DE3811163A1 - Verfahren zur herstellung eines ueberzugsfilms aus fluorharz durch physikalische dampfabscheidung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Überzugsfilms aus einem Fluorharz wie z. B. Polytetrafluorethylen, auf einer metallischen oder nichtmetallischen Substratoberfläche unter Verwendung einer physikalischen Dampfabscheidungstechnik.

Fluorharze, wie sie durch Polytetrafluorethylen (PTFE) repräsentiert werden, zeigen ausgezeichnete Schmiereigenschaften und ausgezeichnetes Wasserabstoßverhalten. Daher umfassen industrielle Anwendungen von Fluorharzen Schmierüberzugsfilme und Überzugsfilme mit Wasserabstoßeigenschaften auf verschiedenen Gegenständen. Es kann zahlreiche Fälle geben, wo die Bildung eines dünnen Überzugsfilmes aus einem Fluorharz durch eine Trockenbeschickungstechnik gewünscht wird. Beispielsweise zeigt die JP-A-54-20 974 die gemeinsame Ablagerung eines Metalles und eines Fluorharzes zur Verbesserung der Gleiteigenschaften von aufeinandergleitenden Teilen von Präzisionseinrichtungen wie Uhren und Kameras, und die JP-A 55-1 30 133 zeigt die Verwendung eines Fluorharzbeschichtungsfilms auf einem Halbleiterchip zur Verbesserung der Stabilität und der Wasserfestigkeit der Oberflächenbereiche rings um die Elektroden oder einer Oxidfilmschutzoberfläche.

Es wurde bereits vorgeschlagen, einen Fluorharzbeschichtungsfilm durch Plasmapolymerisation auf der Oberfläche eines Substrates herzustellen. Jedoch sind für eine Plasmapolymerisation geeignete Fluormonomere sehr kostspielig und es muß eine komplizierte Apparatur verwendet werden. Weiterhin wurde vorgeschlagen, eine physikalische Dampfabscheidungstechnik wie ein Zerstäuben (sputtering) oder eine Vakuumverdampfung zur Bildung eines Beschichtungsfilms aus einem Fluorharz anzuwenden. Jedoch erscheint ein Zerstäuben ziemlich nachteilig zu sein, da, abgesehen von der Kompliziertheit der Apparatur, eine beträchtlich hohe Entladungsspannung erforderlich ist, um ein Fluorharz in effektiver Weise zu bombardieren oder zu beschießen, so daß die Temperatur des Substrates in nicht erwünschter Weise ansteigt. Die Vakuumverdampfung eines Fluorharzes erscheint günstiger, jedoch sind bei industriellen Anwendungen dieser Technik Schwierigkeiten aufgetreten, welche der sehr guten Hitzestabilität von Fluorharzen zuzuschreiben sind. Für eine Depolymerisierung und Verdampfung eines konventionellen Fluorharzes ist es erforderlich, das Fluorharz auf über 500°C zu erhitzen, und ein solches intensives Erhitzen der Verdampfungsquelle bedingt Beschränkungen des Substratmaterials, das die Strahlungswärme von der Verdampfungsquelle aushalten muß.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher ein Verfahren zur Bildung von Beschichtungsfilmen aus einem Fluorharz oder Fluorkunststoff, d. h. einem fluorhaltigen Polymeren, auf einer Substratoberfläche unter Verwendung einer physikalischen Dampfabscheidungstechnik, wobei dieses Verfahren einen guten Beschichtungsfilm ergibt, der ohne unnötige Erhöhung der Temperatur des Substrates hergestellt werden kann.

Zur Lösung dieser Aufgabe dient das Verfahren zur Herstellung eines Beschichtungsfilms aus einem fluorhaltigen Polymeren auf einer Substratoberfläche nach einer physikalischen Dampfabscheidungstechnik, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein im Molekulargewicht reduziertes, fluorhaltiges Polymeres mit einem Molekulargewicht niedriger als 5000 als Quellenmaterial für die physikalische Dampfabscheidung verwendet wird.

Derzeit wird das erfindungsgemäße Verfahren als besonders geeignet für die Anwendung der Vakuumverdampfung eines Fluorpolymeren angesehen, obwohl es ebenfalls möglich ist, ein solches Fluorpolymeres durch Zerstäubung (sputtering) oder Ionenimplantierung eines Fluorharzes aufzutragen. Wenn ein zuvor im Molekulargewicht angemessen reduziertes Fluorharz als Verdampfungsquelle bei einem Vakuumverdampfungsvorgang eingesetzt wird, erfährt das Fluorharz leicht eine Depolymerisation und Verdampfung bei relativ niedriger Temperatur im Vergleich zu einem Fluorharz mit gewöhnlich hohem Molekulargewicht einer vergleichbaren chemischen Zusammensetzung. Infolgedessen wird das Substrat nicht unnötigerweise erhitzt, und somit ist es nicht erforderlich, daß es eine hohe Wärmebeständigkeit oder Hitzebeständigkeit aufweist. Wenn dasselbe Fluorharz mit niedrigem Molekulargewicht als Targetmaterial bei einem Zerstäubungsvorgang oder einem Ionenimplantierungsvorgang verwendet wird, kann die Entladungsspannung für den Vorgang erniedrigt werden im Vergleich zur Verwendung eines gewöhnlichen Fluorharzes mit hohem Molekulargewicht, so daß ein Anstieg der Substrattemperatur verringert wird.

Ein Verfahren zur Umwandlung eines gewöhnlichen fluorhaltigen Polymeren in ein Polymeres mit angemessen niedrigem Molekulargewicht in Form von feinen festen Teilchen ist in der anhängigen US-Patentanmeldung, Serial No. 1 27 364 beschrieben oder auch das Verfahren der DE-OS 35 40 280. Entsprechend dieser Verfahrensweise wird ein fluorhaltiges Polymeres auf eine Temperatur nicht niedriger als seine Schmelztemperatur und nicht höher als 600°C in Anwesenheit eines Quellenmaterials für Fluor wie molekularem Fluor, Stickstofftrifluorid oder Chlortrifluorid, erhitzt, und das durch die Reaktion von Fluor mit dem Polymeren erzeugte, heiße Reaktionsgas wird aus dem Reaktor abgezogen und zur Ausfällung des in dem Reaktionsgas enthaltenen, fluorhaltigen Polymeren mit reduziertem Molekulargewicht abgekühlt.

Bei der vorliegenden Erfindung ist es sehr vorteilhaft, ein fluorhaltiges Polymeres mit reduziertem Molekulargewicht zu verwenden, das nach dem in der zuvorgenannten Patentanmeldung US 1 27 364 beschriebenen Verfahren erhalten wurde, und bevorzugt wird ein fluorhaltiges Polymeres verwendet, dessen Molekulargewicht im Bereich von etwa 1000 bis etwa 3000 liegt.

Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gebildeter Beschichtungsfilm aus einem Fluorharz dient dem Zweck, der beschichteten Oberfläche Gleitfähigkeit oder Schmiereigenschaften, Isoliereigenschaften, wasserabstoßende und ölabstoßende Eigenschaften und/oder Lösungsmittelbeständigkeit zu erteilen. Ein guter Beschichtungsfilm kann nicht nur auf metallischen Oberflächen, sondern auch auf anorganischen nichtmetallischen Oberflächen und Oberflächen von organischen Kunststoffen ausgebildet werden. Beispielsweise ist die Erfindung vorteilhaft bei der Herstellung eines Fluorharzbeschichtungsfilmes auf elektroplatierten oder galvanisierten Metallfilmen, Floppydisks und anderen Arten von magnetischen Aufzeichnungsscheiben oder -platten, Masken zur Verwendung bei der Herstellung von elektronischen Vorrichtungen, usw.

Die Erfindung wird mit Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert; in der Zeichnung sind:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Vakuumverdampfungsapparatur, die in einem Beispiel gemäß der Erfindung eingesetzt wurde; und

Fig. 2 ein Röntgenbeugungsspektrum eines PTFE-Beschichtungsfilms, der nach einer Vakuumverdampfungsmethode gemäß der Erfindung hergestellt wurde.

Die Erfindung wird anhand bevorzugter Ausführungsformen näher erläutert:

Verschiedene Fluorharze können gemäß der Erfindung verwendet werden, sofern das Molekulargewicht angemessen niedrig liegt, wie zuvor beschrieben. Beispiele von brauchbaren Fluorharzen sind PTFE, Copolymere von Ethylen und Tetrafluorethylen (TFE), Copolymere von TFE und Hexafluorpropylen, Copolymere von TFE und einem Perfluoralkoxyethylen, Polychlortrifluorethylen, Polyvinylidenfluorid und Polyvinylfluorid.

