JPS61144644A - ポジ型感放射線樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感放射線樹脂組成物Info
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- JPS61144644A JPS61144644A JP26637884A JP26637884A JPS61144644A JP S61144644 A JPS61144644 A JP S61144644A JP 26637884 A JP26637884 A JP 26637884A JP 26637884 A JP26637884 A JP 26637884A JP S61144644 A JPS61144644 A JP S61144644A
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- JP
- Japan
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- novolak resin
- sulfonic acid
- resin
- acid ester
- naphthoquinonediazide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ポジ型感放射線樹脂組成物に関する。
従来の技術
従来、集積回路を作製するためのレジストとしては、環
化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型
レジストが知られている。
化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型
レジストが知られている。
しかし、このネガ型レジストは解像度に限界があるため
、集積回路の高集積化に充分対応できない欠点を有する
。一方、このネガ型レジストに比べ、ノボラック樹脂に
１．２−キノンジアジド化合物を配合してなるポジ型レ
ジストは、解像度が優れているため集積回路の高集積化
に充分対応しうるちのと期待されている。
、集積回路の高集積化に充分対応できない欠点を有する
。一方、このネガ型レジストに比べ、ノボラック樹脂に
１．２−キノンジアジド化合物を配合してなるポジ型レ
ジストは、解像度が優れているため集積回路の高集積化
に充分対応しうるちのと期待されている。
しかしながら、従来のポジ型レジストは、解像度におい
て必ずしも満足な結果が得られていない。
て必ずしも満足な結果が得られていない。
また、ポジ型レジストに放射線を照射し現像した後に、
レジストパターンとして残るべき部分の放射線照射前と
現像後との高さの比を残膜率というが、従来のポジ型レ
ジストは、この残膜率が低いものである。残膜率が低い
ポジ型レジストを段差構造を有する基板に塗布し、放射
線を照射し、現像することによってレジストパターンを
形成すると、段差部をレジストパターンが充分に被覆で
きないので、正常な集積回路を作製することが困難とな
る。
レジストパターンとして残るべき部分の放射線照射前と
現像後との高さの比を残膜率というが、従来のポジ型レ
ジストは、この残膜率が低いものである。残膜率が低い
ポジ型レジストを段差構造を有する基板に塗布し、放射
線を照射し、現像することによってレジストパターンを
形成すると、段差部をレジストパターンが充分に被覆で
きないので、正常な集積回路を作製することが困難とな
る。
更に、レジストパターンを有する基板のエツチング方法
としてウェットエツチング方式とドライエツチング方式
がある。ウェットエツチング方式とは、シリコン酸化膜
を有する基板やアラミニラム基板上に形成されたレジス
トパターンをマスクとして使用し、シリコン酸化膜を有
する基板には弗化水素を、アルミニウム基板には燐酸を
主とするエツチング液を作用させて基板をエツチングす
る方式である。従って、このウェットエツチング方式に
おいては、レジストパターンと基板との接着性が悪いと
、その間にエツチング液が滲み込み、エツチングすべき
でない箇所までエツチングすることになり、サイドエツ
チングが大きくなるという問題を有する。
としてウェットエツチング方式とドライエツチング方式
がある。ウェットエツチング方式とは、シリコン酸化膜
を有する基板やアラミニラム基板上に形成されたレジス
トパターンをマスクとして使用し、シリコン酸化膜を有
する基板には弗化水素を、アルミニウム基板には燐酸を
主とするエツチング液を作用させて基板をエツチングす
る方式である。従って、このウェットエツチング方式に
おいては、レジストパターンと基板との接着性が悪いと
、その間にエツチング液が滲み込み、エツチングすべき
でない箇所までエツチングすることになり、サイドエツ
チングが大きくなるという問題を有する。
一方、ドライエツチング方式とは、シリコン酸化膜を有
する基板の場合にはテトラフルオロメタンを、アルミニ
ウム基板の場合にはテトラクロロメタン、トリクロロボ
ロンなどのハロゲン化合物をプラズマ化しに反応性イオ
ンを生じさせ、それをレジストパターンを有する基板に
当ててエツチングする方式である。従って、この方法に
よると、反応性イオンがレジストパターンをも攻撃する
ため、耐ドライエツチング性が悪いと、基板の温度が上
昇することと相まって、レジストパターンの損傷が大き
く、基板の加工精度が悪くなり、集積回路の歩止まりを
悪化させるという問題を有する。
する基板の場合にはテトラフルオロメタンを、アルミニ
ウム基板の場合にはテトラクロロメタン、トリクロロボ
ロンなどのハロゲン化合物をプラズマ化しに反応性イオ
ンを生じさせ、それをレジストパターンを有する基板に
当ててエツチングする方式である。従って、この方法に
よると、反応性イオンがレジストパターンをも攻撃する
ため、耐ドライエツチング性が悪いと、基板の温度が上
昇することと相まって、レジストパターンの損傷が大き
く、基板の加工精度が悪くなり、集積回路の歩止まりを
悪化させるという問題を有する。
発明が解決しようとする問題点
従来のアルカリ可溶性樹脂系、例えばノボラック樹脂系
ポジ型感光性樹脂は、他のレジストと比較する上におい
ては、前記の過酷なウェットエツチング、ドライエツチ
ング条件に耐えうるちのと評価されているが、未だ満足
できるレベルにないのが現状である。
ポジ型感光性樹脂は、他のレジストと比較する上におい
ては、前記の過酷なウェットエツチング、ドライエツチ
ング条件に耐えうるちのと評価されているが、未だ満足
できるレベルにないのが現状である。
本発明は、かかる従来の技術的課題を背景になされたも
ので、耐熱性、耐ドライエツチング性および基板に対す
る接着性に優れ、かつ高解像度および高残膜率を有する
レジストとして好適なポジ型感放射線樹脂組成物を提供
することを目的とする。
ので、耐熱性、耐ドライエツチング性および基板に対す
る接着性に優れ、かつ高解像度および高残膜率を有する
レジストとして好適なポジ型感放射線樹脂組成物を提供
することを目的とする。
問題点を解決するための手段
即ち本発明は、ノボラック樹脂と１，２−キノンジアジ
ド化合物とからなるポジ型感放射線樹脂組成物において
、該ノボラック樹脂が（Ａ＞ガラス転移温度（以下ｒＴ
ｇＪという）が８０℃以上のノボラック樹脂と（Ｂ）ガ
ラス転移温度が前記（Ａ）のノボランク樹脂のＴｇより
も３０℃以上低いノボラック樹脂とを含有することを特
徴とするポジ型感放射線樹脂組成物を提供するものであ
る。
ド化合物とからなるポジ型感放射線樹脂組成物において
、該ノボラック樹脂が（Ａ＞ガラス転移温度（以下ｒＴ
ｇＪという）が８０℃以上のノボラック樹脂と（Ｂ）ガ
ラス転移温度が前記（Ａ）のノボランク樹脂のＴｇより
も３０℃以上低いノボラック樹脂とを含有することを特
徴とするポジ型感放射線樹脂組成物を提供するものであ
る。
本発明においては、（Ａ）Ｔｇが８０℃以上、好ましく
は８０〜２５０℃、特に好ましくは１００〜２５０℃の
ノボラック樹脂と、（Ｂ）Ｔｇが前記（Ａ）のノボラッ
ク樹脂のＴｇよりも３０℃以上、好ましくは３０〜１８
０℃、特に好ましくは５０〜１８０℃低いノボラック樹
脂とを用いる。
は８０〜２５０℃、特に好ましくは１００〜２５０℃の
ノボラック樹脂と、（Ｂ）Ｔｇが前記（Ａ）のノボラッ
ク樹脂のＴｇよりも３０℃以上、好ましくは３０〜１８
０℃、特に好ましくは５０〜１８０℃低いノボラック樹
脂とを用いる。
前記（Ａ）ノボラック樹脂のＴｇが８０℃未満であると
、耐熱性および耐ドライエツチング性が悪くなり、２５
０℃を越えると基板との接着性が悪くなる傾向がある。
、耐熱性および耐ドライエツチング性が悪くなり、２５
０℃を越えると基板との接着性が悪くなる傾向がある。
また、前記（Ｂ）のノボラック樹脂のＴｇと前記（Ａ）
のノボラック樹脂のＴｇとの差が３０℃未満であると基
板との接着性が悪くなり、１８０℃を越えると耐熱性お
よび耐ドライエツチング性が悪くなる傾向がある。
のノボラック樹脂のＴｇとの差が３０℃未満であると基
板との接着性が悪くなり、１８０℃を越えると耐熱性お
よび耐ドライエツチング性が悪くなる傾向がある。
本発明の感放射線樹脂組成物中のノボラック樹脂全量中
における前記（Ａ）のノボラック樹脂の配合量は、好ま
しくは５０〜９８重量％、特に好ましくは８０〜９６重
量％であり、前記（Ｂ）のノボラック樹脂の配合量は、
好ましくは２〜５０重量％、特に好ましくは４〜２０重
量％であるが、必要に応じて前記＜Ａ）および（Ｂ）以
外のノボラック樹脂が３０重量％以下程度配合されてい
てもよい、前記（Ａ）のノボラック樹脂の配合量が多す
ぎるとレジストパターンを形成した後にウェットエツチ
ング方式を適用してエツチングするときにサイドエッチ
が大きくなり、即ち基板に対する接着性に劣るものとな
り、一方少なすぎると耐熱性が悪化することになる。
における前記（Ａ）のノボラック樹脂の配合量は、好ま
しくは５０〜９８重量％、特に好ましくは８０〜９６重
量％であり、前記（Ｂ）のノボラック樹脂の配合量は、
好ましくは２〜５０重量％、特に好ましくは４〜２０重
量％であるが、必要に応じて前記＜Ａ）および（Ｂ）以
外のノボラック樹脂が３０重量％以下程度配合されてい
てもよい、前記（Ａ）のノボラック樹脂の配合量が多す
ぎるとレジストパターンを形成した後にウェットエツチ
ング方式を適用してエツチングするときにサイドエッチ
が大きくなり、即ち基板に対する接着性に劣るものとな
り、一方少なすぎると耐熱性が悪化することになる。
このようなＴｇの異なるノボラック樹脂は、後記するヒ
ドロキシ芳香族化合物類およびアルデヒド類の種類、付
加縮合の条件などを調整することにより容易に得ること
ができる。
ドロキシ芳香族化合物類およびアルデヒド類の種類、付
加縮合の条件などを調整することにより容易に得ること
ができる。
本発明で使用されるアルカリ可溶性樹脂は、ヒドロキシ
芳香族化合物類とアルデヒド類とを酸触媒下に加熱し、
付加縮合して合成される。
芳香族化合物類とアルデヒド類とを酸触媒下に加熱し、
付加縮合して合成される。
ヒドロキシ芳香族化合物類としては、ヒドロキシナフタ
リン類、例えば１−ナフトール、２−メチル−１−ナフ
トール、３−メチル−１−ナフトール、４−メチル−１
−ナフトール、６−メチル−１−ナフトール、７−メチ
ル−１−ナフトール、ｌ−メチル−２−ナフトール、２
−エチル−１−ナフトール、２−プロピル−１−ナフト
ール、２−ブチル−１−ナフトールなどのナフトール類
、１．２−ジヒドロキシナフタリン、１．３−ジヒドロ
キシナフタリン、１゜４−ジヒドロキシナフタリン、１
．５−ジヒドロキシナフタリン、１．６−ジヒドロキシ
ナフタリン、１，７−ジヒドロキシナフタリン、２゜３
−ジヒドロキシナフタリン、２．６−ジヒドロキシナフ
タリン、２，７−ジヒドロキシナフタリンなどのジヒド
ロキシナフタリン 、Ｌ２．３−トリヒドロキシナフタ
リン、１．２゜４−トリヒドロキシナフタリン、１，４
．５−トリヒドロキシナフタリン、１，６．７−）ジヒ
ドロキシナフタリンなどのトリヒドロキシナフタリン類
、１．２．３．４−テトラヒドロナフタリン、１，４．
５．８−テトラヒドロナフタリン、１．２，４．５−テ
トラヒドロナフタリン、１．２．４．６−テトラヒドロ
ナフタリン、１．２．４．７−テトラヒドロナフタリン
、１．２，５．８−テトラヒドロナフタリン、ｌ。
リン類、例えば１−ナフトール、２−メチル−１−ナフ
トール、３−メチル−１−ナフトール、４−メチル−１
−ナフトール、６−メチル−１−ナフトール、７−メチ
ル−１−ナフトール、ｌ−メチル−２−ナフトール、２
−エチル−１−ナフトール、２−プロピル−１−ナフト
ール、２−ブチル−１−ナフトールなどのナフトール類
、１．２−ジヒドロキシナフタリン、１．３−ジヒドロ
キシナフタリン、１゜４−ジヒドロキシナフタリン、１
．５−ジヒドロキシナフタリン、１．６−ジヒドロキシ
ナフタリン、１，７−ジヒドロキシナフタリン、２゜３
−ジヒドロキシナフタリン、２．６−ジヒドロキシナフ
タリン、２，７−ジヒドロキシナフタリンなどのジヒド
ロキシナフタリン 、Ｌ２．３−トリヒドロキシナフタ
リン、１．２゜４−トリヒドロキシナフタリン、１，４
．５−トリヒドロキシナフタリン、１，６．７−）ジヒ
ドロキシナフタリンなどのトリヒドロキシナフタリン類
、１．２．３．４−テトラヒドロナフタリン、１，４．
５．８−テトラヒドロナフタリン、１．２，４．５−テ
トラヒドロナフタリン、１．２．４．６−テトラヒドロ
ナフタリン、１．２．４．７−テトラヒドロナフタリン
、１．２，５．８−テトラヒドロナフタリン、ｌ。
３．４．５−テトラヒドロナフタリンなどのテトラヒド
ロキシナフタリン類、４−メトキシ−１−ナフトール、
４−エトキシ−１−ナフトール、４−プロポキシ−１−
ナフトール、４−ブトレキ−１−ナフトールなどのアル
コキシナフトール類；フェノール類、例えばフェノール
、 ゛０−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、０−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、
ｐ−エチルフェノール、０−ブチルフェノール、ｍ−ブ
チルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシ
レノール、２，４−キシレノール、２．５−キシレノー
ル、３．４−キシレノール、３．５−キシレノール、２
゜３．５−）リメチルフェノール、フェニルフェノール
、ヒドロキノン、カテコール、レゾルシノール、２−メ
チルレゾルシノール、ピロガロールなどを例示すること
ができる。これらヒドロキシ芳香族化合物類は、単独で
または併用して使用することができる。
ロキシナフタリン類、４−メトキシ−１−ナフトール、
４−エトキシ−１−ナフトール、４−プロポキシ−１−
ナフトール、４−ブトレキ−１−ナフトールなどのアル
コキシナフトール類；フェノール類、例えばフェノール
、 ゛０−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、０−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、
ｐ−エチルフェノール、０−ブチルフェノール、ｍ−ブ
チルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシ
レノール、２，４−キシレノール、２．５−キシレノー
ル、３．４−キシレノール、３．５−キシレノール、２
゜３．５−）リメチルフェノール、フェニルフェノール
、ヒドロキノン、カテコール、レゾルシノール、２−メ
チルレゾルシノール、ピロガロールなどを例示すること
ができる。これらヒドロキシ芳香族化合物類は、単独で
または併用して使用することができる。
また、アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド
、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピル
アルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデ
ヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニル
プロピルアルデヒド、０−クロロベンズアルデヒド、ｍ
−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒ
ド、０−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズア
ルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベ
ンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒドなど
を挙げることができる。
、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピル
アルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデ
ヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニル
プロピルアルデヒド、０−クロロベンズアルデヒド、ｍ
−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒ
ド、０−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズア
ルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベ
ンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒドなど
を挙げることができる。
アルデヒド類は、ヒドロキシ芳香族化合物類１モルに対
して、通常、０．７〜３モル、好ましくは１．１〜２モ
ルの割合で使用される。
して、通常、０．７〜３モル、好ましくは１．１〜２モ
ルの割合で使用される。
酸触媒には、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、蟻酸、蓚
酸、酢酸などの有機酸が使用される。
酸、酢酸などの有機酸が使用される。
これらの酸触媒の使用量は、ヒドロキシ芳香族化合物類
およびアルデヒド類の合計量１モル当たりｌＸｌ０ ’
〜５Ｘ１０ ’モルが好ましい。
およびアルデヒド類の合計量１モル当たりｌＸｌ０ ’
〜５Ｘ１０ ’モルが好ましい。
縮合反応においては、通常、反応媒質として水を用いる
が、縮合反応に使用するヒドロキシ芳香族化合物類がア
ルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系
になる場合には、反応媒質として親水性の溶媒を使用す
ることができる。かかる？容媒としては、メタノール、
エタノール、プロパツール、ブタノールなどアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどの環状エーテル類を例示することができる。これ
らの反応媒質の使用量は、反応原料１００重量部あたり
５０〜１，０００重景重量一般的である。
が、縮合反応に使用するヒドロキシ芳香族化合物類がア
ルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系
になる場合には、反応媒質として親水性の溶媒を使用す
ることができる。かかる？容媒としては、メタノール、
エタノール、プロパツール、ブタノールなどアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどの環状エーテル類を例示することができる。これ
らの反応媒質の使用量は、反応原料１００重量部あたり
５０〜１，０００重景重量一般的である。
縮合反応時の反応温度は、反応原料の反応性に応じて適
宜調整することができるが、通常、１０〜１５０℃であ
り、好ましくは７０〜１３０℃である。
宜調整することができるが、通常、１０〜１５０℃であ
り、好ましくは７０〜１３０℃である。
縮合反応に引き続き、通常は系内に存在する未反応モノ
マー、アルデヒド類、酸触媒および反応媒質を除くため
、内温を１３０〜２３０℃に上げ、減圧下、揮発分を留
去し、目的とするノボラック樹脂を回収する。
マー、アルデヒド類、酸触媒および反応媒質を除くため
、内温を１３０〜２３０℃に上げ、減圧下、揮発分を留
去し、目的とするノボラック樹脂を回収する。
また、縮合反応終了後に前記親水性の溶媒に反応混合物
を溶解し、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの沈澱
剤に添加することにより、ノボラック樹脂を析出させ、
析出物を分離し加熱乾燥する方法によってもノボラック
樹脂を回収することができる。
を溶解し、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの沈澱
剤に添加することにより、ノボラック樹脂を析出させ、
析出物を分離し加熱乾燥する方法によってもノボラック
樹脂を回収することができる。
このようにしてノボラック樹脂を製造することができる
が、Ｔｇの異なるノボラック樹脂は、前記製造方法にお
いて、例えば下記のような手段を用いることにより容易
に得ることができる。
が、Ｔｇの異なるノボラック樹脂は、前記製造方法にお
いて、例えば下記のような手段を用いることにより容易
に得ることができる。
即ち高いＴｇのノボラック樹脂を製造する場合には、ト
リヒドロキシナフタリン類、テトラヒドロキシナフタリ
ン類、ジヒドロキシベンゼン類など、本質的にＴｇの高
いノボラック樹脂となるヒドロキシ芳香族化合物を選ぶ
か、幽触媒を増やすことにより高分子量化をはかればよ
い。
リヒドロキシナフタリン類、テトラヒドロキシナフタリ
ン類、ジヒドロキシベンゼン類など、本質的にＴｇの高
いノボラック樹脂となるヒドロキシ芳香族化合物を選ぶ
か、幽触媒を増やすことにより高分子量化をはかればよ
い。
また、低いＴｇのノボラック樹脂を製造する場合は、ク
レゾール類などの、Ｔｇの高いノボラック樹脂となりに
くいヒドロキシ芳香族化合物を選ぶか、酸触媒を少量用
い低分子量の樹脂を合成すればよい。
レゾール類などの、Ｔｇの高いノボラック樹脂となりに
くいヒドロキシ芳香族化合物を選ぶか、酸触媒を少量用
い低分子量の樹脂を合成すればよい。
次に、本発明で使用される１、２−キノンジアジド化合
物は、特に限定されるものではないが、例えば１．２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ｌ、
２ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１
．２ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルな
どを挙げることができ、具体的にはｐ−クレゾール−１
，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル
、レゾルシン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、ピロガロール−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポリ）ヒ
ドロキシベンゼンの１．２−キノンジアジドスルホン酸
エステル類、２．４−ジヒドロキシフェニル−プロピル
ケトン−１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、２．４−ジヒドロキシフェニル−ｎ−へキ
シルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、２．３．４−）リヒドロキシフェニルーｎ−へキ
シルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２．３．４−）ジヒドロキシベンゾフ
ェノン−１，２〜ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、２，３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、２．４．６−）ジヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２，４゜６−ドリヒドロキシベンゾフエノンー１．
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルな
どの（ポリ）ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは
（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケトンの１，２−
キノンジアジドスルホン酸エステル類、ビス（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，４−ジヒドロ
キシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル、ビス（２゜３．４−）す“
ヒドロキシフェニル）メタン−１゜２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル、２．２−ビス（ｐ−
ヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２
゜４−ジヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２．２−
ビス（２，３，４−）ジヒドロキシフェニル）プロパン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テルなどのビス〔（ポリ）ヒドロキシフェニルコアルカ
ンの１． ２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、
３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３．
４−）リヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，４．５
−）リヒドロキシ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３゜４．５−
トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１゜２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポリ）ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは（ポリ）ヒド
ロキシ安息香酸アリールエステルの１，２−キノンジア
ジドスルホン酸エステル類、ビス（２，５−ジヒドロキ
シベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノン−４−ス
ルホン酸エステル、ビス（２，３゜４−トリヒドロキシ
ベンゾイル）メタン−１゜２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、ビス（２，４，６−トリヒド
ロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２゜５−ジ
ヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１゜２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，
３，４−）ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ
−ビス（２，４，６−１リヒドロキシベンゾイル）ベン
ゼン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステルなどのビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイルコ
アルカンまたはビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕
ベンゼンの１．２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、エチレングリコールージ（３，５−ジヒドロキシベ
ンゾイルト）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステル、ポリエチレングリコールージ（３，
４，５−）リヒドロキシベンゾエート）−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポ
リ）エチレングリコールージ〔（ポリ）ヒドロキシベン
ゾエート〕の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル類を挙げることができる。これら例示した１、２−キ
ノンジアジド化合物の他にＪ、Ｋｏｓａｒ著“Ｌｉｇｈ
ｔ−５ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ ”３３９〜
３５２ 、（１９６５）、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆
５ｏｎｓ社（ＮｅｗＹｏｒｋ）や−、Ｓ、Ｄｅ Ｆｏｒ
ｅｓｔ著“Ｐｈｏ ｔｏｒｅｓ ｉｓ ｉ ｔ″５０、
（１９７５） 、 ＭｃＧｒａｗ−旧１１ 、Ｉｎｃ
、 ＋ （Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）に掲載されている１、２
−キノンジアジド化合物を挙げることもできる。
物は、特に限定されるものではないが、例えば１．２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ｌ、
２ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１
．２ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルな
どを挙げることができ、具体的にはｐ−クレゾール−１
，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル
、レゾルシン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、ピロガロール−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポリ）ヒ
ドロキシベンゼンの１．２−キノンジアジドスルホン酸
エステル類、２．４−ジヒドロキシフェニル−プロピル
ケトン−１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、２．４−ジヒドロキシフェニル−ｎ−へキ
シルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テル、２．３．４−）リヒドロキシフェニルーｎ−へキ
シルケトン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２．３．４−）ジヒドロキシベンゾフ
ェノン−１，２〜ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、２，３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノ
ン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、２．４．６−）ジヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、２，４゜６−ドリヒドロキシベンゾフエノンー１．
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルな
どの（ポリ）ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは
（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケトンの１，２−
キノンジアジドスルホン酸エステル類、ビス（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，４−ジヒドロ
キシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル、ビス（２゜３．４−）す“
ヒドロキシフェニル）メタン−１゜２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸エステル、２．２−ビス（ｐ−
ヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２
゜４−ジヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２．２−
ビス（２，３，４−）ジヒドロキシフェニル）プロパン
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テルなどのビス〔（ポリ）ヒドロキシフェニルコアルカ
ンの１． ２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、
３，５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３．
４−）リヒドロキシ安息香酸フェニル−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，４．５
−）リヒドロキシ安息香酸プロピル−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３゜４．５−
トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１゜２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポリ）ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは（ポリ）ヒド
ロキシ安息香酸アリールエステルの１，２−キノンジア
ジドスルホン酸エステル類、ビス（２，５−ジヒドロキ
シベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノン−４−ス
ルホン酸エステル、ビス（２，３゜４−トリヒドロキシ
ベンゾイル）メタン−１゜２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、ビス（２，４，６−トリヒド
ロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２゜５−ジ
ヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１゜２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、ｐ−ビス（２，
３，４−）ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ
−ビス（２，４，６−１リヒドロキシベンゾイル）ベン
ゼン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステルなどのビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイルコ
アルカンまたはビス〔（ポリ）ヒドロキシベンゾイル〕
ベンゼンの１．２−キノンジアジドスルホン酸エステル
類、エチレングリコールージ（３，５−ジヒドロキシベ
ンゾイルト）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステル、ポリエチレングリコールージ（３，
４，５−）リヒドロキシベンゾエート）−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポ
リ）エチレングリコールージ〔（ポリ）ヒドロキシベン
ゾエート〕の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル類を挙げることができる。これら例示した１、２−キ
ノンジアジド化合物の他にＪ、Ｋｏｓａｒ著“Ｌｉｇｈ
ｔ−５ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ ”３３９〜
３５２ 、（１９６５）、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆
５ｏｎｓ社（ＮｅｗＹｏｒｋ）や−、Ｓ、Ｄｅ Ｆｏｒ
ｅｓｔ著“Ｐｈｏ ｔｏｒｅｓ ｉｓ ｉ ｔ″５０、
（１９７５） 、 ＭｃＧｒａｗ−旧１１ 、Ｉｎｃ
、 ＋ （Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）に掲載されている１、２
−キノンジアジド化合物を挙げることもできる。
これらの１．２−キノンジアジド化合物の配合量は、ノ
ボラック樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部で
あり、好ましくは１０〜５０重量部である。５重量部未
満では、１，２−キノンジアジド化合物が放射線を吸収
して生成するカルボン酸量が少ないので、パターニング
が困難であり、１００重量部を超えると、短時間の放射
線照射では加えた１、２−キノンジアジド化合物の総て
を分解することができず、アルカリ性水溶液からなる現
像液による現像が困難となる。
ボラック樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部で
あり、好ましくは１０〜５０重量部である。５重量部未
満では、１，２−キノンジアジド化合物が放射線を吸収
して生成するカルボン酸量が少ないので、パターニング
が困難であり、１００重量部を超えると、短時間の放射
線照射では加えた１、２−キノンジアジド化合物の総て
を分解することができず、アルカリ性水溶液からなる現
像液による現像が困難となる。
本発明の感放射線樹脂組成物には、ノボラック樹脂以外
のアルカリ可溶性高分子化合物を必要に応じて配合する
ことができる。
のアルカリ可溶性高分子化合物を必要に応じて配合する
ことができる。
このようなアルカリ可溶性高分子化合物としては、例え
ばスチレン−アクリル酸共重合体、メチルメタクリレー
ト−メタクリル酸共重合体、メチルメタクリレート−２
−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ブタジェ
ン−スチレン−メタクリル酸共重合体、メチルメタクリ
レート−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタク
リル酸共重合体などを挙げることができる。これらの高
分子化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が１，０００〜１
００，０００ 、好ましくは２．０００〜１０，０００
であって、Ｍｗ／Ｍｎ （Ｍｗ ；重量平均分子量）の
比が２．５未満、好ましくは２未満のものが望ましい。
ばスチレン−アクリル酸共重合体、メチルメタクリレー
ト−メタクリル酸共重合体、メチルメタクリレート−２
−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ブタジェ
ン−スチレン−メタクリル酸共重合体、メチルメタクリ
レート−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタク
リル酸共重合体などを挙げることができる。これらの高
分子化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が１，０００〜１
００，０００ 、好ましくは２．０００〜１０，０００
であって、Ｍｗ／Ｍｎ （Ｍｗ ；重量平均分子量）の
比が２．５未満、好ましくは２未満のものが望ましい。
これらのアルカリ可溶性高分子化合物は、前記ノボラッ
ク樹脂１００重量部に対し、例えば５０重量部以下、好
ましくは３０重量部以下の割合で配合することができる
。
ク樹脂１００重量部に対し、例えば５０重量部以下、好
ましくは３０重量部以下の割合で配合することができる
。
これらのアルカリ可溶性高分子化合物を配合することに
よって、感放射線樹脂組成物を基板に塗布したときの表
面状態並びに皮膜の強度、接着性および現像性などの改
良を行うことができる。
よって、感放射線樹脂組成物を基板に塗布したときの表
面状態並びに皮膜の強度、接着性および現像性などの改
良を行うことができる。
本発明の感放射線樹脂組成物は、微細加工すべき基板上
に塗布し、放射線、例えば紫外線、遠紫外線、電子線、
Ｘ線などを部分的に照射し、現像することによってパタ
ーンを形成することができる。
に塗布し、放射線、例えば紫外線、遠紫外線、電子線、
Ｘ線などを部分的に照射し、現像することによってパタ
ーンを形成することができる。
本発明の感放射線樹脂組成物を基板に塗布する方法とし
ては、本発明の組成物を、例えば濃度が５〜５０重景％
重量るように適当な溶剤に溶解し、これを回転塗布、流
し塗布、ロール塗布するなどの方法が挙げられる。この
際に用いられる適当な溶剤としては、例えばエチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなど
のセロツブエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキサンな
どのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル
類を挙げることができる。これらの溶剤を２種類以上混
合して使用することもできる。
ては、本発明の組成物を、例えば濃度が５〜５０重景％
重量るように適当な溶剤に溶解し、これを回転塗布、流
し塗布、ロール塗布するなどの方法が挙げられる。この
際に用いられる適当な溶剤としては、例えばエチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなど
のセロツブエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキサンな
どのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル
類を挙げることができる。これらの溶剤を２種類以上混
合して使用することもできる。
また、必要に応じ、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシ
ルエーテルなどのエーテル類、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテルなどのグリコールエーテル類、アセトニルアセト
ン、イソホロンなどのケトン類、カプロン酸、カプリル
酸などの脂肪酸類、ｌ−オクタツール、ｌ−ノナノール
、ベンジルアルコールなどのアルコール類、酢酸ベンジ
ル、安息香酸エチル、蓚酸ジエチル、マイレン酸ジエチ
ル、Ｔ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレ
ン、フェニルセロソルブアセテートなどのエステル類の
ごとき高沸点溶剤を添加することができる。
ルエーテルなどのエーテル類、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテルなどのグリコールエーテル類、アセトニルアセト
ン、イソホロンなどのケトン類、カプロン酸、カプリル
酸などの脂肪酸類、ｌ−オクタツール、ｌ−ノナノール
、ベンジルアルコールなどのアルコール類、酢酸ベンジ
ル、安息香酸エチル、蓚酸ジエチル、マイレン酸ジエチ
ル、Ｔ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレ
ン、フェニルセロソルブアセテートなどのエステル類の
ごとき高沸点溶剤を添加することができる。
本発明の感放射線樹脂組成物には、必要に応じて保存安
定剤、色素などを添加配合することもできる。また本発
明の感放射線樹脂組成物と基板との接着力を向上させる
ために、選定した基板に応じて、例えばヘキサメチルジ
シラザン、クロロメチルシランなどを接着助剤として基
板に塗布してもよい。
定剤、色素などを添加配合することもできる。また本発
明の感放射線樹脂組成物と基板との接着力を向上させる
ために、選定した基板に応じて、例えばヘキサメチルジ
シラザン、クロロメチルシランなどを接着助剤として基
板に塗布してもよい。
本発明の感放射線樹脂組成物に適用する現像液としては
、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−
プロピルアミンなどの第一アミン類、ジエチルアミン、
ジ−ｎ−プロピルアミンなどの第三アミン類、トリエチ
ルアミン、メチルジエチルアミンなどの第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなど
のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなど
の第四級アンモニウム塩などのアルカリ類の水溶液、ピ
ロール、ピペリジン、１．８−ジアザビシクロ（５，４
，０）−７−ウンデセン、１．５−ジアザビシクロ（４
，３，０）−５−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が
使用され、金属を含有する現像液の使用が問題となる集
積回路作製時には、第四級アンモニウム塩や環状アミン
の水溶液を使用するのが好ましい。また、前記アルカリ
類の水溶液にメタノール、エタノールのようなアルコー
ル類などの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加し
た水溶液を現像液に使用することもできる。
、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−
プロピルアミンなどの第一アミン類、ジエチルアミン、
ジ−ｎ−プロピルアミンなどの第三アミン類、トリエチ
ルアミン、メチルジエチルアミンなどの第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなど
のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなど
の第四級アンモニウム塩などのアルカリ類の水溶液、ピ
ロール、ピペリジン、１．８−ジアザビシクロ（５，４
，０）−７−ウンデセン、１．５−ジアザビシクロ（４
，３，０）−５−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が
使用され、金属を含有する現像液の使用が問題となる集
積回路作製時には、第四級アンモニウム塩や環状アミン
の水溶液を使用するのが好ましい。また、前記アルカリ
類の水溶液にメタノール、エタノールのようなアルコー
ル類などの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加し
た水溶液を現像液に使用することもできる。
実施例
以下、実施例を挙げ本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、これらの実施例に制
約されるものではない。
本発明はその要旨を越えない限り、これらの実施例に制
約されるものではない。
なお、実施例中、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、Ｄｕ Ｐ
ｏｎｔ ９１０型ＤＳＣ装置を用いて測定した。
ｏｎｔ ９１０型ＤＳＣ装置を用いて測定した。
実施例１
撹拌機、冷却管および温度計を装着した内容積５００ｍ
１の三ツロセパラブルフラスコにｍ−クレゾール１１７
ｇ、、ｐ−クレゾール１３ｇ、３７重量％ホルムアルデ
ヒド水溶液９２ｍ （ｌおよび蓚酸０．０４ｇを仕込ん
だ。攪拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に浸し、
内湯を１ｏ。
１の三ツロセパラブルフラスコにｍ−クレゾール１１７
ｇ、、ｐ−クレゾール１３ｇ、３７重量％ホルムアルデ
ヒド水溶液９２ｍ （ｌおよび蓚酸０．０４ｇを仕込ん
だ。攪拌しながら、セパラブルフラスコを油浴に浸し、
内湯を１ｏ。
℃に保持しながら、３時間３０分反応させた。
その後、油浴温度を１８０℃まで上げ、同時にセパラブ
ルフラスコ内を減圧にして、水、未反応のクレゾール、
ホルムアルデヒドおよび蓚酸を除いた。次いで、溶融し
たアルカリ可溶性ノボラック樹脂〔以下「ノボラック樹
脂ＩＢＪという〕を室温に戻して回収した。
ルフラスコ内を減圧にして、水、未反応のクレゾール、
ホルムアルデヒドおよび蓚酸を除いた。次いで、溶融し
たアルカリ可溶性ノボラック樹脂〔以下「ノボラック樹
脂ＩＢＪという〕を室温に戻して回収した。
ノボラック樹脂ＩＢのＴｇは５５℃であった。
次に、前記においてｍ−クレゾールおよびｐ−クレゾー
ルの代わりにα−ナフトール１１５ｇを用い、蓚酸を０
．３８ｇ用いた以外は前記と同様にして、ノボラック樹
脂〔以下「ノボラック樹脂ＩＡＪという〕を得た。この
もののＴｇは１２４℃であった。
ルの代わりにα−ナフトール１１５ｇを用い、蓚酸を０
．３８ｇ用いた以外は前記と同様にして、ノボラック樹
脂〔以下「ノボラック樹脂ＩＡＪという〕を得た。この
もののＴｇは１２４℃であった。
ノボラック樹脂ｌＡ１０．５ｇ、ノボラック樹脂ＩＢ４
．５ｇおよび２． ４． ６−トリヒドロキシベンゾフ
エノンー１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸トリエステル２．３ｇをセロソルブアセテート５０ｇ
に溶解し、孔径０．２μｍのメンブランフィルタ−で濾
過し、レジスト溶液を調製した。このようにして調製し
たレジスト溶液をスピンナーを用いて０． ７μｍのシ
リコン酸化膜のついたシリコンウェーハに膜厚１．０μ
ｍとなるように塗布し、空気循環式クリーンオーブンを
用い、９０℃で３０分間プレベークした。次いで、これ
に解像度テストチャートクロムマスクを使用し、キャノ
ン■製マスクアライナ−ＰＬＡ−５０１Ｆでパターンを
焼き付けた。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２
．４重量％水溶液で２１℃で６０秒間現像したところ、
最小線幅０．７μｍのレジストパターンを現像すること
ができた。
．５ｇおよび２． ４． ６−トリヒドロキシベンゾフ
エノンー１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸トリエステル２．３ｇをセロソルブアセテート５０ｇ
に溶解し、孔径０．２μｍのメンブランフィルタ−で濾
過し、レジスト溶液を調製した。このようにして調製し
たレジスト溶液をスピンナーを用いて０． ７μｍのシ
リコン酸化膜のついたシリコンウェーハに膜厚１．０μ
ｍとなるように塗布し、空気循環式クリーンオーブンを
用い、９０℃で３０分間プレベークした。次いで、これ
に解像度テストチャートクロムマスクを使用し、キャノ
ン■製マスクアライナ−ＰＬＡ−５０１Ｆでパターンを
焼き付けた。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２
．４重量％水溶液で２１℃で６０秒間現像したところ、
最小線幅０．７μｍのレジストパターンを現像すること
ができた。
また、残膜率は９５％であった。
更に、ここで得られたレジストパターンを空気循環式ク
リーンオープンを用い１４０℃で３０分間ボストベーク
し、弗化水素（４９重重景水溶液）／弗化アンモニウム
（４０重量％水溶液）＝１／６ （容量比）を用いて２
．５℃で６分間エツチングしたところ、サイドエッチ０
．７μｍと滲み込みもない非常に接着性の良い結果とな
った。
リーンオープンを用い１４０℃で３０分間ボストベーク
し、弗化水素（４９重重景水溶液）／弗化アンモニウム
（４０重量％水溶液）＝１／６ （容量比）を用いて２
．５℃で６分間エツチングしたところ、サイドエッチ０
．７μｍと滲み込みもない非常に接着性の良い結果とな
った。
また、レジストパターンの耐熱性の試験として、残膜率
が９０％のレジストパターンを有スるシリコンウェーハ
をホットプレート上で１８０℃で５分間熱処理し、熱処
理の前と後とのレジストパターンの熱によって変形する
ことに起因する解像度差を調ぺたことろ、解像度差は０
． １μｍであった。
が９０％のレジストパターンを有スるシリコンウェーハ
をホットプレート上で１８０℃で５分間熱処理し、熱処
理の前と後とのレジストパターンの熱によって変形する
ことに起因する解像度差を調ぺたことろ、解像度差は０
． １μｍであった。
次に、得られた残膜率が９０％のレジストパターンを有
するシリコン酸化膜の付いたシリコンウェーハを平行平
板型プラズマドライエツチング装置（電極間隔４０ｍｍ
）に装着し、出力１００Ｗ、ガス圧１５Ｐａの条件でテ
トラフルオロメタン／酸素（９５１５（容量比）〕をプ
ラズマ化し、レジストパターンの耐ドライエツチング性
を調べた。レジストパターンがエツチングされる速度に
対するシリコン酸化膜のそれの比を選択比と称するが、
このレジストパターンは、選択比が４．０と非常に高い
値を示し、耐ドライエツチング性が優れていることが確
認された。
するシリコン酸化膜の付いたシリコンウェーハを平行平
板型プラズマドライエツチング装置（電極間隔４０ｍｍ
）に装着し、出力１００Ｗ、ガス圧１５Ｐａの条件でテ
トラフルオロメタン／酸素（９５１５（容量比）〕をプ
ラズマ化し、レジストパターンの耐ドライエツチング性
を調べた。レジストパターンがエツチングされる速度に
対するシリコン酸化膜のそれの比を選択比と称するが、
このレジストパターンは、選択比が４．０と非常に高い
値を示し、耐ドライエツチング性が優れていることが確
認された。
実施例２〜４、比較例１〜２
ノボラック樹脂の混合比を変えた以外、実施例１と同様
にして試験を行い、第１表の結果を得た。実施例２〜４
は、解像度、接着性、耐熱性、耐ドライエツチング性と
もに良い結果になったが、比較例１は接着性が悪く、比
較例２は耐熱性および耐ドライエツチング性が悪い結果
となった。なお、耐熱性および耐ドライエツチング性は
、レジストパターンの残膜率が９０％の場合についての
結果である。
にして試験を行い、第１表の結果を得た。実施例２〜４
は、解像度、接着性、耐熱性、耐ドライエツチング性と
もに良い結果になったが、比較例１は接着性が悪く、比
較例２は耐熱性および耐ドライエツチング性が悪い結果
となった。なお、耐熱性および耐ドライエツチング性は
、レジストパターンの残膜率が９０％の場合についての
結果である。
第１表
発明の効果
本発明のポジ型感放射線樹脂組成物は、耐熱性、耐ドラ
イエツチング性および基板に対する接着性に優れ、かつ
高解像度および高残膜率を有し、ポジ型レジストとして
使用することによって従来のホトレジスト組成物の使用
では得られなかった精度の高いエツチング像を再現性良
く得ることができる。このため半導体集積回路などの製
品の集積度を向上させ、かつ歩留まりを向上させること
ができる。
イエツチング性および基板に対する接着性に優れ、かつ
高解像度および高残膜率を有し、ポジ型レジストとして
使用することによって従来のホトレジスト組成物の使用
では得られなかった精度の高いエツチング像を再現性良
く得ることができる。このため半導体集積回路などの製
品の集積度を向上させ、かつ歩留まりを向上させること
ができる。
手続補正書（自発）
昭和６０年１月Ｚｚ日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ノボラック樹脂と１，２−キノンジアジド化合物と
からなるポジ型感放射線樹脂組成物において、該ノボラ
ック樹脂が（Ａ）ガラス転移温度が８０℃以上のノボラ
ック樹脂と （Ｂ）ガラス転移温度が前記（Ａ）のノボラック樹脂の
ガラス転移温度よりも３０℃以上低いノボラック樹脂と
を含有することを特徴とするポジ型感放射線樹脂組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26637884A JPS61144644A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26637884A JPS61144644A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144644A true JPS61144644A (ja) | 1986-07-02 |
| JPH042180B2 JPH042180B2 (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=17430103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26637884A Granted JPS61144644A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235347A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JP2001287314A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-16 | Toppan Printing Co Ltd | 化粧シート |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135621A (en) * | 1977-05-02 | 1978-11-27 | Hitachi Ltd | Photosensitive composition |
| JPS5423570A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-22 | Seiko Epson Corp | Electronic watch |
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP26637884A patent/JPS61144644A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135621A (en) * | 1977-05-02 | 1978-11-27 | Hitachi Ltd | Photosensitive composition |
| JPS5423570A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-22 | Seiko Epson Corp | Electronic watch |
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235347A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JP2001287314A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-16 | Toppan Printing Co Ltd | 化粧シート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH042180B2 (ja) | 1992-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |