DE4131413C2 - Bondierungsverfahren für Halbleiterchips - Google Patents

Bondierungsverfahren für Halbleiterchips

Info

Publication number
DE4131413C2
DE4131413C2 DE4131413A DE4131413A DE4131413C2 DE 4131413 C2 DE4131413 C2 DE 4131413C2 DE 4131413 A DE4131413 A DE 4131413A DE 4131413 A DE4131413 A DE 4131413A DE 4131413 C2 DE4131413 C2 DE 4131413C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ball
bonding
gold
chip
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4131413A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4131413A1 (de
Inventor
Gu Sung Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE4131413A1 publication Critical patent/DE4131413A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4131413C2 publication Critical patent/DE4131413C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/039—Methods of manufacturing bonding areas involving a specific sequence of method steps
    • H01L2224/03912—Methods of manufacturing bonding areas involving a specific sequence of method steps the bump being used as a mask for patterning the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/1182—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/11822—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13075—Plural core members
    • H01L2224/1308—Plural core members being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13075—Plural core members
    • H01L2224/1308—Plural core members being stacked
    • H01L2224/13083—Three-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13116—Lead [Pb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Bondverfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips auf einem Substrat. Bei einem derartigen Bondverfahren werden Flip-Chips durch ein Verfahren mit der Oberfläche nach unten (Face-down-Verfahren) derart bondiert, daß Kontakttropfen auf den Elektroden des Chips gebildet werden und der Chip danach mit der Oberfläche nach unten weisend auf dem Substrat befestigt wird.
EP 0 388 011 A2 beschreibt ein Bondverfahren zum Aufbringen eines Chips auf einem Substrat, wobei zunächst auf einer Elektrode des Chips eine Plattierung aus Gold aufgebracht wird und diese danach in ein Metallbad oder eine Metallschicht eingetaucht wird. Beim Herausziehen ergibt sich eine Kontaktstruktur aus der Goldplattierung und einer Metallkugel darauf. Der Halbleiterchip mit der Kontaktstruktur wird dann auf eine Verdrahtung des Substrats mit einem Bondverfahren aufgebracht, bei dem ein Druck ausgeübt wird, um die Metallkugel zu einer Deformation zur Beseitigung von Oxidschichten auf der Verdrahtung und der Metallkugel zu veranlassen. Dabei darf die Metallkugel nicht über ihren Schmelzpunkt erwärmt werden, da sonst die Beseitigung der Oxidschichten nicht ausgeführt wird.
Die EP 0 320 244 A2 beschreibt die Aufbringung eines Chips auf einem Substrat, wobei in einem Drahtbondprozeß zunächst ein Goldtropfen am Ende eines Golddrahts mit der Elektrode eines Halbleiterchips kontaktiert wird. Danach wird der Draht zurückgezogen und durch die Bondungsvorrichtung umgebogen, so daß ein hakenförmiger verdünnter Abschnitt auf dem Goldtropfen gebildet wird. Dieser hakenförmige Abschnitt wird in eine Haftungsmittelschicht bis zu dem Goldtropfen eingetaucht, aus der Haftungsmittelschicht zurückgezogen und direkt mit einer Verdrahtung des Substrats kontaktiert. Nachdem der hakenförmige Abschnitt einen kleineren Durchmesser als der Goldtropfen aufweist, kann eine große Menge von Haftungsmittel um diesen hakenförmigen Abschnitt herum angeordnet werden, so daß die Haftung und der Kontakt zwischen dem Substrat und dem Chip erhöht werden kann.
In der EP 0 265 927 A2 wird beschrieben, daß ein kugelförmiger Endabschnitt eines Golddrahts in eine Scheibe geplättet wird. Danach wird eine weitere Kugel am Ende eines weiteren Golddrahts auf diese geplättete Scheibe aufgebracht und ebenfalls mittels Druck geplättet. Auf eine derartige Struktur wird eine weitere Kugel am Ende eines weiteren Drahts aufgebracht und wiederum mittels Druck in eine scheibenartige Form geplättet. Die Drei-Scheiben-Struktur ist direkt auf einem Verbindungsanschluß eines Halbleiterelements angeordnet. Während der sukzessiven Aufbringung der einzelnen Scheiben wird eine Erwärmung vorgenommen.
JP 61-212029 A beschreibt, daß bei einem Bondverfahren eine Oxidation eines Bonddrahts durch Verwendung von Argon-Gas oder Stickstoffgas verhindert werden kann.
Die GB 2 201 545 A beschreibt das Bilden eines Goldballens auf einer Elektrode eines Substrats. Eine Goldkugel, die sich am Ende eines Golddrahts befindet, wird mittels einer elektrischen Erwärmungseinrichtung erwärmt.
Die JP 2-302049 A beschreibt einen Druckbondprozeß, bei dem eine Goldkugel auf einem Substrat mittels Druckbondens aufgebracht wird.
Die JP 1-202830 A beschreibt das Bilden einer Lötkugel auf einer Elektrode 2 eines Substrats.
Im allgemeinen wird ein solches Flip-Chip Bondverfahren, im Unterschied zum Drahtbond­ verfahren und dem TAB(band-automatisches Bonden)- Verfahren, derart ausgeführt, daß die Tropfen für das Bonden des Chips auf dem Substrat in einer gewünschten Form während eines gesonderten Schrittes des Halbleiterherstellungsprozesses gebildet werden.
Wie in Fig. 1A bis 1F gezeigt, umfaßt das herkömmliche Tropfenbildungsverfahren einen Schritt, bei dem Ti oder Cr auf einem auf einem Chip 1 gebildeten Aluminiumpolster 2 zur Bildung einer Schicht zerstäubt wird, einen Schritt, bei dem eine Überzugsbasis 3 durch Ablagerung von Cu oder Au auf der Schicht gebildet wird nachdem eine Haftung daran erreicht ist, einen Schritt, bei dem eine lichtempfindliche Schicht 4 auf der Überzugsbasis 3 gebildet wird, um die Größe des Tropfens durch das fotolithographische Verfahren zu definieren, einen Schritt, bei dem durch Galvanisieren von Pb/Sn oder Au, Au/Cu in dem freien Raum zwischen den fotoempfindlichen Schichten 4 ein Tropfen 5 gebildet wird, einen Schritt, bei dem die fotoempfindlichen Schichten 4 und die Ablagerungen aufgrund des Galvanisierens entfernt werden, und einen Schritt, bei dem ein Tropfen 5 durch Umfließen dieses in einer Wasserstoffatmosphäre nach thermischen Prozessen für den Tropfen 5 in eine gewünschte Form geformt wird.
Im allgemeinen wird bei dem Flip-Chip Bondierungsverfahren für die Tropfen ein Pb/Sn-Stoff verwendet.
Jedoch ist das oben beschriebene Tropfenbildungsverfahren sehr kompliziert, und deswegen ist es schwierig, dieses Verfahren während des Aufbau-Vorgangs anzuwenden. Dementsprechend ist es aufwendig, daß das Tropfenbildungsverfahren in einem gesonderten Herstellungsverfahren ausgeführt werden muß.
Kürzlich ist ein Chip-Bondierungsverfahren vorgestellt worden, bei dem das Chip-Bondieren während dem Aufbau- Vorgang, wie in Fig. 3A bis 3F gezeigt, ausgeführt werden kann.
Wie in Fig. 2 gezeigt, wird ein Draht 11 zur Bildung einer Kugel bzw. eines Ballens 12, im folgenden Kugel genannt, an seiner Spitze durch eine Kapillare 13 geführt, und der Draht mit einem Halter 14 durch die in diesem Prozeß verwendete Draht-Kugel-Tropfen-Bondierungs-Vorrichtung geschnitten.
Wie in Fig. 3 gezeigt, umfaßt das Verfahren folgende Schritte: Schritte B und C, in denen ein Golddraht 22 in die Draht-Kugel-Tropfen-Bondierungs-Vorrichtung eingelegt und eine Goldkugel 23 auf der Elektrode 21a des Chips 21 gebildet wird; Schritte D und E, in denen eine Ag-Paste 25 aufgetragen wird, indem die Goldkugel 23 in einen mit der Ag-Paste 25 gefüllten Behälter 24 gelegt und daraus herausgezogen wird, und einen Schritt F, in dem das Chip 21 auf das Substrat 26 nach unten bondiert wird.
Das oben beschriebene Chip-Bondierungsverfahren hat den Vorteil, daß die Gold-Kugel 23 während des Aufbau-Vorgangs gebildet werden kann. Jedoch weist es noch die Probleme auf, daß die Gold-Kugeln 23 sehr dicht aneinander in ihren Abschnitten gebildet werden und deswegen mit den benachbarten Gold-Kugeln 23 verbunden werden können, wenn die Ag-Paste 25 auf der Gold-Kugel 23 aufgebracht wird. Zusätzlich ist es schwierig, eine geeignete Ag-Paste auf den Gold-Kugel aufzubringen, nachdem die Höhe der Tropfen sehr klein ist. Das bedeutet, daß eine Ag-Paste auf dem Chip zwischen den nahe benachbarten Gold-Kugeln 23 sowie zwischen den Elektroden verbunden werden könnte, und daß die Ag-Paste 25 bei hohen Temperaturen weich wird und dadurch die Zuverlässigkeit des Produkts absinkt.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein Bondverfahren zum Aufbringen eines Halbleiterchips auf ein Substrat bereitzustellen, durch das eine hohe Haftungsfähigkeit zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat unter Vermeidung von Kurzschlüssen zwischen Elektroden des Halbleiterchips gewährleistet wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Da die Bleikugel lediglich auf eine niedrige Temperatur erwärmt werden muß, um eine Bondung zwischen Halbleiterchip und Substrat herzustellen, und ferner ein ausreichender Abstand zwischen Halbleiterchip und Substrat durch die Struktur mit drei Kugeln gewährleistet ist, werden weder Kurzschlüsse noch thermische Spannungen bei der Aufbringung des Halbleiterchips auf das Substrat verursacht.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen. Nachstehend wird die Erfindung anhand ihrer Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 das Verfahren zur Bildung eines herkömmlichen Tropfens;
Fig. 2 die Struktur einer herkömmlichen Draht-Kugel-Tropfen-Bondierungs-Vorrichtung;
Fig. 3 ein herkömmliches Chip-Bondierungsverfahren; und
Fig. 4 ein Chip-Bondierungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung.
Die vorliegende Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 4 zeigt ein Chip-Bondierungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung. Wie in Fig. 4 gezeigt, umfaßt das Chip-Bondierungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung die Schritte B und C, in denen durch Anwendung eines Kugel-Bondierungsverfahrens eine Kugel auf einer Elektrode 33a eines Chips 33 gebildet wird, und nach Durchführen des Drahtes durch eine Kapillare 31 zur Bildung einer Kugel, durch Ausführen eines Drahtschnittes mit einer Draht-Kugel-Tropfen-Bondierungs-Vorrichtung (zum Abschneiden des Kugelhalses) und mit einem Halter 32 eine erste Gold-Kugel 34 gebildet wird und die Kugel auf die Elektrode 33a des Chips 33 aufgebracht wird; Schritte D und E zur Bildung einer Kugel wiederum auf einer ersten Gold-Kugel 34 und Aufschichten einer zweiten Gold-Kugel 35, indem ein zweites Gold-Draht-Kugel-Bondieren mit der Kugel-Tropfen-Bondierungs-Vorrichtung durchgeführt und ein Drahtschnitt ausgeführt wird; Schritte F bis I zum Ausführen eines Blei-Draht-Kugel-Bondierens mit der Bondierungsvorrichtung und Aufschichten einer Blei-Kugel 37 auf die zweite Gold-Kugel 35 in einer H2 oder Ar+H2 Atmosphäre, und einen Schritt J, in dem das aus der ersten und zweiten Gold-Kugel 34, 35 und der Blei-Kugel 37 bestehende Chip 33 mit der Oberfläche nach unten (faced down) auf ein Substrat 38 aufgebracht und das Substrat 38 mit einem Eingangs/Ausgangs-Muster versehen wird.
Hierbei wird die Blei-Kugel 37 bei dem Aufbring-Schritt des Chips 33 auf das Substrat 38 aufgeheizt, so daß sie schmilzt und mit dem Muster auf dem Substrat 38 bondiert wird. Außer der Blei-Kugel 37 kann jedes beliebige Material benutzt werden, solange es ähnliche Schmelzpunkte wie das der Blei-Kugel 37 aufweist und auch die Leitfähigkeit dieselbe ist.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung, wie oben beschrieben, können die Bildung der ersten und zweiten Gold-Kugel 34, 35 und der Blei-Kugel 37 während des Aufbauvorgangs durch Verwendung der bekannten Draht-Kugel- Tropfen-Bondierungs-Vorrichtung durchgeführt werden, und deswegen wird der Bondierungs-Wirkungsgrad verbessert. Außerdem können die Durchmesser der Drähte zur Bildung der ersten und zweiten Gold-Kugel 34, 35 und der Blei-Kugel 37 verkleinert werden und so zusätzlicher Platz auf dem Chip gewonnen 7 werden, daß die Zahl der Elektroden 33a auf dem Chip 33 erhöht werden kann und die Auslegung des Chips einfacher gemacht wird. Deswegen wird die Blei-Kugel 37 mit einem niedrigen Schmelzpunkt auf die zweite Gold-Kugel 35 aufgeschichtet, so daß ein Niedrigtemperatur-Chip-Bondieren möglich wird. Folglich kann der Prozeß verkürzt und die Kosten verkleinert werden. Überdies wird die Blei-Kugel 37 nicht auf die Elektrode, sondern auf die aufgeschichteten ersten und zweiten Gold-Kugeln aufgeschichtet, und deswegen treten Schlitzdefekte wie in herkömmlichen Verfahren aufgrund der auf die Gold-Kugel angewendeten Ag-Paste nicht mehr auf.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung, wie oben beschrieben, wird das komplizierte Tropfen-Herstellungs­ verfahren durch Verwendung der Chip-Bondierungs-Technik während des Aufbau Vorgangs vermieden, und deswegen kann das Verfahren verkürzt und die Ausfallrate während des Chip-Bondierens minimiert werden, wodurch der Ausstoß erhöht wird und Herstellungskosten eingespart werden.

Claims (3)

1. Bondverfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips (33) auf einem mit Elektroden versehenen Substrat nach dem Flip-Chip-Prinzip, gemäß dessen:
  • a) ein erstes ballenförmiges Bondelement aus Gold (34) auf einer Elektrode (33a) des Halbleiterchips (33) gebildet wird,
  • b) ein zweites ballenförmiges Bondelement aus Gold (35) auf dem ersten Bondelement aus Gold (34) gebildet wird,
  • c) ein ballenförmiges Kontaktelement (37) aus Blei auf dem zweiten Bondelement aus Gold (35) gebildet wird, derart, daß
  • d) in den Schnitt an a) bis c) das erste ballenförmige Bondelement (34), das zweite ballenförmige Bondelement (35) und das ballenförmige Kontaktelement (37) jeweils nach einem Draht-Kugel- Bondverfahren gebildet werden, wobei jeweils ein Gold- bzw. Bleidraht durch eine Kapillare (31) geführt wird, an den Drahtenden jeweils eine Kugel gebildet wird, die beim Bonden zu einem Ballen (34, 35 bzw. 37) geformt wird, wonach der Draht abgeschnitten wird,
  • e) Halbleiterchip (33) mit dem ersten Bondelement (34), dem zweiten Bondelement (35) und dem Kontaktelement (37) mit dem Substrat (38) verbunden wird, in dem das Kontaktelement (37) auf eine Temperatur über dessen Schmelzpunkt erwärmt wird.
2. Bondverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt c) zum Bilden des ballenförmigen Kontaktelements (37) in einer H2- oder Ar+H2-Atmosphäre ausgeführt wird.
3. Bondverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und zweite Bondelement (34, 35) und das Kontaktelement (37) von oben auf der Oberfläche der Elektrode (33a) des Halbleiterchips (33) gebildet werden, der Halbleiterchip (33) umgedreht wird und der Halbleiterchip (33) mit seiner Oberfläche nach unten weisend mit dem Substrat (38) verbunden wird.
DE4131413A 1991-04-16 1991-09-20 Bondierungsverfahren für Halbleiterchips Expired - Fee Related DE4131413C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910006053A KR940001149B1 (ko) 1991-04-16 1991-04-16 반도체 장치의 칩 본딩 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4131413A1 DE4131413A1 (de) 1992-10-22
DE4131413C2 true DE4131413C2 (de) 1999-07-29

Family

ID=19313315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4131413A Expired - Fee Related DE4131413C2 (de) 1991-04-16 1991-09-20 Bondierungsverfahren für Halbleiterchips

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5186381A (de)
JP (1) JPH0758722B2 (de)
KR (1) KR940001149B1 (de)
DE (1) DE4131413C2 (de)

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2662131B2 (ja) * 1991-12-26 1997-10-08 松下電器産業株式会社 ボンディング装置
US5616520A (en) * 1992-03-30 1997-04-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and fabrication method thereof
KR100245257B1 (ko) * 1993-01-13 2000-02-15 윤종용 웨이퍼 수준의 반도체 패키지의 제조방법
KR960016007B1 (ko) * 1993-02-08 1996-11-25 삼성전자 주식회사 반도체 칩 범프의 제조방법
DE4307162C2 (de) * 1993-03-06 2000-06-08 Amatech Advanced Micromechanic Verbindung, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Verbindung auf einer Chipanschlußfläche
US5390080A (en) * 1993-05-03 1995-02-14 Motorola Tin-zinc solder connection to a printed circuit board of the like
JP3248778B2 (ja) * 1993-05-21 2002-01-21 ローム株式会社 半田ワイヤーにボール部を形成する方法
US5523920A (en) * 1994-01-03 1996-06-04 Motorola, Inc. Printed circuit board comprising elevated bond pads
JP3348528B2 (ja) * 1994-07-20 2002-11-20 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置
US6614110B1 (en) * 1994-12-22 2003-09-02 Benedict G Pace Module with bumps for connection and support
DE4446471C2 (de) * 1994-12-23 1997-05-22 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Montage eines Chips auf einem flexiblen Schaltungsträger
JP2735022B2 (ja) * 1995-03-22 1998-04-02 日本電気株式会社 バンプ製造方法
KR100186752B1 (ko) * 1995-09-04 1999-04-15 황인길 반도체 칩 본딩방법
KR100386061B1 (ko) * 1995-10-24 2003-08-21 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 크랙을방지하기위한개량된구조를가지는반도체장치및리이드프레임
JP3146345B2 (ja) * 1996-03-11 2001-03-12 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド バンプチップスケール半導体パッケージのバンプ形成方法
JP3863213B2 (ja) * 1996-03-27 2006-12-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
FR2758015A1 (fr) * 1996-12-30 1998-07-03 Commissariat Energie Atomique Micro-champignons conducteurs et element de connexion electrique utilisant de tels micro-champignons
JP3407275B2 (ja) 1998-10-28 2003-05-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション バンプ及びその形成方法
US6278191B1 (en) * 1999-05-28 2001-08-21 National Semiconductor Corporation Bond pad sealing using wire bonding
US6501663B1 (en) * 2000-02-28 2002-12-31 Hewlett Packard Company Three-dimensional interconnect system
DE10035175C1 (de) * 2000-07-19 2002-01-03 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung von flexiblen Dünnfilmsubstraten
TW465064B (en) * 2000-12-22 2001-11-21 Advanced Semiconductor Eng Bonding process and the structure thereof
US7202155B2 (en) 2003-08-15 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device
WO2006004671A2 (en) * 2004-06-25 2006-01-12 Tessera, Inc. Microelectronic package structure with spherical contact pins
US7009305B2 (en) * 2004-06-30 2006-03-07 Agere Systems Inc. Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding using stacked ball bumps
US7205177B2 (en) * 2004-07-01 2007-04-17 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Methods of bonding two semiconductor devices
US7378297B2 (en) * 2004-07-01 2008-05-27 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Methods of bonding two semiconductor devices
CN101053079A (zh) 2004-11-03 2007-10-10 德塞拉股份有限公司 堆叠式封装的改进
DE102005006333B4 (de) * 2005-02-10 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit mehreren Bondanschlüssen und gebondeten Kontaktelementen unterschiedlicher Metallzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US20070200234A1 (en) * 2006-02-28 2007-08-30 Texas Instruments Incorporated Flip-Chip Device Having Underfill in Controlled Gap
JP5481769B2 (ja) * 2006-11-22 2014-04-23 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5062283B2 (ja) 2009-04-30 2012-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8872318B2 (en) 2011-08-24 2014-10-28 Tessera, Inc. Through interposer wire bond using low CTE interposer with coarse slot apertures
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US9230932B2 (en) 2012-02-09 2016-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect crack arrestor structure and methods
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9515036B2 (en) 2012-04-20 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for solder connections
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
CN202816916U (zh) * 2012-10-10 2013-03-20 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种倒装封装装置
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US9351436B2 (en) * 2013-03-08 2016-05-24 Cochlear Limited Stud bump bonding in implantable medical devices
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
CN104485292A (zh) * 2014-12-10 2015-04-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 基板上通过引线键合互叠凸块实现小间距凸点及PoP互叠的方法
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
CN111029267B (zh) * 2019-11-22 2021-12-24 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种倒装互连结构及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0265927A2 (de) * 1986-10-31 1988-05-04 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Stapelverbinden von Drähten
GB2201545A (en) * 1987-01-30 1988-09-01 Tanaka Electronics Ind Bump electrodes for semiconductor devices
EP0320244A2 (de) * 1987-12-08 1989-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Elektrische Kontaktstellen und damit versehene Gehäuse
EP0388011A2 (de) * 1989-03-14 1990-09-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US509019A (en) * 1893-11-21 xxdavidson
US3986255A (en) * 1974-11-29 1976-10-19 Itek Corporation Process for electrically interconnecting chips with substrates employing gold alloy bumps and magnetic materials therein
US4661192A (en) * 1985-08-22 1987-04-28 Motorola, Inc. Low cost integrated circuit bonding process
US4750666A (en) * 1986-04-17 1988-06-14 General Electric Company Method of fabricating gold bumps on IC's and power chips
US4875617A (en) * 1987-01-20 1989-10-24 Citowsky Elya L Gold-tin eutectic lead bonding method and structure
US4889274A (en) * 1988-03-22 1989-12-26 Texas Instruments Incorporated Gas mixture for use in control and formation of ball bonds
US5090609A (en) * 1989-04-28 1992-02-25 Hitachi, Ltd. Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0265927A2 (de) * 1986-10-31 1988-05-04 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Stapelverbinden von Drähten
GB2201545A (en) * 1987-01-30 1988-09-01 Tanaka Electronics Ind Bump electrodes for semiconductor devices
EP0320244A2 (de) * 1987-12-08 1989-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Elektrische Kontaktstellen und damit versehene Gehäuse
EP0388011A2 (de) * 1989-03-14 1990-09-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-202 830 A. In: P. Abstr. of J., 1989, Vol. 13, Nr. 305, E-844 *
JP 2-302 049 A. In: P. Abstr. of J., 1991, Vol. 15, Nr. 86, E-1039 *
JP 61-212029 A. In: P. Abstr. of J., 1987, Vol. 11, Nr. 46, E-479 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR920020658A (ko) 1992-11-21
JPH04326534A (ja) 1992-11-16
DE4131413A1 (de) 1992-10-22
US5186381A (en) 1993-02-16
JPH0758722B2 (ja) 1995-06-21
KR940001149B1 (ko) 1994-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4131413C2 (de) Bondierungsverfahren für Halbleiterchips
DE69133497T2 (de) Leiterrahmen für eine Halbleiteranordnung und dessen Herstellungsverfahren
DE60219779T2 (de) Flussmittelfreie flip-chip-verbindung
DE2424857C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung durch Aufschmelzlöten
DE102005059224B4 (de) SiC-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE19743767B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchip-Gehäuses mit einem Halbleiterchip für Oberflächenmontage sowie ein daraus hergestelltes Halbleiterchip-Gehäuse mit Halbleiterchip
DE60131402T2 (de) Layout und verfahren für eine anordnung mit segmentierter blm (ball limiting metallurgy) für ein- und ausgänge
DE69635083T2 (de) Herstellung von verbindungen und ansatzstücken unter verwendung eines opfersubstrats
DE3233225C2 (de)
DE69813701T2 (de) Elektrodenstruktur einer Siliziumhalbleiteranordnung
DE112004000360T5 (de) Zweimetallisches Stud-Bumping für Flipchip-Anwendungen
DE102012109319B4 (de) Bump-on-Trace-Baugruppenstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
EP2283714A2 (de) Verfahren zur herstellung einer leiterplatte sowie verwendung und leiterplatte
DE102009014582A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE3824008A1 (de) Elektronische schaltung sowie verfahren zu deren herstellung
DE69738324T2 (de) Herstellungsverfahren einer halbleiteranordnung mit niedrig schmelzendem metallhöckern
DE4230030A1 (de) Halbleitergehaeuse und verfahren zu dessen zusammenbau
DE2807350C2 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung in Baueinheit mit einem integrierten Schaltkreis
DE10011368A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2024110246A1 (de) Verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelements
DE19715926B4 (de) Herstellungsverfahren für einen externen Anschluß für ein Kugelgitterarray-(BGA)Halbleiterbauteil
DE112005003629T5 (de) IC-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung einer IC-Baugruppe
DE3137570A1 (de) Verfahren zum direkten verbinden von kupferteilen mit oxidkeramiksubstraten
DE102007046329A1 (de) Substrat zum Befestigen eines Flip-Chips und Herstellungsverfahren desselben
DE102006006561B4 (de) Flip-Chip-Modul und Verfahren zum Austauschen eines Halbleiterchips eines Flip-Chip-Moduls

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee