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Sensor für Gasanalyse
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Sensor nach dem Oberbegriff
des Patentanspruches l.
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Aus der DE-OS 24 07 110 ist ein Gassensor mit einem zur Detektion
verwendeten Halbleiterelement und mit einer Selektiveinrichtung bekannt. Das Halbleiterelement
ist ein Feldeffekttransistor mit Source, Drain und einem zwischen Source und Drain
sich erstreckendem, bis an die Oberfläche des Halbleiterkörpers des Elementes reichenden
Kanalbereich. Auf der Oberfläche dieses Halbleiterkörpers befindet sich diesen Kanalbereich
überdeckend als Selektiveinrichtung eine Schicht aus ß-Carotin. Bekanntermaßen ist
dieses Carotin ein für Gase sensitiver Stoff und seine Verwendung führt bei dem
Halbleiter-Feldeffekttransistor zu Ladungsinfluenzierung im Kanalbereich, zu unterschiedlichem
Leitungsverhalten des Feldeffekttransistors und/oder zu geänderter Schwellenspannung.
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Zur Detektion von Wasserstoff, der auch in wasserstoffhaltiger Verbindung
vorliegen kann, sind in Appl. Phys. Letters, Bd. 26 (1975), S. 55 - 57 Gassensoren
beschrieben, die im wesentlichen aus einem MOS-Transistor bestehen, dessen Gate-Elektrode
aus Palladium besteht. Palladium ist wie z.B.
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auch Rhodium ein Metall, das katalytische Wirkung für Wasserstoff
hat und atomaren Wasserstoff aus molekularen Wasserstoffverbindungen abzuspalten
vermag. Der atomare Wasserstoff diffundiert durch das Palladiummetall der Gate-Elektrode
hindurch an die zwischen Elektrode und
Halbleiteroberfläche befindliche
Oxidschicht des Transistors. Der dort absorbierte Wasserstoff bewirkt das Entstehen
einer Dipolschicht, durch deren Vorhandensein sich das Maß der Schwellenspannung
des Transistors verändert.
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Ein wie voranstehend beschriebener Gassensor läßt sich nicht für wasserstofffreie
Gase verwenden. Für eine dementsprechende Gasdetektion ist vorzugsweise für CO-Nachweis
in "ESSDERC", München, Sept. 1979, in "Int. Vac. Conf.", Cannes, Sept.
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1980 und in IEEE Trans. ED 26 (1979), S. 390 - 396, ein MOS-Transistor
beschrieben, dessen Gate-Elektrode vorzugsweise wiederum aus Palladium besteht,
jedoch diese Palladiumelektrode besitzt eine Vielzahl bis zur Metalloxid-Grenzschicht
reichende Löcher.In dem Zusammenhang kommt auch die Verwendung eines NMOS-Transistors
in Frage. Solche Transistoren mit perforiertem Palladiumgate haben eine gute Empfindlichkeit
für Kohlenmonoxid und stark verminderte "Quer"-Empfindlichkeit gegenüber Wasserstoff.
Als Querempfindlichkeit wird hier eine zusätzlich zur eigentlichen gewünschten Empfindlichkeit
des Sensors hinzukommende Empfindlichkeit in bezug auf ein anderes Gas bezeichnet.
Für bekannte Anordnungen ist das Maß der Änderung der Schwellenspannung in Abhängigkeit
von der Gaskonzentration bekannt, wobei eine weitgehend lineare Abhängigkeit zu
beobachten ist. Als nachteilig angesehen wird, daß das Ansprechen eines derartigen
Gassensors ein dynamischer Prozeß ist, der mit einer gewissen zeitlichen Verzögerung
auf die Einwirkung des betreffenden Gases, z.B. des Kohlenmonoxids, einsetzt.
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Ergänzend sei erwähnt, daß eine gegebene Querempfindlichkeit eines
jeweiligen Sensors durch Zusatzmaßnahmen vermindert werden kann. Zum Beispiel kann
bei einem wie zuletzt beschriebenen CO-Sensor die Querempfindlichkeit hinsichtlich
Wasserstoffs durch eine aufgebrachte spezielle Schutzschicht
um
mindestens mehr als eine Größenordnung reduziert werden.
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Außerdem ist auch zu erwähnen, daß die quantitative Empfindlichkeit
und auch die Verzögerungs-Zeitkonstante temperaturabhängig sind.
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Bei voranstehend beschriebenen Gassensoren wurde Palladium verwendet.
Als wasserstoffdurchlässig sind außerdem auch Rhodium, Platin und Nickel bekannt.
Silber besitzt eine ausgeprägte selektive Durchlässigkeit für Sauerstoff.
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Es ist auch ein Gassensor (der Firma Figaro) mit gesintertem Zinndioxid
für brennbare und für einige toxische Gase bekannt, der auf der Basis einer Widerstandsänderung
des leitend gemachten Zinndioxids beruht.
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Unter dem Namen "Pellistor" sind Gassensoren bekannt, die nach dem
Prinzip der Kalorimetrie arbeiten. Ein Pellistor besteht aus zwei Platinwiderstandsdrähten,
auf die je eine poröse Keramikpille aufgesintert ist. Auf eine der beiden Keramikpillen
ist ein Katalysator aufgebracht. Bei katalytischer Verbrennung des nachzuweisenden
Gases ergibt sich für den Platinwiderstandsdraht mit der mit Katalysator beschichteten
Keramikpille eine meßbare Widerstandserhöhung, nämlich gegenüber dem zweiten Platinwiderstandsdraht,
wobei zur Messung diese beiden Platinwiderstandsdrähte in eine Brückenschaltung
eingefügt sind.
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Kalorimetrische Effekte im Zusammenhang mit Katalysatoren sind aus
dem Stand der Technik bekannt. Es sind dies die Verbrennung von Wasserstoff an einem
Platinkatalysator, die Erzeugung von NO aus NH3 mit Platin oder Platin-Rhodium als
Katalysator bei 200 bis 2500 C und von N02 aus NO mit einem Katalysator aus A1203-SiO2-Gel
bei 1000 C, und zwar jeweils
unter Zugabe entsprechenden Sauerstoffs.
S02 läßt sich mit Sauerstoff zu 503 oxidierten, und zwar bei erhöhter Temperatur
mit Hilfe eines Platin-Katalysators, mit Hilfe eines Katalysators aus Fe203 und
mit V205 als Katalysator.
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CO läßt sich mit Hilfe von Palladium bei Temperaturen um oder höher
als 1500 C zu C02 oxidieren. Mittels eines Silber-Katalysators läßt sich bei 200
bis 4000 C Methanol zu HCHO oxidieren.
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Weitere katalytische Prozesse sind aus Gmelins Handbuch der organischen
Chemie", aus Winnacker-Küchler, "Chemische Technologie", aus Ullmans, "Enzyklopädie
der technischen Chemie" und aus Reich, "Thermodynamik", bekannt.
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Weitere Druckschriften, die Halbleitersensoren betreffen sind: IEEE
Trans. on Biomed. Eng., Vol. BME 19, (1972), S. 342-351, IEEE Trans. on Biomed.
Eng., Vol. BME 19, (1972), S.70-71, Umschau, (1970), S. 651, Umschau, (1969), S.
348, DE-PS 1 090 002 US-PS 3 865 550.
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Im Zusammenhang mit selektiver Wirkung für Gase sind Zeolithe bekannt,
die auch als Molekularsieb bezeichnet werden. Solche Molekularsiebe haben die Eigenschaft
Moleküle bestimmter Größenwerte und kleiner durchzulassen und größere Moleküle am
Durchtritt zu hindern. Zahlreiche Beispiele verwendbarer Zeolithe sind bekannt aus:
Grubner u.a. Molekularsiebe VEB Dt. Verl. d. Wissensch., Berlin (1968).
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen für Gasanalyse geeigneten
Sensor anzugeben, mit dem sich ein (vorgebbar bestimmtes oder auch ein unbekanntes)
Gas, gegebenenfalls als Gaskomponente in einem Gasgemisch enthalten, detektieren
läßt. Insbesondere soll der Sensor geeignet sein, simultan selektiv mehrere einzelne,
in einem Gasgemisch enthaltene Gaskomponenten zu detektieren.
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Diese Aufgabe wird mit einem Prinzip mit den Merkmalen des Patentanspruchs
1 gelöst. Aus den Unteransprüchen gehen weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen
der Erfindung hervor.
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Die vorliegende Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß sich die
bereits erwähnte, bisher jedoch als störend angesehene Querempfindlichkeit in positivem
Sinne zur Gasdetektion nutzen läßt, und zwar zur Detektion bzw. Identifizierung
eines bestimmten Gases und/oder für gleichzeitige selektive Detektion einzelner
Gaskomponenten eines vorliegenden Gasgemisches. Zur Realisierung der Erfindung ist
davon ausgegangen worden, daß einzelne unterschiedlich aufgebaute Einzeldetektoren
nicht nur voneinander verschiedene Hauptempfindlichkeit, sondern auch von Detektor
zu Detektor ein unterschiedliches Spektrum der Querempfindlichkeiten gegenüber einzelnen
Gaskomponenten besitzen.
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Für die vorliegende Erfindung ist vorgesehen, eine Anzahl Einzeldetektoren
mit voneinander verschieden wirksamen Selektiveinrichtungen zu versehen, so daß
diese Einzeldetektoren jeweilige spezifische Haupt- und Querempfindlichkeiten aufweisen.
Eine Anzahl derartiger mit den Selektiveinrichtungen zueinander unterschiedlich
gemachte Einzeldetektoren sind bei der Erfindung zu einem Array zusammengefaßt.
Insbesondere ist für die Zusammenfassung Technologie integrierter Halbleiterschaltungen
und deren Herstellung angewendet. Die Einzeldetektoren können an sich be-
kannte
gasempfindliche Elemente, wie z.B. die oben erwähnten bekannten Gassensoren (der
Fa. Figaro) sein. Es können dies auch gasempfindliche Feldeffekt-Transistoren, z.B.
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Silizium-FET's sein. "Selektiveinrichtungen" ist im Sinne der Erfindung
weitgefaßt zu verstehen, wie dies oben und auch nachfolgend erörtert ist. Zum Beispiel
kann durch speziell gewählte Betriebstemperatur eines Einzeldetektors eine Selektivität
gegenüber anderen Einzeldetektoren bewirkt sein. Bevorzugt sind als jeweilige Selektiveinrichtungen
Zeolith-Schichten bzw. Molekularsiebe zu verwenden, mit denen der jeweils entscheidende
Empfindlichkeitsbereich des Detektorelements, z.B. das Gate des jeweiligen einzelnen
Feldeffekt-Transistors, überdeckt ist. Die vorgesehenen Zeolithe sind an sich bekannter
Art und können z.B. aus dem Stand der Technik jeweils ausgewählt werden.
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Aufgrund des bei der Erfindung angewendeten, oben bereits erwähnten
Prinzips der Mustererkennung genügt es für einen erfindungsgemäßen Gassensor, daß
er eine Anzahl m im obengenannten Sinne voneinander verschiedener Einzeldetektoren
umfaßt. Mit diesen ist man in der Lage, simultan eine Anzahl n Gase zu detektieren,
wobei n auch größer als m sein kann. DieF beruht auf der bei der Erfindung vorteilhafterweise
ausgenutzten, ansonsten unerwünschterweise auftretenden Querempfindlichkeiten der
verschiedenen Einzeldetektoren.
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Weitere Erläuterungen der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung
zu Ausführungsbeispielen und Weiterbildungen der Erfindung hervor.
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Figur 1 zeigt ein Schaubild zur Mustererkennung.
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Figur 2 zeigt ein Diagramm mit Sensorempfindlichkeiten.
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Figur 3 zeigt ein Schema eines Sensors.
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Die als ein erläuterndes Beispiel dienende schematische Darstellung
der Figur 1 zeigt das Prinzip eines Gassensors mit einem Detektorarray'mit den Einzeldetektoren
D1, D2 bis Dm. Für die einzelnen Gase bzw. für die Gaskomponenten G1, G2, G3 ...
Gj ... Gn eines Gasgemisches sind für die Einzeldetektoren D1, D2... die in der
Matrix 4 in der jeweiligen zugehörigen Spalte der Matrix 4 angegebenen Empfindlichkeiten
angenommen. Ein Pluszeichen bedeutet hohe Empfindlichkeit bzw. Hauptempfindlichkeit,
ein Andreaskreuz bedeutet dagegen deutlich mindere Empfindlichkeit und ein Minuszeichen
steht für Unempfindlichkeit des betreffenden Einzeldetektors gegenüber der betreffenden
Gaskomponente G1, G2 .... Die Einzeldetektoren bilden die Zeile 2 und die Gaskomponenten
die Spalte 3 zur Matrix 4. Es sei darauf hingewiesen, daß eine solche Matrix z.B.
auch lediglich nur zwei Einzeldetektoren D1 und D2 besitzt.
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Die untere Zeile enthält die einzelnen Signalausgänge der Einzeldetektoren
D1, D2 ..., die jeweilige Signale S1, 52 bis Sm liefern. Das Signal S1 z.B. ist
ein integrales Signal für die Empfindlichkeiten des Einzeldetektors D1 gegenüber
den Gaskomponenten G1, G2 bis Gn. Es enthält auch die Information, daß der Einzeldetektor
D1 gegenüber den Gaskomponenten Gj und Gn unempfindlich ist. Sinngemäß entsprechendes
sagen die übrigen Signale S2 bis Sm aus.
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Sofern z.B. die Gaskomponenten G2 und Gn nicht vorhanden sind, unterscheidet
sich ein dann zu erhaltendes Signal S'1 vom Signal S1 darin, daß der ansonsten auf
der Gaskomponente G2 beruhende Signalanteil, hier sogar eine Hauptempfindlichkeit
des Einzeldetektors gegenüber der Gaskomponente G2, im Signal S'1 fehlt. Das Fehlen
der Gaskomponente Gn liefert ersichtlich keinen Beitrag zum vorliegenden Unterschied
von
S'1 gegenüber S1. Das bei z.B. Fehlen der Gaskomponenten G2
und Gn auftretende Signal S'm unterscheidet sich vom Signal Sm darin, daß der Signalanteil
der Hauptempfindlichkeit gegenüber der Gaskomponente Gn und die mindere Empfindlichkeit
gegenüber der Gaskomponente G2 fehlen.
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Mit 5 ist eine Mustererkennungs-Matrix bezeichnet, die nach Art einer
Logik arbeitet. Dieser Matrix werden wie ersichtlich die Detektorsignale, d.h. im
jeweiligen Einzelfall die für eine Gaskomponentenmischung x tatsächlich auftretenden
Signale S1 bis Sm zugeführt. Diese Matrix 5 ist in der Lage, aus der Gesamtheit
der zugeführten Signale S1 bis Sm, d.h. aus der Anzahl m Signale auf das Vorhandensein
bzw.
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Nichtvorhandensein einzelner Gaskomponenten aus einer in die Mustererkennungsmatrix
einprogrammierten Anzahl n Gaskomponenten zu schließen. Dabei kann die Anzahl m
sogar (um eine sprechende relative Zahl) kleiner als die Anzahl n sein. Es sei angemerkt,
daß auch das Vorhandensein eines nicht-einprogrammierten Gases (aufgrund eines nicht
zuzuordnenden Restsignals) wenigstens festzustellen ist.
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Der Matrix 4 entspricht mathematisch ausgedrückt das Gleichungssystem
(aij Gj) mit i von 1 bis m für die Signale S1 bis Sm.
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Die aij mit j verschieden von i sind die oben erwähnten Querempfindlichkeiten.
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Im Stand der Technik wurde und wird angestrebt, solche Detektoren
zu entwickeln, die möglichst kleine Querempfindlichkeiten aufweisen, d.h. bei denen
die Matrixelemente für i verschieden von j möglichst klein gegenüber den
Matrixelementen
aij mit i gleich j sind. Dies erfordert für jede Gaskomponente mindest einen eigenen
Einzeldetektor, d.h. m muß gleich oder größer als n sein.
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Bei der Erfindung dagegen werden die Querempfindlichkeiten a.; mit
i verschieden von j in erfindungswesentlichem Maße genutzt und ausgewertet. Bei
der Erfindung sind Querempfindlichkeiten gerade erwünscht, was dem bisherigen Entwicklungsstand
sogar entgegengesetzt gerichtet ist. In der Ausnutzung der Querempfindlichkeiten
ist begründet, daß bei der Erfindung die Anzahl m der Einzeldetektor ohne weiteres
kleiner sein kann als die Anzahl n der zu detektierenden Gaskomponenten.
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Wenn die aij konstante Werte der jeweiligen Empfindlichkeit des betreffenden
Einzeldetektors Si sind, eingeschlossen der Wert Null, ergibt sich ein lineares
Gleichungssystem, das mit Hilfe der Mustererkennungsmatrix 5 gelöst wird. Sofern
die aij eine Funktion abhängig vom Vorhandensein der über die Gaskomponente Gj hinaus
vorhandenen weiteren Gase G...
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ist, wird mit Hilfe entsprechender Eichung die Mustererkennungsmatrix
5 in die Lage. versetzt, auch dieses Gleichungssystem zu lösen.
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Es sind hierzu die entsprechenden Eichungen des aus den Einzeldetektoren
bestehenden Detektorarrays unter Verwendung jeweils bekannter, unterschiedlicher
Gasmischungen vorzunehmen. Entsprechendes gilt, wenn die Empfindlichkeiten eine
Funktion der vorliegenden Konzentration des jeweiligen Gases Gj für j = i und/oder
der weiteren vorhandenen Gase Gj für j X i ist. Die Mustererkennungsmatrix 5 wird
dann derart ausgerüstet, daß sie Iterationen durchzuführen vermag, mit deren Hilfe
auch in diesem Falle die eindeutige Zuordnung möglich ist, d.h. die Lösung auf an
sich bekanntem mathe-
matischem Wege mit Hilfe der Mustererkennungsmatrix
5 zu erhalten ist.
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Das Verfahren der Eichung und Mustererkennung kann mathematisch auch
als eine Art der Bildung von Korrelationskoeffizienten verstanden werden. Dazu folgendes
Beispiel: Für jede zum Zwecke der Eichung vorgegebene Gaskomponente G.
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* J werden in dem Eichverfahren die Signale S ij für j von 1 bis
* lJ n vermittelt. Diese i . j Werte von S ij werden in einem Speicher der Mustererkennungsmatrix
5 abgespeichert. Bei der Messung des zu bestimmenden Gasgemisches werden die Korrelationskoeffizienten
ß. gemäß folgender Vorschrift J bestimmt:
| i=m * |
| ß. = Summe 5. S |
| J i = 1 lj |
Der Korrelationskoeffizient ß. gibt dann den Anteil der zu J bestimmenden Gaskomponenten
G. an.
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J Die Mustererkennungs-Matrix 5 hat die in Spalte 7 angegebenen Ausgänge
Al bis An für die Anzahl n Gaskomponenten G1 bis Gn. An diesen Ausgängen A lassen
sich die Einzelwerte für die betreffenden Gaskomponenten abnehmen.
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Das Schaubild der Figur 2 zeigt Meßergebnisse für die einzelnen Gase
Ammoniak, Toluol, Wasserstoff, Benzol, Methanol, Wasser und Aceton, die mit drei
Einzeldetektoren D1, D2 und D3 ermittelt worden sind. Auf der Ordinate ist in beliebigen
Einheiten die Empfindlichkeit des jeweiligen Detektors D1, D2 oder D3 gegenüber
dem jeweiligen einzelnen der angegebenen Gase aufgetragen. Die Einzeldetektoren
D1 bis D3 unterscheiden sich voneinander darin, daß ihre als Selektiveinrichtung
vorgesehene jeweilige Zeolithschicht verschieden ist, nämlich für den Einzeldetektor
D1 eine Zeolithschicht mit Durchlässigkeit bis zu 0,3 nm verwendet ist. Für die
Detektoren D2 bzw. D3 ist je eine Zeolith-
schicht mit bis zu 0,4
nm bzw. 0,9 nm verwendet.
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Für ein jeweiliges Gasgemisch, das mehr oder weniger viele der oben
angegebenen Gase (oder Dämpfe) enthält, ergibt sich für den Detektor D1 ein entsprechender
Summenwert S1 aus den Einzelempfindlichkeiten. Entsprechendes gilt für die Detektoren
D2 und D3. Es ist nunmehr ersichtlich, daß sich mit der Erfindung aufgrund der unterschiedlichen
Abhängigkeiten der Empfindlichkeiten der einzelnen Einzeldetektoren gegenüber dem
einzelnen der jeweiligen Gase eine Gasdetektion nach dem Prinzip der vorliegenden
Erfindung durchführen läßt.
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Figur 3 zeigt einen schematischen Aufbau eines Gassensors mit Einzeldetektor-Array.
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Die Einzeldetektoren D1 bis D9 können im Handel bereits erhältliche
einzelne Detektoren sein, die voneinander unterschiedliche Empfindlichkeiten gegenüber
voneinander verschiedenen Gasen bzw. Dämpfen haben.
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Vorzugsweise sind Halbleiter-Einzeldetektoren D1 bis D9 vorgesehen
und in integrierter Weise auf einem Substratkörper 21 angeordnet. Insbesondere besteht
der Substratkörper aus einem Halbleitermaterial, vorzugsweise Silizium. Vorteilhafterweise
ist wenigstens der wesentliche Teil der erforderlichen Elektronik mit auf den Substratkörper
21 integriert. Auch in Figur 3 ist die Mustererkennungs-Matrix der Figur 1 mit 5
bezeichnet. Die neun Ausgänge S1 bis S9 der Einzeldetektoren D1 bis D9 und die zwölf
Ausgänge Al bis A12 der Matrix 5 sind entsprechend bezeichnet.
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Ein solcher Aufbau nach dem Schema der Figur 3 ist mit Hilfe der erprobten
Halbleitertechnologie mit relativ geringem Aufwand und dabei dennoch höchster technischer
Präzision
herzustellen. Dabei ist es kein Problem, auch eine relativ
große Anzahl Einzeldetektoren D1, D2 ... , z.B. bis zu Einzeldetektoren, miteinander
und mit der Matrix 5 für die Mustererkennung zu integrieren.
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Es ist oben bereits darauf hingewiesen, daß die Einzeldetektoren D1,
D2 ... voneinander unterschiedliche Eigenschaften haben, die auf einer jeweils verwendeten
bzw. zugeordeten speziellen Selektiveinrichtung beruhen. Der jeweils zugehörige
Grundaufbau eines Einzeldetektors D1, D2...
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ist vorzugsweise identisch. Dieser Grundaufbau kann eine Diode (siehe
Fig. 3) oder ein Feldeffekt-Transistor sein.
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Insbesondere sind dies MOS-Halbleiterelemente, die sich zudem vorzüglich
in integrierter Halbleitertechnik herstellen lassen. Der Vollständigkeit halber
sei darauf hingewiesen, daß das Detektorarray (2 in Figur 1) auch gemischt Dioden
und Feldeffekt-Transistoren als Einzeldetektoren sinnvoll enthalten kann. Z.B. gibt
es Fälle, bei denen sich für ein und dieselbe Selektiveinrichtung für eine Diode
ein solches Ausgangssignal ergibt, dessen Signal komponenten für die einzelnen Gase
G1, G2 ... Unterschiede gegenüber denjenigen Signalkomponenten hat, die ein Feldeffekt-Transistor
mit der gleichen Selektiveinrichtung lie'fert.
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Einer, mehrere der bzw. alle Einzeldetektoren D1 bis D9 können auch
solche Einzeldetektoren sein, die aus jeweils zwei Detektorelementen bestehen wobei
diese zwei Detektorelemente eines Paares in Brückenschaltung geschaltet sind. Dabei
hat immer das jeweils eine Detektorelement eines Paares eine Selektiveinrichtung
u-nd das andere Detektorelement ist als Referenzelement wirksam.
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Hinsichtlich der Selektiveinrichtungen ist bereits sowohl auf die
Verwendung unterschiedlicher katalytisch wirkender Stoffe, insbesondere Metalle,
als auf die Verwendung von integrierten Zeolithschichten bzw. Molekularsieben auf
den Einzeldetektoren hingewiesen worden, nämlich um diesen voneinander unterschiedliche
Empfindlichkeit gegenüber einzelnen Gasen bzw. Gaskomponenten eines Gasgemisches
zu verleihen. Sinngemäß selektives Verhalten kann auch in unterschiedlichen Ansprech-Zeitkonstanten
bestehen. Die Erfindung läßt sich auch mit entsprechend unterschiedlich empfindlichen
Spektrometerdioden für ein Detektorarray realisieren.
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Es kann vorgesehen sein, daß die Detektoren D1 bis D9 einzeln bei
verschiedenen Temperaturen bzw. ein oder mehrere dieser Detektoren auf von den übrigen
(bei "Zimmertemperatur" betriebenen) Detektoren abweichender Temperatur gebracht
bzw. gehalten werden. Hierzu dienen die angedeuteten Stromzuführungen H1 bis Hm
Der Heizstrom kann auch moduliert sein, was zu entsprechend charakteristischer Empfindlichkeit
führt.
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7 Patentansprüche 3 Figuren