DE2656723C3 - Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken im Vakuum - Google Patents
Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken im VakuumInfo
- Publication number
- DE2656723C3 DE2656723C3 DE2656723A DE2656723A DE2656723C3 DE 2656723 C3 DE2656723 C3 DE 2656723C3 DE 2656723 A DE2656723 A DE 2656723A DE 2656723 A DE2656723 A DE 2656723A DE 2656723 C3 DE2656723 C3 DE 2656723C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pump
- chamber
- targets
- approximately
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken im Vakuum, die eine
Behandlungskammer und eine außerhalb der Kammer, jedoch mit dieser in Verbindung stehenden ersten
Pumpe aufweist.
Zahlreiche Vorrichtungen zur Behandlung von Werkstücken im Vakuum einschließlich zahlreicher
bekannter Zerstäubungsgeräten machen es erforderlich, daß das Gerät jedesmal ausgepumpt wird, wenn das
Gerät erneut mit Werkstücken chargiert wird. Die Zeit zum Auspumpen kann ziemlich lang dauern und stellt
häufig einen beachtlichen Anteil der gesamten Verarbeitungszeit dar, so daß es wünschenswert wäre, die
Auspumpzeit zu reduzieren. Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, die Vorrichtung der eingangs
angegebenen Art so auszugestalten, daß eine Verringerung der Auspumpzeit gelingt.
Gemäß Erfindung wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Vorrichtung eine zweite innerhalb der Kammer
angeordnete Pumpe aufweist, daß eine kappenartige Haube zum Stülpen über die zweite Pumpe ausgebildet
ist, und zwar in abdichtender Weise zur Isolierung der Pumpe von einem Teil der Kammer, und daß eine
Einrichtung zum wahlweisen Verschieben der kappenartigen Haube in die abdichtende Lage vorgesehen ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand der Zeichnung erläutert. Dabei zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch ein Zerstäubungsgerät,
Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie 2-2 in Fi g. I,
Fig. 3 eine Vorderansicht eines Werkstückhalter in
Form einer Palette zum Gebrauch in dem Gerät Fig. 1 und 2, und
Fig.4 eine vergrößerte Einzelheit der Palette nach
F i g. 3, jedoch von der Rückseite her gesehen.
F i g. 1 zeigt ein Zerstäubungsgerät 10 gemäß Erfindung. Das Gerät 10 stellt dem Grunde nach ein
glockenartiges Gefäß dar und weist einen topfförmigen im großen und ganzen zylindrischen Hauptdeckel 12
und eine Basisplatte 14 auf, die in hermetisch dichtender Weise zueinander ausgebildet und angeordnet sind. Eine
pneumatische Anhebevorrichtung 15 bekannter Art dient zum Anheben des Deckels 12 von der Basisplatte
14, so daß die Werkstück-Behandlungskarnmer in der Vorrichtung frei wird.
Um die Vorrichtung 10 auszupumpen, können an sich bekannte Pumpen verwendet werden, beispielsweise
eine Mittelvakuumpumpe, die an einer durch die Basisplatte 14 führenden Leitung 16 anschließbar ist und
bis herab zu ungefähr 100 Torr betrieben werden kann.
Um die Vorrichtung auf einen noch weiter reduzierten Druck auszupumpen, z. B. auf ungefähr 5 χ 10~5 Torr,
kann eine bekannte Kombination aus einer Vorpumpe und einer Turbomolekularpumpe benutzt werden, die
nicht dargestellt sind, jedoch an einer Leitung 17 (Fig.2) anschließbar sind. Um ein relativ hohes
Vakuum, beispielsweise 5 χ 10~7 Torr zu erzielen, ist
noch ein»? Hochvakuumpumpe 18 (Fig. 1) vorgesehen, die zur »Reinigung« der Vorrichtung vor der jeweiligen
Inbetriebnahme dient. Gemäß Erfindung ist diese Hochvakuumpumpe 18, beispielsweise eine Kältefalle-Pumpe
bekannter Art, auf der Basisplatte 14 im Inneren der Vorrichtung vorgesehen. Die Bedeutung dieser
Anordnung der Pumpe innerhalb der Vorrichtung wird spätererläutert.
Um die Pumpe 18 von der Umgebungsluft zu trennen, wenn der Deckel 12 angehoben ist, und auch um die
Pumpe von den umgebenden Teilen der Vorrichtung 10 während deren Operation zu isolieren, ist eine getrennte
kappenartige Haube oder ein Schutzmantel 20 vorgesehen, der eine hermetische Abdichtung zusammen mit
der Basisplatte 14 bildet. Um die Pumpe 14 mit den umgebenden Teilen des Geräts zu verbinden, wird der
Schutzmantel 20 angehoben, wie in strichpunktierten Linien in Fig. 1 angedeutet, und hierzu dient eine
Antriebsspindel 26 und ein unterhalb der Basisplatte 14 angebrachter Motor 28. Ein Balg 30 dichtet die Spindel
26 innerhalb des Geräts ab, wenn die zugehörige Mutter nach oben oder unten verschoben wird, natürlich immer
innerhalb des Hauptdeckels 12.
Vier zusammengesetzte Kathodentargets 34, 36, 38 und 40 (F i g. 2) mit jeweils einem Target 34a, 36a, 38a
und 40a aus dem zu zerstäubenden Material, welches auf die in dem Gerät 10 angebrachten Werkstücken
niedergeschlagen werden soll, sind innerhalb des Geräts 10 auf der Seitenwandung 42 des Hauptdeckels 12
angeordnet. Die Target-Anordnungen weisen eine Werkstückbehandlungseinrichtung bei der Ausführungsform
der Erfindung auf. Durch die Wandung 42 sind elektrische Verbindungen und Wasserkühleinrichtungen
für die Target-Anordnungen gezogen, wie schematisch dargestellt. Die Target-Anordnungen sind
um jeweils 90° voneinander am Umfang des Hauptdekkels 12 verteilt und zwei sich gegenüberstehende
Anordnungen 34 und 38 weisen Targets 34a und 38a aus Titan und die beiden restlichen sich gegenüberstehenden
Anordnungen 36 und 40 weisen Targets 36a und 40a aus Platin auf. Die Targets erstrecken sich im großen
und ganzen parallel zur Längsachse des Geräts. Es können mehr als vier Target-Anordnungen und Targets
aus unterschiedlichem Material gegebenenfalls benutzt werden.
Die Target-Anordnungen sind gemäß bekannten
Prinzipien ausgebildet und können beispielsweise ein
hohles Gehäuse aufweisen, in welchem Kühlwasser umgewälzt wird. Die Targets selbst weisen eine z. B.
rechteckige Platte des zu zerstäubenden und niederzuschlagenden Materials auf, welche auf der Innenseite
des Gehäuses der Target-Anordnung gefestigt ist. Beispielsweise Abmessungen von verschiedenen Targets
werden später angegeben.
Es kann ein einzelnes Werkstück oder eine beliebige Anzahl von unterschiedlichen Werkstücken von der
vorliegenden Vorrichtung bearbeitet werden, und in der dargestellten Ausführungsform bestehen die Werkstükke
aus scheibenförmigen Plättchen 44 (Fig.4) aus Halbleitermaterial und mit 76,2 cm (3 Zoll) Durchmesser.
Als Werkstückhalter für die Plättchen 44 ist eine bekannte Art von Palette 46 (F i g. 3 und 4) vorgesehen,
die aus relativ dünnen rechteckigen Platten mit einer Anzahl von Konterbohrungen 50 bestehen, wobei auf
der Vorderseite (F i g. 3) ein geringerer Durchmesser 51 vorgesehen ist, so daß ein vorstehender Rand 51' einen
Anschlag für die Plättchen 44 bildet, wie in Fig.4 dargestellt Gegen diesen Anschlag 51' werden die
Plättchen 44 mittels eines federnden Drahtes 52 gedrückt, der die jeweilige Bohrung 50 überspannt und
in schwalbenschwanzartigen Nuten 53 auf der Rückseite der Palette festgeklemmt wird.
Die mit Werkstücken beladenen Paletten 46 werden wiederum auf eine drehbare ringeförmige Plattform
oder Karussel 54 (Fig. 1) innerhalb des Geräts 10 montiert und die unterschiedlichen Paletten sind seitlich
nebeneinander, vertikal und in einer zylinderförmigen Zusammensetzung oder Anordnung auf dem Karussell
angebracht. Einfache, nicht dargestellte federnde Rasteinrichtungen können zum Festhalten der Paletten
an richtiger Stelle benutzt werden. Bei Plättchen 44 mit einem Durchmesser von ungefähr 7,6 cm mißt jede
Palette 46 ungefähr 9,2 auf 37,4 cm und das Karussel 54 hat einen Außendurchmesser von ungefähr 76 cm bei
sechsundzwanzig darauf angebrachten Paletten 46.
Zur konzentrischen Lagerung des Karussells 54 um die Pumpe 18 sind Lager 56 vorgesehen, die jeweils auf
pfostenartigen Trägern 58 sitzen, welche rund um die Pumpe 18 verteilt angeordnet sind. Zur Drehung des
Karussells 54 ist ein angetriebenes Zahnrad 60 und ein Zahnkranz 62 vorgesehen. Der Antriebsmotor 64 des
Zahnrads 60 sitzt unterhalb der Basisplatte 14. Wie noch ausführlich beschrieben wird, bringt das Karussell 54 die
verschiedenen Paletten 46 nacheinander in eine Lage gegenüber den Target-Anordnungen 34, 36, 38 und 40,
wobei von diesen Targets zerstäubtes Material auf den Halbleiterplättchen niedergeschlagen wird.
Zur Steuerung der Gleichmäßigkeit und Reinheit des auf die Plättchen 44 niederzuschlagenden Materials am
Beginn und Ende eines Verarbeitungszyklus ist eine zylindrische Blende 66 vorgesehen, die auf einer
ringförmigen drehbaren Plattform 68 befestigt ist und mit dem Karussell 54 zusammenarbeitet. Die Plattform
68 sitzt mit ihren Lagern 70 auf pfostenartigen Trägern 72, die um die Pumpe 18 herum verteilt angeordnet sind.
Die Blende 66 umgibt die Anordnung der Paletten 46 in konzentrischer Weise, wie lart'estellt. Die Innenseite
der ringförmigen Plattform 68 ist als Zahnkranz 74 ausgebildet, in welchem ein Zahnrad 76 eingreift, das
durch einen Motor 78 unterhalb der Basisplatte 14 antreibbar ist. Dadurch kann die Plattform 68 und damit
auch die Blende 66 in passender Weise gedreht werden. Die Blende 66 hat einen Außendurchmesser von
ungefähr 84 cm, eine Wandstärke von ungefähr 1,6 mm und die Entfernung zu den Targets, gemessen zu den
jeweiligen Mittelpunkten der flachen Platten, beträgt ungefähr 32 mm.
Wie in Fig.2 dargestellt, weist jede zylindrische
Blende 66 zwei rechteckförmige öffnungen 80 und 82 aur, die um 180° voneinander entfernt angeordnet sind,
sich in Längsrichtung erstrecken und im wesentlichen der Gestalt und Abmessung der Targets 34a, 36a, 38a
und 40a entsprechen. Beispielsweise hat jedes Target 34a, 36a, 38a und 40a eine Höhe von ungefähr 42 cm und
eine Breite von ungefähr 29 cm, während die Blendenaussparungen 80 und 82 eine Höhe von ungefähr 41 cm
und eine Breite von ungefähr 27 cm aufweisen.
Ein Rohr 86 erstreckt sich durch die Basisplatte 14 und dient zur Zuführung eines Gases, beispielsweise
Argon.
Als Werkstoff für die beschriebenen Geräteteile, beispielsweise die Paletten 46, das Karussell 54, die
Verschlußblende 66 usw. kommt vorzugsweise rostfreier Stahl in Betracht. Da die Geräte zum Zerstäuben und
Niederschlagen von Materialien auf Werkstücken hinsichtlich ihres Aufbaues und ihres Betriebs bekannt
sind, beispielsweise hinsichtlich der elektrischen Leistungsversorgung, der verschiedenen Steuerschaltungen,
der Target-Anordnungen und dergleichen, brauchen weitere Angaben nicht gemacht werden.
Von besonderer Bedeutung ist die Lage der Hochvakuumpumpe 18 direkt und zentral in der
Vorrichtung 10 selbst, das heißt, entlang der Längsachse der Werkstückbehandlungskammer des Geräts. Drehbare
Vakuumbehandlungsgeräte der beschriebenen Art sind an sich bekannt und ihr Vorteil besteht darin, daß
eine relativ große Anzahl von Werkstücken bei jeder Charge eines Behandlungszyklus verarbeitet werden
kann. Eine Beschränkung der Herstellungsgeschwindigkeit der bekannten Geräte ist jedoch die Auspumpzeit
der Geräte.
Bei Geräten der beschriebenen Art führt die Lage der Pumpe 18 direkt in dem Gerät dazu, daß die
Auspumpzeit im starken Maße verringert werden kann. Dies liegt daran, daß die Gasleitung, das heißt, die
Gasflußmenge zur »Gassammelstelle« oder Hochvakuumpumpe nicht durch den Querschnitt, die Länge oder
Gestalt von Leitungen beschränkt ist, die von dem Gerät zu der Pumpe führen. Tatsächlich ist die
Querschnittsfläche mit Bezug auf die Leitung von Gasen zur Pumpe 18 in der erfindungsgemäßen Vorrichtung in
der Größenordnung der Mantelfläche der zentral angeordneten Pumpe selbst, das heißt, der Größe des
Zylinders, welcher die Pumpe umgibt. Wegen der zentralen Lage innerhalb der Vorrichtung ist außerdem
die Weglänge der Gase zu der Pumpe minimalisiert.
In der dargestellten Ausführungsform ist die Pumpe 18(Fig. 1) als bekannte Kältefallepumpe(kryogenische
Pumpe) ausgebildet und weist eine Mehrzahl von vertikalen Rohren 90 sowie zwei diese verbindende
horizontale ringförmige Rohre 92 auf. Über ein Zuführungsrohr 94 wird flüssiger Stickstoff in das untere
Rohr 92 gepumpt, dieser steigt durch die vertikalen Rohre 90 zum oberen Rohr 92 auf und wird durch ein
weiteres vertikales Rohr 95 an eine Austrittsleitung % abgegeben. Diese Art von Pumpe sammelt Gase ein, die
bei höherer Temperatur als der von flüssigem Stickstoff ausfrieren, beispielsweise Sauerstoff und Wasserdampf,
das heißt, diese Gase schlagen sich auf der kalten äußeren Oberfläche der Pumpenelemente nieder.
Wenn diese Kältefalle-Pumpe dem Inneren des
umgebenden Geräts ausgesetzt ist, das heißt, wenn der
Mantel 20 angehoben ist (strichpunktierte Lage in Γ ig. 1), steht praktisch die gesamte Oberfläche der
Pumpe mit dem umgebenden Gerät in Verbindung und noch vorhandene Gase können im Grunde unbehindert
auf direkten Wegen zu der Pumpe gelangen. Daher ist die effektive Querschnittsfläche des zu der Pumpe
strömenden Gasflusses ziemlich hoch und bedeutend größer als der von bekannten Leitungen, die normalerweise
verwendet werden, um Hochvakuumpumpen mit zu evakuierenden Kammern zu verbinden. Im Vergleich
mit bekannten Vakuumgeräten, in denen konventionelle Hochvakuumpumpen außerhalb der zu evakuierenden
Kammer benutzt werden, weist die vorliegende Anordnung eine signifikant höhere Gassammeigeschwindigkeit
oder Pumpengeschwindigkeit auf.
lis wird damit gerechnet, daß die Pumpgeschwindigkeit
des Geräts, bei welcher die Hochvakuumpumpe innerhalb des Geräts angeordnet ist, wie beschrieben,
ungefähr zweimal so hoch ist wie wenn die identische Hochvakuumpumpe außerhalb des Geräts angeordnet
wäre und an dieses über eine Leitung mit 152,4 mm Durchmesser (6 Zoll) und einer Länge von 254 mm (10
Zoll) angeschlossen wäre.
F.s können auch andere Arten bekannter Hochvakuumpumpen Verwendung finden, beispielsweise magnetische
Ionen-Pumpen oder Differentialionen-Pumpen. Entsprechend kann auch eine Kältefalle-Pumpe verwendet
werden, bei der Platten im Peltierprozeß gekühlt werden, statt der Kühlung durch Flüssigkeiten.
Wenn der Mantel 20 seine untere, die Pumpe 18 umschließende Dichtlage einnimmt, wird der Hauptdekkcl
12 angehoben und eine Anzahl von Paletten 46 mit daran angebrachten Plättchen werden auf dem Karussell
montiert. Daraufhin wird der Hauptdeckel 12 abgesenkt und das Gerät 10 abgedichtet. Die Niedervakuiimpumpe
beginnt dann das Gerät über die Leitung 16 auszupumpen. Wenn der Druck im Gerät ungefähr 100
Torr erreicht, werden die in Tandem geschaltete Torbomolekular- und Vorpumpe zur weiteren Evakuierung
des Geräts über die Leitung 17 bis auf einen Druck von ungefähr 5 χ ΙΟ-1" Torr eingesetzt. Danach wird
der Pumpenmantel 20 innerhalb des Geräts 10 angehoben und die Pumpe 18 den umgebenden Teilen
des Geräts ausgesetzt. Die Pumpe 18 kooperiert dann mit der Turbomolekularpumpe, die während des
folgenden Betriebs des Geräts in Operation bleibt, wodurch schließlich der Druck auf ungefähr 5 χ 10~7
Torr sinkt.
Wie zuvor beschrieben, führt die Anwesenheit der Pumpe 18 direkt in dem Gerät 10 zu einer bedeutenden
Erhöhung der Geschwindigkeit mit weicher die Gase während der Hochvakuumphase »eingesammelt« werden.
Wenn Titan oder andere reaktive Materialien, beispielsweise Tantal, in dem erfindungsgemäßen Gerät
durch Zerstäuben niedergeschlagen werden sollen, wird vorzugsweise ein erneuter Pumpschritt vor dem Beginn
des Niederschiagens eingeschaltet. Daher wird der Pumpenmantel 20 wieder in die abdichtende Lage um
die Pumpe 10 abgesenkt und des wird Argon in einer Menge zugeführt, so daß sich ein Druck in dem Gerät
zwischen 5 χ 10~3 und 10~2 Torr einstellt Wie in F ig. 2
dargestellt stehen dabei die Blendenöffnungen 80 und 82 im Winkel von 145°, gesehen entgegen der Richtung
des Uhrzeigersinns, zu den Targets 34a bzw. 38a, so daß die Werkslückpaletten 46 gänzlich von den Targets 34a
und 38a infolge der Verschlußblende 66 abgeschirmt sind. Eine Spannungsdifferenz von ungefähr 2000 V mit
einer Frequenz von 13,5 mHz wird dann an die Verschlußblende 66 und die beiden Targets 34a und 38a
angelegt, um das Zerstäuben dieser Targets einzuleiten. Die Verschlußblende 66 wird dann um ungefähr 110° im
Uhrzeigersinn gedreht, so daß im wesentlichen die gesamte äußere Oberfläche der Verschlußblende 66,
jedoch nicht die Paletten 46, den Targets 34a und 38a ausgesetzt ist. Auf diese Weise wird eine großflächige
Schicht von Titan auf der Verschlußblende niedergeschlagen.
Die Titanschicht oder eine entsprechende Schicht anderen reaktiven Materials wird auf der Verschlußblende
66 aus zwei Gründen niedergeschlagen. Einmal führt die Vorzerstäubung der Targets zu einer
Reinigung von verschiedenen Oberllächenverunreinigungen und zweitens wird durch die großflächige
Titanschicht ein ziemlich wirksamer Getter für reaktive Gase geschaffen, beispielsweise Sauerstoff, Stickstoff
und Wasserdampf.
Um mit den Pumpen fortzufahren, wird dann der Zustrom von Argon abgeschaltet, das Gerät 10 wird
erneut auf ungefähr 5 χ 10~5 Torr mittels der Molekularpumpe ausgepumpt und die Hochvakuumpumpe
18 wird erneut freigemacht, so daß das Gerät weiter auf ungefähr 2 χ 10-' Torr über die Pumpe 18
und die Turbomolekularpumpe ausgepumpt wird. Die Anwesenheit der Titangetterschicht verringert in
signifikanter Weise die zum Auspumpen des Systems erforderliche Zeit von 5 χ 10-7 Torr auf 2 χ 10-7 Torr.
Da ein Vorzerstäuben der Titantargets zu deren Reinigung durchgeführt werden muß, bedeutet dies, daß
das Vorzerstäuben zum rascheren und wirksameren Auspumpen des Systems verwendet wird.
Nachdem ein ziemlich niedriger Druck erreicht worden ist, und zwar für den doppelten Zweck des
Nachweises, daß das System im wesentlichen leckdicht ist und eine Umgebung bietet, die im großen und ganzen
von kontaminierenden Gasen frei ist, wird der Niederschlagungsprozeß gestartet. Die Pumpe 18 wird
erneut mit dem Mantel 20 gegen das umgebende Gerät isoliert, es wird erneut Argon in einer Menge zugeführt,
daß ein konstanter Druck zwischen 5 χ 10-3 bis 10"2
Torr herrscht und eine Zerstäubungsspannung wird zwischen den Paletten 46 und den Targets 34a und 38a
angelegt, um die Zerstäubung dieser Targets zu bewirken. Das Abtrennen der Pumpe 18 erfolgt, damit
diese nicht unnötigerweise mit Argon beladen wird.
Die Verschlußblende 66 wird so gedreht, daß die Blendenöffnungen 80 und 82 den Titantargets 34a bzw.
38a gegenüberstehen und das Karussell 54 wird so gedreht, daß aufeinanderfolgend die eine Häific der
Paletten 46 auf dem Karussell dem einen Target 34a oder 38a durch die Blendenöffnung hindurch ausgesetzt
wird, während die andere Hälfte der Palette dem anderen Target ausgesetzt ist Daher werden alle von
den Paletten 46 getragenen Plättchen 44 mit Titan durch Zerstäubung beschichtet
Nach dem Schritt des Niederschiagens von Titan werden die Platintargets 36a und 40a vorzerstäubt um
sie von den Oberflächenverunreinigungen zu befreien, die Blendenöffnungen 80 und 82 werden dann zu den
Platintargets 36a und 40a ausgerichtet und das Karussell 54 wird erneut so gedreht daß die Paletten nacheinander
den beiden Targets 36a und 40a ausgesetzt werden, um die Plättchen 44 mit Platin zu beschichten. Danach
ist der Werkstückbehandlungsprozeß beendigt
Wie zuvor beschrieben, hält die Kältefalle-Pumpe 18 Gase auf ihrer Oberfläche fest Während der Reinigung
7 8
des Geräts wird deshalb die Pumpe 18 periodisch Zerstäubungsgerät beschrieben worden, die Erfindung
erwärmt, beispielsweise durch Hindurchleiten von hat aber auch ihre Nützlichkeit bei anderen Vakuumbe-
heiQem Stickstoff durch die Pumpenrohre 90 und 92, und handlungsgeräten, beispielsweise Beschichtungsgeräte
die ausgefrorenen Gase »kochen« weg. mit Glühfaden-Verdampfung und Elektronenstrahlver-
Zwar ist die Erfindung in Verbindung mit einem 5 dämpfung.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken in Vakuum in einer Behandlungskammer und mit
einer ersten Pumpe außerhalb der Kammer und in Verbindung mit dieser, dadurch gekennzeichnet,
daß eine zweite Pumpe (18) innerhalb der Kammer angeordnet ist, daß eine kappenartige
Haube (20) zum Stülpen über die zweite Pumpe sowie zu ihrer Abdichtung gegenüber einem Teil der
Kammer ausgebildet ist, und daß eine Einrichtung (28) zur wahlweisen Verschiebung der kappenartigen
Haube (20) in die abgedichtete Lage vorgesehen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des Teilstücks der Kammer
eine Werkstückanordnung (46) und eine Werkstückbc handlungseinrichtung (34) angeordnet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweile Pumpe (18) in zentraler
Lage der Kammer angeordnet ist, daß die Werkstückanordnung (46) die zweite Pumpe (18)
konzentrisch umgibt und daß die Behandlungseinrichtung (34, 36, 38, 40) radial außen zu der
Werkstückanordnung (46) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kappenartige Haube (20) um ein
solches Stück verschiebbar ist, daß im wesentlichen die zweite Pumpe (18) zu dem Teilstück der Kammer
im wesentlichen frei wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/642,043 US4022939A (en) | 1975-12-18 | 1975-12-18 | Synchronous shielding in vacuum deposition system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2656723A1 DE2656723A1 (de) | 1977-07-07 |
DE2656723B2 DE2656723B2 (de) | 1979-07-19 |
DE2656723C3 true DE2656723C3 (de) | 1980-03-06 |
Family
ID=24574944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2656723A Expired DE2656723C3 (de) | 1975-12-18 | 1976-12-15 | Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken im Vakuum |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4022939A (de) |
JP (1) | JPS5276279A (de) |
BE (1) | BE849387A (de) |
CA (1) | CA1118714A (de) |
DE (1) | DE2656723C3 (de) |
ES (1) | ES454329A1 (de) |
FR (1) | FR2335944A1 (de) |
GB (2) | GB1559269A (de) |
IT (1) | IT1065732B (de) |
NL (1) | NL168566C (de) |
SE (1) | SE417281B (de) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2844491C2 (de) * | 1978-10-12 | 1983-04-14 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vakuum-Beschichtungsanlage mit einer Einrichtung zum kontinuierlichen Substrattransport |
JPS56152973A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-26 | Tokuda Seisakusho Ltd | Sputter etching device |
US4478703A (en) * | 1983-03-31 | 1984-10-23 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Sputtering system |
GB2142045B (en) * | 1983-06-15 | 1987-12-31 | British Telecomm | Growth of semiconductors |
US4496828A (en) * | 1983-07-08 | 1985-01-29 | Ultra Carbon Corporation | Susceptor assembly |
GB8421162D0 (en) * | 1984-08-21 | 1984-09-26 | British Telecomm | Growth of semi-conductors |
US4835114A (en) * | 1986-02-19 | 1989-05-30 | Hitachi, Ltd. | Method for LPCVD of semiconductors using oil free vacuum pumps |
JPH0766584B2 (ja) * | 1986-04-11 | 1995-07-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
US5958193A (en) * | 1994-02-01 | 1999-09-28 | Vlsi Technology, Inc. | Sputter deposition with mobile collimator |
US6142742A (en) * | 1994-10-31 | 2000-11-07 | Saes Pure Gas, Inc. | Getter pump module and system |
US5685963A (en) * | 1994-10-31 | 1997-11-11 | Saes Pure Gas, Inc. | In situ getter pump system and method |
US5911560A (en) * | 1994-10-31 | 1999-06-15 | Saes Pure Gas, Inc. | Getter pump module and system |
US5972183A (en) * | 1994-10-31 | 1999-10-26 | Saes Getter S.P.A | Getter pump module and system |
US6109880A (en) * | 1994-10-31 | 2000-08-29 | Saes Pure Gas, Inc. | Getter pump module and system including focus shields |
US6423419B1 (en) | 1995-07-19 | 2002-07-23 | Teer Coatings Limited | Molybdenum-sulphur coatings |
US5772773A (en) * | 1996-05-20 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Co-axial motorized wafer lift |
DE19738234C1 (de) | 1997-09-02 | 1998-10-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zum Aufstäuben von Hartstoffschichten |
US6077404A (en) | 1998-02-17 | 2000-06-20 | Applied Material, Inc. | Reflow chamber and process |
DE19812562A1 (de) * | 1998-03-21 | 1999-09-23 | Joachim Sacher | Beschichtungs-Verfahren und -Vorrichtung |
US7250196B1 (en) | 1999-10-26 | 2007-07-31 | Basic Resources, Inc. | System and method for plasma plating |
US6503379B1 (en) * | 2000-05-22 | 2003-01-07 | Basic Research, Inc. | Mobile plating system and method |
US6521104B1 (en) * | 2000-05-22 | 2003-02-18 | Basic Resources, Inc. | Configurable vacuum system and method |
JP2005504172A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-02-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | スパッタ蒸着のための二重供給源単一チャンバー法および器具 |
US20030180450A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Kidd Jerry D. | System and method for preventing breaker failure |
US6931711B2 (en) * | 2002-09-03 | 2005-08-23 | Honeywell International Inc. | Methods and apparatus for removing gases from enclosures |
GB0222331D0 (en) * | 2002-09-26 | 2002-10-30 | Teer Coatings Ltd | A method for depositing multilayer coatings with controlled thickness |
US20040099525A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-05-27 | Plasmion Corporation | Method of forming oxide thin films using negative sputter ion beam source |
US20040129557A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-07-08 | Plasmion Corporation | Method of forming non-oxide thin films using negative sputter ion beam source |
US20050126497A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-16 | Kidd Jerry D. | Platform assembly and method |
US8057856B2 (en) * | 2004-03-15 | 2011-11-15 | Ifire Ip Corporation | Method for gettering oxygen and water during vacuum deposition of sulfide films |
US7601246B2 (en) * | 2004-09-29 | 2009-10-13 | Lam Research Corporation | Methods of sputtering a protective coating on a semiconductor substrate |
JP5626157B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2014-11-19 | 日本電気硝子株式会社 | スパッタリング成膜装置のカルーセル及びスパッタリング成膜装置 |
DE102012104475A1 (de) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | Aixtron Se | Carousel-Reactor |
WO2014035480A1 (en) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | General Electric Company | Induction furnace with uniform cooling capability |
CN103898462B (zh) * | 2012-12-29 | 2017-08-22 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 磁控溅射镀膜装置 |
DE102018204033A1 (de) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | Rodenstock Gmbh | Vorrichtung zur Beschichtung einer Vielzahl von Substraten |
KR20220054437A (ko) * | 2019-09-06 | 2022-05-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 셔터 디스크 |
CN113289844A (zh) * | 2020-10-17 | 2021-08-24 | 惠州市兴日生实业有限公司 | 一种玻璃鱼缸组装用点胶机的工作自动流水线 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2341827A (en) * | 1944-02-15 | Optical unit | ||
US3046936A (en) * | 1958-06-04 | 1962-07-31 | Nat Res Corp | Improvement in vacuum coating apparatus comprising an ion trap for the electron gun thereof |
US3213825A (en) * | 1959-12-31 | 1965-10-26 | Trw Inc | Vacuum deposition apparatus |
US3740327A (en) * | 1969-06-03 | 1973-06-19 | Warner Lambert Co | Sputter coating apparatus with shrouding means |
US3649339A (en) * | 1969-09-05 | 1972-03-14 | Eugene C Smith | Apparatus and method for securing a high vacuum for particle coating process |
US4013539A (en) * | 1973-01-12 | 1977-03-22 | Coulter Information Systems, Inc. | Thin film deposition apparatus |
US3853091A (en) * | 1973-12-03 | 1974-12-10 | Ibm | Thin film coating apparatus |
US3921572A (en) * | 1974-02-25 | 1975-11-25 | Ibm | Vacuum coating apparatus |
US3889632A (en) * | 1974-05-31 | 1975-06-17 | Ibm | Variable incidence drive for deposition tooling |
-
1975
- 1975-12-18 US US05/642,043 patent/US4022939A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-11-09 CA CA000265248A patent/CA1118714A/en not_active Expired
- 1976-12-06 SE SE7613681A patent/SE417281B/xx unknown
- 1976-12-13 FR FR7637465A patent/FR2335944A1/fr active Granted
- 1976-12-14 BE BE173243A patent/BE849387A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-12-15 GB GB10189/78A patent/GB1559269A/en not_active Expired
- 1976-12-15 DE DE2656723A patent/DE2656723C3/de not_active Expired
- 1976-12-15 GB GB52424/76A patent/GB1558583A/en not_active Expired
- 1976-12-16 NL NLAANVRAGE7613969,A patent/NL168566C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-12-17 JP JP51151032A patent/JPS5276279A/ja active Granted
- 1976-12-17 ES ES454329A patent/ES454329A1/es not_active Expired
- 1976-12-17 IT IT30574/76A patent/IT1065732B/it active
-
1977
- 1977-01-10 US US05/758,385 patent/US4062319A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4062319A (en) | 1977-12-13 |
CA1118714A (en) | 1982-02-23 |
NL168566B (nl) | 1981-11-16 |
JPS5276279A (en) | 1977-06-27 |
GB1559269A (en) | 1980-01-16 |
NL168566C (nl) | 1982-04-16 |
SE417281B (sv) | 1981-03-09 |
JPS5538427B2 (de) | 1980-10-03 |
FR2335944B1 (de) | 1980-09-26 |
DE2656723B2 (de) | 1979-07-19 |
BE849387A (fr) | 1977-04-01 |
FR2335944A1 (fr) | 1977-07-15 |
NL7613969A (nl) | 1977-06-21 |
IT1065732B (it) | 1985-03-04 |
SE7613681L (sv) | 1977-06-19 |
US4022939A (en) | 1977-05-10 |
ES454329A1 (es) | 1978-01-01 |
GB1558583A (en) | 1980-01-03 |
DE2656723A1 (de) | 1977-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2656723C3 (de) | Vorrichtung zur Behandlung von Werkstücken im Vakuum | |
DE2609115C2 (de) | Vakuum-Zerstäubungsvorrichtung | |
DE69023633T2 (de) | Kathodenzerstäubungsgerät und kathodenzerstäubungsanlage. | |
DE2102352C3 (de) | Hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung | |
DE3114466C2 (de) | Ionenimplantationssystem | |
DE2703659C2 (de) | Ätzvorrichtung zum Ätzen eines Objekts unter Verwendung von Plasma | |
EP0312694B1 (de) | Vorrichtung nach dem Karussell-Prinzip zum Beschichten von Substraten | |
DE3889649T2 (de) | Ätzverfahren und -gerät. | |
DE69226725T2 (de) | Beschichtungsanlage mittels Kathodenzerstäubung und Methode zur Steuerung derselben | |
EP0291690B1 (de) | Vorrichtung zum Ein-und Ausschleusen von Werkstücken in eine Beschichtungskammer | |
DE69700893T2 (de) | Magnetrongerät für ganzflächige Niederdruckerosion | |
DE69513876T2 (de) | Abschirmungs-Anordnung für Vakuumkammer | |
DE4005956C1 (de) | ||
DE2047749A1 (de) | Zirkuläres System zur kontinuierlichen Verrichtung verschiedener im Vakuum durch zuführender Prozesse | |
DE3714045A1 (de) | Handhabungsarm fuer halbleitersubstrate | |
DE2241634B2 (de) | Verfahren zum fortlaufenden Aufbringen metallischer Überzüge auf ebene Werkstücke mittels Kathodenzerstäubung | |
DE2517554A1 (de) | Einrichtung fuer die aufeinanderfolgende zerstaeubung von mehreren targets | |
DE69504716T2 (de) | System zum Behandeln und zum Handhaben von Substraten für Flachdisplays | |
EP1722005A1 (de) | Verfahren zum Betreiben einer Sputterkathode mit einem Target | |
EP0905275B1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten eines im wesentlichen flachen scheibenförmigen Substrats | |
DE2208032A1 (de) | Zerstäubungsvorrichtung | |
DE69128544T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur sputtenbeschichtung mit rotierender magnetischer kathode | |
DE2115590A1 (en) | Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim | |
DE2418008A1 (de) | Kathode fuer kathodenzerstaeubungsgeraete sowie mit derartigen kathoden ausgeruestete kathodenzerstaeubungsgeraete | |
DE2263737A1 (de) | Zerstaeubungsvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |