DE2330161A1 - Verbesserte schaltkreise und verfahren zu deren herstellung - Google Patents
Verbesserte schaltkreise und verfahren zu deren herstellungInfo
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Description
- Verbesserte ochal-tkreise und und Verfahren zu deren Herstellung Die vorliegende Erfindung betrifft gedruckte Schaltungen und insbesondere Verfahren zum Verbinden elektrischer mit gedruckten Schaltkreisen.
- 5 sind verschiedene herkömmliche Verfahren zum Verbinden von Halbleiterrschaltkreisen mit gedruckten Schaltungen verfügbar.
- Nach diesem Verfahren verwendet man üblicherweise hochstehende leitende buckel, die entweder auf deci Talbleiterelement oder auf der gedruckten Schaltung angeora£iet sind, oder ausragende Leitungsenden, verformbare Lotkugelchen oder leitende, nicht verformbare Kügelchen.
- Diese Verfahren haben bestimmte liachteile. beis1ielsweise konnen Kurzschlüsse zwischen benachbarten Leiterrbahnen der gedruckten Schaltungen oder auf dem Halbleiterelement selbst auftreten, wenn man die Technik des Verfahrens nicht genau im Griff hat.
- Weiterhin kann ein unerwünschter Lotrückfluß die Leiterbahnen entlang aus der Verbindungszone heraus stattfinden. weiterhin gewährleisten diese Verfahren nicht aus sich heraus eine Abstandhaltung zwischen dem tialbleiterelement und der gedruckten Schaltung. Insbesondere sind die Verfahren nach dem Stand der Technik im allgemeinen sehr teuer und erfordern mehrere Verfahrensschritte.
- Die vorliegende Erfindung schafft Verfahren und Schaltungen, um Halbleiterelemente mit weiteren Schaltkreisen zu verbinden. Das Verfahren gewährleistet eine genaue Abstandhaltung zwischen Halbleiterelement und gedruckter Schaltung und eliminiert die unerwünschten kurzschlüsse zwischen eng benachbarten Leiterbahnen auf dem Element und der gedruckten Schaltung. Weiterhin tritt keinerlei Lotrückflu@ entlang den iieiterbrnen aus den Verbindungszonen heraus auf.
- Die Verfahren nach uer vorliegenden rfindung erfordern weniger Verfahrensschritte und weniger Steuerung als die Methoden des Standes der Technik. Die Anwendung der neuartigen Verfahren erlaubt es, unmodifizierte Halbleiteranordnungenn (d.h. solche ohne vorstehende buckel) schnell und sicher mit gedruckten Schaltungen so zu verbinden, ohne Kurzschlüsse oder Schüden befürchten zu müssen.
- Sach der vorliogenden Erfindung umfa@t das Verfahren zur Anbrinngung eines Halbleiter chips auf einer gedruckten Schaltung folgende Schritte : (a) an sieht ein eines dielektrisches Substrat mit einer mit einer oberfläche verbundenen dünnen leitenden Schicht vor; (b) Man sieht ein vorbestimmtes muster einer Vielzahl von Löchern in dem dielektrischen Substrat vor, die sich durch das Substrat hindurch erstrecken und tjit der Unterseite der leitenden Schicht in Verbindung stehen; (c) Nun bildet in den Offnungen leitende Säulen aus, die elektrisch mit der Unterseite der leitenden Schicht in Verbindung stehen und von denen ein Teil zur Verbino.un mit weiteren elektrischen Schaltkreisen zur gegenüberlie genden Oberfläche hin frei liegt; (d) Nun wandelt die lei-i,ende schicht in ein vorbestimmtes muster von leitenden Auflageflächen um, wobei jede leitende huflagefläche in elektrischer Verbindung mit einer separaten leitenden Säule steht; (e) Man verbindet die Kontaktflächen eines @albleiterelements mit den offenliegenden eilen der leitenden Sauren.
- Die Erfindung sieht weiterhin einen durchgehenden streifen mit gedruckten Schaltungen vor, von denen Jede auf einer ioeite ein Halbleiterelement aufnehmen kann, wobei Leitungen zu weiteren elektrischen Schaltkreisen auf der entgegen esetzten Oberfläche vorgesehen sind. Jede gedruckte Schaltung weist auf (a) ein dünnes flexibles dielekbrisches Substrat mit einer Dicke im bereich von etwa o,oo25 bis 0,25 nun; (b) ein vorbestimmtes Muster von leitenden Auflageflächen, die mit einer uberfläche des dielektrischen Substrats fest verbunden sind und eine Dicke von weniger als etwa o,127 mm haben; (c) eine Vielzahl von leitenden aulen, die sich durch das Substrat hindurch erstrecken und deren eines Ende elektrisch in Verbindung steht mit einer einzigen leitenden Auflagefläche auf der einen Oberfläche des dielektrischen oiubstrats und deren anderes bnde auf der entgegengesetzten Oberfläche des dielektrischen Substrats offenliegt; wobei das offenliegende Ende der leitenden Säulen einen Ort bilden, der ein Ralbleiterelement in leitender Verbindung aufnehmen kann.
- Die Erfindung wird nun im einzelnen unter bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen gleiche bezugszahlen gleiche Elemente bezeichnen: Fig. 1 ist eine Perspektivansicht eines durchgehenden Streifens von gedruckten Schaltungen; Sig. 2 ist eine Schnittansicht des Streifens mit gedruckten ochaltungen nach ig. 1; Fig. 3, 4 und 5 zeigen aufeinanderfolgende Schritte in der Durchführung der Erfindung; Fig. 6 zeigt eine weitere Form, in der die Erfindung ausgeführt werden kann; Fig. 7 zeigt eine weitere Art gedruckter Schaltungen, die in der Durchführung der vorliegenden Erfindung nützlich sind.
- Die ßig. . 1 zeigt einen durchgehenden Streifen 1o aus Material, wie es für gedruckte Schaltun en verwendet wird, mit einem sich wiederholender leitender Auflageflächen 14, die an einer Oberfläche des Substrats 12 befestigt sind. Die leitenden Auflageflächen 14 liegen voneinander auf ;1bstand und haben innere Enden 16, die zu einem gemeinsamen Flächenteil des Substrats zusammenlaufen. Richt gezeigte Säulen 20 erstrecken sich durch das Substrat 12 und stehen elektrisch in Verbindung mit den leitenden Auflageflächen 4 auf einer Oberfläche des Substrats.
- Die Teile 21 der leitenden Säulen 20 liegen offen an der oberen Oberfläche des Substrats und bilden Orte, die später ein nalbleiterelement in elektrisch leitender Verbindung aufnehmen.
- Beispielsweise läßt sich ein @albleiterelement auf das Substrat auf bringen und dann mit den 'i'eilen 21 über dünne Drähte elektrisch verbinden; weiterhin ist es möglich, ein @albleiterelement ausgerichtet über die Leib 21 zu legen und mit diesen nach dem Wendeverfahren ("flip-chip bonding") zu verbinden.
- Die Fig. 2 zeigt eine Schnittansicht durch die gedruckte Schaltung der Fig. 1 entlang der Schnittlinie 2-2. Typischerweise hat das dielektrische Substrat 12 eine Dicke von 2,5 bis 250 Mikrometern. Vorzugsweise eingesetzte dielektrische Substrate bestehen aus dünnen flexiblen Polyimid-, Polyester-, Acrylharz-, Fluorocarbon-, Polysulfon-, Polyamid-, Polyolefin- und Silikonfilmen und aus glasfaserverstärkten thermoplastischen Kunststoffen.
- Die leitenden Auflageflächen 14 sind vorzugsweise metallisch und bestehen bspw. aus aluminium, iuf er, wickel, Silber, Gold und dergl. Legierungen dieser iqetalle - miteinander oder mit anderen Metallen wie Eisen oder obalt - sind ebenfalls sehr brauchbar. Ebenso haben sich Bimetallstreifen - bspw. aus lotüberzogenem Aluminium oder goldplattiertem ickel - als brauchbar eriesen. Die Dicke der leiten Auflageflächen mul ausreichen, um eine elektrische Le@tung zuzulassen, und kann bis etwa 125 Mikrometer betragen, obgleich man aus wirtschaftlichen Gründen eine Dicke von 25 Mikrometern im all0'emeinen vorzieht.
- Die leitenden Säulen 20 haben typischerweise einen Durchmesser im Bereich von 100 bis 250 Mikrometer. Die Lange, mit der der Yeil 21 über die Oberfläche des Substrats 12 hinausragt, liegt im allgemeinen im Bereich von 0 bis 250 Likrometern.
- Die leitenden Säulen 20 bestehen vorzugsweise aus Metallen wie Zinn/Bei-Lot, Gold, Nickel, Kupfer und deren kombinatione, obgleich auch andere leitende Materialien wie Aluminium, Silber, Indium und Zinn einsetzbar sind.
- Die gedruckte Schaltung 10 läßt sich nach verschiedenen Verfahren herstellen. Vorzugsweise bildet man in einem dielektrischen Substrat zuerst eine Vielzahl von Kochern in einem vorbestimmten Muster aus, wobei auf eine Oberfläche des Substrats eine durchgehende leitende Schicht fest aufgebracht ist. Die 1ig. 3 zeigt unter dem bezugszeichen 30 eine Vorstufe einer solchen platine aus einem dielektrischen Substrat 12 mit einer auf eine Oberfläche desselben aufgebrachten durchehenden leitenden schicht 13. Das Substrat 12 ist bereits mit Löchern 15 versehen, die sich zur Unterseite der leitenden Schicht 13 hindurch erstrecken.
- Die Löcher 15 lassen sich nach herkömmlichen Verfahrensweisen vorsehen - bspw. durch chemische Bearbeitung (bsuw. gemäß der US-PS 3.395.057), Laser-, Elektronenstrahl- oder mechanisches Bohren, Schleifverfahren oder dergl.
- Sodann werden die Löcher 15 - verb Fig. 4 - mit den leitenden Säulen 20 versehen. Die leitenden Säulen 20 liegen an der Unterseite der leitenden Schicht 13 an und sind elektrisch mit dieser verbunden, während die Teile 21 der leitenden Säulen 20 offen liegen bleiben; hier werden sie später mit weiteren Schaltungselementen - bspw. Ralbleiter- oder anderen Bauelomenten -verbunden. Die leitende Schicht 13 wird sodann nach herkömmlichen Verfahrensweisen (bspw. Abdecken mit @hotolack und Ätzen) zu einem vorbestimmten @uster von leitenden Auflageflächen 14 (vergl. Fig. 1 und 2) umgewandelt. Das vorbestimmte Muster der leitenden Auflageflächen muß so ausgebildet sein daß die zusammenlaufenden Enden 16 der leitenden @uflageflüchen 14 mit einem Ende der leitenden Säulen 20 in elektrischer Verbindung stehen.
- Die leitenden Säulen 20 werden vorzugsweise durch galvanische Ablagerung des gewünschten Metalls (vergl. bspw. US-PSn 1.354.051 und 2.318.592) hergestellt, obgleich sich auch stromlose Aufbringungsverfahren verwenden lassen (bspw. nach den US-FSn 3.269.861 und 3.259.559).
- Die Fig. 7 zeigt eine alternative Form einer gedruckten Schaltung, bei der die leitenden Säulen 20 sich nicht über die Oberfläche des dielektrischen Substrats hinaus erstrecken. atschlich brauchen die säulen sich nur teilweise durch das Substrat zu erstrecken, sofern ein Teil der Säule gegenüber der entgegengesetzten Oberfläche des dielektrischen Substrats offenliegt.
- Die i4g. 5 zeigt ein Halbleiterelement 5o mit Kontaktlaschen 52, die mit den offenliegenden eilen 21 der leitenden Säulen 20 der gedruckten Schaltung verbunden sind. In dieser figur ist das Halbleiterelement nach dem @endeverfahren ("flip-chip bonding") mit der gedruckten Schaltung verbunden; es lassen sich aber auch andere Befestigungsverfahren verwenden - bspw. über auskragende Zuleitungen ("beam lead bonding") oder Zuleitungsdrähte ("wire bonding").
- Die Fig. 6 zeigt eine weitere Art, die vorliegende Erfindung durchzuführen, d.h. für die gegenseitige verbindung einer Vielzahl von gedruckten Schaltungen. In der dargestellten ?orm lassen sich die gedruckten Schaltun en Übereinander stapeln, wodurch die gegenseitige Verbindung durch leitende Säulen 20 erfolgt, die sich durch das dielektrische ubstrat hindurch erstrecken, um die Verbindung zum jeweils nächstliegenden Muster leitender Auflageflächen herzustellen.
Claims (7)
1. Verfahren zum @efestigen eines Halbleiterchips auf einer gedruckten
Schaltun aus einem dunnen dielektrischen Substrat, auf dessen Oberfläche eine dänne
leitende Schicht befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß man (a) das dielektrische
Substrat mit einer Vielzahl von Löchern versieht, die ein vorobestimmtes Muster
bilden, wobei man die Löcher einbringt, bevor man die leitende Schicht zu einem
vorbestimmten Muster leitender Auflageflächen umwandelt, und die Löcher sich durch
das dielektrische Substrat hindurch erstrecken und mit eilen der unterseite der
leitenden Schicht in Verbindung stehen; (b) in den Löchern leitende Säulen ausbildet,
die elektrisch mit der Unterseite der leitenden Schicht in Verbindung stehen und
von denen Teile der entgegengesetzten Oberfläche des Substrats gegenüber offenliegen,
um dort weitere elektrische Schaltelemente anzubrinfen, und (c) die Kontaktelemente
eines Iialbleiterchips mit den offenliegenden eilen der leitenden Säulen verbindet.
2. Verfahren zum Befestigen eines albleiterchips auf einer gedruckten
Schaltung, die besteht aus einem dünnen dielektrischen Substrat mit einem auf eine
Oberfläche desselben aufgebrachten vorbestimmten Muster leitender Auflageflächen,
dadurch gekennzeichnet, daß man (a) das dielektrische Substrat mit einer Vielzahl
von Löchern versieht, die sich durch das dielektrische Substrat hindurch erstrecken
und mit der Unterseite mindestens eines @eiles der leitenden Auflageflächen in Verbindung
stehen, wobei die Locher in einem vorbestimmten Muster vorliegen, (b) in den Löchern
leitende Säulen ausbildet, die mit der Unterseit
e der leitenden
Auflageflächen in elektrisch leitender Verbinaung stehen und die in Teilen offenliegen,
um weitere elektrische Schaltungselemente anzuschließen, und daß man (c) die Kontaktelemente
einer Halbleiterchips elektrisch mit den offenliegenden Teilen der leitenden Saulen
vorsindet.
3. Verfahren nacn Anspruch 1, dadurcij gekennzeichnet, dal.
die leitenden Säulen sich üner die Oberfläche des dielektrischen Substrats
hinauserstrecken läßt 4. Durchgehender Streifen mit gedruckten Schaltkreisen, von
denen jeder ein Halbleiterchip aufnehmen kann, wobei jeder gedruckte Schaltkreis
aus einem dünnen dielektrischen Substrat mit einer sicke von 2,5 bis 25o Mikrometer
besteht und ein vorbestimntes Muster leitender Auflageflächen aufweist, die auf
eine Fläche des dielektrischen Substrats aufgebracht sind, und weiterhin die leitenden
Auflageflächen eine Dicke von weiiiger als etwa 125 Mikrometer haben, jede der gedruckten
Schaltungen dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl leitender Säulen sich durch
das Substrat erstrecken, die mit einem Ende an der Unterseite einer einzelnen leitenden
Auflagefläche des vorbestimmten Musters anliegen und mit dieser in elektrisch leitender
Verbindung stehen und mit dem anderen Ende der entgegengesetzten Oberfläche des
dielektrischen Substrats gegenüber offenliegen, wobei die offenliegenden bilden
der leitenden Säulen einen Ort bilden, der ein Halbleiterelement elektrisch aufnehmen
kann.
5. Durchgehender Streifen mit gedrucI-en Schaltungen nach Anspruch
4, dadurch gekennzeichnet, daß die offenliegenden Enden der leitenden ouulen sich
um weniger als 25o Mikrometer Über die Oberfläche des dielektrischen Substrats hinauserstrekken.
6. Verfahren zum gegenseitigen Verbinden einer Vielzahl von
gedruckten
Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß man (a) ein dünnes dielektrisches Substrat
mit auf eine Oberfläche aufgebrachter leitender Schicht mit einer Vielzahl von Löchern
versieht, die sich durch das dielektrische Substrat hindurcherstrecken und mit der
Unterseite der leitenden Schicht in ver bindung stehen, wobei die Löcher in einem
vorbestimmten Euster vorliegen, (b) in den Löchern leitende Säulen ausbildet, die
mit der Unterseite der leitenden Schicht in elektrisch leitender Verbindung stehen
und von denen jeweils ein Feil offenliegt, um dort weitere elektrische Schaltungselemente
anzuschließen, (c) eine erste gedruckte Schaltung ausbildet, indem man die leitende
schicht zu einem vorbestimmten Muster leitender Auflageflächen umwandelt, wobei
jeweils ein Teil der unterseite der leitenden Auflageflächen, die das vorbestimmte
Muster darstellen, in elektrisch leitender Verbindung mit einer leitenden Säule
steht, (d) und die offenliegenden eile der leitenden säulen der ersten gedruckten
Schaltung elektrisch mit einem vorbestimmten @uster leitender Auflageflächen einer
zweiten gedruckten Schaltung verbindet, wobei die zweite gedruckte Schaltung eine
Vielzahl leitender Säulen aufweist, die sich durch ein dielektrisches substrat hindurch
erstrecken, wobei jeweils ein Ende jeder Säule an der unterseite einer einzelnen
leitenden @uflagefläche des vorbestimmten riusters von Auflageflächen anliegt und
mit dieser in elektrisch leitender Verbindung steht und d s andere nde der leitenden
Säulen jeweils auf der entgegengesetzten Oberfläche des dielektrischen Substrats
offenliegt und den Anschluß weiterer elektrischer Schaltungselemente zuläßt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch ge@ennzeichnet, daß man danach
ein Halbleiterelement elektrisch mit den offenlieenden nden der leitenden Säulen
der zweiten gedruckten Schaltung verbindet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19732330161 DE2330161A1 (de) | 1973-06-08 | 1973-06-08 | Verbesserte schaltkreise und verfahren zu deren herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
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DE19732330161 DE2330161A1 (de) | 1973-06-08 | 1973-06-08 | Verbesserte schaltkreise und verfahren zu deren herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE2330161A1 true DE2330161A1 (de) | 1974-12-19 |
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ID=5883890
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DE19732330161 Ceased DE2330161A1 (de) | 1973-06-08 | 1973-06-08 | Verbesserte schaltkreise und verfahren zu deren herstellung |
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Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2330161A1 (de) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2459532A1 (de) * | 1974-05-30 | 1975-12-11 | Ibm | Mikroelektronischer modul zur montage und zum kontaktieren von schaltkreisplaettchen |
DE2810054A1 (de) * | 1977-03-08 | 1978-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronische schaltungsvorrichtung und verfahren zu deren herstellung |
WO1988001469A1 (en) * | 1986-08-15 | 1988-02-25 | Digital Equipment Corporation | Method of making high density interconnection substrates using stacked modules and substrates obtained |
WO1988004878A1 (en) * | 1986-12-16 | 1988-06-30 | Eastman Kodak Company | Method of making an electronic component |
WO1988005252A1 (en) * | 1987-01-12 | 1988-07-14 | Allied Corporation | Method for the manufacture of multilayer printed circuit boards |
DE4008624A1 (de) * | 1989-04-05 | 1990-10-11 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur |
DE4191065T (de) * | 1990-05-24 | 1992-06-25 | ||
DE4101790C1 (en) * | 1991-01-18 | 1992-07-09 | Technisch-Wissenschaftliche-Gesellschaft Thiede Und Partner Mbh, O-1530 Teltow, De | Chip-support arrangement prodn. - in tape form, in dual-in-line format by film-bond technology |
EP0533198A2 (de) * | 1991-09-19 | 1993-03-24 | Nitto Denko Corporation | Biegsamer gedruckter Substrat |
DE4235019C1 (de) * | 1992-10-16 | 1994-04-21 | Ame Gmbh | Leiterplattenherstellung sowie Montage- und Kontaktierungsverfahren für Bauelemente durch stromlose Metallabscheidung |
-
1973
- 1973-06-08 DE DE19732330161 patent/DE2330161A1/de not_active Ceased
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2459532A1 (de) * | 1974-05-30 | 1975-12-11 | Ibm | Mikroelektronischer modul zur montage und zum kontaktieren von schaltkreisplaettchen |
DE2810054A1 (de) * | 1977-03-08 | 1978-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronische schaltungsvorrichtung und verfahren zu deren herstellung |
WO1988001469A1 (en) * | 1986-08-15 | 1988-02-25 | Digital Equipment Corporation | Method of making high density interconnection substrates using stacked modules and substrates obtained |
WO1988004878A1 (en) * | 1986-12-16 | 1988-06-30 | Eastman Kodak Company | Method of making an electronic component |
WO1988005252A1 (en) * | 1987-01-12 | 1988-07-14 | Allied Corporation | Method for the manufacture of multilayer printed circuit boards |
DE4008624A1 (de) * | 1989-04-05 | 1990-10-11 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur |
DE4191065T (de) * | 1990-05-24 | 1992-06-25 | ||
DE4101790C1 (en) * | 1991-01-18 | 1992-07-09 | Technisch-Wissenschaftliche-Gesellschaft Thiede Und Partner Mbh, O-1530 Teltow, De | Chip-support arrangement prodn. - in tape form, in dual-in-line format by film-bond technology |
EP0533198A2 (de) * | 1991-09-19 | 1993-03-24 | Nitto Denko Corporation | Biegsamer gedruckter Substrat |
EP0533198A3 (en) * | 1991-09-19 | 1995-11-02 | Nitto Denko Corp | Flexible printed substrate |
US5510139A (en) * | 1992-01-16 | 1996-04-23 | Ameg Additive Metallisierung-Entwicklunge-Und Anwendungssesellshaft Gmbh | Process for assembly and bonding of electronic components on an insulating support |
DE4235019C1 (de) * | 1992-10-16 | 1994-04-21 | Ame Gmbh | Leiterplattenherstellung sowie Montage- und Kontaktierungsverfahren für Bauelemente durch stromlose Metallabscheidung |
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