DE60038668T2 - Lichtquelle mit gelben bis roten emittierenden leuchtstoff - Google Patents

Lichtquelle mit gelben bis roten emittierenden leuchtstoff Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektrische Lichtquelle unter Verwendung eines gelb bis rot emittierenden Leuchtstoffs und insbesondere, aber nicht ausschließlich, Leuchtdioden (LED – Light Emitting Diodes). Der Leuchtstoff gehört zu der Klasse der seltenerdaktivierten Siliziumnitride. Weitere Anwendungsfelder sind elektrische Lampen, insbesondere Hochleistungsentladungslampen oder Fluoreszenzlampen.
  • Allgemeiner Stand der Technik
  • Für Eu2 +-dotiertes Material wird normalerweise eine UV-blau-Emission beobachtet (Blasse und Grabmeier: Luminescent Materials, Springer Verlag, Heidelberg, 1994). Mehrere Untersuchungen zeigen, daß auch eine Emission im grünen und gelben Teil des sichtbaren Spektrums möglich ist (Blasse: Special Cases of divalent lanthanide emission, Eur. J. Solid State Inorg. Chem. 33 (1996), S. 175; Poort, Blokpoel and Blasse: Luminescence of Eu2+ in Barium and Strontium Aluminate and Gallate, Chem. Mater. 7 (1995), S. 1547; Poort, Reijnhoudt, van der Kuip und Blasse: Luminescence of Eu2+ in Silicate host lattices with Alkaline earth ions in a row, J. Allogs and Corp. 241 (1996), S. 75). Bisher wird eine rote Eu2 +-Lumineszenz nur in einigen Ausnahmefällen wie etwa Erdalkalisulfiden und verwandten Gittern vom Steinsalztyp beobachtet (Nakao, Luminescence centers of MgS, CaS and CaSe Phosphors Activated with Eu2+ Ion, J. Phys. Soc. Jpn. 48 (1980), S. 534), in Erdalkali-Thiogallaten (Davolos, Garcia, Fouassier und Hagenmuller, Luminescence of Eu2+ in Strontium and Barium Thiogallates, J. Solid. State Chem. 83 (1989), S. 316) und in einigen Boraten (Diaz und Keszler; Red, Green, and Blue Eu2+ luminescence in solid state Borates: a structure-property relationship, Mater. Res. Bull. 31 (1996), S. 147). Eu2+-Lumineszenz in Erdalkali-Siliziumnitriden wurde bisher nur für MgSiN2:Eu berichtet (Gaido, Dubrovskii und Zykov: Photoluminescence of MgSiN2 Activated by Europium, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 10 (1974), S. 564; Dubrovskii, Zykov und Chernovets: Luminescence of rare earth Activated MgSiN2, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 17 (1981), S. 1421)) und Mg1-xZnxSiN2:Eu (Lim, Lee, Chang: Photoluminescence Characterization of Mg1-xZnxSiN2:Tb for Thin Film Electroluminescent Devices Application, Inorganic and Organic Electroluminescence, Berlin, Wissenschaft und Technik Verlag, (1996), S. 363). Für beide wurde Eu2 +-Lumineszenz in dem grünen und grünblauen Teil des Spektrums gefunden.
  • Neue Wirtsgitter vom Nitridosilikattyp basieren auf einem dreidimensionalen Netzwerk aus vernetzten SiN4-Tetraedern, in die Erdalkaliionen (M = Ca, Sr und Ba) eingebaut sind. Solche Gitter sind beispielsweise Ca2Si5N8 (Schlieper und Schlick: Nitridosilicate I, Hochtemperatursynthese und Kristallstruktur von Ca2Si5N8, Z. anorg. allg. Chem. 621, (1995), S. 1037), Sr2Si5N8 und Ba2Si5N8 (Schlieper, Millus und Schlick: Nitridosilicate II, Hochtempertursynthesen und Kristallstrukturen von Sr2Si5N8 und Ba2Si5N8, Z. anorg. allg. Chem. 621, (1995), S. 1380 und BaSi7N10 (Huppertz und Schnick: Edge-Sharing SiN4 tetrahedra in the highly condensed Nitridosilicate BaSi7N10, Chem. Eur. J. 3 (1997), S. 249). Die Gittertypen sind in Tabelle 1 erwähnt.
  • Sulfidbasierte Leuchtstoffe (z. B. Erdalkalisulfide) sind für Beleuchtungsanwendungen, insbesondere für LED-Anwendungen, weniger wünschenswert, da sie mit dem kapselnden Harzsystem interagieren und teilweise unter einem hydrolytischen Angriff leiden. Rot emittierende Eu2 +-aktivierte Borate zeigen bereits bei der Arbeitstemperatur von LEDs eine Temperaturlöschung bis zu einem gewissen Grad.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher in der Umgehung der Nachteile des Stands der Technik. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Bereitstellung einer Lichtquelle mit einer verbesserten Rotfarbwiedergabe R9. Eine weitere Aufgabe besteht in der Bereitstellung einer Lichtquelle mit einer verbesserten Gesamtfarbwiedergabe Ra. Eine weitere Aufgabe besteht in der Bereitstellung einer weißen LED mit einer hohen Farbwiedergabe.
  • Eine besonders hohe Stabilität bis zumindest 100°C ist für LED-Anwendungen wünschenswert. Ihre typische Arbeitstemperatur liegt bei etwa 80°C.
  • Diese Aufgaben werden durch die kennzeichnenden Merkmale von Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
  • Die Lichtquelle verwendet einen neuen gelb-rot emittierenden Leuchtstoff. Seine Absorption liegt zumindest innerhalb des blauen bis grünen Spektralbereichs. Weiterhin zeigen sie eine Fluoreszenzemisssion unter Absorption. Jene Eu2+-dotierten Lumineszenzmaterialien zeigen eine Emission innerhalb des gelben bis roten Spektralbereichs, insbesondere langwellige rote, orange oder gelbe Emission. Diese Leuchtstoffe basieren auf Erdalkali-Siliziumnitridmaterial als Wirtsgitter. Sie sind vielversprechend, insbesondere für LED-Anwendungen, wenn sie als Leuchtstoffe verwendet werden. Bisher wurden weiße LEDs realisiert, indem eine blau emittierende Diode mit einem gelb emittierenden Leuchtstoff kombiniert wurde. Eine derartige Kombination besitzt nur eine schlechte Farbwiedergabe. Eine viel bessere Leistung kann unter Einsatz eines Mehrfarbsystems erzielt werden (zum Beispiel rot-grün-blau). Das neue Material kann in der Regel zusammen mit einem grün emittierenden (oder gelb emittierenden) Leuchtstoff verwendet werden, beispielsweise Strontiumaluminat SrAl2O4:Eu2+, dessen Emissionsmaximum bei etwa 520 nm liegt.
  • Im Detail verwendet die einen gelb bis rot emittierenden Leuchtstoff verwendende neue Lichtquelle ein Wirtsgitter vom Nitridosilikattyp MxSiyNz:Eu, wobei M mindestens eines eines Erdalkalimetalls ausgewählt aus der Gruppe Ca, Sr, Ba ist und wobei z = 2/3x + 4/3y. Die Inkorporation von Stickstoff erhöht den Anteil an kovalenter Bindung und Ligandenfeldaufspaltung. Dies führt infolgedessen zu einer ausgeprägten Verschiebung von Anregungs- und Emissionsbändern zu längeren Wellenlängen im Vergleich zu Oxidgittern.
  • Bevorzugt ist der Leuchtstoff von dem Typ, wo x = 2 und y = 5. Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist der Leuchtstoff von dem Typ, wo x = 1 und y = 7.
  • Bevorzugt ist das Metall M in dem Leuchtstoff Strontium, weil der resultierende Leuchtstoff bei relativ kurzen gelben bis roten Wellenlängen emittiert. Somit ist die Effizienz im Vergleich zu den meisten der anderen gewählten Metalle M recht hoch.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform verwendet der Leuchtstoff eine Mischung aus verschiedenen Metallen, beispielsweise Ca (10 Atomprozent) zusammen mit Ba (Rest) als Komponente M.
  • Diese Materialien zeigen eine hohe Absorption und gute Anregung in dem UV- und sichtbaren blauen Spektrum (bis zu über 450 nm), eine hohe Quantenausbeute und eine geringe Temperaturlöschung bis zu 100°C.
  • Es kann für Lumineszenzkonversions-LEDs mit einer blaues Licht emittierenden Primärquelle zusammen mit einem oder mehreren Leuchtstoffen (rot und grün) verwendet werden. Ein weiteres Anwendungsfeld sind kompakte Fluoreszenzlampen und der Ersatz von Yttriumvanadat in Hochleistungsentladungslampen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1: Diffuse Reflexionsspektren von undotiertem Ba2Si5N8 und Ba2Si5N8:Eu;
  • 2: Diffuse Reflexionsspektren von undotiertem BaSi7N10 und BaSi7N10:Eu;
  • 3: Emissionsspektrum von Ba2Si5N8:Eu;
  • 4: Emissionsspektrum von BaSi7N10:Eu;
  • 57: Emissionsspektrum von mehreren Ausführungsformen von Sr2Si5N8:Eu;
  • 8: Emissionsspektrum von Ca2Si5N8:Eu;
  • 9: Emissionsspektren von weißen LEDs;
  • 10: zeigt ein Halbleiterelement, das als Lichtquelle für weißes Licht dient.
  • Ausführliche Ausführungsformen
  • Eu2O3 (mit einer Reinheit von 99,99%) oder Eu-Metall (99,99%), Ba-Metall (> 99%); Sr-Metall (99%), Ca3N2 (98%) oder Ca-Pulver (99,5%) und Si3N4 (99,9%) wurden als kommerziell erhältliche Ausgangsmaterialien verwendet. Ba und Sr wurden in einer Stickstoffatmosphäre durch Brennen bei 550 und 800°C nitriert. Danach wurde Ca3N2 oder nitriertes Ba, Ca oder Sr in einer Reibschale gemahlen und in Stickstoffatmosphäre stöchiometrisch mit Si3N4 gemischt. Die Eu-Konzentration betrug 10 Atomprozent im Vergleich zu dem Erdalkaliion. Die gepulverte Mischung wurde in Molybdäntiegeln bei etwa 1300–1400°C in einem horizontalen Rohrofen in Stickstoff-Wasserstoff-Atmosphäre gebrannt. Nach dem Brennen wurden die Pulver durch Pulver-Röntgendiffraktion (Cu, Kα-Linie) charakterisiert, die zeigte, daß alle Verbindungen entstanden waren.
  • Das undotierte Ba2Si5N8, Ca2Si5N8 und BaSi7N10 sind grauweiße Pulver. Diese undotierten seltenerdaktivierten Siliziumnitride zeigen eine hohe Reflexion im sichtbaren Bereich (400–650 nm) und einen starken Abfall bei der Reflexion zwischen 250–300 nm (1 und 2). Der Abfall beim Reflexionsvermögen wird der Wirtsgitterabsorption zugeschrieben. Die Eu-dotierten Proben sind orange-rot, mit Ausnahme von BaSi7N10:Eu, das orange-gelb ist (Tabelle 1). Die starke Färbung ist für Eu2+-dotierte seltenerdaktivierte Siliziumnitride einzigartig und macht diese Materialien zu interessanten orange-roten Leuchtstoffen. Ein typisches Beispiel eines Reflexionsspektrums von Ba2Si5N8:Eu zeigt, daß die Absorption aufgrund von Eu der Wirtsgitterabsorption überlagert wird und sich bis zu 500–550 nm erstreckt (1). Dies erklärt die rot-orange Farbe dieser Verbindungen. Ähnliche Reflexionsspektren wurden für Sr2Si5N8:Eu und Ca2Si5N8:Eu beobachtet.
  • Für BaSi7N10:Eu ist die Absorption von Eu in dem sichtbaren Teil weniger weit (2), was die orange-gelbe Farbe dieser Verbindung erklärt.
  • Alle Proben zeigen unter UV-Anregung eine effiziente Lumineszenz mit Emissionsmaxima im orange-roten Teil des sichtbaren Spektrums (siehe Tabelle 1). Zwei typische Beispiele für Emissionsspektren sind in 3 und 4 zu sehen. Sie zeigen, daß die Emission bei extrem langen Wellenlängen (bei Eu2 +-Emission) mit Maxima von bis zu 660 nm für BaSi7N10:Eu erfolgt (4). Anregungsbänder werden bei geringer Energie beobachtet, was das Ergebnis eines Schwerpunkts des Eu2 +-5d-Bandes bei niedriger Energie und einer starken Ligandenfeldteilung des Eu2 +-5d-Bandes ist, wie für N3–-haltige Gitter erwartet werden kann (van Krevel, Hintzen, Metselaar und Meijerink: Long Wavelength Ce3 +-luminescence in Y-Si-O-N Materials, J. Allogs and Corp. 168 (1998) 272).
  • Da diese Materialien aufgrund niedrigenergetischer Anregungsbänder blaues in rotes Licht konvertieren können, können sie in weißen Lichtquellen beispielsweise auf der Basis von primär blau emittierenden LEDs (in der Regel GaN oder InGaN) in Kombination mit rot, gelb und/oder grün emittierenden Leuchtstoffen angewendet werden. Tabelle 1:
    Verbindung Kristallstruktur Farbe Emissionsmaximum (nm)*
    Ca2Si5N8:Eu monoklin orange-rot 600 bis 630
    Sr2Si5N8:Eu orthorhombisch orange-rot 610 bis 650
    Ba2Si5N8:Eu orthorhombisch orange-rot 620 bis 660
    BaSi7N10:Eu monoklin orange-gelb 640 bis 680
    • * je nach den Bedingungen für die Herstellung und Konzentration des Aktivators; typische Werte für die Eu-Konzentration können zwischen 1 und 10% im Vergleich zu dem Erdalkaliion M variieren
  • Diese Emissionsmaxima sind unüblich weit in der langwelligen Seite. Ein spezifisches Beispiel ist ein Leuchtstoff des Typs Sr1,8Eu0,2Si5N8. Sein Emissionsspektrum ist in 5 gezeigt.
  • Eine weitere Ausführungsform zum Realisieren von M ist der Einsatz von Zn. Es kann Ba, Sr oder Ca vollständig oder teilweise ersetzen.
  • Eine weitere Ausführungsform für das vollständige oder teilweise Ersetzen von Si ist Ge. Eine konkrete Ausführungsform ist Sr1,8Eu0,2Ge5N8.
  • Es wurden einige weitere spezifische Beispiele untersucht.
  • Es wurden die Herstellungsbedingungen und optischen Eigenschaften des rot emittierenden Leuchtstoffs Sr2Si5N8:Eu2+ untersucht. Eine Optimierung zeigte eine Quantenausbeute von etwa 70%. Die Emission läßt sich je nach der Eu2+-Konzentration in der Probe und den Erhitzungsbedingungen zwischen 610 und 650 nm einstellen. Die Absorption bei 400 nm und 460 nm ist hoch (Reflexion von nur 15–40%), und die Temperaturlöschung der Lumineszenz bei 80°C ist niedrig (nur 4%). Die Teilchengröße des Leuchtstoffs liegt ohne Mahlen unter 5 μm. Durch diese Eigenschaften wird dieser Leuchtstoff insbesondere für Anwendungen sowohl bei der UV- als auch blauen LED sehr interessant.
  • Für die Nitridsynthese sind die Ausgangsmaterialien Si3N4 (99.9% (hauptsächlich α-Phase), Alfa-Aesar), Sr-Metall (dendritische Stücke 99,9%, Alfa-Aesar) und Eu2O3 (4 N). Das Sr-Metall muß nitriert werden und wenn statt Eu2O3 Eu-Metall verwendet wird, muß auch dieses nitriert werden.
  • Das Sr-Metall wird von Hand in einem Achatmörser in einer Argon-Handschuhbox gemahlen und dann unter N2 bei 800°C nitriert. Dies führt zu einer Nitrierung von über 80%.
  • Nach dem erneuten Mahlen wird das nitrierte Metall von Hand zusammen mit Si3N4 und Eu2O3 in der Handschuhbox wieder gemahlen und gemischt. Das Erhitzen dieser Mischung erfolgt in der Regel mit den folgenden Parametern:
    18°C/min auf 800°C
    5 Stunden bei 800°C
    18°C/min auf Tend (1300–1575°C)
    5 Stunden bei Tend (1300–1575°C)
    H2 (3,75%)/N2 4001/h
  • Mit Ca3N2 als Ausgangsmaterial wurden Ca2Si5N8:Eu2+-Proben hergestellt.
  • Ein Überblick über alle Proben ist in Tabelle 1 angegeben. In der Regel wurden die Proben zuerst auf 800°C erhitzt, und dann wurden sie ein zweites Mal in dem gleichen Zyklus auf höhere Temperaturen (1300–1600°C) erhitzt. Die Proben wurden dann gemahlen (Mühle unter Luft), gesiebt und ausgemessen. Tabelle 1: Parameter von Erhitzungszyklen von (Ca, Sr)2Si5N8:Eu2+-Proben
    Code Ca/Sr Eu2+ (%) Zeit 1 (h) Temp. 1 (°C) Zeit 2 (h) Temp. 1 (°C)
    EC/HU 31/00 Ca 10 5 800 5 1400
    EC/HU 42/00 Ca 1 5 800 5 1400
    EC/HU 41/00 Ca0,4Sr1,4 10 5 800 5 1400
    EC/HU 62/00 Sr 1 5 800 5 1400
    EC/HU 63/00 Sr 2 5 800 5 1400
    EC/HU 64/00 Sr 3 5 800 5 1400
    EC/HU 65/00 Sr 5 5 800 5 1400
    EC/HU 66/00 Sr 8 5 800 5 1400
    EC/HU 67/00 Sr 10 5 800 5 1400
  • Die Proben, die nach dieser Erhitzung erhalten wurden, zeigen eine Farbe von tieforange für 10% Eu2+ enthaltende Sr2Si5N8-Proben. Bei weniger Eu2+ ist die Farbe schwächer. Die Ca-Proben besitzen eine gelb-orange Farbe.
  • Es gibt noch ein weiteres interessantes Merkmal: Die Pulverteilchen sind sehr klein mit einer mittleren Teilchengröße d50 zwischen etwa 0,5 und 5 μm, wobei ein typischer Wert d50 = 1,3 μm beträgt. Die geringen Teilchengrößen sind für die Verarbeitung von LEDs mit lumineszierendem Material vorteilhaft. Sie gestatten beispielsweise eine homogene Verteilung in dem Harz. Tabelle 2: Optische Daten von (Ca, Sr)2Si5N8:Eu2+-Proben
    Code Ca/Sr Eu2+ (%) Em. Max nm Refl. 400% Refl. 460% QE (%) x y
    EC/HU 31/00 Ca 10 619 12 19 26 0,600 0,396
    EC/HU 42/00 Ca 1 603 47 58 37 0,555 0,435
    EC/HU 41/00 Ca0,4Sr1,4 10 660 17 22 59 0,636 0,354
    EC/HU 62/00 Sr 1 609 53 58 70 0,602 0,393
    EC/Hu 63/00 Sr 2 618 43 48 73 0,615 0,381
    EC/Hu 64/00 Sr 3 621 36 41 72 0,622 0,374
    EC/Hu 65/00 Sr 5 624 26 32 67 0,632 0,365
    EC/HU 66/00 Sr 8 636 21 26 67 0,641 0,356
    EC/HU 67/00 Sr 10 644 17 22 64 0,642 0,354
  • Hinsichtlich Tabelle 2 wurden alle Proben in der Regel zuerst in einem ersten Zyklus erhitzt (beispielsweise 800°C für 5 Stunden), wie bereits oben umrissen.
  • In Tabelle 2 sind die Position des Emissionsmaximums, die mittlere Wellenlänge, die Reflexion bei 400 und 460 nm, die Quantenausbeute und schließlich die x- und y-Farbkoordinaten enthalten.
  • Aus Tabelle 2 kann hergeleitet werden, daß die reinen Ca-Proben nicht so günstig sind wie die Sr-Proben. Es überrascht, daß die Sr-Ca-Verbindung eine Emissionswellenlänge aufweist, die größer ist als die der reinen Sr-Verbindung.
  • Spezifische Beispiele sind in 6 bis 8 gezeigt. 6 zeigt die Energieverteilung (in willkürlichen Einheiten) und die Reflexion (in Prozent) der Probe HU 64/00 (Sr2Si5N8:Eu2+) mit einem Anteil von 3% Eu und einer Quantenausbeute von 72%. 7 zeigt die Energieverteilung (in willkürlichen Einheiten) und die Reflexion (in Prozent) der Probe HU 65/00 (Sr2Si5N8:Eu2 +) mit einem Anteil von 5% Eu und einer Quantenausbeute von 67%. 8 zeigt die Energieverteilung (in willkürlichen Einheiten) und die Reflexion (in Prozent) der Probe HU 42/00 (Ca2Si5N8:Eu2 +) mit einem Anteil von 1% Eu und einer Quantenausbeute von 37%.
  • Ein spezifisches Beispiel für eine Lichtquelle ist eine weiße LED, deren Prinzip wohlbekannt ist, siehe beispielsweise US-A 5 998 925 oder US-A 6 066 861 . Sie verwendet eine blau emittierende Primärlichtquelle (Spitzenemission etwa 380 bis 470 nm), bevorzugt einen (In)GaN-Chip, dessen Strahlung von einem Konversionsmaterial auf der Basis eines Harzes und mindestens eines Leuchtstoffs teilweise absorbiert wird. Eine verbesserte Farbwiedergabe kann für eine weiße LED unter Verwendung von zwei oder drei Konversionsleuchtstoffen für ein blaues Licht der Primärlichtquelle erzielt werden. Ausführungsformen können erste Leuchtstoffe mit einer Hauptemission im Bereich 480 bis 600 nm, beispielsweise Granat auf Yttriumbasis, Thiogallate und/oder Chlorsilikate zusammen mit zweiten Leuchtstoffen der erfindungsgemäßen neuartigen seltenerdaktivierten Siliziumnitride mit einer Hauptemission über 600 nm und bevorzugt über 650 nm enthalten. Zwischen 600 und 650 nm kann eine gewisse Überlappung zwischen der Emission der verschiedenen Leuchtstoffe vorliegen. Insbesondere durch Verwendung einer weißen LED auf der Basis einer Primäremission zwischen 420 und 470 nm (Spitzenwellenlänge) zusammen mit einem ersten Leuchtstoff YAG:Ce (gelb) und einem zweiten Leuchtstoff M2Si5N8:Eu2+ (rot) wurde eine Farbwiedergabe Ra von bis zu 85 und sogar um etwa 90, je nach den Details der Mischung und der Wahl von M, erhalten.
  • Eine noch weitere Verbesserung wird durch erste Leuchtstoffe mit einer grünlicheren Emission (Maximum um 490 nm) erhalten.
  • Ein weiteres Konzept ist eine UV-Strahlung emittierende Primärlichtquelle zum Anregen von drei Leuchtstoffen (RGB-Konzept), wo die Rot-Komponente ein Leuchtstoff der erfindungsgemäßen neuartigen seltenerdaktivierten Siliziumnitride ist und die Grün- und Blau-Komponente wohlbekannte Leuchtstoffe wie oben umrissen sind.
  • Außerdem kann der erfindungsgemäße neue Leuchtstoff zum Herstellen einer höchst stabilen rot oder orange oder gelb emittierenden LED verwendet werden, die auf einer Primärlichtquelle (bevorzugt InGaN-Chip) mit einer Spitzenemission von etwa 380 bis 480 nm basieren kann, deren Lichtquelle von einem Nitridleuchtstoff der mit Eu dotierten erfindungsgemäßen Art seltenerdaktivierter Siliziumnitride vollständig konvertiert wird. Diese LEDS zeigen eine höhere Ausbeute und eine verbesserte Stabilität im Vergleich zu wohlbekannten kommerziellen LEDS mit direkter Anregung von gelben bis roten Farben.
  • 9 zeigt die spektrale Emission von mehreren weißen LEDS. Sie basieren auf einem InGaN-Chip, der Primärstrahlung mit einer Spitzenemissionswellenlänge von 460 nm emittiert, die innerhalb eines den Chip bedeckenden Epoxidharzes teilweise konvertiert wird.
  • Der schematische Aufbau einer Lichtquelle für weißes Licht ist in 10 explizit gezeigt. Die Lichtquelle ist ein Halbleiterelement (Chip 1) vom Typ InGaN mit einer Spitzenemissionswellenlänge von 460 nm und einem ersten und einem zweiten elektrischen Anschluß 2, 3 einschließlich einem Bonddraht 14, wobei das Halbleiterelement in dem Gebiet einer Vertiefung 9 innerhalb eines Grundgehäuses 8 eingebettet ist, das für Licht nicht durchlässig ist. Die Grenze zwischen Gehäuse 8 und Vertiefung 9 ist eine Wand, die als ein Reflektor für die vom Chip 1 emittierte blaue Primärstrahlung dient. Die Vertiefung 9 ist mit einer Vergußmasse 5 gefüllt, die als Hauptbestandteile ein Epoxidgießharz und Leuchtstoffpigmente 6 (weniger als 15 Gew.-% der Masse 5) umfaßt. Weitere kleine Mengen werden unter anderem durch Methylether und Aerosil beigetragen.
  • Das Harz von mehreren Ausführungsformen umfaßt verschiedene Leuchtstoffzusammensetzungen. Im Detail wird eine Referenz durch eine standardmäßige weiße LED auf der Basis einer Konversion des emittierten blauen Primärlichts nur durch YAG:Ce-Phosphor vorgegeben. Ihr Anteil beträgt 3,6 Gew.-% des Harzes (Kurve 1). Es wurden drei Ausführungsformen untersucht, die zusätzlich zu YAG:Ce Sr2Si5N8:Eu2+ enthielten. Unter Konstanthaltung des Gesamtanteils an Konversionsleuchtstoffen (3,6%) wurde eine Menge von 0,25% YAG:Ce durch Sr2Si5N8:Eu2+ ersetzt, siehe Kurve 2. Diese Menge an Sr2Si5N8:Eu2+ wurde weiter auf 0,5% (Kurve 3) und auf 0,75% (Kurve 4) erhöht. Ihre Farbwiedergabe Ra wurde bemerkenswerterweise um 6% (Kurve 2), 10% (Kurve 3) und 12% (Kurve 4) relativ zu der Referenz (Kurve 1) verbessert.

Claims (8)

  1. Lichtquelle unter Verwendung eines rot bis gelb emittierenden Leuchtstoffs, wobei der Leuchtstoff mindestens teilweise Strahlung einer Primärlichtquelle konvertiert, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff ein Wirtsgitter vom Nitridosilikattyp MxSiyNz:Eu aufweist, wobei M mindestens eines eines Erdalkalimetalls ausgewählt aus der Gruppe Ca, Sr, Ba, Zn ist, wobei z = 2/3x + 4/3y und wobei x gleich 1 oder 2, und daß, wenn x = 2, dann y = 5, und wenn x = 1, dann y = 7.
  2. Lichtquelle nach Anspruch 1, wobei M Strontium ist.
  3. Lichtquelle nach Anspruch 1, wobei M eine Mischung aus mindestens zwei Metallen der Gruppe ist.
  4. Lichtquelle nach Anspruch 1, wobei Si ganz oder teilweise durch Ge ersetzt ist.
  5. Lichtquelle nach Anspruch 1, wobei die mittlere Teilchengröße des Leuchtstoffs zwischen 0,5 und 5 μm liegt.
  6. Lichtquelle nach Anspruch 1, wobei die Lichtquelle Primarstrahlung emittiert und Sekundärstrahlung des Leuchtstoffs unter Anregung durch die Primärstrahlung emittiert wird.
  7. Lichtquelle nach Anspruch 6, wobei die Primärstrahlung blau ist, bevorzugt zwischen 420 und 470 nm (Spitzenwellenlänge) und mit der Sekundärstrahlung und fakultativ mit weiterer Sekundärstrahlung von mindestens einem weiteren Leuchtstoff kombiniert wird, um weißes Licht zu erhalten.
  8. Lichtquelle nach Anspruch 7 mit einem Farbwiedergabeindex Ra von mindestens 85, bevorzugt 90.
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TW (2) TW581801B (de)
WO (2) WO2001039574A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012101920A1 (de) * 2012-03-07 2013-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Families Citing this family (235)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
EP1104799A1 (de) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Rotstrahlendes lumineszentes Material
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
JP4789350B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4193446B2 (ja) * 2001-08-22 2008-12-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
AU2003221442A1 (en) 2002-03-22 2003-10-08 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
WO2003080763A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
DE10229267A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Vorrichtung zur optischen Signalverarbeitung und nichtlineares optisches Bauelement
AU2003252359A1 (en) 2002-08-01 2004-02-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing same and light-emitting apparatus using same
EP1413619A1 (de) * 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Lumineszentes Material, insbesondere zur Anwendung in Leuchtdioden
EP1413618A1 (de) * 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Lumineszentes Material, insbesondere zur Anwendung in Leuchtdioden
US20040061810A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Lumileds Lighting, U.S., Llc Backlight for a color LCD using wavelength-converted light emitting devices
US6717353B1 (en) * 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
ATE329479T1 (de) * 2002-10-14 2006-06-15 Koninkl Philips Electronics Nv Lichtemittierendes bauelement mit einem eu(ii)- aktivierten leuchtstoff
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
JP2004210921A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Nichia Chem Ind Ltd オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置
CN101045860B (zh) * 2002-10-16 2010-06-09 日亚化学工业株式会社 氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置
JP4529349B2 (ja) * 2002-11-08 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体および発光装置
ATE454718T1 (de) * 2002-11-08 2010-01-15 Nichia Corp Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
DE10254175A1 (de) * 2002-11-21 2004-06-09 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Plasmabildschirm mit blauemittierendem Leuchtstoff
US7544309B2 (en) * 2002-12-13 2009-06-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
KR100511562B1 (ko) * 2003-01-29 2005-09-02 한국화학연구원 백색 발광 다이오드 및 능동 발광형 액정 디스플레이에 적용되는 스트론튬실리케이트계 황색 형광체와 이의 제조방법
EP1605028B1 (de) * 2003-03-13 2016-12-07 Nichia Corporation Lichtemittierender film, lumineszierende vorrichtung, verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden films und verfahren zur herstellung einer lumineszierenden vorrichtung
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
DE10316769A1 (de) * 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
CN100383988C (zh) * 2003-08-20 2008-04-23 刘行仁 白光发光二极管及其光转换用荧光体
JP2005079500A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Lite-On Technology Corp 白色光発光装置
EP1515368B1 (de) * 2003-09-05 2019-12-25 Nichia Corporation Lichtausstattung
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
JP2005093913A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2005093912A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP4805829B2 (ja) 2003-09-24 2011-11-02 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 定義された色温度を有する白色発光led
TW200523340A (en) 2003-09-24 2005-07-16 Patent Treuhand Ges Fur Elek Sche Gluhlampen Mbh Hochefeizienter leuchtstoff
JP4457110B2 (ja) 2003-09-24 2010-04-28 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 改善された演色性を有するledをベースとする高効率の照明系
US20050069726A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Douglas Elliot Paul Light emitting composite material and devices thereof
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
JP2007513469A (ja) * 2003-11-11 2007-05-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 水銀を含まないガスが充填された低圧蒸気放電ランプ
TWI359187B (en) * 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4568894B2 (ja) 2003-11-28 2010-10-27 Dowaエレクトロニクス株式会社 複合導体および超電導機器システム
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
CN100530707C (zh) * 2004-02-20 2009-08-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含辐射源和荧光材料的照明***
EP1566426B1 (de) * 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Lichtemittierende vorrichtung, enthaltend einen wellenlängenkonvertierenden leuchtstoff
JP4511849B2 (ja) 2004-02-27 2010-07-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにled
TWI262609B (en) * 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
US7239080B2 (en) * 2004-03-11 2007-07-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd LED display with overlay
EP1734096B1 (de) * 2004-03-22 2011-07-06 Fujikura Ltd. Lichtemittierende vorrichtung und leuchtvorrichtung
US7229573B2 (en) * 2004-04-20 2007-06-12 Gelcore, Llc Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation
US20070040502A1 (en) * 2004-04-20 2007-02-22 Gelcore Llc High CRI LED lamps utilizing single phosphor
KR100887489B1 (ko) 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP4576997B2 (ja) * 2004-04-28 2010-11-10 株式会社デンソー 通信システム、鍵配信装置、暗号処理装置
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
JP4524468B2 (ja) 2004-05-14 2010-08-18 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにled
EP1753840B1 (de) * 2004-05-27 2008-05-14 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Beleuchtungssystem mit einer strahlungsquelle und einem fluoreszierenden material
JP4491585B2 (ja) 2004-05-28 2010-06-30 Dowaエレクトロニクス株式会社 金属ペーストの製造方法
CN1965614B (zh) * 2004-06-04 2010-06-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 场致发光结构和具有el结构的led
JP4414821B2 (ja) 2004-06-25 2010-02-10 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびled
JP4565141B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と発光器具
JP2008505477A (ja) * 2004-07-05 2008-02-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射線源と蛍光物質とを含む照明システム
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
WO2006005005A2 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
JP4511885B2 (ja) 2004-07-09 2010-07-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びled並びに光源
JP4521227B2 (ja) * 2004-07-14 2010-08-11 株式会社東芝 窒素を含有する蛍光体の製造方法
US7476337B2 (en) 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7138756B2 (en) 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
JP4933739B2 (ja) * 2004-08-02 2012-05-16 Dowaホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US8017035B2 (en) * 2004-08-04 2011-09-13 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
DE102004038199A1 (de) * 2004-08-05 2006-03-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED mit niedriger Farbtemperatur
US20060049414A1 (en) * 2004-08-19 2006-03-09 Chandran Ramachandran G Novel oxynitride phosphors
JP4524470B2 (ja) 2004-08-20 2010-08-18 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
JP4543250B2 (ja) 2004-08-27 2010-09-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
KR20070046927A (ko) * 2004-08-31 2007-05-03 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 형광체
JP5105347B2 (ja) 2004-09-22 2012-12-26 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
US7749405B2 (en) 2004-09-30 2010-07-06 Global Tungsten & Powders Corp. White-emitting phosphor blend and electroluminescent lamp containing same
US7452483B2 (en) * 2004-09-30 2008-11-18 Global Tungsten & Powders Corp. Yellow-emitting phosphor blend for electroluminescent lamps
US8278816B2 (en) * 2004-09-30 2012-10-02 Global Tungsten & Powders Corp. High CRI electroluminescent lamp
JP4543253B2 (ja) 2004-10-28 2010-09-15 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7321191B2 (en) * 2004-11-02 2008-01-22 Lumination Llc Phosphor blends for green traffic signals
US7671529B2 (en) * 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
EP1837386B1 (de) 2004-12-28 2016-11-23 Nichia Corporation Nitridphosphor, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung in lichtemittierender vorrichtung
JP2006213910A (ja) * 2005-01-06 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸窒化物蛍光体及び発光装置
WO2006072918A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising ceramic luminescence converter
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
JP4756261B2 (ja) 2005-01-27 2011-08-24 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP4892193B2 (ja) 2005-03-01 2012-03-07 Dowaホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7439668B2 (en) 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
WO2006095285A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7443094B2 (en) 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
US7445730B2 (en) 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
CN104759615A (zh) * 2005-04-01 2015-07-08 三菱化学株式会社 无机功能材料原料用合金粉末及荧光体
WO2006111907A2 (en) * 2005-04-20 2006-10-26 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a ceramic luminescence converter
DE102005019376A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
JP4975269B2 (ja) 2005-04-28 2012-07-11 Dowaホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
WO2006126567A1 (ja) * 2005-05-24 2006-11-30 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその利用
WO2006126817A1 (en) 2005-05-24 2006-11-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
JP4931372B2 (ja) * 2005-06-06 2012-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100601200B1 (ko) * 2005-06-17 2006-07-13 서울반도체 주식회사 적색 형광체와 이를 이용한 발광 다이오드
TW200717866A (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Toshiba Kk Semiconductor light emitting device
JP4873183B2 (ja) * 2005-08-04 2012-02-08 日亜化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
TWI266563B (en) * 2005-08-12 2006-11-11 Epistar Corp Compound, phosphor composition and light-emitting device containing the same
DE102005041153A1 (de) 2005-08-30 2007-03-01 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Nitridocarbid-Leuchtstoffe
JP2007067184A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Showa Denko Kk Ledパッケージ
JP4898332B2 (ja) * 2005-09-15 2012-03-14 セイコーインスツル株式会社 表示装置
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 led 백라이트
WO2007041563A2 (en) 2005-09-30 2007-04-12 The Regents Of The University Of California Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
DE102005059521A1 (de) * 2005-12-13 2007-06-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit einem derartigen Leuchtstoff
EP1963740A4 (de) 2005-12-21 2009-04-29 Cree Led Lighting Solutions Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
JP4991027B2 (ja) * 2005-12-26 2012-08-01 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
JP5030077B2 (ja) * 2006-01-13 2012-09-19 三菱化学株式会社 複合窒化物または複合酸窒化物セラミックス合成用前駆体およびそれを使用した複合窒化物または複合酸窒化物セラミックスの製造方法
JP5181492B2 (ja) * 2006-02-28 2013-04-10 三菱化学株式会社 蛍光体原料及び蛍光体原料用合金の製造方法
EP1999232B1 (de) 2006-03-16 2017-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd Leuchtstoff und davon gebrauch machende leuchtdiode
TW200807104A (en) 2006-04-19 2008-02-01 Mitsubishi Chem Corp Color image display device
US8282986B2 (en) 2006-05-18 2012-10-09 Osram Sylvania, Inc. Method of applying phosphor coatings
EP2022834A4 (de) 2006-05-19 2011-11-23 Mitsubishi Chem Corp Stickstoffhaltige legierung und deren verwendung zur herstellung von phosphor
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
SG138477A1 (en) * 2006-06-16 2008-01-28 Xia Lei Device with screen as remote controller for camera, camcorder or other picture/video capture device
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
CN101117576B (zh) * 2006-07-31 2010-07-28 北京中村宇极科技有限公司 一种氮氧化合物发光材料及其所制成的照明或显示光源
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
DE102006036577A1 (de) 2006-08-04 2008-02-07 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
ES2391586T3 (es) 2006-08-15 2012-11-28 Dalian Luminglight Co., Ltd. Materiales luminiscentes basados en silicato que tienen múltiples picos de emisión, procedimientos para su preparación y uso de los mismos en dispositivos de emisión de luz
JP5378644B2 (ja) 2006-09-29 2013-12-25 Dowaホールディングス株式会社 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体の製造方法
EP2070123A2 (de) 2006-10-02 2009-06-17 Illumitex, Inc. Led-system und -verfahren
KR101497104B1 (ko) * 2006-10-03 2015-02-27 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 실리케이트 할라이드 형광체 및 이를 이용한 led 조명 디바이스
JP5168880B2 (ja) * 2006-10-31 2013-03-27 東芝ライテック株式会社 発光装置
TWI359857B (en) * 2006-12-25 2012-03-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
WO2008096301A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter
JP2008208238A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Showa Denko Kk 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを備えた照明器具と画像表示装置
JP4840778B2 (ja) * 2007-03-19 2011-12-21 国立大学法人大阪大学 蛍光体の製造方法、蛍光体、並びに蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置
US8613869B2 (en) 2007-03-23 2013-12-24 Ube Industries, Inc. α-type silicon nitride phosphor and production method thereof
JP2007189254A (ja) * 2007-03-30 2007-07-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
WO2008123581A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 燃焼合成による多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体の製造方法及び多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体
DE102007018099A1 (de) * 2007-04-17 2008-10-23 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
US9279079B2 (en) 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
JP2009010315A (ja) * 2007-05-30 2009-01-15 Sharp Corp 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
WO2009003988A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-08 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Ce3+, eu2+ and mn2+ - activated alkaline earth silicon nitride phosphors and white-light emitting led
CN101157854B (zh) 2007-07-02 2010-10-13 北京宇极科技发展有限公司 一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用
US20100213822A1 (en) * 2007-08-01 2010-08-26 Satoshi Shimooka Phosphor and production method thereof, crystalline silicon nitride and production method thereof, phosphor-containing composition, and light emitting device, display and illuminating device using the phosphor
JP5200741B2 (ja) * 2007-08-01 2013-06-05 三菱化学株式会社 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料
KR101045201B1 (ko) * 2007-08-21 2011-06-30 삼성전기주식회사 (옥시)나이트라이드 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자및 형광체 제조 방법
KR20090019677A (ko) * 2007-08-21 2009-02-25 삼성전기주식회사 옥시 나이트라이드 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자및 형광체 제조 방법.
WO2009050171A2 (en) * 2007-10-15 2009-04-23 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Rare-earth doped alkaline-earth silicon nitride phosphor, method for producing and radiation converting device comprising such a phosphor
ATE509082T1 (de) * 2007-10-15 2011-05-15 Leuchtstoffwerk Breitungen Verfahren zur herstellung eines seltenerddotiertem erdalkali-siliciumnitrid- leuchtstoffes, auf diese weise herstellbarer seltenerddotierter erdalkali-siliciumnitrid- leuchtstoff und strahlungsemittierende vorrichtung mit derartigem seltenerddotiertem erdalkali-siliciumnitrid-leuchtstoff
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
JP5251140B2 (ja) * 2008-01-22 2013-07-31 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置
KR20100122485A (ko) 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
US8567973B2 (en) * 2008-03-07 2013-10-29 Intematix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
EP2262816A4 (de) * 2008-03-21 2012-02-29 Nanogram Corp Metall-siliziumnitrid- oder metall-siliziumoxynitrid-submikron-phosphorpartikel und verfahren zur synthese dieser phosphore
US8274215B2 (en) 2008-12-15 2012-09-25 Intematix Corporation Nitride-based, red-emitting phosphors
WO2009143283A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and led lighting devices using the same
EP2163593A1 (de) * 2008-09-15 2010-03-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Herstellung von nitridbasiertem Phosphor
JP2010090231A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Canon Inc 画像表示装置
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US9464225B2 (en) * 2008-11-17 2016-10-11 Cree, Inc. Luminescent particles, methods of identifying same and light emitting devices including the same
US9428688B2 (en) 2008-11-17 2016-08-30 Cree, Inc. Phosphor composition
DE102008058295A1 (de) * 2008-11-20 2010-05-27 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Rot emittierender Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff sowie Verfahren zur Herstellung des Leuchtstoffs
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
JP5549969B2 (ja) * 2009-02-12 2014-07-16 独立行政法人物質・材料研究機構 窒化物系または酸窒化物系の蛍光体原料混合物及びEuを含むSr2Si5N8、CaAlSiN3又はSrAlSiN3蛍光体の製造方法
WO2010098141A1 (ja) 2009-02-26 2010-09-02 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
DE102009010705A1 (de) 2009-02-27 2010-09-02 Merck Patent Gmbh Co-dotierte 2-5-8 Nitride
CN101629077A (zh) * 2009-08-14 2010-01-20 上海芯光科技有限公司 多元系氧氮化物基或氮化物基荧光粉及其制备方法
DE102009037732A1 (de) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Effizienz
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
TWI374704B (en) 2009-11-09 2012-10-21 Ind Tech Res Inst Light transformation particle and photobioreactor
DE102009055185A1 (de) 2009-12-22 2011-06-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigen Leuchtstoff
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
WO2011105836A2 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한국화학연구원 실리케이트계 전구체를 이용한 질화물계 형광체의 제조방법
JP2011181579A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Panasonic Corp 発光装置、及びこれを用いた照明光源、表示装置ならびに電子機器
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
DE102010028949A1 (de) 2010-05-12 2011-11-17 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Scheinwerfermodul
KR100984273B1 (ko) 2010-05-25 2010-10-01 충남대학교산학협력단 질화물 형광체, 이의 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자
WO2012006289A1 (en) 2010-07-09 2012-01-12 Nitto Denko Corporation Phosphor composition and light emitting device using the same
JP5910498B2 (ja) * 2010-08-04 2016-05-11 宇部興産株式会社 珪窒化物蛍光体用窒化珪素粉末並びにそれを用いたCaAlSiN3系蛍光体、Sr2Si5N8系蛍光体、(Sr,Ca)AlSiN3系蛍光体及びLa3Si6N11系蛍光体、及びその製造方法
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
JP5849961B2 (ja) * 2010-10-20 2016-02-03 三菱化学株式会社 共沈原料を用いた窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体、及びその原料
US8329484B2 (en) * 2010-11-02 2012-12-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Phosphor with Ce3+/Ce3+, Li+ doped luminescent materials
JP5592764B2 (ja) * 2010-11-16 2014-09-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8343785B2 (en) 2010-11-30 2013-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitridosilicate phosphor tunable light-emitting diodes by using UV and blue chips
KR101810234B1 (ko) 2010-12-01 2017-12-18 코닌클리케 필립스 엔.브이. 적색 방출 발광 물질
KR101292320B1 (ko) * 2011-03-11 2013-07-31 금호전기주식회사 형광체 및 그 제조방법
US8716731B2 (en) 2011-04-11 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Tunable phosphor for luminescent
WO2012165906A2 (ko) * 2011-06-01 2012-12-06 한국화학연구원 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용한 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법, 할로질화물 적색 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자
KR101270080B1 (ko) 2011-09-22 2013-05-31 홍혜원 고휘도 실리콘 화합물 형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자
JP6002772B2 (ja) 2011-10-17 2016-10-05 グリレム アドヴァンスド マテリアルズ カンパニー リミテッドGrirem Advanced Materials Co.,Ltd. 窒化物赤色発光材料、それを含む発光素子及び発光デバイス
CN103045256B (zh) 2011-10-17 2014-08-27 有研稀土新材料股份有限公司 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
EP2797838A4 (de) 2011-12-30 2015-07-01 Intematix Corp Nitridphosphore mit interstitiellen kationen für ladungsausgleich
DE102012000217A1 (de) 2012-01-07 2013-07-11 Michael Licht Vis led
KR101406367B1 (ko) 2012-03-28 2014-06-12 서울대학교산학협력단 나이트라이드 적색 형광체 제조 방법
US9938460B2 (en) 2012-04-02 2018-04-10 National Taiwan University Phosphor, light emitting apparatus and method of forming phosphor
WO2014008970A1 (de) * 2012-07-13 2014-01-16 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von leuchtstoffen
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
EP2883249B1 (de) * 2012-08-10 2019-10-09 Lumileds Holding B.V. Lichtemittierende diode mit phosphorumwandlung, lampe und leuchte
TWI516572B (zh) 2012-12-13 2016-01-11 財團法人工業技術研究院 螢光材料、及包含其之發光裝置
CN102994079A (zh) 2012-12-21 2013-03-27 北京有色金属研究总院 氮氧化物橙-红色荧光物质,包括其的发光膜或发光片及发光器件
CN103881706B (zh) * 2012-12-21 2016-01-20 有研稀土新材料股份有限公司 一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
WO2014151263A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
EP2990457B1 (de) 2013-04-25 2018-12-05 National Institute for Materials Science Leuchtstoff, verfahren zur herstellung von phosphor, lichtemittierendes bauelement und bildanzeigevorrichtung
DE102013105307A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung
KR20150069618A (ko) * 2013-12-13 2015-06-24 주식회사 효성 반도체 레이저 다이오드용 청색 발광 물질
EP3092284A1 (de) * 2014-01-09 2016-11-16 Merck Patent GmbH Leuchtstoffe auf basis von europium-dotierten erdalkalimetall-silicooxynitriden
KR102219263B1 (ko) * 2014-02-28 2021-02-24 대주전자재료 주식회사 산질화물계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
DE102014107972B9 (de) 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln
US9331253B2 (en) * 2014-09-03 2016-05-03 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102544954B1 (ko) * 2014-12-24 2023-06-20 루미리즈 홀딩 비.브이. 인광체 변환 led
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
JP2017088800A (ja) 2015-11-16 2017-05-25 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 蛍光体およびその製造方法
JP6460056B2 (ja) 2016-06-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体の製造方法
US10604701B2 (en) 2016-09-29 2020-03-31 Nichia Corporation Method of producing nitride fluorescent material, and nitride fluorescent material
DE102016011999A1 (de) 2016-10-06 2018-04-12 Michael Licht Uv-led
JP6843351B2 (ja) * 2017-01-05 2021-03-17 太平洋セメント株式会社 蛍光体の製造法
US11898080B2 (en) 2019-04-03 2024-02-13 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing same and light emitting element
EP3943445A1 (de) * 2020-07-21 2022-01-26 Karlsruher Institut für Technologie Schüttgüter aus dotierten multinären nitriden und nitridosilikaten, deren herstellungsverfahren und verwendungen

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6311999A (ja) * 1986-03-12 1988-01-19 日本電気株式会社 中国語の音声認識装置
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6255670B1 (en) 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6287993B1 (en) 1998-09-22 2001-09-11 Kabushiki Kaisha Ohara Long-lasting phosphorescent glasses and glass-ceramics
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
KR100683364B1 (ko) * 1999-09-27 2007-02-15 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 완전한 형광 물질 변환에 의해 백색광을 생성하는 발광다이오드 소자
EP1104799A1 (de) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Rotstrahlendes lumineszentes Material
JP2007009807A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Toyota Motor Corp 内燃機関の制御装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012101920A1 (de) * 2012-03-07 2013-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

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