DE3677274D1 - Speicherschaltung mit wortzeilenrauschunterdrueckungsschaltungen. - Google Patents

Speicherschaltung mit wortzeilenrauschunterdrueckungsschaltungen.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2842181B2 (ja) * 1993-11-04 1998-12-24 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
JPH07254275A (ja) * 1994-01-31 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体記憶装置
DE19823956A1 (de) * 1998-05-28 1999-12-02 Siemens Ag Anordnung zur Übersprechdämpfung in Wortleitungen von DRAM-Schaltungen
US10529401B2 (en) * 2018-05-04 2020-01-07 Micron Technology, Inc. Access line management for an array of memory cells

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855866C3 (de) * 1978-12-22 1981-10-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und Schaltungsanordnung zum Betreiben eines integrierten Halbleiterspeichers
JPS56117390A (en) * 1980-02-16 1981-09-14 Fujitsu Ltd Semiconductor memory device
WO1981003570A1 (en) * 1980-06-02 1981-12-10 Mostek Corp Shared quiet line flip-flop
JPS57212690A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Hitachi Ltd Dynamic mos memory device
JPS58153294A (ja) * 1982-03-04 1983-09-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPS5948890A (ja) * 1982-09-10 1984-03-21 Nec Corp メモリ回路
JPS5979488A (ja) * 1982-10-28 1984-05-08 Nec Corp Ｍｏｓメモリ回路
JPS61194695A (ja) * 1985-02-22 1986-08-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ワ−ド線クランプ回路

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