DE4430047C2 - Leistungs-Halbleitermodul mit verbessertem Wärmehaushalt - Google Patents
Leistungs-Halbleitermodul mit verbessertem WärmehaushaltInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungs-Halbleitermodul
der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art.
Derartige Halbleitermoduln sind gut bekannt und sie werden all
gemein zur Aufnahme einer Vielzahl von miteinander verbundenen
Halbleiterchips verwendet. Die Chips können von gleicher oder
verschiedener Art sein und sie sind auf einem Wärmeableiter oder
Kühlkörper in einem gemeinsamen Gehäuse befestigt, von dem aus
sich Anschlüsse erstrecken. Beispielsweise können Halbleiter
moduln ein Gehäuse für elektrisch miteinander verbundene Dioden,
MOSFET's, IGBT's oder bipolare Transistoren bilden, die in
unterschiedlicher Weise in Form von vorher ausgewählten Schal
tungen miteinander verbunden sind, wie zum Beispiel in Form
von Halbbrücken, Vollwellenbrücken, Spannungsverdopplern oder
dergleichen. Relativ massive Anschlüsse erstrecken sich aus dem
isolierenden Gehäuse heraus, um eine elektrische Verbindung mit
äußeren Schaltungen zu ermöglichen.
Ein Leistungs-Halbleitermodul der eingangs genannten Art ist
aus der DE 40 36 426 A1 bekannt. Bei diesem Leistungs-Halblei
termodul ist die offene Unterseite eines Isoliergehäuses durch
ein thermisch leitendes Substrat verschlossen, das auf seiner
in dem Gehäuse liegenden Oberfläche eine Isolierschicht und
eine darüber angeordnete Leiterschicht trägt, auf der einzelne
Leistungs-Halbleiterplättchen befestigt sind, wobei oberhalb
der Ebene dieser Halbleiterplättchen eine zweite, durch eine
gedruckte Leiterplatte gebildete zweite Ebene angeordnet ist,
die weitere, zu Steuerungszwecken dienende Halbleiterbauteile
oder -plättchen trägt. Das Isoliergehäuse trägt auf seiner
Außenseite Anschlußmuttern, die über sich in das Isoliergehäuse
hineinerstreckende Leitungsverbindungen mit den Leistungs-Halb
leiterplättchen verbunden sind, und weiterhin erstrecken sich
Steueranschlußstifte von der gedruckten Schaltungsplatte durch
Öffnungen in dem Isoliergehäuse hindurch zu dessen Außenseite
hin. Hierbei ergibt sich ein komplizierter Aufbau, der in der
Herstellung schwierig und aufwendig ist, da einerseits Leitungs
verbindungen zu den außerhalb des Isoliergehäuses zugänglichen
Anschlüssen erforderlich sind und andererseits auch Leitungsver
bindungen zwischen den Leistungs-Halbleiterplättchen und der ge
druckten Schaltungsplatte bzw. den darauf befindlichen Bauteilen
erforderlich sind. Weiterhin ergibt sich eine Beeinträchtigung
der Zuverlässigkeit dadurch, daß die Durchführung der Leitungs
verbindungen zu den außenliegenden Anschlüssen bzw. die
Durchführung der Anschlußstifte den Eintritt von Luft und
Feuchtigkeit in das Innere des Isoliergehäuses ermöglichen kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Leistungs-Halb
leitermodul der eingangs genannten Art zu schaffen, das bei
einer einfachen Herstellbarkeit und verbesserten Zuverlässigkeit
einen niedrigen thermischen Widerstand und einen verbesserten
Wärmehaushalt aufweist.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung
ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Bei dem erfindungsgemäßen Leistungs-Halbleitermodul sind charakteristischerweise die
Anschlüsse in einer Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte,
im folgenden als Anschlußträgerplatte bezeichnet, durch Ein
rasten in Schlitze in dieser Anschlußträgerplatte befestigt, um
den Zusammenbau des Halbleitermoduls zu vereinfachen. Jeder
Anschluß weist einen zurückgebogenen Endbereich auf, der als
flacher Anschlußansatz wirkt, der bequem mit an geeigneter
Stelle angeordneten Verbindungsbereichen oder Lötkissen auf
dem Substrat verlötet werden kann.
Dieses Substrat ist vorzugsweise ein IMS-Substrat, das heißt
ein isoliertes Metallsubstrat, an dem die Halbleiterbauelemente
in Form von Halbleiterplättchen thermisch leitend befestigt
sind. Die Ausdrücke "Chip", "Halbleiterplättchen" und "Halblei
terscheibe" werden im folgenden ohne Unterschied verwendet, um
einen nicht in einem Gehäuse angeordneten dünnen flachen
Halbleiterkörper zu bezeichnen, auf dessen gegenüberliegenden
Oberflächen Elektroden angeordnet sind. Das Halbleiterbauteil
kann von irgendeiner gewünschten
Art sein, beispielsweise eine Diode, ein Gate-gesteuertes
Leistungs-MOS-Transistorbauteil, wie zum Beispiel ein MOSFET,
ein IGBT, ein MOS-gesteuerter Thyristor oder dergleichen.
Das IMS-Substrat weist einen relativ dicken Aluminiumkörper auf,
der durch eine sehr dünne Isolierschicht bedeckt ist, die
ihrerseits ein Kupfermuster in Form von leitenden Verbindungs
bereichen trägt, die von dem Aluminium elektrisch isoliert
sind. Die Halbleiterplättchen sind vorzugsweise auf einer oder
mehreren Wärmeverteilungseinrichtungen an Mittelbereichen der
Wärmeverteilungseinrichtung angeordnet, um den Wärmehaushalt und
die Verteilung der Wärme zu verbessern, die von dem Halbleiter
plättchen während des Betriebs des Bauteils erzeugt wird.
Das IMS-Substrat weist weiterhin Leitermuster zur bequemen
Aufnahme von Verbindungsdrähten und den ersten Endbereichen
der Anschlüsse auf. Entsprechend sind die Halbleiterplättchen
intern miteinander auf dem IMS-Substrat durch Stichkontaktie
rung von parallelen Leitungsdrähten miteinander verbunden. Diese
Drähte sind schließlich mit einem Anschluß verbunden, der sich
aus dem Isoliergehäuse heraus erstreckt.
Die von der Anschlußträgerplatte gehalterten Anschlüsse sind
hinsichtlich ihrer Position bezüglich des IMS-Substrates vorher
festgelegt und enden in einer gemeinsamen Ebene, so daß sie
während des Zusammenbaus in einem einzigen Arbeitsgang mit den
Verbindungsbereichen verlötet werden können.
Bei der Anwendung der Erfindung kann eine
Positionieranordnung durch die Anschlußträgerplatte
dadurch gebildet werden, daß Abbrechstifte an den gegenüberliegenden
Enden der Anschlußträgerplatte vorgesehen werden, die während
des Zusammenbaus in den Befestigungsöffnungen des IMS-Substrates
angeordnet werden. Diese Stifte werden weggebrochen, nachdem
die Anschlüsse mit dem IMS-Substrat verlötet wurden.
Weiterhin verbleibt ein
Zwischenraum zwischen dem Boden der Anschlußträgerplatte und der
Oberseite des IMS-Substrates, wobei dieser Zwischenraum als
Ausdehnungsraum für ein weiches Silikon-Füllmaterial wirkt,
das in diesen Zwischenraum durch eine Öffnung in der Anschluß
trägerplatte hindurch eingefüllt werden kann, nachdem der Löt
vorgang beendet wurde und bevor die Isoliergehäusekappe auf
das Modul aufgesetzt wird. Nach dem Füllen wird der Zwischen
raum dadurch abgedichtet, daß die einzige zentrale Füllöffnung
in der Anschlußträgerplatte verschlossen wird.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
ist die obere Oberfläche der Anschlußträgerplatte mit Vor
sprüngen versehen, durch die sich die Anschlüsse erstrecken.
Die Innenseite der Isoliergehäusekappe ist mit einstückigen
Rippen versehen, die auf die Vorsprünge auf der Anschlußträger
platte aufgesetzt werden und diese umgeben, wenn diese beiden
Teile zusammengebaut werden. Vor dem Zusammenbau mit der Iso
liergehäusekappe wird die gesamte obere Oberfläche der Anschluß
trägerplatte mit einem geeigneten Klebemittel oder Kleber ge
füllt, so daß, wenn die Abdeckkappe an ihren Platz gebracht
wird, alle die Anschlüsse umgebenden Räume durch das Klebe
mittel abgedichtet werden, um das Eindringen von Luft oder
Verunreinigungen in das Innere des Gehäuses und in und zwischen
die verschiedenen Anschlußleitungen zu verhindern, was zu Kurz
schlüssen der Hauptanschlüsse führen könnte.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen werden im
folgenden an Hand der Zeichnung näher erläutert.
In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungs
form des Leistungs-Halbleitermoduls,
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Gehäuse des Leistungs-
Halbleitermoduls gemäß Fig. 1,
Fig. 3 eine Seitenansicht des Gehäuses des Leistungs-
Halbleitermoduls gemäß Fig. 1,
Fig. 4 eine Endansicht des Gehäuses des Leistungs-
Halbleitermoduls gemäß Fig. 1,
Fig. 5 ein Schaltbild der internen Schaltung, die in
dem Gehäuse gemäß den Fig. 1 bis 4 ausgebildet ist,
Fig. 6 eine Querschnittsansicht der Fig. 2 entlang der
Schnittlinien 6-6 gemäß Fig. 2,
Fig. 7 eine Innenansicht bei Betrachtung der Innenseite
der Isoliergehäusekappe des Leistungs-Halbleitermoduls gemäß den
Fig. 1 bis 4 und 6,
Fig. 8 eine Querschnittsansicht der Fig. 7 entlang der
Schnittlinie 8-8 gemäß Fig. 7,
Fig. 9 eine Querschnittsansicht der Fig. 7 entlang der
Schnittlinie 9-9 gemäß Fig. 7,
Fig. 10 eine Draufsicht auf die Anschlußträgerplatte
des Gehäuses gemäß den Fig. 1 bis 4 und 6 bis 9,
Fig. 11 eine Querschnittsansicht der Fig. 10 entlang der
Schnittlinie 11-11 gemäß Fig. 10,
Fig. 12 eine Unteransicht der Fig. 11 bei Betrachtung
von der Schnittlinie 12-12 aus,
Fig. 13 eine Ansicht eines Gateelektroden-Kontaktes
für einen der Steueranschlüsse für das Gehäuse
gemäß den vorhergehenden Figuren,
Fig. 14 eine Seitenansicht des Anschlusses gemäß Fig. 13,
nachdem ein unteres Ende in die Lötposition
gebogen wurde,
Fig. 15 eine Ansicht eines der Hauptanschlüsse der
Baugruppe gemäß Fig. 1,
Fig. 16 eine Seitenansicht des Anschlusses gemäß Fig. 15,
die gestrichelt zeigt, wie der Anschluß in seine
Position zum Löten gebogen wird,
Fig. 17 eine Ansicht eines zweiten Hauptanschlusses des Leistungs-Halbleitermoduls
gemäß Fig. 1,
Fig. 18 eine Seitenansicht des Anschlusses gemäß Fig. 17,
Fig. 19 eine Ansicht eines dritten Hauptanschlusses
des Leistungs-Halbleitermoduls,
Fig. 20 eine Seitenansicht des Anschlusses gemäß Fig. 19,
Fig. 21 eine auseinandergezogene perspektivische An
sicht der Anschlußträgerplatte gemäß Fig. 10, wobei die
verschiedenen Anschlüsse gemäß den Fig. 13 bis
20 für ein Einsetzen in die Anschlußträgerplatte
positioniert sind,
Fig. 22 die Anschlußplatte gemäß Fig. 21, nachdem die
Anschlüsse an ihrem Platz eingerastet und durch
die Anschlußträgerplatte festgehalten werden,
Fig. 23 eine Draufsicht auf das IMS-Substrat, bevor daran die
Wärmeverteilungseinrichtungen und die Leitungen
befestigt werden,
Fig. 24 eine Seitenansicht gemäß Fig. 23,
Fig. 25 eine Draufsicht auf eine Wärmeverteilungsein
richtung, mit der ausgewählte Chips von IGBT-
Bauteilen und Dioden mit kurzer Erholzeit ver
lötet sind,
Fig. 26 eine Seitenansicht der Wärmeverteilungsein
richtung gemäß Fig. 25,
Fig. 27 eine Draufsicht auf das IMS-Substrat gemäß
Fig. 23, nachdem die Wärmeverteilungseinrich
tungen an ihrem Platz auf dem IMS-Substrat ver
lötet wurden und Leitungsverbindungen zwischen
den verschiedenen Halbleiterplättchen und
Anschlüssen hergestellt wurden,
Fig. 28 eine Unteransicht der Anschlußträgerplatte gemäß
Fig. 22, die die Lage der Haupt-Anschlußlötkis
sen oder Bodenflächen derart zeigt, daß sie sich
an den Anschlußpositionen in Fig. 27 befinden,
wobei diese Figur weiterhin gestrichelt die weg
brechbaren Positioniervorsprünge zeigt, die die
Positionierung der Anschlußträgerplatte und der An
schlüsse gegenüber dem IMS-Substrat während des
Lötvorganges unterstützen,
Fig. 29 eines der wegbrechbaren Elemente gemäß Fig. 28
bei einer Anordnung bezüglich einer Befesti
gungsöffnung in dem IMS-Substrat,
Fig. 30 eine Querschnittsansicht, die schematisch die
Abdeckkappe, die Anschlußträgerplatte und das IMS-
Substrat in ihrer relativen Positionierung im Moment
vor dem vollständigen Zusammenbau dieser
Bauteile zeigt,
Fig. 31 eine Querschnittsansicht der Fig. 30 entlang
der Schnittlinie 31-31.
Es sei zunächst auf die Fig. 1 bis 4 Bezug genommen. In diesen
Figuren ist eine Ausführungsform eines Leistungs-Halbleitermoduls gezeigt, das eine
Isoliergehäusekappe 50 in Form eines Isolierformstückes aufweist, das an einem
IMS-Substrat 51 befestigt ist, wobei diese Teile weiter unten
ausführlich erläutert werden.
Die Isoliergehäusekappe 50 weist drei Vorsprünge 52, 53 und 54 auf, die sich
von ihrer oberen Oberfläche erstrecken und die nach unten um
gebogene Segmente von drei Bauteil-Hauptanschlüssen 55, 56 und
57 enthalten. Weiterhin sind in Fig. 1 zwei Steueranschlüsse
60 und 61 und zwei Hilfs-Leistungsanschlüsse 62 und 63 gezeigt.
Wie dies in den Fig. 2, 3 und 4 gezeigt ist, erstrecken sich
nach dem Zusammenbau der Teilbaugruppe und vor ihrer Inbetrieb
nahme die Anschlüsse 55, 56 und 57 nach oben und geben Sechs
kantmuttern aufnehmende Öffnungen 70, 71 und 72 (Fig. 2) frei,
die abgedeckt sind, wenn die Enden der Anschlüsse 55, 56 und 57
nach unten gedrückt werden. Diese Öffnungen können eine Sechs
kantmutter aufnehmen, wie sie üblicherweise für die Verbindung
von elektrischen Anschlüssen an dem Gehäuse verwendet wird.
Wie dies in Fig. 2 gezeigt ist, ist das IMS-Substrat 51 außer
dem mit Befestigungsöffnungen 73 und 74 versehen, die das
Festschrauben des IMS-Substrates und des Moduls an einem
Kühlkörper ermöglichen. Die von dem zu beschreibenden Bauteil
gebildete Schaltung ist eine Halbbrücke, die aus IGBT's 75 und
76 (bipolare Transistoren mit isolierter Gate-Elektrode) gebil
det ist, wie dies schematisch in Fig. 5 gezeigt ist. Die IGBT's
75 und 76 sind parallel zu jeweiligen Dioden mit kurzer Erhol
zeit 77 und 78 geschaltet. Die elektrischen Anschlüsse der
Halbbrückenschaltung gemäß Fig. 5 entsprechen denen, die vorher
in Fig. 1 bezeichnet wurden.
Es sei bemerkt, daß vielfältige Artenn von anderen Schaltungen
als denen, die in Fig. 5 gezeigt sind, in Verbindung mit dem
Leistungs-Halbleitermodul der beschriebenen Art verwendet werden können, bei
spielsweise Ein- und Dreiphasen-Vollwellenbrücken, Spannungs
verdoppler und dergleichen. Verschiedene Arten von Halbleiter
plättchen, wie zum Beispiel Dioden, Thyristoren, bipolare und
MOS-Transistoren, können einzeln oder parallel angeordnet
werden. Wie dies weiter unten beschrieben wurde, bestehen die
IGBT's 75 und 76 aus vier parallel geschalteten Chips oder
Halbleiterplättchen.
Die Isoliergehäusekappe 50 ist ausführlich in
den Fig. 7, 8 und 9 gezeigt. So enthält das Innere der Isoliergehäuse
kappe Öffnungen 80, 81 und 82a, durch die hindurch sich die
Anschlüsse 55, 56 und 57 in dem zusammengebauten Bauteil er
strecken können. Es ist gezeigt, daß die Öffnungen 80, 81 und 82a
von Wülsten umgeben sind, die sich von der Innenseite des
Gehäuses aus nach unten erstrecken. Andere vorspringende Wülste,
die in den Fig. 7, 8 und 9 verschiedentlich als Wülste 82, 83,
85 und 86 gezeigt sind, wirken mit einem inneren langgestreckten
Hauptwulst 87 zusammen, der sich um das gesamte Innere der Kappe
50 erstreckt. Wenn die Kappe 50 über die innere Anschlußträgerplatte
aufgesetzt wird, die weiter unten beschrieben wird, so um
schließen ringförmige Isolierräume jeden der Anschlüsse, und sie
können mit einem Silikongel oder dergleichen gefüllt werden, um
die Anschlüsse voneinander in einer sicheren und einfachen Weise
zu isolieren.
Als nächstes wird die Ausführungsform der Anschlußträgerplatte 90
beschrieben, die so ausgebildet ist, daß sie die
Hauptanschlüsse 55, 56 und 57 und die Steueranschlüsse 60 bis 63
in Einrastweise trägt. Die Anschlußträgerplatte 90 ist in den Fig. 6,
10, 11, 12, 21, 22 und 28 gezeigt. Die Anschlußträgerplatte 90 ist
ein Kunststoff-Formkörper mit einer Vielzahl von einen Abstand
aufweisenden Vorsprüngen 91 bis 94 auf seiner oberen Oberfläche.
Diese Vorsprünge werden, wie dies später gezeigt wird, in vor
springende Rippen auf der Innenseite der oberen Kappe 50 einge
setzt und werden von diesen umgeben. Das Volumen zwischen den
Vorsprüngen und das diese umgebende Volumen kann mit einem Sili
konklebemittel gefüllt werden, wie dies in Fig. 6 gezeigt ist,
bevor die Kappe 50 auf die Anschlußträgerplatte 50 aufgesetzt
wird. Die Rippen der Kappe 50 springen in das Klebemittel
vor, und wenn das Klebemittel erhärtet, sind die Anschlüsse gut
gegen Leckpfade zwischen den Anschlüssen abgedichtet.
Die Anschlußträgerplatte 90 ist weiterhin mit langgestreckten
Schlitzenn 95, 96 und 97 versehen, durch die hindurch sich
die Anschlüsse 55, 56 und 57 erstrecken können und in denen
sie festgehalten werden, wie dies weiter unten beschrieben
wird und wie dies in den Fig. 21 und 22 gezeigt ist. In der
Unterseite der Anschlußträgerplatte befinden sich langgestreckte
einstückige Kunststoffschürzen 100-101, die sich entlang
der Bodenlänge der Anschlußträgerplatte auf gegenüberliegenden
Seiten des Schlitzes 97 erstrecken. Ähnliche langgestreckte
Schürzenteile 102 und 103 erstrecken sich auf gegenüberlie
genden Seiten der Schlitze 95 und 96. Der Raum zwischen den
Schürzen 100-101 und 102-103 nimmt Ansätze der Anschlüsse
55, 56 und 57 auf, um eine gute Einrastverbindung und eine
sichere Befestigung des Anschlusses an der Anschlußträgerplatte
zu ermöglichen, wie dies weiter unten beschrieben wird, und
weiterhin werden hierdurch die Anschlüsse in dem Ausdehnungs
hohlraum isoliert.
In der Anschlußträgerplatte 90 ist weiterhin eine Durchgangsöffnung
110 vorgesehen. Wie dies weiter unten beschrieben wird, er
möglicht diese Öffnung 110 das Füllen des Raumes zwischen dem
IMS-Bauteil 51 und der Unterseite der Anschlußträgerplatte mit einem
weichen Silikon, das einen großen Ausdehnungskoeffizienten auf
weist, vor dem Zusammenbau mit der Kappe. Ein Kunststoff
stopfen oder Verschluß mit Kugelform 11 (Fig. 22) kann nach
dem Füllvorgang in die Öffnung 110 gedrückt und an seinem Platz
verklebt werden, um den Ausdehnungshohlraum abzudichten.
Die Anschlußträgerplatte 90 weist vier parallele, mit Abstand ange
ordnete Öffnungen 120, 123 (Fig. 10) auf, die die Anschlüsse
60, 62, 63 bzw. 61 für das Bauteil aufnehmen. Diese Anschlüsse
werden mit Preßsitz in die Anschlußträgerplatte eingesetzt und von
dieser als Teilbaugruppe zusammen mit den Hauptanschlüssen
55, 56 und 57 getragen.
Obwohl die verschiedenen Anschlüsse irgendeine geeignete gewünschte Form
aufweisen können, zeigen die Fig. 13 bis 20 die bei der bevor
zugten Ausführungsform verwendete
Form. So haben alle Anschlüsse 60-63 die Konstruktion des
Anschlusses 60, wie sie in den Fig. 13 und 14 gezeigt ist.
Die Anschlüsse 60-63 werden einfach in die Öffnungen 120
bis 123 eingepreßt und werden in diesen auf Grund des Preßsitzes
mit Hilfe von gebogenen oder sich verjüngenden Oberflächen
gehalten, die kraftvoll in die gegenüberliegenden Seiten der
Schlitze eingepreßt werden, um die Anschlüsse an ihrem Platz
zu halten. Es sei bemerkt, daß die Unterseite des Anschlusses
60 an seinem unteren Ende 130 in Fig. 14 nach oben gerollt ist,
um eine Abflachung zu bilden, die mit einem entsprechenden
Bereich auf dem IMS-Substrat 51 verlötet werden kann, wie dies
weiter unten beschrieben wird.
Der Anschluß 55 weist die in den Fig. 15 und 16 gezeigte Form
auf, und es sei bemerkt, daß der Anschluß mit den sich ver
jüngenden Oberflächen 131 und 132 versehen ist, die so bemessen
sind, daß sie kraftvoll in die gegenüberliegenden Enden des
Schlitzes 95 eingreifen, der den Anschluß 55 aufnimmt, um ihn
durch Reibung an seinem Platz in der Anschlußträgerplatte zu halten,
nachdem er in diesen Schlitz 165 eingesetzt wurde.
Wie dies in Fig. 18 strichpunktiert gezeigt ist, kann der vor
springende Endabschnitt 133 des Anschlusses nach oben aufge
rollt werden, wie dies strichpunktiert in Fig. 16 gezeigt ist,
um einen flachen Anschluß-Endteil 134 zu bilden, der mit einem
geeigneten Verbindungsbereich in Form eines Anschlußkissens auf dem IMS-Substrat 51 verlötet
werden kann, wie dies weiter unten beschrieben wird. Es sei
bemerkt, daß der Hauptteil 135 des Anschlusses zwischen die
Schürzen 102 und 103 in Fig. 12 paßt, wenn der Anschluß 55
in die Anschlußträgerplatte eingesetzt wird.
Die Fig. 17 und 18 zeigen den Anschluß 56, der einen langge
streckten Körper 140 und einen nach unten vorspringenden End
abschnitt 141 aufweist, der zu der in Fig. 18 gezeigten Form
142 aufgerollt werden kann, und der eine untere Abflachung
aufweist, die auf das IMS-Substrat aufgelötet werden kann.
Die Fig. 19 und 20 zeigen den Anschluß 57, der einen Hauptteil
142a und einen Endabschnitt 143 aufweist, der auf die mit ge
strichelten Linien gezeigte Form 144 nach Fig. 20 aufgerollt
werden kann. Wenn der Anschluß 57 in die Anschlußträgerplatte ein
gesetzt wird, wird er in den Schlitz 97 eingepreßt und in
diesem durch Reibung gehalten, wobei das Anschlußende 144
nach außen und nach unten vorspringt.
Alle Anschlüsse werden in die Anschlußträgerplatte 90 eingeschoben,
wie dies in den Fig. 21 und 22 gezeigt ist, und sie werden in
der Anschlußträgerplatte 90 durch Reibung oder Rastwirkung befestigt.
Die unteren Enden 130 der jeweiligen Steueranschlüsse und die
unteren Enden 134, 142 und 144 der Anschlüsse 55, 56 und 57
liegen nach dem Einbau der Anschlüsse in der Anschlußträgerplatte
90 in einer gemeinsamen Ebene. Diese unteren Oberflächen wer
den mit entsprechenden Anschluß- oder Lötkissen verlötet, die in geeigneter
Weise auf dem IMS-Substrat 51 angeordnet sind, wie dies im
folgenden beschrieben wird.
Das Substrat 51 ohne daran befestigte Halbleiterplättchen ist
in den Fig. 23 und 24 gezeigt. Das Substrat 51 ist im wesent
lichen eine dicke Platte aus Aluminium, auf deren Oberseite
eine dünne Isolierschicht angeordnet ist. Ein Kupfermuster
ist auf der Oberseite der Isolierschicht ausgebildet. IMS-
Substrate sind gut bekannt. Weil die Isolierschicht extrem
dünn ist, ermöglicht sie eine gute Wärmeübertragung von dem
Kupferbahnen auf den Hauptteil des Aluminiumsubstrates, während
gleichzeitig eine gute elektrische Isolierung zwischen diesen
Teilen erzielt wird.
Fig. 23 zeigt Kupferbereiche 150-156 auf der Oberseite des
IMS-Substrates, die von dem Aluminiumsubstrat und voneinander
isoliert sind. An den Stellen, an denen diese Kupferbereiche
schraffiert gezeigt sind, soll die Schraffierung kaschiertes
Aluminium anzeigen, das die Ausbildung einer Ultraschallver
bindung mit einem Leitungsdraht ermöglicht. Die Kupferbereiche,
die nicht kaschiert sind, bilden Verbindungsbereiche und sind für die Verlötung mit anderen
Bauteilen geeignet.
Die vergrößerten Bereiche 154 und 155 weisen jeweils Ansätze
160 und 161 auf, die zur Aufnahme von Wärmeverteilungseinrich
tungen wie zum Beispiel der Wärmeverteilungseinrichtung 170
gemäß den Fig. 25 und 26 ausgebildet sind, die aus einer
Aluminiumplatte bestehen kann, an der die verschiedenen
Halbleiterplättchen angelötet sind, die zur Erzeugung der
Halbleiterschaltung für das Modul verwendet werden. Im Fall
der Wärmeverteilungseinrichtung 170 gemäß den Fig. 25 und 26
sind an dieser vier parallel geschaltete IGBT-Halbleiter
plättchen 172-174 und Dioden 175-178 mit kurzer Erholzeit
angelötet, die alle parallel geschaltet sind. Diese Bauteile
entsprechen allgemein dem IGBT 75 und der Diode 77 mit kurzer
Erholzeit nach Fig. 5.
Zwei derartige Baugruppen auf jeweiligen Wärmeverteilungsein
richtungen werden verwendet, wie dies in Fig. 27 gezeigt ist,
wobei die Wärmeverteilungseinrichtung 170 die in den Fig. 25
und 26 gezeigte ist, während eine identische Baugruppe 180,
die dem IGBT 76 und der Diode 78 nach Fig. 5 entspricht, mit
dem Kupferbereich 155 in Fig. 27 verlötet ist.
Die Rückseite jedes Halbleiterplättchens ist auf die jeweilige
Wärmeverteilungseinrichtung 170 und 180 aufgelötet, während
die Anschlüsse auf den oberen Oberflächen des Halbleiterplätt
chens mit Hilfe von Ultraschalll unter Verwendung geeigneter
Draht- und Stichkontaktierungen verbunden sind, wie dies gut
bekannt ist. In Fig. 27 ist lediglich ein einziger Stichkontak
tierungsdraht gezeigt, obwohl in der Praxis vier parallele
Stichkontaktierungen für jede Verbindung verwendet werden.
In Fig. 27 ist der Steueranschluß 150 über eine Leiterbahn
auf dem IMS-Substrat mit den Gate-Kontakten jedes der IGBT-
Halbleiterplättchen auf der Wärmeverteilungseinrichtung 170
verbunden. Die Emitterkontakte jedes Halbleiterplättchens
auf der Wärmeverteilungseinrichtung 170 sind dann zunächst mit
einer Elektrode einer jeweiligen Diode mit kurzer Erholzeit und
dann mit dem Ansatz 190 der Leiterbahn 155 verbunden. Der
Steueranschluß 153 ist zunächst mit den leitenden Kissen 191
und 192 verbunden, die in einer (nicht gezeigten Weise) von
der Wärmeverteilungseinrichtung 170 isoliert und dann mit den
Steuerelektroden des IGBT-Halbleiterplättchens auf der Wärme
verteilungseinrichtung 180 kontaktiert sind.
Die Hauptelektroden auf den oberen Oberflächen der IGBT's auf
der Wärmeverteilungseinrichtung 180 sind dann zunächst mit
einer jeweiligen Diode mit kurzer Erholzeit und dann mit dem
leitenden Kissen 156 auf dem IMS-Substrat kontaktiert. Um
die Steuerelektroden 151 und 152 mit den Leistungsanschlüssen
56 und 57 zu verbinden, sind isolierte Drähte, die schematisch
durch gestrichelte Linien 200 bzw. 201 dargestellt sind, vor
gesehen, um diese Anschlüsse mit dem Leiterkissen-Ansatz 161
und mit dem Leiterkissen 156 zu verbinden.
Unter nachfolgender Bezugnahme auf die Fig. 22, 27 und 28 ist
es verständlich, daß die Teilbaugruppe nach Fig. 22, bei der
die verschiedenen Anschlüsse mechanisch in der Anschlußträgerplatte
gehaltert sind, einfach auf die Oberseite der IMS-Oberfläche
gemäß Fig. 27 derart aufgesetzt werden kann, daß die Kontakte
134, 142 und 144 über die freiliegenden Kupferteile der An
schlüsse 160, 156 bzw. 161 und in Kontakt mit diesen gebracht
werden. Die gesamte Teilbaugruppe unter Einschluß der unteren
Enden der Steueranschlüsse 60-63, die mit den Bereichen 150-
153 ausgerichtet sind, kann dann als vollständige Teilbaugruppe
in einem einzigen Vorgang verlötet werden.
Um die Lage der Teilbaugruppe gemäß Fig. 22 gegenüber dem IMS-
Substrat während dieses Lötvorganges festzulegen, können zwei
entfernbare Zapfen bei der Formung der Anschlußträgerplatte 90 mit
vorgesehen werden. So sind, wie dies beispielsweise in Fig. 21,
in Fig. 28 mit gestrichelten Linien und in den Fig. 30 und 31
gezeigt ist, Zapfen 210 und 211 einstückig in den Kerben in
den gegenüberliegenden Enden der Platte 90 befestigt, und sie
können leicht von dieser abgebrochen werden. Diese Positionier
zapfen 210 und 211 sind mit einen verringerten Durchmesser auf
weisenden Endteilen, wie zum Beispiel dem Endteil 212 nach Fig. 29
für den Zapfen 210 versehen, die mit engem Sitz in die Be
festigungsöffnung 73 in dem IMS-Substrat 51 passen. In ähnlicher
Weise paßt der gegenüberliegende Zapfen 210 in die Öffnung 74
des IMS-Substrates 51, so daß die gesamte Teilbaugruppe in
Fig. 22 unter Einschluß der Unterseiten der Anschlüsse genau
auf die jeweiligen Verbindungsbereiche auf dem IMS-Sub
strat 51 ausgerichtet ist, so daß der Lötvorgang erfolgen kann.
Sobald die eine Teilbaugruppe bildende Anschlußträgerplatte an ihren
Pllatz verlötet ist, weist die Unterseite der Platte einen Ab
stand von der oberen Oberfläche des IMS-Substrates auf, wie
dies am besten in Fig. 5 gezeigt ist, um einen Ausdehnungsraum
oberhalb der Halbleiterplättchen und der Drahtverbindungen zu
bilden. Es ist selbstverständlich wünschenswert, diesen die
Halbleiterplättchen und die Leiterdrähte enthaltenden Bereich
mit einer Passivierungsumgebung zu füllen, beispielsweise mit
einem weichen Silikon, das sich bei Temperaturänderungen frei
ausdehnen und eine thermische Bewegung der Halbleiterplättchen
und der Verbindungsdrähte ermöglichen kann, wobei gleichzeitig
eine vollständige Abdichtung des Gehäuses gegen den Eintritt von
Feuchtigkeit oder Verunreinigungen erzielt wird und eine
einwandfreie Isolation zwischen den verschiedenen Anschlüssen
aufrechterhalten wird.
Entsprechend wird das Volumen zwischen der Unterseite
der Anschlußträgerplatte 90 und der Oberseite des IMS-Substrates 51
über die Füllöffnung 110 in der Anschlußträgerplatte 90 mit einem
weichen Silikon bis zu einer Höhe oberhalb der verschiedenen
Halbleiterplättchen und Anschlußverbindungen gefüllt. Ein
kleiner Ausdehnungsraum kann an der Unterseite der Anschlußträger
platte 90 verbleiben, wie dies am besten aus Fig. 6 zu erkennen
ist. Fig. 6 zeigt mit einer gestrichelten Linie den Pegel, bis
zu dem das weiche Silikon das Innenvolumen zwischen der Ober
seite des IMS-Substrates 51 und der Unterseite der Anschlußträgerplatte
90 füllen kann. Nach dem Füllen des Volumens mit weichem
Silikon wird das Volumen durch Verstopfen der Öffnung 110
verschlossen, beispielsweise mit einer Kunststoffkugel 111,
die an ihrem Platz festgeklebt wird.
Die Kappe 50 wird als nächstes dadurch befestigt, daß die
Anschlüsse 55, 56 und 57 durch die Öffnungen 80, 81 und 82
in der Kappe geschoben werden, bis die Biegelinien dieser
Anschlüsse glatt mit den Oberseiten der Vorsprünge 52, 53 und
54 nach Fig. 1 abschließen, so daß die Anschlüsse leicht umge
bogen werden können, nachdem der Zusammenbau beendet ist.
Um eine gute Isolation zwischen den Anschlüssen in dem Bereich
zwischen der Unterseite der Kappe und der Oberseite der
Anschlußträgerplatte 90 sicherzustellen, wird eine Konstruk
tion vorgesehen, bei der die Anschlußträgerplatte mit nach oben vor
springenden Vorsprüngen 91, 92, 93 und 94 versehen ist, die in
die vorspringenden Rippen, wie zum Beispiel die Rippen 82, 83,
84, 85 und 86 und die hierdurch eingeschlossenen Bereiche in
der Unterseite der Kappe eingesetzt oder von diesen
umgeben sind. Das Einsetzen dieser Bereiche ineinander trägt zur
Isolation der Anschlüsse voneinander bei. Vorzugsweise wird
der Bereich an der Oberseite der Anschlußträgerplatte 90, der von dem Wulst
20 umgeben ist (Fig. 10 und 21) nahezu bis zur Hälfte seiner
Höhe mit einem geeigneten Klebemittel gefüllt. Dieses Klebe
mittel umgibt die Anschlüsse 55, 56 und 57 in Fig. 2. Wenn die
Kappe 50 dann zusammengebaut wird, so springen die ver
schiedenen Rippen in die zwischen den Vorsprüngen 91-94 ge
bildeten Zwischenräume und um diese Vorsprünge herum in das
Klebemittel vor, wodurch eine wirkungsvolle Abdichtung der
Anschlüsse erzielt wird und das gesamte Gehäuse gegen den
Eintritt von Feuchtigkeit geschützt wird. Zur gleichen Zeit
kann das Klebemittel weiterhin zur Erzielung einer Abdichtung
um den Rand des IMS-Substrates 51 herum und zwischen diesem
Rand und der Nut an der Unterseite der Kappe 50 verwendet
werden, die in Fig. 6 gezeigt ist. Damit ergibt sich ein voll
ständig abgedichtetes Gehäuse, dessen Anschlüsse sehr gut
ineinander isoliert sind, wobei die Halbleiterbauteile in
dem Gehäuse in sicherer Weise durch ein Silikon passiviert
sind, das sich frei ausdehnen und zusammenziehen kann.
In der vorstehenden Beschreibung wurde das
bevorzugte Ausführungsbeispiel mit speziellen Abmessungen
gezeigt. Es ist verständlich, daß sich die gezeigten Ab
messungen ändern können, ohne daß der Grundgedanke der Er
findung verlassen wird. Beispielsweise kann die Breite des
Bauteils verdoppelt werden, um Raum für eine dritte und
vierte Wärmeverteilungseinrichtung mit Halbleiterbauteilen
zu schaffen, die parallel zu denen auf den Wärmeverteilungs
einrichtungen 170 und 180 geschaltet werden können. Somit
könnte das IMS-Substrat 51 doppelt so breit sein, und alle
Bauteile würden im übrigen breiter gemacht werden, um sie
an diese neue Abmessung anzupassen.
Dabei ermöglicht die beschriebene Ausführungsform die Verwendung einer Wärme
verteilungseinrichtung von maximaler Größe, um das maximale
thermische Betriebsverhalten für das Gehäuse zu erzielen. Die
Ausgestaltung der Anschluß-Abdichtung ergibt eine zuverlässige
Abdichtung mit der Möglichkeit einer Ausdehnung des Silikongels,
und die ein Formteil darstellende und vormontierte Anschluß
platte macht die Gesamtbaugruppe leichter herstellbar. Diese
drei Punkte ergeben eine IMS-Gehäuseanordnung mit verbesser
ten Betriebseigenschaften, einer verbesserten Zuverlässigkeit
und einer vereinfachten Herstellbarkeit.
Die Betriebsleistung wird z. B. dadurch verbessert, daß parallel geschaltete
IGBT-Halbleiterplättchen verwendet werden, um Hochstrom-
Schalter zu schaffen. Die Gate-Widerstände sind in die
Halbleiterplättchen mit integriert, so daß die Gates durch
Kontaktierung miteinander verbunden werden können, wodurch
der IMS-Substratleiter- und Widerstandsbereich entfallen kann.
Dies ermöglicht es, daß die Wärmeverteilungseinrichtungen
vergrößert werden können, um die Abfuhr der Verlustleistung
über den Epoxy-Isolator des IMS-Substrates maximal
zu machen.
Die Zuverlässigkeit wird durch das Silikongel vergrößert, das
die Halbleiterplättchen gegenüber Feuchtigkeit und anderen
Umgebungsbedingungen schützt. In Hochleistungsmoduln, bei
denen es erforderlich ist, daß große Kupferanschlüsse an der
Oberseite der Gehäuseanordnung austreten, mußte man
bisher auf die Oberseite des Silikongels ein relativ steifes
Epoxy-Material auffüllen. Hierdurch wird das Silikongel fest
eingeschlossen, wodurch in vielen Fällen ein Reißen der
Gehäuseanordnung und ein entsprechendes Auslecken des Silikon
gels und damit Schäden an der Silikonabdichtung hervorgerufen
wurden. Die Anschlußhalterung, die eine mechanische Abstützung
und Abdichtung an der beschriebenen Anschlußträgerplatten-
Kappen-Verbindung ergibt, ergibt einen Ausdehnungsraum
oberhalb des Silikongels. Dieser Ausdehnungsraum verhindert,
daß sich ausdehnendes Silikon die Gehäuseanordnung bei hohen
Temperaturen aufreißt. Die als Formstück ausgebildete Anschluß
trägerplatte ergibt einen leicht herzustellenden, eine hohe
Präzision aufweisenden Träger für die Anschlüsse, was es ermög
licht, daß sie mit dem Substrat-Leiterbahnmuster und mit dem
Gehäuse als einzige vormontierte Einheit ausgerichtet werden.
Hierdurch werden Ausrichtlehren und komplizierte Anordnungs
systeme für das Lötaufschmelzverfahren, für die Anordnung der
Bauteile und für das Verschließen des Gehäuses vermieden.
Claims (17)
1. Leistungs-Halbleitermodul mit einem Isoliergehäuse, das
eine Isoliergehäusekappe mit einer offenen Unterseite bildet,
mit einem thermisch leitenden Substrat, das sich über die
offene Unterseite der Isoliergehäusekappe erstreckt, an dieser
befestigt ist und eine Vielzahl von miteinander verbundenen
Halbleiterbauelementen trägt, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte (90) in das Innere der Isoliergehäusekappe (50) eingesetzt ist und eine Vielzahl von voneinander isolierten starren Anschlüssen (55-57, 60-63) derart haltert, daß sich die einen Endbereiche der Anschlüsse senkrecht zur Ebene des Substrates (51) nach außen erstrecken, wobei
die Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte (90) durchgehende, mit Abstand voneinander angeordnete Öffnungen aufweist, die die Vielzahl der Anschlüsse (55-57, 60-63) aufnehmen, um die Anschlüsse parallel beabstandet und isoliert voneinander zu haltern, wobei
die anderen Endbereiche der Anschlüsse in einer Ebene angeordnet sind, die koplanar zur oberen Oberfläche des Substrates (51) ist,
daß die obere Oberfläche des Substrates (51) mit Abstand voneinander angeordnete leitende Verbindungsbereiche (156, 160, 190) in ent sprechender Ausrichtung mit den jeweiligen anderen Endbereichen der Anschlüsse (55-57, 60-63) aufweist, die Endberei che der Anschlüsse mechanisch an ausgewählten Verbindungsbe reichen befestigt sind,
daß die Bodenfläche der Kunststoff-Formkörper-Anschlußträger platte (90) mit Abstand von der Oberseite des Substrates (51) angeordnet ist, um einen Hohlraum oberhalb des Substrates zu bilden, und
daß die Isoliergehäusekappe (50) mit Abstand voneinander ange ordnete Öffnungen an den Positionen der Anschlüsse entsprechen den Stellen aufweist, wobei sich die einen Endbereiche der Anschlüsse durch die Öffnungen in der Isoliergehäusekappe (50) hindurch erstrecken und die Außenanschlüsse des Moduls bilden.
daß eine Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte (90) in das Innere der Isoliergehäusekappe (50) eingesetzt ist und eine Vielzahl von voneinander isolierten starren Anschlüssen (55-57, 60-63) derart haltert, daß sich die einen Endbereiche der Anschlüsse senkrecht zur Ebene des Substrates (51) nach außen erstrecken, wobei
die Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte (90) durchgehende, mit Abstand voneinander angeordnete Öffnungen aufweist, die die Vielzahl der Anschlüsse (55-57, 60-63) aufnehmen, um die Anschlüsse parallel beabstandet und isoliert voneinander zu haltern, wobei
die anderen Endbereiche der Anschlüsse in einer Ebene angeordnet sind, die koplanar zur oberen Oberfläche des Substrates (51) ist,
daß die obere Oberfläche des Substrates (51) mit Abstand voneinander angeordnete leitende Verbindungsbereiche (156, 160, 190) in ent sprechender Ausrichtung mit den jeweiligen anderen Endbereichen der Anschlüsse (55-57, 60-63) aufweist, die Endberei che der Anschlüsse mechanisch an ausgewählten Verbindungsbe reichen befestigt sind,
daß die Bodenfläche der Kunststoff-Formkörper-Anschlußträger platte (90) mit Abstand von der Oberseite des Substrates (51) angeordnet ist, um einen Hohlraum oberhalb des Substrates zu bilden, und
daß die Isoliergehäusekappe (50) mit Abstand voneinander ange ordnete Öffnungen an den Positionen der Anschlüsse entsprechen den Stellen aufweist, wobei sich die einen Endbereiche der Anschlüsse durch die Öffnungen in der Isoliergehäusekappe (50) hindurch erstrecken und die Außenanschlüsse des Moduls bilden.
2. Modul nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlüsse (55-57, 60-63) mit
Einrastsitz in der Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte
(90) befestigt sind.
3. Modul nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlraum zumindest teilweise
mit einem weichen Silikon-Füllmaterial gefüllt ist.
4. Modul nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoff-Formkörper-Anschluß
trägerplatte (90) eine verschließbare Öffnung (110) zum Einfül
len des weichen Silikon-Füllmaterials in den Hohlraum aufweist.
5. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat Befestigungsöffnungen
(73, 74) in Bereichen außerhalb der Isoliergehäusekappe (50) auf
weist, und daß die KKunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte
(90) entfernbare Vorsprünge (210, 211) aufweist, die in die
Befestigungsöffnungen (73, 74) einsetzbar sind, um die Position
der Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte (90) und der
anderen Endbereiche der Vielzahl von Anschlüssen (55-57, 60-63)
in Ausrichtung mit ihren jeweiligen Verbindungsbereichen auf dem
Substrat (51) während des Zusammenbaus festzulegen.
6. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die anderen Endbereiche der An
schlüsse (55-57) umgebogen sind, um ebene Endbereiche zu
bilden, die parallel zur Ebene des Substrates (51) verlaufen.
7. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein IMS-Substrat (51)
ist.
8. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß das Innere der Isoliergehäusekappe
(50) mit der Oberseite der Kunststoff-Formkörper-Anschlußträ
gerplatte (90) verklebt ist, wobei das Klebemittel den Umfang
jedes der Anschlüsse (55-57, 60, 63) an den Stellen, an denen
sie sich durch die Kunststoff-Formkörper-Anschlußträgerplatte
(90) und die Isoliergehäusekappe (50) erstrecken, umgibt und
abdichtet.
9. Modul nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß das Klebemittel ein Silikon-
Klebemittel ist.
10. Modul nach Anspruch 8 oder 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Oberseite der Kunststoff-
Formkörper-Anschlußträgerplatte eine flache, Klebemittel auf
nehmende Umrandung aufweist, durch die sich die Vielzahl von
Anschlüssen erstreckt, und daß das Innere der Isoliergehäuse
kappe eine Vielzahl von einstückigen Vorsprüngen aufweist, die
in die Umrandung vorspringen und die Anschlüsse umgeben.
11. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Halbleiterbauele
menten IGBT-Halbleiterbauelemente (172 bis 174) einschließt.
12. Modul nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß die IGBT-Halbleiterbauelemente Gate-
Widerstände in Serie mit ihren Gate-Elektroden enthalten, und
daß die Gate-Widerstände in jedes Halbleiterbauelement inte
griert sind.
13. Modul nach Anspruch 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Halbleiterbauele
menten weiterhin Dioden-Halbleiterbauelemente mit kurzer Erhol
zeit einschließt, die parallel zu jeweiligen IGBT-Halbleiter
bauelementen geschaltet sind.
14. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, daß das thermisch leitende Substrat
eine ebene dicke Bodenplatte (51) aus leitendem Material, eine
dünne Schicht aus Isoliermaterial auf der Oberseite der Boden
platte, und eine dünne Schicht aus leitendem Material umfaßt,
die auf der Oberseite des Isoliermaterials angeordnet ist und
ein vorgegebenes topologisches Muster über der Schicht aus
Isoliermaterial aufweist, daß zumindest eine ebene, leitende
Wärmeverteilungsplatte (170, 180) im wesentlichen über ihre
gesamte Bodenfläche mit einem Bereich der dünnen Schicht aus
leitendem Material verbunden ist und eine Wärmeverteilungs
platte bildet, daß zumindest ausgewählte Halbleiterbauele
mente der Vielzahl von Halbleiterbauelementen mit der oberen
Oberfläche der Wärmeverteilungsplatte (170, 180) eng benachbart
zueinander verlötet sind und sich entlang einer Linie erstrecken,
die allgemein entlang der Wärmeverteilungsplatte und
durch deren Mittelpunkt hindurch verläuft, so daß Wärme in
wirkungsvoller Weise von den Halbleiterbauelementen zum gesamten
Volumen der Wärmeverteilungsplatte abgeleitet werden kann.
15. Modul nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke Bodenplatte (51) und die
Wärmeverteilungsplatte (170, 180) aus Aluminium bestehen.
16. Modul nach Anspruch 14 oder 15,
dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeverteilungsplatte eine
rechtwinklige Platte ist, die eine Breite aufweist, die nahezu
der vollen Breite der Bodenplatte (51) entspricht.
17. Modul nach einem der Ansprüche 14 bis 16,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden-Halbleiterbauelemente mit
kurzer Erholzeit mit Abstand voneinander angeordnet sind und
sich entlang einer Linie erstrecken, die parallel zur Linie der
IGBT-Halbleiterbauelemente verläuft.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/122,052 US5408128A (en) | 1993-09-15 | 1993-09-15 | High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4430047A1 DE4430047A1 (de) | 1995-03-23 |
DE4430047C2 true DE4430047C2 (de) | 1997-05-22 |
Family
ID=22400324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944430047 Expired - Fee Related DE4430047C2 (de) | 1993-09-15 | 1994-08-24 | Leistungs-Halbleitermodul mit verbessertem Wärmehaushalt |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5408128A (de) |
JP (1) | JP2801534B2 (de) |
DE (1) | DE4430047C2 (de) |
FR (1) | FR2710190B1 (de) |
GB (1) | GB2282007B (de) |
IT (1) | IT1280673B1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10024377A1 (de) * | 2000-05-17 | 2001-11-29 | Eupec Gmbh & Co Kg | Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6002183A (en) * | 1995-05-04 | 1999-12-14 | Iversen; Arthur H. | Power semiconductor packaging |
JP2979923B2 (ja) * | 1993-10-13 | 1999-11-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3051011B2 (ja) * | 1993-11-18 | 2000-06-12 | 株式会社東芝 | パワ−モジュ−ル |
US5539254A (en) * | 1994-03-09 | 1996-07-23 | Delco Electronics Corp. | Substrate subassembly for a transistor switch module |
JP3316714B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2002-08-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DE4421319A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-21 | Abb Management Ag | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
US5902959A (en) * | 1996-09-05 | 1999-05-11 | International Rectifier Corporation | Lead frame with waffled front and rear surfaces |
DE19646396C2 (de) * | 1996-11-11 | 2001-06-28 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul für verschiedene Schaltungsvarianten |
US6828600B2 (en) * | 1997-05-09 | 2004-12-07 | Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh | Power semiconductor module with ceramic substrate |
DE19719703C5 (de) * | 1997-05-09 | 2005-11-17 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat |
DE19722355A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung elektrischer Baugruppen und elektrische Baugruppe |
US6147869A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-14 | International Rectifier Corp. | Adaptable planar module |
US6078501A (en) * | 1997-12-22 | 2000-06-20 | Omnirel Llc | Power semiconductor module |
US5895974A (en) * | 1998-04-06 | 1999-04-20 | Delco Electronics Corp. | Durable substrate subassembly for transistor switch module |
US6127727A (en) * | 1998-04-06 | 2000-10-03 | Delco Electronics Corp. | Semiconductor substrate subassembly with alignment and stress relief features |
US6166464A (en) * | 1998-08-24 | 2000-12-26 | International Rectifier Corp. | Power module |
US6302192B1 (en) * | 1999-05-12 | 2001-10-16 | Thermal Corp. | Integrated circuit heat pipe heat spreader with through mounting holes |
US6896039B2 (en) * | 1999-05-12 | 2005-05-24 | Thermal Corp. | Integrated circuit heat pipe heat spreader with through mounting holes |
US6362964B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-03-26 | International Rectifier Corp. | Flexible power assembly |
JP2002026251A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US20020185726A1 (en) * | 2001-06-06 | 2002-12-12 | North Mark T. | Heat pipe thermal management of high potential electronic chip packages |
US6729908B2 (en) * | 2001-07-31 | 2004-05-04 | Delphi Technologies, Inc. | Battery pack having perforated terminal arrangement |
US6534857B1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-03-18 | Northrop Grumman Corporation | Thermally balanced power transistor |
DE10214448A1 (de) * | 2002-03-30 | 2003-10-16 | Hella Kg Hueck & Co | Trennschalter |
US6880626B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-04-19 | Thermal Corp. | Vapor chamber with sintered grooved wick |
CA2505069A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-27 | Vertelink Corporation | Transpedicular intervertebral disk access methods and devices |
US6889755B2 (en) * | 2003-02-18 | 2005-05-10 | Thermal Corp. | Heat pipe having a wick structure containing phase change materials |
US6945317B2 (en) * | 2003-04-24 | 2005-09-20 | Thermal Corp. | Sintered grooved wick with particle web |
US20050022976A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-03 | Rosenfeld John H. | Heat transfer device and method of making same |
US6994152B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-02-07 | Thermal Corp. | Brazed wick for a heat transfer device |
WO2005006395A2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Thermal Corp. | Heat transfer device and method of making same |
US6938680B2 (en) * | 2003-07-14 | 2005-09-06 | Thermal Corp. | Tower heat sink with sintered grooved wick |
DE102005037191A1 (de) * | 2005-08-06 | 2007-02-08 | Vorwerk & Co. Interholding Gmbh | Küchengefäß mit einem Heizboden |
DE112005003653B4 (de) * | 2005-08-26 | 2013-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul mit auf Schaltungsträger aufgebrachten Lastanschlusselementen und Anschlussklemmelementen |
JP4825259B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-11-30 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール及びその製造方法 |
JP5283277B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2013-09-04 | 日本インター株式会社 | パワー半導体モジュール |
CN102013578B (zh) * | 2009-09-07 | 2014-05-28 | 比亚迪股份有限公司 | 导体引出结构以及功率模块 |
US20110134607A1 (en) * | 2009-12-07 | 2011-06-09 | Schnetker Ted R | Solid state switch arrangement |
WO2012124209A1 (ja) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
WO2013146212A1 (ja) | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
EP2804212A4 (de) | 2012-03-28 | 2015-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterbauelement |
JP5831626B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-12-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6071662B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-02-01 | 京セラ株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP6171586B2 (ja) | 2013-06-04 | 2017-08-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
USD754084S1 (en) * | 2013-08-21 | 2016-04-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US9871126B2 (en) * | 2014-06-16 | 2018-01-16 | Infineon Technologies Ag | Discrete semiconductor transistor |
USD762597S1 (en) | 2014-08-07 | 2016-08-02 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
EP3203515B1 (de) * | 2014-09-30 | 2022-11-09 | Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. | Halbleitermodul mit gehäuse für verbesserte sichtprüfung |
JP1529977S (de) * | 2014-11-04 | 2015-07-27 | ||
USD748595S1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-02-02 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
USD755742S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
USD755741S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
USD759604S1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-06-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2017183621A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 富士通株式会社 | 電子機器 |
CN105789160B (zh) * | 2016-05-03 | 2017-05-24 | 扬州国扬电子有限公司 | 一种组合式电极及其三电平大功率模块 |
JP1578687S (de) * | 2016-11-08 | 2017-06-12 | ||
US10510636B2 (en) * | 2017-07-14 | 2019-12-17 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module |
US11183440B2 (en) | 2018-12-10 | 2021-11-23 | Gan Systems Inc. | Power modules for ultra-fast wide-bandgap power switching devices |
USD916039S1 (en) * | 2020-03-20 | 2021-04-13 | Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2728313A1 (de) * | 1977-06-23 | 1979-01-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
FR2503526A1 (fr) * | 1981-04-03 | 1982-10-08 | Silicium Semiconducteur Ssc | Boitier et procede de montage et d'interconnexion de composants semiconducteurs de moyenne puissance en boitier unique. |
FR2503932A1 (fr) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Thomson Csf | Boitiers a cosses plates pour composants semi-conducteurs de moyenne puissance et procede de fabrication |
JPS5968958A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体 |
JPS5972758A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタモジユ−ル |
BR8400122A (pt) * | 1983-01-12 | 1984-08-21 | Allen Bradley Co | Modulo semicondutor e embalagem de semicondutor aperfeicoada |
JPS60103649A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS63250164A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ハイパワ−用混成集積回路基板とその集積回路 |
DE3717489A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls |
JPH0648874Y2 (ja) * | 1988-10-26 | 1994-12-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH02222565A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
DE3931634A1 (de) * | 1989-09-22 | 1991-04-04 | Telefunken Electronic Gmbh | Halbleiterbauelement |
US4965710A (en) * | 1989-11-16 | 1990-10-23 | International Rectifier Corporation | Insulated gate bipolar transistor power module |
US5105259A (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-14 | Motorola, Inc. | Thermally enhanced semiconductor device utilizing a vacuum to ultimately enhance thermal dissipation |
US5194933A (en) * | 1990-10-05 | 1993-03-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device using insulation coated metal substrate |
JPH04354156A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体スイッチング装置 |
JPH0515450U (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-26 | 株式会社三社電機製作所 | 電力用半導体モジユール |
JP2656416B2 (ja) * | 1991-12-16 | 1997-09-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-15 US US08/122,052 patent/US5408128A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-24 DE DE19944430047 patent/DE4430047C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-05 GB GB9417776A patent/GB2282007B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-08 IT ITMI941840 patent/IT1280673B1/it active IP Right Grant
- 1994-09-14 JP JP22061494A patent/JP2801534B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-14 FR FR9410965A patent/FR2710190B1/fr not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10024377A1 (de) * | 2000-05-17 | 2001-11-29 | Eupec Gmbh & Co Kg | Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement |
US6802745B2 (en) | 2000-05-17 | 2004-10-12 | Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh & Co. Kg | Housing for accomodating a power semiconductor module and contact element for use in the housing |
DE10024377B4 (de) * | 2000-05-17 | 2006-08-17 | Infineon Technologies Ag | Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9417776D0 (en) | 1994-10-26 |
FR2710190B1 (fr) | 1997-04-11 |
US5408128A (en) | 1995-04-18 |
FR2710190A1 (fr) | 1995-03-24 |
GB2282007B (en) | 1997-05-28 |
DE4430047A1 (de) | 1995-03-23 |
GB2282007A (en) | 1995-03-22 |
IT1280673B1 (it) | 1998-01-26 |
ITMI941840A1 (it) | 1996-03-08 |
ITMI941840A0 (it) | 1994-09-08 |
JPH07240497A (ja) | 1995-09-12 |
JP2801534B2 (ja) | 1998-09-21 |
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Legal Events
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