Die Fig. 1 zeigt eine konventionelle Vakuumverdampfungsapparatur, welche für das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren eingesetzt werden kann. Die Apparatur umfaßt einen Behälter 10 in Form einer Glocke, welcher hierin eine Vakuumkammer 12 bereitgestellt. Als Verdampfungsquelle wird ein Fluorharz 14 von niedrigem Molekulargewicht, vorzugsweise in Pulverform wie bereits zuvor beschrieben, in einer üblichen Stellung in der Vakuumkammer angeordnet. Es ist eine Widerstandsheizeinrichtung 16 zum Erhitzen der Verdampfungsquelle 14 vorgesehen. Ein Substrat 18, auf welchem das Fluorharz 14 abgelagert werden soll, ist oberhalb und in einem geeignet eingestellten Abstand von der Verdampfungsquelle 14 angeordnet, und eine Widerstandsheizeinrichtung 20 ist zum Erhitzen des Substrates 18 vorgesehen. Ein beliebig zu öffnender Verschluß 22 ist zwischen der Verdampfungsquelle 14 und dem Substrat 18 angeordnet.

Die Größe des Vakuums in der Vakuumkammer 12 wird auf einen gewünschten Wert innerhalb des Bereiches von 13,3 bis 1,33 × 10^-4 Pa (10^-1 bis 10^-6 Torr) einreguliert, und dann wird das Fluorharz von niedrigem Molekulargewicht erhitzt. Falls der Druck in der Kammer 12 höher als 13,3 Pa (10^-1 Torr) liegt, bilden die Moleküle des Restgases ein schweres Hindernis für die freie Bewegung der Moleküle des verdampften Fluorharzes. Daher wäre die mittlere freie Weglänge der Moleküle des verdampften Fluorharzes kurz und vor dem Erreichen des Substrates 18 würden sie wiederholt miteinander zusammenstoßen mit dem Ergebnis eines Zusammenwachsens zu großen Teilchen und Verlust an kinetischer Energie und einem baldigen Herabfallen. Obwohl ein sehr hohes Vakuum für Vakuumverdampfungsvorgänge günstig ist, ist es in der industriellen Praxis schwierig, den Druck in der Kammer 12 unterhalb von 1,33 × 10^-4 Pa (10^-6 Torr) zu halten. In der Praxis ist ein Vakuum von 1,33×10^-2 Pa (10^-4 Torr) zur Erzielung einer guten Vakuumverdampfung im Hinblick auf die Tatsache ausreichend, das die mittlere freie Weglänge von Luft bei 1,33 × 10^-2 Pa (10^-4 Torr) etwa 50 cm erreicht.

Das Fluorharz 14 von niedrigem Molekulargewicht wird auf eine geeignete Temperatur, welche von der Art und dem Molekulargewicht des Fluorharzes abhängt und im allgemeinen von 100° bis 350°C reicht, erhitzt. Wenn die Temperatur unterhalb von 100°C liegt, erfährt selbst ein Fluorharz von niedrigem Molekulargewicht keine einfache Depolymerisation und Verdampfung, und es ist eine lange Zeitspanne zur Herbeiführung einer gewünschten Abscheidung als Folge der niedrigen Dichte der Moleküle von verdampftem Material in der Vakuumkammer 12 erforderlich. Andererseits fördert ein Erhitzen des Fluorharzes 14 bis auf eine Temperatur höher als 350°C die Depolymerisation und Verdampfung des Fluorharzes und erhöht die kinetische Energie der verdampften Moleküle, so daß die Rate der Ablagerung auf dem Substrat 18 erhöht wird. Wenn die Verdampfungsquelle 14 jedoch auf eine solch hohe Temperatur erhitzt wird, treten Störungen wie eine Verformung und Zerstörung des Substrates 18 und Schwierigkeiten bei der Steuerung der Dicke des auf dem Substrat 18 abgelagerten Filmes auf.

Ein geeigneter Abstand des Substrates 18 von der Verdampfungsquelle 14 beträgt von 5 bis 50 cm, obwohl dies von der Art und Größe der Vakuumverdampfungsapparatur abhängig ist. Wenn der Abstand mehr als 50 cm beträgt, ist der Abstand größer als die mittlere freie Weglänge der Moleküle des verdampften Fluorharzes, so daß die meisten der Fluorharzmoleküle kinetische Energie verlieren und herabfallen, bevor sie das Substrat 18 erreichen. Es scheint so zu sein, daß die Effizienz des Vorganges durch Minimierung des Abstandes zwischen dem Substrat 18 und der Verdampfungsquelle 14 maximiert wird. Wenn der Abstand kürzer als 5 cm ist, lagern sich jedoch tatsächlich die verdampften Moleküle nicht gleichförmig auf dem Substrat ab, und das Substrat kann durch die Strahlungswärme von der Verdampfungsquelle deformiert und zerstört werden.

Die Dicke des auf dem Substrat 18 abgelagerten Beschichtungsfilmes kann über einem breiten Bereich von wenigen nm bis zu mehreren µm durch Öffnen und Schließen des Verschlusses 22 zu geeignet eingeregelten Zeitpunkten gesteuert werden.

Da Fluorharze von niedrigem Molekulargewicht in wirksamer Weise bei relativ niedrigen Temperaturen verdampft werden können, gibt es hinsichtlich des Materials des Substrates 18 keine besonderen Beschränkungen. Beispielsweise Metalle wie Aluminium und Kupfer, Gläser, Keramikmaterialien, synthetische Harze oder Kunststoffe wie Polycarbonat und synthetische Kautschuke können nach dem erfindungsgemäßen Verfahren beschichtet werden.

Für eine weitere Verbesserung der Haftfestigkeit des abgelagerten Filmes auf der Substratoberfläche ist es vorteilhaft, das Substrat 18 unter Einsatz der Heizeinrichtung 20 bis auf eine Temperatur im Bereich von 50 bis 300°C zu erhitzen.

Der Vakuumverdampfungsvorgang kann vorteilhafterweise während weniger Sekunden bis zu mehreren Zehnern von Minuten und vorzugsweise für 5 bis 30 Minuten durchgeführt werden. Falls die Abscheidungszeit zu kurz ist, bleibt die Abscheidung eines Films unvollständig. Falls die Abscheidungszeit zu lang ist, ergibt sich der Mangel einer Ausbildung eines gleichförmigen Beschichtungsfilms als Folge des Wachstums von Kristallen des abgeschiedenen Fluorharzes.

Ein Fluorharzbeschichtungsfilm mit einer sehr glatten Oberfläche mit einer Dicke im Bereich von wenigen nm bis zu mehreren µm, wie zuvor beschrieben, kann bei Durchführung eines Vakuumverdampfungsvorganges gemäß der Erfindung unter den zuvor beschriebenen Bedingungen gebildet werden. Durch Röntgenbeugung wurde bestätigt, daß der auf diese Weise gebildete Beschichtungsfilm des Fluorharzes üblicherweise amorph ist. Die amorphen Eigenschaften des Beschichtungsfilms sind sehr vorteilhaft für eine enge und feste Haftung des Films an der Substratoberfläche.

Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Fluorharzbeschichtungsfilme besitzen ausgezeichnete Wasserabstoßeigenschaften. Bei Wasser beträgt der Kontaktwinkel jedes Beschichtungsfilms von 100° bis 120°. Hinsichtlich der Gleitfähigkeit oder Schmiereigenschaften sind nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Beschichtungsfilme besser als Kunstharzbeschichtungsfilme, welche nach konventionellen Abscheidungsmethoden unter Verwendung von Fluorharzen mit hohem Molekulargewicht hergestellt wurden. Der Reibungskoeffizient eines erfindungsgemäß abgelagerten Films beträgt von 0,05 bis 0,15.

Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele näher erläutert.

Beispiel 1

Ein aus Nickel hergestelltes Reaktionsgefäß wurde auf 500°C gehalten, und eine Mischung aus 10% Fluorgas und 90% Stickstoffgas wurde kontinuierlich in das Reaktionsgefäß bei einer Rate von 1 l/min eingeführt. Gleichzeitig wurde grobgemahlenes PTFE mit einem Molekulargewicht von etwa 8500 kontinuierlich in das Reaktionsgefäß mit einer Rate von 20 g/h eingeführt. Das gemahlene PTFE besaß eine mittlere Teilchengröße von etwa 1 mm. Unter Verwendung einer Pumpe wurde das Reaktionsgas kontinuierlich aus dem Reaktionsgefäß mit einer Rate von 30-50 l/min abgezogen und auf etwa 30-40°C abgekühlt, um hierdurch PTFE mit reduziertem Molekulargewicht auszufällen. Nach dem Abtrennen des ausgefällten Polymeren wurde das Gas in das Reaktionsgefäß rückgeführt. Der zuvor beschriebene Betrieb wurde während 4 h durchgeführt. Als Ergebnis wurden 40 g eines feinen schneeweißen Pulvers von PTFE aufgefangen. Die Teilchen dieses PTFE-Pulvers besaßen eine Größe von 0,1 bis 1 µm. Das erhaltene PTFE-Pulver besaß einen Schmelzpunkt von 265°C, und das Molekulargewicht dieses Polymeren wurde nach der folgenden Gleichung aus dem Schmelzpunkt (T _m ) und dem Molekulargewicht (MW), wie dies in der US-Patentschrift 30 67 262 gezeigt ist, zu 1500 berechnet.

In einer Vakuumverdampfungsapparatur des in Fig. 1 gezeigten Typs wurden 1 g des PTFE-Pulvers mit niedrigem Molekulargewicht, das nach der zuvor beschriebenen Verfahrensweise erhalten worden war, als Verdampfungsquelle angeordnet, und eine Aluminiumplatte mit den Abmessungen von 30 mm × 70 mm wurde als Substrat verwendet. Die Vakuumverdampfung des PTFE von niedrigem Molekulargewicht wurde durch Erhitzen des PTFE-Pulvers während 20 min auf 250°C unter einem Vakuum von 1,33 × 10^-2 Pa (10^-4 Torr) durchgeführt, wobei das Aluminiumsubstrat bzw. der Aluminiumträger auf 190°C erhitzt gehalten wurde. Als Ergebnis wurde ein PTFE-Beschichtungsfilm mit einer Dicke von 2-3 µm auf der Aluminiumplatte gebildet. Bei Betrachtung mit einem Elektronenabtastmikroskop zeigte sich, daß dieser Beschichtungsfilm eine sehr glatte Oberfläche besaß. Fig. 2 zeigt die Ergebnisse der Röntgenbeugungsanalyse, welche die amorphen Eigenschaften des PTFE-Beschichtungsfilms offenbar macht.

Der Reibungskoeffizient des PTFE-Beschichtungsfilms wurde mit einem Reibungstestgerät vom Bowden-Leben-Typ gemessen. Eine Last von 500 g wurde auf jede Probe unter Verwendung einer Stahlkugel mit einem Durchmesser von 8 mm und bei einer Reibungsgeschwindigkeit von 0,1 m/min aufgebracht. Außerdem wurde noch der Kontaktwinkel des PTFE-Beschichtungsfilms mit Wasser nach der Projektionsmethode gemessen. Die Ergebnisse sind im folgenden zusammen mit den Ergebnissen derselben Tests an Beschichtungsfilmen, welche in den nachfolgenden Beispielen und dem Vergleichsversuch hergestellt wurden, zusammengefaßt. Weiterhin wurde noch zum Vergleich die Aluminiumplatte selbst (ohne Überzug) denselben Tests unterworfen.

Beispiel 2

Die Vakuumverdampfung des in Beispiel 1 hergestellten PTFE von niedrigem Molekulargewicht wurde in derselben Apparatur und unter denselben Bedingungen jedoch mit der Ausnahme wiederholt, daß das PTFE-Pulver auf 300°C erhitzt wurde, und daß das Aluminiumsubstrat auf 220°C erhitzt gehalten wurde. Auf dem Träger wurde ein guter Beschichtungsfilm ausgebildet.

Beispiel 3

Der Vakuumverdampfungsvorgang von Beispiel 2 wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß eine Kupferplatte als Substrat anstelle der Aluminiumplatte verwendet wurde. Es wurde ein guter Beschichtungsfilm gebildet.

Beispiel 4

Eine Platte aus einem Copolymeren von Tetrafluorethylen und Hexafluorpropylen (TEE-HFP) wurde in quadratische Stücke von 5 mm zerschnitten. Das Copolymere besaß einen Schmelzpunkt von 277°C. In einem Reaktionsgefäß wurden 50 g der TFE-HFP- Stücke auf 500°C erhitzt. Dann wurde eine Mischung aus 5% Fluorgas und 95% Stickstoffgas kontinuierlich in das Reaktionsgefäß mit einer Rate von 1 l/min eingeführt, und das Reaktionsgas wurde aus dem Reaktionsgefäß abgesaugt und durch einen Kühler zur Ausfällung und zur Sammlung von TFE-HFP mit reduziertem Molekulargewicht in Form eines feinen Pulvers geleitet. Dieses Pulver besaß einen Schmelzpunkt F von 170°C, was ein Molekulargewicht wesentlich niedriger als 5000 anzeigt.

In der in den vorangegangenen Beispielen verwendeten Vakuumverdampfungsapparatur wurde 1 g des TFE-HFP-Copolymerenpulvers auf 250°C unter einem Vakuum von 1,33 × 10^-2 Pa (10^-4 Torr) zur Ablagerung auf einer auf 200°C erhitzt gehaltenen Aluminiumplatte erhitzt. Es wurde ein guter Beschichtungsfilm gebildet.

Beispiel 5

Ein Copolymeres aus Tetrafluorethylen und Perfluoralkoxyethylen (TFE-PFA), das in Form von Pellets (mit einer Dicke von etwa 3 mm und einer Länge von etwa 5 mm) vorlag und einen Schmelzpunkt F von 304°C besaß, wurde der in Beispiel 4 beschriebenen Behandlung zur Reduzierung bzw. Herabsetzung des Molekulargewichtes unterworfen. Das erhaltene Pulver des TFE- PFA-Copolymeren besaß einen Schmelzpunkt F von 200°C, dies zeigt ein wesentlich niedrigeres Molekulargewicht als 5000 an.

Unter Verwendung des TFE-PFA-Copolymerenpulvers als Verdampfungsquelle wurde der Vakuumverdampfungsvorgang von Beispiel 4 unter denselben Bedingungen wiederholt. Es wurde ein guter Beschichtungsfilm gebildet.

Beispiel 6

Das in Beispiel 1 hergestellte PTFE-Pulver von niedrigem Molekulargewicht wurde als Targetmaterial bei einem Zerstäubungsvorgang (Sputtering-Vorgang) zur Ablagerung als Beschichtungsfilm aus PTFE auf einer Aluminiumplatte verwendet. Das Zerstäuben wurde durch Anlegen einer Hochfrequenzspannung, wobei Argon durch die Zerstäubungskammer unter Aufrechterhaltung eines Vakuums von 1,33 × 10^-1 Pa (10^-3 Torr) geleitet wurde, durchgeführt.

Vergleichsversuch

Ein kommerzielles PTFE-Pulver für Formteile mit einem Molekulargewicht von etwa 8500 wurde als Verdampfungsquelle bei dem in Beispiel 1 beschriebenen Vakuumverdampfungsvorgang eingesetzt. Das PTFE-Pulver wurde auf 550°C erhitzt, während das Aluminiumsubstrat auf 480°C erhitzt wurde.

Die Meßergebnisse sind in der folgenden Tabelle zusammengestellt.

Die Testergebnisse zeigen, daß durch physikalische Dampfabscheidung von Fluorharz mit niedrigem Molekulargewicht gebildete Beschichtungsfilme hinsichtlich der Gleitfähigkeit- und der Wasserabstoßeigenschaften überlegen sind.

Tabelle

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines Überzugsfilms aus einem fluorhaltigen Polymeren auf einer Substratoberfläche durch physikalische Dampfabscheidungstechnik, dadurch gekennzeichnet, daß ein im Molekulargewicht reduziertes fluorhaltiges Polymeres mit einem niedrigeren Molekulargewicht als 5000 als Quellenmaterial für die physikalische Dampfabscheidung verwendet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Dampfabscheidungstechnik aus der aus der Vakuumverdampfungstechnik, Zerstäubungstechnik und Ionenimplantierungstechnik bestehenden Gruppe ausgewählt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Dampfabscheidungstechnik die Vakuumverdampfungstechnik ist, wobei das fluorhaltige Polymere mit reduziertem Molekulargewicht als Verdampfungsquelle benutzt und auf eine Temperatur im Bereich von 100 bis 350°C bei einem Druck nicht höher als 13,3 Pa (10^-1 Torr) erhitzt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das fluorhaltige Polymere mit reduziertem Molekulargewicht aus der aus Polytetrafluorethylen, Polychlortrifluorethylen, Polyvinylidenfluorid, Polyvinylfluorid, Copolymeren von Ethylen und Tetrafluorethylen, Copolymeren von Tetrafluorethylen und Hexafluorpropylen und Copolymeren von Tetrafluorethylen und einem Perfluoralkoxyethylen bestehenden Gruppe ausgewählt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche eine metallische Oberfläche ist.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche die Oberfläche eines organischen Polymeren ist.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche eine anorganische, nichtmetallische Oberfläche ist.