JPS5968958A - ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体

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JPS5968958A
JPS5968958A JP57180402A JP18040282A JPS5968958A JP S5968958 A JPS5968958 A JP S5968958A JP 57180402 A JP57180402 A JP 57180402A JP 18040282 A JP18040282 A JP 18040282A JP S5968958 A JPS5968958 A JP S5968958A
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gate turn
thyristor
gate
cathode
electrode
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Kozo Yamagami
山上　倖三
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は同一外装容器内に逆並列接続されたフライホ
イルダイオードを有するゲートターンオフサイリスタ組
立体に関する。
現在、省資源、省エネルギー化への対応は社会的使命と
なっている。これに対応するためパワーエレクト「」ニ
クスの分野では新機能素子の開発・実現により、その需
要が急増する傾向にある。最近とくに、インバータ、チ
ョッパ回路に用いられる素子としてゲートターンオフサ
イリスクが脚光をあびるようになってきている。この理
由としては、ゲートターンオフサイリスクが従来のトラ
ンジスタや高速スイッチングサイリスタのいずれにも優
り、スイッチング素子として理想的な特長をもっている
ことである。即ち、その大きな特長としては、■自己遮
断能力を持っている。　■僅かな制御電力で素子のオン
・オフ制御ができる。
■高耐圧、大電流の素子が作り易い。　■ブージ電流耐
量がサイリスク並みの耐量を持っている。
■ターンオフ時間の短かいものが得られる。　などがあ
げられる。現在、ゲートターンオフサイリスタの主な応
用分野は、電動力応用を主体とした産業機器やインバー
タ等の電力変換機器および電源装置などである。
ゲートターンオフサイリスタチップの構造は、基本的に
は一般のサイリスタの構造と同じである。
第１図はその構造を示す断面図で、同図のｏＱに示され
るように低不純物濃度のｎ形シリコン単結晶基板からな
るｎ形ベース層（１０１）　、ｎ形シリコン単結晶基板
の両面からガリウムやポロンなどのｐ形不純物を比較的
高濃度に拡散して形成てれたＰ形エミッタ層（１０２）
及びＰ形ベース層（１０３）　、並びに、ｐ形ベース層
（１０３）の部分的領域にリンなどのｎ形不純物をより
高澁度になるように選択的に拡散して形成されたｎ形エ
ミッタ層（１０４）のｐｎｐｎ四鳩構造からなる。（＋
１）、　（＋２）　ｒ　Ｏ萄ｔま夫々ｐ形エミンタ層（
１０２）　、　ｐ形ベースＮ　（１０３）、　ｎ形エミ
ッタ層（１０４）の各表面層にオーミック接触する陽極
メタライズ電極、ゲートメタライズ電極、陰極メタライ
ズ層極でオシ、その形成方法としては一般にＡＡを蒸着
して形成される。ゲートターンオフサイリスクの電圧（
ｖ）・電流（１）特性は第２図に示すように一般のサイ
リスタと全く同じ特性を示す。
順方向の特性、即ち陰極に対し陽極が正の電位になるよ
うに電圧を印加した場合、ある電圧まで電流が１１とん
ど流れない領域（順阻止領域）とある電圧を越えると導
通しダイオードの順方向特性と同様な特性を示す領域（
導通領域）と阻止状態から導通状態に移行する領域（遷
移領域）とが存在する。ここでいうめる電圧とは、第２
図でｖＢｏの記号で示される電圧でブレークオーバ電圧
と呼ばれる。“また、逆方向の特性、即ち陽極に対し陰
極が正の電位になるように電圧を印加した場合、ある電
圧ｖＢＩ）！ｌ：では電流がほとんど流れない領域（逆
