DE3820421A1 - Maske zur roentgenlithographie und verfahren zur herstellung einer solchen - Google Patents
Maske zur roentgenlithographie und verfahren zur herstellung einer solchenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf den Aufbau einer Maske zur
Röntgenlithographie (nachfolgend als Röntgenmaske bezeichnet),
die zur Erzeugung von kleinsten Strukturen in der Größe von
nicht mehr als 1 µm, d.h. Strukturen im subµm-Bereich, dient.
Solche mittels Röntgenbelichtungstechnik (Röntgenlithographie)
hergestellten Schaltkreisstrukturen werden in der Fertigung von
höchstintegrierten (VLSI) Bauelementen eingesetzt.
Fig. 1 zeigt als Schnittansicht eine herkömmliche Röntgenmaske,
die z.B. in "X-Ray Lithography" von R.K. Watts, Solid State
Technology, May 1979 beschrieben wurde. Nach Fig. 1 wird ein
für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchsichtiger trans
parenter Film 1 mit einer Dicke von 2 bis 3 µm durch einen
Isolator gebildet, der aus einem isolierenden Material hervor
ragender Festigkeit, wie BN, SiN oder SiC besteht. Entsprechend
der herzustellenden Strukturen werden Röntgenabsorber 2 aus
Schwermetallen mit hoher Röntgensabsorption, wie Au, W und Ta,
als Schicht auf der Oberfläche des transparenten Films 1 ge
bildet. Die oben erwähnte Literaturstelle erläutert eine Rönt
genmaske, die einen transparenten Film 1 aus SiC, und darauf
abgeschiedene Röntgenabsorber 2 aufweist, wobei der Röntgen
absorber 2 aus einer Schichtfolge eines Ti Films von 150 Å
Dicke, eines Au Films von 5000 Å Dicke und eines V Films von
800 Å Dicke, besteht. Zur Stütze des transparenten Films 1 und
der Röntgenabsorber 2 ist ein ringförmiger Träger 3 entlang des
peripheren Randbereichs an der Rückseite des transparenten
Films 1 vorgesehen. Ein Röntgendurchlaßfenster 4, das durch
eine Öffnung des Trägers 3 freigegeben wird, erstreckt sich
über den gesamten Bereich der zu strukturierenden Fläche.
Um eine Belichtung durch die Röntgenmaske mit diesem Aufbau
auszuführen, wird die Röntgenmaske zunächst der zu belichtenden
Probe, die ein Halbleitersubstrat sein kann, überlagert und mit
Hilfe von optischen Lichtstrahlen positioniert. Diese Licht
strahlen treffen senkrecht zur Oberfläche der Röntgenmaske auf
und durchdringen diese, so daß das Verfahren der Überlagerung
und Positionierung der Röntgenmaske mit der Probe auf der
Grundlage des Lichts, das von der Probe reflektiert wird, aus
geführt wird. Folglich muß der transparente Film 1 für sicht
bares Licht durchlässig sein. Nach erfolgter Positionierung
treffen Röntgenstrahlen senkrecht über der Oberfläche der Probe
auf, so daß diejenigen, die den Röntgenabsorber 2 treffen, von
dieser absorbiert werden, während diejenigen, die die anderen
Bereiche treffen, den transparenten Film 1 durchdringen und
entsprechend der Strukturen, die den von dem Röntgenabsorber 2
gebildeten umgekehrt sind, in die Probe eindringen. Also muß
der transparente Film 1 auch für Röntgenstrahlen durchlässig
sein.
Da die Röntgenstrahlen, die in die Probe eindringen, eine der
von den Röntgenabsorber 2 gebildeten, umgekehrte Struktur
übertragen, hängt die Qualität der in der Probe abgebildeten
Struktur von der Qualität der Struktur der Röntgenmaske ab.
Deshalb muß die Struktur der Röntgenmaske vor Anwendung über
prüft werden.
Da jedoch die minimale Linienbreite der Strukturen einer Rönt
genmaske im allgemeinen weniger als 0,5 µm beträgt, kann eine
genügend hohe Auflösung zur Strukturkontrolle durch her
kömmliche lichtoptische Methoden nicht erreicht werden, da
hierbei Schäden usw. möglicherweise übersehen werden. Deshalb
wird die Überprüfung der Strukturen einer Röntgenmaske mit
einem Strukturkontrollgerät, das Elektronenstrahlen benützt und
das in den japanischen Offenlegungsschriften Nr. 2 00 415/1986,
Nr. 4 01 46/1987 usw. dargestellt wird, durchgeführt.
Die herkömmliche Röntgenmaske mit dem oben erwähnten Aufbau
wird einer Strukturkontrolle mit einem Strukturkontrollgerät,
das Elektronenstrahlen benützt, unterworfen. Da der transpa
rente Film 1 durch Anwenden eines Elektronenstrahls durch die
sen elektrisch aufgeladen wird, wird ein nachfolgender Elektro
nenstrahl durch diese Aufladung abgelenkt. Durch diese Ablen
kung des nachfolgenden Elektronenstrahls von seiner Sollage
kann eine korrekte Strukturüberprüfung nicht durchgeführt wer
den.
Fig. 2 zeigt eine weitere, herkömmliche Röntgenmaske, die zur
Vermeidung der Aufladung des transparenten Films 1 entwickelt
wurde, und die in "X-Ray Lithography: Fabrication of Masks and
Very Large Scale Integrated Devices", SPIE Vol. 333, Submicron
Lithography (1982) und "Defect Repair Techniques for X-Ray
Masks", SPIE Vol. 471, Electron Beam, X-Ray and Ion Beam Tech
niques for Submicron Meter Lithography III (1984) dargestellt
wurde. Die Röntgenmaske aus Fig. 2 ist von der aus Fig. 1 da
hingehend verschieden, daß zwischen dem transparenten Film 1
und den Röntgenabsorbern 2 ein transparenter, leitender Film 5
vorgesehen ist. Aus der zuerst genannten Literaturstelle z.B.
kann man einen Ti Film von 10 000 Å Dicke, der als transparen
ter, leitfähiger Film 5 auf einem Polyimid Film von 16 000 Å
Dicke, der als transparenter Film 1 dient, gebildet wird, und
einen Au Film von 7000 Å Dicke und einen TaO x Film von 1400 Å
Dicke, die den Röntgenabsorber 2 bilden, entnommen werden. Aus
der zuletzt genannten Literaturstelle geht ein Polyimid Film
von 2 µm Dicke hervor, der auf einem transparenten BN Film 1
von 4,5 µm Dicke gebildet wird; darauf ist ein transparenter,
leitender Ta Film 5 von 300 Å Dicke gebildet, wobei der Rönt
genabsorber aus einem Au Film von 6500 Å Dicke und einem Ta
Film von 800 Å Dicke gebildet ist. Aus der zuletzt genannten
Literaturstelle geht hervor, daß eine elektrische Aufladung
verursacht wird, obwohl die Strukturen der Röntgenmaske einer
Strukturkorrektur durch fokussierte Ionenstrahlen unterzogen
werden. Ähnlich dem transparenten Film 1 ist auch der trans
parente, leitende Film 5 für sichtbares Licht und Röntgenstrah
len durchlässig. In dieser Röntgenmaske fließen die in dem
transparenten Film 1 gebildeten Elektronenladungen über den
transparenten, leitenden Film 5 nach Masse ab.
Im Falle der Herstellung einer Röntgenmaske mit einem zwischen
dem transparenten Film 1 und den Röntgenabsorbern 2 geschichtet
aufgebautem transparenten, leitenden Film 5 müssen die das Ma
terial und die Filmbildung betreffenden Bedingungen im Hinblick
auf unterschiedliches Haftvermögen und Ausdehnung des transpa
renten Films 1, der Röntgenabsorber 2 und des transparenten,
leitfähigen Films 5 bestimmt werden, wodurch die Prozeßschritte
für einen strikten Herstellungsablauf verkompliziert werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Röntgenmaske vorzusehen, die
leicht herstellbar ist und sowohl einen Abbau von elektrischen
Aufladungen des transparenten Films vorsieht als auch scharfe
Strukturen bei der Belichtung mit Röntgenstrahlen ermöglicht.
Die Röntgenmaske entsprechend dieser Erfindung weist einen
transparenten Film auf, der für mindestens sichtbares Licht und
Röntgenstrahlen durchlässig ist, und strukturierte Schichten
auf der Hauptoberfläche des transparenten Films vorsieht, die
zumindest Röntgenstrahlen absorbieren. Ein Träger befindet sich
auf der rückseitigen Oberfläche des transparenten Films zum
Stützen des transparenten Films und der Röntgenabsorber. Dieser
Träger hat eine Öffnung, um zumindest die rückseitige Oberflä
che des transparenten Films zu belichten. Weiterhin befindet
sich ein leitender Film aus leitendem Material, das zumindest
für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässig ist, auf
den rückwärtigen Oberflächen des hier exponierten transparenten
Films und des Trägers.
Ein Verfahren zur Herstellung einer Röntgenmaske entsprechend
dieser Erfindung weist folgende Schritte auf:
- (i) Vorbereiten des Trägersubstrates,
- (ii) Bilden eines transparenten Films, der zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen auf der Hauptoberfläche des Trägersubstrates durchlässig ist,
- (iii) selektives Entfernen der rückseitigen Oberfläche des Trägersubstrates, um eine Öffnung zur Belichtung mindestens der rückseitigen Oberfläche des transparenten Film zu definieren,
- (iv) Bilden einer röntgenstrahlenabsorbierenden Schicht, die zumindest Röntgenstrahlen auf der Hauptoberfläche des transparenten Film absorbiert,
- (v) Bilden eines leitfähigen Films aus leitfähigem Material über der rückseitigen Oberfläche des exponierten transparenten Films und des Trägersubstrates, der zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässig ist; und
- (vi) selektives Entfernen von Abschnitten der röntgenstrahlenabsorbierenden Schicht, um eine für Röntgenstrahlen absorbierende Struktur, die räumliche Abstände aufweist, zu erhalten.
In einer bevorzugten Ausführung dieser Erfindung enthält der
leitfähige Film einen In2O3 Film. Der Träger ist in der Form
eines Ringes vorgesehen, wobei der leitfähige Film geerdet ist.
Entsprechend der erfindungsgemäßen Röntgenmaske werden die
Elektronen, die die Aufladung des transparenten Films verur
sachen, und die während der Strukturüberprüfung durch Elek
tronenstrahlen entstehen, über den leitfähigen Film nach Masse
abgeführt. Da der leitfähige Film auf der rückseitigen Ober
fläche des transparenten Films aufgetragen wird, ist die Ge
samtdicke des transparenten Films und des leitfähigen Films
vollkommen gleichmäßig, unabhängig von der Lage des Röntgen
strahls. Daher können bei der Übertragung durch Röntgenstrahl
belichtung scharfe Strukturen erhalten werden.
Diese und weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung
ergeben sich aus der Beschreibung anhand der Figuren. Von den
Figuren zeigen:
Fig. 1 zeigt als Schnittdarstellung eine herkömmliche Röntgen
maske,
Fig. 2 zeigt als Schnittdarstellung eine weitere, herkömmliche
Röntgenmaske,
Fig. 3 zeigt eine Schnittdarstellung eines erfindungsgemäßen
Ausführungsbeispieles einer Röntgenmaske,
Fig. 4 erläutert entsprechend dieser Erfindung das Prinzip des
Abbaus von elektrischen Aufladungen des transparenten
Films,
Fig. 5 zeigt eine Schnittdarstellung eines Beispiels einer
Röntgenmaske,
Fig. 6A bis Fig. 6F sind Schnittdarstellungen, die als Schrittfolge die
Herstellung einer erfindungsgemäßen Röntgenmaske
zeigen.
Nach Fig. 3 ist die erfindungsgemäße Röntgenmaske absolut iden
tisch mit einer herkömmlichen Röntgenmaske nach Fig. 1, außer
daß ein transparenter, leitfähiger Film 5 aus In2O3 als Schicht
auf der rückseitigen Oberfläche des transparenten Films 1 und
des Trägers 3 gebildet wird. Der transparente, leitfähige Film
5 ist durchlässig für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen,
ganz ähnlich dem Film aus Fig. 2.
In bezug auf Fig. 4 wird im folgenden erläutert, wie die elek
trische Aufladung des transparenten Films 1 während der Struk
turkontrolle mit Elektronenstrahlen der Röntgenmaske nach Fig.
3 abgebaut wird. Wenn Röntgenstrahlen senkrecht zur Oberfläche
der Röntgenmaske auftreffen, wird der transparente Film 1 in
Bereichen, die nicht von Röntgenabsorbern bedeckt sind, elek
trisch aufgeladen. Da die Dicke des transparenten Films 1 nur 2
bis 3 µm beträgt, können sich die Elektronen leicht in Richtung
des transparenten, leitfähigen Films bewegen. Da der transpa
rente, leitfähige Film 5 mit einer äußeren Erdung verbunden
ist, können diese Elektronen über den transparenten, leitfähi
gen Film 5 nach außerhalb der Röntgenmaske fließen. Dadurch
kann die elektrische Aufladung des transparenten Films 1
abgebaut werden.
Da nach dem beschriebenen Ausführungsbeispiel der transparente,
leitfähige Film 5 auf der rückseitigen Oberfläche des transpa
renten Films 1 und des Trägers 3 gebildet wird, wird zum Ver
gleich ein Beispiel erläutert, das einen transparenten, leit
fähigen Film 5 vorsieht, der auf der Oberfläche eines trans
parenten Films 1 und eines Röntgenabsorbers 2 gebildet wird.
Fig. 5 zeigt als Schnittdarstellung ein solches Bezugsbeispiel.
Diese Röntgenmaske kann relativ leicht zur Vermeidung von elek
trischen Aufladungen des transparenten Films 1 hergestellt
werden. Die Röntgenmaske nach Fig. 5 unterscheidet sich dadurch
vom Stand der Technik nach Fig. 1, daß der transparente, leit
fähige Film 5 gleichförmig auf dem transparenten Film 1 und der
Röntgenabsorber 2 als Schicht aufgetragen ist. Ganz ähnlich zu
dem gezeigten Film nach Fig. 2 ist der transparente, leit
fähige Film 5, der zum Abbau der Aufladung des transparenten
Films 1 geerdet ist, durchlässig für sichtbares Licht und
Röntgenstrahlen.
Die so aufgebaute Röntgenmaske kann im Vergleich zu der nach
Fig. 2 leicht hergestellt werden. Unter der Annahme, daß die
Röntgenstrahlen senkrecht zur Oberfläche der Röntgenmaske von
oben auftreffen, werden jedoch Intensitätsunterschiede zwischen
denjenigen Röntgenstrahlen, die solche Bereiche des transpa
renten, leitfähigen Films 5 und des transparenten Films 1
durchqueren, die nahe an den Kanten des Röntgenabsorbers 2
liegen und denjenigen, die die anderen Bereiche des transpa
renten, leitfähigen Films 5 und des transparenten Films 1
durchqueren, hervorgerufen. Folglich werden die durch die
Röntgenbelichtung abgebildeten Strukturen unscharf.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung einer Rönt
genmaske nach Fig. 3 beschrieben. Die Fig. 6A bis 6F zeigen in
Schnittansichten die Prozeßabläufe eines Ausführungsbeispieles
zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Röntgenmaske.
Nach Fig. 6A wird ein transparenter Film 1 der Dicke 2 bis
3 µm, der aus BN, SiN, SiC oder ähnlichem besteht, mittels Nie
derdruckabscheidung aus der Gasphase (LPCVD) gleichmäßig und
als Schicht auf ein Trägersubstrat 13 aus Si oder ähnlichem der
Dicke von circa 1 bis 2 mm aufgebracht. Anschließend wird nach
Fig. 6B an der rückseitigen Oberfläche des Trägersubstrates 13
eine Fotolithographie und eine naßchemische Ätzung durchge
führt, um einen für Röntgenstrahlen durchlässigen Bereich in
bezug auf ein Substrat zu bilden und dadurch einen Träger 3 und
ein Röntgendurchlaßfenster 4 zu bilden. Nach Fig. 6C wird ein
Röntgenabsorber 2, bestehend aus einem Material mit hoher
Röntgenabsorption wie Au, W, Ta oder Pb, gleichmäßig und als
Schicht bis zu einer Dicke von 0,8 µm bis 1 µm durch Sputtern
auf die Oberfläche des transparenten Films 1 abgeschieden.
Anschließend wird nach Fig. 6D ein transparenter, leitfähiger
Film 5 aus In2O3 der ungefähren Dicke von 1000 Å gleichmäßig
und als Schicht auf der rückseitigen Oberfläche des transparen
ten Films 1 und des Trägers 3 aufgetragen. Der transparente,
leitfähige Film 5 kann durch irgendeine Filmabscheidemethode
wie z.B. Sputtern, chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD)
usw. gebildet werden. Nach Fig. 6E wird eine Maskenstruktur 6
aus Fotolack, die der gewünschten Schaltungsstruktur oder
ähnlichem entspricht, auf den Röntgenabsorber 2 mittels
Elektronenstrahlbelichtungstechnik (Elektronenstrahllitho
graphie) erzeugt. Dann wird nach Fig. 6F der Röntgenabsorber 2
über die Maskenstruktur 6 trockengeätzt, so daß nur die
Bereiche des Röntgenabsorbers 2, die der Maskenstruktur 6
entsprechen, stehenbleiben, und der restliche Teil entfernt
wird. Nach Entfernen der Maskenstruktur 6 erhält man die ge
wünschte Struktur des Röntgenabsorbers 2 auf dem transparenten
Film 1.
Durch die erwähnte Prozeßabfolge kann eine Röntgenmaske her
gestellt werden, die einen Abbau der elektrischen Aufladung des
transparenten Films 1 ermöglicht. Entsprechend diesem Verfahren
erfährt nur eine Oberfläche des transparenten, leitfähigen
Films 5 eine Berührung mit anderen Schichten, wobei dies wäh
rend des Schrittes nach Fig. 6D auftritt, bei dem der trans
parente, leitfähige Film 5 als Schicht auf die rückseitigen
Oberflächen des transparenten Films 1 und des Trägers 3 aufge
tragen wird; dadurch können die Fertigungsbedingungen bezüglich
der Materialauswahl und die Filmabscheidebedingungen des trans
parenten, leitfähigen Films 5 im Vergleich zur nach Fig. 2 her
gestellten Röntgenmaske, bei der der transparente, leitfähige
Film 5 zwischen zwei Lagen zu liegen kommt, relativ frei be
stimmt werden. Des weiteren ist im Bereich des Röntgendurch
laßfensters 4 die Dickenverteilung des transparenten Films 1
und des transparenten, leitfähigen Films 5 wirklich gleichmäßig
bezüglich der Richtung der einfallenden Röntgenstrahlen, so daß
Röntgenstrahlen, die den transparenten Film 1 und den trans
parenten, leitfähigen Film 5 durchdringen und die Probe errei
chen, unabhängig von der Lage des Strahls absolut gleichförmige
Intensität haben und somit keine Kontrastprobleme aufgrund un
terschiedlicher Röntgenstrahlintensitäten zwischen den Kanten
bereichen der Röntgenabsorber 2 und den anderen Bereichen, so
wie in Fig. 5 gezeigt ist, verursacht werden.
Ebenso kann bei der Strukturüberprüfung durch Ionenstrahlen
oder beim Strukturätzen durch ein Ionenplasma die Aufladung
einer Röntgenmaske, die analog zur oben beschriebenen ausge
führt ist, abgebaut werden.
Obwohl der transparente, leitfähige Film 5 der beschriebenen
Ausführung aus In2O3 besteht, kann dafür auch ZnO verwendet
werden. Andererseits kann der transparente, leitfähige Film 5
auch durch einen genügend dünnen Metallfilm, der für sichtbares
Licht noch durchlässig ist, gebildet werden. Wird dieser dünne
Metallfilm jedoch mit einem Material mit hoher Röntgenabsorp
tion gefertigt, wird der Durchsatz bei der Röntgenstrahlbelich
tung verringert. Deshalb wird der dünne Metallfilm vorzugsweise
aus einem leichten Metall wie Ti gebildet.
Obwohl nach den beschriebenen Prozeßschritten der Herstellung
der Röntgenmaske der transparente, leitfähige Film 5 als
Schicht auf die rückseitigen Oberflächen des transparenten
Films 1 und des Trägers 3 gebildet wird, nachdem der Röntgen
absorber 2 als gleichmäßige Schicht auf der Oberfläche des
transparenten Films 1 gebildet wird (Fig. 6C), kann der trans
parente, leitfähige Film 5 in einem beliebigen Schritt gebildet
werden, soweit dieser Schritt nach der Bildung des Trägers 3
und des Röntgendurchlaßfensters 4 und vor dem Ätzen des Rönt
genabsorbers 2 erfolgt.
Entsprechend dieser Erfindung wird der transparente, leitfähige
Film als Schicht auf die rückseitigen Oberflächen des trans
parenten Films und des Trägers aufgebracht, wodurch eine elek
trische Aufladung des transparenten Films bei der Strukturüber
prüfung der Röntgenmaske mittels Elektronenstrahlen usw. abge
baut wird. Dadurch kann relativ leicht eine Röntgenmaske erhal
ten werden, die eine Strukturüberprüfung mit höherer Auflösung
ermöglicht. Durch den Einsatz der Röntgenmaske können dadurch
scharfe Strukturen durch Röntgenstrahlbelichtung erzeugt wer
den.
Claims (12)
1. Maske zur Röntgenlithographie mit
einem transparenten, dünnen Film (1) mit einer Hauptoberfläche, der zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durch lässig ist,
einer röntgenstrahlenabsorbierenden Schicht (2), die auf der Hauptoberfläche des transparenten, dünnen Films (1) zum Absorbieren zumindest von Röntgenstrahlen gebildet ist,
einem Träger (3) auf der rückseitigen Oberfläche des trans parenten, dünnen Films (1) zur Stützung des transparenten, dün nen Films (1) und der röntgenstrahlenabsorbierenden Schicht (2),
wobei der Träger (3) eine Öffnung (4) zur Freilegung zumin dest der rückseitigen Oberfläche des transparenten Films (1) aufweist, gekennzeichnet durch
einen leitfähigen, dünnen Film (5), der auf der rückseitigen Oberfläche des transparenten, dünnen Films (1) und des Trägers (3) gebildet wird,
wobei der leitfähige, dünne Film (5) aus leitfähigem Material besteht und zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässig ist.
einem transparenten, dünnen Film (1) mit einer Hauptoberfläche, der zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durch lässig ist,
einer röntgenstrahlenabsorbierenden Schicht (2), die auf der Hauptoberfläche des transparenten, dünnen Films (1) zum Absorbieren zumindest von Röntgenstrahlen gebildet ist,
einem Träger (3) auf der rückseitigen Oberfläche des trans parenten, dünnen Films (1) zur Stützung des transparenten, dün nen Films (1) und der röntgenstrahlenabsorbierenden Schicht (2),
wobei der Träger (3) eine Öffnung (4) zur Freilegung zumin dest der rückseitigen Oberfläche des transparenten Films (1) aufweist, gekennzeichnet durch
einen leitfähigen, dünnen Film (5), der auf der rückseitigen Oberfläche des transparenten, dünnen Films (1) und des Trägers (3) gebildet wird,
wobei der leitfähige, dünne Film (5) aus leitfähigem Material besteht und zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässig ist.
2. Maske zur Röntgenlithographie nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß
der leitfähige, dünne Film (5) einen In2O3 Film enthält.
3. Maske zur Röntgenlithographie nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß
der leitfähige, dünne Film (5) einen ZnO Film enthält.
4. Maske zur Röntgenlithographie nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß
der leitfähige, dünne Film (5) einen Ti Film enthält.
5. Maske zur Röntgenlithographie nach einem der Ansprüche
1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Träger (3) in Form eines Ringes vorgesehen ist.
6. Maske zur Röntgenlithographie nach einem der Ansprüche
1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
der leitfähige, dünne Film (5) geerdet ist.
7. Maske zur Röntgenlithographie nach einem der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß
die röntgenstrahlenabsorbierenden Schichten (2) auf der Haupt
oberfläche des transparenten, dünnen Films (1) in räumlichen
Abständen voneinander zum Absorbieren zumindest von Röntgen
strahlen gebildet sind.
8. Maske zur Röntgenlithographie nach einem der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß
die röntgenstrahlenabsorbierenden Gebiete (2) auf der Haupt
oberfläche des transparenten, dünnen Films (1) in räumlichen
Abständen voneinander zum Absorbieren zumindest von Röntgen
strahlen gebildet sind.
9. Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Röntgenlitho
graphie mit
einem Schritt zur Vorbereitung eines eine Hauptoberfläche aufweisendes Trägersubstrates (13),
einem Schritt zur Bildung eines zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässigen, transparenten, dünnen Films (1) auf der Hauptoberfläche des Trägersubstrates (13),
einem Schritt zur selektiven Entfernung der rückseitigen Ober fläche des Trägersubstrats (13) zum Festlegen einer Öffnung zum Freilegen zumindest der rückseitigen Oberfläche des transpa renten, dünnen Films (1),
einem Schritt zur Bildung einer röntgenstrahlabsorbierenden Schicht (2) auf der Hauptoberfläche des transparenten, dünnen Films (1) zur Absorption zumindest von Röntgenstrahlen,
einem Schritt zur selektiven Entfernung von Teilen der röntgen strahlabsorbierenden Schicht (2) zur Bildung von Röntgenstrah len absorbierenden Strukturen, die räumliche Abstände vonein ander aufweisen, gekennzeichnet durch
einen Schritt zur Bildung eines leitfähigen, dünnen Films (5) auf die rückseitige Oberfläche des freigelegten transparenten, dünnen Films (1) und des Trägers (3),
wobei der leitfähige, dünne Film (5) aus leitfähigem Material besteht und zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässig ist.
einem Schritt zur Vorbereitung eines eine Hauptoberfläche aufweisendes Trägersubstrates (13),
einem Schritt zur Bildung eines zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässigen, transparenten, dünnen Films (1) auf der Hauptoberfläche des Trägersubstrates (13),
einem Schritt zur selektiven Entfernung der rückseitigen Ober fläche des Trägersubstrats (13) zum Festlegen einer Öffnung zum Freilegen zumindest der rückseitigen Oberfläche des transpa renten, dünnen Films (1),
einem Schritt zur Bildung einer röntgenstrahlabsorbierenden Schicht (2) auf der Hauptoberfläche des transparenten, dünnen Films (1) zur Absorption zumindest von Röntgenstrahlen,
einem Schritt zur selektiven Entfernung von Teilen der röntgen strahlabsorbierenden Schicht (2) zur Bildung von Röntgenstrah len absorbierenden Strukturen, die räumliche Abstände vonein ander aufweisen, gekennzeichnet durch
einen Schritt zur Bildung eines leitfähigen, dünnen Films (5) auf die rückseitige Oberfläche des freigelegten transparenten, dünnen Films (1) und des Trägers (3),
wobei der leitfähige, dünne Film (5) aus leitfähigem Material besteht und zumindest für sichtbares Licht und Röntgenstrahlen durchlässig ist.
10. Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Röntgenlithogra
phie nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt zur Bildung des leitfähigen, dünnen Films (5) die
Bildung eines In2O3 Films enthält.
11. Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Röntgenlithogra
phie nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt zur Bildung des leitfähigen, dünnen Films (5) die
Bildung eines ZnO Films enthält.
12. Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Röntgenlithogra
phie nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt zur Bildung des leitfähigen, dünnen Films (5) die
Bildung eines Ti Films enthält.
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