DE3114466A1 - System zum antreiben eines drehbaren glieds im vakuum - Google Patents

System zum antreiben eines drehbaren glieds im vakuum

Info

Publication number
DE3114466A1
DE3114466A1 DE19813114466 DE3114466A DE3114466A1 DE 3114466 A1 DE3114466 A1 DE 3114466A1 DE 19813114466 DE19813114466 DE 19813114466 DE 3114466 A DE3114466 A DE 3114466A DE 3114466 A1 DE3114466 A1 DE 3114466A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vacuum
rings
cover
vacuum chamber
peripheral part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813114466
Other languages
English (en)
Other versions
DE3114466C2 (de
Inventor
Takeshi Ibaraki Koike
Atsushi Katsuta Shibata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE3114466A1 publication Critical patent/DE3114466A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3114466C2 publication Critical patent/DE3114466C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16J—PISTONS; CYLINDERS; SEALINGS
    • F16J15/00—Sealings
    • F16J15/16—Sealings between relatively-moving surfaces
    • F16J15/32—Sealings between relatively-moving surfaces with elastic sealings, e.g. O-rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Sealing Devices (AREA)

Description

HITACHI, LTD, Tokyo,
Japan
System zum Antreiben eines drehbaren Glieds im Vakuum
Die Erfindung betrifft ein System zum Antreiben eines drehbaren Glieds, das in einer evakuierten Kammer gehalten wird.
Die Erfindung betrifft insbesondere ein System zum Drehen einer mit Wafern bestückten Scheibe, die in einer evakuierten Kammer eines Ionenimplantationssystems gehalten und in ihrer Drehebene hin- und herbewegt wird.
Ein System zum mechanischen Drehen eines in einer evakuierten Kammer gehaltenen drehbaren Glieds von aussen in Verbindung mit einer hin-und hergehenden Bewegung in seiner Drehebene ist bei einem Ionenimplantationssystem der Bauart mit feststehendem Ionenstrahl unerlässlich. Zur Verbesserung dieser Art von Antriebssystem wurden verschiedene Vorschläge gemacht.
311U66
Fig. 1 zeigt die gesamte Konstruktion eines lonenimplantationssystems. Die Prinzipien der Ionenimplantation für an einer rotierenden Scheibe angebrachten Haltleiter-Wafern wird in Verbindung mit dieser Figur im folgenden beschrieben. Gemäss Fig. 1 werden verschiedene Materialien in einer Ionenquelle 30 durch Mikrowellenplasma-Entlaäungstechniken ionisiert. Im einzelnen werden gasförmige Materialien verwendet zur Erzeugung von solchen Ionen wie B+ und P~, während feste oder flüssige Materialien verwendet werden zur Erzeugung solcher Ionen wie Al+, Ga+ und As". Die auf diese Weise erzeugten Ionen werden beschleunigt und von der Ionenquelle 30 in Form eines Ionenstrahls 31 ausgesandt, der in ein durch zwei Elektromagnete 32 erzeugtes Magnetfeld geleitet wird . Der Ionenstrahl 31 wird durch das Magnetfeld entsprechend der Massenzahl in Gruppen aufgeteilt. Mehrere Wafern 19 sind an einem äusseren Randteil einer Scheibe 2 befestigt, die in eine evakuierte Ionenimplantierkammer gebracht und in Pfeilrichtung gedreht wird in Verbindung mit einer hin- und hergehenden Bewegung in Richtung eines doppelten Pfeils. Auf diese Weise wird der Elektronenstrahl auf die Wafern 19 gestrahlt und dort gleichförmig implantiert, wenn die mit Wafern bestückte Scheibe 2 gedreht und in der Implantierkammer hin- und herbewegt wird.
Aus dem Obigen ist ersichtlich, dass das drehbare Glied
oder die Scheibe 2 in einer evakuierten Kammer gehalten
und in einer Dreh- und hin- und hergehenden Bewegung bewegt wird.
Fig. 2 zeigt ein bisheriges System zum Antreiben der drehbaren Scheibe für eine Dreh- und hin- und hergehende Bewegung in der evakuierten Kammer. Gemäss Fig. 2 befindet sich die an einer Welle 3 gehaltene Scheibe 2 in einer Ionenimplantierkammer oder evakuierten Kammer 1. Die Welle 3 xi/ird durch einen Motor 4 gedreht, der mittels eines weiteren Motors 5 über eine Gewindespindel 7 in Richtung eines dop-
311U66
pelten Pfeils hin- und herbewegt wird. Im einzelnen bewirkt eine Drehung des Motors 5 entweder in der normalen oder in der entgegengesetzten Richtung eine hin- und hergehende Bewegung der Scheibendreheinrichtung oder des Motors 4-gemäss dem doppelten Pfeil. Gleichzeitig wird ein den Motor 4- mit der evakuierten Kammer luftdicht verbindender Balg gebogen und verformt, um der Scheibe 2 eine hin- und hergehende Bewegung in der Ebene ihrer Drehung zusammen mit der Welle 3 zu ermöglichen. Auf diese '.»eise werden die Wafern 19, die an mehreren Stellen am Aussenrandteil der Scheibe 2 voneinander in Umfangsrichtung und radial von der Mitte der Scheibe 2 gleich beabstandet sind, mit dem Ionenstrahl bestrahlt, der durch eine Einlassöffnung 8 in die evakuierte Kammer 1 eingelassen wird, um den Ionen ein Implantieren in die Wafern 19 in gleichmässiger Menge zu ermöglichen.
Das genannte System zum drehenden und hin- und hergehenden Bewegen der Scheibe 2 hat einige Nachteile. Im einzelnen wird das Balg 6 wiederholt einer Biegung während des Vorgangs ausgesetzt, bei dem die Scheibe 2 drehend und auch hin- und hergehend bewegt wird. Somit kann ein längerer Gebrauch des Balgs 6 eine Materialermüdung ergeben, xrodurch im Balg Risse gebildet werden, die die Bildung einer luftdichten Abdichtung an der evakuierten Kammer 1 unmöglich macht. Wenn die Wafer 19 einen grossen Durchmesser haben, sollte der Bereich der hin- und hergehenden Bewegung der Scheibe 2 erhöht sein. Durch Ver;i/endung eines Balgs 6 mit grossem Durchmesser und vergrösserter Länge kann seine Verformung verringert werden. Ein solcher Balg ist aber teuer. Eine Erhöhung des Volumens des Balgs würde eine Erhöhung des aus der Kammer 1 zu entleerenden Luftvolumens nach sich ziehen. Dies würde die Zeit erhöhen, die zum Evakuieren der Kammer 1 jedes Mal benötigt wird, wenn die Wafer 19 durch neue ersetzt werden, was einen Abfall der Arbeitsleistung verursacht.
311U66 - 7 -
Eine Hauptaufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Systems zum Antreiben eines in einer evakuierten Kammer gehaltenen drehbaren Glieds von aussen her, um das Glied drehend und hin- und hergehend zu bewegen, ohne das Vakuum in der evakuierten Kammer zu beeinträchtigen bei gleichzeitig erhöhter Lebensdauer.
Eine vjeitere Aufgabe ist die Schaffung eines Antriebssystems für ein drehbares Glied, wobei die .Feuchtigkeit, die auf den der Atmosphäre ausgesetzten Teilen des Antriebssystems niedergeschlagen ist, am Eindringen in die evakuierte Kammer gehindert wird, in der das mit Vafern bestückte drehbare Glied gehalten wird, wodurch der Innenraum der evakuierten Kammer auf einem hohen Vakuumniveau gehalten werden kann.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäss durch den Gegenstand des Anspruchs 1.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der UnteranSprüche.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 die Art, in der eine Ionenimplantation in an einer drehbaren Scheibe befestigte Wafer in einem Ionenimplantationssystem ausgeführt wird;
Fig. 2 eine schematische Ansicht eines bisherigen Systems zum Antreiben der drehbaren Scheibe eines Ionenimplantationssystems ;
Fig. 3 einen senkrechten Schnitt des Systems zum Antreiben der drehbaren Scheibe nach der Erfindung für ein Ionenimplantationssystem.
Pig. 3 ist eine Ansicht zur Erläuterung des Systems zum Antreiben einer Scheibe gemäss einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, wobei solche Teile, die den in Fig. 1 und 2 gezeigten ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet sind. Bei dieser Aus führ ungs form, ist ein eine erste Vakuumkammer 1 bildendes Gehäuse 11a mit einem eine zweite Vakuumkammer 20 bildenden weiteren Gehä.use 11b verbunden. Am Mittelteil einer Abdeckung 12 ist eine eine Welle 3 lagernde Drehdichtung oder Vakuumdichtung 14 befestigt. Die Abdichtung 12 ist mit einem Flansch eines plattenförmigen Umfangsteils 12a hiervon am Gehäuse 11a mittels zweier Paare von O-Eingen 13a, 13b und 15, 15b derart befestigt, dass sich der Umfangsteil 12a in die zweite Vakuumkammer 20 erstreckt. Diese ist durch die beiden Paare von O-Ringen 13a, 13b und 15a, 15b hermetisch abgedichtet und wird unter Vakuum gehalten, wenn sie durch Abziehen der Luft über eine LuftabSäugöffnung 9b evakuiert wird. Die O-Ringe 13a, 13b, 15a und 15b, die die Vakuumkammer 20 hermetisch abdichten, dienen auch als Halteeinrichtung zum Halten des Umfangsteils 12b der Abdeckung 12 für eine Gleitbewegung. Die erste Vakuumkammer 1 wird geöffnet, wenn Wafer 19 5 die an einer an einem Ende der Welle 3 gehaltenen Scheibe 2 befestigt sind, durch neue ersetzt werden. Somit wird der Vakuumkammer 1 Luft durch eine weitere Luftansaugöffnung 9a entnommen, die getrennt von der Luftabsaugöffnung 9b für die zweite Vakuumkammer 20 vorgesehen ist, die stets unter Vakuum gehalten wird. Die Luft wird durch die Luftabsaugöffnung 9a entnommen zur Erzielung eines Hochva-
-6 -7
kuums von 10 - 10 Torr in der ersten Vakuumkammer 1, während die Luft durch die Luftabsaugöffnung 9b entnommen wird zur Erzielung eines niedrigen Vakuums von etwa 10 Torr in der zweiten Vakuumkammer 20.
Das Gehäuse 11a ist mit einem mit der ersten Vakuumkammer 1 in Verbindung stehenden Ionenstrahlkanal 8 versehen, durch den ein Ionenstrahl 31 in die erste Vakuumkammer 1 zum Be-
31 IU
strahlen der Wafer 19 eingeführt v;ird, die an einem Aussenumfangsteil der Scheibe 2 an mehreren Stellen befestigt sind, die in Umfangsrichtung voneinander und von der Mitte der Scheibe 2 radial gleich beabstandet sind. Die Scheibe 2 wird von der Welle 3 gehalten, bildet mit dieser eine Einheit und dreht sich, wenn die von der Vakuumdichtung 14 drehbar gelagerte Welle über Zahnräder 22 und 23 durch einen Drehantrieb oder Motor 14 gedreht wird. In der Welle 3 sind ein Kühlwassereinlasskanal 16 und ein Kühlwasserauslasskanal 17 ausgebildet, die mit dem Innenraum der Scheibe 2 in Verbindung stehen und konzentrisch zur Welle angeordnet sind. Durch eine Drehdichtung 24 und den Kr!hlwassereinlasskanal 16 wird Kühlwasser in den Innenraum der Scheibe 2 eingeführt, von dem es durch den Kühlwasserauslasskanal 17 zu seiner Speisequelle zurückgeführt wird. Auf diese Weise kann ein sonst durch die Ionenimplantation entstehender Temperaturansteig der Scheibe 2 vermieden werden, um eine gleichförmige und genaue Ausführung einer Ionenimplantation in die Wafern 19 zu ermöglichen.
Die die Welle 3 mittels der Vakuumdichtung 14 lagernde Abdeckung 12 weist ein daran befestigtes verbindendes Metallglied 18 auf, das als Einheit hiermit arbeitet und mit einer mit einem Motor 5 verbundenen Gewindespindel 7 in Eingriff steht. Somit bewegt eine Drehung des Motors 5 in der einen oder anderen Richtung das Metallglied 18 in Richtung eines doppelten Pfeils A in der Ebene von Fig. 3 hin und her, um hierdurch die Welle 3 zusammen mit der Abdeckung 12 und der Vakuumdichtung 14 parallel zueinander auf- und abζübewegen.
Wie ausgeführt, ist ein Flansch oder plattenähnlicher Umfangsteil 12b der Abdeckung 12, der durch die beiden Paare von O-Ringen 13a, 13b und 15a, 15b auf seinen gegenüberliegenden Seiten verschiebbar gehalten ist, in die zweite Vakuumkammer 20 eingesetzt. Wenn auch eines der beiden Paare von O-Ringen weggelassen werden kann, ermöglicht die An-
Wendung der beiden Paare von O-Ringen ein Aufrechterhalten der beiden Vakuumkammern 1 und 20 in einem besonders erwünschten Vakuumzustand. Auch ermöglicht das Vorsehen der O-Ringe 13a, 13b und 15a, 15b auf gegenüberliegenden Seiten des plattenähnlichen Umfangsteils 12a der Abdeckung 12 eine zufriedenstellende hermetische Abdichtung der Vakuumkammern 1 und 20 selbst dann, wenn die Abdeckung 12 während ihrer Verschiebebewegung eine Verformung oder Verbiegung erfährt. Wenn zum Beispiel der Umfangsteil 12a in Fig. 3 nach rechts abgelenkt wird, wird die Druckkraft an den O-Ringen 13b und 15b auf der linken Seite des Umfängsteils 12a und die durch diese O-Ringe erzielte Abdichtung verringert. Jedoch wird die auf die O-Ringe 13a und 15a auf der rechten Seite des Umfängsteils 12b wirkende Druckkraft erhöht, wo durch die durch die O-Ringe 13a und 15a erzielte Abdichtung erhöht wird. Somit kann die zweite Vakuumkammer 20 wie gewünscht hermetisch abgedichtet werden, da sie gegenüber der Atmosphäre zwangsläufig abgetrennt ist. Gleichzeitig kann die erste Vakuumkammer 1 auf einem hohen Vakuumzustand gehalten werden. Wenn umgekehrt der plattenförmige Umfangsteil 12a der Abdeckung 12 in Fig. 3 nach links abgelenkt wird, wird die durch die O-Ringe 13a und 15a erzielte Dichtung verringert, jedoch die durch die 0-Ringe 13b und 15b erzielte Dichtung erhöht. Auf diese Weise kann die erste Vakuumkammer 1 auf einem hohen Vakuumzustand gehalten werden. Zur vollen Verwirklichung der durch die angegebene Anordnung von O-Ringen gegebenen Vorteile befinden sich bei der dargestellten Ausführungsform das Paar von O-Ringen 13a und 13b, das radial einwärts vom Umfangsteil 12b angeordnet ist, und das Paar von O-Ringen 15a und 15b, das radial auswärts hiervon angeordnet ist, nebeneinander und beiderseits der Abdeckung 12.
Bei der dargestellten Ausführungsform sind Ringräume 10a und 10b gebildet zwischen den O-Ringen 13a und 15a in der zweiten Vakuumkammer 20 auf der Atmosphärenseite (rechte
31H466
Seite des Umfangsteils 12b in 1"1Xg. 3) bzw. zwischen den 0-Ringen 13b und 15b in der zweiten Vakuumkammer 20 auf der Seite der ersten Vakuumkammer 1 (linke Seite des Umfangsteils 12b in If1Xg. 3). Der Ringraum 10a wird evakuiert, \^enn Luft durch eine LuftabSaugöffnung 9c abgezogen wird. Dies gewährleistet, dass in der zweiten Vakuumkammer 20 eine gewünschtes Vakuum erzielt und aufrechterhalten vjird, wodurch eine Verringerung des in der ersten Vakuumkammer 1, in der die Ionenimplantation ausgeführt wird, erzielten Vakuums wirksam vermieden wird.
Ein durch die dargestellte Ausführungsform gegebener zusätzlicher Vorteil besteht darin, dass in der ersten Vakuumkammer 1 ein Hochvakuum noch vorteilhafter dadurch aufrechterhalten werden kann, dass eine in die Vakuumkammer 1 erfolgende Einführung von Feuchtigkeit vermieden wird, die auf den Oberflächen der Abdeckung 12 und anderen der Atmosphäre ausgesetzten Teilen niedergeschlagen sein kann. Im einzelnen ist der Umfangsteil 12a der Abdeckung 12 der Atmosphäre ausgesetzt und hat die Feuchtigkeit die Neigung, sich darauf niederzuschlagen. Für den Fall, dass die Feuchtigkeit auf der Oberfläche des Umfangsteils 12a in die Vakuumkammer 1 eindringt, wird das darin herrschende Vakuum beeinträchtigt. Bei der dargestellten Ausführungsform tritt die auf der Oberfläche des Umfangsteils 12a niedergeschlagene Feuchtigkeit nur in die zweite Vakuumkammer 20 ein und wird am Eindringen in die erste Vakuumkammer gehindert, wenn sich die Abdeckung 12 bei ihrem Antrieb durch den Motor 5 auf- und abbewegt.
Die in Fig. 3 dargestellte Ausführungsform des Systems zum Antreiben eines drehbaren Glieds ist in der obigen Weise aufgebaut. Die Welle 3 wird während des Implantationsvorgangs von Ionen in die Wafer 19 ständig durch den Motor 4 gedreht. Die Welle 3 wird in der Ebene von Fig. 3 auf- und abbewegt und gleichzeitig zusammen mit der Abdeckung 12 parallel gehalten, wenn die Gewindespindel 7 durch den Motor
3 1
14466
j> hin- und herbewegt v.'ird.Wenn somit die Welle 3 auf- und abbewegt wird, bewegt sich die mit der Welle 3 parallel gehaltene Abdeckung 12 als -tiinheit hiermit und bewegt sich der plattenförmig Umfang steil 12b der Abdeckung 12 hin- und hergehend in der zweiten Vakuumkammer 20, während er sich in einer Gleitbewegung längs den Flächen der beiden Paare von O-Ringen 13a, 1*b und 15^, 15b bewegt. In dieserm .Fall kann die erste Vakuumkammer 1 trotz der genannten Bewegung der Abdeckung 12 auf einem hohen Vakuumzustanö gehalten werden, weil die O-Ringe 13a und 13b, die Vakuumkammer 20, die O-Ringe 13a und 15a und die Vakuumdichtung 14 zwischen der ersten Vakuumkammer 1 und der Atmosphäre zwischengeschaltet sind. Wie oben beschrieben, x\'ird Luft über die Luftabsaugöffnung 3c aus den Ringraum 10a gesaugt. Dies führt zur Aufrechterhaltung des hohen Vakuums in der ersten Vakuumkammer 1 in einem sehr erwünschten Zustand.
Aus der obigen Beschreibung ist ersichtlich, dass die zweite Vakuumkammer 20, in die der plattenförmige Umfangsteil 12b der Abdeckung 12 bewegbar eingesetzt ist, durch die beiden Paare von O-Ringen hermetisch abgedichtet ist. Die O-Ringe 13a und 15a bilden dazwischen einen Ringraum, der zusammen mit der zweiten Vakuumkammer evakuiert wird. Dies gewährleistet, dass die Ionenimplantationskammer oder erste Vakuumkammer 1 auf einem hohen Vakuumzustand gehalten wird. Es besteht keine Gefahr, dass die hermetische Abdichtung beeinträchtigt wird, weil die Abdeckung durch die O-Ringe gehalten wird, die eine luftdichte Abdichtung über einer langen Zeitdauer vorsehen können. Die Anordnung, dass das Kühlwasser durch den Innenraum der Scheibe zirkuliert wird, vermeidet einen !Temperaturanstieg der mit Wafern bestückten Scheibe und erhöht die Genauigkeit, mit der die Ionenimplantation ausgeführt wird.
Bei der dargestellten Ausführungsform kann die in der Ebene ihrer Drehung hin- und herbeii/egte Scheibe 2 eine Strecke
31U466
von etwa 10 era zurücklegen. Diese Strecke stellt einen Bewegungsbetrag dar, der ausserhalb der imhigkeit des den Balg 6 von Pig. 2 verwendenden Systems liegt, Somit ermöglicht die Erfindung eine Ionenimplantation in Wafern von grossem Durchmesser mit einem hohen Grad von Wirksamkeit, wodurch eine starke Erhöhung der Waferbehandlungsleistung eines Ionenimplantationssystems ermöglich wird. Die Konstruktion, bei der die die Welle 3 mittels der Vakuumdichtung 14 lagernden Abdeckung 12 durch die O-Ringe in der zweiten Vakuumkammer 20 hin- und hergehend verschoben wird, ermöglicht die Erzielung eines Scheibenantriebsmechanismus mit verlängerter Lebensdauer in einem System zum Antreiben eines drehbaren Glieds.
Bei der dargestellten Ausführungsform x^erden zwei Paare von G-Ringen 13a, 13b und 15a, 15b verwendet, wobei Luft aus dem Ringraum 10a zwischen den beiden O-Ringen 13a und 15a auf der Atmosphärenseite abgesaugt wird. Es ist Jedoch ersichtlich, dass die Erfindung nicht auf diese spezielle Anzahl von O-Ringen beschränkt ist und dass mehr als zwei Paare von O-Ringen verwendet werden können zur Bildung von mehreren Ringräumen zxtfischen den O-Ringen auf der Atmosphärenseite und zum Absaugen von Luft aus den Ringräumen.
Aus der obigen Beschreibung ist ersichtlich, dass das System nach der Erfindung zum Antreiben eines im Vakuum gehaltenen drehbaren Glieds von der Aussenseite der Vakuumkammer her die Vorteile bietet, dass es über einer verlängerten Zeitdauer zufriedenstellend arbeitet zum Bewegen des drehbaren Glieds in einer hin- und hergehenden Bewegung in der Ebene seiner Drehung ohne die Gefahr der Beeinträchtigung des Vakuums, und dass es eine verbesserte Leistungsfähigkeit aufweist.

Claims (1)

  1. 31H466
    Patentanwälte
    BEETZ-LAMPRECHT-BEETZ
    München 22 - Steinsdorfstr. 10
    81-32.264P(32.265H) 9. April 1981
    ■Ansprüche
    oyste-Ώ zum iintreiben eines drehbaren Glieds im Vakuum,
    gekennzeichnet
    - durch eine erste Vakuumkammer (1), in der das drehbare Glied (2) und eine dieses tragende Weile (3) durch eine Vakuum:.dichtung (14) drehbar eingesetzt, sind,
    - durch eine Abdeckung (12), die in ihrem Mittelteil die Vakuumdichtung (14) trägt und einen Teil der ersten Vakuumkammer (1) begrenzt,
    - durch eine zweite Vakuumkammer (20), die einen Umfangsteil der Abdeckung (12) gleitend verschiebbar und luftdicht aufnimmt,
    - durch eine Haiteeinrichtung (13a, 13b, 15a, 15b) in der zweiten Vakuumkammer (20) zum gleitend verschiebbaren und luftdichten Kalten eines Umfangsteils (12a, 12b) der Abdeckung (12),
    - durch eine Einrichtung (4) zum Drehen der Welle (3) und
    - durch eine Einrichtung (5) zum hin- und hergehenden Bewegen der Abdeckung (12) derart, dass eine Verschiebebewegung des Umfangsteils (12a, 12b) der Abdeckung (12) innerhalb der zweiten Vakuumkammer (20) erzeugt wird, wodurch über die Vakuumdichtung (14) und die Welle (3) eine hin- und hergehende Bextfegung des drehbaren Glieds (2) in dessen Rotationsebene verursacht wird.
    81-(A5525-02)
    311U66
    2. System nach. Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    - dass die Halteeinrichtung wenigstens ein Paar von O-Ringen (i?a, 13b; 15a,15b) aufweist, die in der ziifeiten Vakuumkammer (20) einander gegenüberliegend beiderseits des UmfangsteiIs (12a, 12b) der Abdekkung (12) angeordnet sind.
    z. System nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    - dass die Halteeinrichtung folgendes aufweist:
    - mehrere Paare von in der zweiten Vakuumkammer (20) angeordneten O-Ringen (13a, 13b, 15a, 15b), bestehend aus einem ersten Paar von O-Ringen (13a, 13b), die nebeneinander auf gegenüberliegenden Seiten eines ersten Abschnitts (12a) des Umfangsteils (12a, 12b) der Abdeckung (12) angeordnet sind, und aus einem zweiten Paar von O-Ringen (15a, 15b), die nebeneinander auf gegenüberliegenden Seiten eines zweiten Abschnitts (12b) des Umfangsteils (12a, 12b) der Abdeckung gegenüber dem ersten Abschnitt (12a) radial nach aussen beabstandet angeordnet sind, und
    - eine Einrichtung (9c) zum Evakuieren eines Ringraums, der zwischen dem atmospharenseitigen O-Ring (13a) des ersten Paars von O-Ringen (13a, 13b) und dem atmospharenseitigen O-Ring (15a) des zweiten Paars von O-Ringen (15a, 15b) gebildet ist.
    4-. System nach Anspruch 1,
    gekennzeichnet
    - durch eine Kühleinrichtung (16, 17) zum Einführen von Kühlwasser in das drehbare Glied (2) zu dessen Kühlung,
    - xiiobei die Kühleinrichtung Kühlwasserkanäle (16, 17) aufweist, die in der Welle (3) ausgebildet sind und mit dem Innenraum des drehbaren Glieds (2) in Verbindung stehen.
    311U66
    5. System nach einem der Ansprüche 1 bis 4-, dadurch gekennzeichnet,
    - dass das drehbare Glied eine mit Wafern (19) bestückte Scheibe (2) eines Systems zum Implantieren von Ionen ist.
DE3114466A 1980-04-11 1981-04-09 Ionenimplantationssystem Expired DE3114466C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55046900A JPS5953659B2 (ja) 1980-04-11 1980-04-11 真空室中回転体の往復動機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3114466A1 true DE3114466A1 (de) 1982-03-11
DE3114466C2 DE3114466C2 (de) 1986-06-12

Family

ID=12760233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3114466A Expired DE3114466C2 (de) 1980-04-11 1981-04-09 Ionenimplantationssystem

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4383178A (de)
JP (1) JPS5953659B2 (de)
DE (1) DE3114466C2 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3307572A1 (de) * 1982-03-05 1983-09-15 Hitachi, Ltd., Tokyo Probendrehvorrichtung
FR2529383A1 (fr) * 1982-06-24 1983-12-30 Commissariat Energie Atomique Porte-cible a balayage mecanique utilisable notamment pour l'implantation d'ioris
EP0377224A2 (de) * 1988-12-29 1990-07-11 Tesla, Koncernovy Podnik Verfahren und Vakuumkammer für Ionenimplantation
EP0573183A1 (de) * 1992-05-29 1993-12-08 Cascade Microtech, Inc. Wafer-Prüfstation mit integrierter Umgebungskontroleinrichtung
US5532609A (en) * 1992-06-11 1996-07-02 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5963027A (en) * 1997-06-06 1999-10-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station having environment control chambers with orthogonally flexible lateral wall assembly
US6002263A (en) * 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6313649B2 (en) 1992-06-11 2001-11-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US6380751B2 (en) 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57182956A (en) * 1981-05-07 1982-11-11 Hitachi Ltd Ion-implantation device
JPS58194240A (ja) * 1982-05-10 1983-11-12 Nisshin Haiboruteeji Kk イオン注入装置のタ−ゲツト冷却装置
US4517465A (en) * 1983-03-29 1985-05-14 Veeco/Ai, Inc. Ion implantation control system
US4733091A (en) * 1984-09-19 1988-03-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods for ion implantation of semiconductor wafers
JPH0735572B2 (ja) * 1984-11-09 1995-04-19 日新電機株式会社 イオン注入装置のベント方法
JPH0750856Y2 (ja) * 1985-01-18 1995-11-15 日電アネルバ株式会社 真空処理装置
JPS61295371A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Nippon Light Metal Co Ltd 窒化アルミニウム層を有するアルミニウム材の製法
US4804852A (en) * 1987-01-29 1989-02-14 Eaton Corporation Treating work pieces with electro-magnetically scanned ion beams
JPS64766U (de) * 1987-06-19 1989-01-05
JP2731950B2 (ja) * 1989-07-13 1998-03-25 キヤノン株式会社 露光方法
US5138643A (en) * 1989-10-02 1992-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
GB8924223D0 (en) * 1989-10-27 1989-12-13 Superion Ltd Method and apparatus relating to ion implantation
US5338940A (en) * 1991-07-22 1994-08-16 Nissin High Voltage Co., Ltd. Apparatus for ion implantation including contactless cooling and beam current measurement means
RU2084243C1 (ru) * 1993-11-01 1997-07-20 Московский радиотехнический институт РАН Конвейерная установка для радиационной стерилизации
JP3163469B2 (ja) * 1994-05-30 2001-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜処理方法及び成膜処理装置
US5508519A (en) * 1994-06-15 1996-04-16 Texas Instruments Incorporated Mainshaft shield
US5561377A (en) 1995-04-14 1996-10-01 Cascade Microtech, Inc. System for evaluating probing networks
US5898179A (en) * 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
US6065499A (en) * 1998-12-21 2000-05-23 Eaton Corporation Lateral stress relief mechanism for vacuum bellows
EP1052551A3 (de) * 1999-04-19 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Übertragung von Bewegung in eine Vakuumkammer hinein und deren Anwendung in lithographischen Projektionsapparaten
TWI233535B (en) * 1999-04-19 2005-06-01 Asml Netherlands Bv Motion feed-through into a vacuum chamber and its application in lithographic projection apparatuses
TW559688B (en) 1999-04-19 2003-11-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, vacuum apparatus, low-stiffness seal for sealing between vacuum chamber wall and elongate rod, device manufacturing method and integrated circuit manufactured thereof
EP1052553A3 (de) * 1999-04-19 2003-08-27 ASML Netherlands B.V. Isolierende Stützvorrichtungen zur Verwendung mit Vakuumkammern und deren Anwendung in lithographischen Projektionsapparaten
US6445202B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US20020113375A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-22 Gennady Ruderman Pressure differential sealing device
US6836135B2 (en) 2001-08-31 2004-12-28 Cascade Microtech, Inc. Optical testing device
JP4061044B2 (ja) * 2001-10-05 2008-03-12 住友重機械工業株式会社 基板移動装置
US6777964B2 (en) 2002-01-25 2004-08-17 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6847219B1 (en) 2002-11-08 2005-01-25 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low noise characteristics
US7250779B2 (en) 2002-11-25 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low inductance path
US6861856B2 (en) 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7221172B2 (en) 2003-05-06 2007-05-22 Cascade Microtech, Inc. Switched suspended conductor and connection
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
US7176705B2 (en) 2004-06-07 2007-02-13 Cascade Microtech, Inc. Thermal optical chuck
US7330041B2 (en) 2004-06-14 2008-02-12 Cascade Microtech, Inc. Localizing a temperature of a device for testing
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
US10784075B2 (en) 2013-02-22 2020-09-22 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam irradiation apparatus
US20170236686A1 (en) * 2013-02-22 2017-08-17 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam irradiation apparatus
TWI687620B (zh) * 2018-10-30 2020-03-11 財團法人金屬工業研究發展中心 機械引入裝置
CN111364026B (zh) * 2020-05-27 2020-08-14 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 往复式旋转cvd设备及应用方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3983402A (en) * 1975-12-22 1976-09-28 International Business Machines Corporation Ion implantation apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2220973A (en) * 1939-03-31 1940-11-12 Rca Corp Electron microscope
US2440067A (en) * 1945-11-10 1948-04-20 Gen Electric Manipulator
JPS55104057A (en) * 1979-02-02 1980-08-09 Hitachi Ltd Ion implantation device
US4247781A (en) * 1979-06-29 1981-01-27 International Business Machines Corporation Cooled target disc for high current ion implantation method and apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3983402A (en) * 1975-12-22 1976-09-28 International Business Machines Corporation Ion implantation apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Industrieanzeiger, Bd. 103, 04.02.1982, Nr. 10, S. 41 *

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3307572A1 (de) * 1982-03-05 1983-09-15 Hitachi, Ltd., Tokyo Probendrehvorrichtung
FR2529383A1 (fr) * 1982-06-24 1983-12-30 Commissariat Energie Atomique Porte-cible a balayage mecanique utilisable notamment pour l'implantation d'ioris
EP0099778A1 (de) * 1982-06-24 1984-02-01 Commissariat à l'Energie Atomique Mechanisch gerasterter Zielobjekt-Halter
US4508056A (en) * 1982-06-24 1985-04-02 Commissariat A L'energie Atomique Target holder with mechanical scanning
EP0377224A2 (de) * 1988-12-29 1990-07-11 Tesla, Koncernovy Podnik Verfahren und Vakuumkammer für Ionenimplantation
EP0377224A3 (de) * 1988-12-29 1990-12-27 Tesla, Koncernovy Podnik Verfahren und Vakuumkammer für Ionenimplantation
EP0573183A1 (de) * 1992-05-29 1993-12-08 Cascade Microtech, Inc. Wafer-Prüfstation mit integrierter Umgebungskontroleinrichtung
US6380751B2 (en) 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5532609A (en) * 1992-06-11 1996-07-02 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US7009383B2 (en) 1992-06-11 2006-03-07 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US6801047B2 (en) 1992-06-11 2004-10-05 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US6636059B2 (en) 1992-06-11 2003-10-21 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US6486687B2 (en) 1992-06-11 2002-11-26 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US6313649B2 (en) 1992-06-11 2001-11-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5604444A (en) * 1992-06-11 1997-02-18 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US6362636B1 (en) 1997-06-06 2002-03-26 Cascade Microtech, Inc. Probe station having multiple enclosures
US6288557B1 (en) 1997-06-06 2001-09-11 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6489789B2 (en) 1997-06-06 2002-12-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station having multiple enclosures
US6252392B1 (en) 1997-06-06 2001-06-26 Cascade Microtech, Inc. Probe station having environment control chamber with bendably extensible and retractable lateral wall assembly
US6639415B2 (en) 1997-06-06 2003-10-28 Cascade Microtech, Inc. Probe station having multiple enclosures
US6002263A (en) * 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6842024B2 (en) 1997-06-06 2005-01-11 Cascade Microtech, Inc. Probe station having multiple enclosures
US5963027A (en) * 1997-06-06 1999-10-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station having environment control chambers with orthogonally flexible lateral wall assembly

Also Published As

Publication number Publication date
US4383178A (en) 1983-05-10
JPS56145642A (en) 1981-11-12
DE3114466C2 (de) 1986-06-12
JPS5953659B2 (ja) 1984-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3114466A1 (de) System zum antreiben eines drehbaren glieds im vakuum
DE2609115C2 (de) Vakuum-Zerstäubungsvorrichtung
EP1299898B1 (de) Teilchenstrahlgerät mit einer im ultrahochvakuum zu betreibenden teilchenquelle und kaskadenförmige pumpanordnung für ein solches teilchenstrahlgerät
DE2656723C3 (de) Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken im Vakuum
DE2913724A1 (de) Spruehbeschichtungssystem
DE69025214T2 (de) Endstation eines Ionenimplantierungsgerätes
DE102005004885B4 (de) Transport von Ionen ins Vakuum
DE10112817A1 (de) Ionenextraktionsanordnung
DE2514266C2 (de) Korpuskularstrahloptisches geraet mit zwei in strahlrichtung aufeinanderfolgenden teilraeumen unterschiedlicher druecke
DE3630035C2 (de) Vorrichtung zum Einladen eines Halbleiterwafers in eine Behandlungskammer und Ionenimplantationsvorrichtung mit dieser Vorrichtung
DE69019557T2 (de) Vorrichtung zur Kontrolle der Strahlquerschnittseigenschaften in einem Ionenimplantierungsgerät.
DE1962617A1 (de) Ionenquelle fuer Massenspektrometer
EP3590125B1 (de) Vorrichtung zum erzeugen beschleunigter elektronen
DE69727111T2 (de) Halterantriebseinheit
EP3476535A1 (de) Bodenschleifgerät mit staubdichtringen
EP2039941B1 (de) Vakuumpumpe
DE1503544A1 (de) Rotierende Vakuumpumpe
CH677009A5 (de)
DE102017113979A1 (de) Vorrichtung zum Erzeugen beschleunigter Elektronen
DE4001668A1 (de) Mehrstufige vakuumpumpe
DE2442614A1 (de) Turbomolekularpumpe
DE1107368B (de) Verfahren zum Betrieb einer Ionenpumpe und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE3429137C2 (de)
DE1750522B1 (de) Beruehrungsfreie dichtung
DE102014116697A1 (de) Kammerdeckel zum Abdichten einer Kammeröffnung in einer Gasseparationskammer und Gasseparationskammer

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01J 37/20

8126 Change of the secondary classification

Ipc: H01J 37/317

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition