DE19848070A1 - Niedrigenergie-Elektronenstrahllithographie - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft die Herstellung von integrier­ ten Schaltungen und insbesondere eine Vorrichtung und ein Verfahren für eine solche Herstellung.

Ein kritisches Element bei der Herstellung von inte­ grierten Schaltungen ist die Strukturierung der verschiedenen Schichten auf der Oberfläche des Halbleiterwafers, der nach der Bearbeitung in die Chips aufgeteilt wird, die die inte­ grierten Schaltungen darstellen. Die Strukturierung legt die verschiedenen Bereiche in der integrierten Schaltung fest, wie Ionenimplantationsbereiche, Kontaktfensterbereiche, Kon­ taktflächenbereiche usw.; die Bereiche werden im allgemeinen durch die Übertragung von Mustern mit geometrischen Formen von einer Maske auf eine dünne Schicht eines strahlungsemp­ findlichen Materials ausgebildet, das "Fotolack" genannt wird und das auf dem Siliziumwafer liegt, in dem die integrierten Schaltungen erzeugt werden. In der Regel ist das Muster auf der Maske vergrößert und muß bei der Übertragung auf den Fo­ tolack verkleinert werden.

Gegenwärtig erfolgt der Musterübertragungsvorgang ge­ nerell durch Photolithographie, die für die Übertragung ver­ wendete Strahlung ist Energie bei optischen Wellenlängen.

Mit der Verringerung der Strukturgrößen im Muster als Folge der höheren Packungsdichte für die Schaltungselemente der integrierten Schaltung wurde es erforderlich, die Wellen­ länge der optischen Strahlung für die Übertragung entspre­ chend zu verringern. Diese Technologie erreicht jedoch jetzt schnell den Punkt, an dem die optische Strahlung ihren Nutzen für die Strukturierung des Fotolacks verliert.

Es gibt mehrere Alternativen, die für die Übertragung von geometrischen Mustern auf einer Maske auf die Fotolack­ schicht in Betracht gezogen werden. Darunter fällt die Ver­ wendung von Röntgenstrahlen, Strahlung im extremen Ultravio­ lettbereich und Elektronenstrahlen.

Elektronenstrahlen, die eine präzise Steuerung mit feinen Details erlauben, werden gegenwärtig vor allem bei der Herstellung der Masken für die optische Lithographie angewen­ det. Es gibt zwar die Möglichkeit der Verwendung von Elektro­ nenstrahlen zum direkten Schreiben von Mustern in Fotolack auf Siliziumwafern, diese Möglichkeit ist jedoch auf kunden­ spezifische Schaltungen begrenzt, die in kleinen Stückzahlen hergestellt und zu sehr hohen Preisen verkauft werden.

Die Schwierigkeit bei der Verwendung von Elektronen­ strahlen für die Strukturierung von Fotolack bei der Herstel­ lung von integrierten Schaltungen ist der geringe Durchsatz in Verbindung mit den relativ hohen Kosten für Elektronen­ strahl-Belichtungssysteme. Entsprechend wird das Potential von Elektronenstrahl-Belichtungssystemen für die Herstellung von integrierten Schaltungen derzeit als niedrig betrachtet, und die Bemühungen, kommerzielle Systeme dafür zu entwickeln, sind gering.

In einem Artikel mit dem Titel "High Throughput Sub­ micron Lithography with Electron Beam Proximity Printing", veröffentlicht in Solid State Technology, September 1984, Seiten 210-217 ist ein Elektronenstrahl-Lithographiesystem beschrieben, bei dem der Elektronenstrahl mit einer Energie von 10 keV betrieben wird, was zu der Zeit als sehr gering betrachtet wurde, und das mit einer Schablonenmaske von 2 Mikrometer Dicke arbeitet, eine Dicke, die kleiner ist als damals üblich, und mit einem Abstand zwischen der Maske und dem Wafer von 0,5 Millimeter (500 Mikrometer), was damals als ungewöhnlich nah angesehen wurde. Der Elektronenstrahl, der einen Durchmesser von etwa 1 Millimeter (1000 Mikrometer) hatte, was nur einen kleinen Bruchteil der Fläche der Maske darstellte, wurde mittels eines ersten Paares von Ablenkspu­ len rasterförmig über die Maske geführt. Ein zweites Paar von Ablenkspulen diente dazu, den Strahl um einen Schwenkpunkt in der Ebene der Maske zu kippen. Als Maske wurde ein Silizium­ wafer verwendet, der eine zentrale Membran aufwies, die auf 2 Mikrometer verdünnt war. Mit dieser Maske und einer Strahl­ energie von 10 keV war es erforderlich, eine Absorberschicht aus einem geeigneten Metall auf der Maske anzubringen, um die Elektronen abzufangen, die nicht in die Öffnungen in der Mas­ ke fielen. Anderenfalls wären diese Elektronen durch die dün­ ne Membran der Siliziummaske gelaufen und hätten das im Foto­ lack zu erzeugende Muster verwischt. Die Verwendung einer dickeren Siliziummaske hätte es jedoch erschwert, kleine Li­ nienbreiten zu erhalten, da das Verhältnis der Linienbreite zur Dicke der Maske, das sogenannte Seitenverhältnis, ungün­ stiger geworden wäre.

Dieser Artikel wirkte sich jedoch auf die Arbeit im fraglichen Gebiet der Technik wenig aus, und das Interesse an solchen Proximity-Projektionsbelichtungssystemen hat seit 1984 stark nachgelassen. Statt dessen wurden für Elektronen­ strahl-Belichtungssysteme allgemein Systeme verwendet mit hochenergetischen Elektronen im Strahl, damit der Strahl "steif" wird. Ein steifer Strahl ist einer, dessen Durchmes­ ser gut kontrollierbar ist und der daher leichter zu fokus­ sieren ist und mit dem schärfere Abbildungen erzeugt werden können. Ein steifer Strahl wird auch weniger von Streufeldern beeinflußt. Die Steifigkeit ist im allgemeinen mit der Ener­ gie oder der Geschwindigkeit der Elektronen im Strahl ver­ knüpft; je höher die Energie, desto steifer der Strahl.

Aus diesem Grund wurden in der kommerziellen Praxis in der Regel Strahlen mit wenigstens 50 keV Energie benutzt, um eine gute Auflösung zu erhalten. Vorrichtungen für solche Strahlen umfassen im allgemeinen eine Quelle für solche Elek­ tronen, ein Beleuchtungssystem, das die Elektronen zu einem Strahl sammelt und fokussiert und den Strahl durch eine Maske führt, und ein Projektionssystem, das den Strahl durch eine Linse projiziert, wobei auf diesem Weg das Maskenmuster ins­ gesamt um einen Faktor fünf bis fünfundzwanzig verkleinert wird, bevor der Strahl auf den Fotolack trifft.

Mit dem Ansteigen der Dichte der Schaltungselemente in den integrierten Schaltungen und der Verkleinerung der Strukturgrößen des Musters im Fotolack entstehen jedoch mit den Hochenergiestrahlen Probleme. Insbesondere erhöht sich der Proximityeffekt, der als Folge der Rückstreuung von Elek­ tronen von dem darunterliegenden Siliziumwafersubstrat in den Fotolack eine Deformation des im Fotolack ausgebildeten Mu­ sters verursacht. Je feiner das Muster im Fotolack werden soll, um so mehr Schwierigkeiten macht dieser Effekt. Es gibt einigen Grund zu der Annahme, daß, wenn die Beschleunigungs­ spannung groß genug gemacht wird, weniger Hochenergieelektro­ nen im Fotolack vorwärtsgestreut werden und sich die rückge­ streuten Elektronen über einen größeren Bereich verteilen, so daß der Fotolack eine relativ konstante Dosis erhält. Dadurch wird die Korrektur des Proximityeffekts leichter, auch wenn es unmöglich ist, den Proximityeffekt vollständig zu elimi­ nieren. Eine Eigenschaft der Elektronenstrahl-Fotolacke ist jedoch, daß ihre Empfindlichkeit mit zunehmender Energie der Elektronen abnimmt, da die höherenergetischen oder schnelle­ ren Elektronen weniger Zeit im Fotolack verbringen und darin weniger Energie verlieren. Entsprechend steigt mit der Ener­ gie der Elektronen der Strom (das heißt die Dichte der Elek­ tronen im Strahl), der für eine bestimmte Empfindlichkeit erforderlich ist. Je höher die Dichte der Elektronen ist, desto größer sind aber auch Raumladungseffekte innerhalb des Linsensystems, wodurch sich der Strahl defokussiert, was wie­ derum zu einem Verwischen des Musters und zu einer Ver­ schlechterung der Auflösung führt. Auch ist bei großem Strom die Aufheizung der Maske, des Fotolacks und des Substrats größer und die Verzerrung des projizierten Musters höher. Um die erforderliche Genauigkeit zu erhalten, muß daher der Strom begrenzt werden. Dadurch verringert sich aber der Durchsatz der Vorrichtung.

Aus diesem Grund entstand für einige Zeit wieder mehr Interesse an Niedrigenergie-Elektronenstrahlen zum Struktu­ rieren von Fotolack. Der Artikel mit dem Titel "Low Voltage Alternative for Elektron Beam Lithographie" in J. Vac. Sci. Tech. B 10 (6), November/Dezember 1992, Seiten 3094-3098 be­ schreibt Experimente, die demonstrieren, daß Proximityeffekte durch Elektronen mit relativ geringer Energie erheblich ver­ ringert werden können. Insbesondere wird angegeben, daß der Proximityeffekt mit Elektronenstrahlenergien von 2 kV auf einem Siliziumsubstrat mit einem PMMA-Fotolack von 66 Nanome­ tern Dicke wesentlich verringert werden konnte. Die Arbeit war vor allem darauf gerichtet, zu zeigen, daß Niedrigener­ gie-Elektronenstrahlen zur Belichtung von Fotolacken mit ei­ ner Dicke, die zur Strukturierung ausreichend ist, verwendet werden können.

Trotz dieser Erkenntnisse, daß Niedrigenergie- Elektronenstrahlen zur Strukturierung von Fotolack verwendet werden können und sich dabei möglicherweise auch Vorteile ergeben, ergab sich keine kommerzielle Nutzung mit Geräten für große Mengen von Schaltungen. Erhebliche Entwicklungsbe­ mühungen wurden darauf gerichtet, eine Niederspannungslitho­ graphie mittels eines elektronenoptischen Rückfelds, einer Mehrfachanordnung von Miniatur-Elektronenstrahlen oder einer Mehrfachanordnung von Rastertunnelmikroskopspitzen zu verwen­ den.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein System und ein Verfahren für die Niedrigenergie-Elektronenstrahl- Proximityprojektionslithographie mit einem ausreichenden Durchsatz und mit ausreichender Genauigkeit für die Ausbil­ dung von Submikronstrukturen und darunter bei der Massenpro­ duktion von integrierten Schaltungen zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit dem im Patent­ anspruch 1 angegebenen System bzw. dem im Patentanspruch 14 angegebenen Verfahren gelöst.

Bei dem erfindungsgemäßen System wird das Muster auf einer Maske, die aus einer dünnen Membran mit einer Dicke von typisch etwa 0,5 Mikrometern in einem Wafer besteht, der in der Regel aus monokristallinem Silizium ist, auf einen ultra­ dünnen, elektronenstrahlempfindlichen Fotolack auf einem Si­ liziumsubstrat übertragen, wobei der Fotolack typisch etwa 0,1 Mikrometer dick ist. Die Maske ist eine Schablonenmaske sehr nahe am Substrat, mit einem Abstand von in der Regel nicht mehr als einige zehn Mikrometer, etwa fünfzig Mikrome­ ter. Der Elektronenstrahl wird mit einer niedrigen Spannung beschleunigt, in der Regel etwa 2 keV, und der Strahlstrom ist relativ klein, zum Beispiel etwa drei Mikroampere. Der Elektronenstrahl wird senkrecht zur Maske in einem Abtastmu­ ster abgelenkt, das entweder eine Raster- oder eine Vektorab­ tastung oder eine verschachtelte Abtastung sein kann.

Die Betriebsparameter für den Elektronenstrahl und die Abmessungen und der Abstand der Maske relativ zum Substrat sind derart, daß die Rückstreuung von Elektronen aus dem Substrat in den Fotolack im wesentlich eliminiert ist. Es besteht auch in der Regel kein Erfordernis für eine Schicht aus einem Metall mit hoher Atomzahl auf der Maske, um die Elektronen zu absorbieren, die nicht in die Öffnungen der Maske fallen.

Ein Merkmal einer bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung ist die Verwendung einer Siliziummaske, die ohne eine Absorberschicht aus einem anderen Material ausreichend dick ist, damit der Durchgang von Elektronen verhindert wird, die nicht in die Öffnungen der Maske fallen, während sie anderer­ seits ausreichend dünn ist, daß ihre Öffnungen ein Seitenver­ hältnis haben, damit nur wenige Elektronen, die in dies Öff­ nungen in der Maske fallen, beim Durchgang durch die Öffnun­ gen von den Seitenwänden der Öffnungen aufgefangen werden.

Ein weiteres Merkmal der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist, daß die Beschleunigungsspannung und die Dicke des elektronenstrahlempfindlichen Fotolacks so korre­ liert sind, daß im wesentlichen alle Elektronen, die auf den Fotolack fallen, auch direkt vom elektronenstrahlempfindli­ chen Fotolack absorbiert werden, so daß nur wenige Elektro­ nen, wenn überhaupt welche, das Substrat erreichen. Dadurch ergibt sich sowohl eine hoch effiziente Verwendung des Elek­ tronenstrahl zur Sensibilisierung des Fotolacks als auch eine im wesentliche vollständige Elimination des Proximityeffekts und des Erfordernisses, diesen zu korrigieren. Insbesondere ergibt die vorliegende Erfindung idealerweise die Belichtung eines Volumens im Fotolack, das in etwa die Form einer Kugel hat, deren Radius im wesentlichen gleich der Hälfte der Dicke des Fotolacks ist.

Unter dem Vorrichtungsaspekt ist die vorliegende Er­ findung auf ein Elektronenstrahl-Lithographiesystem zur Strukturierung eines Fotolacks auf einem Halbleitersubstrat gerichtet. Das System umfaßt eine Quelle für einen Elektro­ nenstrahl, eine Maske, die im Weg des Elektronenstrahls ange­ ordnet ist, und eine Einrichtung zum Halten eines mit Foto­ lack bedeckten Substrats im Weg des Elektronenstrahl und der Maske. Das System ist dadurch gekennzeichnet, daß der elek­ tronenstrahlempfindliche Fotolack ultradünn ist, daß die Spannung zur Beschleunigung des Strahls ausreichend niedrig ist, damit der Proximityeffekt unbedeutend ist, daß die Ener­ gie des Strahls ausreichend klein ist, damit die Aufheizung der Maske, des Fotolacks und des Substrats ebenfalls unbedeu­ tend ist, und daß die Dichte der Elektronen im Strahl ausrei­ chend gering ist, damit im wesentlichen keine Raumladungsef­ fekte auftreten.

Unter dem Verfahrensaspekt ist die vorliegende Erfin­ dung auf ein Verfahren zur Strukturierung eines mit Fotolack bedeckten Siliziumsubstrats bei der Herstellung von inte­ grierten Schaltungen gerichtet. Das Verfahren umfaßt die Schritte des Positionierens eines Siliziumsubstrates mit ei­ ner Oberfläche, auf der sich eine Schicht eines zu struktu­ rierenden elektronenstrahlempfindlichen Fotolacks mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,03 bis 0,3 Mikrometern befindet, in einem Elektronenstrahlgerät; des Positionierens einer strukturierten Maske angrenzend an die mit Fotolack beschich­ tete Oberfläche des Siliziumsubstrates in einem Abstand davon von zwischen etwa 10 bis 300 Mikrometern; des Führens eines Elektronenstrahls über die strukturierte Maske im wesentli­ chen senkrecht zur Maske mit einer Beschleunigungsspannung im Bereich von etwa 1 bis 4 kV und einem Strahlstrom von bis zu etwa 20 Mikroampere, wodurch der Fotolack ohne wesentliches Aufheizen der Maske strukturiert wird.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung beispielhaft näher beschrieben.

Die einzige Figur der Zeichnung zeigt schematisch ein Niedrigenergie-Elektronenstrahl-Lithographiesystem zur Erläu­ terung der Erfindung.

In der Zeichnung ist ein Elektronenstrahlsystem 10 dargestellt. Das System umfaßt eine Elektronenkanone 12 mit einer Elektronenquelle 14, die einen Elektronenstrahl 15 er­ zeugt; eine Strahlbegrenzungsblende 16 und eine Kondensorlin­ se 18, die die Elektronen zu einem parallelen Strahl von im wesentlichen kreisförmigen (oder einem anderen geeigneten) Querschnitt formt; ein Abtastprojektionssystem 20 mit einem ersten und einem zweiten Hauptsatz von Ablenkspulen 22, 24 zum Ablenken des Strahls als im wesentlichen paralleler Strahl in entweder einem Raster- oder einem Vektorabtastmodus über und im wesentlichen senkrecht zu der Oberfläche einer Maske 30. Die Zeichnung zeigt den Elektronenstrahl 15 in drei verschiedenen Positionen A, B und C. Das System 10 umfaßt des weiteren erste und zweite Feineinstellsätze von Ablenkspulen 51, 52. Die Ablenkspulen 51, 52 werden dazu verwendet, um den Strahl geringfügig um einen Schwenkpunkt in der Ebene der Maske zu kippen, um die Ausrichtung der Maske und des Substrats genau einzustellen und eine Verzerrung des Systems zu begrenzen. Die Maske 30, die aus einem dünnen Wafer aus monokristallinem Silizium besteht, ist zentral mit einer dün­ nen Membran 32 versehen, die sich in der Mitte davon befindet und die von einem dickeren äußeren Randabschnitt 34 umgeben ist. In der Regel ist keine Absorberschicht vorhanden, die eine Hauptursache für Verzerrungen ist und die bei dem ein­ gangs genannten Stand der Technik wichtig ist. Etwa 50 Mikro­ meter unterhalb der Siliziummaske 30 befindet sich das Werk­ stück aus einem relativ großen Siliziumwafer 40, der von ei­ ner ultradünnen Schicht aus einem elektronenstrahlempfindli­ chen Fotolack 42 bedeckt ist, der zu strukturieren ist. Der Fotolack ist typisch etwa 0,1 µm dick und kann aus einem der Fotolacke bestehen, die bei ultradünnen Dicken für die Struk­ turierung durch einen Elektronenstrahl geeignet sind.

In der Regel wird der Siliziumwafer 40 so gehalten (nicht gezeigt), daß er schrittweise auf die übliche Art be­ wegt werden kann, um aufeinanderfolgende Bereiche des mit Fotolack beschichteten Wafers 40 nacheinander durch den Elek­ tronenstrahl mit einer Zeit, die zum Strukturieren des Foto­ lacks geeignet ist, zu belichten.

Das System 10 umfaßt auch ein geeignetes Gehäuse (nicht gezeigt), in der Regel eine vakuumdichte Umhüllung, die das System umschließt. Es enthält auch, obwohl nicht ge­ zeigt, die verschiedenen Elemente, die zum Erzeugen der Be­ schleunigungs- und Ablenkspannungen für den beschriebenen Betrieb erforderlich sind.

Bei einer relativ niedrigen Beschleunigungsspannung von zum Beispiel etwa 2 keV werden die Elektronen im wesent­ lichen vollständig in der Fotolackschicht 42 absorbiert, und es können folglich nur wenige Elektronen vom Substrat 40 zu­ rückgestreut werden, um den Proximityeffekt zu erzeugen, der das vom einfallenden Strahl erzeugte Muster verzerren könnte. Da alle Elektronen ihre Energie im Fotolack abgeben, ist der erforderliche Strom gering. Wegen des geringeren Stroms auf­ grund der höheren Empfindlichkeit des Fotolacks wird eine Aufheizung der Maske durch die einfallenden Elektronen, die nicht durch die Maske laufen, vermieden. Wegen der geringen Eindringtiefe des Niedrigenergie-Elektronenstrahls braucht die Maske keine zusätzliche Absorberschicht aufzuweisen. Da der Aufheizeffekt klein ist, bleibt die Maske relativ frei von Verzerrungen, wodurch kein Erfordernis nach komplexen Hilfsverfahren zur Kompensation von Verwerfungen der Maske besteht. Da der Aufbau der Maske relativ einfach ist, wird es leichter, den ganzen Maskensatz für eine integrierte Schal­ tung auf einen bestimmten Siliziumwafer aufzusetzen, und die Ausrichtung von der einen Maskenebene zur nächsten ist einfa­ cher.

Bei Elektronenstrahlbelichtungssystemen sind Aus­ richt- und Überlagerungsmarkierungen sowohl auf der Maske als auch auf dem Siliziumsubstrat vorgesehen, und die Markierun­ gen auf der Maske sind zu den entsprechenden Markierungen auf dem Substrat auszurichten. Die richtige Ausrichtung wird mit­ tels der Elektronen festgestellt, die durch die Markierungen auf der Maske zu den Markierungen auf dem Substrat laufen und die hinter dem Substrat aufgefangen werden. Dieser Strom, der in das Substrat fließt, ist in der Regel so klein, daß er keinen wesentlichen Proximityeffekt verursacht.

Da das beschriebene System ein Niedrigenergiesystem ist, verdampft nur wenig von dem Fotolack oder von einem an­ deren Material, so daß davon der Betrieb nicht beeinflußt wird und keine Wartungsprobleme entstehen.

Die angegebenen speziellen Werte sind nur beispiel­ haft für die derzeit bevorzugte Art des Betriebs des Systems, und die Werte können über einen gewissen Bereich verändert werden, ohne daß einer der genannten unerwünschten Effekte Bedeutung erhält. Zum Beispiel kann die Dicke des elektronen­ strahlempfindlichen Fotolacks im Bereich von 0,03 bis 0,3 Mikrometer liegen; die Beschleunigungsspannung kann zwischen 1 bis 4 kV betragen; der Strahlstrom kann bis zu etwa 20 Mi­ kroampere groß sein; der Strahldurchmesser kann zwischen 0,1 und 5,0 Millimeter liegen; und der Abstand zwischen der Maske und dem Werkstück (dem mit Fotolack beschichteten Substrat) kann 10 bis 300 Mikrometer betragen. Die Maske ist eine Scha­ blonenmaske aus monokristallinem Silizium ohne jede Absorber­ schicht mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,2 bis 1,0 Mi­ krometer. Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist der Fotolack etwa 0,1 Mikrometer dick; der Strahlstrom beträgt etwa 3 Mikroampere, und der Strahldurchmesser ist etwa 1 Mil­ limeter. Bei der bevorzugten Ausführungsform ist die Maske eine Schablonenmaske aus monokristallinem Silizium ohne jede Absorberschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 Mikrometer, die vom Substrat einen Abstand von etwa 50 Mikrometer hat.

Claims (15)

1. System (10) zum Strukturieren eines Fotolacks (42) auf einem Halbleitersubstrat (40), mit
einer Quelle (14) für einen Elektronenstrahl (15);
einer Maske (30), die im Weg des Elektronenstrahls (15) angeordnet ist; und mit
einem mit elektronenstrahlempfindlichen Fotolack (42) beschichteten Substrat (40) im Weg des Elektronenstrahl (15) und der Maske (30);
dadurch gekennzeichnet, daß
die Beschleunigungsspannung für den Elektronenstrahl (15) im Bereich von etwa 1 bis 4 keV liegt;
der Strahlstrom des Elektronenstrahls (15) im Bereich von etwa 0,3 bis 20 Mikroampere liegt;
der Strahldurchmesser des Elektronenstrahls (15) im Bereich von etwa 0,1 bis 5,0 Millimeter liegt;
der Fotolack (42) eine Dicke von etwa 0,03 bis 0,3 Mikrometer hat; und daß
die Maske (30) von dem mit Fotolack (42) beschichte­ ten Substrat (40) einen Abstand von etwa 10 bis 300 Mikrome­ ter hat.

2. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (30) eine dünne zentrale Membran (32) in einem Si­ liziumwafer ist, die keine Absorptionsschicht aufweist.

3. System nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (20) zum Schwenken des Elektronenstrahls (15) über die Oberfläche der Maske (30) im wesentlichen senkrecht zur Maske (30) und zu dem mit Fotolack (42) beschichteten Substrat (40).

4. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl (15) im elektronenstrahlempfindlichen Fotolack (42) ein Volumen belichtet, das in etwa die Form einer Kugel hat, deren Radius im wesentlichen gleich der Hälfte der Dicke des Fotolacks (42) ist.

5. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungsspannung für den Elektronenstrahl (15) etwa 2 keV beträgt.

6. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (30) von dem mit Fotolack (42) beschichteten Substrat (40) einen Abstand von etwa 50 Mikrometer hat.

7. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotolack (42) etwa 0,1 Mikrometer dick ist.

8. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlstrom des Elektronenstrahls (15) etwa 3 Mikroampere beträgt.

9. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahldurchmesser des Elektronenstrahls (15) etwa 1 Mil­ limeter groß ist.

10. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (30) eine Schablonenmaske aus monokristallinem Si­ lizium ohne jede Absorberschicht mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,2 bis 1,0 Mikrometer ist.

11. System nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (30) eine Schablonenmaske aus monokristallinem Si­ lizium ohne jede Absorberschicht mit einer Dicke von etwa 0,5 Mikrometer ist.

12. System nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (22, 24) zum Ablenken des Elektronenstrahls (15) als im wesentlichen paralleler Strahl im wesentlichen senk­ recht zur Maske (30).

13. System nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (51, 52) zum Neigen des Elektronenstrahls (15) um einen Schwenkpunkt in der Ebene der Maske (30) zum Zwecke der Korrektur von Verzerrungen des Systems.

14. Verfahren zur Strukturierung eines mit einem Fotolack (42) bedeckten Siliziumsubstrats (40) bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, mit den Schritten
des Positionieren des Siliziumsubstrates (40) in ei­ nem Elektronenstrahl-Belichtungsgerät (10), wobei sich auf einer Oberfläche des Siliziumsubstrats (40) eine Schicht ei­ nes zu strukturierenden elektronenstrahlempfindlichen Foto­ lacks (42) mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,03 bis 0,3 Mikrometer befindet;
des Positionierens einer strukturierten Maske (30) angrenzend an die mit Fotolack (42) beschichtete Oberfläche des Siliziumsubstrats (40) mit einem Abstand im Bereich von etwa 10 bis 300 Mikrometer; und
des Überstreichens der strukturierten Maske (30) mit einem Elektronenstrahl (15) , um Elektronen im wesentlichen senkrecht zur Maske (30) durch diese laufen zu lassen, wobei die Beschleunigungsspannung für den Elektronenstrahl (15) im Bereich von etwa 1 bis 4 keV liegt und der Strahlstrom bis zu etwa 20 Mikroampere beträgt.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigungsspannung für den Elektronenstrahl (15) etwa 2 keV beträgt; die Maske (30) von dem mit Fotolack (42) beschichteten Substrat (40) einen Abstand von etwa 50 Mikro­ meter hat; der Fotolack (42) etwa 0,1 Mikrometer dick ist; der Strahlstrom des Elektronenstrahls (15) etwa 3 Mikroampere beträgt; der Strahldurchmesser des Elektronenstrahls (15) etwa 1 Millimeter groß ist und die Maske (30) eine Schablo­ nenmaske aus monokristallinem Silizium ohne jede Absorber­ schicht mit einer Dicke von etwa 0,5 Mikrometer ist.