DE3227606A1 - Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

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DE3227606A1 DE19823227606 DE3227606A DE3227606A1 DE 3227606 A1 DE3227606 A1 DE 3227606A1 DE 19823227606 DE19823227606 DE 19823227606 DE 3227606 A DE3227606 A DE 3227606A DE 3227606 A1 DE3227606 A1 DE 3227606A1
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Germany
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aluminum
film
semiconductor device
conductive layer
aluminum oxide
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DE19823227606
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English (en)
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Tamotsu Kokubunji Tokyo Usami
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Verbesserung der Zuverlässigkeit,indem Gegenmaßnahmen gegen Feuchtigkeit getroffen werden.
Eine der wesentlichen Fehlerquellen für Halbleitervorrichtungen sind Feuchtigkeitsmängel, die durch Nässe verursacht werden. Diese Feuchtigkeitsmängel werden durch Korosion von Aluminium (Al) in der Halbleitervorrichtung verursacht. Entsprechend dem Stand der Technik wird Aluminium in weitem Umfang als Material für Halbleitervorrichtungen verwendet, weil es gut verarbeitbar und billig ist. Verwendet wird Aluminium in Halbleiterchips für Leiterbahnen, für Anschlußflecken und Anschlußbahnen für die elektrische Verbindung von Anschlußflecken und einer Leiterstütze. Das dabei verwendete Aluminium neigt zum Korodieren, wenn es mit Feuchtigkeit in Berührung kommt, die in das Gehäuse eingedrungen ist. Diese Korosion tritt vorzugsweise dann auf, wenn Ionen wie Na oder Cl" l oder Schmutz in der Nachbarschaft des Aluminiums vorhanden sind oder wenn an der Aluminiumschicht eine Vorspannung anliegt.
Im Stand der Technik sind verschiedene Vorschläge gemacht worden, um Feuchtigkeitsmängel zu verhindern. Bei einem der bekannten Verfahren wird mit Rücksicht darauf, daß Aluminiumoxid (Al2O3) eine ausgezeichnete Korosionsbeständigkeit besitzt, die Oberfläche von Aluminium oxidiert, so daß sich ein Aluminiumoxidfilm bildet und das Aluminium aufgrund dieses korosionsbeständigen Oxidfilmes an einer Korosion gehindert wird. In der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 52-117551 ist beispielsweise offenbart, daß die Oberflächen einer Anschlußleiterbahn und eines Anschlußfleckens oxidiert sind und Oxidfilme bilden. In. der
japanischen Offenlegungsschrift Nr. 53-9470 ist andererseits beschrieben, daß die Oberfläche einer Aluminiumleiterbahn in einem Chip oxidiert ist und einen Oxidfilm bildet.
Ganz gleich, wie ausgezeichnet die Korosionsbeständigkeit eines Aluminiumoxidfilmes ist, es existiert kein praktisches Produkt, bei dem ein Anschlußflecken aus Aluminium und ein damit zu verbindendefAnschlußdraht eine oxidierte Oberfläche mit Oxidfilmen besitzen. Die Verhinderung von Feuchtigkeitsfehlern hängt vielmehr von der Gasdichte eines Bauteils, d.h. von verbesserten Eigenschaften des Harzmaterials ab. Die Grund dafür, daß beim Stand der Technik die Verwendung eines Aluminiumoxidfilms auf der Oberfläche von Aluminium zum Zweck der Verhütung von Feuchtigkeitsfehlern fehlgeschlagen ist, liegt darin, daß beim Stand der Technik der Aluminiumoxidfilm nicht in einer zufriedenstellender Weise ausgebildet worden ist. Insbesondere ist es beim Stand der Technik nicht gelungen, in effektiver Weise einen Aluminiumoxidfilm mit einer gleichförmigen Dicke und einer ausgezeichneten Korosionsbeständigkeit zu bilden. Diese Ursache ist bisher nicht klar geworden und führte damit zu erheblichen Schwierigkeiten.
Weiterhin besteht bei dem Aufbau nach dem Stand der Technik das Problem, daß die Verdrahtung häufig an dem Anschlußfleckenteil bricht, so daß sie keine guten Verbindungen haben kann. Dies erklärt sich daraus, daß dann, wenn die freigelegte .Oberfläche des Anschlußfleckens zur Bildung eines Aluminiumoxidfilms oxidiert wird, das oxidierte Gebiet nicht bloß auf den Oberflächenteil beschränkt ist, sondern einen tiefen Teil der Aluminiumschicht erreicht und damit die Verbindung zwischen der Aluminiumschicht des Anschlußfleckens und der Aluminiumschicht der Leiterbahnen verschlechtert.
Bei der Konstruktion nach dem Stand der Technik besteht weiterhin das Problem, daß die Korosionsbeständigkeit nicht in einem genügenden Ausmaß verbessert wird. Dies ist deshalb so, weil die unter einem letzten Passivations-
film liegende Aluminiumleiterbahn zu einer Korosion aufgrund von Feuchtigkeit veranlaßt wird, die durch einen in dem letzten Passivationsfilm gebildeten Sprung eingedrungen ist.
Demzufolge ist es Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung mit hoher.Zuverlässigkeit anzugeben, bei der die Leiterbahnschicht einschließlich eines Anschlußfleckens aus Aluminium und dessen Anschlußdraht an einer Korosion gehindert werden, in_-dem Aluminiumoxidfilme auf den Oberflächen der Leiterbahnschicht und des Anschlußdrahtes gebildet werden.
Weiterhin ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildung von Aluminiumoxidfilmen sowohl auf einem aus Aluminium hergestellten Anschlußflecken wie auch auf einem aus Aluminium bestehenden Anschlußdraht, der mit dem Anschlußflecken verbunden ist, zu bilden.
Diese Aufgabe wird mit einer im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Halbleitervorrichtung gelöst, die erfindungsgemäß nach der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Weise ausgestaltet ist.
Weitere, vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Gemäß einem ersten Merkmal der vorliegenden Erfindung sind das Material zur Bildung der Anschlußflecken und das Material zur Bildung des Anschlußdrahtes Aluminiummaterialien, die Additiva enthalten und eine identische Ionisationstendenz besitzen.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird darüberhinaus dann, wenn der nicht mit einem letzten Passivationsfilm bedeckte Oberflächenteil eines Aluminium-Anschlußfleckens und die Oberfläche des aus Aluminium bestehenden Anschlußdrahtes für die Bildung von Aluminiumoxidfilmen oxidiert werden sollen, diese Oxidationen ausgeführt, indem die Leiter, die mit den jeweiligen Anschlußdrähten verbunden sind, kurz geschlossen werden.
Nach einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung besteht ein Anschlußflecken aus zwei, einer oberen und einer unteren,Aluminiumschichten, von denen die untere Aluminiumschicht die Leiterbahn zu dem Anschlußflecken bildet, wohingegen die obere Aluminiumschicht einen Anschlußteil bildet, und der Anschlußdraht aus Aluminium wird an dem aufgeschichteten Teil befestigt, in dem die beiden Aluminiumschichten verbunden sind.
Nach einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung sind zwei Aluminiumoxidfilme vorgesehen, von denen der eine durch Oxidation der Oberfläche der unter dem letzten Passivationsfilm liegenden Aluminiumschicht gebildet wird, und der andere durch eine Oxidation von sowohl eines Oberflächenteils des aus Aluminium bestehenden Anschlußfleckens, der nicht mit dem Passivationsfilm bedeckt ist, als auch der Oberfläche des Anschlußdrahtes aus Aluminium gebildet wird.
Auf diese Weise ist die vorliegende Erfindung in der Lage, die .Zuverlässigkeit einer Halbleitervorrichtung, insbesondere einer Gießharz-Halbleitervorrichtung, bemerkenswert zu verbessern.
Folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben und näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Teil eines
fertigen Produktes einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht, die schematisch einen Anschlußflecken der Halbleitervorrichtung der Fig. 1 vergrößert darstellt; und
Fign. 3A bis 3F, 4 und 5 Querschnitte, die den
Herstellungsprozeß der Halbleitervorrichtung : nach Fig. 1 verdeutlichen.
Die Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Dieses Ausführungsbeispiel zeigt einen Aufbau, bei dem die vorliegenden Erfindung auf eine harz-zergossene
Halbleitervorrichtung angewendet.ist. Die Halbleitervorrichtung ist als ganze in ein Harz 31 eingebettet, mit Ausnahme eines Teils der Zuleitung 4, die den externen Anschluß bildet. Die linke Seite des Querschnittes der Halbleitervorrichtung ist in der Fig. 1 weggelassen.
Mit dem Bezugszeichen 1 ist ein Silizium-Halbleitersubstrat bezeichnet. In diesem Substrat ist ein Halbleiterelement gebildet, das in Fig. 3A dargestellt ist. über dem Substrat 1 ist eine Aluminiumschicht 6 ausgebildet, die sich auf einem ersten Zwischenschicht-Isolationsfilm 5 befindet, der aus SiO2 besteht. Diese Aluminiumschicht bildet sowohl einen Teil des Anschlußfleckens 28 mit einer gemäß der Erfindung geschichteten Struktur als auch einen Teil einer unteren Leiterbahnschicht zum Verbinden des Anschlußfleckens 28 mit einem anderen Teil (d.h. einer Aluminiumschicht 81). Auf dieser Aluminiumschicht 6 ist ein zweiter Zwischenschicht-Isolationsfilm 7 aus SiO-ausgebildet, auf dem" zweite Aluminiumschichten 80 "und ausgebildet sind. Diese Aluminiumschichten bestehen aus Aluminiummaterialien, die 1% Silizium (Si) und 1% Kupfer (Cu) enthalten.
Jene Aluminiumschichten bilden die obere Leiterbahnschicht 81 und den Anschlußteil 80, der einen Teil des Anschlußfleckens 28 bildet, welcher gemäß der vorliegenden Erfindung eine geschichtete Struktur besitzt. Dank der geschichteten Struktur des Anschlußfleckens 28, der aus der erwähnten Aluminiumschicht 6 und dem Anschlußteil 80 besteht, ist es möglich, einen Bruch zu verhindern, der anderenfalls während der späteren Oxidation des Aluminiums für die Bildung eines Aluminiumoxidfilms 12 an dem Teil des Anschlußfleckens auftreten kann.
Der Siliziumzusatz wird zugefügt, um zu verhinder, daß bei einer Wärmebehandlung Aluminium nach beiden Seiten diffundiert oder in einem Teil, in dem es ein Halbleitergebiet unter Bildung einer flächenhaften Übergangszone kontaktiert, reagiert, so daß die Verbindungszone unterbrochen wird. Kupfer wird andererseits zugefügt, um zu
verhindern, daß eine Aluminiumleiterbahn aufgrund von Ionenwanderungsphänomenen (Elektromikration) unterbrochen wird. Die Bezugszeichen 90 und 91 bezeichnen Aluminiumoxidfilme/ die auf der Oberseite und der Seitenfläche des Anschlußteiles 80 und auf der Oberseite und der Seitenfläche der Aluminiumleiterbahnschicht 81 (d.h. auf den Oberflächen, die nicht in Kontakt mit dem Zwischenschicht-Isolatiensfilm 5 stehen) jeweils ausgebildet sind, und die durch Oxidation der Oberflächen des Anschlußteiles 80 und der Aluminiumleiterbahnschicht 81 gebildet werden. Die so gebildeten Aluminiumfilme bestehen im wesentlichen aus Al-O-. Die Aluminiumoxidfilme 90 und 91 sind unter einem später beschriebenen letzten Passivationsfilm angeordnet, so daß sie als Schützfilme dienen um zu verhindern, daß die Aluminiumschicht 81 korodiert, und sie tragen zu einer Verhinderung der Korosion insbesondere dann bei,-wenn ein Sprung oder ähnliches in dem letzten Passivations- ___ film auftritt.
Die gesamte Oberfläche des Chips mit Ausnahme des Anschlußfleckens 28 wird mit dem letzten, abschließenden Passivationsfilm 27 bedeckt, der aus einem Phosphorsilikatglassfilm (PSG) besteht.
Die in soweit beschriebene Struktur ist mit einem Gold-Silizium-Eutektikum 3 an einen streifenförmigen Leiter 2 angegossen (angelötet). Der streifenförmige Leiter 2 bildet einen Teil der Leiterplatte und besteht aus einer 42-Legierung (oder aus Phosphorbronze).
Andererseits bildet der äußere Verbindungsleiter 4 einen Teil der Leiterplatte und besteht aus der Legierung 42 (oder aus Phosphorbronze), und eines seiner Enden ist mit einem aufgedampften Aluminiumfilm 11 für die Verbindung mit einem Anschlußdraht versehen, sein anderes Ende tritt aus dem Harz 31 heraus.
Das Bezugszeichen 10 bezeichnet einen Anschlußdraht, der verwendet wird um den äußeren Verbindungsleiter 4 und den Anschlußflecken 28 miteinander zu verbinden, und dessen eines Ende mit dem Anschlußflecken 28 und dessen
anderes Ende mit dem aufgedampften Aluminiumfilm 11 verbunden ist/ der auf dem äußeren Verbindungsleiter 4..aufliegt. Dieser Anschlußdraht besteht aus einem Aluminiummaterial, das 3% Silizium und 1% Kupfer enthält. Gemäß der Erfindung bedeutet dies, daß das Material für den Anschlußdraht die gleiche Ionisationstendenz besitzt wie das Material des Anschlußteiles 80.
Der Erfinder hat die Ursachen untersucht, aufgrund derer es nicht gelang, einen in hohem Maße korosionsbeständigen Aluminiumoxidfilm mit einer gleichförmigen Dicke zu erzielen, und er hat herausgefunden, diese Ursachen aus einer (elektrochemischen) Zellenreaktion herrühren, die lokal in der Nachbarschaft einer solchen, oxidierten Teiles auftritt, wenn die Oberfläche von Aluminiummaterial zur Bildung eines Aluminiumoxidfilmes oxidiert wird. Diese Untersuchungen haben ebenfalls ergeben, daß eine der Ursachen für das Auftreten der lokalen (elektrochemischen) Zellenreaktion aus dem Unterschied zwischen dem Material der Aluminiumleiterbahnschicht, die den Anschlußflecken bildet, und dem Material des Aluminiumdrahtes herrührt.
Gewöhnlich werden Silizium und Kupfer der Aluminiumleiterbahnschicht zugefügt, wohingegen Silizium und Magnesium dem Aluminiumdraht zugesetzt werden. Entsprechend den Unterschieden der Materialien und der Mengen der unterschiedlichen Zusätze - ausgenommen Silizium -, die unterschiedliche Ionisationstendenzen besitzen und dem Aluminium zugesetzt werden, ergibt sich ein Unterschied in der lonisationstendenz zwischen der Aluminiumleiterbahnschicht und dem Aluminiumdraht.
Der Aluminiumleiterbahnschicht wird beispielsweise Kupfer (Cu) zugesetzt, um eine Materialwanderung (Elektromigration) zu verhindern. Dem Aluminiumdraht wird andererseits Magnesium (Mg) zugesetzt, um die Härte (insbesondere während des Verbindungsschrittes) hoch zu machen. In diesen Fall ist, wie die Experimente des Erfinders ergeben haben, die Oxidationsgeschwindigkeit der Aluminiumleiter-
bahnschicht im wesentlichen gleich zu der von reinem Aluminium, wo hingegen die Oxidationsgeschwindigkeit des Aluminiumdrahtes sehr viel höher als die von reinem Aluminium ist, so daß sich auf ihm ein dickerer Aluminium-5 oxidfilm bildet als auf dem Teil der Leiterbahnschicht. Es hat sich herausgestellt, daß dies einerseits durch den Umstand verursacht wird, daß eine lokale Zelle entsprechend der Feuchtigkeit und den beiden, unterschiedliche Ionisationstendenzen besitzenden Substanzen gebildet wird, und teilweise durch den Umstand, das Ionisationstendenzen von Aluminium durch die Ungleichungen Mg > A£ > Cu ausgedrückt werden können. Insbesondere wird eine Reaktion zwischen der Feuchtigkeit und dem Aluminium durch die katalytische Wirkung von Magnesium, das eine höhere Ionisationstendenz als Aluminium hat, vorangetrieben, so daß ein stabiles Aluminiumoxid gebildet wird. Da Kupfer eine niedrigere Ionisationstendenz als Aluminium hat, ergibt^ sich die oben beschriebene katalytische Wirkung nicht, so daß die Oxidationsgeschwindigkeit des Aluminiums im wesentliehen gleich der von reinem Aluminium ist. Darüber hinaus wirddieser Unterschied in den Oxidationsgeschwindigkeiten weiter als Ergebnis des Umstandes vergrößert, daß die Bewegung von Elektronen während der Oxidation durch die erwähnte lokale Zellenreaktion beschränkt wird.
Die vorliegende Erfindung gründet sich auf die erwähnten, von dem Erfinder durchgeführten Untersuchungen. In dem gemäß der Erfindung die Aluminiumleiterbahnschicht, die den Anschlußflecken bildet, und der Aluminiumdraht aus Materialien gemacht WBicden, die eine gleich große Ionisationstendenz besitzen, ist es möglich, das Auftreten der lokalen Zellenreaktion zu verhindern, die anderenfalls durch den Unterschied in den Ionisationstendenzen der Aluminiumleiterbahnschicht..und des Aluminiumdrahtes verursacht würde. Durch Verhinderung dieser Reaktion können die Wachstumsgeschwindigkeiten der Oxidfilme, die auf den Oberflächen von diesen beiden gebildet werden, gleich groß gemacht werden, so daß man eine gleichförmige Dicke erzielen kann. Da weiterhin die Oxidationen mit einer gleichen Geschwindigkeit
über die gesamten Oberflächen voranschreiten, kann man Aluminiumoxidfilme mit einer ausgezeichneten Qualität erreichen. Da weiterhin im Unterschied zum Stand der Technik eine gleichförmige Dicke erzielt wird, wird der Nachteil verhindert, daß einer der Oxidfilme eine größere als die notwendige Dicke hat, also die notwendige Dicke beibehält, so daß die Bildung der Oxidfilme besonders wirkungsvoll ausgeführt werden kann.
Die sich ergebenden, insoweit beschriebenen Wirkungen sind nicht auf den Fall beschränkt, daß der Zusatz für das Aluminiumgebiet Kupfer ist. Insbesondere können dann, wenn eine Substanz mit irgendeiner Ionisationstendenz als Zusatz entweder für den Aluminium-Anschlußflecken oder den Verbindungsdraht benützt wird, die erwähnten Wirkungen gemäß der vorliegenden Erfindung erreicht werden, wenn die gleiche Substanz zu dem jeweils anderen dieser beiden zugesetzt wird, ganz gleich welcljer Art der Zusatz ist. Bei diesem Fall ist es wünschenswert, daß die zugesetzte Menge jeweils soweit wie möglich gleich groß ist.
übrigens kann die Härte des Aluminiumdrahtes, die bei dem Verbindungsschritt ansteigen kann, an den Verbindungszweck angepaßt werden, indem ihm Silizium und Kupfer zugesetzt wird.
Die Aluminiumoxidfilme 12 und 13 werden so ausgebildet, daß sie die Oberflächen des Verbindungsteils 80 und des Anschlußdrahtes 10 der so gebildeten Drahtverbindungsstruktur bedecken. Diese beiden Aluminiumoxidfilme werden durch Oxidation der Oberflächen der Aluminiumgebiete, die sie bedecken, gebildet, und sie bestehen im wesentlichen aus AiI3O3. Die beiden Aluminiumoxidfilme sind so gebildet, daß sie in einen einheitlichen Film übergehen. Indem die Aluminiumoxidfilme in der in soweit beschriebenen Weise gebildet werden, wird verhindert, daß der Anschlußdraht 10 und der Anschlußteil 80 korrodieren und es wird erreicht, daß ihre Beständigkeit gegen Feuchtigkeit bemerkenswert verbessert wird.
Mit dem Bezugszeichen 12, 13 und 14 sind andererseits Aluminiumoxidfilme bezeichnet, die eine zusammenhängende Schicht bilden und die simultan durch Oxidation des Anschlußteiles 80, des Anschlußdrahtes 10 und des aufgedampften Aluminiumfilmes 11 gebildet werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden sowohl die Aluminiumoxidfilme 90 und 91, die die obere, unter dem letzten Passivationsfilm liegenden Aluminiumleiterbahnschicht bedecken, als auch die Aluminiumoxidfilme 12 und 13 (und 14) gebildet, welche den Aluminiumdraht und den Anschlußflecken (und den aufgedampften Aluminiumfilm) bedecken. Weiterhin sind die Aluminiumoxidfilme 12 und 90 so ausgebildet, daß sie auf dem Anschlußteil 80 einen zusammenhängenden Film bilden.
Daher wird gemäß der vorliegenden Erfindung verhindert, daß das Aluminium aufgrund einer Zusammenwirkung zwischen der Feuchtigkeit, die von der Außenseite des IC entweder in das Harz 31 selbst oder durch den Spalt zwischen dem Harz 31 und dem Leiter 4 eindringt, und den enthaltenen Ionen von Verunreinigungen korrodiert. Durch die Aluminiumoxidfilme 12, 13 und 14 wird verhindert, daß der Anschlußteil 80, der Aluminiumdraht 10 und der aufgedampfte Aluminiumfilm 11 korrodieren. Da weiterhin diese Aluminiumoxidfilme ineinander übergehen, kann die Korrosion auch nicht von den zwischen diesen drei Gebieten liegenden Grenzen ausgehen. Weiterhin wird die Korrosion der oberen Aluminiumleiterbahnschicht 81 durch den Aluminiumoxidfilm 91 auch dann verhindert, Venn in dem' letzten Passivationsfilm 27 sich ein Sprung aufgrund der Gußspannung, die durch die Brückenreaktionen des Gebietes oder aufgrund von Schrumpfspannungen infolge einer Differenz zwischen den Koeffizienten der thermischen Ausdehnung der jeweiligen Gebiete oder aufgrund verschiedener anderer mechanischer Spannungen gebildet wird. Da weiterhin die Aluminiumoxidfilme 12 und 90 so gebildet werden, daß sie ineinander übergehen, kann verhindert werden, daß eine Korrosion durch den Spalt
zwischen dem Endteil des letzten Passivationsfilms 27 und dem Anschlußteil 80 vordringt.
Die Figur 2 zeigt schematisch eine Draufsicht auf den oxidierten Anschlußflecken 28 der Figur 1. In dieser Figur sind zur Vereinfachung die Aluminiumoxidfilme 12 oder 13 entfernt, um das darunterliegende Aluminiumgebiet 80 oder 10 zu zeigen.
Die erste Aluminiumschicht 6, die den Anschlußflecken 28 der geschichteten Struktur bildet, wie dies durch die einfach strichpunktierte Linie angedeutet ist, und der die zweite Aluminiumschicht bildende Anschlußteil 80, der durch die doppelt strichpunktierte Linie angedeutet ist, sind miteinander direkt über ein Kontaktloch 32 verbunden das entsprechend den gestrichelten Linien in dem (nicht dargestellten) dazwischen vorhandenen Zwischenschichtisolationsfilm gebildet ist. Das bedeutet, daß im Gebiet des Kontaktlochs 32 der Anschlußflecken 28 aus einer geschichteten Struktur besteht, bei der die erste und die zweite Aluminiumschicht 6 bzw. 80 miteinander in direktem Kontakt stehen. Der Schritt zum Befestigen des Anschlußdrahtes wird so ausgeführt, daß er sich über den Teil dieser geschichteten Struktur, d.h. über das Kontaktloch 32 erstreckt. Insbesondere wird der Schritt zum Verbinden des Drahtes so ausgeführt, daß das Anschlußgebiet, in dem der Aluminiumdraht 10 und der Anschlußteil 80 kontaktiert werden, vollständig das Kontaktloch 32 überdeckt, wie dies durch die durchbrochenen Linien 33 in der Figur dargestellt ist..
Damit ist es möglich, einen Bruch des Anschlußfleckens vollständig zu verhindern, der andernfalls auftreten kann, wenn der Aluminiumoxidfilm 12 durch Oxidation des Anschlußteiles 80 gebildet wird. Dieser Aluminiumoxidfilm 12 wird auf diesen Gebieten gebildet mit Ausnahme sowohl des Teiles, der durch den PSG-FiIm 27 bedeckt ist als auch des Anschlußgebietes 33 (das mit dem Aluminiumdraht 10 bedeckt ist), und weiterhin nicht auf dem unter dem Kontakt-
loch 32 liegenden Teil. Demzufolge wird selbst dann, wenn der Anschlußteil 80 von seiner Oberfläche bis zum Boden durchoxidiert wird, und damit der Aluminiumoxidfilm 12 den darunterliegenden Zwischenschicht-Isolationsfilm 7 erreicht, eine elektrische Verbindung mit einem ausgezeichneten Ausmaß durch die geschichtete Struktur in dem Kontaktloch 32 erzielt. Der Anschlußteil in dem Anschluß gebiet 33, der mit dem Aluminiumdraht 10 bedeckt ist, wird nicht oxidiert, weil er nicht Feuchtigkeit in einer oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt ist. Demzufolge bleibt die Verbindung zwischen dem Anschlußteil 80 und der darunterliegenden Aluminiumschicht 6 über das Kontaktloch 32 in einem ausgezeichneten Maße erhalten.
Die Figuren 3A bis 3F, 4 und 5 zeigen den Herstellungsprozeß für eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Auf einem P-artigen Silizium-Halbleitersubstrat 1 wird mit einem an sich bekannten Verfahren ein beispielsweise in Figur 3A dargestelltes Halbleiterelement gebildet. Dieses Halbleiterselement ist ein NPN-artiger, bipolarer Transistor, dessen Kollektorgebiet von einer N -artigen vergrabenen Schicht 15 und einer N -artigen epitaxialen Schicht 17 gebildet wird, dessen Basisgebiet aus einem P-dotierten Gebiet 19 besteht und dessen Emittergebiet von einem N -dotierten Gebiet 20 gebildet wird. Um diesen bipolaren Transistor von einem anderen Halbleiterelement zu isolieren sind sowohl ein Feldoxidfilm 18, der aus SiO-besteht, und ein P -dotierter Kanalstopper 16, der unter dem Feldoxidfilm liegt, vorgesehen. Der P -dotierte Kanalstopper 16 und die N -dotierte vergrabene Schicht 15 werden mit Ionenimplantation oder ähnlichen vor der Bildung der epitaxialen Schicht 17 hergestellt. Der Feldoxidfilm 18 wird andererseits durch lokale Oxidation der epitaxialen Schicht 17 gebildet.
Nach der Herstellung des insoweit beschriebenen Halbleiterelementes wird die gesamte Oberfläche des Substrates mit einem SiOo-FiIm 5 als ersten Zwischenschicht-
Isolationsfilm mit einem CVD-Verfahren (chemisches Abscheiden aus der Gasphase) bedeckt. Sodann werden Kontaktlöcher 23, 22 und 21 geöffnet, die jeweils dem Kollektor-, dem Basis- und dem Emittergebiet entsprechen. Sodann wird entsprechend der Figur 3B eine erste Leiterbahnschicht gebildet. Auf der gesamten Oberfläche des SiO^-Filmes 5 wird eine erste Aluminiumschicht mit einer Dicke von 2 ym durch Aufdampfen im Vakuum abgeschieden. Die Aluminiumschicht wird mit einem Muster versehen und auf eine gewünschte Gestalt gebracht, so daß die Aluminiumschicht 6 gebildet wird, die einen Teil des Anschlußfleckens 28 mit der geschichteten Struktur bildet, und die eine Verbindungsleitung zwischen dem Anschlußflecken 28 und einem anderen Gebiet in dem Chip liefert. Simultan hiermit werden weiterhin Aluminiumleiterbahnschichten 24, 25 und 26 für die Verbindung der jeweiligen Halbleitergebiete gebildat.
Entsprechend der Figur 3C werden eine zweite Leiterbahnschicht und der Anschlußteil 80 des Anschlußfleckens 2 8 gebildet. Der SiO2 -FiIm 7 wird auf der gesamten Oberfläche mit einem CVD-Verfahren als zweiter Zwischenschicht-Isolationsfilm gebildet. Sodann wird das Kontaktloch zum Verbinden der Leiterb'ahnschichten und des Kontaktlochs zum Bilden des Anschlußfleckens 28 in der geschichteten Struktur geöffnet. Danach wird die gesamte Oberfläche mittels Aufdampfen im Vakuum mit einer Aluminiumschicht versehen, die eine Dicke von 4 ym besitzt und 1 % Silizium und 1 % Kupfer enthält. Diese wird sodann mit einem Muster versehen und auf die gewünschte Gestalt gebracht, so daß der Anschlußteil 80 des die geschichtete Struktur besitzenden Anschlußfleckens 28 gebildet wird. Gleichzeitig damit wird die zweite Leiterbahnschicht 81 gebildet.
Daraufhin wird entsprechend der Figur "3D eine erste Aluminiumoxidation ausgeführt, um die Aluminiumoxidfilme 90 und 91 zu bilden. Indem man die Halbleiterscheibe als Ganze in eine Atmosphäre mit .einer Temperatur von 1200C
und einem Dampfdruck von 2 atm über 10 Minuten aussetzt, werden die frei liegenden Oberflächen der mit dem Muster versehenen Aluminiumleiterbahnschicht 81 und der Anschlußteil 80 oxidiert» Durch diese Oxidationen werden die Aluminiumoxidfilme 90 und 91 gebildet. Diese Aluminiumoxidfilme bestehen hauptsächlich aus Ai^0O· Die Aluminiumoxidfilme sind unter dem später zu bildenden letzten Passivationsfilm angeordnet und dienen als Schutzfilme zum Schutz der Aluminiumschichten 80 und 81 vor Korrosion, sie sind insbesondere als Korrosionsschutz in einem Fall wirksam, bei dem ein Sprung in dem letzten Passivationsfilm gebiüidet wird.
Sodann wird entsprechend der Figur 3E der Phosphosilikatglasf ilm 27 als letzter Passivationsfilm auf der gesamten Oberfläche durch ein CVD-Verfahren mit einer Dicke von 8000 S (800 nm) abgeschieden. Dann werden sowohl der Aluminiumoxidfilm 90 wie der Phosphosilikatglasfilm 27 auf dem Anschlußteil 80 entfernt mit Hilfe eines Trockenätzprozesses wie z»B. einem Plasmaätzprozeß, wodurch die Aluminiumoberfläche des Anschlußteiles 80 freigelegt wird. Die auf diese Weise mit dem letzten Passivationsfilm bedeckte,Halbleiterscheibe wird in einzelne, getrennte Tabletten aufgeteilt, die anschließend an den streifenförmigen Leiter auf der leiterplatte angelötet (die-bonded) werden.
Die beiden Enden des Aluminiumdrahtes 10 werden mit dem Anschlußflecken auf der Tablette und mit dem äußeren Verbindungsleiter der Leiterplatte jeweils verbunden. Dieser Aluminiumdraht besteht aus einem Aluminiummaterial mit einem Durchmesser von 30 ym, das 1 % Silizium und 1 % Kupfer enthält. Das für diesen Aluminiumdraht verwendete Material hat die gleiche lonisationstendenz wie das des Anschlußteiles 80, wie oben beschrieben worden ist.
Die lokale (elektrochemische) Zellenreaktion, die durch den Unterschied in den Ionisationstendenzen während der später beschriebenen zweiten Aluminium-Oxidation aus-
gelöst würde, wird verhindert, so daß sich ein Aluminiumoxidfilm mit einer ausgezeichneten Qualität und einer gleichförmigen Dicke bildet. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Verfahrensschritt für das Befestigen des Anschlußdrahtes in dem Teil ausgeführt, in dem der Anschlußflecken 28 die geschichtete Struktur entsprechend der Figur 2 aufweist, d.h. über dem Kontaktloch 32. Weiterhin wird dieser Verfahrensschritt des "Anbondens" so ausgeführt, daß die die Verbindung bildende Oberfläche des Anschlußdrahtes die das Kontaktloch .32 einschließende Oberfläche bedeckt, übrigens ist der draht-verbundene Zustand klar anhand der Figuren 1, 3F und 4 ersichtlich.
Sodann wird entsprechend der Figur 3F eine zweite Aluminiumoxidation ausgeführt, um die Aluminiumoxidschichten 12, 13 und 14 zu bilden. Zunächst werden die äußerst dünnen Aluminiumoxidfilme, die sich von selbst auf den freigelegten Oberflächen des Anschlußteiles 80, der Ober- ~f"Iäche des Aluminiumdrahtes 10 und des im Vakuum aufgedampften Aluminiumfilmes 11 (vgl. Fig. 1) auf der Leiteraußenseite der Figur bilden , in einer Vorbehandlung vor der Aluminiumoxidation entfernt. Hierzu werden diese Oberflächen beispielsweise in Oxalsäure getaucht, so daß sie abgeätzt werden. Diese Vorbehandlung dient dazu, den Aluminiumoxidfilm, der später gebildet wird, dicht zu machen und einen Film mit einer gleichförmigen Dicke zu bilden. Sodann wird die zweite Aluminiumoxidation ausgeführt, indem die Leiterplatte, an der die Tabletten befestigt sind, als Ganze einer Atmosphäre von 12O°C und mit einem Dampfdruck von 2 atm ausgesetzt wird. Die freigelegte Oberfläche des Anschlußteiles 80, die Oberfläche des Aluminiumdrahtes 10 und der im Vakuum aufgedampfte Aluminiumfilm 11 der Leiteraußenseite der Figur werden oxidiert, so daß sich Aluminiumoxidfilme 12, 13 bzw. 14 bilden. Diese Aluminiumoxidfilme bestehen hauptsächlich aus AA2Oq* Die Aluminiumoxidfilme 12, 13 und 14 dienen als Schutzfilme um zu verhindern, daß der Anschlußteil 80, der Aluminiumdraht 10 und der im Vakuum aufgedampfte Aluminiumfilm 11 an der Leiter-Außenseite der Figur korro-
dieren. Dabei werden die Aluminiumoxidfilme 12, 13 und 14 so gebildet, daß sie nicht nur ineinander, sondern auch in den Aluminiumoxidfilm übergehen, der unter dem letzten Passivationsfilm liegt und der bereits mit der ersten Aluminiumoxidation gebildet worden ist, so daß, wie nachfolgend noch beschrieben wird, mit hoher Wirksamkeit eine Korrosion verhindert wird.
Kennzeichnend für die Erfindung ist, daß alle Leiter mit einem Kurzschlußteil 34 entsprechend der Figur 4 kurzgeschlossen werden, wenn die zweite Aluminiumoxildation ausgeführt wird.
Der Erfinder, hat die Ursachen dafür untersucht, weshalb es nicht gelang, in effizienter Weise einen Aluminiumoxidfilm mit einer ausgezeichneten Korrosionsbeständigkeit und einer gleichförmigen Dicke zu bilden und er hat herausgefunden, daß diese Ursachen in einer Zellen-Reaktion liegen, die sich lokal in der Nachbarschaft des oxidierten Teiles einstellt, wenn die Oberfläche des Aluminiummaterials zur Bildung eines Oxidfilmes oxidiert wird.
Nach den Ergebnissen der Untersuchungen des Erfinders hat sich herausgestellt, daß eine der Ursachen für diese lokale Zellenreaktion daraus herrührt, daß das Potential an den jeweiligen Anschlußflecken und Letern unterschiedlich ist aufgrund von Potentialdifferenzen an den PN-Grenzen in dem Halbleitersubstrat und aufgrund von Kontaktpotential differenzen an den Teilen, die die Halbleitergebiete und die Aluminiumleiterbahnen verbinden. Die algebraischen Summen der Potentialdifferenzen an den PN-Grenzen und der Kontaktpotentialdifferenzen an den jeweiligen Halbleitergebieten mit den Aluminiumleiterbahnen verbindenden Teilen erscheinen als relative Potentialdifferenzen der jeweiligen Anschlußflecken. Da die Anschlußbedingungen für alle Leiter gleich sind, werden die Potentialdifferenzen der Anschlußflecken so, wie sie sind, zu relativen Potentialdifferenzen zwischen den jeweiligen Leitern. Wenn der Chip in diesem Zustand einer nassen Atmosphäre ausgesetzt wird, so wirken
die Potentialdifferenz zwischen den Leitern entsprechend zu der Kontaktpotentialdifferenz zwischen zwei Substanzen einer Batterie und einem Lösungsmittel, so daß also eine äquivalente lokale Batterie gebildet wird.
Beispielsweise ist nach den von dem Erfinder ausgeführten Experimenten dann, wenn ein erster Anschlußflecken mit einem bestimmten Potential mit einem zweiten Anschlußflecken verbunden ist, der ein höheres Potential als der erste Anschlußflecken hat, die Geschwindigkeit für die BiI-dung des Aluminiumoxidfilmes auf dem erwähnten ersten Anschlußflecken höher als die für die Bildung des Aluminiumoxidfilmes auf dem zweiten Anschlußflecken, so daß sich ein dicker Aluminiumoxidfilm bildet. Dies rührt daher, daß die bei der Oxidationsreaktion erzeugten Elektronen zu der Seite des relativ höheren Potentials (d.h. zur Seite des zweiten Anschlußfleckens) angezogen werden. Mit anderen Worten werden die in dem ersten Anschlußflecken erzeugten-' Elektronen zu der Seite des zweiten Anschlußfleckens herübergezogen. Dementsprechend beginnt der erste Anschlußflecken mit seiner Aluminiumionisation, weil- die Elektronen außerhalb des Systems der Oxidationsreaktion gehalten werden, so daß er leichter oxidiert wird. Demgegenüber wird bei dem zweiten Anschlußflecken die Aluminiumionisation durch die überschüssigen Elektronen herabgesetzt oder unterdrückt, so daß er nur zögernd oxidiert wird.
Die Erfindung beruht auf den erwähnten von dem -Erfinder ausgeführten Untersuchungen. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden alle vier Leiter 4 mittels des Kurzschlußteiles 34 elektrisch kurzgeschlossen. Dadurch, daß alle Leiter kurzgeschlossen sind,ist es möglich, die lokale (elektrochemische) Zellenreaktion zu verhindern, die sonst durch die Potentialdifferenzen zwischen jenen Leitern verursacht würde, und die Wachstumsgeschwindigkeiten aller Aluminiumoxidschichten werden gleich, so daß man einen Film mit einer gleichförmigen Dicke erhalten kann. Da weiterhin die Oxidationsreaktion mit einer gleichförmigen Geschwindigkeit
auf der gesamten Oberfläche fortschreitet, ist es möglich, einen ausgezeichneten Oxidfilm mit einer gleichförmigen Dicke zu erhalten. Da weiterhin im Unterschied zum Stand der Technik die Filmdicke gleichmäßig gemacht werden kann, wird der Nachteil verhindert, daß ein anderes Gebiet eine größere Filmdicke als erforderlich ist, sondern eine notwendige Dicke erreicht, so daß die Aluminxumoxidation in effektiver Weise ausgeführt werden kann.
Daraufhin wird die gesamte Struktur in ein Harz 31 eingegossen, und der Kurzschlußteil 34 wird nachfolgend abgeschnitten zur Bildung von Leitern 4 mit einer gewünschten Gestalt.
Sodann wird entsprechend der Darstellung der Figur die harzvergossene Halbleitervorrichtung beispielsweise in eine Lösung von Schwefelsäure (H2SO-) eingetaucht, um die Oxidfilme von. den Oberflächen der Leiter 4 zu entfernen. Im einzelnen wird der unerwünschte Oxidfilm, der sich auf den Oberflächen der Leiter aus der Legierung 42 (oder Kupferbronze) gebildet hat, weil die Leiter für die Aluminxumoxidation einer feuchten Atmosphäre ausgesetzt worden sind, ausschließlich und lokal entfernt, in dem der Unterschied zwischen den Eigenschaften des Aluminiumoxidfilms und des unerwünschten Oxidfilms ausgenutzt werden. Zu diesem Zweck wird eine Lösung von Schwefelsäure als Lösungsmittel verwendet, die nicht auf den Aluminiumoxidfilm einwirkt, aber die nur den anderen Oxidfilm ätzt, so daß der Oxidfilm von den Leitern 4 entfernt wird, wenn die Leiter 4 in diese Lösung für etwa 5 Minuten eingetaucht werden. Selbst wenn hierbei die Lösung von Schwefelsäure in das Harz eindringt, so werden doch der im Vakuum aufgedampfte Aluminiumfilm, der Aluminiumdraht und der Anschlußflecken durch die Alumxniumoxidschxcht geschützt, so daß sie letztlich nicht beeinflusst werden.
Auf diese Weise kann der Oxidfilm, der sich auf den Oberflächen der Leiter während der Aluminxumoxidation gebildet hat, nach dem Schritt des Eingießens in Harz ent-
fernt werden, indem der Unterschied in seinen Eigenschaften gegenüber dem Aluminiumoxidfilm ausgenützt wird. Denzufolge wird wenigstens derjenige Oxidfilm auf den Oberflächen der Leiter, der außen freiliegt, vollständig entfernt, so daß saubere Oberflächen der Leiter außen freiliegen. Demzufolge können die elektrischen Verbindungen in einem ausgezeichneten Maß erzielt werden, so daß die Zuverlässigkeit.des IC erhöht wird. Wenn andererseits die Leiteroberflächen in einem Lötschritt mit Lötmittelschichten überzogen werden, so kann der Lötvorgang in einem zufriedenstellenden Ausmaß ausgeführt werden, ohne daß für den Lötvorgang die Leiter einer umständlichen Oberflächenbehandlung unterzogen werden müssen.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die insoweit beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann vor dem Eingießen in ein Harz der Chip mit einem weichen_3Zorlackierungsharz wie z.B. dem RTV-11-Harz überzogen werden. Dann ist es möglich, die Aluminiumdrähte vor einem Bruch aufgrund von Harzspannungen zu schützen und zu verhindern, daß das Harz und die Aluminiumdrähte sich voneinander trennen und Feuchtigkeit die Tabletten (Pellets) erreichen kann. Es ist ebenfalls möglich, die Feuchtigkeitsbeständigkeit zu verbessern.
Weiterhin kann die vorliegende Erfindung auch auf andere Bauelemente als die harzvergossenen Typen angewendet werden, z.B. auf keramische oder Glas-Bauelemente, so daß bei Ausnutzung der Merkmale der jeweiligen Bauteile die Kosten reduziert werden und gleichzeitig die Zuverlässigkeit hoch ist.
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Claims (13)

  1. P4.TFNTAN·. 'ALTE
    STREHL SCHÜBEL-HOPF SCHULZ 3 227606
    WIDENMAYERSTRASSE 17, D-8000 MÜNCHEN 22
    HITACHI, LTD. 23. Juli 19 82
    DEA-25 749
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung PATENTANSPRÜCHE
    /1/. Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch
    ein Halbleitersubstrat (1) mit einem darin ausgebildeten Schaltungselement, wobei das Halbleitersubstrat einen auf einem Isolationsfilm (5) angeordneten Anschlußflecken (28) aufweist, der auf der Hauptseite ausgebildet ist und aus einem Aluminiummaterial besteht, das einen Metallzusatz und eine bestimmte Ionisationstendenz besitzt, einen Leiter (4), der in der Nachbarschaft des Halbleitersubstrates (1) angeordnet ist,
    einen Anschlußdraht (10), der aus einem Aluminiummaterial besteht und dessen eines Ende mit dem Anschlußflecken (28) und dessen anderes Ende mit dem Leiter (4) verbunden ist, wobei das Aluminiummaterial des Anschlußdrahtes (10) das gleiche Material als Metallzusatz enthält wie das Aluminiummaterial des Anschlußfleckens (2 8), und durch
    einen .Aluminiumoxid!1 iIm (12, 13, 14), der sowohl auf der Oberfläche des Anschlußdrahtes wie auf der Oberfläche des Anschlußfleckens gebildet ist und der auf der Außenseite des Anschlußteiles zwischen dem Anschlußflecken (28) und dem Anschlußdraht (10) liegt.
  2. 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Metallzusatz des Anschlußfleckens (28) ein Kupfer enthaltendes Material ist.
  3. 3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach :einem der Ansprüche 1 oder 2, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte Herstellen eines Halbleitersubstrates (1), das ein darin gebildetes Schaltungselement und eine Vielzahl von Anschlußflecken (28) aufweist, die auf einem Isolationsfilm (5) auf der Hauptfläche des Halbleitersubstrats gebildet sind und aus einem Aluminiummaterial bestehen, wobei eine Vielzahl von Leitern (4) vorgesehen sind, die in der Nachbarschaft des Halbleitersubstrates (1) enden und von denen ein jeder einem Anschlußflecken (28) entspricht, Verbinden der Anschlußflecken(28) und der entsprechenden Leiter (4) mittels Drähten (10) aus einem Aluminiummaterial und
    Ausbilden von Filmen aus Aluminiumoxid (12, 13) auf den Oberflächen der Anschlußdrähte (10) und der Anschlußflecken (2 8) durch Oxidation dieser Oberflächen, wobei die Vielzahl von Leitern (4) elektrisch miteinander verbinden sind,
    so daß diese Leiter (4) auf einem gleichen Potential liegen.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die folgenden weiteren Verfahrensschritte Eingießen des Halbleitersubstrates (1) und eines Teils der Leiter (4) in ein Harz und
    Entfernen der Oxidfilme von den Oberflächen der Leiter (4).
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch
    eine erste leitende Schicht auf einem ersten Isolationsfilm (5) über einem Halbleitersubstrat (1), einen zweiten Isolationsfilm (7) auf der ersten leitenden Schicht mit einem Kontaktloch, das einen Teil der ersten leitenden Schicht (7) zur Außenseite freilegt, eine zweite leitende Schicht (80) aus Aluminium, die auf dem zweiten Isolationsfilm (7) ausgebildet ist und denjenigen Teil der ersten leitenden Schicht (6), der durch das Kontaktloch zur Außenseite freigelegt ist, bedeckt, einen Anschlußdraht (10),der so mit der zweiten leitenden Schicht (80) verbunden ist, daß er das Kontaktloch überdeckt, und durcheinen Film (12) aus einem Aluminiumoxid, der auf demjenigen Oberflächenteil der zweiten leitenden Schicht (80) gebildet ist, der sich von dem Oberflächenteil unterscheidet, mit dem der Anschlußdraht verbunden ist.
  6. 6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußdraht (10) aus Aluminium besteht und an seiner Oberfläche mit einem Aluminiumoxid (13) überzogenist.
  7. 7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet , daß die erste leitende Schicht (6) aus Aluminium besteht.
  8. 8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch die weiteren Verfahrensschritte Herstellen einer ersten leitenden Schicht (6) auf dem ersten Isolationsfilm (5) über dem Halbleitersubstrat, Überziehen der ersten leitenden Schicht mit einem Isolationsfilm, der ein Kontaktloch besitzt, um einen Teil der ersten leitenden Schicht zur Außenseite freizulegen,
    ff*
    Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht (80) im Bereich des KOntaktlochs und auf dem zweiten Isolationsfilm (7), Verbinden eines Anschlußdrahtes (10) mit der zweiten leitenden Schicht (80), so daß er das Kontaktloch überdeckt
    und
    Ausbilden eines Films (12) aus Aluminiumoxid auf dem Oberflächenteil der zweiten leitenden Schicht (80), der verschieden ist von dem Oberflächenteil, an dem der Anschlußdraht (10) befestigt ist.
  9. 9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß der Anschlußdraht (10) aus Aluminium besteht und an seiner Oberfläche mit einem Film (13) aus Aluminiumoxid überzogen wird, gleichzeitig mit dem Ausbilden eines Aluminiumöxidfilmes (120 auf der zweiten leitenden Schicht (80).
  10. 10. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2, 5 bis 7, gekennzeichnet durch eine auf einem ersten Isolationsfilm über einem Halbleitersubstrat (1) gebildete Aluminiumschicht, einem auf der Oberfläche der Aluminiumschicht gebildeten Film aus Aluminiumoxid,
    einen zweiten, auf dem Aluminiumoxidfilm gebildeten Isolationsfilm, ein derart in dem Aluminiumoxidfilm und in dem zweiten Isolationsfilm gebildeten Loch, so daß ein Teil der Aluminiumschicht, die mit einem Anschlußflecken zu versehen ist, nach außen freigelegt ist, einen Anschlußdraht (10) mit einem Anschlußteil, der mit der Aluminiumschicht, die durch das Kontaktloch freigelegt ist, verbunden ist, und durch
    einen Aluminiumoxidfilm, der auf demjenigen Teil der Aluminiumschicht gebildet ist, die durch das Kontaktloch um den Verbindungsteil des Anschlußdrahtes freigelegt ist.
  11. 11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Anschlußdraht (10)
    aus Aluminium besteht und daß auf seiner Oberfläche ein Aluminiumoxidfilm (13) ausgebildet ist.
  12. 12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 3,4, gekennzeichnet durch
    Ausbilden einer Leiterbahnschicht (6) und eines Anschlußfleckens (28), die aus Aluminium bestehen, auf einem ersten Isolationsfilm (5) über einem Halbleitersubstrat (1), Bilden eines Aluminiumoxidfilms auf denjenigen Oberflächen der Leiterbahnschicht und des Anschlußfleckens, die nicht in Kontakt mit dem ersten Isolationsfilm stehen, Ausbilden eines zweiten Isolationsfilmes auf dem Aluminiumoxidfilm um das Halbleitersubstrat zu bedecken, lokales Entfernen des Aluminiumoxidfilmes und des zweiten Isolationsfilmes, so daß ein Teil der Oberfläche des An- . schlußfleckens nach außen freigelegt wird, Verbinden eines Drahtes an einer freigelegten Fläche des Anschlußfleckens, und
    Ausbilden eines Aluminiumoxidfilmes auf dem Oberflächenteil derjenigen freigelegten Fläche des Anschlußfleckens, die nicht der Oberflächenteil ist, an den der Draht befestigt ist.
  13. 13. Verfahren zurHersteilung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß der Anschlußdraht (10) aus Aluminium besteht und an seiner Oberfläche gleichzeitig mit dem Schritt zum Bilden
    eines Aluminiumoxidfilmes auf dem Oberflächenteil, der von dem mit dem Anschlußdraht versehenen Teil des Anschlußfleckens verschieden ist, mit einem Aluminiumoxidfilm überzogen wird.
    1 4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 , 5, 6, 7, 10 und 11, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (1) und der Anschlußdraht (10) in ein Harz eingegossen sind.
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