DE2725126C2 - Maskenaufbau für Röntgenstrahlungslithographie - Google Patents
Maskenaufbau für RöntgenstrahlungslithographieInfo
- Publication number
- DE2725126C2 DE2725126C2 DE2725126A DE2725126A DE2725126C2 DE 2725126 C2 DE2725126 C2 DE 2725126C2 DE 2725126 A DE2725126 A DE 2725126A DE 2725126 A DE2725126 A DE 2725126A DE 2725126 C2 DE2725126 C2 DE 2725126C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- mask
- film
- ray
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- HZONRRHNQILCNO-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2h-pyridine Chemical compound CN1CC=CC=C1 HZONRRHNQILCNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
7. Maskenaufbau nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch
— eine weitere röntgenstrahlungstransparente Schutzschicht auf der Oberseite der ersten
Schutzschicht zum Einfangen von Schmutzpartikeln,
— wobei die zweite Schutzschicht leicht entfernbar ausgebildet und dazu bestimmt ist von Zeit
zu Zeit ersetzt zu werden, um die Oberflächensauberkeit sicherzustellen.
8. Maskenaufbau nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß
— der periphere Teil (38) des Musters das Trageglied (10) überlappt.
2. Maskenaufbau nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß
— als die Spannungskompensierenden Metalle Wolfram und Titan oder Tantal und Titan vorgesehen
sind.
3. Maskenaufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
— die Spannungskompensierenden Metalle in wenigstens einer der beiden Zonen (14,18) als Mischung
vorliegen.
4. Maskenaufbau nach einem der Ansprüche
3, dadurch gekennzeichnet, daß
3, dadurch gekennzeichnet, daß
bis
— wenigstens eine der beiden Zonen durch zwei übereinander niedergeschlagene Schichten (20,
22 bzw. 24,26) aus je einem der spannungskompensierenden Metalle gebildet ist.
5. Maskenaufbau nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch
— eine transparente leitende Belegung in Kontakt mit dem transparenten Film (12) zur Kompensation
elektrischer Aufladungen, die der Maskenaufbau als Folge einer Photoelektronenemission
während einer Röntgenbestrahlung erfährt.
6. Maskenaufbau nach einem der Ansprüche
5, gekennzeichnet durch
5, gekennzeichnet durch
bis
— wenigstens eine röntgenstrahlungstransparente
Schutzschicht (30), die auf das vom Film getragene Muster niedergeschlagen ist, um dieses
vor physikalischer Beschädigung zu schützen Die Erfindung bezieht sich auf einen Maskenaufbau
für Röntgenstrahlungslithographie der im Oberbegriff des Anspruches 1 beschriebenen Art.
Ein solcher Maskenaufbau ist aus der DE-OS 25 06 2b6 bekannt. Bei dem bekannten Maskenaufbau
ist auf ein maßhaltiges Trageglied ein röntgenstrahlungstransparenter Film, beispielsweise ein Polyäthylentherephthalat-Film
gespannt und hieran befestigt. Dieser Film vermag daher ein hochebenes und dauerhaftes
Substrat für eine Maske zu bilden, das in seinen Abmessungen so stabil ist wie das Tragglied selber. Auf
diesem Maskensubstrat ist eine vergleichsweise dicke röntgenstrahlungsabsorbierende Schicht, beispielsweise
eine Gold- oder Platinschicht, in Form eines jeweils gewünschten Maskenmusters vorgesehen. Der über das
Tragglied gespannte Film ist sowohl für Röntgenstrahlen als auch für sichtbares Licht transparent, eine Maskenausrichtung
und Justage kann daher auf optischem Wege einfach durchgeführt werden.
In der Erfindung vorausgehenden Versuchen wurde es als zweckmäßig befunden, die röntgenstrahlungsabsorbierenden
Elemente der Maske aus einer auf den Film niedergeschlagenen Dreischichtfolge zu erzeugen.
Diese Dreischichtfolge besitzt eine Titandünnschicht als unterste Schicht, eine vergleichsweise dicke GoIdschicht
als Mittelschicht und wiederum eine Titandünnschicht als oberste Schicht. Die untere Titandünnschicht
dient zur Haftungsverbesserung der auf dem Film an sich schlecht haftenden Goldschicht als der eigentlichen
röntgenstrahlungsabsorbierenden Schicht, während die obere Titanschicht als Maskierungsschicht während der
selektiven Mustererzeugung aus der Goldschicht dient.
Eine solche Dreischichtfolge würde daher aus den
angegebenen Gründen höchst zweckmäßig sein. Es wurde aber gefunden, daß die untere und obere Schicht
einer solchen Dreischichtfolge praktisch stets mit inneren (mechanischen) Spannungen niedergeschlagen werden.
Weiter wurde gefunden, daß diese Spannungen Ursache sind für störende Verzerrungen des auf dem Film
erzeugten hochauflösenden Röntgenstrahlungsabsorp-
b5 tionsmusters, da sich diese Verzerrungen auch auf den
Substratfilm übertragen werden. Als Folge dieser Verzerrungen haben sich Röntgenstrahlungsmasken der
beschriebenen Art für einige Anwendungsfälle, bei de-
nen es auf hohes Auflösungsvermögen im Sinne einer entsprechend hohen Musterfeinheit ankommt, als unbefriedigend
erwiesen, und zwar insbesondere dort, wo jedes Mitglied einer Gruppe von Mehrfachmasken
nacheinander mit hoher Genauigkeit gegenüber einem Chip auszurichten ist.
Aus der DE-AS 16 14 677 ist es für eine photolithographische Kontaktbelichtungsmaske bekannt, das auf
einer selbstragenden Scheibe aus transparentem hartem Material wie Quarz oder Glas aufgebrachte Metallisierungs-Maskenmuster
z. B. aus Chrom, Molybdän oder Aluminium mit einer Dünnschicht aus transparentem
hartem Material z. B. aus Quarz oder Glas abzudecken, um Interferenzeffekte bei der Belichtung zu vermeiden.
Vorzugsweise sollen dabei Deckschicht und Scheibe denselben thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzen,
um maximale Konstanz der Maskendimensionen zu gewährleisten. Da bei dem bekannten Maskenaufbau
als das Substrat keine flexible Folie, sondern eine selbsttragende
Scheibe in ausreichender mechanischer Festigkeit vorgesehen ist, stellt sich das Problem einer
Maskenniusterverzerrung als Folge innerer Spannungen in der Maskenmetallschicht nicht, da diese inneren
Spannungen von der darunterliegenden Scheibe im Gegensatz zu einer flexiblen Folie ohne merkliche Verformung
aufgenommen werden. Bei Röntgenstrahlungslithographie verbietet sich aber die Verwendung dickerer,
selbsttragender Quarz- oder Glasscheiben als das Maskensubstrat, da diese gegenüber den zur Anwendung
gelangenden vergleichsweise weichen Röntgenstrahlen (Wellenlängen in der Größenordnung von
10-' Nanometer) zu wenig transparent sind.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, einen Maskenaufbau für Röntgenstrahlungslithographie bereitzustellen,
der die Verwendung mehrschichtiger Metallisierungen als Maskenmuster auf einem gespannten, an sich
flexiblen Film ermöglicht, wobei sichergestellt ist, daß mechanische Spannungen, die sich in einem solchen
Maskenaufbau sowohl bei der Herstellung als auch während des Betriebs entwickeln und zu einer unerwünschten
Verzerrung des Maskenmusters führen, im wesentlichen kompensiert sind.
Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe für den in Rede stehenden Maskenaufbau mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Hiernach ist die als eigentliche Maskierung dienende röntgenstrahlungsabsorbierende Schicht beidseits flankiert
von vergleichsweise dünnen Zonen, die aus wenigstens zwei Metallen, welche sich durch eine gegenseitige
Kompensation von Spannungen auszeichnen, aufgebaut sind.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Nachstehend ist die Erfindung anhand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele im einzelnen
beschrieben; es zeigen
Fig. 1 und 2 je ein Ausführungsbeispiel eines unbemusterten
Maskenaufbaus mit der besseren Darstellung wegen teilweise weggebrochenen Schichten und
Fig.3 eine Schnittansicht eines bemusterten Maskenaufbaues
entsprechend der Anordnung nach Fig. 1.
wobei noch weitere Schichten zur Verbesserung der Maskeneigenschaften vorgesehen sind.
F.in gedehnter röntgenstrahlungsdurchlässiger Kunststoffen ist zur Bildung des Substrates des vorliegenden
Maskcnaufbaus vorgesehen. Obgleich zur Bildung des Substrates zahlreiche Materialien verfügbar
und ecciKnct sind, empfiehlt es sich, einen Polvimidfilm
als das Substratmaterial zu benutzen. Ein für diesen
Zweck besonders vorteilhaftes Material ist ein dünner Poly-(diphenyloxid-pyromellithimid)- Film. (Siehe »IEEE
Transactions on Electron Devices«, Bd. ED-22, Nr. 7,
1975, Seiten 434—439). Er ist in zahlreichen Dicken im
Handel erhältlich. Er besitzt eine attraktive Kombination wünschenswerter Eigenschaften, wie mechanische
Festigkeit, niedrige Röntgenstrahlungsabsorption, Beständigkeit gegen organische Lösungsmittel, optische
Transparenz, thermische Stabilität, Strahlungsbeständigkeit und hohe Oberflächenqualitäten.
Bei der beschriebenen Ausführungsform ist für das Substrat ein solcher 25 Mikrometer dicker Polyimid-FiIm
vorgesehen. Er hat eine Durchlässigkeit von 70% für Röntgenstrahlen, die von einer elektronenbeschossenen
Palladium-Quelle herrühren und für die Bestrahlung eines für Röntgenstrahlen empfindlichen Resistes
(sogenannter A"-Resist) wirksam sind. Zur Präparierung
des Substrates wird ein 12,7 cm · 12,7 cm großes FiImstück
in einer üblichen Halterung montiert. Die Halterung weist beispielsweise einen Polytetrafluoräthylen-Ring
auf, über die der Film gespannt ist. Ring und Film werden ihrerseits in einer kreisförmigen Öffnung eines
Polytetrafluoräthylen-Plattengliedes im Preßsitz festgelegt. Auf diese Weise sind die beiden Seiten des Films
für die anschließenden Reinigungs- und Beschichtungsschritte zugänglich.
In handelsüblicher Qualität ist die eine Seite eines Polyirnid-Films typischerweise glatter als die andere.
Die glattere Seite, die nachstehend als Oberseite bezeichnet wird, ist jene, auf der anschließend die röntgenstrahlungsabsorbierenden
Schichten erzeugt werden.
Nach seiner Montage in der Halterung wird der Polyimid-Film
durch etwa 30 Minuten langes Eintauchen in eine milde basische Lösung (z. B. eine Natriumhydroxid-
oder -carbonailösung) gereinigt. Dieses dient zur Entfernung jeglicher Polyaminsäurespuren, die auf dem
Film herstellerseitig verblieben sind. Sodann erfolgt eine Ätzung des montierten Films (beispielsweise in Tetraäthylammoniumhydroxid
in Dimethylsulfoxid), um jegliche in den Oberflächen des Films eingebettete Partikel
zu entfernen. Die Filmoberflächen werden dann weiterhin gereinigt, indem der Film in eine milde Detergenzien-Lösung
eingetaucht wird, die von Ultraschall beaufschlagt ist.
Nach Spülung und Trocknung des Polyimid-Films
wird auf die rauhere Seite, die Unterseite des Films, ein optisch transparentes organisches Material aufgebracht.
Dieses dient zur Verbesserung der optischen so Qualität des Films, so daß durch diesen leicht und genau
unter dem Mikroskop hindurchgebläckt werden kann. Beispielsweise erweist sich eine 2 Mikrometer dicke
Schicht aus einer im Schleuderverfahren auf die Unterseite des Films aufgebrachten Polyimidvorläufer-Lösung
in n-Methylpyridin für eine befriedigende Verbesserung der optischen Qualität des Films als brauchbar.
Alternativ können auch Epoxy-Harze, Polymethylmethacrylat od. dgl. zur Verbesserung der optischen Qualität
des Films benutzt werden.
Eine weitere Reinigung des Films in einer milden basischen Lösung, wie diese oben angegeben wurde, gefolgt
von einer weiteren Ultraschallbehandlung in einer müden Detergenzien-Lösung, kann sich dann zur Siel,
rstellung einer extremen Reinheit des Films empfehtö
len.
Der gereinigte Film wird dann von der beschriebenen Halterung auf eine übliche Spannvorrichtung übertragen.
In dieser wird der Film durch Dehnen um etwa
0,5% mechanisch straff gespannt. Während der Film straff bleibt, wird ein Tragglied auf die rauhere Seite des
Films beispielsweise mit Hilfe eines Epoxy-Klcbers aufgeklebt.
Nach Aushärtung des Klebstoffes wird der nunmehr unterstützte Film aus der Spannvorrichtung entnommen
und werden die über das Tragglied vorstehenden Filmteile abgeschnitten.
Nachstehend sei angenommen, daß das Tragglied in Form eines Ringes vorliegt. Obgleich sich eine Ringform für eine Reihe praktischer Anwendungsfälle als
vorteilhaft erwiesen hat, versteht es sich, daß das Tragglied auch jede andere gewünschte geometrische Form
haben kann.
Vorteilhaft ist ein solcher Tragring aus einem starken, dauerhaften und in seinen Abmessungen stabilen (maßhaltigen)
Material hergestellt. Ein besonders attraktives Material für das Tragglied ist ein Borsilikatglas, das über
einen weiten Temperaturbereich einen vergleichsweise kleinen linearen Expansionskoeffizienten annähernd
gleich dem von Silicium besitzt.
Es ist relativ billig und kann leicht in die jeweils gewünschte Form gebracht werden.
Ein ringförmiges Tragglied 10 mit einem im vorstehend beschriebenen Verfahren aufgebrachten Film 12
ist in F ι g. 1 dargestellt.
Um Fehlstellen wie Kratzer abzudecken und um sicherzustellen,
daß die Oberseite des Films 12 glatt und hart ist, ist es in einigen Fällen vorteilhaft, eine röntgenstrahlungsdurchlässige
Beschichtung hierauf aufzubringen. Für diesen Zweck eignen sich beispielsweise eine
oder mehrere 2 Mikrometer dicke Sch'chten aus einer Polyimidvorläufer-Lösung in n-Methylpyrilidin oder aus
verschiedenen Epoxy-Systemen oder aus einer oligomeren Polyimidlösung. Um die Zeichnung nicht unnötig zu
komplizieren, sind diese Schichten in F i g. 1 nicht explizit dargestellt. Es versteht sich jedoch, daß in einigen
Fällen der Film 12 solche zusätzlichen Schichten mit umfaßt.
Es wird dann eine dreischichte Metallisierung auf dem Filmsubstrat 12 in Fig. 1 niedergeschlagen. Die erste
dieser Schichten die Schicht 14, ist eine 5 Nanometer dicke niedergeschlagene Mischung aus Wolfram und Titan.
Beispielsweise wird die Schicht 14 auf das Kunststoffsubstrat 12 durch Zerstäuben niedergeschlagen, was ein
allgemein bekannter Prozeß ist. Zum Erhalt einer aus Wolfram und Titan zusammengesetzten spinnungsarmen
Schicht im Zerstäubeverfahren, wird das Kathoden-Target der Zerstäubungsapparatur als ein Bimetallelement
ausgeführt. Beispielsweise sind hierzu 15% des effektiven Kathodentargetgebietes aus Wolfram und
85% aus Titan. Mit diesem Target kann eine zusammengesetzte, etwa 5 Nanometer dicke Wolfram-Titan-Schicht
14 auf das Substrat 12 niedergeschlagen werden. In einer solchen Schicht tendieren die im Wolframbestandteil
vorhandenen Druckspannungen dazu, die Zugspannungen im Titanbestandteil nahezu exakt zu
kompensieren. Im Ergebnis wird eine sehr spannungsarme
niedergeschlagene Schicht 14 erhalten.
Sodann wird eine etwa 700 Nanometer dicke Goldschicht 16 auf die Schicht 14 durch Zerstäuben niedergeschlagen.
Es wurde gefunden, daß eine solche Goldschicht sich tatsächlich mit sehr niedrigen Spannungen
niederschlägt Nachfolgend wird eine 100 Nanometer dicke, gleichfalls aus einer Mischung von Wolfram und
Titan bestehende zusammengesetzte Schicht 18 auf die Goldschicht 16 niedergeschlagen. Hierzu wird beispielsweise
ein Bimetall-Kathodentarget der selben Art wie beim Niederschlagen der Schicht 14 verwendet. Folglich
wird auch die Schicht 18 sehr spannungsarm.
Vor der Beschreibung der Art und Weise, auf die aus den Schichten 14, 16 und 18 der F i g. 1 ein Muster herausgearbeitet
wird, um einen vollständigen Röntgenstrahlungsmaskenaufbau zu erhalten, seien eine Reihe
alternativer Wege angegeben, auf denen eine span nungsarme Metallisierung auf dem Substrat 12 erhalten
werden kann. So können beispielsweise die Schichten 14 und 18 je eine durch Zerstäubung niedergeschlagene
Mischung von Titan und Tantal sein. Durch geeignete Wahl der Mischung können die von der Titan-Komponente
eingeführten Zugspannungen durch die von Tantal eingeführten Druckspannungen praktisch genau
]s kompensiert werden. Zum Beispiel wird eine spannungsarme
Anordnung erhalten, indem jede der Schichten 14 und 18 in einer Zerstäubungsapparatur unter
Verwendung eines Kathodentargets niedergeschlagen wird, dessen effektives Gebiet zur Hälfte aus Titan und
zur Hälfte aus Tantal besteht.
Alternativ kann eine Spannungskompensation in den oberhalb und unterhalb der Schicht 16 gelegenen
Schichten dadurch erreicht werden, daß eine jede der Schichten 14 und 18 zwei getrennte Dünnschichten mit
entsprechenden Spannungskompensationseigenschaften umfaßt. Sonach sind bei der Anordnung nach F i g. 2,
die gleichfalls ein ringförmiges Tragglied 10 mit einem hierüber gespannten Kunststoffsubstrat 12 aufweist,
zwei Dünnschichten 20 und 21 übereinander auf dem Substrat 12 niedergeschlagen. Beispielsweise ist die
Dünnschicht 20 eine 5 nm dick aufgestäubte Wolframschicht und die Schicht 22 eine 15 nm dick aufgestäubte
Titanschicht. Die Schicht 20 kann auch eine 7.5 nm dick aufgestäubte Titanschicht sein und die Schicht 22 eine
15 nmdick aufgestäubte Tantalschicht.
Auf die Schicht 22 wird dann eine Schicht 16, beispielsweise aus Gold, niedergeschlagen. Hieran anschließend
werden zwei Spannungskompensierende Dünnschichten 24 und 26 übereinander auf die Schicht
16 niedergeschlagen. Beispielsweise ist die Schicht 24 eine 25 nm dicke aufgestäubte Wolframschicht, und die
Schicht 26 eine 75 nm dicke aufgestäubte Titanschicht. Alternativ kann die Schicht 24 eine 33 nm dicke aufgestäubte
Titanschicht sein, und die Schicht 26 eine 67 nm dicke aufgestäubte Tantalschicht.
In diesem Stadium des hier beschriebenen Musterherstellungsverfahrens
liegt ein ungemusterter, spannungsarmer Maskenrohling der in F i g. 1 oder 2 dargestellten
Art vor. Für das nachstehend beschriebene Beispiel ist der Maskenrohling nach F i g. 1 vorgesehen.
Nach Entfernung des Maskenrohlings aus der Zerstäubungsapparatur wird eine Resistschicht auf die
Oberseite der Schicht 18 im Schleuderverfahren wie üblich aufgebracht. Vorteilhaft ist das Resistmaterial ein
elektronenstrahlempfindlicher Negativ- oder Positivresist,
der mit hoher Auflösung in einem Elektronenstrahlbelichtungssystem selektiv bestrahlt werden kann. Ein
solches System ist in der DE-OS 25 16 390 (= US-PS 39 00 737) beschrieben.
Zur Erläuterungszwecken sei angenommen, daß eine 700 Nanometer- dicke Schicht aus Glycidmethacrylatco-äthylacrylat
(einem bekannten Elektronenstrahlungs-Negativresist) im Schleuderverfahren auf die
Schicht 18 in Fi g. 1 aufgebracht wird. Sodann wird mit Hilfe des in der vorstehend genannten DE-OS beschriebenen
Systems ein Muster hoher Auflösung in der Resistschicht durch selektive Bestrahlung ausgewählter
Teile definiert Nach der Exposition wird der Masken-
''M SI
aufbau aus dem Elektronenstrahlsystem entfernt und
das Resistmaterial entwickelt, d. h., das unbestrahlt gebliebene Resistmaterial von der Schicht t8 entfernt.
Sodann wird der Maskenaufbau in eine übliche Plasmaätzeinheit verbracht. Nach Erzeugung eines Sauerstoffplasmas
bei einem Druck von etwa 66,7 N/m2 bei einer eingestellten Leistung von etwa 100 Watt in der
Plasmaätzeinheil wird der Maskenaufbau etwa 2 Minuten lang geätzt, um jegliche Resist-Reste von den unbestrahlten
Bereichen zu entfernen. Das Muster, das den unbestrahlten Bereichen des Resistmaterials genau entspricht,
ist nunmehr durch die unbedeckten Oberflächenteile der zusammengesetzten Schicht 18 definiert.
Eine Plasmaätzung der unbedeckten Teile der zusammengesetzten Schicht !8 erfolgt beispielsweise in einem
Kohlenstofftetrafluorid-Plasma bei etwa 66,7 N/m2 und
100 Watt. Nach etwa 10 Minuten ist die gesamte Dicke
der unbedeckten Teile der Schicht 18 entfernt, wodurch ausgewählte Oberflächenbereiche der Schicht 16 freigelegt
sind.
Vorteilhaft erfolgt die Herausarbeitung des Musters aus der nunmehr selektiv maskierten Schicht 16 in einer
üblichen Hochfrequenzzerstäubungsätzkammer. Eine Wärmeableitung aus dem Maskenaufbau während des
Ätzprozesses ist vorteilhaft, um Verzerrungen zu vermeiden. Demgemäß wird die Maske beispielsweise in
der Ätzkammer in einer Aluminiumfassung montiert, die ein silberimprägniertes Schaumkissen in Kontakt
mit der Unterseite des gespannten Substrates 12 aufweist.
Ein etwa 1 stündiges Zerstäubungsätzen in einer Atmosphäre von Argon und Luft bei einer eingestellten
Leistung von etwa 150 Watt reicht aus, die unmaskierten Teile der Schicht 16 zu entfernen. Der Maskenaufbau
wird dann aus der Zerstäubungsapparatur zur weiteren Verarbeitung entfernt.
Zur Verbesserung der optischen Durchlässigkeit des Maskenaufbaus erfolgt dann eine Entfernung jener Teile
der Schicht 14 (Fig. 1), welche direkt innerhalb der weggeätzten Bereiche der Schicht 16 liegen. Dieses erfolgt
beispielsweise mit einer Lösung aus 5 Vol.-% Fluorwasserstoffsäure,
5% Salpetersäure und 90% Wasser. Eine etwa lminütiges Ätzen mit einer solchen Lösung
reicht aus, die unmaskierten Teile der Schicht 14 zu entfernen.
Vorteilhaft wird das röntgenstrahlungsabsorbierende Muster des entsprechend dem obigen hergestellten
Maskenaufbaus noch mit einem Schutzmaterial, z. B. aus einer Polyimidlösung in n-Methylpyrilidin oder digomeren
Polyimidlösung, einem Epoxyresist, einem Photoresist oder einem anderen monomeren und polymeren
Kunststoffüberzug überzogen. Ein solches Material, das optisch transparent sein und vergleichsweise
niedriges Röntgenstrahlungsabsorptionsvermögen haben sollte, dient dem Schutz des Röntgenstrahlungsabsorptionsmusters vor physikalischer Beschädigung. Ein
solches Material verleiht dem Maskenaufbau auch zusätzliche Steifigkeit und verhindert darüber hinaus daß
Photoelektronen, die durch einfallende Röntgenstrahlung aus dem Röntgenstrahlungsabsorptionsmuster
emittiert werden, zur Bestrahlung einer Röntgenstrahlungsresistschicht beitragen, die in Verbindung mit der
Maskenanordnung »belichtet« werden soll.
Ein weiteres vorteilhaftes Material zum Erzeugen dieser Schutzschicht ist das bereits erwähnte Polyimid.
Bei einer Ausführungsform wurde eine 2 Mikrometer dicke Schicht aus diesem Material im Schleuderverfahren auf das Röntgenstrahlungsabsorptionsmuster auf
gebracht und dann 4 Stunden lang bei 100°C gehärtet. In der Schnittansicht nach F i g. 3 ist diese Schutzschicht
durch die Schicht 30 dargestellt.
Weiterhin wurde es für einige Anwendungsfälle als vorteilhaft befunden, noch eine weitere Schicht 32
(Fig. 3) auf die Oberseite der Schutzschicht 30 aufzubringen.
Die Schicht 32, die beispielsweise eine im Schleuderverfahren aufgetragene 1 Mikrometer dicke
Polymethylmethacrylat-Schicht ist, ist dafür vorgesehen, von Zeit zu Zeit entfernt und durch eine neue Beschichtung
ersetzt zu werden. Auf diese Weise wird jeglicher Schmutz, der sich auf der Beschichtung 32 angesammelt
haben mag, ebenfalls periodisch entfernt, so daß die Sauberkeit dfs Maskenaufbaus auf vergleichsweise
hohem Niveau gehalten werden kann.
Um der Anordnung nach F i g. 1 zu entsprechen, weist F i g. 3 auch ein ringförmiges Tragglied 10 und ein hieran
befestigtes Kunststoffsubstrat 12 auf. Außerdem ist in F i g. 3 ein schematisch stark vereinfachtes Röntgenstrahlungsabsorptionsmuster
dargestellt, das aus dem in Verbindung mit Fig. 1 beschriebenen spannungsarmen
Dreischichten-Metallisierungssystem erzeugt worden ist. Ein Teil 36 eines Elementes des Röntgenstrahlungsabsorptionsmusters,
das in Fig. 3 dargestellt ist, weist beispielsweise eine Wolfram-Titan-Schicht 40, eine
Goldschicht 42 und eine Wolfram-Titan-Schicht 44 auf. Außerdem zeigt F i g. 3 einen weiteren Teil 38 eines peripheren
Bereiches des Metallisierungsmusters. Auch der Teil 39 weist beispielsweise eine Wolfram-Titan-Schicht
40, eine Goldschicht 42 und eine Wolfram-Titan-Schicht 44 auf. Der Grund dafür, einen derartigen peripheren
Bereich bei dem Muster vorzusehen, ist weiter unten noch beschrieben.
Wie erwähnt, zeichnet sich das im vorliegenden Ver-
Wie erwähnt, zeichnet sich das im vorliegenden Ver-
3b fahren erzeugte Röntgenstrahlungsabsorptionsmuster,
z. B. das nach Fig.3 durch sehr niedrige Spannungen aus. In Weiterbildung der Erfindung kann nun jene Verzerrung,
die von selbst so niedrigen Spannungen herrührt, dadurch reduziert werden, daß die Unterseite des
Substrates 12 (Fig.3) mit einer Schicht eines relativ steifen gegenüber Röntgenstrahlen transparenten Materials
beschicht wird. Eine solche Schicht, die in F i g. 3 bei 46 dargestellt ist, erhöht die Gesamtsteifigkeit des
Maskenaufbaues. Es wurde gefunden, daß eine 2 Mikrometer dicke Berylliumschicht 46, die auf die Unterseite
des Kunststoffsubstrates 12 niedergeschlagen wird, besonders wirksam für eine Aussteifung der dargestellten
Röntgenstrahlungsmaske ist. Alternativ kann für denselben Zweck eine 10 Mikrometer dicke Siliciumnitridschicht
verwendet werden.
Weiterhin wird mit Vorteil die Form für das Röntgenstrahlungsabsorptionsmuster
auf dem Substrat 12 so gewählt, daß bereits hierdurch eine mögliche Verzerrung
aufgrund von irgendwelchen Spannungen im niederge schlagenen Muster noch weiter reduziert werden. Im
einzelnen werden periphere Bereiche des Musters auf dem Substrat 12 so geformt, daß sie wenigstens teilweise das Tragglied 10 überlappen. Folglich werden jegliche Kräfte, die von Spannungen in den peripheren Tei-
len des Musters herrühren, auf jene Teile des Substrates 12 ausgeübt werden, die mit dem vergleichsweise unbeweglichen Tragglied 10 verbunden sind Demgemäß resultieren, wenn überhaupt, nur sehr wenig Verschiebungen des Substrates 12 aufgrund solcher peripherer Kräf-
te. Demgemäß wird, wenn überhaupt, nur sehr wenig
Verzerrung im niedergeschlagenen Muster durch Kräfte erzeugt, die an peripheren Diskontinuitäten im Muster existieren.
In F i g. 3 ist der periphere Teil 38 des niedergeschlagenen
Röntgenslrahlungsabsorptionsmusters als das maßhaltige Tragglied 10 überlappend dargestellt. Der
Teil 38 kann einen kontinuierlichen Außenbereich oder einen diskontinuierlichen, in Segmente unterteilten Bereich
umfassen, der längs des Umfanges des Maskenaufbaus gleichmäßig verteilt ist und das Glied 10 überlappt.
In jedem Fall sind jegliche Kräfte, die von dem Teil 38 auf das Substrat 12 ausgeübt werden, nicht dahingehend
wirksam, eine Verschiebung des Substrates und des von diesem getragenen Röntgenstrahlenabsorptionsmusters
zu verursachen.
Normalerweise würde man bei der Herstellung eines Maskenaufbaues keinen Umfangsbereich, wie den Teil
38 in F i g. 3 vorsehen. Denn der Teil 38 ist zumindest in dem Ausmaß, in dem er das Glied 10 überlappt, nicht
Bestandteil eines Musters, das zur Definition von Merkmalen auf einem zugeordneten resistbeschichten Plättchen
vorgesehen ist. Demgemäß würde man insbesondere dort, wo ein teures Material wie Gold bei der Metallisierung
auf dem Substrat 12 verwendet wird, eher ausdrücklich daran denken, solche Umfangsteile bei
dem fertiggestellten Maskenaufbau gerade nicht vorzusehen.
Weiterhin ist es vorteilhaft, den effektiven Teil des Röntgenstrahlungsabsorptionsmusters, das durch das
Element 36 in F i g. 3 symbolisiert ist, auf dem Substrat 12 innerhalb des durch das Glied 110 definierten Ringes
in gleichförmig verteilter Anordnung vorzusehen. Die
diskreten Elemente eines solchen Musters definieren Diskontinuitäten in der Metallisierung. An jenen Diskontinuitäten
werden auf das Substrat 12 Kräfte ausgeübt. Wenn jedoch die Elemente gleichförmig über das
Substratgebiet verteilt sind, werden die auf das Substrat ausgeübten Kräfte ebenfalls gleichförmig verteilt, so
daß im Ergebnis keine Verschiebung im Substrat auftreten wird.
Zahlreiche weitere Abwandlungen sind möglich. Beispielsweise wurde gefunden, daß, obgleich die vorliegende
Beschreibung hauptsächlich anhand der Verwendung von Gold als das zentrale Element des Röntgenstrahlungsabsorptionsmusters
erfolgte, in der Praxis auch andere Metalle, wie Tantal oder Wolfram geeignete Absorptionsmedien sind, wenn sie in einer Dicke von
etwa 1 Mikrometer anstelle der für Gold oder Platin benutzten Dicke von nur 0,7 Mikrometer angewandt
werden. Eine dickere Schicht bringt allerdings eine leichte Verschlechterung des Auflösungsvermögens mit
sich. Aber die Verwendung einer einzigen Schicht aus Tantal oder Wolfram als das Röntgenstrahlungsabsorptionsmedium
bietet bedeutsame Vorteile. Beide Materialien sind billiger als Göid öder Platin niederzuschlagen
und beide Metaiie können leicht einer Musterung in
einem einzigen Schritt, beispielsweise durch Ätzen in einem Freon-Plasma, unterzogen werden. Wenn daher
die kleinste Merkmalgröße auf der Maske eine etwas dickere Absorptionsschicht erlaubt, resultiert die Verwendung von Tantal oder Wolfram in einer beträchtli
chen Kostenverringerung für die Maske. Um eine solche Schicht erfindungsgemäß spannungsfrei auszubil
den, ist es vorteilhaft, eine solche Einzelschicht aus einer spannungskompensierenden Mischung von Tantal und
Wolfram oder aus einer spannungskompensierenden Mischung von Tantal, Wolfram und Titan herzustellen.
Darüber hinaus ist eine weitere Ursache einer Mu sterverzerrung bei Röntgenmaskenanordnungen identifiziert
worden: Wenn die Röntgenmaske getrennte Metallisierungsbereiche umfaßt, die das Röntgenstrahlungsabsorptionsmuster
bilden und durch elektrisch isolierende Gebiete voneinander getrennt sind, dann wird
die Maske während der Exposition typischerweise eine Aufladung erfahren, und zwar als Folge einer durch die
einfallenden Röntgenstrahlen erzeugten Emission von Photoelektroncn aus der Metallisierung. Diese Ladungen
über planare elektrostatische Kräfte auf das Maskensubstrat aus und verursachen in einigen bedeutsame
Verzerrungen der Musterabmessungen. Die von der
ίο Maske aufgenommene Gleichgewichtsladung wird von
Faktoren, wie Luftfeuchtigkeit abhängen. Demgemäß kann sich die Größe der Verzerrung von Tag zu Tag
ändern.
Um dieser nicht akzeptablen Situation abzuhelfen, empfiehlt es sich, daß die fertige Maske eine untere oder
obere Schicht besitzt, die zum Ausgleich der von den
einfallenden Röntgenstrahlen kontinuierlich erzeugten Ladung ausreichend leitend ist. Auf diese Weise werden
nur kleine und stark lokalisierte Dipole von der Röntgenstrahlung erzeugt, die nur vernachlässigbare Kräfte
auf das Maskensubstrat auszuüben vermögen. Die Anforderungen an diese leitende Schicht sind hohe Transparenz
sowohl gegenüber Röntgenstrahlung als auch gegenüber sichtbarem Licht. Es kann beispielsweise nur
erforderlich werden, daß die oben erwähnte Dünnschicht, die direkt am Maskensubstrat haftet, als Bestandteil
der fertigen Maske belassen werden kann. Falls es gewünscht ist, diese Schicht zur Verbesserung
der optischen Durchlässigkeit der Maske zu Ausricht-
zwecken zu entfernen, dann sollte die Entfernung (Ätzung) auf ein kleines Gebiet der Maske in der Nachbarschaft
von eigens vorgesehenen Justiermarkierungen beschränkt bleiben. Erscheint es jedoch zweckmäßiger,
die dünne Schicht vollständig zu entfernen, dann kann die Maske erneut mit einer optisch und röntgenstrahlungsdurchlässigen
Schicht, z. B. einer 20 bis 40 Nanometer dick aufgedampften Kohlenstoffschicht beschichtet
werden. Alternativ kann ein leitendes organisches Material für die Schutzschicht 30 (Fig.3) verwendet
werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Maskenaufbau für Röntgenstrahlungslithographie, mit
— einem maßhaltigen Tragglied,
— einem röntgenstrahlungstransparenten Film,
der über das Tragglied gespannt und hieran befestigt ist, und
— einer vergleichsweise dicken röntgenstrahlungsabsorbierenden
Schicht, die ?Js Muster ausgebildet und auf dem transparenten Film
vorgesehen ist,
gekennzeichnet durch
— eine erste vergleichsweise dünne Zone (!4; 20, 22) zwischen der absorbierenden Schicht (16)
und dem transparenten Film (12) und
— eine zweite vergleichsweise dünne Zone (18; 24, 26) auf der anderen Seite der absorbierenden
Schicht,
— wobei beide Zonen aus wenigstens zwei Metallen, die sich durch eine gegenseitige Kompensation
von Spannungen auszeichnen, aufgebaut sind.
und hieraus emittierte Photoelektronen abzustoppen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/693,939 US4037111A (en) | 1976-06-08 | 1976-06-08 | Mask structures for X-ray lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2725126A1 DE2725126A1 (de) | 1977-12-22 |
DE2725126C2 true DE2725126C2 (de) | 1985-01-31 |
Family
ID=24786757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2725126A Expired DE2725126C2 (de) | 1976-06-08 | 1977-06-03 | Maskenaufbau für Röntgenstrahlungslithographie |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4037111A (de) |
JP (1) | JPS52149979A (de) |
CA (1) | CA1092255A (de) |
DE (1) | DE2725126C2 (de) |
FR (1) | FR2354582A2 (de) |
GB (1) | GB1579468A (de) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1578259A (en) * | 1977-05-11 | 1980-11-05 | Philips Electronic Associated | Methods of manufacturing solid-state devices apparatus for use therein and devices manufactured thereby |
US4170512A (en) * | 1977-05-26 | 1979-10-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of manufacture of a soft-X-ray mask |
US4131363A (en) * | 1977-12-05 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle cover for projection printing system |
JPS6045419B2 (ja) * | 1977-12-23 | 1985-10-09 | 大日本印刷株式会社 | 軟x線リソグラフイ−用マスクおよびその製造法 |
US4171240A (en) * | 1978-04-26 | 1979-10-16 | Western Electric Company, Inc. | Method of removing a cured epoxy from a metal surface |
US4171489A (en) * | 1978-09-13 | 1979-10-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Radiation mask structure |
US4384919A (en) * | 1978-11-13 | 1983-05-24 | Sperry Corporation | Method of making x-ray masks |
US4536882A (en) * | 1979-01-12 | 1985-08-20 | Rockwell International Corporation | Embedded absorber X-ray mask and method for making same |
JPS55148668A (en) * | 1979-05-09 | 1980-11-19 | Toshio Shioda | Device for parking bicycle |
US4253029A (en) * | 1979-05-23 | 1981-02-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structure for x-ray lithography |
US4293624A (en) * | 1979-06-26 | 1981-10-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Method for making a mask useful in X-ray lithography |
JPS5610928A (en) * | 1979-07-07 | 1981-02-03 | Shinetsu Sekiei Kk | Preparation of electronic device |
US4260670A (en) * | 1979-07-12 | 1981-04-07 | Western Electric Company, Inc. | X-ray mask |
US4301237A (en) * | 1979-07-12 | 1981-11-17 | Western Electric Co., Inc. | Method for exposing substrates to X-rays |
AT371947B (de) * | 1979-12-27 | 1983-08-10 | Rudolf Sacher Ges M B H | Freitragende maske, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum maskieren von substraten |
DE3006527A1 (de) * | 1980-02-21 | 1981-08-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von trennduesen fuer die isotopentrennung in einer isotopenanreicherungsanlage |
US4349621A (en) * | 1981-04-13 | 1982-09-14 | General Electric Company | Process for X-ray microlithography using thin film eutectic masks |
DE3119682A1 (de) * | 1981-05-18 | 1982-12-02 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels strahlungslithographie" |
US4515876A (en) * | 1982-07-17 | 1985-05-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | X-Ray lithography mask and method for fabricating the same |
US4522842A (en) * | 1982-09-09 | 1985-06-11 | At&T Bell Laboratories | Boron nitride X-ray masks with controlled stress |
US4465759A (en) * | 1983-02-14 | 1984-08-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system |
DE3421773A1 (de) * | 1983-07-27 | 1985-02-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von masshaltigen strukturen mit hohem aspektverhaeltnis im 1 (pfeil abwaerts)/(pfeil abwaerts)um-bereich und darunter fuer die mikroelektronik und anwendung dieses verfahrens zur herstellung einer roentgenabsorbermaske |
US5112707A (en) * | 1983-09-26 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for lithography |
DE3435177A1 (de) * | 1983-09-26 | 1985-04-11 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Maske fuer lithographische zwecke |
DE3338717A1 (de) * | 1983-10-25 | 1985-05-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung einer roentgenmaske mit metalltraegerfolie |
US4579616A (en) * | 1983-11-14 | 1986-04-01 | The Perkin-Elmer Corporation | Method of fabrication of an optically flat membrane |
US4534047A (en) * | 1984-01-06 | 1985-08-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Mask ring assembly for X-ray lithography |
US4610020A (en) * | 1984-01-06 | 1986-09-02 | The Perkin-Elmer Corporation | X-ray mask ring and apparatus for making same |
US4539695A (en) * | 1984-01-06 | 1985-09-03 | The Perkin-Elmer Corporation | X-Ray lithography system |
US4539278A (en) * | 1984-03-12 | 1985-09-03 | Eaton Corporation | Mask structure for X-ray lithography and method for making same |
JPS60220933A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Nec Corp | X線露光マスク及びその製造方法 |
US4608268A (en) * | 1985-07-23 | 1986-08-26 | Micronix Corporation | Process for making a mask used in x-ray photolithography |
US4668336A (en) * | 1985-07-23 | 1987-05-26 | Micronix Corporation | Process for making a mask used in x-ray photolithography |
US4708919A (en) * | 1985-08-02 | 1987-11-24 | Micronix Corporation | Process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography using a monolithic support and resulting structure |
US4873162A (en) * | 1986-08-20 | 1989-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and a manufacture method therefor |
JPS6351632A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | X線露光用マスクとその製造方法 |
US5155749A (en) * | 1991-03-28 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Variable magnification mask for X-ray lithography |
US5146481A (en) * | 1991-06-25 | 1992-09-08 | Diwakar Garg | Diamond membranes for X-ray lithography |
US6228685B1 (en) | 1994-07-07 | 2001-05-08 | Tessera, Inc. | Framed sheet processing |
US6541852B2 (en) | 1994-07-07 | 2003-04-01 | Tessera, Inc. | Framed sheets |
US6368752B1 (en) * | 1996-10-29 | 2002-04-09 | Motorola, Inc. | Low stress hard mask formation method during refractory radiation mask fabrication |
US6217972B1 (en) * | 1997-10-17 | 2001-04-17 | Tessera, Inc. | Enhancements in framed sheet processing |
US6162564A (en) * | 1997-11-25 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask blank and method of producing mask |
US5958631A (en) * | 1998-02-17 | 1999-09-28 | International Business Machines Corporation | X-ray mask structure |
US6258491B1 (en) | 1999-07-27 | 2001-07-10 | Etec Systems, Inc. | Mask for high resolution optical lithography |
US6863930B2 (en) | 2002-09-06 | 2005-03-08 | Delphi Technologies, Inc. | Refractory metal mask and methods for coating an article and forming a sensor |
JP4220229B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスクの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3958263A (en) * | 1973-11-12 | 1976-05-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Stress reduction in algaas-algaasp multilayer structures |
US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
US3925677A (en) * | 1974-04-15 | 1975-12-09 | Bell Telephone Labor Inc | Platinum oxide lithographic masks |
US3900737A (en) * | 1974-04-18 | 1975-08-19 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam exposure system |
-
1976
- 1976-06-08 US US05/693,939 patent/US4037111A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-05-13 CA CA278,371A patent/CA1092255A/en not_active Expired
- 1977-06-03 DE DE2725126A patent/DE2725126C2/de not_active Expired
- 1977-06-07 FR FR7717395A patent/FR2354582A2/fr active Granted
- 1977-06-08 GB GB24046/77A patent/GB1579468A/en not_active Expired
- 1977-06-08 JP JP6681177A patent/JPS52149979A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4037111A (en) | 1977-07-19 |
FR2354582B2 (de) | 1980-02-08 |
JPS52149979A (en) | 1977-12-13 |
JPS545266B2 (de) | 1979-03-15 |
DE2725126A1 (de) | 1977-12-22 |
GB1579468A (en) | 1980-11-19 |
FR2354582A2 (fr) | 1978-01-06 |
CA1092255A (en) | 1980-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2725126C2 (de) | Maskenaufbau für Röntgenstrahlungslithographie | |
DE2506266A1 (de) | Verfahren zum herstellen mikrominiaturisierter elektronischer bauelemente | |
EP0002199B1 (de) | Belichtungsmaske und Projektionsbelichtungssystem | |
DE2302116C3 (de) | Vorrichtung zur Herstellung einer maskierenden Schicht auf einem Träger mit Hilfe von weichen Röntgenstrahlen | |
DE10223113B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer photolithographischen Maske | |
DE3019851C2 (de) | ||
DE3119682C2 (de) | ||
EP0310183A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Maskenträgers aus SIC für Röntgenstrahllithographie-Masken | |
EP0104685B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Maske für die Musterzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie | |
EP0372645B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Maskenträgers aus SiC für Strahlungslithographie-Masken | |
DE3853204T2 (de) | Träger für Röntgenmaske, Röntgenmaske und Röntgenbelichtungsverfahren mit dieser Maske. | |
EP0207528B1 (de) | Verfahren zum Herstellung einer Lichtmaske | |
DE112004002199B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Extrem-Ultraviolettstrahlung reflektierenden Maske unter Verwendung von Rasterkraftmikroskop-Lithographie | |
DE3524196A1 (de) | Lithografisches maskengebilde und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3338717A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer roentgenmaske mit metalltraegerfolie | |
DE60030204T2 (de) | Lithographischer Projektionsapparat | |
DE102004031079B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsmaske | |
DE2626851C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgenlithographie | |
EP0104684B1 (de) | Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0112509A2 (de) | Thermisch unempfindliche Bestrahlungsmaske für Röntgenlithographie und Verfahren zur Herstellung derartiger Masken | |
EP0140455B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie | |
WO2019170414A1 (de) | Optisches element, sowie verfahren zur korrektur der wellenfrontwirkung eines optischen elements | |
DE10220045A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes aus Quarzsubstrat | |
DE2930416C2 (de) | Fotoschablone und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE202018006678U1 (de) | Projektionseinrichtung für ein Kraftfahrzeugscheinwerferlichtmodul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8178 | Suspension cancelled | ||
8162 | Independent application | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8330 | Complete disclaimer |