DE19960013A1 - Gehäuse für Hochstrom-Bauleiterteile - Google Patents

Gehäuse für Hochstrom-Bauleiterteile

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Abstract

Ein Gehäuse für Halbleiterbauteile mit sehr hoher Leistung und sehr hohen Strömen weist einen massiven ebenen leitenden Anschluß 31 auf, der ein Halbleiterplättchen trägt. Eine dünne leitende Lasche 34 ist als Fortsetzung des Anschlusses, jedoch von diesem isoliert, vorgesehen, und liegt in einer Ebene oberhalb des massiven ebenen Anschlusses. Eine obere Elektrode des Halbleiterplättchens ist mit der Lasche 34 verbunden, und ein Isoliergehäuse 33 umschließt Teile der benachbarten Enden der Lasche 34 und des Anschlusses 31 sowie das Halbleiterplättchen und dessen Anschlußleitungen. Die freien Enden der Lasche 34 können mit Anschlußfingern 37a, 37b, 37c für eine gedruckte Leiterplatte versehen sein. Zwei Kerben 40, 41 sind in die Seiten der dünnen Lasche 34 an einer Stelle in geringem Abstand von der Oberfläche des Gehäuses eingeschnitten, durch die sich die Lasche 34 erstreckt, um eine Entlastung für mechanische Beanspruchungen für das Isoliergehäuse 33 zu schaffen, durch das sich die Lasche 34 hindurch erstreckt.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse für Hochstrom-Halbleiterbauteile der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art und insbesondere auf ein neuartiges Gehäuse mit einem Kunststoffgehäuseteil und einer leitenden Lasche.
Diskrete Halbleiterbauteile, wie z. B. Dioden, sind für Hochstromanwendungen in einer Vielzahl von Gehäusebauformen erhältlich. Beispielsweise ist ein Normgehäuse, das als das TO-247-Gehäuse bekannt ist, mit niedrigen Kosten für Hochstrom­ anwendungen verfügbar, während Bauteile für höhere Ströme allgemein in aufwendigeren Metallgehäusen oder in Leistungsmoduleinheiten angeordnet sind. Es besteht ein Bedarf an einem Gehäuse für Halbleiterbauteile für hohe Ströme, das geringere Kosten als das Metallgehäuse oder die Moduleinheit aufweist, wobei ein derartiges Gehäuse einen höheren Nennstrom als das TO-247-Gehäuse ermöglichen sollte. Insbesondere besteht ein Bedarf an einem wenig aufwendigen Gehäuse für Schottky-Dioden mit einer Nennspannung von ungefähr 45 V und einem Nennstrom von 100-175 A. In gleicher Weise besteht ein Bedarf für derartige Gehäuse für Dioden mit kurzer Erholzeit und übliche Gleichrichter, die Sperrspannungen von bis zu 1200 V oder mehr und Durchlaßströme von 70-85 A haben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gehäuse für Hochstrom- Halbleiterbauteile zu schaffen, das bei niedrigeren Kosten Bauteile mit höheren Strömen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein neuartiges Gehäuse für Halbleiterbauteile geschaffen, bei dem ein Leiterrahmen einen Kühlkörperabschnitt zur Aufnahme eines Halbleiterplättchens oder mehrerer Halbleiterplättchen sowie eine sich in entgegengesetzter Richtung erstreckende dünne ebene Lasche in einer Ebene aufweist, die gegenüber der Ebene des Kühlkörpers versetzt ist. Der Kühlkörperabschnitt und das darauf befestigte Halbleiterplättchen sind in Kunststoff eingekapselt, wobei der Kühlkörper eine sich durch eine Wand des Kunststoffgehäuses hindurch erstreckende Verlängerung aufweist und die dünne ebene Lasche sich von einer gegenüberliegenden Endwand des Gehäuses aus erstreckt. Von wesentlicher Bedeutung ist, daß die dünne Lasche zwei Schlitze in geringem Abstand von der Gehäusewand aufweist, um die Übertragung von Kraftbeanspruchungen von der Lasche auf das Gehäuse zu begrenzen, die das Gehäuse splittern oder aufbrechen lassen könnten.
Das neuartige Gehäuse ergibt ein robustes, geringe Kosten aufweisendes Hochstrom- Halbleiterbauteil mit einer geringen Bauhöhe und einem ausgezeichneten Verhältnis zwischen der Größe des Halbleiterplättchens und der Grundfläche des Gehäuses. Die dünne freiliegende, sich von dem Gehäuse fort erstreckende Lasche ergibt eine optimale Verbindung, die hohe Ströme sowie eine wirkungsvolle Wärmeabfuhr ermöglicht. Die Lasche kann weiterhin mehrere Einsteckfinger für eine gedruckte Leiterplatte (PCB) aufweisen, so daß die Leistungsdichte vorhandener Schaltungen sehr einfach mit geringen oder keinen Änderungen der Leiterplatte vergrößert werden kann. Das Gehäuse ergibt weiterhin eine große Kriechstrecke, einen niedrigen Innenwiderstand und eine niedrige Streuinduktivität, wodurch sich ein optimales Betriebsverhalten bei Anwendungen mit hohen und niedrigen Spannungen ergibt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der Zeichnungen noch näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer Ausführungsform eines Halbleiterbau­ teils mit einem Gehäuse gemäß einer bevorzugten Ausführungsform,
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Gehäuse nach Fig. 1,
Fig. 3A-3D Draufsichten auf andere Gehäuse, die gemäß der Erfindung herstellbar sind,
Fig. 4 eine Draufsicht auf den Leiterrahmen der Ausführungsform nach Fig. 1, wobei ein Schottky-Dioden-Halbleiterplättchen mit dem Leiterrahmen verbunden ist,
Fig. 5 eine Seitenansicht des Leiterrahmens und des Halbleiterplättchens nach Fig. 4,
Fig. 6, eine Seitenansicht des Leiterrahmens nach den Fig. 4 und 5 vor dem Anschluß des Halbleiterplättchens und der Trennung der Leiterrahmenabschnitte,
Fig. 7, 8 und 9 eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Unteransicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 10-15 weitere Ausführungsformen der Erfindung.
In Fig. 1 ist eine Ausführungsform des Gehäuses 30 mit einem massiven unteren leitenden Anschluß 31 gezeigt, der sich über eine Seitenfläche 32 des durch Spritz­ gußformung hergestellten Isoliergehäuses 33 hinaus erstreckt. Eine zweite Elektrode 34 in Form einer ebenen Lasche erstreckt sich von der Seitenfläche 35 des Gehäuses 33, die der Seitenfläche 32 gegenüberliegt und parallel zu dieser ist. Die Lasche 34 ist fast so breit wie die Seitenfläche 35 des Gehäuses, und sie weist eine darin ausgebildete Befestigungsöffnung 36 und Einsteckfinger 37a, 37b, 37c an ihrem äußeren freien Ende zum Einstecken in eine gedruckte Leiterplatte ein. Die Elektroden 31 und 34 sind mit der Oberseite bzw. der Unterseite eines noch zu beschreibenden Halbleiterplättchens verbunden, das in dem Gehäuse 33 enthalten ist. Dieses Halbleiterplättchen kann irgendein gewünschtes Halbleiterbauteil sein, beispielsweise eine Schottky-Diode oder irgendein anderes Bauteil mit zwei Anschlüssen. Wie dies weiter unten beschrieben wird, kann das Halbleiterplättchen jedoch auch eine Steuer­ elektrode haben, wie beispielsweise ein Leistungs-MOSFET-Halbleiterplättchen, wobei sich in diesem Fall außerdem eine Steuerelektrode von dem Gehäuse 33 aus erstreckt. Der Anschluß 31 weist eine darin ausgebildete Befestigungsöffnung 39 auf.
Als ein wesentliches Merkmal der Lasche 34 sind zwei gegenüberliegende Entlastungskerben 40 und 41 zur Entlastung von mechanischen Spannungen eng benachbart zu dem Kunststoffgehäuse 33 angeordnet, wodurch die Übertragung von mechanischen Kräften und Beanspruchungen von der Lasche 34 auf das Gehäuse 33 verringert wird.
Das Gehäuse nach den Fig. 1 und 2 kann hinsichtlich seiner Form modifiziert werden, wie dies in den Fig. 3A, 3B und 3C gezeigt ist. Ähnliche Elemente wie in den Fig. 1 und 2 sind in den Fig. 3A, 3B und 3C mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet. So ist bei dem Gehäuse nach Fig. 3A die Lasche 34 verkürzt und die Lasche 34 nach Fig. 3B weist langgestreckte Einsteckfinger 37a, 37b und 37c auf. Das Gehäuse nach Fig. 3C zeigt die Verwendung eines Steuerelektrodenfingers oder eines Steueranschlusses 60, der intern mit einer Gate-Elektrode eines MOSFET- Halbleiterplättchens im Inneren des Gehäuses 33 verbunden sein kann, während der Laschenabschnitt 61 eine Source-Elektrode mit Einsteckfingern 62 und 63 ist. Die Lasche 31 in Fig. 3c ist mit der unteren Drain-Elektrode des MOSFET- Halbleiterplättchens im Inneren des Gehäuses 33 verbunden.
Die Fig. 4, 5 und 6 zeigen die Einzelheiten des Leiterrahmens und des Halbleiterplättchens für die Ausführungsform nach den Fig. 1 und 2. So ergibt der Leiterrahmen 70 nach den Fig. 4 und 6 den Anschluß 31 und die Lasche 34. Der massivere Abschnitt des Leiterrahmens 70 weist einen sich einstückig erstreckenden Halbleiterplättchen-Aufnahmeabschnitt 71 auf, der in den Fig. 4 und 5 die untere Elektrode eines Halbleiterplättchens 72, beispielsweise durch Verlöten oder durch andere elektrische Verbindung, aufnimmt. Das Halbleiterplättchen 72 kann ein Schottky-Dioden-Halbleiterplättchen sein. Seine obere Elektrode ist über sechs Stich­ kontaktierungsdrähte 73 mit dem Laschenabschnitt 34 verbunden. Das Kunststoffgehäuse 33 wird dann in der durch strichpunktierte Linien in Fig. 5 angedeuteten Weise ausgebildet, und der Leiterrahmen wird entlang der Linien 80-84 abgetrennt, um die dicken Abschnitte 31-71 und die Lasche 34 zu trennen.
Die Fig. 7, 8 und 9 zeigen eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Unteransicht einer weiteren Ausführungsform des Halbleiterbauteils, bei der die Lasche 34 nicht mit Einsteckkontakten versehen ist, sondern über Schrauben durch eine Öffnung 36 hindurch angeschlossen ist.
Wie dies weiter oben erwähnt wurde, besteht eine Anzahl von Möglichkeiten für das endgültige Gehäuse, Einige Möglichkeiten sind in den Fig. 10-15 gezeigt. So zeigen die Fig. 12-15 Bauteile mit in der Mitte liegenden Steuerelektroden 50, die von der Lasche 37 getrennt sind. Die Fig. 15 zeigt eine optimale Struktur für die Lasche 34, die einen Anschluß über eine Schraube 31 ermöglicht.
Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, sind für den Fachmann vielfältige Abänderungen und Modifikationen und andere Anwendungen ohne weiteres ersichtlich.

Claims (7)

1. Gehäuse für ein Halbleiterbauteil für hohe Leistung und insbesondere für hohe Ströme, mit einem relativ dicken, ebenen leitenden unteren Anschluß, der in einer ersten Ebene angeordnet ist, mit zumindest einem Halbleiterplättchen, dessen untere Oberfläche auf der oberen Oberfläche des unteren Anschlusses gehaltert und mit diesem elektrisch verbunden ist, mit einer ebenen Lasche, die verglichen mit dem unteren Anschluß relativ dünn ist, wobei die ebene Lasche in einer Ebene angeordnet ist, die parallel zu der Ebene des unteren Anschlusses angeordnet ist und gegenüber dieser versetzt ist, wobei die ebene Lasche von dem unteren Anschluß elektrisch isoliert ist, wobei die Breite der Lasche im wesentlichen gleich der Breite des unteren Anschlusses ist und die Lasche in Längsrichtung gegenüber zumindest einem Teil des Hauptabschnittes des unteren Anschlusses versetzt ist, mit Verbindungseinrichtungen, die die obere Oberfläche des Halbleiterplättchens mit der leitenden Lasche verbinden, und mit einem Isoliergehäuse, das um das Halbleiterplättchen herum abgeformt ist und die Oberseite des Halbleiterplättchens, die Verbindungseinrichtungen, lediglich einen Teil der Lasche, der benachbart zu dem unteren leitenden Anschluß ist, und zumindest einen Teil des unteren leitenden Anschlusses umschließt, wodurch der untere leitende Anschluß und die Lasche äußere Anschlüsse für das Halbleiterplättchen bilden.
2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lasche erste und zweite Entlastungskerben zur Entlastung mechanischer Beanspruchungen in ihren gegenüberliegenden Seiten an Stellen benachbart zur Seitenoberfläche des Isoliergehäuses aufweist, das um den ersten Abschnitt der Lasche herum abgeformt ist, um die Übertragung von mechanischen Beanspruchungen von der Lasche auf das Gehäuse zu verringern.
3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich ein Abschnitt des unteren Anschlusses über das Gehäuse hinaus erstreckt, und daß ein Mittelteil dieses Abschnittes des unteren Anschlusses und ein Mittelteil der Lasche, der sich aus dem Gehäuse heraus erstreckt, jeweils eine sich durch diese erstreckende Öffnung aufweisen.
4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das freie Ende der Lasche eine Vielzahl von sich von dieser erstreckenden Einsteckfingern aufweist.
5. Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen ein Halbleiterbauteil bildet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Dioden, Bauteilen mit MOS-Gate-Steuerung und Thyristoren besteht.
6. Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Lasche ein koplanarer, gegenüber dieser seitlich versetzter Kontaktfinger zugeordnet ist, der sich entlang der Lasche erstreckt und von der Lasche und dem unteren Anschluß isoliert ist, daß das Halbleiterplättchen ein Bauteil mit MOS-Gate- Steuerung mit einer Gate-Elektrode auf seiner oberen Oberfläche bildet, und daß zweite Verbindungseinrichtungen, die in dem Gehäuse angeordnet sind, die Gate- Elektrode elektrisch mit dem Kontaktfinger verbinden.
7. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen eine Diode bildet.
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DE (1) DE19960013A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002056371A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-18 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur montage eines halbleiterbauelementes in ein gehäuse
EP1316999A1 (de) * 2001-11-28 2003-06-04 Continental ISAD Electronic Systems GmbH & Co. oHG Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen
DE10303933A1 (de) * 2003-01-31 2004-08-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit verringerter anschlussbedingter parasitärer Induktivität und/oder Kapazität

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4054137B2 (ja) * 1999-06-03 2008-02-27 株式会社東京アールアンドデー パワー半導体素子の給電及び放熱装置
DE502004008607D1 (en) * 2004-06-01 2009-01-15 Synthes Gmbh Osteosyntheseplatte
US20060151868A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Zhu Tinggang Package for gallium nitride semiconductor devices
US20070013053A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Peter Chou Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
JP5106528B2 (ja) * 2007-05-29 2012-12-26 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ、及び電子装置
US20110024896A1 (en) * 2008-07-07 2011-02-03 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device
US10367125B2 (en) * 2012-07-30 2019-07-30 Lumileds, LLC Strengthened LED package and method therefor
JP6162520B2 (ja) * 2013-07-26 2017-07-12 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージおよびこれを備えた実装構造体
JP7022621B2 (ja) * 2018-03-08 2022-02-18 キヤノン株式会社 制振装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3893161A (en) * 1974-02-04 1975-07-01 Jr Albert Pesak Frictionally engageable heat sink for solid state devices
IT7821073V0 (it) * 1978-03-09 1978-03-09 Ates Componenti Elettron Morsetto per il fissaggio di un dispositivo a semiconduttore ad un dissipatore di calore.
JPS62163352A (ja) * 1986-01-14 1987-07-20 Toshiba Corp 半導体装置
JPH021862U (de) * 1988-06-16 1990-01-09
JPH02304877A (ja) * 1989-05-17 1990-12-18 Seiko Epson Corp フレキシブル基板
JPH08139113A (ja) * 1994-11-09 1996-05-31 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002056371A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-18 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur montage eines halbleiterbauelementes in ein gehäuse
EP1316999A1 (de) * 2001-11-28 2003-06-04 Continental ISAD Electronic Systems GmbH & Co. oHG Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen
US7009116B2 (en) 2001-11-28 2006-03-07 Conti Temic Microelectric Contact device and a process to facilitate contact of power electronics components and an assembly that consists of one or several power electronics components
DE10303933A1 (de) * 2003-01-31 2004-08-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit verringerter anschlussbedingter parasitärer Induktivität und/oder Kapazität
DE10303933B4 (de) * 2003-01-31 2005-08-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit verringerter anschlussbedingter parasitärer Induktivität und/oder Kapazität

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