DE3785355T2

DE3785355T2 - Vorrichtung und verfahren fuer hochintegrierte verbindungssubstrate unter verwendung von gestapelten moduln.

Info

Publication number: DE3785355T2
Application number: DE87905027T
Authority: DE
Inventors: Stanley Czerepak; Gowri Sankar
Original assignee: Digital Equipment Corp
Current assignee: Digital Equipment Corp
Priority date: 1986-08-15
Filing date: 1987-06-30
Publication date: 1993-10-21
Anticipated expiration: 2007-07-01
Also published as: JPH01502147A; KR910007474B1; DE3785355D1; WO1988001469A1; EP0318485B1; EP0318485A1; KR880702042A; AU7699187A; AU612588B2; CA1311854C

Description

Gebiet der Erfindung

Diese Erfindung betrifft generell elektronische Schaltungen und insbesondere die Struktur von Substraten, mit denen die elektrischen Komponenten verbunden sind, was die leitenden Pfade liefert, die die Komponenten elektrisch verbinden.

Beschreibung des Standes der Technik

Es ist aus dem Stand der Technik bekannt, siehe z. B. IBM Technical Disclosure Bulletins, Band 11, Nr. 8, Januar 1969, und Band 21, Nr. 12, Mai 1979, Verbindungsstrukuren herzustellen, die die elektrische Kopplung zwischen elektronischen Komponenten schaffen, wobei die Dünnfilmtechnologie Schichten von leitenden Pfaden (z. B. gesputtertes und plattiertes Chromupfer) auf der Oberseite von Schichten von isolierendem dielektrischem Material (z. B. Polyimid) liefert. Die leitende Zwischenschichtkopplung wird geschaffen durch reaktives Ionenätzen oder ähnliche Trockenätztechniken unter Schaffung von Öffnungen (oder Durchgängen) in den Schichten und Füllen der sich ergebenden Öffnungen mit Metall. Die Multischichtstruktur wird gebildet auf einer Basiskeramik oder einem ähnlichen stabilen Material. Die Schichten werden übereinander ausgebildet, wobei eine Schicht zur Zeit verarbeitet wird. Das sich ergebende Substrat kann eine sehr hohe Verbindungsdichte liefern und kann durch Abdichten des Substrats hermetisch hergestellt werden. Somit wird die gewünschte Substratkonfiguration in einer Vielzahl von seriellen Prozeßschritten entwickelt. Die Brauchbarkeit dieser Technik zum Schaffen einer Verbindungsstruktur ist begrenzt durch die Ausbeute, die Kosten und die Herstellungszykluszeit. Zusätzlich nimmt, wenn die Dicke der dielektrischen Schichten abnimmt, die Zwischenschichtkapazität zu und kann die Signalausbreitung in der Struktur begrenzen.
Es ist ebenfalls aus dem Stand der Technik bekannt, siehe z. B. EP-A-0 064 872 und EP-A-0 028 657, daß eine Multischicht-Verbindungsstruktur auf der Technologie von gedruckten Schaltungen basieren kann, die aus verstärkten dielektrischen Polymermateriallagen bestehen. Die leitenden Zwischenschichtpfade werden gebildet durch mechanisches Bohren der Lagen und Metallisierung der Zwischenschichtpfade durch elektrodenloses und Elektroplattieren. Die Lagen werden gekoppelt durch Laminierungstechniken unter Verwendung von Polymermaterial, um die Schichten miteinander zu verbinden. Diese Technik zum Schaffen einer Verbindungsstruktur ist begrenzt durch die Materialstabilität, durch Feuchtigkeitsabsorbtion, Strukturauflösung beim Verarbeiten der inneren Lage, Prozeßbegrenzungen beim Bohren und Plattieren, durch Verarbeitungs-, Dichte- und Verläßlichkeitsprobleme, die aus Verarbeitungstoleranzen resultieren. Um diese Beschränkungen zu überwinden, werden Baugruppen mit einer reduzierten Schichtzahl als Multischichtlagen verarbeitet, die auf herkömmliche Weise zusammengebaut werden. Aufgrund der geringen Zahl an Schichten und der verminderten Plattendicke kann die Länge der leitenden Zwischenschichtpfade vermindert werden. Die Baugruppen können miteinander laminiert werden unter Bildung einer Gesamtverbindungsstruktur. Verbindungspfade zwischen den Baugruppen können dann gebohrt und elektroplattiert werden. Diese Technik vermindert, eliminiert jedoch nicht die Beschränkungen, die bei der herkömmlichen Multischichtsubstrat-Herstellungstechnik zu finden sind.
Es ist aus dem Stand der Technik ebenfalls bekannt, Hybridtechnologie-Techniken zu verwenden (d. h. Dickfilm-Techniken oder Techniken des gemeinsamen Einbrennens), die ein keramisches dielektrisches Material und leitende Dickfilmmaterialien verwenden. Die sich ergebenden Strukturen sind sehr stabil, können höheren Verarbeitungs- und Betriebstemperaturen wiederstehen und Hermetizität liefern. Die Technik hat jedoch schwerwiegende Verarbeitungsbeschränkungen, die die Dichte der leitenden Spuren bzw. Leiterbahnen (und der Räume zwischen diesen) und der Durchgänge an dem Verbindungssubstrat begrenzen.
Eine zusätzliche Charakteristik von seriellen Techniken liegt darin, daß Diskrepanzen bei der Anordnung von einer Schicht auf der benachbarten Schicht beibehalten oder verstärkt werden, wenn zusätzliche Schichten hinzugefügt werden. Weiterhin werden Diskrepanzen in der Ebenheit von einer Schicht beibehalten oder verstärkt, wenn zusätzliche Schichten hinzugefügt werden. Diese Charakteristiken führen zu einer Beschränkung in der Zahl der Schichten, die ein Verbindungssubstrat haben kann.
Eine Öffnung (oder ein Durchgang), in der ein leitender Pfad von einer Seite der Schicht zu der anderen gewünscht ist, kann nur in einer einzelnen Schicht des Substrats erforderlich sein. Der leitende Pfad in einer einzelnen Substratschicht ist schwierig zu erzielen mit den herkömmlichen Techniken, so daß Öffnungen typischerweise durch alle Schichten des Substrats gebohrt werden. Dieser Vorgang führt zu Entwurfsbeschränkungen, da die Spuren bzw. Leitungen um die Öffnungen herum geführt werden müssen.
Eine weitere Begrenzung bei seriellen Verarbeitungstechniken tritt auf, da das Substrat nur am Ende des Herstellungsprozesses getestet werden kann.
Es ist daher eine Notwendigkeit gespürt worden nach einer Technik zum Schaffen von Verbindungssubstraten, die hochdichte Verbindungskopplungspfade erzielen können ohne die Beschränkungen hinsichtlich Ausbeute, Zahl, Kosten und Zykluszeit der seriellen Verarbeitungstechniken.

Merkmale der Erfindung

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte Verbindungsstruktur für das Koppeln bzw. Verbindung elektrischer Komponenten zu schaffen.
Es ist ein Merkmal der vorliegenden Erfindung, eine Verbindungsstruktur anzugeben, die als eine Vielzahl von Baugruppen hergestellt ist, und nach dem Testen werden die Baugruppen in die Endstruktur verbunden.
Es ist ein weiteres Merkmal der vorliegenden Erfindung, eine Verbindungsstruktur anzugeben, die eine Vielzahl von gestapelten dielektrischen Schichten aufweist, wobei jede dielektrische Schicht durch eine Spalt getrennt ist.
Es ist ein weiteres Merkmal der vorliegenden Erfindung, eine Verbindungsstruktur anzugeben, die eine hohe Dichte von leitenden Pfaden hat, und zwar ohne die begrenzte Ausbeute und Zykluszeit, die sich aus mehrfachen seriellen Prozessen ergeben.

Zusammenfassung der Erfindung

Die zuvor genannten und weitere Aufgaben werden erfindungsgemäß wie beansprucht erhalten durch Herstellen einer Vielzahl von dielektrischen Lagen- bzw. Schichtpaaren. Die dielektrischen Lagen haben in sie gebohrte Löcher und die Löcher sind mit einem leitenden Material gefüllt. Die Lagen werden dann auf die geeigneten Abmessungen geläppt und die leitenden Bereiche (oder Kontaktstellen) werden auf beiden Oberflächen der dielektrischen Lagen abgeschieden. Ein leitendes Bondierungsmaterial (Perle) wird aufleitenden Testbereichen einer dielektrischen Lage angeordnet, um elektrisch mit einer leitenden Kontaktstelle einer benachbarten dielektrischen Lage gekoppelt zu werden. Die zwei dielektrischen Lagen werden derart ausgerichtet, daß die leitenden Kontaktstellen der dielektrischen Lage elektrisch durch die leitende Perle gekoppelt werden können. Die Baugruppe aus zwei dielektrischen Lagen wird erhitzt, um die zwei Lagen miteinander zu bondieren bzw. zu bonden. Auf ähnliche Weise kann eine Vielzahl von dielektrischen Lagenpaaren miteinander verbunden werden unter Bildung einer Multischicht-Leiterplatte.
Diese und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich beim Lesen der folgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

Fig. 1 ist ein Flußdiagramm der Schritte, die beim Herstellen eines dielektrischen Lagenpaares für eine Leiterplatte erforderlich sind.
Die Fig. 2A bis 2H zeigen Querschnitte der zwei dielektrischen Schichten, und zwar unter Darstellung der Stufen bei der Herstellung einer Baugruppe aus dielektrischen Lagen.
Fig. 3 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Verbindungssubstrates mit einer Vielzahl von dielektrischen Lagen und unter Darstellung der Anwesenheit von gekoppelten elektrischen Komponenten.
Fig. 4 stellt die Wirkungen des Luftspaltes der vorliegenden Erfindung dar, der ein dielektrisches Luftmedium zwischen Sätzen von leitenden Pfaden auf den Oberflächen der dielektrischen Schichten bildet.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform

1. Detaillierte Beschreibung der Figuren

Unter Bezugnahme auf Fig. 1 beginnt die Herstellung eines Verbindungssubstrats im Schritt 100 mit zwei Lagen von dielektrischem Material. In der bevorzugten Ausführungsform sind die Lagen aus dielektrischem Material Quarzglas einer Dicke von 2 bis 10 Milli-Inch, andere geeignete dielektrische Materialien können jedoch verwendet werden. Im Schritt 101 werden Löcher in den dielektrischen Lagen ausgebildet. In der bevorzugten Ausführungsform werden die Löcher durch einen CO&sub2;-Laser erzeugt und haben einen Durchmesser von 1 bis 4 Milli-Inch. Im Schritt 103 werden die Löcher mit einem leitenden Material wie JMI 4270, hergestellt von Johnson Matthey Electronic Materials Division, gefüllt und die dielektrischen Lagen werden getrocknet und erhitzt, um eine Kopplung der Füllmaterialien mit der Lage zu schaffen. Wenn es notwendig ist, wiederholt Schritt 104 den Schritt 103, bis das Füllmaterial sich generell über die Ebene der dielektrischen Lagen erstreckt. Im Schritt 105 wird die Oberfläche der Lage geläppt, so daß die Lagen die gewünschte Dicke und Flachheit haben. Im Schritt 106 werden die Muster von leitenden Spuren bzw. leiterbahnen auf den Oberflächen von allen dielektrischen Lagen unter Verwendung eines Dünnfilmprozesses abgeschieden. Bei der bevorzugten Ausführungsform wird eine Chrom-Kupfer-Keimschicht abgeschieden. Im Schritt 107 werden die leitenden Spuren auf die gewünschte Dicke (durch einen Elektroplattierungsprozeß) aufplattiert und leitende Bereiche werden ausgebildet. Im Schritt 108 wird dieser Prozeß für alle jene Lagen wiederholt, die die Endstruktur aufweisen wird. Im Schritt 109 werden die leitenden Spuren getestet, um zu gewährleisten, daß der Prozeß erfolgreich gewesen ist. Im Schritt 110 werden leitende Perlen an ausgewählten Leitungsbereichen der Oberseite der unteren dielektrischen Lage kontaktgedruckt. Im Schritt 111 werden die Lagen ausgerichtet (so daß geeignete Leitungsperlen von benachbarten dielektrischen Lagen geeignet ausgerichtet sind) und die zwei dielektrischen Lagen werden verbunden. Im Schritt 112 wird das dielektrische Lagenpaar getrocknet und erhitzt unter Verbindung der zwei dielektrischen Lagen. Diese Prozesse werden für jedes dielektrische Lagenpaar, welches zu-verbinden ist, in dem Verbindungssubstrat wiederholt, und zwar im Schritt 113. Im Schritt 114 wird eine Inspektion und ein elektrischer Test des Verbindungssubstrates durchgeführt. Unter nunmehriger Bezugnahme auf die Fig. 2A bis 2B bzw. 2H werden die in Fig. 1 beschriebenen Prozeßschritte durch Querschnittsansichten von Lagen von dielektrischen Materialien 20 und 21 dargestellt. In Fig. 2A sind die in den dielektrischen Lagen hergestellten Löcher gezeigt. In Fig. 2B ist das Füllen der Löcher mit leitendem Material 23 gezeigt. In Fig. 2C ist das Ergebnis des Läppungsvorganges der Lagenoberflächen 24 gezeigt. In Fig. 2D ist der Prozeß des Abscheidens von leitenden Keimschichten 25 auf den Oberflächen der dielektrischen Lage dargestellt, während das Ergebnis des Prozesses des Erhöhens der Dicke der Leiter 26 in Fig. 2E gezeigt ist. In Fig. 2F ist das Anordnen der Leitungsperlen 27 auf dem Oberseitenabschnitt der unteren Lage der dielektrischen Lage gezeigt, während in Fig. 2G das Verbinden der Lagen und das Kontaktieren der leitenden Perlen 27 fit den leitenden Bereichen dargestellt ist. Ein Abschnitt der Leiterplatte, der das Koppeln der dielektrischen Lagenpaare 28 und 29 mittels der leitenden Perlen 27 zeigt, ist in Fig. 2H gezeigt.
Unter Bezugnahme auf Fig. 3 ist eine Verbindungsstruktur 30 gezeigt. Das dargestellte Verbindungssubstrat enthält dielektrische Lagenpaare 31, 32 und 33. Die oberste Lage der Struktur enthält die Montageeinrichtung zum Koppeln von elektronischen Elementen 34 an die Struktur 30. Der Abstand zwischen den einzelnen dielektrischen Lagen ist zu Darstellungszwecken vergrößert und Abschnitte der leitenden Perlen 27 und der Leiterspuren 26 sind dargestellt.
Unter nunmehriger Bezugnahme auf Fig. 4 ist ein Merkmal des Verbundungssubstrates dargestellt. Auf der Lage 41 übertragen die oberen leitenden Spuren Informationssignale während die unteren leitenden Spuren Versorgungssignale übertragen. Die Lage 42 hat das Erdpotential auf den oberen leitenden Spuren während die unteren Spuren Informationssignale tragen. Auf der Lage 43 tragen die oberen Spuren Informationssignale während die unteren leitenden Spuren Versorgungssignale übertragen. Auf der dielektrischen Lage 44 behalten die oberen leitenden Spuren das Erdpotential während die unteren leitenden Spuren Informationssignale tragen. Zwischen den durch eine dielektrische Lage getrennten Spuren wird die Impedanz bestimmt durch eine dielektrische Konstante e&sub1; (für Quarz ist dieser Wert etwa 3,8), während für leitende Spuren, die durch Luft getrennt sind, die Impedanz und Ausbreitungsverzögerung durch e&sub2; bestimmt sind (die dielektrische Konstante von Luft ist etwa 1).

2. Betrieb der bevorzugten Ausführungsform

Für die Verbindungssubstrate der vorliegenden Erfindung ist die Dichte der leitenden Spuren auf einer Oberfläche dieselbe, wie sie mit der Dünnfilmtechnologie erreicht werden kann. Bei dieser Technik ist die Fähigkeit, kleine leitende Zwischenschichtspuren in der Größenordnung von 0,5 bis 2 Milli-Inch bezüglich der Größe zu erzielen, wichtig, um die erforderliche Dichte zu erreichen. Das Füllen der Löcher mit leitendem Material erhöht die Querschnittsfläche des Pfades verglichen mit Techniken mit nichtgefüllten Löchern. Diese Steigerung der Querschnittsfläche vermindert den Widerstand und erhöht die Verläßlichkeit. Darüberhinaus, da jede Fläche mit Spuren vor dem Einbau in die Verbindungsstruktur getestet werden kann, kann das Problem, welches sich aus der Ausbeute von mehrfachen seriellen Prozessen ergibt, miminiert werden, indem nur die fehlerfreien dielektrischen Lagepaare verwendet werden. Das dielektrische Lagenmaterial und das Füllmaterial können so gewählt werden, daß sie thermischen Belastungen des Prozeßbetriebes widerstehen. Diese Materialien können auch so gewählt werden, daß sie undurchlässig für Feuchtigkeit sind. Zusätzlich kann die Struktur für zusätzliche Stabilität hermetisch abgedichtet werden.
Die Dicke der elektrischen Lagen kann durch den Läppungsvorgang gesteuert werden, was gestattet, daß die Impedanz der leitenden Spuren bezüglich leitenden Referenzspuren auf einer dielektrischen Lagenoberfläche genau gesteuert wird. In Fig. 4 ist das dielektrische Material angeordnet zwischen Informationssignalen und der Erde und leitender Versorgungsspuren der dielektrischen Lagenfläche. In Abhängigkeit von der Weise, auf die die leitenden Signalspuren auf die leitenden Versorgungs- oder' Erdpotentialspuren auf der dielektrischen Fläche Bezug nehmen, ist die Option verfügbar, Luft oder Quarz als das dielektrische Medium zu verwenden, das die leitenden Signalspuren der dielektrischen Fläche und die leitenden Referenzspuren der dielektrischen Fläche trennt. Ein dielektrisches Luftmedium zwischen der Signalebene und der Referenzebene ist geeigneter für schnelle Signalausbreitung, die Steuerung der Impedanz für das dielektrische Luftmedium ist jedoch weniger genau, und zwar aufgrund der Wirkungen von Feuchtigkeit auf die Dielektrizitätskonstante.
Für Fachleute ist es klar, daß die Technik zum Herstellen eines Verbindungssubstrates gemäß der vorliegenden Erfindung eine große Flexibilität gestattet beim Schaffen von leitenden Pfaden zwischen Spurmustern auf benachbarten dielektrischen Lagenflächen. Wenn die benachbarten Flächen auf gegenüberliegenden Seiten einer dielektrischen Lage sind, dann können gefüllte Löcher bei jeder Position in einer dielektrischen Lage angeordnet werden, die für die elektrische Kopplung geeignet sein würde, d. h., wo leitende Spuren, die zu koppeln sind, sich auf gegenüberliegenden Seiten der dielektrischen Lage überlappen. Auf ähnliche Weise kann die leitende Perle, die zwei leitende Spuren auf dielektrischen Lagen auf gegenüberliegenden Seiten eines Luftspaltes elektrisch koppelt, überall dort positioniert werden, wo die leitenden Spuren sich auf den ausgerichteten dielektrischen Lagen überlappen. Zusätzlich muß eine elektrische Kopplung mit einem gefüllten Loch zwischen leitenden Spurflächen auf einer dielektrischen Lage nur durch eine leitende Spur mit dem Ort einer leitenden Perle gekoppelt werden, um die elektrische Kopplung zu leitenden Spuren auf benachbarten dielektrischen Lagenflächen fortzusetzen. Der Aufbau des Verbindungssubstrates hat daher einen zusätzlichen Freiheitsgrad bei der Anordnung der leitenden Pfade (oder Durchgänge) zwischen Ebenen von leitenden Spuren und in dem Muster der leitenden Spuren in jeder Ebene d. h. dielektrische Lagenfläche).

Claims

1. Verbindungssubstrat zum Schaffen einer vorbestimmten Kopplung von elektrischen Komponenten, die darauf montiert sind, mit einer ersten und einer zweiten dielektrischen Lage (20, 21), wobei die erste dielektrische Lage auf der zweiten dielektrischen Lage gestapelt ist, wobei jede dielektrische Lage ein Leitungsmuster (26) auf jeder Fläche und eine Vielzahl von Durchgangslöchern (22) hat, die zur elektrischen Kopplung des Leitungsmusters auf einer Fläche von jeder Lage mit dem Leitungsmuster auf der anderen Seite der jeweiligen Lage mit leitendem Material (23) gefüllt sind, und weiterhin mit einer Kopplungseinrichtung (27) zum elektrischen Koppeln des Leitungsmusters auf einer Fläche der ersten dielektrischen Lage mit dem Leitungsmuster auf der entgegengesetzten Fläche der zweiten dielektrischen Lage, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der Leitungsmuster eine Vielzahl von leitenden Kontaktstellen aufweist, daß das leitende Material in jedem der gefüllten Durchgangslöcher Enden hat, die elektrisch nur mit den entsprechenden der leitenden Kontaktstellen verbunden sind, und daß die Kopplungseinrichtung Enden hat, die nur mit den entsprechenden der leitenden Kontaktstellen elektrisch verbunden sind.

2. Verbindungssubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einige der Vielzahl von leitenden Kontaktstellen auf einer Fläche der ersten dielektrischen Lage gegenüberliegend zu entsprechenden der Vielzahl von leitenden Kontaktstellen der gegenüberliegenden Fläche der zweiten dielektrischen Lage angeordnet sind.

3. Verbindungssubstrat nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungseinrichtung eine Vielzahl von leitenden Perlen aufweist, die entgegengesetzte Kontaktstellen auf den jeweiligen dielektrischen Lagen elektrisch koppeln, wobei die leitenden Perlen eine vorbestimmte Dicke haben, wenn sie zwischen entgegengesetzten Kontaktstellen geschichtet sind.

4. Verbindungssubstrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Paar von Kontaktstellen auf den jeweiligen dielektrischen Lagen entgegengesetzt und durch einen Luftspalt getrennt ist.

5. Verbindungssubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz des Substrates durch eine Dielektrizitätskonstante von einer der Lagen bestimmt ist.

6. Verbindungssubstrat nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz des Substrats durch eine Dielektrizitätskonstante von Luft bestimmt ist.

7. Verfahren zum Herstellen eines Verbindungssubstrates zum Schaffen einer vorbestimmten Kopplung von elektrischen Komponenten, mit den Schritten:

Ausbilden einer Vielzahl von Löchern in jeder einer ersten und einer zweiten Lage, die aus dielektrischem Material hergestellt sind, und zwar an vorbestimmten Orten auf den Lagen (101);

Füllen der Löcher mit einem leitenden Material (102); Aufbringen von leitenden Mustern mit leitenden Kontaktstellen auf der ersten und der zweiten Fläche von jeder der ersten und der zweiten dielektrischen Lage (106); und

gekennzeichnet durch die weiteren Schritte:

Anordnen von leitenden Perlen auf vorgewählten leitenden Kontaktstellen auf der ersten Fläche der zweiten dielektrischen Lage (110);

Ausrichten der ersten Fläche der zweiten dielektrischen Lage mit der zweiten Fläche der ersten dielektrischen Lage, wodurch die leitenden Perlen mit vorbestimmten leitenden Kontaktstellen auf der zweiten Fläche der ersten dielektrischen Lage ausgerichtet werden (111); und

Verbinden der ersten und der zweiten dielektrischen Lage durch die leitenden Perlen unter Ausbildung eines dielektrischen Verbindungssubstrat-Lagenpaares (112).

8. Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin gekennzeichnet durch den Schritt des Koppelns des dielektrischen Lagenpaares mit einer dritten dielektrischen Lage durch Wiederholen des Anordnungsschrittes des Ausrichtungsschrittes und des Verbindungsschrittes.

9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllschritt die Schritte des Trocknens und des Heizens des leitenden Füllmaterials aufweist.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Trocknungs- und Heizungsschritte eine Vielzahl von Malen wiederholt werden, bis das leitende Füllmaterial generell koplanar mit der dielektrischen Lage ist.

11. Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin gekennzeichnet durch den Schritt des elektrischen Testens der leitenden Spuren auf jeder dielektrischen Lage vor dem Verbindungsschritt.

12. Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin gekennzeichnet durch den Schritt des Koppelns der elektrischen Komponenten mit der ersten Fläche der ersten dielektrischen Lage.