist präzise ausgebildet, um wichtige Eigenschaften, wie beispielsweise die Resonanzfrequenz, die Bandbreite, den Einfügungsverlust, und den Verlust außerhalb des Bandes zu erhalten. Beispielweise kann ein Fehler von 1 μm dazu führen, dass die Ausführungsspezifikation nicht erfüllt wird.
  • Höchstwahrscheinlich wird das derart präzise ausgebildete Element durch die Außenluft stark beeinflusst. Ein Wassergehalt aufgrund der Feuchtigkeit und die Anhaftung von Staub, und Ähnliches, beeinträchtigen das Verhalten.
  • In diesen Fällen muss das SAW-Element auf irgendeine Art und Weise abgedichtet werden, und bei dem Modul, auf das die Erfindung angewendet wird, ist es notwendig, dass Schritte unternommen werden, die mit der Miniaturisierung, der Höhenreduzierung und dem gleichzeitigen Befestigen weiterer Elemente kompatibel sind.
  • (2) Bezug nehmend auf die Notwendigkeit ein Hilfsverfahren für das Element zu verwenden, das keinen Einfluss auf die Oberflächenwellen hat:
  • Durch Befestigen der mantellosen Chips auf der auf Siliconbasis beruhenden integrierten Schaltung, können die Chips durch Verwendung eines Klebemittels fest mit und mit der gesamten Oberfläche auf dem Substrat befestigt werden. Da die Resonanzeigenschaft durch das Vorhandensein der Oberflächenwellen an der Oberfläche des Elements erhalten wird, ist es jedoch im Falle des SAW-Elements nicht möglich, die gesamte Fläche des Chips unter Verwendung des Klebemittels fest auf dem Substrat zu befestigen.
  • Im Falle der derzeitigen kleinen SAW-Elemente werden die Chips auf dem Keramiksubstrat oder einem Harzsubstrat durch ein Verfahren, das beispielsweise in dem Patent JP-A-10-79638 offenbart ist, und als Flip-Chip-Befestigungsverfahren bezeichnet wird, befestigt. Dieses Verfahren ist in der 12 gezeigt, wobei das Bezugszeichen 20 ein Substrat und das Bezugszeichen 30 einen Flip-Chip als das SAW-Element bezeichnen. Auf dem Substrat 20 wird eine Elektrode 21 mit einer Goldoberfläche (Au) gebildet, und der Flip-Chip 30 weist ein Goldkontaktband 31 auf dessen Hauptfläche auf, die mit einer Leiterelektrode für das SAW ausgebildet ist. Der Flip-Chip 30 wird durch eine Gold-Gold-Verbindung (verbinden mit der Vorderseite nach unten) befestigt, wobei die Hauptfläche bzw. Hauptebene, die mit der Leiterelektrode für das SAW ausgebildet ist, nach unten gerichtet ist.
  • Bei der Erfindung erweist es sich als wirksam, das Verfahren zur Befestigung des SAW-Elements zu verwenden. Es darf jedoch kein Problem auftreten, selbst wenn das Element in Verbindung mit weiteren gelöteten Bauelementen zu befestigen ist. Insbesondere wird das Mehrlagen-Keramiksubstrat im Gegensatz zu dem SAW-Einzelelement dicker, wenn dieses mit weiteren Elementen in einem zusammengesetzten Modul kombiniert wird. In diesem Fall ist eine Verspannung in den Verbindungsbereichen größer als bei einem herkömmlichen Bauteil mit einem Gehäuse.
  • (3) Bezug nehmend auf die Notwendigkeit den Lötvorgang und den Schritt zum Befestigen des SAW-Elements kompatibel zu gestalten:
  • In dem Lötschritt wird auf der Substratoberfläche für gewöhnlich eine Lötpaste auf die Lötbereiche aufgebracht, und danach die Elemente durch eine Wärmebehandlung in einem Reflow-Ofen angeordnet und darauf befestigt. In diesem Fall verdampft das Flussmittel in der Lötpaste, um eine Verbindung mit den Oberflächenwellenelektroden zu aktivieren und dabei die Benetzbarkeit des Lötmetalls zu gewährleisten.
  • In dem Fall, bei dem das SAW-Element in ungeschützter Weise befestigt wird, d.h. wenn das SAW-Element im Voraus befestigt wird, ohne die Luftdichtigkeit sicherzustellen, erfolgt eine Anhaftung des Flussmittels, wodurch die Eigenschaften des SAW-Elements stark beeinträchtigt werden.
  • Auch wird das SAW-Element im Allgemeinen mit Hilfe einer Gold-Gold-Höckerverbindung verbunden. Im Fall der Verbindung mit einem Lötmittel, umfasst die Metalloberfläche auf dem Substrat eine Zinn- oder eine Lötschicht, die für gewöhnlich durch Beschichtung ausgebildet werden.
  • Das Verfahren zur gemeinsamen Befestigung des SAW-Elements in einem mantellosen Zustand und der gelöteten Bauelement wurde noch nicht als Erfindung beschrieben.
  • (4) Bezug nehmend auf die Notwendigkeit zur Abflachung der Moduloberfläche und Verringerung der Höhe:
  • Zur Befestigung der elektronischen Bauteile wurde ein Verfahren zur Verwendung einer automatischen Befestigungsmaschine entwickelt und weithin verwendet. Die Vorrichtung umfasst für gewöhnlich eine vakuumabsorbierende Düse zur Behandlung der Bauelemente, wobei die Bauelementoberfläche im Vergleich zu dem Düsendurchmesser einen größeren flachen Bereich aufweisen sollte. Bei dem Verfahren aus dem Stand der Technik ist die Oberfläche des zusammengesetzten Moduls mit einer Metallplatte abgedeckt. Die abgeflachte Struktur und der luftdichte Aufbau wirken sich in der vorliegenden Erfindung nachteilig auf die Größenreduzierung aus.
  • (5) Bezug nehmend auf die Notwendigkeit zur Erhöhung der Produktivität, indem Mehrlagen-Keramiksubstrate gemeinsam behandelt werden:
  • Für gewöhnlich werden Mehrlagen-Keramiksubstrate mit Hilfe eines Prozessschrittes einzeln hergestellt. Der Arbeitsaufwand bei der einzelnen Behandlung ist jedoch sehr groß, wodurch die Produktivität nicht erhöht werden kann und somit höhere Kosten die Folge sind. Demgemäß ist es wünschenswert, mehrere Mehrlagen-Keramiksubstratteile gemeinsam zu erzeugen.
  • In dem Dokument JP-A-6-97315 ist ein Beispiel offenbart, bei dem das SAW-Element zusammen mit weiteren Schaltungsbauelementen befestigt und abgedichtet ist. In diesem vorangehenden Beispiel ist das SAW-Element mit der Vorderseite voran auf einem Harzsubstrat fixiert und durch eine Drahtverbindung elektrisch verbunden. Dies ist offensichtlich unterschiedlich zu der vorliegenden Erfindung, bei der das SAW-Element als Flip-Chip auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat befestigt wird. Gemäß der Erfindung kann aufgrund der Flip-Chip-Befestigungsweise eine Miniaturisierung erreicht werden, wobei es durch Anwenden der Flip-Chip-Befestigungsweise möglich ist, den Einfluss aufgrund eines Unterschiedes in dem Wärmeausdehnungskoeffizienten hinsichtlich des Substrats zu verringern. In dem Dokument JP-A-6-97315 wird darauf verwiesen, dass ein Unterschied in dem Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen den Keramiksubstraten besteht, wodurch Probleme auftreten. Ein derartiger Einfluss ist jedoch in der vorliegenden Erfindung äußerst gering. Insbesondere sind der Temperaturkoeffizient des SAW-Elements und der Unterschied in dem Wärmeausdehnungskoeffizienten kompensiert, und das Temperaturverhalten der Mittenfrequenz des Flip-Chips im Falle des Harzsubstrats und des Keramiksubstrats ist bei dem Keramiksubstrat, wie in der 4 gezeigt, besser.
  • Das SAW-Element scheint in dem Dokument JP-A-6-97315 zusammen mit weiteren passiven Bauelementen befestigt zu sein, jedoch offenbart es keine Befestigung zusammen mit den oberflächenmontierten Elementen. Insbesondere wird das Lötmittel zur Abdichtung verwendet, aber in diesem Fall ist ein unmittelbar darauffolgendes Wärmeverfahren offenbart, um eine Verunreinigung durch das Flussmittel zu verhindern. Das heißt, dass sich eine gemeinsame Befestigung der oberflächenmontierten Elemente als schwierig gestaltet.
  • Je nach Erfindung kann eine gemeinsame Befestigung mit weiteren oberflächenmontierten Elementen mit der Anwendung eines Reinigungsprozesses (Reinigungsvorgang) vorgesehen sein, was sich als einfacher herausstellt, und es können unterschiedliche Bauelemente zusammen befestigt werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Dem gemäß ist es angesichts der zuvor erwähnten Aspekte eine erste Aufgabe der Erfindung ein Radiofrequenzmodulbauteil mit Oberflächenwellen-Bauelementen und ein Herstellungsverfahren desselben bereitzustellen, bei dem das SAW-Element als gehäuseloser Chip und zusammen mit weiteren oberflächenmontierten Bauelementen befestigbar ist.
  • Es ist eine zweite Aufgabe der Erfindung, ein Radiofrequenzmodulbauteil mit Oberflächenwellen-Bauelementen und ein Herstellungsverfahren desselben bereitzustellen, wobei das SAW-Element als ein gehäuseloser Chip befestigt ist, wodurch es möglich ist, eine Miniaturisierung, eine Größenreduzierung, eine Erhöhung der Produktivität und eine Senkung der Kosten sicherzustellen.
  • Weitere Aufgaben und neue Eigenschaften der Erfindung werden anhand der nachfolgenden Beschreibung in Bezug auf die Ausführungsformen der Erfindung offensichtlich. Die Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 zeigt eine Vorderansicht und eine Querschnittsansicht der Radiofrequenzmodulbauteile mit den Oberflächenwellen-Bauelementen gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 2A bis 2G sind beispielhafte Ansichten, die die Fertigungsschritte der ersten Ausführungsform darstellen;
  • 3 ist eine schematische Ansicht einer Schaltung der ersten Ausführungsform;
  • 4 ist eine schematische Ansicht des Keramiksubstrats und des Harzsubstrats, das das Temperaturverhalten der SAW-Elemente darstellt;
  • 5A bis 5E zeigen beispielhafte Ansichten der Fertigungsschritte der zweiten Ausführungsform der Erfindung;
  • 6 ist eine Draufsicht des Harzelements, das für die zweite Ausführungsform verwendet wird;
  • 7 ist eine Vorderansicht und eine Querschnittsansicht einer dritten Ausführungsform der Erfindung;
  • 8 ist eine Vorderansicht und eine Querschnittsansicht eines Beispiels des Moduls, das mit der Gehäusekomponente auf der herkömmlichen SAW-Elemente befestigt ist;
  • 9 ist eine schematische Blockansicht der Radiofrequenzschaltung für ein herkömmliches tragbares Telefon mit GSM-Dualband;
  • 10 ist eine Vorderansicht und eine Querschnittsansicht des Leistungsverstärkermoduls;
  • 11 ist eine Vorderansicht und eine Querschnittsansicht des Frontendmoduls, das den Antennenschaltbereich umfasst; und
  • 12 ist eine Vorderansicht und eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Verbindung des SAW-Elements mit der Vorderseite nach unten (Flip-Chip-Befestigung) mit Hilfe einer Gold-Gold-Verbindung darstellt.
  • Eine Erläuterung der Ausführungsformen der Radiofrequenzmodulbauteile mit den Oberflächenwellen-Bauelementen und deren Herstellungsverfahren wird gemäß der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen bereitgestellt.
  • Die 1 ist eine erste Ausführungsform der Erfindung, die die Radiofrequenzmodulbauteile mit den Oberflächenwellen-Bauelementen in einem fertigen Zustand darstellt. Die 2A bis 2G zeigen deren Herstellungsverfahren. Die 3 zeigt eine Schaltung von diesen.
  • Zunächst wird Schritt für Schritt die erste Ausführungsform mit Bezug auf die Fertigungsschritte in den 2A bis 2G beschrieben. In der 2A bezeichnet das Bezugszeichen 40 ein Mehrlagen-Keramiksubstrat, das 15 Schichten aus inneren elektrischen Leitern 41 mit einer Aluminiumglaskomplexkeramik als Isolationsschichten aufweist. Die äußere Abmessung beträgt in etwa 6 mm × 4 mm und weist eine Dicke von 0,8 mm auf. Eine leitende Oberflächenschicht 42 auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 ist aus einem gesinterten Silberleiter gebildet.
  • In dem in der 2B gezeigten Vergoldungsschritt wird das Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 mit Nickel als eine Grundierungsbeschichtung auf der leitenden Oberflächenschicht 42 (gesinterter Silberleiter) mit einer Schichtdicke von in etwa 2 bis 3 μm aufgetragen, und danach wird eine Goldschicht aufgetragen, um befestigte Elektroden 43 mit einer Goldschicht zu bilden.
  • Bei dem Verfahren zum Befestigen der gelöteten Bauteile in der 2C auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40, wurde die Lötpaste auf die mit Lötmittel verbundenen Bereiche der befestigten Elektroden 43, die mit der Goldschicht versehen wurden, und auf die Lötelemente 50 (die zu lötenden oberflächenmontierten Elemente) aufgetragen, die eine Induktivität, eine Kapazität, einen Widerstand, eine Diode und Ähnliches in der Schaltung der 3 umfassen. Anschließend wurde das Lötmittel in dem Reflow-Ofen fixiert. Somit wurden die entsprechenden Elemente 50 durch Löten der leitenden Oberflächenschichten 42, die mit der Goldschicht beschichtet sind, d.h. die befestigten Elektroden 43, befestigt.
  • Danach wurde in dem in der 2D gezeigten Reinigungsverfahren das Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 mit den darauf befestigten Lötelementen 50 einem Reinigungsverfahren mit einer Alkalilösung oder einer Plasmareinigung (Plasmaätzen) ausgesetzt.
  • Bei dem in der 2E gezeigten Schritt, bei dem das SAW-Element durch die Gold-Gold-Verbindung kopfüber befestigt ist, ist das SAW-Element nicht die Gehäusekomponente, sondern das SAW-Element als Flip-Chip, d.h. der Flip-Chip 30 ist der in der 12 gezeigte mantellose Chip. Der Flip-Chip 30 durchläuft einen ähnlichen Fertigungsschritt wie die Gehäusekomponente und weist einen Goldkontakthöcker 31 auf der Hauptebene auf, die mit den Leiterelektroden für das SAW-Element ausgebildet ist (dies wird erzielt, indem die Schritt des Befestigens an das Gehäuse und des Abdichtens der anderen Hälfte in dem Gehäuseelement ausgelassen werden). Der Flip-Chip 30 wird durch die Gold-Gold- Verbindung auf der befestigten Elektrode 43 kopfüber auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 montiert, indem die Hauptebene mit den Leiterelektroden für das SAW-Element nach unten gerichtet ist (mit der Vorderseite nach unten verbunden).
  • Indem der Durchmesser der Goldleitung und die Herstellungsbedingungen verändert werden, kann der Goldkontakthöcker 31 im Durchmesser verändert werden, um einen geeigneten Durchmesserbereich festzulegen, und durch Verändern der Länge der Goldleitung kann die Länge des Goldkontakthöckers 31 verändert werden, und der Abstand zwischen der befestigten Elektrode 43 auf dem Substrat 40 und dem Flip-Chip 30 ist in einem geeigneten Bereich einstellbar. Die Verbindung des Flip-Chips 30 mit der Vorderseite nach unten wird durch Anordnen des Flip-Chips 30 mit der Vorderseite nach unten an einer bestimmten Position und durch Anwenden von Ultraschall mit 9 W auf der Seite des Flip-Chips 30 für 0,6 Sekunden und unter einer Last von 300 g erzielt. Somit wird der Goldkontakthöcker 31 durch Ultraschallbonding auf der Goldoberfläche der befestigten Elektrode 43 auf der Seite des Substrats verbunden.
  • Im Übrigen wird die Scherfestigkeit des Flip-Chips 30 als das SAW-Element im Falle einer Änderung des Reinigungsprozesses auf einen Nichtreinigungsprozess oder einen alkalichemischen Reinigungsprozess später in Verbindung mit der Tabelle 1 beschrieben. Auch wird die Beziehung zwischen der Dicke der Goldbeschichtung der befestigten Elektrode 43 und der Scherfestigkeit des Flip-Chips 30 sowie der Lötelemente 50 später in Verbindung mit der Tabelle 2 beschrieben. Der Durchmesser des Goldhöckers nach der Befestigung des Flip-Chips 30 (nach dem Ultraschallbonding), die Scherfestigkeit und die Einflüsse auf das Ergebnis des Hitzeeinwirkungstests wird später in Verbindung mit der Tabelle 3 beschrieben. Des Weiteren werden die Einflüsse des Abstandes zwischen der befestigten Elektrode 43 und des Flip-Chips 30 auf dem Substrat 40 auf die horizontale Verschiebung und die Ergebnisse des Hitzeeinwirkungstests später in Verbindung mit der Tabelle 4 beschrieben. Bei den in den Tabellen 1 bis 4 durchgeführten Messungen wurden die Querschnitte, die Durchmesser und die Verbindungsstellen des Goldhöckers bei dessen Befestigung mithilfe des Elektronenmikroskops betrachtet.
  • Nach der in der 2F gezeigten Befestigung des Flip-Chips 30 als das SAW-Element wird die viereckige rahmenartig ausgebildete Epoxidharzplatte auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 befestigt, wobei die Platte einen ausgehöhlten Bereich als Harzseitenwand 60 aufweist, um den Flip-Chip 30 als das SAW-Element und das Lötelement 50 aufzunehmen, und des Weiteren wird, wie in der 2G gezeigt, die Epoxidharzplatte als Abdeckung 61 mit Hilfe eines Klebemittels verbunden, und des Weiteren zur Ausbildung einer festen Verbindung für 5 Stunden mit einem Vakuum umgeben.
  • Anhand des in den 2A bis G gezeigten Verfahrens werden der Flip-Chip 30 als das SAW-Element und weitere Lötelemente 50 als oberflächenmontierte Elemente auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 mit den leitenden Innenschichten 41, wie in der 1 gezeigt, befestigt, wobei die Lötelemente 50 auf das Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 gelötet sind und der Flip-Chip 30 mit dem Goldhöcker 31 durch eine Gold-Gold-Verbindung (Goldkugelbondingverfahren) kopfüber mit der mit Gold beschichteten befestigten Elektrode 43 auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 verbunden ist, und ferner wird der Flip-Chip 30 und die weiteren Lötelemente 50 durch die Harzseitenwand 60 und die Harzabdeckung 61 zur Abdeckung der Öffnung der Seitenwand, die an das Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 fixiert ist, luftdicht abgeschlossen. Somit werden luftdicht abgeschlossene Radiofrequenzmodulbauteile erhalten. Die äußere Abmessung dieses Radiofrequenzmodulbauteils umfasst in etwa 6 mm × 4 mm und weist eine Höhe von 1,5 mm auf.
  • In dem Schaltdiagramm der 3 ist abgesehen von dem SAW-Element ein Bereich bereits als Modul ausgebildet, der in etwa dieselbe Abmessung von 6 mm × 4 mm umfasst. Derzeit können 2 SAW-Elemente auf dem selben Bereich befestigt werden, wodurch die Schaltung hinreichend verkleinert werden kann. Des Weiteren weist das Modul gemäß der vorliegenden Erfindung eine Höhe von 1,5 mm auf. Wenn das SAW-Gehäuseelement 70, wie in der 8 gezeigt, einfach auf dem herkömmlichen Bauteil (ein Modul mit einem auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 befestigten Bauelement 50) befestigt wird, beträgt die Höhe etwa 2 mm. Somit zeigt sich, dass die Höhe im Gegensatz zu dem herkömmlichen Bauelement der 8 hinreichend verringert werden kann. Es sollte beachtet werden, dass gleiche oder ähnliche Teile in der 1 mit den gleichen Bezugszeichen in der 8 gekennzeichnet sind.
  • Die 4 zeigt das Temperaturverhalten, wenn der Flip-Chip des SAW-Elements, wie in dieser Ausführungsform, auf dem Keramik-Mehrlagensubstrat befestigt ist (gepunktete Linie) und wenn der Flip-Chip in ähnlicher Weise auf dem Harzsubstrat befestigt ist (durchgezogene Linie). Es zeigt sich, dass das Mehrlagen-Keramiksubstrat aufgrund der Temperaturänderung eine geringere Frequenzänderung aufweist.
  • Tabelle 1 führt die Scherfestigkeit bei der Erzeugung der Proben auf, indem der Reinigungsprozess jeweils auf Nichtreinigung, alkalichemische Flüssigkeitsreinigung und Plasmareinigung eingestellt wurde. Der Durchmesser des Goldhöckers betrug nach der Befestigung des Flip-Chips 30 100 μm, der Abstand zwischen der befestigten Elektrode 43 und dem Flip-Chip 30 auf dem Substrat 40 betrug 20 μm, und die Goldbeschichtung der befestigten Elektrode 43 der Substratseite betrug 0,5 μm. [Tabelle 1] Tabelle 1: Einfluss des Reinigungsschrittes auf die Schwerfestigkeit
    Art der Reinigung Scherfestigkeit
    Nichtreinigung 350
    chemische Flüssigkeitsreinigung 400
    Plasmareinigung : 450 W
    1 min 360
    2 min 420
    3 min 450
    5 min 460
    8 min 460
    10 min 360
    15 min 320
  • Aufgrund der Ergebnisse aus der Tabelle 1 zeigt sich, dass im Falle der Nichtreinigung die Festigkeit der Fixierung äußerst schwach ausgebildet ist. Die Probe wurde fest in das vergrabene Harz eingeführt, auf der Oberfläche poliert, und mit Hilfe des Elektronenmikroskops im Querschnitt betrachtet, und Fremdsubstanzen, wie beispielsweise das Flussmittel, wurden auf der Oberfläche aufgebracht. Es wurde berücksichtigt, dass die Fremdsubstanzen eine Verminderung der Scherfestigkeit verursachen. Die Reinigung mit Medizinflüssigkeit wurde mit einer auf Alkali basierenden Reinigungsflüssigkeit durchgeführt. In diesem Fall wies die Probe hinsichtlich der praktischen Anwendbarkeit kein besonderes Problem auf. Die Plasmareinigung, die durch Bespritzen mit Argonplasma durchgeführt wird, ergab folgende Ergebnisse. Der Ausgabewert betrug konstant 450 W und die Zeit wurde als ein Parameter verwendet. 1 Minute ist nicht ausreichend für die benötigte Festigkeit. Bei einer Dauer von mehr als 10 Minuten war die benötigte Festigkeit wiederum nicht ausreichend. Bei einer Dauer von weniger als 1 Minute konnte die Oberfäche nicht aktiviert werden und bei einer Dauer von mehr als 10 Minuten wies die befestigte Elektrode 43 Schäden auf der Goldoberflächenschicht auf. Die bevorzugte Dauer betrug zwischen 2 Minuten oder mehr und 8 Minuten oder weniger.
  • Die Tabelle 2 führt die Scherfestigkeit bei der Erzeugung der Probe auf, indem die Dicke der Vergoldung der befestigten Elektrode 43 auf dem Substrat 40 in einem Bereich zwischen 0,05 μm und 7,0 μm in Bezug auf eine 1005 Chip-Spule (1 × 0,5 × 0,5 mm) als der Flip-Chip 30 und das gelötete Bauelement 50 verändert wurde.
  • In diesem Fall betrug der Durchmesser des Goldhöckers nach der Befestigung des Flip-Chips 30 100 μm, der Abstand zwischen der befestigten Elektrode 43 und des Flip-Chips 30 auf dem Substrat 40 20 μm, und der Abstand zwischen der befestigten Elektrode 43 und der 1005 Chip-Spule 20 μm, wobei die Plasmareinigung für 5 Minuten durchgeführt wurde. [Tabelle 2] Tabelle 2: Einfluss der Beschichtungsdicke auf die Scherfestigkeit des SAW-Elements und des gelöteten Chips
    Goldschichtdicke (μm) SAW-Scherfestigkeit (gf) Scherfestigkeit der Chip-Komponente (gf)
    0,05 310 800
    0,1 400 1200
    0,3 420 1500
    0,5 460 1600
    1,0 470 1700
    2,0 480 1600
    3,0 470 1700
    5,0 480 1700
    7,0 480 800 Ablösung erfolgt
  • Aufgrund der Ergebnisse auf der Tabelle 2 zeigt sich, dass im Falle der Goldschicht, d.h. die Dicke der goldbeschichteten Schicht betrug weniger als 0,1 μm, die Festigkeit an der Gold-Gold-Verbindungsstelle und auch im Falle der Gold-Lötmittel-Verbindungsstelle außergewöhnlich niedrig ist. Wenn die Dicke der Vergoldungsschicht 5 μm übersteigt, tritt kein besonderes Problem auf. Jedoch ist im Falle der Lötverbindung die Scherfestigkeit stark verringert, wenn eine Reibung zwischen der Beschichtungsschicht und dem Silberbett erzeugt wird. Eine Interpretation dafür wäre, dass eine Verspannung zum Zeitpunkt der Fixierung des Lötmittels auf die Verbindungsstelle konzentriert ist. Deshalb beträgt die Dicke der Goldbeschichtung als Goldschicht vorzugsweise zwischen 0,1 μm und mehr und 5 μm oder weniger, und noch besser liegt sie in einem Bereich zwischen 0,3 μm und 3 μm.
  • Die Tabelle 3 führt die Ergebnisse auf, bei denen die Auswirkung des Goldhöckerdurchmessers auf die Scherfestigkeit und den Hitzeeinwirkungstest des Flip-Chips 30 hinsichtlich der Proben gemessen wurde, die jeweils erzeugt wurden, indem die Durchmesser des Goldhöckers in dem Bereich zwischen 30 μm und 200 μm verändert wurde, wenn der Flip-Chip 30 als das SAW-Element auf dem Substrat mit der Vorderseite nach unten befestigt ist. [Tabelle 3] Tabelle 3: Auswirkung des Goldhöckerdurchmessers auf die Scherfestigkeit und den Hitzeeinwirkungstest des SAW-Elements
    Durchmesser des Goldhöckers (μm) Scherfestigkeit des SAW (gf) Fehler beim Hitzeeinwirkungstest (von 100 Stück)
    30 290 12
    50 400 1
    70 450 0
    100 460 0
    120 460 0
    150 470 1
    200 470 8
  • Der Hitzeeinwirkungstest wurde zur besseren Veranschaulichung der Bedingungen durchgeführt. Die Testbedingungen umfassten –40°C auf der Niedrigtemperaturseite und 85°C auf der Hochtemperaturseite, die jeweils für 30 Minuten bei 100 Durchgängen gehalten wurden. Die Schätzung wurde so durchgeführt, dass der Einfügungsverlust des SAW-Elements gemessen wurde. Die Probe, die zu Beginn in etwa 2 dB mit einer Steigerung auf 5 dB oder mehr betrug, wurde als fehlerhaft ausgewiesen. Die Schätzung wurde anhand der Anzahl von Fehlern aus 100 Proben bestimmt. Die weiteren Messbedingungen betrugen für die Goldbeschichtung der befestigten Elektrode 43 auf der Substratseite 0,5 μm, und für den Abstand zwischen der befestigten Elektrode 43 und dem Flip-Chip auf dem Substrat 40 20 μm, und die Plasmareinigung betrug 5 Minuten.
  • Aufgrund der Ergebnisse aus der Tabelle 3 zeigt sich, dass die Festigkeit äußerst niedrig ist, wenn der Goldhöckerdurchmesser weniger als 50 μm beträgt, und dass der fehlerhafte Anteil in dem Hitzeeinwirkungstest anstieg. Wenn der Goldhöckerdurchmesser 150 μm übersteigt, ist die Scherfestigkeit ausreichend hoch, jedoch stieg der fehlerhafte Anteil nach dem Hitzeeinwirkungstest an. In diesem Fall zeigt sich, dass es häufig zu einer Ablösung auf der Elektronenseite des SAW-Elements kommt. Daraus lässt sich schließen, dass eine Hitzeeinwirkungsspannung auf der SAW-Elementseite auftritt, wenn der Durchmesser des Goldhöckers äußerst dick ist. Deshalb beträgt der Goldhöcker bei der Montage vorzugsweise zwischen 50 μm und mehr und 150 μm oder weniger, und noch besser zwischen 70 μm und 120 μm.
  • Die Tabelle 4 führt die Ergebnisse auf, bei denen der Einfluss des Abstandes zwischen der befestigten Elektrode 43 und dem Flip-Chip 30 auf dem Substrat 40 auf die Scherfestigkeit und den Hitzeeinwirkungstest des Flip-Chips 30 gemessen wurde, indem Proben verwendet wurden, bei denen der Abstand zwischen der befestigten Elektrode 43 und dem Flip-Chip 30 in einem Bereich zwischen 3 μm und 70 μm verändert wurde. Die Goldschicht der befestigten Elektrode 43 der Substratseite betrug 0,5 μm, der Goldhöckerdurchmesser 100 μm, die Plasmareinigung wurde für 5 Minuten durchgeführt, und der Hitzeeinwirkungstest umfasste 100 Durchgänge bei –40°C bis 85°C. [Tabelle 4] Tabelle: Einwirkung des Abstandes auf die Scherfestigkeit und den Hitzeeinwirkungstest des SAW-Elements
    Abstandsabmessung (μm) Scherfestigkeit des SAW (gf) Fehler beim Hitzeeinwirkungstest (von 100 Stück)
    3 450 15
    5 440 2
    10 450 0
    20 460 0
    30 460 0
    50 410 0
    70 340 0
  • Wenn der Abstand weniger als 5 μm beträgt, ist die Festigkeit ausreichend, wobei es jedoch häufig zu einem Fehler in dem Hitzeeinwirkungstest kommt. Wenn der Abstand 50 μm übersteigt, tritt bei dem Hitzeeinwirkungstest kein Problem auf, jedoch sinkt die Scherfestigkeit stark ab. Dem gemäß beträgt der Abstand vorzugsweise zwischen 5 μm oder mehr und 50 μm oder weniger, und noch besser zwischen 10 μm und 30 μm.
  • Gemäß der ersten Ausführungsform können die folgenden Ergebnisse erzielt werden.
    • (1) Bei dem Radiofrequenzelektronikschaltbauteil, das das Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 und den Flip-Chip 30 als das SAW-Element, das direkt auf dem Substrat befestigt ist, umfasst, wird eine Luftdichtigkeit des SAW-Elements durch Verwenden der Harzseitenwände 60 und der Harzabdeckung 61 erzielt, und der Einfluss des gelöteten Bauelements 50 wird bei der Erzeugung beseitigt, wodurch es möglich ist, die Effizienz zu erhöhen, die Zuverlässigkeit während der Verwendung zu steigern, die Befestigungsfähigkeit zu verbessern, und des Weiteren die Höhe des Bauteils zu verringern. Werden die Radiofrequenzmodulbauteile so gebaut, wobei die Seiten und der obere Bereich bei der Befestigung des Modulbauelements durch die Harzseitenwände 60 und die Harzabdeckung 61 luftdicht abgedeckt sind, kann das Problem (1) des hermetischen Verschließens des SAW-Elements gelöst werden.
    • (2) Indem der Flip-Chip 30 als das SAW-Element durch eine Gold-Gold-Verbindung kopfüber auf der mit einer auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 aufgetragenen Goldschicht beschichteten Elektrode verbunden wird, kann das Problem (2) des Standhaltens von Temperaturänderungen anhand des Hilfsverfahrens, das keinen Einfluss auf das SAW-Element hat, gelöst werden. Insbesondere ist zusätzlich zum Befestigen des Flip-Chips durch eine Gold-Gold-Verbindung die Dicke der Vergoldungsschicht und der Durchmesser des Goldhöckers entsprechend ausgebildet, sowie die Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturänderungen verbessert. Insbesondere beträgt die Goldbeschichtung der befestigten Elektrode 43, die auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 ausgebildet ist, zwischen 0,1 μm und mehr und 5 μm oder weniger, der Abstand zwischen dem Flip-Chip 30 als das SAW-Element und der befestigten Elektrode 43 zwischen 5 μm und mehr und 50 μm oder weniger, der Durchmesser des Goldhöckers für die Gold-Gold-Verbindung zwischen 5 μm und mehr und 50 μm oder weniger.
    • (3) Bei dem Herstellungsverfahren ist zumindest der Bauelementverbindungsbereich der leitenden Oberflächenschicht 42 des Mehrlagen-Keramiksubstrats 40 für montierte Bauteile vergoldet, um die befestigte Elektrode 43 zu bilden, werden die Bauelemente außer mindestens einem SAW-Element durch einen Lötvorgang befestigt, wird der Reinigungsvorgang durchgeführt, und der Flip-Chip 30 als das SAW-Element anschießend kopfüber auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 mit Hilfe einer Gold-Gold-Verbindung befestigt, wobei das Harzmaterial der Seitenwände 60 und der Harzabdeckung 61 mit dem Klebemittel verbunden sind. Bei diesem Verfahren können die gelöteten Bauelemente, die durch einen Lötvorgang zu befestigen sind, auf herkömmliche Art und Weise hergestellt werden. Die goldbeschichtete Oberfläche ist hinreichend befestigt und mit ausreichend Feuchtigkeit versehen. Mit diesem Herstellungsverfahren kann das Problem (3), das sich mit der Kompatibilität des Lötprozesses und des SAW-Elementbefestigungsschrittes befasst, gelöst werden. Da jedoch die Oberfläche des Substrats mit Flussmittelspritzern und Lötresten nach der Befestigung durch das Lötmittel verschmutzt ist, ist es schwierig, das SAW-Element auf die Goldoberfläche des SAW-Elementbefestigungsbereiches zu befestigen. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Reinigungsvorgang durchgeführt, um die Goldoberfläche zu aktivieren, so dass keine Behinderung bei der Befestigung auftritt. Die herkömmliche Medizinflüssigkeitsreinigung aktiviert die Goldoberfläche in dem Maße, dass die Befestigung des SAW-Elements möglich wird. Jedoch ist der Reinigungsvorgang mit Hilfe des Plasmaätzens vorzuziehen. In diesem Fall ist es notwendig, einen derartigen Zustand zu schaffen, dass andere Befestigungsbauelemente nicht beschädigt werden. Des Weiteren wird das Harz, wie beispielsweise die Seitenwände 60 und die Abdeckung 61, in Vakuum verbunden, so dass der Schmutz um das SAW-Element und den befestigten Elementen beseitigt werden kann.
    • (4) Mit dem zuvor beschriebenen Aufbau und dem verwendeten Herstellungsverfahren kann das Problem (4) zur Ausbildung einer flachen Oberfläche des Moduls und zur Verringerung der Höhe gelöst werden. Bei dem eigentlichen Befestigungsvorgang des Bauelements ist es wünschenswert, unterschiedliche Befestigungsmaschinen zu verwenden. Selbstverständlich tritt kein Problem auf, wenn alle Bereiche flach ausgebildet sind, wobei jedoch in etwa 30% der oberen Fläche des Moduls oder mehr flach ausgebildet sein sollten, und noch besser 50% oder mehr.
  • Die 5A bis 5E zeigen eine zweite Ausführungsform, die die Herstellung zum gemeinsamen Bearbeiten von mehreren Mehrlagen-Keramiksubstratstücken darstellt. In diesem Fall sind die Prozessschritte gleich den in den 2A bis 2D gezeigten Prozessschritten, die vom Befestigen des gelöteten Bauelements auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 bis zum Befestigen des Substrats, wie in der 5A gezeigt, reichen. Danach werden beim Bearbeiten eines Gitterharzelements 63 mit jeweils mehreren integrierten Bereichen (vorzugsweise 10 oder mehr) für die Harzseitenwand 60, wie in der 6 gezeigt, mehrere Mehrlagen-Keramiksubstrate 40 (vorzugsweise 10 oder mehr) mit dem Gitterharzelement 63, wie in der 5B gezeigt, verbunden. Danach wird, wie in der 5C gezeigt, der Flip-Chip 30 als das SAW-Element kopfüber mit den mehreren Mehrlagen-Keramiksubstraten 40 verbunden, und dann, wie in der 5D gezeigt, eine Harzplatte 64 mit mehreren integrierten Abdeckungen 61 in einem gemeinsamen Prozessschritt verbunden. Schließlich wird das Harzelement 63 und die Harzplatte 64 ausgeschnitten, um in einzelne Bauteileinheiten geteilt zu werden, um jeweils ein Mehrlagen-Keramiksubstrat 40, wie in der 5E gezeigt, zu erhalten. Im Übrigen sind in den 5A bis 5E die gleichen Bereiche oder entsprechende Bereiche der 2A bis 2G mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • Bei dem herkömmlich verwendeten Befestigungsverfahren der gelöteten Bauelemente 50, wird eine Metallmaske auf dem flachen Substrat 40 angeordnet, und die Lötpaste druckbeschichtet, worauf das Element 50 angeordnet und das Lötmittel durch den Reflow-Ofen fixiert wird. Deshalb wird in dem Fall, dass das Harzelement 63 als die Seitenwände vor dem Lötvorgang verbunden wird, die Oberfläche uneben, wodurch sich der herkömmliche Beschichtungsvorgang mit der Lötpaste als schwierig gestaltet.
  • Gemäß der zweiten Ausführungsform können mehrere Mehrlagen-Keramiksubstrate 40 zusätzlich zu den Ergebnissen der ersten Ausführungsform zumindest in einem bestimmten Bereich des Herstellungsprozesses gemeinsam bearbeitet werden, um dadurch den Arbeitsaufwand stark zu reduzieren, die Produktivität zu steigern und die Kosten zu verringern. Das heißt, dass das Problem (5) der Steigerung der Produktivität durch gemeinsames Bearbeiten mehrerer Mehrlagen-Keramiksubstrate gelöst werden kann.
  • Die 7 zeigt einen Aufbau, bei dem das SAW-Element gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung von den anderen Bauelementen isoliert ist. In diesem Fall ist das Harzelement 66, das die Seitenwand 65 bildet, kein einfacher viereckiger Rahmen, sondern weist hohle Öffnungen auf, um einzeln den Flip-Chip 30 als das SAW-Element und das gelötete Bauelement 50 aufzunehmen. Das Harzelement 66 ist mit dem Mehrlagen-Keramiksubstrat 40 verbunden und die Epoxidharzplatte als die Abdeckung 61 ist durch das Klebemittel verbunden. Der restliche Aufbau ist der gleiche wie in der ersten Ausführungsform. Hierbei sind die gleichen oder sich entsprechende Elemente durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • Gemäß der dritten Ausführungsform können die Harzseitenwände 65 auch zwischen dem Flip-Chip 30 als das SAW-Element und den gelöteten Bauelementen als die weiteren Befestigungsbauelemente bereitgestellt sein. In diesem Fall kann jedes Bauelement von den weiteren Bauelementen isoliert sein. Selbst wenn kontaminierende Substanzen von den weiteren Befestigungsbauelementen bei der praktischen Anwendung erzeugt werden, wird dadurch die Eigenschaft des SAW-Elements nicht beeinträchtigt. Des Weiteren kann in diesem Fall der Aufbau der Harzseitenwände 65 und der Abdeckung 61 vorzugsweise weiter gefestigt bzw. versteift werden. Die weiteren Ergebnisse sind dieselben wie in der ersten Ausführungsform.
  • Obwohl zuvor die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben wurden, ist es für den Fachmann offensichtlich, dass die Erfindung in unterschiedlicher Weise modifiziert werden kann, ohne vom Umfang der Erfindung, wie durch die Ansprüche definiert, abzuweichen.
  • Wie zuvor beschrieben, werden gemäß der vorliegenden Erfindung die Oberflächenwellen-Bauelemente und weitere oberflächenmontierte Elemente auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat befestigt, wobei die Oberflächenwellen-Bauelemente Flip-Chips sind, die kopfüber mit Hilfe einer Gold-Gold-Verbindung auf den goldbeschichteten Elektroden des Mehrlagen-Keramiksubstrats befestigt sind, und wobei zumindest die Oberflächenwellen-Bauelemente durch die Seitenwände, die an dem Mehrlagen-Keramiksubstrat befestigt sind, und die Abdeckung, die die Öffnung der Seitenwände bedeckt, luftdicht verschlossen sind.
  • Somit können die SAW-Elemente luftdicht gehalten werden und der Einfluss der gelöteten oberflächenmontierten Elemente wird bei deren Herstellung beseitigt. Des Weiteren ist es möglich, die Produktivität, die Zuverlässigkeit während der Anwendung, und die Befestigungsfähigkeit bei der Befestigung zu erhöhen, und des Weiteren die Höhe des Bauteils zu verringern.

Claims (8)

  1. Radiofrequenzmodul umfassend: ein Mehrlagen-Keramiksubstrat (40); Oberflächenwellen-Bauelemente und weitere oberflächenmontierte Bauelemente (50), die auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat (40) befestigt sind, wobei die Oberflächenwellen-Bauelemente Flip-Chips (30) umfassen, die anhand einer Gold-Gold Verbindung mit der Vorderseite nach unten mit vergoldeten Elektroden (43) des Mehrlagen-Keramiksubstrats (40) verbunden sind; dadurch gekennzeichnet, dass das Radiofrequenzmodul des Weiteren umfasst: eine Abdeckung (61), die die Oberflächenwellen-Bauelemente (50) und die weiteren oberflächenmontierte Bauelemente luftdicht verschließt, wobei Seitenwände (60) getrennt von der Abdeckung (61) an das Mehrlagen-Keramiksubstrat (40) befestigt sind, und die Abdeckung (61) die Öffnung der Seitenwände (60) bedeckt.
  2. Radiofrequenzmodul mit Oberflächenwellen-Bauelementen gemäß Anspruch 1, wobei zumindest eines der weiteren oberflächenmontierte Bauelemente anhand einer Lötung auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat befestigt ist.
  3. Radiofrequenzmodul mit Oberflächenwellen-Bauelementen gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Oberflächenwellen-Bauelemente durch die Seitenwände und die Abdeckung getrennt von den weiteren oberflächenmontierte Bauelementen befestigt sind.
  4. Radiofrequenzmodul mit Oberflächenwellen-Bauelementen gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Fläche eines Bereiches, der von den Seitenwänden umgeben und von der Abdeckung bedeckt ist, 30% oder mehr und 100% oder weniger des Mehrlagen-Keramiksubstrats beträgt.
  5. Radiofrequenzmodul mit Oberflächenwellen-Bauelementen gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Goldschicht der vergoldeten Elektroden des Mehrlagen-Keramiksubstrats zwischen 0,1 μm oder mehr und 5 μm oder weniger beträgt, der Abstand zwischen den Oberflächenwellen-Bauelementen und den vergoldeten Elektroden zwischen 5 μm oder mehr und 50 μm oder weniger beträgt, und der Durchmesser nach dem Verbinden der Goldhöcker für die Gold-Gold Verbindung zwischen 50 μm oder mehr und 150 μm oder weniger beträgt.
  6. Fertigungsverfahren für Oberflächenwellen-Bauelemente umfassende Radiofrequenzmodule gekennzeichnet durch die Schritte: Beschichten von zumindest Bereichen der Verbindungsbauelemente auf einer leitfähigen Oberfläche eines Mehrlagen-Keramiksubstrats (40) mit einem Goldüberzug; Nach dem Beschichtungsverfahren, Befestigen von zumindest einem weiteren oberflächenmontierte Bauelement (50) als den Oberflächenwellen-Bauelementen an das Mehrlagen-Keramiksubstrat (40) mithilfe eines Lötvorgangs; Reinigen des Mehrlagen-Keramiksubstrats (40) nach dem Lötvorgang; Nach dem Reinigungsverfahren, Befestigen von Flip-Chips (30) als Oberflächenwellen-Bauelemente, die anhand einer Gold-Gold Verbindung mit der Vorderseite nach unten mit dem Mehrlagen-Keramiksubstrat (40) verbunden werden; Bilden von Seitenwänden (60) aus Verbindungselementen auf dem Mehrlagen-Keramiksubstrat (40); und Luftdichtes Verschließen einer Aussparung, die von den die Seitenwände (60) bildenden Elementen und von einem eine Abdeckung (61) bildenden Element umgeben ist, durch Befestigen des die Abdeckung (61) bildenden Elements nach dem Befestigen der Oberflächenwellen-Bauelemente und Bilden der Seitenwände (60).
  7. Fertigungsverfahren für Oberflächenwellen-Bauelemente umfassende Radiofrequenzmodule nach Anspruch 6, wobei das Verfahren zum Bilden der Seitenwände durch gemeinsames Verbinden der Seitenwand bildenden Elemente mit mehreren Teilen der Mehrlagen-Keramiksubstrate ausgeführt wird, und wobei zumindest Bereiche der nachfolgenden Schritte danach auf einmal ausgeführt werden, und die Elemente, die letztendlich die Seitenwände bilden, für jedes Mehrlagen-Keramiksubstrat geschnitten werden.
  8. Fertigungsverfahren für Oberflächenwellen-Bauelemente umfassende Radiofrequenzmodule nach Anspruch 6 oder 7, wobei das Reinigungsverfahren dem Reinigen des Mehrlagen-Keramiksubstrats durch Plasmaätzen dient.
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