DE4117761A1 - Halbleiteranordnung mit filmtraeger - Google Patents
Halbleiteranordnung mit filmtraegerInfo
- Publication number
- DE4117761A1 DE4117761A1 DE4117761A DE4117761A DE4117761A1 DE 4117761 A1 DE4117761 A1 DE 4117761A1 DE 4117761 A DE4117761 A DE 4117761A DE 4117761 A DE4117761 A DE 4117761A DE 4117761 A1 DE4117761 A1 DE 4117761A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- resin film
- lead
- film
- external electrode
- feed line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49534—Multi-layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13063—Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor [MESFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13064—High Electron Mobility Transistor [HEMT, HFET [heterostructure FET], MODFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10681—Tape Carrier Package [TCP]; Flexible sheet connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Halb
leiteranordnung mit einem Filmträger und betrifft
insbesondere eine Verdrahtungsstruktur einer einen
GaAs-Halbleiter usw. verwendenden, für Hochgeschwin
digkeitsbetrieb geeigneten Halbleiteranordnung.
Mit der in neuerer Zeit erreichten höheren Integra
tionsdichte bei großintegrierten Schaltkreisen (LSI) oder
sogenannten ICs hat sich die Zahl der mit Eingangs/Aus
gangssignalen oder elektrischer Energie zu speisenden
Elektroden(anschluß)flecke einer Halbleiteranordnung (im
folgenden als "Chip" bezeichnet) mehr und mehr ver
größert. Als Ergebnis hat sich der Strombedarf oder
-verbrauch ebenso wie die Operations- oder Arbeits
geschwindigkeit erhöht. Beispielsweise wird in einem
integrierten Schaltkreis, der durch Integration von
Feldeffekttransistoren (FETs) auf einem Gallium-
Arsen- oder GaAs-Substrat gebildet ist, ein Hochge
schwindigkeitsbetrieb von etwa 100 ps durchgeführt.
Außerdem sind auch bereits Anordnungen, die mit noch
höherer Geschwindigkeit zu arbeiten vermögen, z. B. ein
HEMT (Hochelektronenmobilitäts-Transistor) oder ein HBT
(Heteroübergang-Bipolartransistor), entwickelt worden.
Herkömmlicherweise werden Bindedrähte (bonding wires) zum
Verbinden von Drähten einer Halbleiteranordnungspackung
mit Anschlußflecken oder -streifen auf einem Chip benutzt.
Dabei besteht jedoch das Problem, daß die Bindedrähte, die
bogenförmig angeschlossen sind oder werden, als offene
Stichleitungen (stubs) in einem integrierten Schaltkreis,
der eine Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitung in der
Größenordnung von Gigabit/s durchführt, wirken können, so
daß die Länge jedes dieser Bindedrähte nicht vernach
lässigbar ist. Ein anderes Problem besteht darin, daß die
Gleichförmigkeit der elektrischen Eigenschaften aufgrund
einer Änderung der Länge der Bindedrähte verlorengeht.
Wenn sich die (Belegungs-)Dichte der Anschlußstreifen mit
höherer Integrationsdichte des integrierten Schaltkreises
vergrößert, wird ein Verbinden (bonding) aufgrund des
Kontakts zwischen dem Verbindungswerkzeug und benachbarten
Drähten unmöglich. Da zudem Größe und Teilungsabstand der
Streifen nicht wesentlich verkleinert werden können, ist
die Verkleinerung der Chipgröße begrenzt. Infolgedessen
kann die Länge der Signalleitungen auf dem Chip nicht
verkleinert werden.
Fig. 1 veranschaulicht eine Technik, die entwickelt wurde,
um einen integrierten Hochgeschwindigkeitsbetrieb-Schalt
kreis unter Vermeidung des obengenannten Problems zu
montieren. Bei dieser, als TAB (Automatisierte Band
verbindung (Tape Automated Bonding)) bezeichneten Technik
werden Metallfoliendrähte oder -leitungen auf einem
langgestreckten, flexiblen Filmsubstrat (im folgenden als
"Film" bezeichnet) geformt. Die Leitungen (wires) werden
über Vorsprungelektroden (Kontaktwarzen) mit Eingangs/Aus
gangselektrodenstreifen verbunden. Die die TAB-Tech
nik anwendende Montageart wird allgemein als "Filmträger"
bezeichnet.
Fig. 1 zeigt einen wesentlichen Teil eines langgestreck
ten, bandartigen Films 10. Als Chip-Montageflächen
dienende Öffnungen 12 sind aufeinanderfolgend im Film 10
ausgebildet, und in jeder Öffnung 12 wird ein Chip 14
montiert. Zahlreiche, um die Öffnung 12 herum vorgesehene
Zuleitungen (Zuleitungsdrähte) 34 werden mit dem Chip 14
verbunden. Vier Öffnungen (Schlitze) 20 sind dabei so
geformt, daß sie die Öffnung 12 und die auf dem Film 10
vorgesehenen Zuleitungen 34 umgeben.
Ein Harz-Formteil bzw. eine Vergußmasse (mold) 24 wird
gemäß Fig. 2A auf einen von den Öffnungen 20 umgebenen
Filmbereich 22 aufgebracht. Sodann werden vier Brücken-
oder Stegabschnitte 26 des Films 10 durchschnitten und der
Filmbereich 22 herausgetrennt (vgl. Fig. 3). Auf diese
Weise wird eine Halbleiteranordnung hergestellt. Diese
wird gemäß Fig. 2A auf ein Substrat 28 aufgelegt, und die
Zuleitungen 34 werden mit externen Elektroden 30 ver
bunden. An der Unterseite des Chips 14 wird eine Wärme
abstrahlplatte 32 montiert.
Fig. 2B zeigt in vergrößertem Maßstab einen Anschluß
bereich, in welchem eine äußere Zuleitung 38 (Fig. 2A) mit
der externen Elektrode 30 auf dem Substrat 28 verbunden
ist. Der Filmbereich 22 ist vom Harz-Formling 24 um
schlossen. Die Leitungen auf dem Film 10 werden heraus
geführt, und die Leitungsabschnitte, unter denen kein Film
vorhanden ist, werden zur Außenseite des Harz-Formlings 24
herausgeführt. Diese Leitungsabschnitte werden als äußere
Zuleitungen 38 mit der externen Elektrode 30 auf dem
Substrat 28 verbunden.
Die Zuleitungsdrähte 34 dienen als Signalleitungen. Jeder
Zuleitungsdraht 34 umfaßt eine innere Zuleitung 36, die
mit dem Chip verbunden ist, eine unmittelbar mit der
externen Elektrode 30 verbundene äußere Zuleitung 38 und
einem im folgenden als "Zwischenzuleitung" bezeichneten,
zwischen den Zuleitungen 36 und 38 liegenden Abschnitt 40.
Die innere Zuleitung 36 steht vom Film 10 ab und erstreckt
sich zu einem nicht dargestellten Elektrodenflecken oder
-streifen, wobei die Zuleitung 36 und der Elektroden
streifen über eine Kontaktwarzenelektrode (bump electrode)
verbunden sind.
Die vier Öffnungen 20 dienen zum Freilegen der Unterseiten
der äußeren Zuleitungen 38. Wenn die Halbleiteranordnung
fertiggestellt worden ist, müssen gemäß Fig. 3 die meisten
Teile der Unterseiten der äußeren Zuleitungen 38 außer
Kontakt oder Berührung mit dem Film 10 sein; die äußeren
Zuleitungen 38 werden daher im voraus an den Öffnungen 20
angeordnet.
Zwischen den vier Öffnungen 20 sind die langgestreckten
Brücken- oder Stegabschnitte 26 vorgesehen. Die vier
Stegabschnitte 26 halten die Zuleitungsdrähte 34 auf dem
Filmbereich 22. Gemäß Fig. 1 sind in beiden Seitenkanten
abschnitten des Films 10 in regelmäßigen Abständen Vor
schub- oder Transportperforationen 42 für den Vorschub des
Films ausgebildet.
Wenn der oben beschriebene integrierte Hochgeschwindig
keitsbetrieb-Schaltkreischip 14 tatsächlich montiert wird,
muß der Wellenwiderstand der Signalleitungen 34 auf dem
Filmsubstrat 10 konstant gehalten werden. In neuerer Zeit
sind Filmträger vorgeschlagen worden, die so ausgelegt
sind, daß der Wellenwiderstand der Metallfolienleitungen
34 auf dem Film 10 konstant gehalten wird, um Signale mit
hoher Geschwindigkeit zu übertragen. Beispielsweise wird
entsprechend den in JP-OSen (PUJPA) 64-14 933, 64-14 934 und
63-3 02 531 offenbarten Techniken der Wellenwiderstand der
Übertragungsleitungen 34 auf dem Film 10 für praktische
Zwecke auf 50 Ω eingestellt.
Fig. 4 zeigt im Querschnitt eine sogenannte Massetrag-
Koplanarübertragungsleitung, während Fig. 5 im Querschnitt
eine Mikrostreifenleitung zeigt. Die Fig. 4 und 5 sind
jeweils Schnitte längs der Linie A-A in Fig. 1.
In Fig. 4 ist die Breite des Signalleitungsleiters 34 mit
W bezeichnet, wobei ein vorbestimmter Abstand G zwischen
einem Masseleiter 52 und dem Signalleitungsleiter 34
vorgesehen ist. Der Film 10 und Klebefolien 56 sind
zwischen einen unteren Masseleiter 54 und ein oberseitiges
Leitermuster 34, 52 eingefügt. Zwischen dem unterseitigen
Masseleitermuster 54 und dem oberseitigen Leitermuster 34,
52 ist ein Abstand oder eine Strecke H vorgesehen. Der
Film 10 ist unter Zwischenfügung der Klebefolien 56 mit
den Leitermustern 34, 52 und 54 verklebt.
Der Wellenwiderstand der Übertragungsleitung mit dem oben
beschriebenen Aufbau bestimmt sich durch Breite W, Abstand
G, Abstand H, Dicke M des Oberflächen-Leitermusters 34, 52
und Dieelektrizitätskonstante εr des Films 10. Wenn
beispielsweise der Film 10 aus Polyimid mit einer Dielek
trizitätskonstante εr=3,5 geformt ist, werden die
Leiter 34 und 52 aus Cu mit einer Dicke M = 18 µm geformt
sind, W auf 50 µm, G auf 30 µm und H auf 75 µm einge
stellt, wobei der Wellenwiderstand etwa 50 Ω beträgt. In
diesem Fall betragen die Dicke A der Klebefolie 56 25 µm
und die Dicke P des Films 10 25 µm.
Herkömmlicherweise werden äußere Zuleitungen 38 aus
blanken Metall-Leitern jeweils mit einer Länge von 3 bis
5 mm geformt. Gemäß Fig. 2B sind die einen vorbestimmten
Wellenwiderstand aufweisenden Übertragungsleitungen
Zwischenzuleitungen 40, die auf dem Film 10 im
Harz-Formling angeordnet sind. Von den Zwischenzuleitun
gen 40 gehen blanke äußere Zuleitungen 38 ab, die mit der
externen Elektrode 30 auf dem Substrat 28 verbunden sind.
Die blanken (bared) äußeren Zuleitungen 38 besitzen nicht
den vorbestimmten Wellenwiderstand, und zwischen ihnen ist
kein Film vorhanden. Auch wenn die Packung mit diesem
Aufbau auf dem Substrat 28 montiert wird oder ist, weicht
der Wellenwiderstand der blanken äußeren Zuleitung 38 von
dem der Zwischenzuleitung 40 und der externen Elektrode 30
ab, wie dies in einem Äquivalentschaltbild gemäß Fig. 6
dargestellt ist. Aufgrund der Ungleichmäßigkeit der
Wellenwiderstände tritt daher eine Wellenverzerrung im
elektrischen Signal auf.
Wenn ein Eingangssignal bei normaler Geschwindigkeit
zugespeist wird, wird die Ungleichmäßigkeit oder
Ungleichförmigkeit des Wellenwiderstands nicht wesent
lich beeinflußt. Wenn jedoch beispielsweise ein Hoch
geschwindigkeits-Eingangssignal über die Signalleitung 34
einem MESFET in einer Signaleingangseinheit eines logi
schen integrierten GaAs-Schaltkreises zugespeist wird und
der Wellenwiderstand des Zuleitungsdrahts 34 nicht gleich
mäßig ist, wird das Signal an dem Teil reflektiert, an dem
die Impedanz (der Wellenwiderstand) nicht gleichmäßig ist.
Infolgedessen wird die Wellenform verzerrt, so daß eine
normale logische Operation nicht ausgeführt werden kann.
Wie erwähnt, gilt für einen Filmträger unter Anwendung der
TAB-Techniken folgendes: Wenn ein äußerer Zuleitungs
abschnitt, in welchem der Widerstand nicht auf eine kon
stante Größe eingestellt ist, geformt und mit einer
Elektrode auf einem externen Montagesubstrat verbunden
wird, ist der Wellenwiderstand des äußeren Zuleitungsab
schnitts von dem der Übertragungsleitung auf dem Film
träger und dem der Übertragungsleitung auf dem externen
Montagesubstrat verschieden. Das Hochgeschwindigkeits
signal wird somit vom äußeren Zuleitungsabschnitt re
flektiert, so daß die Wellenform des elektrischen Signals
verzerrt wird.
Aufgabe der Erfindung ist damit die Schaffung einer Halb
leiteranordnung, bei welcher der Wellenwiderstand von
Übertragungsleitungen vergleichmäßigt sein kann.
Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiteranordnung mit
einem Filmträger, die gekennzeichnet ist durch ein Halb
leiterelement mit einer Anzahl von Anschlüssen, einen
Harzfilm mit einer ersten und einer zweiten Fläche sowie
einer Öffnung, in welcher das Halbleiterelement montiert
ist, und eine Anzahl von auf der ersten Fläche des Harz
films ausgebildeten Zuleitungsdrähten mit jeweils einer
(einem) inneren Zuleitung(steil), einer (einem) mittleren
oder Zwischenzuleitung(steil) und einer (einem) äußeren
Zuleitung(steil), wobei die innere Zuleitung mit einem
betreffenden der Anschlüsse des Halbleiterelements ver
bunden ist, die äußere Zuleitung mit einer entsprechen
den externen Elektrode verbunden ist, die Zwischenzu
leitung zwischen innerer und äußerer Zuleitung liegt,
zumindest die Zwischenzuleitung auf der ersten Fläche des
Harzfilms ausgebildet ist und jede äußere Zuleitung sowie
der dicht an der äußeren Zuleitung befindliche Abschnitt
der Zwischenzuleitung praktisch in einer Ebene mit der
externen Elektrode liegen.
Mit der oben umrissenen Anordnung kann der Wellenwider
stand der externen Elektrode auf dem externen Montage
substrat und derjenige der Übertragungsleitung auf dem
Film auf gleichmäßige Größen eingestellt werden. Damit
kann eine elektrische Unstetigkeit vermieden werden. Wenn
weiterhin ein Versteifungs-Metallfilm vorgesehen wird,
kann die Verarbeitbarkeit des Films weiter verbessert
werden.
Erfindungsgemäß kann die Unstetigkeit (discontinuity) des
Wellenwiderstands der Übertragungsleitungen auf dem Film
träger, auf dem eine Hochgeschwindigkeitsbetrieb-Halb
leiteranordnung montiert ist, auf ein Mindestmaß ver
ringert werden. Infolgedessen läßt sich ein guter Hoch
frequenzgang erzielen. Darüber hinaus verbessert der am
Filmträger angebrachte Metallfilm (bzw. die Metallfolie)
die Verarbeitbarkeit des Films erheblich.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der
Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik anhand der
Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Aufsicht auf einen herkömmlichen
Filmträger,
Fig. 2A einen Querschnitt durch eine herkömmliche
Halbleiteranordnung,
Fig. 2B eine in vergrößertem Maßstab gehaltene
Querschnittansicht der herkömmlichen
Halbleiteranordnung,
Fig. 3 eine Aufsicht auf einen auf herkömmliche
Weise bearbeiteten Filmträger,
Fig. 4 einen (in vergrößertem Maßstab gehalte
nen) Querschnitt durch eine herkömmliche
Massetrag-Koplanarübertragungsleitung,
Fig. 5 einen (in vergrößertem Maßstab gehalte
nen) Querschnitt durch eine herkömmliche
Mikrostreifenleitung,
Fig. 6 ein Äquivalentschaltbild für eine Über
tragungsleitung einer herkömmlichen
Halbleiteranordnung,
Fig. 7 eine teilweise weggeschnittene perspek
tivische Darstellung einer Halbleiter
anordnung gemäß einer ersten Ausführungs
form der Erfindung,
Fig. 8 einen Querschnitt durch die Halbleiter
anordnung gemäß der ersten Ausführungs
form,
Fig. 9 einen (in vergrößertem Maßstab gehalte
nen) Querschnitt durch einen bei der
Halbleiteranordnung gemäß der ersten
Ausführungsform verwendeten Filmträger,
Fig. 10 ein Äquivalentschaltbild für eine Über
tragungsleitung der Halbleiteranordnung
gemäß der ersten Ausführungsform,
Fig. 11 bis 16 Schnittansichten wichtiger struktureller
Teile der Halbleiteranordnung gemäß der
ersten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 17 eine Aufsicht auf den bei der Halbleiter
anordnung gemäß der ersten Ausführungs
form verwendeten Filmträger,
Fig. 18 eine Aufsicht auf einen verarbeiteten
Filmträger gemäß der Erfindung,
Fig. 19 eine Aufsicht auf einen anderen, bei der
Halbleiteranordnung gemäß der ersten Aus
führungsform verwendeten Filmträger,
Fig. 20 einen Querschnitt durch eine Halbleiter
anordnung gemäß einer zweiten Ausfüh
rungsform der Erfindung und
Fig. 21 einen Teil-Querschnitt durch einen
wichtigen strukturellen Teil der Halb
leiteranordnung gemäß der ersten Aus
führungsform der Erfindung.
Die Fig. 1 bis 6 sind eingangs bereits erläutert worden.
Fig. 7 zeigt in teilweise weggeschnittener perspektivi
scher Darstellung einen wesentlichen Teil einer Halb
leiteranordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der
Erfindung, während Fig. 8 die Halbleiteranordnung im
Querschnitt zeigt.
Die Halbleiteranordnung umfaßt ein Substrat 128, mehrere
auf dem Substrat 128 vorgesehene externe Elektroden 130,
ein Wärmeabstrahlsubstrat 132, einen Halbleiter-Chip 114,
einen Filmträger 158 und einen Isolator-Formteil 124.
Der Halbleiter-Chip 114 ist am Wärmeabstrahlsubstrat 132
mit Hilfe eines Klebmittels angebracht. Auf dem Halb
leiter-Chip 114 sind zahlreiche Anschlußflecken oder
-streifen vorgesehen.
Das Wärmeabstrahlsubstrat 132 besteht aus einer Kupfer
platte oder dergleichen und ist auf dem Substrat 128
angeordnet; es dient zum Abstrahlen von Wärme vom
Halbleiter-Chip 114. Dieses Substrat 132 ist für die
Erfindungszwecke nicht unabdingbar und kann erforder
lichenfalls weggelassen werden. In diesem Fall wird ein
Füllmaterial guter thermischer Leitfähigkeit, wie
Schmelzsiliziumoxid oder kristallines Siliziumoxid dem
Harz-Formteil 124 aus Epoxyharz oder Silikonharz für das
Vergießen und Einkapseln von Halbleiter-Chip 114 und
Filmträger 158 zugesetzt, um damit die Wärmeleitfähig
keit des Harzes zu erhöhen.
Gemäß Fig. 9 umfaßt der Filmträger 158 einen Harzfilm 110,
auf beiden Seiten des Harzfilms 110 geformte oder vorge
sehene Klebefolien 156, einen auf einer der Klebefolien
156 geformten oder vorgesehenen unterseitigen Masselei
ter 154, einen an der anderen Folie 156 vorgesehenen
Zuleitungsdraht 134 sowie mit Abstand auf beiden Seiten
des Zuleitungsdrahts 134 angeordnete Metallfilme bzw.
-folien 160. Die Metallfilme 160 sind zur Versteifung des
Harzfilms 110 vorgesehen. Falls die Metallfilme 160 nicht
vorgesehen sind, nimmt dann, wenn ein freiliegender Ab
schnitt 162 des Harzfilms 110 gekrümmt wird, der Film
unter der sogenannten "Rückfederungserscheinung" allmäh
lich wieder seine ursprüngliche Form an. Bei Vorhanden
sein der versteifenden Metallfilme 160 kann dagegen der
Film ohne weiteres geformt werden, ohne daß er seine
ursprüngliche Form wieder annimmt. Die Metallfilme 160
sind an Randbereichen des Harzfilms 110 vorgesehen; das
Vorhandensein der Metallfilme 160 führt daher nicht zu
einer Vergrößerung der Abmessungen des Filmträgers 158.
Der Filmträger 158 ist eine sogenannte Mikrostreifen- oder
Mikrostrip-Übertragungsleitung, und der Wellenwiderstand
des Filmträgers 158 beträgt 50 Ω.
Der Harzfilm 110 ist mit einer Öffnung 112 versehen, in
welcher ein Halbleiter-Chip 114, zum Beispiel ein inte
grierter GaAs-Schaltkreis, montiert wird oder ist.
Der aus Metallfolie bestehende Zuleitungsdraht 134
erstreckt sich bis zur Öffnung 112, in welcher der Halb
leiter-Chip 114 montiert ist. Der Zuleitungsdraht 134
umfaßte eine innere Zuleitung 136, eine Zwischenzulei
tung 140 und eine äußere Zuleitung 138.
Die innere Zuleitung 136 ist mit einem entsprechenden
Flecken oder Streifen auf dem in der Öffnung 112
angeordneten Chip 114 verbunden. Die innere Zuleitung 136
und der Streifen auf dem Halbleiter-Chip 114 sind über
eine auf dem Streifen geformte Kontaktwarzenelektrode
(bump electrode) miteinander verbunden. Die Kontakt
warzenelektrode besteht aus einem mit Au beschichteten
Sperrmetall, wie Ti-Ni-Pd, Ti-W-Au, Ti-Pt-Au oder
Cr-Cu-Au. Die betreffende innere Zuleitung 136 ist durch
Beschichten oder Metallisieren einer Kupferfolie mit Au
oder Sn geformt. Die Kontaktwarzenelektrode und die innere
Zuleitung 136 sind durch eutektische Verbindung oder Warm
preßverbindung gekoppelt. In diesem Fall wird ein auf 350
bis 500°C erwärmtes Werkzeug mit einem Druck von 30 bis
80 g/Zuleitung angepreßt.
Die äußere Zuleitung 136 ist mit einer entsprechenden, auf
dem Substrat 128 geformten externen Elektrode verbunden.
Die Zwischenzuleitung 140 liegt zwischen innerer und
äußerer Zuleitung 136 bzw. 138.
Der Harz-Formteil 124 bedeckt den Filmträger 138 nicht
vollständig. Der unbedeckte oder freiliegende Abschnitt
162 mit Übertragungsleitungen im Bereich der äußeren
Zuleitungen 138 ist unbedeckt und somit freigelegt. Der
freiliegende Teil des Filmträgers 158 ist gebogen bzw.
gewölbt, so daß die äußere Zuleitung 138 und die Zwischen
zuleitung 140 in der Nähe der äußeren Zuleitung 138 prak
tisch in einer Ebene mit der externen Elektrode 130 auf
dem Substrat 128, auf dem die Halbleiteranordnung mon
tiert ist, liegen.
Bei der obigen Anordnung kann gemäß Fig. 10 die Un
gleichmäßigkeit der Wellenwiderstände zwischen der ex
ternen Elektrode 130 und dem Zuleitungsdraht 134 auf dem
Harzfilm 110 verringert werden, wenn die externe Elektrode
130 mit dem Zuleitungsdraht 134 verbunden ist oder wird.
Damit kann in vorteilhafter Weise eine Reflexion des
Signals zwischen der externen Elektrode 130 und dem
Zuleitungsdraht 134 verringert werden.
Im folgenden ist anhand der Fig. 11 bis 16 die Lagen
beziehung zwischen der äußeren Zuleitung 138 und der
externen Elektrode 130 im freiliegenden bzw. unbedeckten
Bereich 162 erläutert.
Gemäß Fig. 11 ist der Harzfilm 110 von der externen
Elektrode 130 getrennt und oberhalb des Substrats 128
angeordnet. Der Zuleitungsdraht 134 ist auf der Ober
fläche des Harzfilms 110 geformt oder vorgesehen, während
der unterseitige Masseleiter 154 auf der Unterseite des
Harzfilms 110 ausgebildet ist. Die äußere Zuleitung 138
ist elektrisch mit der externen Elektrode 130 verbunden.
Bei dieser Konstruktion können die äußere Zuleitung 138
und der Teil der Zwischenzuleitung, der sich auf dem
Harzfilm 110 und nahe der äußeren Zuleitung 138 befindet,
im wesentlichen in einer Ebene mit der externen Elektrode
130 angeordnet sein. Da bei dieser Ausgestaltung der Teil
164 zwischen einem Ende des Harzfilmes 110 und der
externen Elektrode 130 sehr klein sein kann, können der
Wellenwiderstand des Zuleitungsdrahts 134 und derjenige
der externen Elektrode nahezu vergleichmäßigt werden.
Infolgedessen wird eine Reflexion eines elektrischen
Signals am Teil 164 verhindert.
Fig. 21 ist eine der Fig. 11 ähnliche Darstellung. Gemäß
Fig. 21 ist der Harzfilm 110 von der externen Elektrode
130 getrennt (oder beabstandet) und oberhalb des Substrats
128 angeordnet. Der Zuleitungsdraht 134 ist auf der Ober
seite des Harzfilms 110 ausgebildet. Der Masseleiter 154
ist auf der Unterseite des Harzfilms 110 ausgebildet. Die
äußere Zuleitung 138 und der Teil der Zwischenzuleitung
140, der dicht an der äußeren Zuleitung auf dem Harzfilm
110 liegt, können näher an der externen Elektrode 130
angeordnet sein. Bei dieser Ausgestaltung ist der Trenn
bereich 164 zwischen dem Endabschnitt des Harzfilms 110
und der externen Elektrode 130 länger als bei der Aus
führungsform gemäß Fig. 11. Im Vergleich zur bisherigen
Anordnung gemäß Fig. 2B ist der Trennbereich 164 jedoch
ausreichend klein. Infolgedessen kann eine Ungleich
mäßigkeit des Wellenwiderstands von Zuleitung 134 und
externer Elektrode 130 verringert sein. Damit wird die
Reflexion des Signals am Trennbereich 164 verhindert.
Gemäß Fig. 12 sind der Zuleitungsdraht 134 an der Unter
seite des Harzfilms 110 und der Masseleiter 154 an der
Oberseite des Harzfilms 110 ausgebildet. Ein Endabschnitt
des Harzfilms 110 befindet sich über der Oberfläche der
externen Elektrode 130. Bei dieser Konstruktion kann der
Harzfilm 110 auf der externen Elektrode 130 angeordnet
sein, wobei die Wellenwiderstände von externer Elektrode
130 und Zuleitungsdraht 134 genauer konstant eingestellt
werden können. Dies ist deshalb der Fall, weil der
Trennbereich 164 (vgl. Fig. 11) nicht vorhanden ist. Der
größte Teil der äußeren Zuleitung 138 steht in Flächen
kontakt mit der externen Elektrode 130.
Gemäß Fig. 13 sind der Zuleitungsdraht 134 auf der Unter
seite des Harzfilms 110 und die gesamte äußere Zuleitung
138 auf der Unterseite des Harzfilms 110 ausgebildet. Bei
dieser Ausgestaltung kann der Harzfilm 110 auf der ex
ternen Elektrode 130 angeordnet sein, so daß die Wellen
widerstände von externer Elektrode 130 und Zuleitungs
draht 134 genauer konstant eingestellt werden können. Dies
ist deshalb der Fall, weil der Trennbereich 164 (vgl.
Fig. 11) nicht vorhanden ist. Der größte Teil der äußeren
Zuleitung 138 steht in Flächenkontakt mit der externen
Elektrode 130.
Gemäß Fig. 14 ist der Harzformteil 124 nicht auf dem
Substrat 128 vorgesehen. Die Unterseite des Filmträgers
158 befindet sich praktisch in einer Ebene mit der Ober
fläche der externen Elektrode 130. Mit anderen Worten: Bei
dieser Ausführungsform ist der unbedeckte Abschnitt 162
des Filmträgers 158 flach ausgebildet. Der Zuleitungsdraht
138 ist an der Unterseite des Harzfilms 110 vorgesehen,
während der Masseleiter 154 auf der Oberseite des Harz
films 110 vorgesehen ist. Die gesamte äußere Zuleitung 138
ist an der Unterseite des Harzfilms 110 ausgebildet. Mit
dieser Ausführungsform wird derselbe Vorteil wie bei der
Ausführungsform gemäß Fig. 13 erzielt.
Gemäß Fig. 15 ist der Masseleiter 154 an der Unterseite
des Harzfilms 110 ausgebildet, während der Zuleitungs
draht 134 auf der Oberseite des Films 110 vorgesehen ist.
Der Harzfilm 110 und die externe Elektrode 130 sind
voneinander getrennt. Die äußere Zuleitung 138 geht vom
Harzfilm 110 ab und ist elektrisch mit der Elektrode 130
verbunden. Da die anderen strukturellen Einzelheiten
denjenigen bei der Ausführungsform nach Fig. 14
entsprechen, sind jeweils gleiche Bauteile mit den
gleichen Bezugsziffern wie vorher bezeichnet und nicht
mehr im einzelnen beschrieben. Da bei dieser
Ausführungsform der gleiche Trennbereich 164 wie bei der
Ausführungsform nach Fig. 11 vorhanden ist, wird der
gleiche Vorteil wie mit der Ausführungsform gemäß Fig. 11
erzielt.
Gemäß Fig. 16 liegt die Oberseite des Endabschnitts des
Harzfilms 110 praktisch in der gleichen Ebene wie die
Oberseite oder Oberfläche der externen Elektrode 130. Der
Zuleitungsdraht 134 ist auf der Oberseite des Harzfilms
110 ausgebildet, während der unterseitige Masseleiter 154
an der Unterseite des Harzfilms 110 vorgesehen ist. Die
äußere Zuleitung 138 geht vom Harzfilm 110 ab und ist
elektrisch mit der Elektrode 130 verbunden. Da bei dieser
Ausführungsform der gleiche Trennbereich 164 wie bei der
Ausführungsform nach Fig. 11 vorhanden ist, kann der
gleiche Vorteil wie mit der Ausführungsform nach Fig. 11
erzielt werden.
Im folgenden sind anhand der Fig. 9 und 17 die Schritte
bei der Ausbildung oder Herstellung des Filmträgers 158
beschrieben. Fig. 9 ist dabei ein in vergrößertem Maß
stab gehaltener Schnitt längs der Linie IX-IX in Fig. 17.
Zunächst wird ein 35 mm breiter Polyimidfilm 110 mit
Öffnungen 112 für das Einsetzen des Halbleiter-Chips 114,
Öffnungen 120 zur Halterung der äußeren Zuleitung 138
sowie Vorschub- oder Transportperforationen 142 versehen.
Eine 18 µm dicke Kupferfolie wird an der Unterseite des
Harzfilms 110 mit Hilfe einer Acryl- oder Epoxy-Klebefolie
156 angebracht. Die Kupferfolie wird durch Photoätzung zur
Ausbildung eines vorbestimmten Musters bearbeitet, um
damit den unterseitigen Masseleiter 154 zu bilden. Danach
wird eine 18 µm dicke Kupferfolie ebenfalls mit Hilfe
einer Acryl- oder Epoxy-Klebefolie 156 an der Oberseite
des Harzfilms 110 befestigt. Hierauf wird die Unterseite
des Harzfilms 110 mit einem Photoresist beschichtet, und
auf der Oberseite des Harzfilms 110 wird ein Photoresist
eines vorbestimmten Musters geformt. Durch Photoätzen
werden der Zuleitungsdraht 134 und der Metallfilm 160
gebildet. Die Photoresistlagen auf Ober- und Unterseite
des Harzfilms 110 werden anschließend entfernt. Auf diese
Weise werden durch Photoätzen zahlreiche Zuleitungs
drähte 134 auf dem Harzfilm 110 aus flexiblem Polyimid-
oder Epoxyharz geformt. Mit 126 sind Brücken- bzw. Steg
abschnitte bezeichnet.
Der in Fig. 17 schraffiert eingezeichnete Formbereich
(mold region) 122 des Filmträgers ist oder wird mit Form
bzw. Gießharz bedeckt.
Wenn die Schneideabschnitte 166 des langgestreckten
Harzfilms 110 durchtrennt und auch die äußeren Zu
leitungen 138 abgeschnitten werden, wird das in Fig. 18
dargestellte Gebilde erhalten. Da sich die Schneide
abschnitte 166 gemäß Fig. 17 an den Ecken befinden, können
sie sicher durchtrennt werden, so daß der Filmträger 170
einfach oder leicht geformt werden kann. Der außerhalb des
Formbereichs 122 befindliche Bereich wird zum unbedeckten
oder freiliegenden Bereich 162.
Fig. 19 veranschaulicht einen anderen Filmträger 158, der
sich vom Filmträger 158 gemäß Fig. 18 bezüglich der Lage
der Stegabschnitte 126 und der Schneideabschnitte 166
unterscheidet. Der nach dem Durchtrennen der Schneide
abschnitte 166 erhaltene Filmträger besitzt die gleiche
Form wie der Filmträger nach Fig. 18. Der Filmträger 158
ist durch eine Form gekennzeichnet, die ein einfaches
Durchschneiden oder Durchtrennen der Stegabschnitte
gestattet.
In Fig. 20 ist eine Halbleiteranordnung gemäß einer
zweiten Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Die
zweite Ausführungsform verwendet den gleichen Filmträger
wie bei der ersten Ausführungsform, während der Bereich
des Harzformteils (bzw. des Vergußmassenteils) 124
verschieden ist. Bei der zweiten Ausführungsform ist der
gesamte Harzfilm 110 in Harz eingegossen. Wie im Fall der
ersten Ausführungsform ist der Bereich in der Nähe der
äußeren Zuleitungen 138 so abgebogen, daß er in einer
Ebene mit der externen Elektrode 130 des Montagesubstrats
128 liegt. Bei dieser Konstruktion kann die äußere
Zuleitung unter Ausschaltung einer Ungleichmäßigkeit des
Wellenwiderstands mit der externen Elektrode 130 des
Substrats 128 verbunden werden.
Wie vorstehend beschrieben, kann durch Verwendung des
erfindungsgemäßen Filmträgers die Ungleichmäßigkeit oder
Ungleichförmigkeit des Wellenwiderstands ausgeschaltet
werden; außerdem können externe Elektode und Zuleitungs
draht in vorteilhafter Weise miteinander verbunden werden.
Bei den beschriebenen Ausführungsformen beträgt die Länge
jeder äußeren Zuleitung 138 etwa 3 bis 5 mm; die Länge des
praktisch in einer Ebene mit der äußeren Zuleitung 138
liegenden Teils der Zwischenzuleitung 140 beträgt etwa
5 mm oder weniger. In der vorliegenden Beschreibung
bedeutet die Angabe, daß die externe Elektrode 130 und die
äußere Zuleitung 138 usw. "praktisch in einer Ebene mit
einander" liegen, nicht nur den Zustand, in welchem die
Elektrode 130 und die äußere Zuleitung 138 usw. in
gleicher Ebene miteinander verbunden sind, sondern auch
den Zustand, in welchem die äußere Zuleitung 138 usw. mit
der Elektrode 130 kontaktiert und an ihr angebracht sind.
Claims (20)
1. Halbleiteranordnung mit einem Filmträger,
gekennzeichnet durch
ein Halbleiterelement (114) mit einer Anzahl von Anschlüssen,
einen Harzfilm (110) mit einer ersten und einer zweiten Fläche sowie einer Öffnung (112), in welcher das Halbleiterelement montiert ist, und
eine Anzahl von auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildeten Zuleitungsdrähten (134) mit jeweils einer (einem) inneren Zuleitung(steil) (136), einer (einem) mittleren oder Zwischenzuleitung(steil) (140) und einer (einem) äußeren Zuleitung(steil) (138),
wobei die innere Zuleitung mit einem betreffenden der Anschlüsse des Halbleiterelements verbunden ist, die äußere Zuleitung mit einer entsprechenden externen Elektrode (130) verbunden ist, die Zwischenzuleitung zwischen innerer und äußerer Zuleitung liegt, zumin dest die Zwischenzuleitung auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildet ist und jede äußere Zuleitung sowie der dicht an der äußeren Zuleitung befindliche Abschnitt der Zwischenzuleitung praktisch in einer Ebene mit der externen Elektode liegen.
ein Halbleiterelement (114) mit einer Anzahl von Anschlüssen,
einen Harzfilm (110) mit einer ersten und einer zweiten Fläche sowie einer Öffnung (112), in welcher das Halbleiterelement montiert ist, und
eine Anzahl von auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildeten Zuleitungsdrähten (134) mit jeweils einer (einem) inneren Zuleitung(steil) (136), einer (einem) mittleren oder Zwischenzuleitung(steil) (140) und einer (einem) äußeren Zuleitung(steil) (138),
wobei die innere Zuleitung mit einem betreffenden der Anschlüsse des Halbleiterelements verbunden ist, die äußere Zuleitung mit einer entsprechenden externen Elektrode (130) verbunden ist, die Zwischenzuleitung zwischen innerer und äußerer Zuleitung liegt, zumin dest die Zwischenzuleitung auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildet ist und jede äußere Zuleitung sowie der dicht an der äußeren Zuleitung befindliche Abschnitt der Zwischenzuleitung praktisch in einer Ebene mit der externen Elektode liegen.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß ein
Endabschnitt des Harzfilms (110) von der externen
Elektrode (130) getrennt (beabstandet) ist und die von
der auf der ersten Fläche (des Harzfilms) ausgebilde
ten Zwischenzuleitung (140) abgehende äußere Zuleitung
(138) mit der betreffenden externen Elektrode (130)
verbunden ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die von
der auf der ersten Fläche (des Harzfilms) ausgebil
deten Zwischenzuleitung (140) abgehende äußere Zulei
tung (138) praktisch in einer Ebene mit der betreffen
den externen Elektrode angeordnet ist.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß ein
Endabschnitt der ersten Fläche (des Harzfilms) ober
halb der Oberfläche der externen Elektrode (130) ange
ordnet ist und die von der auf der ersten Fläche (des
Harzfilms) ausgebildeten Zwischenzuleitung (140)
abgehende äußere Zuleitung (138) mit der betreffenden
externen Elektrode verbunden ist.
5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die äußere
Zuleitung (138) auf der ersten Fläche (des Harzfilms)
ausgebildet ist und in Flächenkontakt mit der betref
fenden externen Elektrode (130) steht.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch einen auf erster
oder zweiter Fläche des Harzfilms (110) ausgebildeten
Metallfilm (160) zur Versteifung des Harzfilms und zur
Verhinderung einer Verformung des Harzfilms.
7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch einen Isolator
(124), der zumindest den Teil (122) des Harzfilms
bedeckt, auf welchem die innere Zuleitung und die
Zwischenzuleitung ausgebildet sind.
8. Halbleiteranordnung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß der größte
Teil des Harzfilms (110) mit dem Isolator (124) be
deckt ist.
9. Halbleiteranordnung mit einem Filmträger,
gekennzeichnet durch
ein erstes Substrat (132),
ein auf dem ersten Substrat montiertes und eine Anzahl von Anschlüssen aufweisendes Halbleiterelement (114),
einen Harzfilm (110) mit einer ersten und einer zwei ten Fläche sowie einer Öffnung (112), in welcher das Halbleiterelement montiert ist,
eine Anzahl von auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildeten Zuleitungsdrähten (134) mit jeweils
einer inneren Zuleitung (136), einer mittleren oder Zwischenzuleitung (140) und einer äußeren Zuleitung (138), wobei die innere Zuleitung mit einem ent sprechenden der Anschlüsse des Halbleiterelements verbunden ist, die Zwischenzuleitung zwischen innerer und äußerer Zuleitung angeordnet ist und mindestens die Zwischenzuleitung auf der ersten Fläche des Films ausgebildet ist,
eine Anzahl von mit den betreffenden äußeren Zulei tungen verbundenen externen Elektroden (130), die jeweils praktisch in einer Ebene mit der betreffenden äußeren Zuleitung und dem dicht an der äußeren Zulei tung befindlichen Abschnitt der Zwischenzuleitung liegen, sowie
ein zweites Substrat (128), auf dem die externen Elektroden vorgesehen sind.
ein erstes Substrat (132),
ein auf dem ersten Substrat montiertes und eine Anzahl von Anschlüssen aufweisendes Halbleiterelement (114),
einen Harzfilm (110) mit einer ersten und einer zwei ten Fläche sowie einer Öffnung (112), in welcher das Halbleiterelement montiert ist,
eine Anzahl von auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildeten Zuleitungsdrähten (134) mit jeweils
einer inneren Zuleitung (136), einer mittleren oder Zwischenzuleitung (140) und einer äußeren Zuleitung (138), wobei die innere Zuleitung mit einem ent sprechenden der Anschlüsse des Halbleiterelements verbunden ist, die Zwischenzuleitung zwischen innerer und äußerer Zuleitung angeordnet ist und mindestens die Zwischenzuleitung auf der ersten Fläche des Films ausgebildet ist,
eine Anzahl von mit den betreffenden äußeren Zulei tungen verbundenen externen Elektroden (130), die jeweils praktisch in einer Ebene mit der betreffenden äußeren Zuleitung und dem dicht an der äußeren Zulei tung befindlichen Abschnitt der Zwischenzuleitung liegen, sowie
ein zweites Substrat (128), auf dem die externen Elektroden vorgesehen sind.
10. Halbleiteranordnung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß ein
Endabschnitt des Harzfilms (110) von der externen
Elektrode (130) getrennt (beabstandet) ist und die von
der auf der ersten Fläche (des Harzfilms) ausgebil
deten Zwischenzuleitung (140) abgehende äußere Zulei
tung (138) mit der betreffenden externen Elektrode
verbunden ist.
11. Halbleiteranordnung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die von
der auf der ersten Fläche (des Harzfilms) ausgebil
deten Zwischenzuleitung (140) abgehende äußere Zu
leitung (138) praktisch in einer Ebene mit der be
treffenden externen Elektrode (130) angeordnet ist.
12. Halbleiteranordnung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß ein
Endabschnitt der ersten Fläche des Harzfilms (110)
praktisch in einer Ebene mit der Oberfläche des
zweiten Substrats (128) liegt und die von der auf der
ersten Fläche (des Harzfilms) ausgebildeten
Zwischenzuleitung (140) abgehende äußere Zuleitung
(138) in einer Ebene mit der betreffenden externen
Elektrode (130) liegt.
13. Halbleiteranordnung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß ein
Endabschnitt der zweiten Fläche des Harzfilms (110) an
der Oberfläche des zweiten Substrats (128) angeordnet
ist und die von der auf der ersten Fläche (des Harz
films) ausgebildeten Zwischenzuleitung (140) abgehende
äußere Zuleitung (138) in einer Ebene mit der betref
fenden externen Elektrode (130) liegt.
14. Halbleiteranordnung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß ein
Endabschnitt der ersten Fläche des Harzfilms oberhalb
der Oberfläche der externen Elektrode (130) liegt und
die von der auf der ersten Fläche (des Harzfilms)
ausgebildeten Zwischenzuleitung (140) abgehende äußere
Zuleitung (138) mit der betreffenden externen Elektro
de verbunden ist.
15. Halbleiteranordnung nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß die äußere
Zuleitung (138) auf der ersten Fläche (des Harzfilms)
ausgebildet ist und in Flächenkontakt mit der betref
fenden externen Elektrode (130) steht.
16. Halbleiteranordnung nach Anspruch 9,
gekennzeichnet durch einen auf erster
oder zweiter Fläche des Harzfilms (110) ausgebildeten
Metallfilm (160) zur Versteifung des Harzfilms und zur
Verhinderung einer Verformung des Harzfilms.
17. Halbleiteranordnung nach Anspruch 9,
gekennzeichnet durch einen Isolator
(124), der zumindest den Teil (122) des Harzfilms
bedeckt, auf welchem die innere Zuleitung und die
Zwischenzuleitung ausgebildet sind.
18. Halbleiteranordnung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet, daß der größte
Teil des Harzfilms (110) mit dem Isolator bedeckt ist.
19. Filmträger,
gekennzeichnet durch
einen Harzfilm (110) mit einer ersten und einer zweiten Fläche sowie einer ersten Öffnung (112), in welcher ein Halbleiterelement montiert ist,
eine Anzahl von auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildeten Zuleitungsdrähten (134) mit jeweils
einer inneren Zuleitung (136), einer Zwischenzuleitung (140) und einer äußeren Zuleitung (138), wobei die innere Zuleitung für Verbindung mit einem betreffenden der Anschlüsse des Halbleiterelements vorgesehen ist, die Zwischenzuleitung zwischen der inneren Zuleitung und der äußeren Zuleitung liegt, zumindest die Zwischenzuleitung auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildet ist und die äußere Zuleitung für Verbin dung mit einer betreffenden externen Elektrode (130) vorgesehen ist,
sowie dadurch gekennzeichnet, daß der Harzfilm unterhalb der äußeren Zuleitung eine zweite Öffnung (120) aufweist, die vorgesehen ist, um einen Hauptteil der äußeren Zuleitung vom Harzfilm zu trennen, und welche die erste Öffnung umschließend ausgebildet ist, und
daß ein von der zweiten Öffnung umschlossener Bereich des Harzfilms größer ist als ein Bereich (122) des Harzfilms, der mit einem Isolator vergossen ist.
einen Harzfilm (110) mit einer ersten und einer zweiten Fläche sowie einer ersten Öffnung (112), in welcher ein Halbleiterelement montiert ist,
eine Anzahl von auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildeten Zuleitungsdrähten (134) mit jeweils
einer inneren Zuleitung (136), einer Zwischenzuleitung (140) und einer äußeren Zuleitung (138), wobei die innere Zuleitung für Verbindung mit einem betreffenden der Anschlüsse des Halbleiterelements vorgesehen ist, die Zwischenzuleitung zwischen der inneren Zuleitung und der äußeren Zuleitung liegt, zumindest die Zwischenzuleitung auf der ersten Fläche des Harzfilms ausgebildet ist und die äußere Zuleitung für Verbin dung mit einer betreffenden externen Elektrode (130) vorgesehen ist,
sowie dadurch gekennzeichnet, daß der Harzfilm unterhalb der äußeren Zuleitung eine zweite Öffnung (120) aufweist, die vorgesehen ist, um einen Hauptteil der äußeren Zuleitung vom Harzfilm zu trennen, und welche die erste Öffnung umschließend ausgebildet ist, und
daß ein von der zweiten Öffnung umschlossener Bereich des Harzfilms größer ist als ein Bereich (122) des Harzfilms, der mit einem Isolator vergossen ist.
20. Filmträger nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet, daß der von
der zweiten Öffnung umschlossene Bereich des Harzfilms
eine im wesentlichen rechteckige Form aufweist und die
vier Ecken dieses Bereichs mit Schneideabschnitten
(166) zur Ermöglichung eines Abbiegens von Endab
schnitten dieses Bereichs versehen sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14130490 | 1990-06-01 | ||
JP2251990A JP2848682B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-09-25 | 高速動作用半導体装置及びこの半導体装置に用いるフィルムキャリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4117761A1 true DE4117761A1 (de) | 1991-12-05 |
Family
ID=26473565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4117761A Ceased DE4117761A1 (de) | 1990-06-01 | 1991-05-31 | Halbleiteranordnung mit filmtraeger |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940008342B1 (de) |
DE (1) | DE4117761A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4337921A1 (de) * | 1993-11-06 | 1995-05-11 | Manfred Dr Michalk | Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE10142483A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Außenflachleitern und ein Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10339762A1 (de) * | 2003-08-27 | 2005-03-31 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit einer Umverdrahtungslage und Verfahren zur Herstellung desselben |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0004148B1 (de) * | 1978-02-28 | 1981-11-04 | AMP INCORPORATED (a New Jersey corporation) | Elektrisches Verbindungsstück zur Montage einer elektronischen Vorrichtung auf ein Substrat |
JPS63258054A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS63278359A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
DE3814469A1 (de) * | 1987-04-30 | 1988-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
JPS6414934A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device and film carrier tape |
JPS6484625A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device using film carrier |
JPS6484626A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device using film carrier |
JPS6484726A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
JPH01132147A (ja) * | 1987-08-08 | 1989-05-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
EP0365783A2 (de) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | International Business Machines Corporation | Packungsstrukturen für integrierte Mehrschichtschaltungen |
US4953173A (en) * | 1987-08-08 | 1990-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-05-30 KR KR1019910008869A patent/KR940008342B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-05-31 DE DE4117761A patent/DE4117761A1/de not_active Ceased
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0004148B1 (de) * | 1978-02-28 | 1981-11-04 | AMP INCORPORATED (a New Jersey corporation) | Elektrisches Verbindungsstück zur Montage einer elektronischen Vorrichtung auf ein Substrat |
JPS63258054A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
DE3814469A1 (de) * | 1987-04-30 | 1988-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
JPS63278359A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
JPS6414934A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device and film carrier tape |
JPH01132147A (ja) * | 1987-08-08 | 1989-05-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US4953173A (en) * | 1987-08-08 | 1990-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JPS6484625A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device using film carrier |
JPS6484626A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device using film carrier |
JPS6484726A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
US5021866A (en) * | 1987-09-28 | 1991-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit apparatus |
EP0365783A2 (de) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | International Business Machines Corporation | Packungsstrukturen für integrierte Mehrschichtschaltungen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Die Streifenleiter-Technik. In: Elektronik, 1976, H. 10, S. 93-94 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4337921A1 (de) * | 1993-11-06 | 1995-05-11 | Manfred Dr Michalk | Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE4337921C2 (de) * | 1993-11-06 | 1998-09-03 | Ods Gmbh & Co Kg | Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule |
DE10142483A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Außenflachleitern und ein Verfahren zu seiner Herstellung |
US6825549B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-11-30 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with external flat conductors and a method for producing the electronic component |
DE10142483B4 (de) * | 2001-08-31 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit Außenflachleitern und ein Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10339762A1 (de) * | 2003-08-27 | 2005-03-31 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit einer Umverdrahtungslage und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE10339762B4 (de) * | 2003-08-27 | 2007-08-02 | Infineon Technologies Ag | Chipstapel von Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940008342B1 (ko) | 1994-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3686990T2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung wobei ein filmtraegerband angewendet wird. | |
DE2554965C2 (de) | ||
DE4301915C2 (de) | Mehrfachchip-Halbleitervorrichtung | |
DE102005057401B4 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69422463T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterchip mit Rückseitenelektrode | |
DE69602632T2 (de) | Feldeffekttransistor mit Kammstruktur | |
DE3913221A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2411259A1 (de) | Integrierter schaltkreis und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102015115805B4 (de) | Elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelements | |
DE1539863C3 (de) | Hochfrequenz-Hochleistungstransistor | |
DE69216452T2 (de) | Halbleiteranordnung mit elektromagnetischer Abschirmung | |
DE69737320T2 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE3013196A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE102008008141A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102005039165A1 (de) | Halbleiterleistungsbauteil mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69628964T2 (de) | Harzvergossenes Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren | |
DE2932369A1 (de) | Montage- und verbindungseinheit mit zuleitungen fuer elektronische schaltkreise | |
DE4316639C2 (de) | Halbleitermodul mit verbesserter Wärmeableitung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69004581T2 (de) | Plastikumhüllte Hybrid-Halbleiteranordnung. | |
DE69728648T2 (de) | Halbleitervorrichtung mit hochfrequenz-bipolar-transistor auf einem isolierenden substrat | |
DE69321276T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Leitergitter | |
DE69716081T2 (de) | Rf leistungsbauteil mit einem doppelten erdschluss | |
EP0282617A1 (de) | Integrierte Schaltung mit einer elektrisch leitenden Trägerplatte | |
DE102018130147A1 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
DE4321592B4 (de) | Halbleitervorrichtungen sowie ein Chipauflage-Trägerteil und ein Tape-Carrier-Gehäuse hierfür |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |