DE3626578C2 - - Google Patents
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- DE3626578C2 DE3626578C2 DE3626578A DE3626578A DE3626578C2 DE 3626578 C2 DE3626578 C2 DE 3626578C2 DE 3626578 A DE3626578 A DE 3626578A DE 3626578 A DE3626578 A DE 3626578A DE 3626578 C2 DE3626578 C2 DE 3626578C2
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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- Materials For Photolithography (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Gemisch,
das insbesondere zum Aufbringen eines feinen
Bildmusters einer Photoresistschicht bei der Herstellung
von Halbleitervorrichtungen, wie integrierten Schaltungen,
geeignet ist.
Durch die neuesten Fortschritte in der Halbleitertechnik
besteht ein schnell steigender Bedarf für programmgesteuerte
Instrumente einschließlich beispielsweise Computer für
Industriezwecke, Instrumente zur Automatisierung von Büros
oder Personalcomputer, und folglich müssen Halbleitervorrichtungen,
wie integrierte Schaltungen, eine immer größere
Dichte oder einen immer höheren Integrationsgrad aufweisen.
Nachdem integrierte Schaltungen bisher eine Dichte von 256
Kilobits aufweisen mußten, besteht jetzt ein immer größerer
Bedarf für integrierte Schaltungen mit sehr hoher Integrationsdichte,
beispielsweise von einem Megabit oder darüber.
Diese hohe Integrationsdichte in integrierten Schaltungen
mit sehr großer Integrationsdichte (VLSI) verlangt natürlich
das Aufbringen von extrem feinen Mustern auf den Halbleiterscheiben
im sogenannten Submikronenbereich. So beträgt beispielsweise
der Mindestlinienabstand, der mit hoher Genauigkeit
in der Photoresistschicht wiedergegeben werden muß,
etwa 2 µm in dynamischen Speichervorrichtungen (DRAM) mit
256 Kilobits, etwa 1,0 bis 1,3 µm in 1 Megabit-DRAM und etwa
0,7 bsi 0,8 µm in 4 Megabit-DRAM.
Bekanntlich erfolgt das Aufbringen des Musters auf die Halbleiterscheibe
bei der Herstellung von integrierten Schaltungen
durch Photolithographie unter Verwendung einer Photoresistzusammensetzung.
Von den positiv- und negativ arbeitenden
Photoresistzusammensetzungen werden allgemein die
positiv arbeitenden bei der Herstellung von feinen Bildmustern
bevorzugt, in denen eine sehr genaue Reproduktion
eines Linienmusters mit einer Breite von 1 bis 2 µm wesentlich
ist.
Die Hauptbestandteile der meisten herkömmlichen positiv arbeitenden
Photoresistzusammensetzungen sind ein alkalilöslicher
Novolak als filmbildende Komponente und eine
Chinon-diazidverbindung als durch Licht zersetzbare oder
lichtempfindliche Komponente in Form eines Gemisches oder
eines Kondensationsproduktes der beiden Substanzen. Da beispielsweise
die Empfindlichkeit oder das Auflösungsvermögen
beim Aufbringen von Mustern stark von der Art und den Anteilen
dieser beiden Bestandteile und ihrer Kombination in der
Photoresistzusammensetzung sowie vom Entwicklungsverfahren
nach der Belichtung abhängt, wurden verschiedene Versuche
und Vorschläge zur Herstellung von Photoresistzusammensetzungen
und ihrer Verwendung in der Photolithographie gemacht.
Die EP-B-21 716 beschreibt z. B. eine photolichtempfindliche Zusammensetzung,
die als lichtempfindliches Material ein Kondensationsprodukt
aus einem o-Benzochinondiazid- oder o-Naphthochinondiazid-
sulfonylchlorid mit einem Polyhydroxyphenolharz
enthält.
In der DE-A-26 16 992 wird ein lichtempfindliches Material
zur Herstellung von Druckformen und Ätzresistagen beschrieben,
in dem die lichtempfindliche Schicht ein nicht
vernetzter Novolak aus einem Isomerengemisch von m- und
p-Cresol und Formaldehyd mit einer durchschnittlichen Molekülmasse
von 1200-3800 ist.
So lehrt die JP-A 59-17112, daß die Empfindlichkeit
einer positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzung, die
einen Cresol-Novolak als filmbildende Komponente enthält,
verbessert werden kann durch entsprechende Wahl des
Anteils an Cresolisomeren in dem zur Herstellung des Novolaks
verwendeten Cresols.
Die Photoresistschicht kann entweder durch direkten Kontakt
oder durch verkleinerte Projektion belichtet werden. Bei
der Kontaktbelichtung wird die auf der Oberfläche der
Halbleiterscheibe gebildete Photoresistschicht durch eine
Photomaske mit dem aufzubringenden Muster in direktem
Kontakt mit der Photoresistschicht belichtet. Dieses
Verfahren ist in Bezug auf den Kontrast des Bildmusters
günstig, d. h., es kann ein Muster der Photoresistschicht mit
einem beträchtlichen Kontrast erhalten werden, selbst dann,
wenn die verwendete Photoresistschicht in Bezug auf Kontrast
und Genauigkeit der Musterwiedergabe von geringer Qualität
ist.
Das Verfahren hat jedoch auch einige Nachteile und Probleme:
So kann beispielsweise die Photomaske gelegentlich mechanisch
als natürliche Folge des direkten Kontakts mit der
Photoresistschicht bei jeder Belichtung beschädigt werden,
so daß bei der Handhabung der Photomaske außerordentliche
Vorsicht notwendig ist und eine gute Qualität der Photomasken
nur mit beträchtlichen Kosten erhalten werden kann.
Außerdem muß das Muster auf der Photomaske von der gleichen
Größe wie das zu reproduzierende Muster sein, so daß eine
gemusterte Photomaske mit einer derartigen Genauigkeit unvermeidlich
sehr teuer ist, insbesondere dann, wenn die
Linienbreite des Bildmusters im Submikronenbereich liegt.
Bei der Belichtung durch verkleinerte Projektion kann
andererseits das Bildmuster auf der gemusterten Photomaske
bis zu 5 bis 10× größer sein als das zu reproduzierende
Photoresistbildmuster, so daß eine sehr genaue Photomaske
zum Aufbringen eines Musters im Submikronenbereich mit
relativ niedrigen Kosten erhalten werden kann. Nachteilig
ist dieses Verfahren jedoch in Bezug auf den Lichtkontrast
zwischen den zu belichtenden und nicht zu belichtenden Flächen
im Vergleich zur Belichtung durch direkten Kontakt der
Photomasken. Deshalb ist die Belichtung durch verkleinernde
Projektion nur dann zur Reproduktion eines Bildmusters von
hoher Genauigkeit anwendbar, wenn die Photoresistzusammensetzung
als solche für die Belichtung mit hohem Kontrast
oder hoher Genauigkeit geeignet ist.
Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie integrierten
Schaltungen mit sehr hoher Integrationsdichte
(VLSI), besteht das auf die Photoresistschicht aufzubringende
Bildmuster nicht aus Linien mit ein und dergleichen
Breite, sondern aus Linien mit verschiedenen Breiten, die in
komplizierter Weise kombiniert sind. Dadurch entsteht ein
schwieriges Problem, das die Qualität der Bildmusterwiedergabe
beeinträchtigt, da die optimale Belichtungsdosis
einer Photoresistschicht beträchtlich von der Linienbreite
abhängt. Nimmt man die optimale Belichtungsdosis für ein
Bildmuster mit einer Linienbreite von 2,0 µm als Einheit an,
so betragen beispielsweise die optimalen Belichtungsdosen
für Muster mit Linienbreiten von 1,5 bzw. 1,0 µm 1,2 bis
1,3 bzw. 1,5 bis 1,7. Deshalb ist eine Belichtungsdosis, die
für eine Linienbreite von 1,0 µm optimal sein kann, für
Linien mit einer Breite von 1,5 bzw. 2,0 µm in dem gleichen
Bildmuster viel zu groß: die Genauigkeit der Musterwiedergabe
kann somit nicht über die Gesamtfläche des Bildmusters
optimal sein. Dazu kommt, daß die Oberfläche einer sich im
Herstellungsverfahren befindlichen Halbleitervorrichtung
nicht vollständig flach ist, sondern im allgemeinen Stufen
unterschiedlicher Höhe von 0,5 bis 1,0 µm von Bereich zu
Bereich aufweist, so daß die Dicke einer auf einer solchen
stufigen Oberfläche gebildeten Photoresistschicht nicht einheitlich
sein kann und auf der Oberseite der Stufe geringer
als auf der Unterseite ist. Wird eine solche Photoresistschicht
belichtet und entwickelt, so ist folglich die
Linienbreite des in der Photoresistschicht wiedergegebenen
Bildmusters im Bereich, in dem die Photoresistschicht dünner
ist, geringer als in dem Bereich, in dem die Schicht dicker
ist, was die Genauigkeit der Musterwiedergabe beeinträchtigt.
Beim Ätzen der Oberfläche einer Halbleiterscheibe, auf die
eine gemusterte Photoresistschicht gebildet wird, ist in
einem Naßverfahren das unerwünschte Phänomen der Seitenätzung
mehr oder weniger unvermeidbar, so daß das Ätzen gelegentlich
in einem Trockenverfahren durchgeführt wird, in
dem das Seitenätzen durch Verwendung von Plasma vermieden
wird. In diesen Trockenätzverfahren wird die gemusterte
Photoresistschicht als Ätzmaske von dem Plasma angegriffen,
was zu einer allmählichen Verringerung der Filmdicke führt.
Deshalb ist es wünschenswert, bildmustergemäße Linie der
Photoresistschicht einen solchen Querschnitt hat, daß ihre
Breite nicht beeinträchtigt wird, selbst dann nicht, wenn
die Dicke des Films durch Plasmaangriff im Trockenätzverfahren
verringert wird.
Die obenbeschriebenen Probleme betreffen die schlechte Wiedergabe
oder Übereinstimmung zwischen dem Original auf der
Photomaske und dem in der Photoresistschicht wiedergegebenen
Bildmuster. Die Gründe hierfür sind, wie oben angegeben, die
Kontrastabnahme zwischen belichteten und unbelichteten
Bereichen bei Belichtung durch verkleinerte Projektion,
unterschiedliche optimale Belichtungsdosen zwischen Linienmustern
mit verschiedenen Linienbreiten und unterschiedliche
Dicken der Photoresistschicht auf beiden Flächen einer Stufe
bei einer stufigen Scheibenoberfläche.
Diese Probleme können insgesamt nur durch Verwendung eines
lichtempfindlichen Gemisches gelöst werden, die eine hohe
Genauigkeit in der Musterwiedergabe aufweist und in der die
Abmessungen des wiedergegebenen Musters von der Belichtungsdosis
nicht beeinflußt werden. Ein solches Gemisch,
das heißt, bei dem die Abmessungen des wiedergebebenen
Bildmusters von der Belichtungsdosis nicht beeinflußt
werden, sollte folgende Eigenschaften aufweisen: Das
wiedergegebene Liniemuster sollte unabhängig von der Belichtungsdosis
oder der Entwicklungszeit eine genaue Wiedergabe
der Linien des Originals auf der Photomaske ohne Vergrößerung
oder Verkleinerung sein. Die bildmustergemäße
Linie der Photoresistschicht sollte aufrecht auf der Substratoberfläche
stehen und einen rechteckigen Querschnitt
mit eindeutig gewinkelten Schultern haben, wogegen unerwünschte
Querschnittskonfigurationen solche sind, die runde
Schultern oder Schleppkanten auf der Substratoberfläche auch
bei eindeutig gewinkelten Schultern aufweisen.
Aufgabe der Erfindung war es daher, eine lichtempfindliches Gemisch
anzugeben, das die obenbeschriebenen
Probleme nicht aufweist, aus der eine bildmustergemäße
Photoresistschicht herstellbar ist, die eine genaue Wiedergabe
des Originalmusters ist und in der die Breite der
Linien nicht von der Belichtungsdosis beeinflußt wird.
Die Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst durch eine lichtempfindliches
Gemisch mit
- (A) 100 Masseteilen eines Bindemittels, das aus einem Isomerengemisch von m- und p-Cresol hergestellter Novolak ist, und
- (B) von 25 bis 60 Masseteilen eines Naphthochinon-diazid- sulfonsäureesters,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß der Novolak ein Gemisch
aus
- (A-1) einem Cresol-Novolak mit einem Massenmittel der Molekülmasse von mindestens 5000, hergestellt aus einem Isomerengemisch mit 60 bis 80% m-Cresol und 40 bis 20% p-Cresol, und
- (A-2) einem Cresol-Novolak mit einem Massenmittel der Molekülmassen von höchstens 5000, hergestellt aus einem Isomerengemisch mit 10 bis 40% m-Cresol und 90 bis 60% p-Cresol,
wobei in dem Bindemittel (A) der Gesamtanteil an m-Cresol
30 bis 46,5% und an p-Cresol 70 bis 53,5% beträgt.
Die Abbildungen erläutern die Erfindung; es zeigen:
Fig. 1, 2 und 3 schematisch je einen Querschnitt einer
gemäß den Beispielen hergestellten, bildmustergemäßen
Photoresistschichtlinie.
Das wesentliche Merkmal des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen
Gemisches ist der spezifische Cresol-Novolak, der
eine Kombination in bestimmten Anteilen zweier verschiedener
Cresol-Novolake ist, die sich im Massenmittel der
Molekülmasse und im Mischverhältnis der zur Herstellung
der entsprechenden Cresol-Novolake
als Ausgangsmaterial verwendeten m- und p-Cresolisomere unterscheiden.
Erfindungsgemäß wurde festgestellt, daß in einem Cresol-Novolak,
das aus einem Isomerengemisch mit 60 bis 80%
m-Cresol und 40 bis 20% p-Cresol hergestellt wurde, das
Cresol in der Oligomerfraktion oder im nicht umgesetzten
Cresol im wesentlichen p-Cresol ist, daß die an p-Cresol
reiche Oligomer(di-, trimer..)-Fraktion des Novolaks
in einer mit diesem Cresol-Novolak hergestellten
Photoresistschicht als Lösungsverzögerer wirken kann und daß
deshalb wesentliche Verbesserungen einer Photoresistzusammensetzung
dann erreicht werden können, wenn das Bindemittel
eine Kombination in bestimmten Mengen eines
an m-cresolreichen Cresol-Novolaks mit einer
relativ hohen Molekülmasse und eines, an p-cresolreichen
Cresol-Novolaks mit einer relativ niedrigen
Molekülmasse ist.
Der im erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemisch
verwendete Naphthochinon-diazidsulfonsäureester
(Komponente (B)) ist ein Reaktionsprodukt,
das durch Veresterung einer Naphthochinon-diazid-sulfonsäure
mit einer phenolischen Verbindung, wie Polyhydroxybenzophenonen
oder Alkylgallaten, erhalten worden ist. Diese
Veresterungsreaktion kann leicht in herkömmlicher Weise
durchgeführt werden.
Zusätzlich zu den angegebenen Polyhydroxybenzophenonen, wie
Tetrahydroxybenzophenon, und Alkylgallaten können in der Veresterungsreaktion
auch folgende phenolische Verbindungen
verwendet werden: Trihydroxybenzole, Trihydroxybenzol-monoether,
2,2′,4,4′-Tetrahydroxydiphenylmethan, 4,4′-Dihydroxydiphenylpropan,
4,4′-Dihydroxydiphenylsulfon, 2,2′-Dihydroxy-1,1′-dinaphthylmethan,
2-Hydroxyfluoren, 2-Hydroxyphenanthren,
Polyhydroxyanthrachinone, Purpurogallin und seine
Derivate sowie 2,4,6-Trihydroxybenzoesäure-phenylester.
Beträgt
die Menge an Komponente (B) über 60 Masseteile,
so nimmt die Empfindlichkeit des lichtempfindlichen Gemisches
deutlich ab; eine zu geringe Menge hat eine nachteilige
Wirkung auf die Querschnittskonfiguration der bildmustergemäßen
Linie der Photoresistschicht.
Das erfindungsgemäße lichtempfindliche Gemisch
wird im allgemeinen in Form einer Lösung verwendet,
die durch Lösung des oben beschriebenen Cresol-Novolaks
und des Naphthochinon-diazid-sulfonsäureesters in einem geeigneten
organischen Lösungsmittel hergestellt wird. Beispiele
für geeignete organische Lösungsmittel sind Ketone,
wie Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon und Isoamylketon,
Polyalkohole und ihre Derivate, wie Ethylenglykol, Ethylenglycol-monoacetat,
Diethylenglycol und Monomethyl-, Monoethyl-,
Monopropyl-, Monobutyl- und Monophenylether von
Diethylenglycol-monoacetat, zyklische Ether, wie Dioxan, und
Ester, wie Methylacetat, Ethylacetat und Butylacetat. Diese
organischen Lösungsmittel können entweder einzeln oder je
nach Bedarf als Gemisch von mindestens zwei Lösungsmitteln
verwendet werden.
Dem erfindungsgemäßen, lichtempfindlichen Gemisch
können gegebenenfalls verschiedene Arten von bekannten
Zusatzmitteln zugesetzt werden, die mit den Hauptbestandteilen
des Gemisches verträglich sind und herkömmlicherweise
in Photoresistzusammensetzungen verwendet
werden, wie Hilfsharze, Weichmacher, Stabilisatoren und
Farbmittel zur besseren Sichtbarmachung des Bildmusters nach
der Entwicklung.
Die Herstellung eines Photoresistschicht-Bildmusters unter
Verwendung des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemisches
kann in herkömmlicher Weise erfolgen. So wird beispielsweise
die Oberfläche eines Substratkörpers, wie einer Halbleiter-Siliziumscheibe,
mit dem erfindungsgemäßen Gemisch
als organische Lösung mit einer geeigneten Beschichtungsvorrichtung,
wie einer Schleuder (Spinner), beschichtet
und zu einer einheitlichen Photoresistschicht getrocknet.
Die Photoresistschicht wird dann in einem Verkleinerungsprojektor
oder einer geeigneten Belichtungsvorrichtung
durch eine Photomaske mit dem gewünschten Bildmuster
belichtet und mit einer Entwicklerlösung, wie einer wäßrigen
Lösung einer organischen Base, beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid,
in einer Konzentration von 2 bis 5 Masseprozent,
entwickelt. Auf diese Weise wird die Photoresistschicht
in den Bereichen selektiv weggelöst, in denen das
lichtempfindliche Gemisch als Folge der Belichtung eine
höhere Löslichkeit in der Entwicklerlösung hat. Dabei
entsteht eine sehr genaue verkleinerte Wiedergabe des
Bildmusters der Photomaske. Vorteilhafterweise ist das so
wiedergegebene Bildmuster eine sehr genaue Wiedergabe des
Photomaskenbildmusters bis in die äußersten Feinheiten,
wobei die bildmustergemäße Linie im Submikronenbereich
Maßgenauigkeit aufweist; bei der Belichtung durch
verkleinerte Projektion, bei der ein schlechter Kontrast
entstehen kann, wird diese Maßgenauigkeit nicht einmal von
einer Substratoberfläche mit Höhenstufen beeinträchtigt.
Das erfindungsgemäße, lichtempfindliche Gemisch
kann somit mit Vorteil bei der Herstellung von
Halbleitervorrichtungen mit hoher Genauigkeit, wie VLSI,
verwendet werden.
Die Erfindung wird durch die Beispiele und Vergleichsbeispiele
erläutert.
Ein Cresol-Novolak, im folgenden als Harz I bezeichnet,
wurde in herkömmlicher Weise durch Kondensation eines Reaktionsgemisches
von 60 Masseteilen m-Cresol und 40 Masseteilen
p-Cresol und Formalin in Gegenwart von Oxalsäure als
Katalysator hergestellt. Der Cresol-Novolak hatte ein
Massenmittel der Molekülmasse von etwa 28.000, bestimmt im
Bezug auf Standard-Polystyrole. Unabhängig davon wurde ein
anderer Cresol-Novolak, im folgenden mit Harz II bezeichnet,
mit einem Massemittel der Molekülmasse von 2000
in gleicher Weise aus einem Gemisch von 40 Masseteilen m-Cresol
und 60 Masseteilen p-Cresol hergestellt.
Ein lichtempfindliches Gemisch in Form
einer Lösung wurde durch Lösen von 30 Masseteilen des Harzes
I, 70 Masseteilen des Harzes II und 30 Masseteilen eines
Reaktionsproduktes von 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und
Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäurechlorid in einem
Molverhältnis von 1 : 1,6 in 390 Masseteilen Ethylenglycolmonoethyletheracetat
hergestellt und durch ein Membranfilter
mit einem Porendurchmesser von 0,2 µm filtriert.
Eine Siliziumscheibe mit einem Durchmesser von 7,62 cm
wurde einheitlich mit der Photoresistlösung in einer
Beschichtungsdicke von 1,3 µm (nach Trocknung) unter Verwendung
einer Resistbeschichtungsvorrichtung
beschichtet, getrocknet und 90 Sekunden auf
einer 110°C heißen Platte zu einer Photoresistschicht auf
der Scheibe getrocknet. Die Siliziumscheibe mit der Photoresistschicht
wurde dann mit UV-Licht in einem Verkleinerungsprojektor
durch eine Versuchsphotomaske
belichtet und 30 Sekunden bei 23°C mit einer
wäßrigen Lösung von 2,38 Masseprozent Tetramethylammoniumhydroxid
als Entwicklerlösung entwickelt.
Die so entwickelten bildmustergemäßen Linien der Photoresistschicht
hatten einen idealen rechteckigen Querschnitt
(schematisch dargestellt in Fig. 1).
Die Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde wiederholt mit dem
Unterschied, daß der an m-cresolreiche Cresol-Novolak
(Harz I) und der an p-cresolreiche Cresol-Novolak (Harz II)
aus einem Isomerengemisch mit m- und p-Cresolen in den
in der Tabelle angegebenen Mengen (m : p-Verhältnis) hergestellt
wurden. Die Harze hatten das in Tabelle 1 als w
angegebene Massenmittel der Molekülmasse und wurden in einer
solchen Menge eingesetzt, daß das in der Tabelle als m : p-Gesamtverhältnis
bezeichnete Masseverhältnis von m-Cresol zu
p-Cresol erhalten wurde. Die verschiedenen lichtempfindlichen
Verbindungen wurden in den in der Tabelle angegebenen
Mengen verwendet. Die in der Tabelle verwendeten Abkürzungen
für diese lichtempfindlichen Verbindungen haben folgende Bedeutung:
TR: 2,3-4-Trihydroxybenzophenon-naphthochinon-1,2-diazido-5-
sulfonsäureester.
TE: 2,3-4,4′-Tetrahydroxybenzophenon-naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfons-äureester.
GP: Propylgallat-naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäure.
GA: Isoamylgallat-naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäure.
TE: 2,3-4,4′-Tetrahydroxybenzophenon-naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfons-äureester.
GP: Propylgallat-naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäure.
GA: Isoamylgallat-naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäure.
Das in der Tabelle angegebene OH : AZ-Verhältnis ist definiert
als das Molverhältnis von phenolischer Verbindung zu
Naphthochinon-diazid als Ausgangsverbindungen für die
Veresterungsreaktion zur Herstellung der lichtempfindlichen
Verbindungen.
Die Ergebnisse dieser Versuche wurden anhand der in Fig. 1
bis 3 dargestellten Querschnittskonfiguration der Bildmusterlinie
2 der Photoresistschichten nach der Entwicklung
auf dem Substrat 1 bewertet und mit den Zahlen 1, 2 und 3 in
der Tabelle angegeben. Die Querschnittskonfiguration konnte
dabei rechteckig wie in Fig. 1 sein, ein Plateau mit eindeutig
gewinkelten Schultern, jedoch mit Schleppkanten wie in
Fig. 2 aufweisen oder breit mit runden Schultern und
Schleppkanten wie Fig. 3 sein.
Die Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde wiederholt mit dem
Unterschied, daß die Versuchsphotomaske durch ein Versuchsraster
mit einem Muster von Linien und Abständen mit einer
Breite von 1,25 und 2,0 µm ersetzt wurde. Das so hergestellte
Photoresistmuster auf der Siliziumscheibe war eine genaue
Wiedergabe des Bildmusters des Versuchsrasters.
Die Arbeitsweise des Vergleichsbeispiels 1 wurde wiederholt
mit dem Unterschied, daß die Versuchsphotomaske durch das
gleiche Versuchsraster wie in Beispiel 9 ersetzt wurde und
die Belichtungszeit 450 ms betrug. Das Muster mit Linien und
Abständen mit einer Breite von 1,25 µm konnte auf der Siliziumscheibe
wiedergegeben werden, wogegen das Muster mit
Linien und Abständen in einer Breite von 2,0 µm nur unvollständig
als Linienmuster von 1,6 µm Breite und Abstandsmuster
von 2,4 µm Breite wiedergegeben werden konnte.
Claims (4)
1. Lichtempfindliches Gemisch mit
- (A) 100 Masseteilen eines Bindemittels, das ein aus einem Isomerengemisch von m- und p-Cresol hergestellter Novolak ist, und
- (B) von 25 bis 60 Masseteilen eines Naphtochinon-diazid- sulfonsäureesters,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Novolak ein Gemisch aus
- (A-1) einem Cresol-Novolak mit einem Massenmittel der Molekülmasse von mindestens 5000, hergestellt aus einem Isomerengemisch mit 60 bis 80% m-Cresol und 40 bis 20% p-Cresol, und
- (A-2) einem Cresol-Novolak mit einem Massenmittel der Molekülmasse von höchstens 5000, hergestellt aus einem Isomerengemisch mit 10 bis 40% m-Cresol und 90 bis 60% p-Cresol,
wobei in dem Bindemittel (A) der Gesamtanteil an m-Cresol
von 30 bis 46,5% und an p-Cresol von 70 bis
53,5% beträgt.
2. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Naphthochinon-diazid-sulfonsäureester (B) das
Veresterungsprodukt von Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonsäure
und eines Polyhydroxybenzophenons oder
eines Alkylgallats eingesetzt wird.
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