DE3824127A1 - Vorrichtung zur waermebehandlung der oberflaeche eines substrates, insbesondere zum kristallisieren von polykristallinem oder amorphem substratmaterial - Google Patents
Vorrichtung zur waermebehandlung der oberflaeche eines substrates, insbesondere zum kristallisieren von polykristallinem oder amorphem substratmaterialInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Wärme
behandlung der Oberfläche eines Substrates, insbesondere
zum Kristallisieren von polykristallinem oder amorphem
Substratmaterial.
Vorrichtungen zur Wärmebehandlung der Oberfläche eines
Substrates werden z.B. bei der Herstellung großkristalli
ner Halbleiterschichten aus Polysilizium oder amorphem Si
lizium verwendet.
Der Entwicklungsweg der Halbleitertechnologie geht zu im
mer höheren Integrationsdichten mit einer steigenden An
zahl von Funktionselementen pro Fläche und gleichzeitig zu
größeren Chip-Flächen. Ein zusätzlicher Weg wird darin ge
sehen, auf einem Halbleiter-Chip Bauelementeebene in über
einander angeordneten Schichten aufzubauen. Voraussetzung
für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen in den
einzelnen Schichten ist, daß das Schichtmaterial, im allge
meinen Silizium Bauelementequalität aufweist, d.h.
möglichst groß- oder gar monokristallin ist. Nur auf diese
Weise ist es möglich, Bauelemente wie Transistoren in den
einzelnen Schichten zu erhalten, die in der Qualität den
herkömmlich in Monokristalliten hergestellten Bauelementen
gleichwertig sind.
Ein aussichtsreiches und erprobtes Verfahren zur Herstel
lung mehrschichtiger Aufbauten, die allgemein als dreidi
mensionale integrierte Schaltungen bezeichnet werden, ist
die Kristallisation mittels Licht- und insbesondere Laser
einstrahlung. Hierzu wird die bereits gefertigte Substrat
bauelementeebene mit einem Isolator beschichtet, z.B.
durch Abscheiden von Siliziumdioxid SiO2 aus der Gasphase
und planarisiert. Auf dieses Oxid wird anschließend Poly
silizium oder amorphes Silizium abgeschieden. Die Dicke
der beiden Schichten liegt jeweils bei typisch 0,5 µm. Da
rüber kann eine weitere Schicht aus einem Isolator, insbe
sondere wiederum Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid Si3N4
aufgebracht werden. Diese Schichtfolge, insbesondere die
Schicht aus Polysilizium oder amorphem Silizium, wird
durch Energieeinstrahlung erwärmt und aufgeschmolzen, wo
bei die Schmelzzone lateral über die Schicht geführt wird.
Bei geeigneter Prozeßführung erstarrt die Schicht aus Poly
silizium oder amorphem Silizium nach dem Durchgang der
Schmelzzone großkristallin und im Idealfall monokristallin.
Rekristallisationsverfahren dieser Art sind in den letzten
Jahren ausführlich untersucht worden. Dabei kamen als Ener
giequelle Laser, insbesondere Argonlaser, CO2-Laser, Blitz
lampen, Graphitstreifenheizer, Halogenlampenheizer usw.
zum Einsatz. Einen Überblick über die verschiedenen Verfah
ren gibt der Artikel von Akasaka in IEEE Proceedings,
Dezember 1986, Seiten 486 ff.
Für die Rekristallisation dünner Polysiliziumschichten
über bereits mit Bauelementen versehenen Siliziumschichten
sind Leistungsdichten von wenigstens 100 Wcm-2 nötig. Hier
durch gelingt es, zwischen der Polysiliziumschicht und der
Oberfläche der hiervon durch die dünne Isolatorschicht
thermisch isolierten Halbleiterplättchen einen Temperatur
gradienten herzustellen, der groß genug ist, daß die unter
der Polysiliziumschicht liegenden bereits Bauelemente ent
haltenden Schichten nicht durch hohe Erhitzung und die da
durch bedingte Diffusion zerstört werden. Üblicherweise
werden die an ihrer Oberfläche zu rekristallisierenden
Halbleitersubstrate durch eine flächenhomogene Vorheizein
richtung auf mehrere 100°C erhitzt, um die beim Passieren
der Schmelzfront entstehenden thermischen und mechanischen
Spannungen gering zu halten. Bisher bekannte Vorrichtungen
zur Kristallisation von Polysilizium oder amorphem Sili
zium mit Hilfe von Laserstrahlung fokussieren diese in
einen typisch 10 bis 1000 µm großen bzw. breiten Strich,
der durch eine Relativbewegung des Substrates zeilenartig
über die zu bestrahlende Oberfläche geführt wird. Bei sol
chen Verfahren entstehen jedoch an der Grenze zwischen ver
schiedenen Kristallisationsbahnen bevorzugt Diskontinuitä
ten, so z.B. Korngrenzen, die die für Bauelemente benötig
te Qualität des kristallisierten Halbleitermaterials ver
ringern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrich
tung zur Wärmebehandlung der Oberfläche eines Substrates,
insbesondere zur Kristallisation von polykristallinem oder
amorphem Halbleitermaterial im Rahmen der Herstellung drei
dimensional integrierter Schaltungen anzugeben, mit der
das Substratmaterial im Oberflächenbereich großflächig mit
hoher Gleichmäßigkeit umstrukturiert werden kann.
Diese Aufgabe ist gemäß der Erfindung durch die im kenn
zeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Merkma
le gelöst.
Demgemäß wird die Laserstrahlung nach Art einer Abtastbewe
gung lateral über die Substratoberfläche geführt, wobei
diese zyklische Bewegung mit Hilfe einer Umlenkeinrichtung
zwischen Laser und Substrat erfolgt, z.B. ein Schwenkspie
gel und vorzugsweise mit Hilfe eines Polygonrades. Die
Bahnlänge der die Substratoberfläche überstreichenden La
serstrahlung kann bis zu 150 Millimeter betragen, so daß
in der Regel die gesamte Breite eines Halbleitersubstrats
überstrichen wird. Die verspiegelten Umlenkflächen des
Polygonrades werden vorzugsweise zwischen ihren seitlichen
Kanten konkav geformt, wodurch die üblicherweise einige
Millimeter bis zu einem Zentimeter breite Laserstrahlung
zu einem Strich fokussiert wird. Durch diese Anordnung
kann ein linienförmiger Fokusbereich mit einer Breite bis
herab zu etwa 120 µm hergestellt werden. Die minimale Brei
te ist durch die Präzision des Polygonrades und letztend
lich durch elementare optische Gesetze begrenzt. Die Länge
der durch den Linienfokus überstrichenen Bahn ist geome
triebedingt. Zeitlich integral während des Durchgangs je
einer spiegelnden Umlenkfläche werden typisch 10 bis 30
Zentimeter überstrichen. Das Polygonrad kann mit Umdre
hungsfrequenzen bis zu vielen tausend Umdrehungen pro Minu
te rotieren und lenkt die Laserstrahlung zyklisch auf die
Oberfläche des Substrats, das auf einem Arbeitstisch gela
gert ist. Der Arbeitstisch ist hierbei vorzugsweise mit
einer Heizvorrichtung versehen, mit der das Substratmate
rial vorgeheizt wird. Der Arbeitstisch und der zeilenför
mig über das Substrat gelenkte Laserstrahl können zusätz
lich noch eine Relativbewegung, üblicherweise senkrecht zu
der Zeilenbahn ausführen. Am einfachsten läßt sich dies
durch eine mechanische Verschiebung des Arbeitstisches rea
lisieren. Dabei liegen typische Vorschubgeschwindigkeiten
im Bereich von 1 µm bis zu 1 cm pro Sekunde.
Die Umlenkeinrichtung, d.h. vorzugsweise das verspiegelte
Polygonrad, erfüllt mehrere Aufgaben. Das Polygonrad lenkt
den Laserstrahl im wesentlichen senkrecht auf die Oberflä
che des Substrats. Durch die konkave Bearbeitung der spie
gelnden Umlenkflächen wird der üblicherweise einige Milli
meter breite Laserstrahl zu einem Strich fokussiert. Durch
die Drehung des Polygonrades überstreicht dieser Strichfo
kus einen durch die Geometrie der Anordnung definierten
Winkel. Durch Fokussierung und Drehung werden Inhomogenitä
ten des Laserstrahls gemittelt, insbesondere eine laterale
Energieverteilung, Modeninstabilitäten, Intensitätsverzer
rungen usw. Außerdem reduziert die Drehung des Polygonrads
die thermische Belastung der Spiegelflächen.
Die effektive Leistungsdichte der Laserstrahlung auf der
Substratoberfläche in im zeitlichen Mittel näherungsweise
durch den Quotienten aus fokussierter Leistung und effekti
ver Fläche des Linienfokus des Laserstrahles auf der
Substratoberfläche definiert und kann, je nach geometrisch
konstruktiver Auslegung der Vorrichtung bis zu 106 Wcm-2
betragen. Bedingt durch das zyklische zeilenförmige Über
streichen der Laserstrahlung erfolgt die Einkoppelung die
ser mittleren Leistung nicht kontinuierlich, sondern in
Pulsen mit einer Frequenz, die durch das Produkt aus der
Umdrehungsfrequenz des Polygonrades und der Anzahl der
Spiegelflächen definiert ist. Die Temperatur an einem
festen Punkt der Oberfläche des Substrates folgt dieser
intermittierenden Bestrahlung, wobei der zeitliche Tempera
turverlauf durch Wärmeleitprozesse und die Wärmekapazität
d.h. die Schmelzwärme der Schicht an der Oberfläche des
Substrats gegeben ist. Bei geeigneter Umdrehungsgeschwin
digkeit des Polygonrades kann dadurch ein vielfaches
Schmelzen und Wiedererstarren der Oberfläche des Substrats
auftreten, was die Entstehung großer Kristallite
begünstigt.
Mit einer Vorrichtung gemäß der Erfindung kann die Oberflä
che eines mehrschichtigen Siliziumplättchens zur Herstel
lung dreidimensionaler integrierter Schaltungen mit einer
Leistungsdichte aufgeschmolzen werden, die für eine hin
reichend große Temperaturdifferenz zwischen der zu schmel
zenden Schicht aus Polysilizium oder amorphem Silizium und
der darunter liegenden bereits Bauelemente enthaltenden
Siliziumschicht geeignet ist. Für die Erzielung von Mono
kristalliten wird das erwärmte Material in herkömmlicher
Weise einem Zonenziehprozeß oder einem Epitaxieprozeß un
terworfen.
Die beschriebene Vorrichtung kann nicht nur zur Kristalli
sation von Halbleitermaterial bei der Herstellung dreidi
mensionaler integrierter Schaltungen verwendet werden, son
dern z.B. auch zum Tempern von Siliziumscheibern. Ein sol
cher Temperschritt ist z.B. nach der Ionenimplantation in
Siliziumscheiben erforderlich, um die bei der Implantation
entstandenen Strahlenschäden auszuheilen und die implan
tierten Dotieratome zu aktivieren. Herkömmliche Temper
schritte erfordern üblicherweise Temperaturen von etwa
900°C bei Temperdauern von 30 Minuten. Das Tempern erfolgt
üblicherweise in Rohröfen. Mit der Vorrichtung gemäß der
Erfindung können Halbleiterscheibchen zum Tempern
oberflächlich stark erwärmt werden, so daß der Temperpro
zeß auf wenige Sekunden abgekürzt werden kann. Eine Anwen
dung der Vorrichtung ist auch zur Erwärmung von Polymeren
geeeignet oder zur Erzielung von thermischen Relaxations
prozessen in dem zu erwärmenden Material, z.B. Diffusion
von Fremdatomen und/oder der Ablauf chemischer Reaktionen,
z.B. Oxidationen.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den Unter
ansprüchen hervor. Die Erfindung ist in einem Ausführungs
beispiel anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung gemäß
der Erfindung zur Herstellung großkristalliner Halb
leiterschichten und
Fig. 2 eine schematische Seitenansicht der Vorrichtung.
Ein CO2-Laser 1 sendet einen im wesentlichen parallelen
Laserstrahl 2 auf ein drehendes Polygonrad 3 und trifft
dort auf verspiegelte Polygonflächen 4, wodurch der Laser
strahl 2 um etwa 90° umgelenkt und in einer zeilenförmigen
zyklischen Bewegung über die Oberfläche eines plättchenför
migen Siliziumsubstrates 5, das auf einem Arbeitstisch 6
angeordnet ist. Der durch die Drehung des Polygonrades 3
erzielte Umlenkbereich des Laserstrahles 2 und damit die
bestrahlte Bahnlänge auf der Substratoberfläche beim Vor
gang des Überstreichens ist in Fig. 1 gestrichelt darge
stellt.
Wie in Fig. 2 schematisch dargestellt, sind die verspiegel
ten Umlenkflächen 4 zwischen ihren seitlichen Rändern kon
kav ausgebildet, so daß der Laserstrahl 2 auf der Oberflä
che des Siliziumsubstrates 5 linienförmig fokussiert wird.
Der Arbeitstisch 6 ist noch mit einer nicht gezeigten Heiz
einrichtung ausgerüstet, um das Siliziumsubstrat auf eine
Temperatur von mehreren 100°C vorzuheizen. Außerdem ist
noch eine Vorschubeinrichtung vorgesehen, mit der der Ar
beitstisch 6 senkrecht zur zeilenförmigen Bewegung des
Laserstrahles bewegt werden kann, wie in Fig. 2 durch V an
gedeutet.
Der CO2-Laser 1 weist typische Leistungen zwischen 100 W
und einigen kW auf. Die verspiegelten Umlenkflächen 4 des
Polygonrades 3 sind aus poliertem Metall und/oder einer
oder mehreren dielektrischen Schichten hergestellt. Das
Siliziumsubstrat 5 ist z.B. ein wie oben beschriebenes
mehrschichtiges Plättchen, in dessen einer Schicht bereits
Halbleiterbauelemente realisiert sind, wohingegen die obe
re Schicht aus Polysilizium oder amorphem Silizium
besteht, die z.B. durch einen Zonenziehprozeß oder einem
Epitaxieprozeß kristallisiert werden soll.
Mit einer beschriebenen Vorrichtung kann mit einer Laser
leistung von 600 W eine Polysiliziumschicht auf einer Sili
ziumscheibe mit 100 Millimeter Durchmesser in etwa 120 Se
kunden kristallisiert werden.
Claims (5)
1. Vorrichtung zur Wärmebehandlung der Oberfläche eines
Substrates und dadurch zur Änderung der inneren Struk
tur des Substratmaterials im Bereich der Oberfläche,
insbesondere zum Kristallisieren von polykristallinem
oder amorphem Substratmaterial im Rahmen der Herstel
lung dreidimensionaler integrierter Schaltungen, mit
einem Laser, dessen fokussierte Laserstrahlung über die
Oberfläche des Substrats geführt wird, dadurch gekenn
zeichnet, daß zwischen Laser (1) und Substrat (5) eine
zyklisch betätigbare Umlenkeinrichtung (3) für die La
serstrahlung und zum zeilenförmigen zyklischen Lenken
der fokussierten Laserstrahlung (2) über die Oberfläche
des Substrates (5) vorgesehen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Umlenkeinrichtung ein Polygonrad (3) mit ver
spiegelten Umlenkflächen (4) ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die verspiegelten Umlenkflächen (4) des Polygonrads
(3) zum Fokussieren der Laserstrahlung (2) auf die Ober
fläche des Substrats (5) zwischen ihren seitlichen Kan
ten konkav geformt sind.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die Umlenkfläche (4) der Um
lenkeinrichtung (3) für die Laserstrahlung (2) aus
poliertem Metall und/oder einer oder mehreren dielektri
schen Schichten besteht.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß das Substrat (5) senkrecht
zur Zeilenrichtung der die Oberfläche des Substrats
(5) überstreichende Laserstrahlung (2) verschiebbar
ist.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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