阻止領域）とめる電圧ｖＢＤを越えると電流が増える領
域（なだれ降伏領域）とがある。この電圧ｖＢＤはブレ
ークダウン（降伏）電圧と呼ばれる。
このブレークオーバ電圧■Ｂｏとブレークダウン電圧ｖ
ＢＤとはゲートターンオフサイリスタの構造によって決
まるものである。次にゲートターンオフサイリスタの陽
極と陰極との間に順方向にブレークオーバ４圧ＶＢ。以
下の電圧ＶＤが印加された状態、いわゆるオフ状態から
オン状態へ移行させる一つの方法で最も一般的な方法と
してゲート・陰極間に順方向のゲート電流を流す方法が
とられる。
第２図に示すように順方向のゲート電流を工。１く工。
２く工。３く工。４と増やしていくと、ブレークオーバ
電圧ｖＢｏは漸次低下し、陽極・陰極間への外部＃ｊ加
加力方向電圧Ｄより低くなるとオン状態に移行する。第
２図の場合、ゲート電流工。２を流すことによってオン
状態に移行させることができる。一般のサイリスタでは
オフ状態からオン状態忙いったん移行すると、ゲートは
制御機能を失ってしまい、陽極・陰極間への外部印加順
方向電圧ＶＤを零にするか、順方向（オン）電流の値を
保持電流値以下に下げてやる心安がある。これに対しゲ
ートターンオフサイリスタでは、ゲートと陰極との間に
陰極からゲートの方向に電流、即ちゲート逆電流を流す
ことによってオン状態からオフ状態に移行（遮断）でき
るものであり、一般のサイリスタに比し大きな特長を有
しているといえる。このように、ゲートターンオフサイ
リスクがゲート逆電流によシ遮断能力を有するようにす
るために、その構造上釉々な工夫がなされている。例え
ばゲート電極と陰極電極を互いに入シ組んだ櫛！目状構
造にしたり、ｐ形エミッタＮ（１０２）とｎ形ベース層
（１０１）とを表面の陽極メタライズ層（直りで短絡し
く図示せず）、ｐ形エミッタ層（１０２）がら・ｎ・形
さ一ス層（１０１）への正孔の注入を抑える構造にした
り、ｐ形成−ス層（１０３）の横方向抵抗を小さくする
工夫などが行われている。
ゲートターンオフサイリスクがインバータ回路やチョッ
パ回路等に用いられる場合、通常第３図に示すよう釦、
ゲートターンオフサイリスクＧＴＯＩＵりと逆並列にフ
ライホイルダイオードＤＦＩ（２０）が取付けられると
共に第２図の点線で示すようにダイオードＤ８と抵抗Ｒ
８とコンデンサｃ８とで構成されたスナバ−回路が陽極
Ａｌと陰極に１との間に接続される。スナバ−回路を用
いる目的は２つあシ、そのＪつはゲートターンオフサイ
リスクをターンオンさせるとき、今まで、ゲートターン
オフサイリスクを流れていた電流をスナバ−回路にバイ
パスさせゲートターンオフサイリスクを流れる電流を速
やかに減少させ、ゲートターンオフサイリスタ内の発生
損失を軽減させることであシ、また他の１つはゲートタ
ーンオフサイリスタのターンオフ時の再点弧防止の為に
ターンオフ時の電圧上昇率をある値以下に押えることで
ある。ゲートターンオフサイリスタのターンオフ時には
飛閂電圧が印加される。第２図に示すゲートターンオフ
サイリスタがインバータ回路に適用された場合を例にと
って説明する。第４図にインバータ１相分を示し、第５
図はターンオフ時の各部電圧波形を示す。
ＶＡＫはゲートターンオフサイリスタに印加される電圧
、八はゲートターンオフサイリスクを流れる１−ｕ流、
１８．ｉ、、ｉＬはそれぞれスナバ−回路、フライホイ
ルダイオードおよび負荷に流れる電流である。第５図の
ｖＡＫの波形に示されたΔＶが飛躍電圧で、その値は次
式（１）で表わされる。
ここに、ＬＴ＝ｔ３＋ｔ４＋ｔ５＋ｔ６＋ｔ７＋ｔ８で
示され、ｔ３゜ｔ４はスナバ−回路、１５．１６は主回
路、Ｌ７．ｔ８はフライホイルダイオード回路の各配線
のインダクタンス成分である。ゲートターンオフサイリ
スタに印加される飛躍電圧ΔＶは素子の耐圧に関係し△
■を極力小さく押えることが重要である。この飛躍電圧
Δ■を小さく押え、るためには第４図の図中にｉ３．ｔ
４．ｔ５．ｔ６．ｔ７．ｔ８で示す上記各配線のインダ
クタンスを小さくすることが必要である。
従来のゲートターンオフサイリスクではフライホイルダ
イオードが同一外装容器内に組込まれていないことから
フライホイルダイオードが外付となり必然的に配線が長
くなり、フライホイルダイオードの配線のインダクタン
ス成分ｔ７．ｔ８が大きくなり飛躍電圧ΔＶが大きくな
ること、また、フライホイルダイオードを外付けする必
要があり、取付けのだめのスペースを必要とすること、
さらに小畑なスペース内での外付は作業を要することか
ら作業性が愁くなるなどの欠点があった。
この発明はこれら従来の欠点に鑑みてなされたもので、
フライホイルダイオードを同一外装容器内に内蔵するこ
とにより、配線のインダクタンス成分１７．１８を小さ
く押え飛躍電圧を小さくできること、又、フライホイル
ダイオード内蔵することによって、外付けの場合のよう
にスペースを必要としないことや、外付作業が不要とな
シ作業性を良好ならしめることのできるゲートターンオ
フサイリスタ組立体を提供することを目的としている。
第６図はこの発明の一実施例の半導体チップ部の構成を
示す断面図、第７図はこの実施例の組立て構造を理解し
易くするために外装容器の樹脂などの上部ケース部分及
びコーティング樹脂部分を除いて示す斜視図である。す
なわち、この実施例は第３図の一点鎖線で囲んだ部分（
１００）を１個の外装容器に組み込んだものである。ゲ
ートターンオフサイリスタチップαＱとフライホイルダ
イオードチップ（社）とが銅板を加工成形した共通電極
金属板に）の上にそれぞれ陽極メタライズ電極（１１）
および陰極メタライズ電極に）が半田などの低融点ろう
材で融着される。フライホイルダイオード四は低不純物
濃度のｎ形シリコン単結晶基板からなるｎ層（２０１）
と、これにガリウムやボロンなどのｐ形不純物を比較的
高不純物濃度になるように拡散して形成でれた９層（２
０２）、およびｎ層（２０１）の表面層にオーミック接
触形成のためにリンなどのｎ形不純物を比較的高濃度に
拡散形成されたｎ”７ｍ２０１ａ）を備えており、Ｑυ
はｎ　Ｍ！Ｊ　（ｚｏｌ）の表面ｎ層層（２０１１Ｌ）
にオーミンク接触する陰極メタライズ電極、に）は９層
（２０２）の表面にオーミック接触する陽極メタライズ
電極である。フライホイルダイオード四の電圧（ｖ）・
電流ＣＩ）特性は通常のダイオードと同じであるが、逆
回復電流の小さいもの、即ち／・イリカバリのものが有
効であり用いられる。
共通電極金属板（至）は半田などの低融点ろう材■によ
って、アルミナからなる絶縁基板曽の上面のメタライズ
形成部（３５ａ）に融着される。また、絶縁基板に）の
下面のメタライズ形成部（３５ｂ）は半田などの低融点
ろう材（７）によって金属板などからなる放熱板（ロ）
に融着される。
第７図において、に）は共通電極金属板に）と連なって
形成されたゲートターンオフサイリスタの陽極外部主端
子、（３８５Ｌ）はこれに設けられた外部配線接続孔で
ある。また、前記アルミナ絶縁基板に）の両端部の上面
のメタライズ部の上にはそれぞれ銅板を加工成形した陰
極電極板（ｓ９ｂ）およびゲート電極板（４ｏｂ）が半
田などの低融点ろう材で融着される。陰極電極板（ｚ９
ｂ）には陰極外部主端子四が連なって形成され、陰極外
部主端子ＩＪＩＫは外部配線接続孔（３９ａ）が設けら
れている。また、ゲート電極板（４０ｂ）にはゲート外
部端子−が連なって形成され、ゲート外部端子（６）に
は外部配線接続孔（４０ａ）が設けられている。
ゲートターンオフサイリスクチツブ叫とフライボイルダ
イオードチップ（２０）とは第６図及び第７図に示され
るよう傾、共通電極金属板に）の上に近接するように配
置式れ融着される。この目的はゲートターンオフツーイ
リスタテツブαＱの陰極メタライズ電極０３）とフライ
ホイルダイオードテンブレ０）の陽極メタライズ電極（
４）との間の内部配線（７）の長式及びゲートターンオ
アサイリスタテップ（Ｉｔ、）の陽極メタライズ電極（
０）とフライホイルダイオードチップ（２０）の陰極メ
タライズ電極■υとの間の共通電極金属板に）の長さを
極力短かくし配線部のインダクタンスを小さくするため
である。なお、内部配線に）はゲートターンオフブイリ
スタテツブα０の陰極Ａ４メタライズ電極（１３）とフ
ライホイルダイオ−トチツブシ０）の陽極Ａｔメタライ
ズ電極に）と陰極電極板（３９ｂ）との間をＡｔワイヤ
を用いて超音波溶接して電気的接続配線される。また、
ゲートＡｔメタライズ′１１ｉ極（１匂とゲート電極板
（４ｏｂ）との間も同様にＡ／−ワイヤＧ３］）を用い
て超音波溶接して電気的に接続される。
次にこの発明の他の実施例として２個のゲートターンオ
フサイリスタテツブが１つの外装容器に直列接続され組
込まれたゲートターンオフサイリスクモジュールの例に
ついて第８図、第９図について説明する。第８図にはこ
の実施例のゲートターンオフサイリスタモジュールの等
価回路を示す。
２個のゲートターンオフサイリスタＧＴＯＩ　ＧＴＯ２
が１Ｌ列接続され、各々のゲートターンオフサイリスク
に逆並列接続になるようにフライホイルダイオードＤＰ
Ｉ、ＤＦ２が接続される。第８図九一点鎖線で示す部分
（２００）が第９図の１つの外装に組込まれる部分を示
す。曽は２個のゲートターンオフサイリスタＧＴＯ１と
ＧＴＯ２との共通主電極外部端子で、ＧＴＯＩの陽極電
極とＧＴＯ２の陰極電極との共通電極として形成される
。陶は一方のゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯｌ）
の陰極主電極外部端子、（３８０）は他のゲートターン
オフサイリスタ（ＧＴＯ２）　ノ陽極主電極外部端子、
（３９ｃ　）　オＪ：　Ｕ　ＧｌＯはゲートターンオフ
′ｙ−イリスタ（Ｇ’［’０１）の制御用のそれぞれ陰
極外部端子およびゲート電極外部端子、丑だ、同様に（
３９ｏｃ）および（４ｏｏ）は他のゲートターンオフサ
イリスタ（’ＧＴＯ２）の制御用のそれぞれ陰極外部端
子およびゲート電極外部端子である。このゲートターン
オフサイリスタモジュールをインバータ回路やチェツバ
回路に用いられるときには第８図に点線で示すように２
個のゲートターンオフサイリスクの夫々にスナバ−回路
が接続をれる。ダイオード（Ｄｓｌ）と抵抗（Ｒ８Ｉ）
とコンデンサ（Ｃ８ｌ）とで構成される一方のゲートタ
ーンオフサイリスタＧＴＯＩ用のスナバ−回路が外部主
電極端子（２）と（イ）との間に接続される。また、他
のゲーｉ・ターンオンサイリスタＧＴＯ２川としてダイ
オード（ＤＳ２）と抵抗（Ｒｓｓａ）とコンデ／　？　
（Ｃ８２）とで構成されるスナバ−回路が外部主電極端
子（３８０）と（３りとの間に接続される。第８図の結
線で示でれるゲートターンオフサイリスクモジュールの
組立構造をわかり易くするために第９図にその構造を上
面から斜めにみた図を示す。第６図に示される構造は、
第７図に示される第１の実施例の１個のゲートターンオ
フサイリスクを用いた組立ユニットを２ユニット組合せ
ることによって得られるもので、１組立ユニットの詳細
な説Ｆｌ１１は第７図の実施例で説明したのでここでは
省く。絶縁基板に）及び（３５０）の上面に、第７図に
示される組立構造と同様な構造に形成せられ、絶縁基板
（７）及び（３５０）の下面のメタライズ面が金属板な
どよりなる放熱板（ロ）へ半田などの低融点ろう材で融
着される。２個のゲートターンオアサイリスタを直列接
続するために、銅板などからなる接続リード■を、一方
のユニットのゲートターンオフサイリスクの陽極電極板
０：１と他方のユニットのゲートターンオフサイリスタ
の陰極ｍ＝板（３９ｏｂ）とのそれぞれに半田などの低
融点ろう材で融着して電気的に短絡形成せられる。また
、各外部電極端子は第７図の回路図に示す端子記号と次
のように対応する。外部電極端子（ハ）は２個のゲート
ターンオフサイリスタＧＴＯユ及びＧＴＯ２の共通主電
極外部端子（Ｋｚ、Ａ１端子）に、（（９）はゲートタ
ーンオフサイリスタＧＴＯＩの陰極主電極外部端子（Ｋ
ｌ端子）に、（３８０）はゲートターンオフサイリスタ
ＧＴＯ２の陽極外部端子（Ａ２端子）に、（３９０）と
（匂はゲートターンオフサイリスクＧ’Ｊ’Ｏユの制御
用外部端子で、（３９０）が陰極外部端子（Ｋｌ端子）
に、輪がター）　’＋’ｌｊ極外部端子（Ｇｌ端子）に
、同じ＜　（３９０）と（４００）はゲートターンオフ
サイリスタの制御用外部端子で、（３９０）は陰極外部
端子（Ｋ２端子）に、（４００）はゲート電極外部端子
（Ｇ２端子）にそれぞれ相当する。
以上、この発明の詳細な説明したが、この発明によれば
、フライホイルダイオードを同−外装容器内に内蔵する
ことにより、配線によるインダクタンス成分を小烙くす
ることができ、配線のインダクタンスにより発生する飛
開電圧を小さくできること、また、フライホイルダイオ
ードを外装容器内に内蔵させることによって、従来の外
付けの揚台に比較しそのだめのスペースを必要としない
こと、さらに小さなスペース内でフライホイルダイオー
ドの外付作業が不要となり作業性がよくなるなどの利点
を有するゲートターンオフブイリスク組立体の実現と提
供とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図はゲートターンオフサイリスクチツブの構造を示
す断面図、第２図はその電圧・電流特性図、第３図はタ
ートターンオフサイリスクの使用時の接続構成を示す回
路図、第４図はゲートターンオフサイリスクを用いて構
成したインバータ回路の回路図、第５図はそのターンオ
フ時の各部電圧、電流波形図、第６図はこの発明の一実
施例の半導体チップ部の構成を示す断面図、第７図はこ
の実施例の組立て構造を外装部分を除いて示す斜視図、
第８図はこの発明の他の実施例のゲートター７オ７”ｊ
イリスタモジュールの等価回路図、第９図は第８図の実
施例の組立て構造を外装部分を除いて示す斜視図である
。 図において、（１１、ＧＴＯＩ　、　ＧＴ０２はゲート
ターンオフサイリスタテツブ、ＰＪ　＊　”ユ、　ＤＦ
２は７ライホイルダイオードチツプ、（ハ）、　（３８
０）は陽極主電極外部端子、（ト）、　（３９ｏ）は陰
極主電極外部端子、（ト）。 （４ＯＯ）はゲート電極外部端子である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示代理人　
葛野信−（外１名） 第１図 第２図 第３　Ｆｌ 第４図 第５図 暗部 第６図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　ゲートターンオフサイリスタチップとこれ釦
    逆並列接続になるように接続されたフライホイルダイオ
    ードチップとが同一外装容器内に組み込まれ、上記ゲー
    トターンオフサイリスタテツブの陽極電極、陰極電極お
    よびゲート電極が」二記外装容器に互いに絶縁されて固
    定保持されたそれぞれの外部端子に接続されてなること
    を特徴とするゲートターンオフサイリスタ組立体。
JP57180402A 1982-10-12 1982-10-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体 Pending JPS5968958A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139563A (ja) * 1984-06-01 1986-02-25 アントン・ピラ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ−・コマンデイ−トゲゼルシヤフト 半導体モジユ−ル
JPH03108749A (ja) * 1989-06-23 1991-05-08 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置用トランジスタモジュール
JPH03132066A (ja) * 1989-10-18 1991-06-05 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置用トランジスタモジュール
JPH03145755A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置用トランジスタモジュール
EP0650193A3 (en) * 1993-10-25 1996-07-31 Toshiba Kk Semiconductor device and method for its production.

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2571895B1 (fr) * 1984-10-16 1987-07-24 Silicium Semiconducteur Ssc Procede de montage de deux composants semi-conducteurs dans un boitier commun et dispositif obtenu par ce procede
CH668505A5 (de) * 1985-03-20 1988-12-30 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterbauelement.
JPS61218151A (ja) * 1985-03-23 1986-09-27 Hitachi Ltd 半導体装置
DE3538933A1 (de) * 1985-11-02 1987-05-14 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
CH668667A5 (de) * 1985-11-15 1989-01-13 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul.
DE3609065A1 (de) * 1986-03-18 1987-09-24 Siemens Ag Niederinduktive verschienung
DE3643288A1 (de) * 1986-12-18 1988-06-30 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterbaueinheit
JPH0740790B2 (ja) * 1987-02-23 1995-05-01 株式会社東芝 大電力パワ−モジユ−ル
IT1202657B (it) * 1987-03-09 1989-02-09 Sgs Microelettronica Spa Procedimento di fabbricazione di un dispositivo modulare di potenza a semiconduttore e dispositivo con esso ottenento
JP2973799B2 (ja) * 1993-04-23 1999-11-08 富士電機株式会社 パワートランジスタモジュール
US5408128A (en) * 1993-09-15 1995-04-18 International Rectifier Corporation High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing
DE102006006175A1 (de) 2006-02-10 2007-08-23 Ecpe Engineering Center For Power Electronics Gmbh Leistungselektronikanordnung
DE102022208031A1 (de) * 2022-08-03 2024-02-08 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5740966A (en) * 1980-08-25 1982-03-06 Hitachi Ltd Semiconductor device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH448213A (fr) * 1966-03-16 1967-12-15 Secheron Atel Dispositif de contrôle à semi-conducteurs pour courant alternatif
DE2639979C3 (de) * 1976-09-04 1980-05-14 Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg Halbleiterbaueinheit
DE2819327C2 (de) * 1978-05-03 1984-10-31 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbaueinheit
JPS5746662A (en) * 1980-09-04 1982-03-17 Toshiba Corp Semiconductor rectifier

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5740966A (en) * 1980-08-25 1982-03-06 Hitachi Ltd Semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139563A (ja) * 1984-06-01 1986-02-25 アントン・ピラ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニ−・コマンデイ−トゲゼルシヤフト 半導体モジユ−ル
JPH03108749A (ja) * 1989-06-23 1991-05-08 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置用トランジスタモジュール
JPH03132066A (ja) * 1989-10-18 1991-06-05 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置用トランジスタモジュール
JPH03145755A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置用トランジスタモジュール
EP0650193A3 (en) * 1993-10-25 1996-07-31 Toshiba Kk Semiconductor device and method for its production.
US5783466A (en) * 1993-10-25 1998-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
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