DE2952602C2 - - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrich
tung zum Herstellen von Silicium-Dünnstäben, bei dem
das obere Ende eines senkrecht gehalterten Silicium-
Vorratsstabes in einem evakuierten oder mit Schutzgas
gefüllten Rezipienten aufgeschmolzen wird und aus der
aufgeschmolzenen Zone ein an seinem oberen Ende gehal
terter Silicium-Dünnstab, insbesondere mit einer Länge
von einem oder mehreren Metern, gezogen wird.
Zur Herstellung von Reinstsilicium haben sich Verfahren
durchgesetzt, bei denen durch thermische Zersetzung
eines aus gasförmigen Siliciumverbindungen und Wasser
stoff bestehenden Gasgemisches auf erhitzten Träger
körpern Silicium abgeschieden wird. Als Trägerkörper
werden im allgemeinen dünne Siliciumstäbe verwendet,
die durch direkten Stromdurchgang erhitzt werden.
In dem Artikel "Technologie des Halbleitersiliciums"
von W. Dietze und A. Mühlbauer, Chemikerzeitung, 1973,
Seiten 151 bis 155, ist ein Verfahren beschrieben,
bei dem die beim Abscheidungsprozeß zu verdickenden
Silicium-Dünnstäbe mittels einer Dünnzieh-Anlage herge
stellt werden. Bei diesem Verfahren schmilzt eine fest
stehende Hochfrequenzspule durch induktive Erwärmung
das obere Ende eines dicken Vorratsstabes auf. Der in
die entstandene Schmelzkuppe eingetauchte dünne Sili
ciumkristall wird nach inniger Verschmelzung rasch nach
oben abgezogen, während gleichzeitig der dicke Vorrats
stab langsam nachgeführt wird. Der Durchmesser des
polykristallin wachsenden Dünnstabes wird im wesent
lichen vom Verhältnis der Abziehgeschwindigkeit des
Dünnstabes zur Nachführgeschwindigkeit des Vorrats
stabes bestimmt. Wird der Züchtungsprozeß mit einem
dünnen einkristallinen Siliciumstab begonnen, so wächst
der Dünnstab mit der vom Impfkristall vorgegebenen
Kristallorientierung weiter. Es entsteht ein dünner,
stabförmiger Einkristall, der seinerseits bei der
Züchtung großer einkristalliner Siliciumstäbe als Impf
kristall verwendet werden kann. Die im Dünnziehverfah
ren erzeugten Stäbe haben in der Regel einen Durchmesser
zwischen 3 und 10 mm.
Aus wirtschaftlichen Gründen werden vor allem zum Ein
satz in Abscheidungsanlagen möglichst lange Dünnstäbe
benötigt. Die Stäbe sollen einen konstanten Durchmesser
aufweisen und möglichst gerade sein. Bei der Herstellung
von Dünnstäben mit mehr als 1 m Länge treten jedoch
durch Erschütterungen des Dünnstabes Probleme auf. Diese
durch die Mechanik der Anlage oder Bodenschwingungen
und ähnliches hervorgerufenen Erschütterungen konnten
auch durch eine stabilisierende Abstützung am oberen
Ende der Führungssäule, in der der Dünnstab gezogen
wird, gegen eine möglichst erschütterungsfreie Wand
nicht ausreichend vermindert werden.
Diese Erschütterungen des Dünnstabes haben Resonanzen
in der Schmelzzone zufolge, so daß der Durchmesser
des wachsenden Stabes ungleichmäßig wird und uner
wünschte Versetzungen auftreten. Die gewünschte Quali
tät des Dünnstabes über die gesamte Stablänge konnte
daher nicht erreicht werden. Durch starkes Hin- und
Herpendeln mit zunehmender Länge des Dünnstabes kann es
ferner dazu kommen, daß dieser vor Erreichen der End
länge auseinanderreißt, dabei Schmelzflüssigkeit aus
läuft und Überschläge im Bereich der HF-Schmelzspule
ausgelöst werden. Desweiteren führen kleine, aber
nicht vermeidbare Ungenauigkeiten beim Ausrichten der
Ziehvorrichtung und unterschiedlich auftretende Rei
bungen an der Ziehachse zu einer Krümmung des Dünnsta
bes. Dies hat zur Folge, daß oft nur ein Teil des
Dünnstabes für den Abscheidungsprozeß verwendet werden
kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, hier Abhilfe
zu schaffen und ein Verfahren zum Herstellen von Si
licium-Dünnstäben vorzusehen, bei dem die Maßgenauigkeit
und die Kristallqualität über die gesamte Länge der
Dünnstäbe gleichmäßig erhalten bleibt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß der Silicium-Dünnstab in seinem unteren Bereich
radial abgestützt wird. Durch diese Maßnahme wird ein
schwingungsfreier und gerader Lauf des Dünnstabes er
möglicht. Dies hat zur Folge, daß die gesamte Länge der
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
Dünnstäbe zum Einsatz im Abscheidungsprozeß nutzbar
ist, die Stäbe relativ glatte Oberflächen und geringe
Durchmesserschwankungen aufweisen. Durch die Schwingungs
dämpfung werden ferner Versetzungen bei der Herstellung
von dünnen Einkristallstäben vermieden, so daß mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren eine im Vergleich mit
dem bekannten Verfahren erheblich bessere Einkristall
ausbeute aufgrund des ungestörten Wachstums erzielt wird.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß die Abstützung
während des Herstellungsvorgangs in konstanter Ent
fernung von der aufgeschmolzenen Zone erfolgt, daß diese
Entfernung 3 bis 15 cm beträgt und daß der Silicium-
Dünnstab federnd abgestützt wird.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens ist vorteilhafterweise so ausgeführt, daß
ein Rezipient vorgesehen ist, in dem ein Vorratsstab
senkrecht gehaltert ist, daß eine Heizspule zum Auf
schmelzen des oberen Endes des Vorratsstabes vorgesehen
ist, daß ein an seinem oberen Ende einseitig und verti
kal verschiebbar gehalterter Silicium-Dünnstab vorge
sehen ist, dessen unteres Ende in die aufgeschmolzene
Zone des Vorratsstabes eintaucht, und daß eine Abstütz
einrichtung für den unteren Bereich des Silicium-Dünn
stabes zu dessen radialer Abstützung vorgesehen ist.
Vorteilhafterweise ist die Abstützung federnd und hori
zontal verschiebbar ausgeführt. Die horizontale Ver
schiebbarkeit der Abstützung kann begrenzt sein, bei
spielsweise auf ± 5 mm. Es liegt im Rahmen der Erfindung,
daß zur Abstützung mindestens zwei, insbesondere drei
Federdrähte vorgesehen sind, daß das eine Ende der Fe
derdrähte an einer den Silicium-Dünnstab im wesent
lichen konzentrisch umgebenden, horizontal gehalterten,
ringförmigen Scheibe befestigt ist, daß die Feder
drähte auf der ringförmigen Scheibe so angeordnet sind,
daß das andere Ende über die Scheibenmitte hinaus
reicht und der Federdraht in etwa zur Scheibenmitte
hin ausgerichtet ist, daß die Federdrähte im gleichen
Winkelabstand auf der ringförmigen Scheibe angebracht
sind und daß die Federdrähte aus Edelstahl, beispiels
weise V2A, aus Tantal oder aus Molybdän gefertigt sind
und einen Querschnitt von 0,2 bis 1 mm aufweisen.
In Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß die
ringförmige Scheibe waagerecht zwischen einer ringför
migen oberen Platte und einer ringförmigen unteren
Platte gehaltert ist, daß die ringförmige Scheibe im
festen Abstand von der Schmelzzone, beispielsweise 3
bis 15 cm, gehaltert ist, daß die obere und untere
Platte mittels Abstandsstützen am Deckel des Rezipien
ten befestigt sind und daß die ringförmige Scheibe
und die obere und untere Platte aus Edelstahl, bei
spielsweise V2A, oder aus Molybdän gefertigt sind.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren
näher erläutert.
Die Fig. 1 zeigt schematisch ein Aus
führungsbeispiel für eine Abstützung zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens, die in einer Anlage
zur Herstellung von Silicium-Dünnstäben eingesetzt ist.
Die Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel für die er
findungsgemäße Abstützvorrichtung.
Die Fig. 1 zeigt eine Dünnziehanlage, die aus einem
Rezipienten 4 besteht, in dem ein an seinem unteren En
de gehalterter, senkrecht stehender Silicium-Vorrats
stab 3 an seinem oberen Ende mittels einer Induktions
heizspule 5 aufgeschmolzen ist. In die aufgeschmolzene
Zone 2 taucht ein an seinem oberen Ende gehalterter
Silicium-Dünnstab 1 ein. Der Vorratsstab 3 ist mit
seinem unteren Ende an der vertikal verschiebbaren
Ziehachse 6 gehaltert. Die Achse 6 ist mittels einer
Dichtung 9 vakuumdicht durch den Boden des Rezipienten
4 durchgeführt.
Das obere Ende des Dünnstabes 1 ist ebenfalls verti
kal verschiebbar an der Ziehwelle 7 gehaltert. Die
Welle 7 ist mittels einer Dichtung 10 durch den Deckel
einer Führungssäule 8, die an den Rezipientendeckel
angeflanscht ist und in ihrer Länge in etwa dem herzu
stellenden Dünnstab 1 entspricht, vakuumdicht durchge
führt. Ziehachse 6 und Ziehwelle 7 können um ihre Achse
drehbar angeordnet sein. Bei der Herstellung von Stäben
aus polykristallinem Silicium ist eine solche Maßnahme
aber in der Regel entbehrlich.
Die Strom- und Kühlmittelzuführungen 11 der Induktions
heizspule 5 sind vakuumdicht durch die Wand des Rezi
pienten 4 geführt und an einen in der Figur nicht dar
gestellten HF-Generator und an eine Kühlmittelversor
gung angeschlossen.
An den Stutzen 12 des Rezipienten 4 ist eine in der
Figur nicht dargestellte Vakuumpumpe angeschlossen. Es
ist aber ebenfalls möglich, das Verfahren nicht im
Vakuum sondern in einer Schutzgasatmosphäre durchzu
führen.
Die Abstützvorrichtung 25 zur Durchführung des erfin
dungsgemäßen Verfahrens besteht aus Federdrähten 15,
die an einer ringförmigen Scheibe 14 befestigt sind.
Die ringförmige Scheibe 14 ist waagerecht und horizon
tal verschiebbar zwischen einer ringförmigen unteren
Platte 16 und einer ringförmigen oberen Platte 17 so
gehaltert, daß sie vertikal ein Spiel von etwa 0,5 mm
hat. Die obere ringförmige Platte 17 und die untere
ringförmige Platte 16 sind über Beilagscheiben 22 und
23 mittels Muttern 18 und 19 am einen Ende mittels
Muttern 21 am Deckel des Rezipienten 4 befestigt ist.
Die Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel für die ring
förmige Scheibe 14 und die auf ihr angeordneten Feder
drähte 15. Es sind drei gerade Federdrähte 15 vorge
sehen, deren eines Ende in gleichen Winkelabständen
auf der ringförmigen Scheibe 14 so befestigt ist, daß
die Federdrähte in etwa zur Scheibenmitte hin ausge
richtet sind. Die Länge der Federdrähte 15 ist dabei
so gewählt, daß das andere Ende mindestens über die
Scheibenmitte hinausreicht.
Der Silicium-Dünnstab 1 wird so zwischen den Feder
drähten angeordnet, daß die ringförmige Scheibe 14 ihn
ihn etwa konzentrisch umgibt und die vorzugsweise im
gleichen Uhrzeigersinn aus ihrer Ruhestellung ausge
lenkten Federdrähte 15 durch ihre Auslenkung einen
radial in Richtung Stabmitte gerichteten Druck auf den
Dünnstab ausüben.
Mit einer Vorrichtung entsprechend den Fig. 1 und 2
wird das erfindungsgemäße Verfahren wie folgt durchge
führt:
Der relativ dicke Vorratsstab 3 wird an seinem oberen
Ende mittels der Induktionsheizspule 5 aufgeschmolzen
und so die Schmelzzone 2 erzeugt. Ein dünner Silicium
kristall, der beispielsweise den gleichen Durchmesser
wie der herzustellende Dünnstab und eine Länge von < 7 cm
aufweist und an seinem oberen Ende an der Ziehwelle 7
gehaltert ist, wird in der oben beschriebenen Weise
durch die Federdrähte 15 geführt und in die Schmelz
zone 2 getaucht. Nach inniger Verschmelzung wird der
dünne Siliciumkristall mittels der Ziehwelle 7 rasch
nach oben abgezogen, während gleichzeitig der dicke
Vorratsstab 3 mittels der Achse 6 langsam nachgeführt
wird. Der so entstehende Dünnstab 1 wird in seinem un
teren Bereich ständig durch die Abstützung 25 radial
abgestützt. Dabei sorgen die Federdrähte 15 auch bei
Dünnstablängen von beispielsweise 2 bis 3 m für eine
wirksame Dämpfung bzw. Verhinderung von Schwingungen
des Dünnstabes. Da die ringförmige Scheibe 14 zwischen
der oberen Platte 17 und der unteren Platte 16 horizon
tal verschiebbar angeordnet ist, kann sich die Ab
stützung Radialbewegungen des Dünnstabes 1, die durch nicht
vermeidbare Ungenauigkeiten beim Ausrichten der Zieh
vorrichtung und durch unterschiedliche Reibungen der
Ziehwelle 7 bedingt sind, anpassen. Auf diese Weise
wird ein ruhiger und gerader Lauf des Dünnstabes 1 er
reicht.
Im allgemeinen werden Dünnstäbe mit - wie in der Fig.
2 gezeigt - kreisförmigen Durchmesser verwendet. Nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren können jedoch Dünnstäbe
mit beliebigem Stabquerschnitt, die aufgrund ihrer
Länge in Schwingungen kommen können, abgestützt werden.
Dies können z. B. auch Bänder mit rechteckigem Profil
oder Stäbe mit quadratischem Querschnitt sein. Ent
scheidend für die erzielbare Länge und Qualität der
Bänder oder Stäbe ist lediglich, daß das Ziehverfahren
so durchgeführt wird, daß die Bänder oder Stäbe in
ihrem unteren Bereich radial abgestützt werden und so
weder schwingen noch pendeln können. Bei eckigem Profil
der Stäbe empfiehlt es sich, die Federdrähte so anzu
ordnen, daß der Federdruck auf die zwischen den Ecken
liegenden Flächen wirkt. Durch Justierfehler und Ähn
liches bedingte vertikale Verschiebungen des unteren
Stabendes sollte sich die Abstützung durch horizontale
Verschiebbarkeit anpassen können um Kristallspannungen
und Ähnliches zu verhindern. Um diese Auslenkungen zu
begrenzen, kann die seitliche Verschiebbarkeit der Ab
stützung begrenzt werden.
Die in der Fig. 1 gezeigte Dünnziehanlage weist eine
feststehende Induktionsheizspule 5 auf, so daß während
des Verfahrens der Vorratsstab 3 nach oben nachge
führt wird. Durch die Befestigung der Abstützung 25
am Deckel des Rezipienten 4 ist somit auf einfache
Weise ein konstanter Abstand der Abstützung 25 von der
Schmelzzone 2 gewährleistet. Dieser Abstand sollte
vorzugsweise 3 bis 15 cm betragen, da dann die Tempe
ratur des Dünnstabes auf ca. 300 bis 400°C gesunken
ist. Es ist aber auch möglich, nicht den Vorratsstab 3,
sondern die Heizspule 5 während des Verfahrens vertikal
zu verschieben. In diesem Fall ist die Halterung der
Abstützung 25 entsprechend zu verändern.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gelingt es, glatte,
kreisrunde Silicium-Dünnstäbe mit einer Länge von mehr
als 2,2 m ohne Durchmesserschwankungen herzustellen. Die
gesamte Länge dieser Stäbe ist zum Einsatz im Abschei
dungsprozeß nutzbar. Einkristalline Dünnstäbe, die nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren gezogen sind, sind
über ihre gesamte Länge einkristallin und können als
Impfkristalle in Zonenzieh- oder Tiegelziehverfahren
oder in Abscheidungsanlagen, in denen mittels Abschei
dung aus der Gasphase direkt dicke Einkristallstäbe
hergestellt werden sollen, eingesetzt werden.
Claims (22)
1. Verfahren zum Herstellen von Silicium-Dünnstäben,
bei dem das obere Ende eines senkrecht gehalterten
Silicium-Vorratsstabes in einem evakuierten oder mit
Schutzgas gefüllten Rezipienten aufgeschmolzen wird
und aus der aufgeschmolzenen Zone ein an seinem oberen
Ende gehalterter Silicium-Dünnstab, insbesondere mit
einer Länge von einem oder mehreren Metern, gezogen
wird, dadurch gekennzeichnet,
daß der Silicium-Dünnstab in seinem unteren Bereich
radial abgestützt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Abstützung während
des Herstellungsvorgangs in konstanter Entfernung von
der aufgeschmolzenen Zone erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Abstützung in
einer Entfernung von 3 bis 15 cm von der aufgeschmol
zenen Zone erfolgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Silicium-Dünnstab federnd abgestützt wird.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach
einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Rezipient vorge
sehen ist, in dem ein Vorratsstab senkrecht gehaltert
ist, daß eine Heizspule zum Aufschmelzen des oberen En
des des Vorratsstabes vorgesehen ist, daß ein an seinem
oberen Ende einseitig und vertikal verschiebbar gehal
terter Silicium-Dünnstab vorgesehen ist, dessen unteres
Ende in die aufgeschmolzene Zone des Vorratsstabes ein
taucht, und daß eine Abstützeinrichtung für den unteren
Bereich des Silicium-Dünnstabes zu dessen radialer
Abstützung vorgesehen ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Abstützung federnd
ausgeführt ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Abstützung
horizontal verschiebbar ausgeführt ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch
7, dadurch gekennzeichnet,
daß die horizontale Verschiebbarkeit der Abstützung
begrenzt ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch
8, dadurch gekennzeichnet,
daß die horizontale Verschiebbarkeit der Abstützung auf
± 5 mm begrenzt ist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5
bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Abstützung mindestens zwei Federdrähte vorge
sehen sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch
10, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Abstützung drei Federdrähte vorgesehen sind.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder
11, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Ende der Federdrähte an einer den Silicium-
Dünnstab im wesentlichen konzentrisch umgebenden, hori
zontal gehalterten, ringförmigen Scheibe befestigt ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10
bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die Federdrähte auf der ringförmigen Scheibe so an
geordnet sind, daß das andere Ende über die Scheiben
mitte hinaus reicht und der Federdraht in etwa zur
Scheibenmitte hin ausgerichtet ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10
bis 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die Federdrähte im gleichen Winkelabstand auf der
ringförmigen Scheibe angebracht sind.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10
bis 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die Federdrähte aus Edelstahl, beispielsweise V2A,
aus Tantal oder aus Molybdän gefertigt sind.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10
bis 15, dadurch gekennzeichnet,
daß die Federdrähte einen Querschnitt von 0,2 bis 1 mm
aufweisen.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10
bis 16, dadurch gekennzeichnet,
daß die ringförmige Scheibe waagerecht zwischen einer
ringförmigen oberen Platte und einer ringförmigen un
teren Platte gehaltert ist.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10
bis 17, dadurch gekennzeichnet,
daß die ringförmige Scheibe im festen Abstand von der
Schmelzzone gehaltert ist.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch
gekennzeichnet, daß der Abstand 3 bis
15 cm beträgt.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17
bis 19, dadurch gekennzeichnet,
daß die obere und untere Platte mittels Abstands
stützen am Deckel des Rezipienten befestigt sind.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17
bis 20, dadurch gekennzeichnet,
daß die ringförmige Scheibe und die obere und untere
Platte aus Edelstahl, z. B. aus V2A, oder aus Molybdän
gefertigt sind.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17
bis 21, dadurch gekennzeichnet,
daß die Unterseite der unteren Platte insbesondere durch
Sandstrahlen aufgerauht ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792952602 DE2952602A1 (de) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium-duennstaeben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792952602 DE2952602A1 (de) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium-duennstaeben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2952602A1 DE2952602A1 (de) | 1981-07-02 |
DE2952602C2 true DE2952602C2 (de) | 1987-08-27 |
Family
ID=6089789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792952602 Granted DE2952602A1 (de) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium-duennstaeben |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2952602A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19650856A1 (de) * | 1996-12-07 | 1998-06-10 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von gerichtet erstarrten Stranggußblöcken |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009005837B4 (de) * | 2009-01-21 | 2011-10-06 | Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumdünnstäben |
-
1979
- 1979-12-28 DE DE19792952602 patent/DE2952602A1/de active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19650856A1 (de) * | 1996-12-07 | 1998-06-10 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von gerichtet erstarrten Stranggußblöcken |
DE19650856B4 (de) * | 1996-12-07 | 2005-10-20 | Ald Vacuum Techn Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von gerichtet erstarrten Stranggußblöcken |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE2952602A1 (de) | 1981-07-02 |
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