DE4442466C1 - Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten Ausgangsspannung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten AusgangsspannungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung
einer geregelten Ausgangsspannung aus einer ungeregelten Ein
gangsspannung mit einem Transistor, dessen Laststrompfad zwi
schen den Eingangsanschluß zum Zuführen der ungeregelten Ein
gangsspannung und den Ausgangsanschluß zum Abgriff der gere
gelten Ausgangsspannung geschaltet ist, und mit einem Regel
verstärker, dem die geregelte Ausgangsspannung zuführbar ist
und dessen Ausgangsanschluß mit dem Steueranschluß des Tran
sistors gekoppelt ist.
Spannungsregler sind notwendig, wenn eine von außen zuführ
bare Versorgungsspannung starken Schwankungen unterliegt, die
zu versorgenden Funktionseinheiten jedoch eine möglichst kon
stante Betriebsspannung erfordern. Um einen großen zulässigen
Schwankungsbereich der Eingangsspannung zu erhalten, so daß
die versorgten Funktionseinheiten auch bei möglichst
niedriger Eingangsspannung noch arbeiten, ist es notwendig,
daß der Spannungsabfall zwischen Ausgangs- und Eingangsspan
nung möglichst gering ist. Diese Anforderungen liegen bei
spielsweise im Bereich der Kraftfahrzeugelektronik vor.
Spannungsregler mit geringem Spannungsverlust sind beispiels
weise im Lehrbuch Tietze, Schenk: "Halbleiterschaltungstech
nik", 9. Auflage, 1991, Kapitel 18.3.4, Seiten 547 bis 549
beschrieben. Zwischen dem Anschluß für die ungeregelte Ein
gangsspannung und dem Anschluß für die geregelte Ausgangs
spannung ist der Laststrompfad eines pnp-Transistors geschal
tet, wobei dessen Emitter mit dem eingangsseitigen Anschluß
und dessen Kollektor mit dem ausgangsseitigen Anschluß ver
bunden ist. Heutzutage sind die vom Spannungsregler zu ver
sorgenden Funktionseinheiten üblicherweise in CMOS-Technolo
gie hergestellt, die einen hohen Integrationsgrad und eine
geringe Verlustleistung bei niedrigen Kosten ermöglicht. Wenn
der Spannungsregler zum Erreichen einer möglichst hohen In
tegrationsdichte auf dem CMOS-Schaltkreis zusammen mit den zu
versorgenden Funktionseinheiten angeordnet sein soll, be
stehen Probleme bei der Realisierung des Regeltransistors.
Die Herstellung eines derartigen für eine hohe Stromaufnahme
ausgebildeten bipolaren pnp-Regeltransistors ist in CMOS-Herstellungsprozessen
nicht ohne weiteres möglich.
In der deutschen Offenlegungsschrift DE-A1-37 16 880 ist eine
Spannungsregelschaltung gezeigt, bei der der Laststrompfad
eines MOS-Transistors zwischen den Eingangsanschluß zum An
schluß einer ungeregelten Batteriegleichspannung und den Aus
gangsanschluß, an dem die geregelte Ausgangsspannung zum An
schluß einer Last anliegt, geschaltet ist. Eine Regelver
stärkerschaltung, der die geregelte Ausgangsspannung zuführ
bar ist, sorgt für die Ansteuerung des MOS-Transistors. Die
Versorgungsspannung des Regelverstärkers wird von einer Span
nungszerhackerschaltung bereitgestellt, die für eine Span
nungsverdopplung sorgt, so daß der MOS-Transistor voll aus
gesteuert wird.
In der Literaturstelle Electronic Design, "Microcontroller
Switches 5-A, 60-V Current Pulses", 14. Oktober 1993, Seiten
71 bis 79 ist eine Schaltung zur Ansteuerung von MOS-Transi
storen gezeigt, bei der ein High-Side-Schalter von einer
Ladungspumpe angesteuert wird. Die Ladungspumpe erzeugt eine
über der Versorgungsspannung des MOS-Transistor liegende
Spannung.
In der deutschen Patentschrift DE-C2-30 10 618 ist eine Kon
stantspannungsschaltung gezeigt, bei der im Eingangs-Aus
gangsstrompfad die Emitter-Kollektor-Strecke eines Bipolar
transistors liegt, dessen Basisanschluß von einer Regelschal
tung gesteuert wird. Eine Anlaufschaltung sorgt für eine si
chere Inbetriebnahme der Schaltung. Die Anlaufstufe enthält
einen Kondensator, dessen erster Anschluß an die ungeregelte
Eingangsspannung angeschlossen ist und dessen zweiter An
schluß über einen Widerstand nach Bezugspotential geschaltet
ist. Der zweite Anschluß des Kondensators ist außerdem über
einen Widerstand und über eine Diode in die Regelschaltung
geführt.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schaltungsan
ordnung der eingangs genannten Art anzugeben, die vollständig
in CMOS-Technologie herstellbar ist. Sie soll eine möglichst
geringe Verlustleistung bei gutem Regelverhalten aufweisen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Schaltungsan
ordnung gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Die den Ausgang des Regelverstärkers auf den Steueranschluß
des Transistors koppelnde Kapazität sorgt dafür, daß die Aus
gangsspannung auch schnelle ausgangsseitige Laständerungen
ausregelt. Die Ladungspumpe sorgt für die relativ langsame,
statische Steuerung des Regeltransistors. Die Ladungspumpe
kann demnach für eine geringe Stromaufnahme dimensioniert
werden. Dies bedeutet außerdem, daß die in der Ladungspumpe
bekanntlich notwendigen Kapazitäten relativ klein dimensio
niert werden können. Die integrierte Realisierung des Span
nungsreglers benötigt demnach einen geringen Strom und eine
geringe Fläche.
Als Regeltransistor kann ein MOS-Transistor verwendet werden,
dessen Drain-Source-Strompfad zwischen Eingangs- und Aus
gangsanschluß geschaltet ist. Alle Schaltungselemente des
Spannungsreglers können dann in integrierter CMOS-Technologie
mit der Möglichkeit der Integration von MOS-Leistungstransi
storen hergestellt werden. Vorzugsweise eignet sich ein
D-MOS-Leistungstransistor.
Der Regelverstärker weist vorzugsweise eine hohe Bandbreite
und einen niedrigen Ausgangswiderstand auf. Der Kapazitäts
wert der zwischen Regelverstärkerausgang und Steuereingang
des Regeltransistors geschalteten Kapazität sollte in der
Größenordnung der Eingangskapazität des MOS-Transistors lie
gen, vorzugsweise im Bereich vom 1/4fachen bis zum Einfachen
der Eingangskapazität des MOS-Transistors.
Ladungspumpen arbeiten bekanntlich taktgesteuert. Zur Bereit
stellung des Arbeitstakts der Ladungspumpe weist die inte
grierte Halbleiterschaltung eine Taktaufbereitungsschaltung
auf, die gegebenenfalls auf einen externen Takt synchroni
siert ist. Da die Taktaufbereitungsschaltung von der geregel
ten Ausgangsspannung versorgt wird, steht beim Einschalten
der ungeregelten Eingangsspannung kein zuverlässiges Taktsi
gnal zur Steuerung der Ladungspumpe zur Verfügung. Es ist
deshalb erforderlich, daß die geregelte Ausgangsspannung und
somit auch die ordnungsgemäße Funktion der Ladungspumpe be
reits vorliegen, bevor die Takterzeugungsschaltung aktiviert
wird. Beim Einschalten des Systems, was beispielsweise durch
einen entsprechenden Zustand eines Reset-Signals angezeigt
wird, wird die Taktversorgung der Ladungspumpe von einem
freischwingenden Oszillator bereitgestellt. Dies ist bei
spielsweise ein über einen Schmitt-Trigger rückgekoppeltes
RC-Glied. Wenn die Ausgangsspannung geregelt vorliegt, wird
das Reset-Signal abgeschaltet, und ein vom Reset-Signal ge
steuerter Multiplexer trennt die Rückkopplung des RC-Glieds
auf, so daß nunmehr der stabil vorliegende Systemtakt in die
Ladungspumpe eingespeist wird. Dadurch wird außerdem er
reicht, daß die Ladungspumpe synchron zum Systemtakt arbeitet
und keine Störungen durch Überlagerung von Schwingungen ver
ursacht werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand des in der Figur darge
stellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die Figur
zeigt die prinzipielle Realisierung der Spannungsregelungs
schaltung sowie die Schaltung zur Bereitstellung des Taktsi
gnals für die Ladungspumpe. Die ungeregelte Eingangsspannung
U wird an einem Eingangsanschluß 1 zugeführt. Dieser ist über
die Drain-Source-Strecke eines selbstsperrenden n-Kanal-MOS-Tran
sistors 3 mit einem Ausgangsanschluß 2 zum Abgriff der
geregelten Ausgangsspannung VDD verbunden. Die Ausgangsspan
nung VDD wird dem Minus-Eingang eines Regelverstärkers 4 zu
geführt. Dessen Plus-Eingang liegt an einer Referenzspannung
UR. Der Ausgang des Regelverstärkers 4 ist über einen Konden
sator 8 auf den Gateanschluß des MOS-Transistors 3 gekoppelt.
Eine zwischen den Gateanschluß des MOS-Transistors 3 und Be
zugspotential (Masse) geschaltete steuerbare Stromquelle 7
wird vom Ausgangssignal des Regelverstärkers 4 invertiert an
gesteuert. Außerdem ist eine Ladungspumpe 5 vorgesehen, deren
Ausgangsanschluß für eine erhöhte Ausgangsspannung mit dem
Gateanschluß des MOS-Transistors 3 verbunden ist. In der La
dungspumpe 5 ist eine Stromquelle 6 vorgesehen, die vom Aus
gangssignal des Regelverstärkers 4 gleichsinnig angesteuert
wird und durch die die Höhe der von der Ladungspumpe 5 er
zeugten Ausgangsspannung steuerbar ist.
Die Spannungsregelungsschaltung arbeitet folgendermaßen: Wenn
die geregelte Ausgangsspannung VDD am Anschluß 2 beispiels
weise aufgrund einer sich ändernden Belastung abfällt, wird
die vom Regelverstärker 4 gebildete Regelabweichung erhöht.
Das Ausgangssignal des Regelverstärkers 4 steigt an. Der
Spannungsanstieg wird über den Kondensator 8 auf den Gatean
schluß des MOS-Transistors 3 übertragen. Durch den relativ
konstanten Spannungsabfall längs der Gate-Source-Strecke des
MOS-Transistors 3 wird die Spannung am Anschluß 2 angehoben.
Der Strom durch die den Kondensator 8 entladende Stromquelle
7 wird wegen der gegensinnigen Ansteuerung vom Ausgang des
Regelverstärkers 4 verringert. Das dynamische Verhalten des
Regelkreises bei schnellen Belastungsänderungen der Ausgangs
spannung wird im wesentlichen durch die kapazitive Kopplung
des Regelverstärkerausgangs zum Steuereingang des Regeltran
sistors bestimmt.
Die statische Einstellung des Gatepotentials des Transistors
3 erfolgt über die Ladungspumpe 5. Der von der Stromquelle 6
eingeprägte Strom wird im vorliegend betrachteten Betriebs zu
stand durch das ansteigende Ausgangssignal des Regelverstär
kers 4 erhöht. Dies sorgt dafür, daß die Ausgangsspannung der
Ladungspumpe 5 erhöht wird. Die Gatespannung des MOS-Transi
stors 3 wird dadurch statisch gestützt. Die Stromquelle 6 be
zieht ihren Strom vom Ausgangsspannungsanschluß, wobei dieser
durch die statische Regelung nachgeregelt wird. Da die La
dungspumpe 5 den Ausgangsspannungsschwankungen am Anschluß 2
nur relativ langsam zu folgen braucht, kann die Ladungspumpe
für eine relativ geringe Stromaufnahme dimensioniert werden.
Die in der Ladungspumpe 5 vorgesehenen Kapazitäten in Form
von mindestens einem Ladekondensator und einem Umladekonden
sator können relativ klein dimensioniert werden. Da Kondensa
toren bei der monolithischen Integration flächenkritisch
sind, weist die gesamte Spannungsregelungsschaltung einen ge
ringen Flächenverbrauch auf.
Heutzutage sind Herstellungsprozesse bekannt, bei denen Lo
gikschaltungen gemeinsam mit MOS-Leistungstransistoren auf
einer integrierten Schaltung hergestellt werden können. Mit
derartigen MOS-Transistoren wurden bei praktischen Versuchen
ein Spannungsabfall am MOS-Transistor und entsprechenderweise
ein Unterschied zwischen Ausgangsspannung VDD und Eingangs
spannung U von etwa 0,4 Volt erreicht. Die Gesamtschaltung
kann demnach auch bei relativ niedriger ungeregelter Ein
gangsspannung U betrieben werden.
Zum Einschwingen der Regelung ist eine zwischen dem Anschluß
1 für die Eingangsspannung U und dem Gateanschluß des
MOS-Transistors 3 geschaltete Anlaufschaltung vorgesehen. Diese
enthält einen Strombegrenzungswiderstand 9 und eine Diode 10,
deren Kathodenanschluß mit dem Gateanschluß des MOS-Transi
stors 3 verbunden ist. Beim Einschalten der Eingangsspannung
U sind der Kondensator 8 sowie die in der Ladungspumpe 5 vor
liegenden Kondensatoren ungeladen. Die Ausgangsspannung VDD
liegt deshalb auf etwa 0 Volt. Durch die Anlaufschaltung wird
dann der Gateanschluß des MOS-Transistors 3 über die Diode 10
an die Eingangsspannung U gekoppelt, so daß am Anschluß 2 ei
ne anfängliche Betriebsspannung vorliegt. Die Eingangsspan
nung U muß mindestens so groß sein, daß diese anfängliche Be
triebsspannung ausreicht, damit die Regelschaltung an
schwingt. Der Strombegrenzungswiderstand 9 ist relativ
hochohmig zu dimensionieren, so daß die Stromquelle 7 im ein
geschwungenen Zustand nicht überlastet wird.
Es hat sich gezeigt, daß mit zunehmender Kapazität des Kon
densators 8 die Ausgangsspannungsschwankung zunehmend schnel
ler dynamisch ausgeregelt werden kann. Um den Flächenver
brauch des Kondensators 8 trotzdem möglichst gering zu hal
ten, sollte dessen Kapazität zweckmäßigerweise etwa in der
Größenordnung der Eingangskapazität des Gateanschlusses des
MOS-Transistors 3 liegen. In der Praxis wird auch ein gutes
Regelverhalten noch erreicht, wenn der Kondensator 8 einen
Kapazitätswert von 1/4 der Eingangskapazität des MOS-Transi
stors 3 aufweist.
Die Ladungspumpe 5 kann nach herkömmlichen Schaltungsprinzi
pien realisiert werden. Sie enthält beispielsweise einen La
dekondensator, an dem die erhöhte Ausgangsspannung abgreifbar
ist. Der Ladekondensator wird von einer Umladekapazität
aufgeladen und nachgeladen. Diese wird während einer ersten
Schaltphase aus der Versorgungsspannung aufgeladen, während
einer zweiten Schaltphase wird die gespeicherte Ladung mit
umgekehrter Orientierung an den Ladekondensator übertragen.
Hierzu ist bekanntlich eine Taktsteuerung notwendig. Im ein
geschwungenen Zustand wird die Taktsteuerung für die Ladungs
pumpe 5 von einer üblicherweise in der integrierten Schaltung
vorgesehenen Takterzeugungseinrichtung 20 versorgt. Die Ein
richtung 20 sorgt für die funktionsgerechte Taktaufbereitung
und -verteilung an sämtliche Funktionseinheiten der inte
grierten Schaltung. Sie wird aus der geregelten Versorgungs
spannung VDD am Anschluß 2 mit Spannung versorgt. Aus diesem
Grunde ist die Takterzeugungseinrichtung 20 beim Einschalten
der Eingangsspannung U noch nicht aktiv. Der zum Einschwingen
der Regelung notwendige Takt für die Ladungspumpe wird des
halb während der Einschwingphase von einem frei schwingenden
Oszillator 21 . . . 23 versorgt. Zur Umschaltung zwischen dem aus
dem frei schwingenden Oszillator 21 . . . 23 erzeugten Taktsignal
und dem aus der Takterzeugungseinrichtung 20 erzeugten Takt
signal ist ein Multiplexer 24 vorgesehen. Dessen Eingang zur
Steuerung der Schalteinstellung wird von einem Signal R ge
steuert. Das Signal R ist das üblicherweise vorliegende Re
set-Signal, das aktiv ist, solange die Einschwingphase vor
liegt und die geregelte Ausgangsspannung VDD noch nicht ihren
Sollwert erreicht hat. Der frei schwingende Oszillator ent
hält ein RC-Glied 22, 23, dessen Ausgang über einen Schmitt-Trigger
21 auf seinen Eingang rückgekoppelt ist. Wenn die
Ausgangsspannung VDD ihren Sollwert erreicht hat, wird das
Reset-Signal R deaktiviert, so daß der Multiplexer 24 zur
Takterzeugungsschaltung 20 umschaltet und die Rückkopplung
des frei schwingenden Oszillators aufgetrennt wird. Die La
dungspumpe schwingt nun synchron zum Systemtakt. Sie kann
dann keine durch Überlagerung von Schwingungen hervorgerufene
Störungen verursachen. Während der Einschwingphase kann der
frei schwingende Oszillator, insbesondere der Schmitt-Trigger
21, aus der anfänglich anliegenden Betriebsspannung VDD ver
sorgt werden.
Das aktive Reset-Signal R kann beispielsweise eine bestimmte
Zeitspanne lang nach dem Einschalten beispielsweise unter An
wendung einer Zeitverzögerungsschaltung aktiviert werden. Die
Zeitverzögerung muß derart lang bemessen sein, daß die gere
gelte Ausgangsspannung VDD stabil mit dem Sollwert vorliegt.
Alternativ dazu kann das Reset-Signal R aus dem internen Be
triebszustand der gezeigten Schaltung abgeleitet werden.
Hierzu wird die Spannung VDD am Anschluß 2 abgegriffen und
mit einer geeignet gewählten Schwelle verglichen. Wird die
Schwelle überschritten, bedeutet dies, daß die Ausgangsspan
nung VDD stabil vorliegt. Das Reset-Signal R wird dann abge
schaltet, so daß der Umschalter 24 auf die Takterzeugungsein
richtung 20 umschaltet.
Claims (10)
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten Aus
gangsspannung aus einer ungeregelten Eingangsspannung,
enthaltend:
- - einen Eingangsanschluß (1) zum Zuführen der ungeregelten Eingangsspannung (U) und einen Ausgangsanschluß (2) zum Abgriff der geregelten Ausgangsspannung (VDD),
- - einen Transistor (3), dessen Laststrompfad zwischen den Eingangs- und den Ausgangsanschluß (1, 2) geschaltet ist,
- - einen Regelverstärker (4), dem die geregelte Ausgangsspan nung (VDD) zuführbar ist und dessen Ausgangsanschluß mit dem Steueranschluß des Transistors (3) über eine Kapazität (8) gekoppelt ist,
- - eine durch den Regelverstärker (4) steuerbare Stromquelle (7), durch die die Kapazität (8) entladbar ist,
- - eine Ladungspumpe (5), die einen mit dem Steueranschluß des Transistors (3) verbundenen Ausgangsanschluß für eine er höhte Spannung aufweist und deren Ausgangsspannung durch den Regelverstärker (4) steuerbar ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
mit zunehmender Regelabweichung der von der steuerbaren
Stromquelle (7) eingeprägte Strom abnimmt und die Ausgangs
spannung der steuerbaren Ladungspumpe (5) zunimmt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Ladungspumpe (5) eine weitere steuerbare Stromquelle (6)
enthält, die zur steuerbaren Stromquelle (7) gegensinnig ge
steuert wird.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
gekennzeichnet durch
zwischen den Eingangsanschluß (1) und den Steuereingang des
Transistors (3) geschaltete Anlaufmittel (9, 10), durch die
beim Einschalten der Eingangsspannung (U) der Transistor (3)
leitend geschaltet wird.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Wert der Kapazität (8) im Bereich vom 1/4fachen bis zum
Einfachen der Eingangskapazität des Transistors (3) liegt.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Transistor (3) ein MOS-Transistor ist, dessen Drainan
schluß mit dem Eingangsanschluß (1) für die ungeregelte Ein
gangsspannung (U) und dessen Sourceanschluß mit dem Aus
gangsanschluß (2) für die geregelte Ausgangsspannung (VDD)
verbunden ist.
7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
gekennzeichnet durch
eine von der Ausgangsspannung (VDD) gespeiste Takterzeugungs
einrichtung (20 . . . 24), durch die die Ladungspumpe (5) mit
einem Taktsignal gespeist wird.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Takterzeugungseinrichtung (20 . . . 24) eine Umschalteinrich
tung (24) enthält, durch die die Ladungspumpe (5) in Abhän
gigkeit von einem Eingangssignal (R) entweder von einer Ein
richtung (20), die weitere auf der gemeinsamen integrierten
Schaltung vorhandenen Funktionseinheiten zur Taktsteuerung
versorgt, mit einem Taktsignal gespeist wird oder von einem
frei schwingenden Oszillator (21, 22, 23).
9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
durch die Umschalteinrichtung (24) eine im frei schwingenden
Oszillator (21, 22, 23) vorhandene Rückkopplung unterbrochen
werden kann.
10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8 oder 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
der frei schwingende Oszillator (21, 22, 23) ein RC-Glied
(22, 23) enthält, dessen Ausgang über einen Verstärker mit
Hysterese (21) auf seinen Eingang rückgekoppelt ist.
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