DE4309769A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus SiliciumInfo
- Publication number
- DE4309769A1 DE4309769A1 DE4309769A DE4309769A DE4309769A1 DE 4309769 A1 DE4309769 A1 DE 4309769A1 DE 4309769 A DE4309769 A DE 4309769A DE 4309769 A DE4309769 A DE 4309769A DE 4309769 A1 DE4309769 A1 DE 4309769A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- single crystal
- melt
- pulling
- crucible
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verringerung des
Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium, wobei
der Einkristall aus einer Schmelze gezogen wird, die sich in
einem mit Quarz ausgekleideten Tiegel befindet. Ferner
betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens.
Diese Art der Zucht von Einkristallen ist unter dem Begriff
Czochralski-Verfahren bekannt geworden. Der Gehalt an Sauer
stoff in Einkristallen aus Silicium, die nach dem
Czochralski-Verfahren hergestellt wurden, hat wesentliche
Auswirkungen auf die spätere Verwendung des Einkristalls als
Grundmaterial zur Herstellung elektronischer Bauelemente.
Die Dotierung des Kristallgitters mit Sauerstoff stört im
oberfächennahen Bereich der dünnen Scheiben, in die der Ein
kristall zunächst geteilt wird. In diesem Bereich werden die
elektronischen Strukturen integriert und jede nicht gezielt
dort eingeführte Verunreinigung kann später die einwandfreie
Funktion eines Bauteils beeinträchtigen oder sogar zum Aus
fall ganzer Schaltungen führen. Es wird deshalb beispiels
weise durch eine thermische Behandlung der Scheibe dafür
gesorgt, daß im Kristall eingebauter Sauerstoff aus dem
oberflächennahen Bereich ausdiffundiert, wobei sich eine
sauerstoffarme Zone ausbildet, die typischerweise 10 µm tief
ins Innere der Scheibe reicht. Im darunter liegenden Schei
benbereich, der nur als Träger der Bauelemente fungiert,
bildet der im Kristall eingebaute Sauerstoff im Verlauf der
Scheibenbehandlung Präzipitate, die als Keimzentren auch die
die Funktion der Bauelemente besonders störenden metalli
schen Verunreinigungen aus allen Bereichen der Scheibe an
ziehen und binden. Für diesen, unter dem Begriff "intrinsic
gettering" bekannten Zweck ist der Einbau von Sauerstoff
beim Ziehen des Einkristalls durchaus erwünscht.
Nachteilig am Czochralski-Verfahren ist, daß der Sauerstoff
einbau beim Ziehen des Einkristalls nicht mit einer konstan
ten Rate erfolgt, so daß entlang der Längsachse des in der
Regel stabförmigen Einkristalls unterschiedliche Sauerstoff
konzentrationen gemessen werden. Zu Beginn des Kristall
wachstums, wenn die Tiegelinnenwand von der Schmelze weit
gehend bedeckt wird, ist der Einbau von Sauerstoff in den
Einkristall am höchsten. Zum Stabende hin nimmt die Konzen
tration an Sauerstoff im Einkristall ab. Gemäß der Patent
schrift US-A 4,545,849 kann durch einen torusförmigen Körper
aus Siliciumdioxid, der sich während des Ziehens des
Kristalls auf dem Boden des Tiegels befindet, der Sauer
stoffeinbau im Einkristall erhöht und die axiale Verteilung
des Sauerstoffs im Einkristall vergleichmäßigt werden.
Nachteilig daran ist, daß die aus einem solchen Einkristall
hergestellten Scheiben verhältnismäßig lange Temperzeiten
für die Erzeugung des sauerstoffarmen, oberflächennahen
Bereichs benötigen. Die Hersteller elektronischer Bauelemen
te verlangen deshalb zunehmend auch Siliciumscheiben mit
niedrigeren Sauerstoffkonzentrationen, zumal nicht nur durch
das "intrinsic gettering", sondern auch durch eine als
"backside damage" bezeichnete Behandlung der Scheibenrück
seite das Entfernen von Verunreinigungen aus den ober
flächennahen Scheibenbereichen, in die die elektronischen
Strukturen integriert werden, möglich ist. Mit dem in der
US-A 4,545,849 beschriebenen Verfahren sind jedoch nur Ein
kristalle mit besonders hohen Sauerstoffkonzentrationen
ziehbar. Die stabförmigen Einkristalle, die nach dem übli
chen Czochralski-Verfahren hergestellt werden, weisen insbe
sondere am Stabanfang so hohe Sauerstoffkonzentrationen auf,
daß die daraus hergestellten Scheiben den Anforderungen der
Kunden oft nicht mehr genügen.
Es bestand daher die Aufgabe, ein Verfahren zu entwickeln,
mit dem sich die genannten Nachteile vermeiden lassen und
das Einkristalle mit gleichmäßiger axialer Sauerstoffkonzen
tration liefert, wobei der Sauerstoffeinbau gegenüber dem
herkömmlichen Czochralski-Verfahren verringert ist. Ferner
bestand die Aufgabe darin, eine Vorrichtung zur Durchführung
des Verfahrens anzugeben.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Verringerung
des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium,
wobei der Einkristall aus einer Schmelze gezogen wird, die
sich in einem mit Quarz ausgekleideten Tiegel befindet, das
dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Formkörper zwischen dem
Einkristall und der Innenwand des Tiegels während des
Ziehens des Einkristalls zumindest zeitweise in die Schmelze
eingetaucht wird.
Ferner wird die Aufgabe durch eine Vorrichtung gemäß dem
Oberbegriff des Anspruchs 4 gelöst, die durch einen Formkör
per gekennzeichnet ist, der zwischen dem Einkristall und der
Innenwand des Tiegels während des Ziehens des Einkristalls
zumindest zeitweise in die Schmelze eintaucht.
Überraschenderweise gelingt es, den Sauerstoffeinbau in den
wachsenden Einkristall zu verringern, wenn die während des
Ziehens des Einkristalls in der Schmelze vorherrschenden
Konvektionsströme durch das Eintauchen eines Formkörpers in
die Schmelze gestört werden. Es hat sich darüber hinaus
gezeigt, daß die Schmelze durch den eintauchenden Formkör
per homogenisiert wird, die resultierenden Einkristalle
weniger Kristalldefekte aufweisen und die Ausbeuten an für
elektronische Zwecke verwertbarem Material steigen.
Der Formkörper kann grundsätzlich aus einem beliebigen Mate
rial bestehen, welches vom schmelzflüssigen Silicium nicht
angegriffen wird und keine Verunreinigungen in die Schmelze
abgibt. Vorzugsweise besteht der Formkörper aus Quarz oder
hat zumindest eine Oberflächenbeschichtung aus Quarz. Obwohl
bei einem Formkörper aus Quarz zu erwarten ist, daß sich der
Quarz beim Kontakt mit der Schmelze langsam auflöst, bleibt
die den Einbau von Sauerstoff im Einkristall verringernde
Wirkung des Formkörpers davon unberührt.
Selbstverständlich muß der Formkörper so stabil ausgeführt
sein, daß ausgeschlossen ist, daß Teile davon während des
Ziehens des Einkristalls wegbrechen und das versetzungsfreie
Kristallwachstum stören können. Darüber hinaus gibt es keine
besonderen Regeln bezüglich der zu wählenden Geometrie des
Formkörpers. Bewährt haben sich rechteckige oder runde
flächige Formkörper und quader-, würfel-, zylinder- oder
kugelförmige Formkörper.
Wichtig für die den Sauerstoffeinbau in den Einkristall ver
ringernde Wirkung des Formkörpers ist, daß der Formkörper
und die Schmelze eine Relativbewegung ausführen. Da in der
Regel der Einkristall und der Tiegel mit der Schmelze wäh
rend des Ziehens des Einkristalls gedreht werden, genügt es
in diesem Fall, den Formkörper ortsfest in die Schmelze zu
tauchen. Prinzipiell ist es jedoch auch möglich, den in die
Schmelze getauchten Formkörper mit geringer Amplitude hin-
und herzubewegen oder ihn in einer konzentrischen Bahn um
den Einkristall zu führen.
Der Formkörper wird an einer Stelle zwischen dem Einkristall
und der Innenwand des Tiegels, vorzugsweise 15 bis 35 mm von
der 3-Phasengrenze von Schmelze, Einkristall und Gasraum
entfernt, in die Schmelze eingetaucht. Die Eintauchtiefe
beträgt mindestens 5 mm, vorzugsweise 10 bis 20 mm. In einer
Ausführungsform des Verfahrens wird der Formkörper schon in
seine während des Ziehens des Einkristalls vorgesehene Posi
tion gebracht, bevor das Ziehen des Einkristalls beginnt.
Der mit schmelzflüssigem Silicium gefüllte Tiegel wird dann
aus einer Lage unterhalb des Formkörpers soweit angehoben,
bis der Formkörper in die Schmelze eintaucht und die vorge
sehene Eintauchtiefe erreicht hat. Erst dann wird das
eigentliche Ziehen des Einkristalls eingeleitet, indem ein
monokristalliner Impfkristall über eine Ziehvorrichtung
zunächst mit der Schmelze in Kontakt gebracht und anschlie
ßend kontrolliert in vertikaler Richtung zur Schmelze
herausgezogen wird. In einer anderen Ausführungsform befin
det sich der Formkörper zunächst oberhalb der Schmelzenober
fläche und wird dann soweit abgesenkt, bis er auf die vorge
sehene Weise in die Schmelze eintaucht. Dies kann vor oder
nachdem der Impfkristall mit der Schmelze in Kontakt
gebracht worden ist, geschehen.
Obwohl in der bevorzugten Ausführungsform der Formkörper
während des Ziehens des Einkristalls ununterbrochen in die
Schmelze eingetaucht wird und dementsprechend dafür gesorgt
wird, daß bei fallendem Schmelzenniveau die Eintauchtiefe
des Formkörpers konstant bleibt, ist dies nicht zwingend
vorgeschrieben. Der Formkörper kann auch nur zeitweise,
beispielsweise nur während der Anfangsphase des Ziehvor
gangs während der die Einbaurate von Sauerstoff in den Ein
kristall besonders hoch ist, in die Schmelze getaucht wer
den. Auf diese Weise lassen sich Einkristalle herstellen,
deren axiale Sauerstoffkonzentration besonders gleichmäßig
ist.
Die bevorzugte Ausführungsform einer Vorrichtung zur Durch
führung des Verfahrens beinhaltet neben den typischen Merk
malen einer Anlage zum Ziehen von Einkristallen nach dem
Czochralski-Verfahren, wie einem beheizbaren, mit einer
Innenwand aus Quarz versehenen Tiegel zum Aufnehmen der
Schmelze, einer das Herausziehen des mit der Schmelzenober
fläche in Kontakt gebrachten Impfkristalls ermöglichenden
Ziehvorrichtung und einer Vorrichtung zum Heben, Senken und
Drehen des Tiegels, auch den zumindest zeitweise während des
Ziehens des Einkristalls in die Schmelze eintauchenden Form
körper und eine Vorrichtung mit der dieser in die vorbe
stimmte Position zwischen dem Einkristall und der Innenwand
des Tiegels gebracht und gehalten werden kann. Der Formkör
per ist in einer besonders bevorzugten Ausführungsform als
rechteckiges, blattförmiges Flächengebilde aus Quarz gestal
tet, das ortsfest in die Schmelze getaucht wird, und zwar
vorzugsweise so, daß der Formkörper der durch die Tiegel
drehung bewirkten Bewegung der Schmelze einen möglichst
hohen Strömungswiderstand entgegensetzt.
Die Vorrichtung, mit der der Formkörper in die vorbestimmte
Position zwischen dem Einkristall und der Innenwand des Tie
gels gebracht und gehalten wird, besteht vorzugsweise aus
einer den Formkörper tragenden Lanze aus Graphit oder einem
anderen, den Einkristall nicht verunreinigenden Material.
Das freie Ende der Lanze wird an einer geeigneten Stelle der
Ziehanlage, beispielsweise an der Rezipientenwand, der Ab
schirmung der Tiegelheizung oder der häufig in Ziehanlagen
anzutreffenden, topfförmigen Tiegelabdeckung, befestigt.
Das folgende Beispiel macht die den Sauerstoffeinbau in den
Einkristall verringernde Wirkung des Formkörpers deutlich.
In einer zum Ziehen von Silicium-Einkristallen nach dem
Czochralski-Verfahren üblichen Anlage, die zusätzlich wie
vorstehend beschrieben mit einem rechteckigen Flächengebilde
als Formkörper ausgestattet war, wurde ein stabförmiger Ein
kristall mit einer Länge von 710 mm und einem Durchmesser
von 205 mm gezogen. Während des Ziehens des Einkristalls
tauchte der Formkörper wie vorstehend beschrieben ortsfest
12 mm tief in die Schmelze ein. In einem zweiten Versuch
wurde unter sonst identischen Bedingungen aber ohne den
Formkörper ein Vergleichskristall gezogen. Anschließend wur
de der Einbau von Sauerstoff in die Einkristalle in Abhän
gigkeit der axialen Position im Kristallstab gemessen. Zu
diesem Zweck wurden die Einkristalle in dünne Scheiben zer
teilt, die Position einer Scheibe im Stab dokumentiert und
die Sauerstoffkonzentration im Scheibenzentrum durch Infra
rot-Absorptionsmessungen bestimmt.
Das Ergebnis der Messungen ist in der nachstehenden Tabelle
aufgeführt:
Claims (7)
1. Verfahren zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in
einen Einkristall aus Silicium, wobei der Einkristall
aus einer Schmelze gezogen wird, die sich in einem mit
Quarz ausgekleideten Tiegel befindet, das dadurch
gekennzeichnet ist, daß
ein Formkörper zwischen dem Einkristall und der Innen
wand des Tiegels während des Ziehens des Einkristalls
zumindest zeitweise in die Schmelze eingetaucht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Formkörper ortsfest in die Schmelze eingetaucht
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Eintauchtiefe 10-20 mm beträgt.
4. Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls aus Silicium
aus einer Schmelze, im wesentlichen bestehend aus einem
die Schmelze aufnehmenden, mit einer Innenwand aus Quarz
versehenen Tiegel, einer das Herausziehen eines mit der
Schmelzenoberfläche in Kontakt gebrachten, monokristal
linen Impfkristalls ermöglichenden Ziehvorrichtung,
einer Vorrichtung zum Heben, Senken und Drehen des Tie
gels sowie Mitteln zum Beheizen des Tiegels, gekenn
zeichnet durch
einen Formkörper, der zwischen dem Einkristall und der
Innenwand des Tiegels während des Ziehens des Ein
kristalls zumindest zeitweise in die Schmelze ein
taucht.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der Formkörper aus Quarz gefertigt ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen
rechteckigen oder runden, flächigen Formkörper.
7. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen
quader-, würfel-, zylinder- oder kugelförmigen Form
körper.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4309769A DE4309769A1 (de) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium |
US08/203,220 US5477808A (en) | 1993-03-25 | 1994-02-28 | Process for reducing the oxygen incorporation into a single crystal of silicon |
KR1019940004678A KR0143510B1 (ko) | 1993-03-25 | 1994-03-10 | 실리콘 단결정의 산소혼입을 감소시키는 방법 |
JP6073775A JP2673221B2 (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-22 | シリコン単結晶中への酸素混入を減少する方法および装置 |
ITRM940160A IT1272189B (it) | 1993-03-25 | 1994-03-23 | Procedimento e dispositivo per la riduzione dell'inserimento di ossigeno in un monocristallo di silicio. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4309769A DE4309769A1 (de) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4309769A1 true DE4309769A1 (de) | 1994-09-29 |
Family
ID=6483872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4309769A Withdrawn DE4309769A1 (de) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5477808A (de) |
JP (1) | JP2673221B2 (de) |
KR (1) | KR0143510B1 (de) |
DE (1) | DE4309769A1 (de) |
IT (1) | IT1272189B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0882818A1 (de) * | 1997-06-06 | 1998-12-09 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Silizium Einkristall, Vorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4318768B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2009-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5007200B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-08-22 | 範八 松井 | テストプラグ |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57179099A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-04 | Toshiba Corp | Manufacturing apparatus for silicon single crystal |
US4545849A (en) * | 1983-03-03 | 1985-10-08 | Motorola Inc. | Method for control of oxygen in silicon crystals |
JPS6259594A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶の引上げ方法 |
JPH0719798B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1995-03-06 | 新日本製鐵株式会社 | 微細金属球の配列方法 |
JPH0777994B2 (ja) * | 1989-11-16 | 1995-08-23 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の酸素濃度コントロール方法及び装置 |
JPH0442890A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 結晶成長装置 |
JPH0475356A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH04317493A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-09 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
JPH05238875A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-17 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
JP2951793B2 (ja) * | 1992-02-25 | 1999-09-20 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
-
1993
- 1993-03-25 DE DE4309769A patent/DE4309769A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-02-28 US US08/203,220 patent/US5477808A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-10 KR KR1019940004678A patent/KR0143510B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-03-22 JP JP6073775A patent/JP2673221B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-23 IT ITRM940160A patent/IT1272189B/it active IP Right Grant
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 01-249 689 A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect. C, Vol. 13 (1989) Nr. 592 (C-671) * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0882818A1 (de) * | 1997-06-06 | 1998-12-09 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Silizium Einkristall, Vorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0143510B1 (ko) | 1998-07-15 |
ITRM940160A1 (it) | 1995-09-23 |
KR940022678A (ko) | 1994-10-21 |
JPH0710692A (ja) | 1995-01-13 |
JP2673221B2 (ja) | 1997-11-05 |
US5477808A (en) | 1995-12-26 |
ITRM940160A0 (it) | 1994-03-23 |
IT1272189B (it) | 1997-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3905626B4 (de) | Vorrichtung zur Züchtung von Siliziumkristallen | |
DE19609107B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Siliziumwafern | |
DE69113873T2 (de) | Verfahren zur Ziehung von Halbleitereinkristallen. | |
EP3394325B1 (de) | Siliciumscheibe mit homogener radialer sauerstoffvariation | |
DE102008046617B4 (de) | Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren für deren Herstellung | |
DE3413082A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitermaterialien | |
DE2942057C3 (de) | Verfahren zum Czochralski-Ziehen eines Silicium-Einkristallstabs | |
DE69115131T2 (de) | Verfahren zur Ziehung von Halbleitereinkristallen. | |
DE69904675T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Stickstoff- dotierten Siliciumeinkristalles mit geringer Defektdichte | |
EP1225255B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium | |
DE20118092U1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Siliciumeinkristallen hoher Qualität | |
DE2619965A1 (de) | Verfahren zur einstellung des sauerstoffgehalts in siliciumkristallen | |
EP0715005B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls | |
DE3215620C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von einkristallinem Silizium | |
DE4309769A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung des Sauerstoffeinbaus in einen Einkristall aus Silicium | |
DE112009000986T5 (de) | Einkristall-Wachstumsverfahren und Einkristall-Ziehvorrichtung | |
DE3321201C2 (de) | Tiegel zum Kristallziehen | |
DE3938937A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von siliciumstaeben mit hohem sauerstoffgehalt durch tiegelfreies zonenziehen, dadurch erhaeltliche siliciumstaebe und daraus hergestellte siliciumscheiben | |
DE69301371T2 (de) | Vorrichtung zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls | |
DE68902668T2 (de) | Verfahren zur thermischen behandlung von galliumarsenid-einkristallen. | |
DE1209997B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material | |
DE112018006080T5 (de) | Silicium-Einkristall, Verfahren zur Herstellung desselben, sowie Siliciumwafer | |
DE69800420T2 (de) | Verfahren zur Herstellung Siliziumkristallen | |
DE2508651A1 (de) | Verfahren zur herstellung von koerpern aus einem schmelzbaren kristallinen material, insbesondere halbleitermaterial, bei dem ein ununterbrochenes band aus diesem kristallinen material hergestellt wird, und durch dieses verfahren hergestellter koerper | |
DE2952602C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUER HALBLEITERMATER |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUER HALBLEITERMATER |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |