JPH05238875A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH05238875A JPH05238875A JP7535692A JP7535692A JPH05238875A JP H05238875 A JPH05238875 A JP H05238875A JP 7535692 A JP7535692 A JP 7535692A JP 7535692 A JP7535692 A JP 7535692A JP H05238875 A JPH05238875 A JP H05238875A
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- melt
- convection
- silicon
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン単結晶棒の面内の酸素濃度分布を均
質化する。シリコン単結晶棒の面内のドーパント濃度を
均質化する。シリコン単結晶棒の品質を向上させる。 【構成】 シリコン融液13を保持する石英坩堝5を回
転自在に設ける。このシリコン融液13からシリコン単
結晶棒14を引き上げる引上機構を設ける。石英坩堝5
の周りにシリコン融液13を加熱するヒータ6を設け
る。そして、シリコン単結晶棒14のシリコン融液13
との界面部分を取り囲むように、複数の案内羽根を有す
る対流制御治具15をシリコン融液13中に吊り下げ
る。石英坩堝5とシリコン単結晶棒14との相対回転に
より発生したシリコン融液13の対流の方向を、この案
内羽根である曲板15Cにより制御する。例えば円筒部
15Aの中から外に向かって遠心流とするか、逆に向心
流とする。
質化する。シリコン単結晶棒の面内のドーパント濃度を
均質化する。シリコン単結晶棒の品質を向上させる。 【構成】 シリコン融液13を保持する石英坩堝5を回
転自在に設ける。このシリコン融液13からシリコン単
結晶棒14を引き上げる引上機構を設ける。石英坩堝5
の周りにシリコン融液13を加熱するヒータ6を設け
る。そして、シリコン単結晶棒14のシリコン融液13
との界面部分を取り囲むように、複数の案内羽根を有す
る対流制御治具15をシリコン融液13中に吊り下げ
る。石英坩堝5とシリコン単結晶棒14との相対回転に
より発生したシリコン融液13の対流の方向を、この案
内羽根である曲板15Cにより制御する。例えば円筒部
15Aの中から外に向かって遠心流とするか、逆に向心
流とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばシリコン単結晶
棒の面内の酸素濃度分布を均質化し、または、シリコン
単結晶棒とシリコン融液との固液界面の形状を制御して
シリコン単結晶棒の面内のドーパント濃度を均質化する
ことができるCZ(Czochralski)法の単結晶引上装置
に関するものである。
棒の面内の酸素濃度分布を均質化し、または、シリコン
単結晶棒とシリコン融液との固液界面の形状を制御して
シリコン単結晶棒の面内のドーパント濃度を均質化する
ことができるCZ(Czochralski)法の単結晶引上装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、大口径の円柱状シリコン単結晶棒
の製造に適したCZ法による単結晶引上装置は、チャン
バと、このチャンバ内に回動自在に設けられシリコン融
液を保持する石英坩堝と、この石英坩堝を取り囲むよう
に設けられシリコン融液を加熱するヒータと、石英坩堝
の上方に回転自在に設けられシリコン単結晶棒を引き上
げる引上機構と、で構成されている。そして、この単結
晶引上装置は、シリコン融液にシリコン単結晶の種結晶
を浸し、この種結晶を回転させながら徐々に引き上げ、
種結晶と同一方位の大口径のシリコン単結晶棒を成長さ
せるものである。
の製造に適したCZ法による単結晶引上装置は、チャン
バと、このチャンバ内に回動自在に設けられシリコン融
液を保持する石英坩堝と、この石英坩堝を取り囲むよう
に設けられシリコン融液を加熱するヒータと、石英坩堝
の上方に回転自在に設けられシリコン単結晶棒を引き上
げる引上機構と、で構成されている。そして、この単結
晶引上装置は、シリコン融液にシリコン単結晶の種結晶
を浸し、この種結晶を回転させながら徐々に引き上げ、
種結晶と同一方位の大口径のシリコン単結晶棒を成長さ
せるものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
CZ法の単結晶引上装置にあっては、石英坩堝の回転数
と、引き上げ時のシリコン単結晶棒の回転数と、をそれ
ぞれ変化させて、シリコン単結晶棒の面内酸素濃度の均
質性制御が行われているのみであった。その結果、石英
坩堝内で発生した溶融酸素濃度の異なるシリコン融液の
対流同士が、シリコン単結晶棒とシリコン融液との固液
界面近傍において衝突し、この固液界面近傍におけるシ
リコン融液中の溶融酸素の濃度を制御することができな
いという課題があった。また、この単結晶引上装置にあ
っては、引き上げ時にシリコン融液の表面直下の浅い位
置に発生するマランゴニ対流を制御することができなか
った。その上、シリコン単結晶棒とシリコン融液との界
面でのシリコン単結晶棒の形状を平坦化できないため、
そのドーパント濃度がシリコン単結晶棒の面内で不均質
になるという課題もあった。
CZ法の単結晶引上装置にあっては、石英坩堝の回転数
と、引き上げ時のシリコン単結晶棒の回転数と、をそれ
ぞれ変化させて、シリコン単結晶棒の面内酸素濃度の均
質性制御が行われているのみであった。その結果、石英
坩堝内で発生した溶融酸素濃度の異なるシリコン融液の
対流同士が、シリコン単結晶棒とシリコン融液との固液
界面近傍において衝突し、この固液界面近傍におけるシ
リコン融液中の溶融酸素の濃度を制御することができな
いという課題があった。また、この単結晶引上装置にあ
っては、引き上げ時にシリコン融液の表面直下の浅い位
置に発生するマランゴニ対流を制御することができなか
った。その上、シリコン単結晶棒とシリコン融液との界
面でのシリコン単結晶棒の形状を平坦化できないため、
そのドーパント濃度がシリコン単結晶棒の面内で不均質
になるという課題もあった。
【0004】そこで、本発明は、シリコン単結晶棒の面
内の酸素濃度分布を均質化するとともに、シリコン単結
晶棒の面内のドーパント濃度を均質化することができ、
これらの結果、シリコン単結晶棒の品質を向上させるこ
とができる単結晶引上装置を提供することを、その目的
とする。
内の酸素濃度分布を均質化するとともに、シリコン単結
晶棒の面内のドーパント濃度を均質化することができ、
これらの結果、シリコン単結晶棒の品質を向上させるこ
とができる単結晶引上装置を提供することを、その目的
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の単結晶
引上装置においては、結晶融液を保持する回動自在の石
英坩堝と、この結晶融液から単結晶棒を引き上げる引上
機構と、上記結晶融液を加熱するヒータと、を備えた単
結晶引上装置において、上記石英坩堝の回動により上記
結晶融液の表面直下の所定深さ範囲に発生する対流の方
向を制御する対流制御手段を備えるものである。
引上装置においては、結晶融液を保持する回動自在の石
英坩堝と、この結晶融液から単結晶棒を引き上げる引上
機構と、上記結晶融液を加熱するヒータと、を備えた単
結晶引上装置において、上記石英坩堝の回動により上記
結晶融液の表面直下の所定深さ範囲に発生する対流の方
向を制御する対流制御手段を備えるものである。
【0006】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の単結晶引上装置において、上記対流制御手段
が、上記結晶融液の表面直下の所定深さ範囲に、上記単
結晶棒を囲むように設けられた複数の案内羽根形状の治
具を有するものである。
に記載の単結晶引上装置において、上記対流制御手段
が、上記結晶融液の表面直下の所定深さ範囲に、上記単
結晶棒を囲むように設けられた複数の案内羽根形状の治
具を有するものである。
【0007】
【作用】本発明に係る単結晶引上装置にあっては、石英
坩堝の回動により結晶融液に対流が発生する。この対流
の方向を、対流制御手段、例えば結晶融液内に設けた案
内羽根形状の治具により、制御する。例えば単結晶棒と
結晶融液との界面近傍での結晶融液の対流の向きを向心
方向にまたは遠心方向に変える。この対流を遠心流とす
ることにより、該界面近傍の結晶融液中の酸素濃度を均
一化することができるとともに、マランゴニ流の発生を
防止することができる。一方、向心方向への対流に制御
した結果、単結晶棒との界面近傍で結晶融液の温度分布
を均一化することができ、単結晶棒の固液界面の形状を
平坦化することができる。
坩堝の回動により結晶融液に対流が発生する。この対流
の方向を、対流制御手段、例えば結晶融液内に設けた案
内羽根形状の治具により、制御する。例えば単結晶棒と
結晶融液との界面近傍での結晶融液の対流の向きを向心
方向にまたは遠心方向に変える。この対流を遠心流とす
ることにより、該界面近傍の結晶融液中の酸素濃度を均
一化することができるとともに、マランゴニ流の発生を
防止することができる。一方、向心方向への対流に制御
した結果、単結晶棒との界面近傍で結晶融液の温度分布
を均一化することができ、単結晶棒の固液界面の形状を
平坦化することができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図3は本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の
断面図である。
する。図3は本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の
断面図である。
【0009】この図に示すように、単結晶引上装置1
は、チャンバ2を有している。このチャンバ2の中央部
には、モータ(図示略)で回転する軸3が設けられてい
る。この軸3の上端には、有底円筒状の黒鉛サセプタ4
が取り付けられている。この黒鉛サセプタ4の内部に、
石英坩堝5が着脱可能に保持されている。この石英坩堝
5は、略半球形状をなしている。この石英坩堝5の内部
にはシリコン融液13が溶融している。このシリコン融
液13中には、石英製の対流制御治具15が、チャンバ
2の上部から吊下られた4本の吊下ワイヤ16により懸
吊されている。
は、チャンバ2を有している。このチャンバ2の中央部
には、モータ(図示略)で回転する軸3が設けられてい
る。この軸3の上端には、有底円筒状の黒鉛サセプタ4
が取り付けられている。この黒鉛サセプタ4の内部に、
石英坩堝5が着脱可能に保持されている。この石英坩堝
5は、略半球形状をなしている。この石英坩堝5の内部
にはシリコン融液13が溶融している。このシリコン融
液13中には、石英製の対流制御治具15が、チャンバ
2の上部から吊下られた4本の吊下ワイヤ16により懸
吊されている。
【0010】この対流制御治具15は、図1に示すよう
に、略円筒体形状であって、上端側に所定口径の円筒部
15Aを有している。この円筒部15Aの下端側には、
案内羽根形状の曲板15Cが複数枚形成されている。こ
れらの曲板15Cのそれぞれは円筒体の放射方向に対し
て所定の傾きを有するよう形成されており、さらに、各
曲板15Cは所定の曲率を有して湾曲している。また、
これらの曲板15Cは円筒体の軸線を含む平面、すなわ
ち鉛直面を有して構成されており、その長さは所定の
値、例えば対流を効果的に制御できる程度の長さに設
定、垂下されている。さらに、各曲板15Cの間には円
筒体の内部とその外部とを連通する所定の隙間が画成さ
れている。したがって、この対流制御治具15は、上記
曲板15Cがシリコン融液13表面から所定の深さに位
置するようにシリコン融液13内に挿入され、この深さ
範囲でのシリコン融液13を石英坩堝5の中心部とその
周辺部とに区画するものである。そして、この対流制御
治具15の曲板15Cに、石英坩堝5およびシリコン単
結晶棒14の相対的な回転により発生するシリコン融液
13の対流が当接することにより、この対流の向きが制
御されるものである。例えば通常は水平面内で円形をな
して流れる対流を、周辺部から中心部に向かって流れる
向心流、または、その逆に中心部から周辺部に向かって
流れる遠心流のいずれかに制御するものである。
に、略円筒体形状であって、上端側に所定口径の円筒部
15Aを有している。この円筒部15Aの下端側には、
案内羽根形状の曲板15Cが複数枚形成されている。こ
れらの曲板15Cのそれぞれは円筒体の放射方向に対し
て所定の傾きを有するよう形成されており、さらに、各
曲板15Cは所定の曲率を有して湾曲している。また、
これらの曲板15Cは円筒体の軸線を含む平面、すなわ
ち鉛直面を有して構成されており、その長さは所定の
値、例えば対流を効果的に制御できる程度の長さに設
定、垂下されている。さらに、各曲板15Cの間には円
筒体の内部とその外部とを連通する所定の隙間が画成さ
れている。したがって、この対流制御治具15は、上記
曲板15Cがシリコン融液13表面から所定の深さに位
置するようにシリコン融液13内に挿入され、この深さ
範囲でのシリコン融液13を石英坩堝5の中心部とその
周辺部とに区画するものである。そして、この対流制御
治具15の曲板15Cに、石英坩堝5およびシリコン単
結晶棒14の相対的な回転により発生するシリコン融液
13の対流が当接することにより、この対流の向きが制
御されるものである。例えば通常は水平面内で円形をな
して流れる対流を、周辺部から中心部に向かって流れる
向心流、または、その逆に中心部から周辺部に向かって
流れる遠心流のいずれかに制御するものである。
【0011】このシリコン融液13の対流の制御を図2
を用いて説明する。図2は、図3の主要部(シリコン単
結晶棒14とシリコン融液13との界面を示す部分)の
拡大図である。この図に示すように、石英坩堝5が一方
向に回転し、シリコン単結晶棒14が他方向に回転して
いるとき、表面から所定深さ範囲のシリコン融液13中
に発生する対流は、対流制御治具15の曲板15Cによ
って向きを変え、図中矢印Bのように、シリコン融液1
3の周辺部から中心部(シリコン単結晶棒14の直下部
分)に向かって流れる(向心流)ものである。反対に、
石英坩堝5が他方向に、シリコン単結晶棒14が一方向
に向かって回転すると、対流制御治具15によって、シ
リコン融液13中の対流は、矢印Bと反対向きに流れる
(遠心流)ものである。
を用いて説明する。図2は、図3の主要部(シリコン単
結晶棒14とシリコン融液13との界面を示す部分)の
拡大図である。この図に示すように、石英坩堝5が一方
向に回転し、シリコン単結晶棒14が他方向に回転して
いるとき、表面から所定深さ範囲のシリコン融液13中
に発生する対流は、対流制御治具15の曲板15Cによ
って向きを変え、図中矢印Bのように、シリコン融液1
3の周辺部から中心部(シリコン単結晶棒14の直下部
分)に向かって流れる(向心流)ものである。反対に、
石英坩堝5が他方向に、シリコン単結晶棒14が一方向
に向かって回転すると、対流制御治具15によって、シ
リコン融液13中の対流は、矢印Bと反対向きに流れる
(遠心流)ものである。
【0012】また、この単結晶引上装置1にあっては、
従来と同様に、黒鉛サセプタ4の外側には、シリコン融
液13の加熱用ヒータ6および熱シールド部材7がこの
黒鉛サセプタ4を取り囲むように配設されている。さら
に、チャンバ2の上部には、引上機構(図示略)、およ
び、導入口8がそれぞれ設けられている。この導入口8
は、チャンバ2内部にアルゴンガスを導入するためのも
のである。この引上機構によって、引上ワイヤ9が石英
坩堝5の上方で、石英坩堝5と反対方向に回転しつつ上
下動するように構成されている。この引上ワイヤ9の先
端には、シードチャック10を介してシリコン単結晶の
種結晶11が取り付けられている。チャンバ2の下部に
は、アルゴンガス等の排気口12が設けられている。こ
の排気口12は真空装置(図示略)に接続されている。
そして、この種結晶11を、シリコン融液13に浸した
後上昇させる。このことにより、種結晶11を始点とし
て順次成長しこの種結晶11と結晶方位が同じシリコン
単結晶棒14がアルゴン雰囲気中で引き上げられるよう
になっている。
従来と同様に、黒鉛サセプタ4の外側には、シリコン融
液13の加熱用ヒータ6および熱シールド部材7がこの
黒鉛サセプタ4を取り囲むように配設されている。さら
に、チャンバ2の上部には、引上機構(図示略)、およ
び、導入口8がそれぞれ設けられている。この導入口8
は、チャンバ2内部にアルゴンガスを導入するためのも
のである。この引上機構によって、引上ワイヤ9が石英
坩堝5の上方で、石英坩堝5と反対方向に回転しつつ上
下動するように構成されている。この引上ワイヤ9の先
端には、シードチャック10を介してシリコン単結晶の
種結晶11が取り付けられている。チャンバ2の下部に
は、アルゴンガス等の排気口12が設けられている。こ
の排気口12は真空装置(図示略)に接続されている。
そして、この種結晶11を、シリコン融液13に浸した
後上昇させる。このことにより、種結晶11を始点とし
て順次成長しこの種結晶11と結晶方位が同じシリコン
単結晶棒14がアルゴン雰囲気中で引き上げられるよう
になっている。
【0013】次に、単結晶引上装置1を使用したシリコ
ン単結晶の引き上げ方法を説明する。引き上げに先立っ
て、黒鉛サセプタ4内にある石英坩堝5内に高純度多結
晶シリコン、および、ボロンを高濃度にドープしたシリ
コン結晶の小片を入れる。これら全体を軸3に取り付け
る。チャンバ2内を真空装置で真空にし、導入口8へア
ルゴンガスを供給し、チャンバ2内を10〜20Tor
rのアルゴン雰囲気にする。ヒータ6に直接通電して石
英坩堝5を加熱し原料のシリコン等を溶融する。次い
で、シードチャック10にシリコン単結晶の種結晶11
を取り付け、この種結晶11をシリコン融液13の中心
部に接触させる。この接触と同時に、モータで軸3を所
定の坩堝回転速度で一方向に回転させるとともに、引上
機構により、所定の結晶回転速度で他方向に回転させな
がら、種結晶11をゆっくり上昇させる。この結果、種
結晶11からシリコン単結晶棒14が成長して引き上げ
られていく。
ン単結晶の引き上げ方法を説明する。引き上げに先立っ
て、黒鉛サセプタ4内にある石英坩堝5内に高純度多結
晶シリコン、および、ボロンを高濃度にドープしたシリ
コン結晶の小片を入れる。これら全体を軸3に取り付け
る。チャンバ2内を真空装置で真空にし、導入口8へア
ルゴンガスを供給し、チャンバ2内を10〜20Tor
rのアルゴン雰囲気にする。ヒータ6に直接通電して石
英坩堝5を加熱し原料のシリコン等を溶融する。次い
で、シードチャック10にシリコン単結晶の種結晶11
を取り付け、この種結晶11をシリコン融液13の中心
部に接触させる。この接触と同時に、モータで軸3を所
定の坩堝回転速度で一方向に回転させるとともに、引上
機構により、所定の結晶回転速度で他方向に回転させな
がら、種結晶11をゆっくり上昇させる。この結果、種
結晶11からシリコン単結晶棒14が成長して引き上げ
られていく。
【0014】このとき、シリコン融液13中に発生する
対流は、対流制御治具15の曲板15Cによって向きを
変え、シリコン融液13の上部(表面から所定の深さ範
囲まで)においてはその周辺部から中心部へ向かって流
れるものである。このことにより、シリコン単結晶棒1
4とシリコン融液13との界面直下およびその近傍の温
度は均一化する。よって、シリコン単結晶棒14とシリ
コン融液13との固液界面形状は平坦化する。そして、
石英坩堝5の斜め上方にある直径制御用光センサ(図示
略)でシリコン単結晶棒14の直径を監視し、引上機構
の引き上げ速度を変化(平均1.0〜1.5mm/分)さ
せて、その直径が常に一定になるようにする。
対流は、対流制御治具15の曲板15Cによって向きを
変え、シリコン融液13の上部(表面から所定の深さ範
囲まで)においてはその周辺部から中心部へ向かって流
れるものである。このことにより、シリコン単結晶棒1
4とシリコン融液13との界面直下およびその近傍の温
度は均一化する。よって、シリコン単結晶棒14とシリ
コン融液13との固液界面形状は平坦化する。そして、
石英坩堝5の斜め上方にある直径制御用光センサ(図示
略)でシリコン単結晶棒14の直径を監視し、引上機構
の引き上げ速度を変化(平均1.0〜1.5mm/分)さ
せて、その直径が常に一定になるようにする。
【0015】次に、石英坩堝5の回転方向、および、シ
リコン単結晶棒14の回転方向、を上記とは逆にした場
合について説明する。この場合、シリコン融液13中に
図2の対流の流れ(向心流)とは反対方向の流れ(遠心
流)が発生する。詳しくは、シリコン単結晶棒14とシ
リコン融液13との界面直下およびその近傍に遠心的な
対流が発生する。この結果、シリコン単結晶棒14とシ
リコン融液13との界面直下およびその近傍に流入する
シリコン融液13中の石英坩堝5からの溶融酸素量を制
御することができ、したがって、シリコン単結晶棒14
への酸素の取り込み量を制御することができる。よっ
て、シリコン単結晶棒14の面内の酸素濃度分布は均質
化する。また、上記遠心方向の対流によりマランゴニ流
の発生を抑えることができる。なお、対流制御治具15
の案内羽根形状の曲板15Cの湾曲を逆にしても同様の
効果がある。
リコン単結晶棒14の回転方向、を上記とは逆にした場
合について説明する。この場合、シリコン融液13中に
図2の対流の流れ(向心流)とは反対方向の流れ(遠心
流)が発生する。詳しくは、シリコン単結晶棒14とシ
リコン融液13との界面直下およびその近傍に遠心的な
対流が発生する。この結果、シリコン単結晶棒14とシ
リコン融液13との界面直下およびその近傍に流入する
シリコン融液13中の石英坩堝5からの溶融酸素量を制
御することができ、したがって、シリコン単結晶棒14
への酸素の取り込み量を制御することができる。よっ
て、シリコン単結晶棒14の面内の酸素濃度分布は均質
化する。また、上記遠心方向の対流によりマランゴニ流
の発生を抑えることができる。なお、対流制御治具15
の案内羽根形状の曲板15Cの湾曲を逆にしても同様の
効果がある。
【0016】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明に係る単
結晶引上装置によれば、単結晶棒の面内の酸素濃度分布
を均質化することができる。また、単結晶棒と結晶融液
との界面近傍の温度を均一化することができ、その単結
晶棒の固液界面形状を平坦化することができる。この結
果、単結晶棒の品質を向上させることができる。
結晶引上装置によれば、単結晶棒の面内の酸素濃度分布
を均質化することができる。また、単結晶棒と結晶融液
との界面近傍の温度を均一化することができ、その単結
晶棒の固液界面形状を平坦化することができる。この結
果、単結晶棒の品質を向上させることができる。
【図1】本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の対流
制御治具の斜視図である。
制御治具の斜視図である。
【図2】本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の要部
断面図である。
断面図である。
【図3】本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の断面
図である。
図である。
5 石英坩堝 6 ヒータ 13 シリコン融液(結晶融液) 14 シリコン単結晶棒 15 対流制御治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島貫 康 東京都千代田区岩本町3丁目8番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項1】 結晶融液を保持する回動自在の石英坩堝
と、 この結晶融液から単結晶棒を引き上げる引上機構と、 上記結晶融液を加熱するヒータと、を備えた単結晶引上
装置において、 上記石英坩堝の回動により上記結晶融液の表面直下の所
定深さ範囲に発生する対流の方向を制御する対流制御手
段を備えることを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項2】 上記対流制御手段は、上記結晶融液の表
面直下の所定深さ範囲に、上記単結晶棒を囲むように設
けられた複数の案内羽根形状の治具を有することを特徴
とする請求項1に記載の単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7535692A JPH05238875A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7535692A JPH05238875A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 単結晶引上装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05238875A true JPH05238875A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=13573873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7535692A Pending JPH05238875A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05238875A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0710692A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | シリコン単結晶中への酸素混入を減少する方法および装置 |
EP1201793A4 (en) * | 1999-05-22 | 2003-02-05 | Japan Science & Tech Corp | PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING HIGH QUALITY MONOCRYSTALS |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP7535692A patent/JPH05238875A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0710692A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-01-13 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | シリコン単結晶中への酸素混入を減少する方法および装置 |
EP1201793A4 (en) * | 1999-05-22 | 2003-02-05 | Japan Science & Tech Corp | PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING HIGH QUALITY MONOCRYSTALS |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000111 |