DE3630035C2 - Vorrichtung zum Einladen eines Halbleiterwafers in eine Behandlungskammer und Ionenimplantationsvorrichtung mit dieser Vorrichtung - Google Patents
Vorrichtung zum Einladen eines Halbleiterwafers in eine Behandlungskammer und Ionenimplantationsvorrichtung mit dieser VorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf
eine Vorrichtung zum Einladen von Halbleiterwafern in eine Behandlungskammer
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs,
sowie eine Ionenimplantationsvorrichtung mit einer
derartigen Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 11.
In Ionenimplantiervorrichtungen zur Dotierung
von Halbleiterwafern, werden die folgenden Kriterien
als außerordentlich wichtig angesehen:
- a) Die Ionendosis muß gleichförmig über die Waferober fläche verteilt sein,
- b) kein Teil des Wafers sollte durch eine Klammer oder irgendein anderes Haltelement überschattet sein,
- c) Klammern oder andere Haltelelemente sollten nicht derart positioniert sein, daß Material von diesem auf ein Wafer versprüht wird,
- d) die Implantationsvorrichtung sollte in der Lage sein, eine große Anzahl von Wafern pro Zeiteinheit zu be lichten oder der Implantation aussetzen,
- e) die infolge der Implantationsenergie in einem Wafer erzeugte Wärme muß in effizienter Weise zur Steuerung der Wafertemperatur entfernt werden,
- f) jedwede infolge des Targetkammerbetriebs erzeugte Teilchen müssen daran gehindert werden, sich auf den Wafern abzusetzen,
- g) der Ionenstrahlstrom muß genau und häufig überwacht werden, um die richtige Dosierung sicherzustellen,
- h) die Wafer müssen gegenüber physikalischer, d. h. körper licher Schädigung durch den Implantationsprozeß ge schützt werden,
- i) der Ionenstrahl muß auf die Waferoberfläche unter dem gewünschten Winkel bezüglich der Kristallebenen des Wafers an allen Punkten des Wafers auftreffen.
Die bislang verwendeten Ziel- oder Targetkammern sind nicht
in der Lage, sämtliche obengenannten Kriterien gleich
zeitig zu erfüllen. Beispielsweise macht das obengenannte
Erfordernis hinsichtlich der Kühlung gemäß (e) es notwen
dig, daß Klammern benutzt werden, um den Wafer gegen ein festes
leitendes Medium zu drücken, oder gegen Dichtungen,
die erforderlich sind, um ein Gaskühlmedium eingeschlossen zu halten.
Diese Klammern überdecken einen Teil
der Waferfläche und bewirken, daß Klammermaterial
auf die Wafer versprüht wird, wobei ferner Teilchen durch
Abrasion von Photoresistmaterial von der Waferoberfläche
erzeugt werden und auf diese Weise eine Deformation des
Wafers bewirkt werden kann, und zwar in einem Ausmaß, daß
der Ionenstrahl auf die Waferoberfläche nicht unter dem
gleichen Winkel über die gesamte Waferoberfläche hinweg
auftrifft. Die Klammern stellen auch ein Risiko hinsicht
lich des Waferbruchs dar, weil die Klemmkraft nicht
gleichmäßig über die Waferoberfläche aufgebracht werden
kann.
Im Hinblick auf den Stand der Technik wird auf die
US-PS 4,399,365 verwiesen, in der ein Verfahren und eine
Vorrichtung zur automatischen Ionenimplantation bei
Halbleitern offenbart ist. Aus der US-PS 2,556,456 ist eine
Vorrichtung mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten
Merkmalen bekannt. Dabei handelt es sich um eine
Ionenimplantationsvorrichtung, bei der die rotierenden
Träger für die Halbleiterwafer enthaltene Targetkammer gegen
die Vertikale und den Winkel von 45° geneigt ist. Die
Halbleiterwafer werden mittels Greifarmen in die und aus der
Targetkammer geladen.
Aus der DE 25 56 456 A1 ist es bei einer
Ionenimplantationsvorrichtung bekannt, einen Halbleiterwafer
in einen gegen die Vertikale geneigten Durchgang der
Targetkammer oben einzubringen, in dem der Halbleiterwafer
durch Schwerkraft in die Bestrahlungsposition gleitet und
dort mittels Anschlägen festgehalten wird. Nach der
Bestrahlung werden die Anschläge zurückgezogen, so daß der
Halbleiterwafer durch den Einfluß der Schwerkraft durch den
Durchgang aus der Targetkaminer nach unten heraus gleitet.
Die Aufgabe der Erfindung besteht also darin den
obengenannten Kriterien a) bis i) gerecht zu werden, wobei
die Nachteile des Standes der Technik vermieden werden.
Insbesondere soll die Halterung der Wafer derart
funktionieren, daß kein Teil der Wafer durch ein Haltelement
für den Ionenstrahl verdeckt ist.
Die Aufgabe der Erfindung wird bei einer Vorrichtung der eingangs
genannten Art zum Einladen von Halbleiterwafern in eine Behandlungskammer
durch die Merkmale im
kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 gelöst.
Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen offenbart.
Die Verwendung einer schnell umlaufenden rotierenden Schei
be in einer Ionenimplantationsvorrichtung ist an sich
aus der US-PS 4 234 797 bekannt, wie auch die Verwendung
der Zentrifugalkraft, was in US-PS 4 155 011 beschrieben
ist. Keine dieser bekannten Vorrichtungen ist jedoch in
der Lage, sämtliche oben erwähnten Kriterien zu erfüllen.
Bei der Vorrichtung gemäß US-PS 4 234 797 müssen noch
immer Klammern verwendet werden, um die Wafer zu halten,
wenn die Scheibe nicht umläuft. Bei der Vorrichtung gemäß
US-PS 4 155 011 muß der Trommeldurchmesser recht groß
sein, damit der notwendige gleichförmige Implantationswinkel
erreicht wird.
Gemäß der Erfindung ist also
eine Targetkammer vorgesehen und die an die Wafer anzulegende
Klemmkraft wird durch eine Körperschaft erzeugt,
d. h. Kraft, abhängig von der Masse
des Wafers, wie beispielsweise der Schwerkraft, der Be
schleunigung und der magnetischen Kraft; oder aber die Kraft
wird auf einem Oberflächengebiet, beispielsweise durch
elektrostatische Gasdruckkräfte vorgesehen. Insbesondere
weist die Target- oder Zielkammer der Erfindung eine sich
drehende Scheibe auf, auf der die Wafer aufgenommen wer
den, wobei die Scheibe in der Form eines flachen Tellers
vorgesehen ist, und zwar derart, daß die durch eine rela
tiv hohe Drehgeschwindigkeit erzeugte Zentrifugalkraft
die Wafer gegen die Scheibe drückt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Scheibe gegenüber
der Vertikalorientierung gemäß dem Stand der Technik
derart verkippt, daß die Wafer auf der Scheibe durch
Schwerkraft während des Ladens gehalten wer
den können. Während Vakuum oftmals als Mittel zum Festklem
men der Wafer während der Verarbeitung verwendet wird,
hat sich gemäß der vorliegenden Erfindung herausgestellt,
daß es zweckmäßig ist, die Vakuumkammer auszupumpen, bevor
die Scheibe in Drehung versetzt wird, um die Wafer vor
teilchenförmiger Verschmutzung zu schützen. Obwohl die
Scheibe horizontal orientiert werden könnte, um das Erfor
dernis hinsichtlich einer Haltung der Wafer auf der Scheibe
während des Beladens zu erfüllen, ist dies
unerwünscht, weil es eine vertikale Strahllinie erfordern
wurde und die Strahllinie ist von solcher Länge, daß die
Implantationsrichtung nicht in normale Raumhöhen hinein
passen würde. Ferner würde Abfall und kondensiertes Ma
terial die Tendenz haben, von der Strahllinie aus auf die
Wafer zu fallen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Scheibe um zwi
schen 30 und 60° gegenüber der Horizontalen (oder Verti
kalen) gekippt, was ein entsprechendes Kippen der Strahl
linie zur Folge hat. Im wesentlichen muß die Scheibe ge
nügend gegenüber der Vertikalen gekippt werden, um zu ge
statten, daß die Wafer in einer Position durch Schwerkraft
an sämtlichen Positionen der Scheibe gehalten werden, und
die Kippung muß gegenüber der Horizontalen genügend derart
erfolgen, daß die Strahllinie noch in die übliche Raumhöhe
paßt.
Eine weitere wichtige Betrachtung der vorliegenden Erfin
dung bezieht sich auf die Waferkühlung. Ein akzeptiertes
Verfahren zur Kühlung von Wafers bei der Ionenimplanta
tion besteht in der Leitung in ein elastomeres Stützma
terial. Das Ausmaß der Kühlung hängt somit teilweise von
dem Kontaktdruck zwischen dem Elastomer und dem Wafer
ab und der mit Zentrifugalkraft erhältliche Kontaktdruck
bei akzeptablen Scheibengeschwindigkeiten ist am unteren
Ende des brauchbaren Bereichs. Für relativ hohe Strahlen
leistungen wird daher eine flüssigkeitsgekühlte Stützung
als notwendig angesehen.
Die Kammer wird durch
eine kontinuierliche
Strömung aus Trockengas während des Ladens gespült und
das Gas tritt aus der Kammer durch kleine Ladeöffnungen
aus. Die gesamte Kammer ist für das Laden nicht geöffnet,
nur relativ kleine Öffnungen. Die Waferladung wird da
durch erreicht, daß man die Scheibe verdreht, um ein
Wafer vor der Ladeöffnung zu positionieren, wobei durch
die Öffnung mit einem Vakuumschraubstock gegriffen wird,
um das Wafer herauszuziehen, wobei die leere Waferposi
tion vor der Ladeöffnung repositioniert wird und wobei
schließlich ein neues Wafer mittels eines zweiten Vakuum
schraubstocks abgelegt wird.
Zur Verbesserung der Dosisgleichförmigkeit sieht die
Erfindung einen Ionenstrahl vor, der um seine eigene
Achse gekippt ist. In einer Ionenstrahlimplantationsvor
richtung, die die mechanische Abtastung verwendet, wie
beispielsweise die gemäß US-PS 4 234 797, ist die Form
des Strahls am Target bestimmt durch die Form
der Ionenquellenöffnung, die typischerweise
ein langgestrecktes Rechteck ist. Der sich ergebende
schlitzförmige Strahl kann tangential zur Scheibe orien
tiert werden, wie dies in US-PS 4 346 301 gezeigt ist.
Wenn jedoch der Strahlstrom reduziert wird, so nimmt die
Strahlgröße ab und kann eine sehr feine Linie werden.
Dies kann einen "Streifen"-Effekt zur Folge haben und nicht
gleichförmige Implantationen. Um solche Effekte zu ver
meiden, kann der Strahl radial zur Scheibe orientiert
werden, was eine gute Gleichförmigkeit und bessere thermi
sche Eigenschaften vorsieht; eine solche Konfiguration
erhöht jedoch die Überabtastung (overscan) und nützt
somit den Strahl weniger effizient aus.
Aus Obigem ergibt sich, daß beim Stand der Technik die
Wahl der Strahlorientierung ein Kompromiß zwischen
effizienter Strahlausnutzung und Abtastgleichförmigkeit
war.
Die vorliegende Erfindung sieht
Mittel zum Kippen des Strahls
etwas gegenüber einer rein tangentialen Orientierung
relativ zur Scheibe vor. Das Ergebnis einer solchen Orientie
rung ist ein projiziertes Strahlbild, welches eine signi
fikante Breite aufweist, und zwar selbst bei niedrigen
Strahlströmen, und auf diese Weise werden "Streifeneffekte"
vermieden, wobei noch immer die "Überabtastung" mini
miert wird.
Ausführungsbeispiele der Erfindung
werden im Folgenden anhand der Zeichnungen näher beschrieben; in der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 eine schematische Seitenansicht einer erfindungs
gemäßen Ionenimplantiervorrichtung, wobei Teile
weggeschnitten sind;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht der Ionenimplanta
tionsvorrichtung der Fig. 1, wobei wiederum Teile
weggeschnitten sind;
Fig. 3 eine Draufsicht der Target- oder Zielkammer;
Fig. 4 eine Teilschnittansicht der Targetkammer;
Fig. 5 eine weitere Teilschnittansicht der
Targetkammer im ganzen um 90° gegenüber der An
sicht der Fig. 4 gedreht;
Fig. 6 eine Teildraufsicht der Waferscheibe der Erfin
dung;
Fig. 7 einen Schnitt durch die Waferscheibenanordnung;
Fig. 8 einen Schnitt längs der Linie 8-8 der Fig. 11;
Fig. 9 eine vergrößerte Draufsicht einer ersten Zaun
struktur der Erfindung;
Fig. 10 eine vergrößerte Draufsicht einer zweiten Zaun
struktur der Erfindung;
Fig. 11 eine Draufsicht der Unterseite eines der Scheiben
segmente gemäß Fig. 6; und
Fig. 12 eine vergrößerte schematische Ansicht eines Teils
der Fig. 3, wobei Teile aus Gründen der Klarheit
entfernt sind.
In der Zeichnung ist eine Ionenimplantationsvorrichtung 10
dargestellt, die eine Ionenquelle 12, einen Analysiermagne
ten 14 und eine Target- oder Zielkammer 16 aufweist. Quelle
und Analysiermagnet sind in einem ersten Kabinett 18 um
schlossen, welches ebenfalls die Leistung- und Steuerkom
ponenten umschließt, die notwendig sind, um einen Strahl 20
aus Ionen einer gewünschten Art zu bilden und um den
Strahl zu beschleunigen und zu fokussieren. Diese Elemente
sind in der Technik wohlbekannt und bilden keinen Teil
der Erfindung.
Die Targetkammer der Erfindung ist innerhalb eines zweiten
Kabinetts 22 umschlossen, welches mit dem ersten Kabinett
mittels einer Leitung 24 verbunden ist, welches die Strahl
linie 20 umgibt.
Wie in den Fig. 1, 2 und 3 gezeigt, ist die Ionenimplan
tationsvorrichtung 10 derart geformt, daß die Strahl
linie unter einem Winkel von im wesentlichen 45° ver
läuft, wenn dieser in die Targetkammer eintritt. Wie
weiter unten im einzelnen erläutert wird, macht es dies
möglich, die Schwerkräfte auszunutzen, wenn die Wafer
in die Targetkammer 16 eingeladen und aus dieser entla
den werden. Die Targetkammer 16 weist eine Einlaßva
kuumkammer 26 auf, eine Hauptvakuumkammer 28, die mit
der Einlaßkammer in Verbindung steht, ein Scheibentrans
port- und Antriebssystem 30, ein Scheibenabtastsystem 32,
eine erste kryogene Pumpe 34 zur Evakuierung der Ein
laßvakuumkammer, ein erstes Ventil 35 zur Steuerung der
Strömung in und aus der Einlaßkammer und eine zweite
kryogene Pumpe 36 zur Evakuierung der Hauptvakuumkammer.
Die Targetkammer 16 ist auf einem beweglichen Gestell 38
angeordnet, welches die Entfernung und den Ersatz der
Waferscheibenanordnung der Implantationsvorrichtung er
leichtert, um von einer Wafergröße zu einer anderen über
zugehen oder aber um Wartungsverfahren an der Targetkam
mer vornehmen zu können.
Es sei nun insbesondere auf die Fig. 3, 4, und 5 Bezug
genommen, gemäß welchen die Hauptvakuumkammer 28 ein Ba
sisglied 42 und eine Abdeckung 44 aufweist, die vom Ba
sisglied herabhängt. Die Abdeckung ist an der Basis mit
tels einer Schwenkanordnung 46 befestigt und wird durch
einen Verriegelungsmechanismus 48 gesichert.
Die im ganzen mit 50 bezeichnete Waferscheibenanordnung
ist zur Drehung an der Abdeckung oder dem Deckel 44 ge
lagert und wird mittels des extern angeordneten Transport-
(Indizier-) und Antriebsmotors 30 angetrieben. Die Scheibenan
ordnung 50 und der Antriebsmotor 30 sind auf einer Vakuum
stirnflächenabdichtplatte 52 angeordnet, die radial be
züglich der Abdeckung 44 beweglich ist, um die radiale
Abtastbewegung der Scheibe vorzusehen. Die Konfiguration
der Stirnseitenabdichtplatte und ihre Beziehung zur Ab
deckung ist im wesentlichen die gleiche, wie dies in
US-PS 4 229 655 gezeigt ist. Auf die Offenbarung dieser
Patentschrift wird ausdrücklich hingewiesen.
Die Stirnflächenabdichtplatte 52 wird durch Linearlager
anordnungen 54 und 56 getragen, die längs Wellen 58 befe
stigt an der Abdeckanordnung beweglich sind. Die Antriebs
welle für die Scheibe erstreckt sich durch eine ferro
fluidische Dichtung (Warenzeichen der Ferrofluidics Corp.)
und Lageranordnung 61, und zwar aufgenommen durch einen
(nicht gezeigten) Schlitz in der Abdeckung, und sie be
wegt sich in Radialrichtung mittels eines Abtastmotors 60,
befestigt an der Abdeckung mittels eines Bügels 63, der
eine Leitschraubanordnung 62 antreibt, und zwar ein
schließlich einer Antriebsmutter 64, befestigt an der
Abdichtplatte.
Die Scheibenanordnung bewegt sich radial zwischen der
mit ausgezogener Linie dargestellten Position der Fig. 4
und der mit einer gestrichelten Linie angedeuteten Posi
tion, und zwar in einer gesteuerten Art und Weise, die
sicherstellt, daß die zu implantierenden Wafer eine
gleichförmige Dosierung erhalten. Das hier verwendete
Steuersystem ist im wesentlichen das gleiche wie das in
US-PS 4 234 797 gezeigte und es wird auf diese Patent
schrift ausdrücklich hingewiesen und diese zum Gegenstand
der vorliegenden Offenbarung gemacht. Wenn die Scheiben
anordnung sich in der durch eine gestrichelten Linie dar
gestellten Position befindet, so ist sie mit einer Lade
öffnung (Ladestelle) 66 ausgerichtet und mit einer Entlade
öffnung (Entladestelle) 67, vgl. dazu die Fig. 3, wobei
ferner die Beschreibung noch weiter unten fortgesetzt wird.
Die zweite kryogene Pumpe 36 hat einen Einlaß 68, wie in
Fig. 4 gezeigt und ist mit einer Ventilanordnung 70 verbunden,
und zwar befestigt an dem Vakuumkammerbasisglied 42.
Die Ventilanordnung weist ein Fitting (Passung) 72 auf
mit einem Flansch 74, der mit der Vakuumkammer durch Bol
zen oder in anderer Weise befestigt ist und durch einen
O-Ring abgedichtet ist. Der Flansch erstreckt sich nach
innen gegenüber der Auslaßöffnung im Basisglied, um einen
Ventilsitz 76 zu bilden. Eine Ventilplattenanordnung 78
ist entgegengesetzt zum Fitting 72 angeordnet und ist an
der Abdeckung 44 befestigt. Die Ventilplattenanordnung
weist eine Kreisventilplatte 80 auf, die mit einem Ventil
sitz in Eingriff bringbar ist, ferner einen Linearbetäti
ger 82, der betätigbar ist, um die Ventilplatte zwischen
einer ersten offenen in Fig. 4 mit einer ausgezogenen
Linie gezeigten Position und einer zweiten geschlossenen
Position im Eingriff mit dem Sitz 76 zu bewegen, wobei
letzteres durch eine gestrichelte Linie dargestellt ist.
Es sei nunmehr insbesondere auf die Fig. 6 und 7 Bezug ge
nommen, wobei gemäß diesen Figuren die Waferscheibenan
ordnung 50 einen Nabe 84 und eine Vielzahl von Scheiben
segmenten 86 aufweist, die in einem Ringkanal aufgenom
men sind, gebildet in der Nabe und gehalten an der Nabe
mittels eines Verriegelungsrings 88, wobei der Ring 88
mit der Nabe durch Bolzen und auch durch Schrauben 90 ver
bunden ist. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind
fünf Segmente 86 vorgesehen, wobei jedes derart geformt
ist, daß es vier 125 mm Durchmesser der Wafer aufnimmt.
Diese Konstruktion erleichtert das Ersetzen der einzelnen
Segmente zu Wartungszwecken und erleichtert ferner
den Wechsel von einer Wafergröße zur anderen. Beispiels
weise kann die gezeigte Scheibenanordnung zwanzig Wafer
von 125 mm Durchmesser aufnehmen. Die Scheibenanordnung
kann jedoch ohne weiteres derart abgeändert werden, daß
sie dreißig Wafer von 82,5 mm Durchmesser, fünfundzwanzig
Wafer von 100 mm Durchmesser, fünfzehn Wafer von 150 mm
Durchmesser oder zehn Wafer von 200 mm Durchmesser auf
nimmt. Es ist klar, daß auch andere Anordnungen möglich
sind.
Wie in Fig. 7 gezeigt, ist die Nabe 84 an der Abdicht- und
Lageanordnung 61 befestigt, die sicherstellt, daß die
Integrität des Vakuums innerhalb der Kammer 28 beibehal
ten wird. Die Dicht- und Lageranordnung ist ein im Handel
verfügbarer Gegenstand und wird hier im einzelnen nicht
beschrieben.
Jedes der Segmente 86 ist im wesentlichen identisch und
weist einen ersten Innenteil 94 auf, der senkrecht zur
Drehachse der Nabe verläuft, und ferner einen zweiten
äußeren Randteil 98, der unter einem Winkel bezüglich des
ersten Teils verläuft. Wenn die Segmente auf der Nabe zu
sammengebaut werden, so definieren sie einen flachen Teller
oder ein schalenförmiges Element mit einem abgewinkel
ten Rand, auf dem die Wafer aufgenommen werden. Im ver
anschaulichten Ausführungsbeispiel schneiden die Ionen
strahlen die Scheibenachse unter einem Winkel von 6°;
daher ist der Randwinkel 13° gegenüber der Scheibenachse um
den üblichen Implantationswinkel von 7° zu erreichen, wie
dies in US-PS 4 234 797 beschrieben ist. Wie gezeigt,
weist jedes der Segmente vier Waferstationen 100a bis
100d auf, und zwar darauf definiert, um Wafer 102 (nur
an den Stationen 100b und 100c gezeigt) zu implantieren.
Es sei nun insbesondere auf die Fig. 6 und 8 Bezug genommen,
wo jede der Waferstationen 100 durch eine erste Vertiefung
oder Eindrückung 104 definiert ist, und zwar mit einer
Bodenoberfläche, die im wesentlichen eine Verlängerung des
abgewinkelten äußeren Teils 98 des Scheibensegments ist,
und wobei jede der Waferstationen 100 ferner durch eine
flache kreisförmige Vertiefung 106 definiert wird, in die
das Wafer aufgenommen ist, und schließlich erfolgt die
Definition der Waferstation durch einen im ganzen U-förmige
Vertiefung 108, ausgebildet mittig in der Außenkante des
Segments, um Raum für eine Vakuumhaltevorrichtung (Vakuum
schraubstock) 69 zu schaffen, die dazu verwendet wird, um
die Wafer einzusetzen und sodann aus der Vakuumkammer zu
entfernen. Ein kreuzförmiger Kanal 110 ist in der Mitte
der Vertiefung 106 ausgebildet und dient als ein Druck-
und Vakuumverteilungskanal, was im folgenden noch be
schrieben wird.
Da die Scheibe 50 unter einem Winkel gegenüber der Horizon
talen orientiert ist, gleitet ein Wafer bei seinem Ein
setzen in die Ladeöffnung 66 durch Schwerkraft in Rich
tung des Pfeils A in Fig. 6 und sodann in eine Wafersta
tion 100. Gemäß der Erfindung sind Mittel vorgesehen, um
die Wafer zu fangen und zu halten, während die Scheibe zum
Zwecke des Ladens und Entladens weiter transportiert wird,
und um die Wafer gegenüber der Zentrifugalkraft dann ein
zuschränken, wenn die Scheibe sich dreht.
Jede Station - vgl. dazu die Fig. 6, 9 und 10 - weist ein
Paar von ersten Zaun- oder Eingrenzelementen 126 auf, die
sich im Betrieb leicht verbiegen können, wenn das Wafer
in Kontakt mit diesen Elementen 126 gleitet. Bekanntlich
sind die Halbleiterwafer sehr brüchig, weshalb es außerordent
lich wichtig ist, den Waferbruch zu minimieren; es ist ferner
wichtig, die Relativbewegung zwischen den Waferoberflächen
und den Komponenten der Implantationsvorrichtung zu mini
mieren. Gleichzeitig müssen die Wafer aber genau auf der
Scheibe positioniert werden. Im hier gezeigten Ausführungs
beispiel ist jeder Zaun oder jedes Begrenzungselement 126
in der Form eines L-förmigen Metallgliedes ausgebildet,
und zwar mit ersten und zweiten sich verjüngenden Schen
keln 128 und 130, und jedes Begrenzungselement ist an der
Scheibe durch eine Schraube 131 am Schnittpunkt der Schen
kel befestigt. Wenn das Wafer die Scheibe hinabgleitet,
so kontaktiert es die Schenkel 128 und 130, die etwas ausge
lenkt werden, um die Energie des gleitenden Wafers zu ab
sorbieren, ohne eine übermäßige Waferkontaktkraft hervor
zurufen. Wenn die Schenkel in ihre nicht ausgelenkte oder
nicht verbogene Position zurückkehren, so wird das Wafer
in der in Fig. 6 gezeigten Position für die Implantation
gehalten.
Wenn ein Wafer anfangs in die Vakuumkammer eingesetzt
wird, so wird es über einem zweiten Satz von Begrenzungs
elementen 132 abgelegt, und zwar angeordnet benachbart
zur Außenseite der Station 100. Es sei insbesondere auf
Fig. 10 Bezug genommen, in der man erkennt, daß jedes zweite
Begrenzungs- oder Zaunelement in Form eines im wesentlichen
rechteckigen Einsatzes vorliegt, der in einer in der Ober
fläche des Randes 98 ausgebildeten Vertiefung aufgenommen
ist. Der Einsatz weist ein Basisteil 134 mit Stiftverbin
dung zur Scheibe auf und ein Federteil 136, welches in
der Form einer auslegeartigen Verlängerung des Basisteils
vorgesehen ist, und zwar mit einem rechteckigen darinnen
ausgebildeten Loch zur Definition Paralleler Federblätter
137, die leicht gegenüber den Radien der waferaufnehmenden
Vertiefung 106 versetzt sind. Wenn die Scheibe sich dreht,
so schränken die Begrenzungselemente 132 die Wafer 100
gegenüber der auf diese wirkenden Zentrifugalkraft ein.
Man erkennt, daß der Federteil 136 sich unter dem Einfluß
der Zentrifugalkraft nur leicht auslenkt oder verbiegt.
Es sei nunmehr insbesondere auf die Fig. 6 und 8 Bezug
genommen. Wenn ein Wafer 102 anfänglich in die Vakuumkammer
eingesetzt wird, so ist es wichtig, daß dieser genau an
der Station 100 positioniert wird. Wenn demgemäß der Wafer
an den Begrenzungselementen 126 zur Ruhe kommt, so sind
Mittel vorgesehen, um den Wafer in Eingriff mit den Be
grenzungsmitteln 132 zu bewegen und um sie in dieser Position
während der Lade- und Entladevorgänge zu halten, wenn
keine Zentrifugalkraft auf die Wafer einwirkt.
Um anfangs den Wafer in seine Position zu bringen, er
streckt sich,wie im Schnitt der Fig. 6 gezeigt, ein Betä
tigungsarm 160 von einem Gehäuse 162, befestigt an der
Kammerbasis 42, benachbart zur Ladeöffnung 66 in eine
in der Scheibenoberfläche ausgebildete Vertiefung 164 und
ist betätigbar, um das Wafer radial nach außen auf die
Scheibenoberfläche zu bewegen. Der Betätigungsarm wird
durch einen zylindrischen Betätiger 166 befestigt an dem
Gehäuse 162 (vgl. Fig. 3), bewegt, der betätigbar ist, um
eine Drehbewegung auf den Arm auszuüben, und zwar um eine
Achse der Betätigungsvorrichtung, um mit der Kante des
Wafers in Eingriff zu kommen und es wird ferner eine Linearbe
wegung längs der Achse aufgeprägt, um das Wafer in Ein
griff mit den Begrenzungselementen 132 zu schieben. Die
Betätigungsvorrichtung kann elektrisch, mechanisch oder
eine Kombination daraus sein, und zwar abhängig von übli
chen Konstruktionsbetrachtungen, was keinen Teil der vor
liegenden Erfindung bildet.
Wie man in den Fig. 6 und 8 erkennt, ist der Querkanal 110
vorgesehen, um das Anlegen eines Vakuums hinter dem Wafer
zu gestatten, und zwar zum anfänglichen Halten des Wafers
in seiner Position an den Begrenzungselementen. Wie man am
besten in Fig. 8 erkennt, werden kanalförmige Einsätze 111,
112 in der Vertiefung 110 aufgenommen und dienen als Sammel
leitungen zur Verteilung des Vakuums oder Drucks zur
Unterseite des Wafers durch eine Vielzahl von kleinen Öff
nungen 113, gebildet durch die Einsätze.
Um die Kühlung der Wafer während der Verarbeitung zu ver
bessern, sind die Vertiefungen 106 mit einer Schicht 114
aus einem RTV-Material überzogen, wobei darinnen Löcher
ausgebildet sind, die den Öffnungen 113 entsprechen. Wenn
die Scheibenanordnung 50 - vgl. dazu die Fig. 4 und 8 -
einer Translationsbewegung, zu deren gestrichelt darge
stellten Position der Fig. 4 unterworfen wird, um die
Waferbeladung vorzunehmen, so wird die Scheibe in eine
Position bewegt, wo ein an die Unterseite der Scheibe an
jeder Station 100 angeschweißtes oder in anderer Weise
daran befestigtes Fitting mit einer Ventileinheit 120 aus
gerichtet wird und mit dieser in Eingriff kommt, wobei diese
betätigbar ist, um selektiv Vakuum oder Druck an das Fit
ting anzulegen. Während des Ladeprozesses wird Vakuum an
das Fitting angelegt, wobei ein Vakuum an der Unterseite
eines an Station 100 positionierten Wafers durch das
Fitting 118, eine durch die Scheibe hindurch ausgebildete
Öffnung 121 und die Einsätze 111 und 112 erzeugt wird.
Sobald dieses Gebiet evakuiert ist, bleibt das Wafer
fest in Eingriff mit dem RTV, so daß die Vakuumquelle
abgeschaltet werden kann und die Scheibe kann weiter trans
portiert werden, um das Fitting 118 außer Eingriff mit
der Ventileinheit 120 zu bringen, woraufhin dann das
Fitting an der nächsten Station 100 in Position für die
Vakuumanlage bewegt wird.
Wenn der Implantationsprozeß vollendet ist, so kann das
Fitting 118 wiederum durch eine Ventileinheit 120 in
Eingriff gebracht werden oder erfaßt werden, und es wird
Druck an die Fläche unterhalb des Wafers angelegt, um das
Wafer gegenüber der RTV-Schicht freizugeben zum Zwecke
des Entladens.
Vergleiche nunmehr insbesondere die Fig. 6, 7, 8 und 11.
Jedes der Segmente 86 weist ein Flüssigkeitskühlsystem 140
auf, welches ein Kühlrohr umfaßt, und zwar aufgenommen in
einer in der Unterseite des Segments gebildeten Nut und
ein Serpentinenmuster in dem Gebiet des Segments bildend,
welches sich unterhalb der Waferstationen 100 befindet,
und es sind ferner Innenkanäle 144 im Segment ausgebildet.
Das Kühlsystem weist, wie in den Fig. 6 und 8 gezeigt,
ein Kühlrohr 112 auf, und zwar mit einem Einlaßende 146
und einem Auslaßende 147, verbunden durch eine Drehsammel
leitung 148 mit einer (nicht gezeigten) Kühlmittelquelle,
und ferner mit Verbindungsrohren 150, welche die Segmente
schneiden.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung sind Mittel
vorgesehen, um eine gleichförmige Verteilung der Ionen
dosis über die Waferoberfläche sicherzustellen. Gemäß der
Erfindung wird dies durch Kippen des Ionenstrahls derart
erreicht, daß die Längsachse des Strahls nicht längs eines
Radius der Scheibe 50 orientiert ist, wie dies im allge
meinen bei Ionenimplantationsvorrichtungen gemäß dem
Stand der Technik der Fall ist, die die mechanische Ab
tastung verwenden. Die Geometrie des Strahls selbst und
die zur Erzeugung eines Strahls 20 in dem Targetgebiet
der Implantationsvorrichtung gemäß Fig. 12 erforderliche
Vorrichtung sind bekannt und in den US-Patenten 4 346 301
und 4 011 449 gezeigt.
Die gewünschte Strahlorientierung - vgl. dazu insbeson
dere die Fig. 1, 2 und 12 - wird dadurch vorgesehen,daß
man die Quelle 12 und die zugehörigen (nicht gezeigten)
Extraktions- oder Austrittsöffnungen derart orientiert,
daß die Strahllinie 20 beim Eintritt der Strahlöffnung 21
in der in Fig. 12 gezeigten Form vorliegt, d. h. gekippt
um einen Winkel α gegenüber einer Linie, die parallel zu
einem Radius R der Scheibe verläuft. Der tatsächliche
Wert des Winkels α wird nicht als kritisch angesehen
und gute Ergebnisse wurden mit einem Winkel von 45°,
wie gezeigt erhalten.
Der hier gezeigte gekippte Strahl 20 vermeidet somit den
"Streifen"- oder "Striping"-Effekt, der durch einen Strahl
erzeugt werden könnte, der tangential zur Scheibe verläuft,
und es wird ferner die Ineffizienz der beträchtlichen
Über-Tastung vermieden, die durch einen langgestreckten
Strahl erzeugt wird, der radial gegenüber der Scheibe
orientiert ist. Wie in Fig. 12 gezeigt, wird die Scheibe
50 längs des Radius R in Richtung der Pfeile S abgeta
stet oder bestrichen. Mit der gezeigten Orientierung des
Strahls 20 erzeugt die projizierte durch die Radialabta
stung erzeugte Strahlenfläche oder das Strahlengebiet eine
minimale Über-Abtastung, wobei der Streifeneffekt eines
Tangentialstrahls vermieden wird.
Es sei im folgenden die Arbeitsweise der erfindungsge
mäßen Vorrichtung erläutert. Ein Implantationszyklus
wird dadurch begonnen, daß man das Ventil 78 schließt,
um das Vakuum im Rest des Systems aufrechtzuerhalten,
und wobei man ferner die Ladeöffnung (Ladestation) 66
öffnet. Die Scheibenanordnung 50 wird sodann in die
gestrichelte Position der Fig. 6 durch eine Translations
bewegung gebracht, und zwar durch Erregung des Abtast
motors 60. Wenn sich die Scheibe in der Position benach
bart zur Ladeöffnung befindet, so wird der Weitertransport
und Antriebsmotor 30 in seine Weitertransportbetriebs
art geschaltet, um jede Waferstation schrittweise zum
Zwecke der Waferbeladung an die Ladeöffnung zu bringen.
Sodann werden die Wafer 102 in die Kammer 28 vorzugsweise
mittels einer Waferklemmvorrichtung 69, assoziiert mit einem
automatischen Waferhandhabungssystem eingesetzt.
Wenn das Wafer 102 in eine Station 100 eingesetzt ist
und von der Klemmvorrichtung 69 freigegeben ist, so lei
tet das Wafer durch Schwerkraft in Richtung des Pfeils A
in Fig. 6 in Eingriff mit den Begrenzungselementen 126.
Der Betätigungsarm 160 wird sodann bewegt, um das Wafer
an den Begrenzungselementen 132 zu positionieren, während
momentan ein Vakuum an das Gebiet unterhalb des Wafers
mittels der Ventileinheit 120 angelegt wird, um das Wafer
fest an der RTV-Schicht der Waferstation zu halten. Die
Scheibenanordnung kann sodann zu aufeinanderfolgenden Posi
tionen weiter transportiert werden, bis sämtliche Statio
nen 100 Wafer 102 aufgenommen haben.
Wenn der Ladevorgang vollendet ist, so wird die Ladeöff
nung geschlossen, das Ventil 78 wird geöffnet und die
kryogene Pumpe 36 wird erregt, um die Kammer 28 zu eva
kuieren. Wenn das normale Betriebsvakuum erreicht ist, so
kann die Ionenquelle 12 zusammen mit den anderen Elementen,
die zur Bildung des Ionenstrahls 20 beitragen, aktiviert
werden, wobei der Strahl 20 in die Öffnung 21 in der in
Fig. 12 gezeigten Orientierung eintritt. Gleichzeitig wird
der Weitertransport- und Antriebsmotor 30 in seiner An
triebsbetriebsart erregt, um die Scheibenanordnung 50 mit
einer relativ hohen Geschwindigkeit (beispielsweise 1100
bis 1500 U/min.) zu drehen, und das Abtastsystem 32 wird
erregt, um die Scheibenanordnung zwischen den durch ausge
zogene und gestrichelte Linien gezeigten Position der
Fig. 4 abzutasten. Während des Implantationsvorgangs wer
den die Wafer 102 in Position an den Begrenzungselementen
132 und in Eingriff mit der gekühlten Scheibenanordnung
(durch die dazwischen angeordneten RTV-Schicht 114) in
erster Linie durch Komponenten der Zentrifugalkraft ge
halten. Man erkennt, daß zu keinem Zeitpunkt während des
obigen Prozesses die aktive Oberfläche des Wafers mit
Klemmelementen in Eingriff steht.
Nachdem die Implantation vollendet ist, wird die Scheibe
in ihrer äußersten Abtastposition gestoppt, um die Wafer
in einer Position benachbart zur Entladeöffnung anzuordnen. Wenn
jede Station zu der Entladeöffnung weitertransportiert wird,
so wird die Ventileinheit 120 an dieser Öffnung erregt, um
Druck an die Fläche unterhalb des Wafers anzulegen, um
sicherzustellen, daß das Wafer von der RTV-Schicht abge
löst wird, d. h. außer Eingriff kommt. Das Wafer kann so
dann durch eine Vakuumklemmvorrichtung erfaßt werden, und
zwar eingesetzt in die Vertiefung 108 und aus der Kammer
entfernt werden. In einem tatsächlichen Betriebszyklus
können die Wafer gleichzeitig durch automatische Handha
bungsmittel eingeladen und entladen werden.
Claims (20)
1. Vorrichtung zum Einladen von Halbleiterwafern
(102) in eine Behandlungskammer (16), wobei folgendes
vorgesehen ist:
ein drehbar innerhalb der Kammer (16) gelagerter Träger (50);
eine Vielzahl von Waferstationen (100), gebildet am Träger (50), wobei jede der Stationen (100) eine im wesentlichen flache Waferaufnahmeoberfläche darauf aufweist;
Antriebsmittel (30) zur Drehung des Trägers (50); und mindestens eine in der Kammer (16) ausgebildete Öffnung (66, 67) in einer Position für den Hindurchgang von Wafern (102), die in die Waferstationen (100) geladen oder daraus entladen werden, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Stationen (100) erste Anschlagmittel (126) aufweisen, die mit einer Kante des auf der Waferaufnahmeoberfläche angeordneten Wafers (102) in Eingriff bringbar sind, daß der Träger (50) unter einem Winkel gegen die Vertikale derart angeordnet ist, daß ein durch die Öffnung (66, 67) der Kammer (16) eingeladener Wafer (102) durch Schwerkraft längs der Waferaufnahmeoberfläche einer Station (100) bis zu den ersten Anschlagmitteln (126) gleitet und daß die Antriebsmittel (30) betätigbar sind, um eine benachbarte Station (100) zu der Öffnung (66, 67) zu transportieren.
ein drehbar innerhalb der Kammer (16) gelagerter Träger (50);
eine Vielzahl von Waferstationen (100), gebildet am Träger (50), wobei jede der Stationen (100) eine im wesentlichen flache Waferaufnahmeoberfläche darauf aufweist;
Antriebsmittel (30) zur Drehung des Trägers (50); und mindestens eine in der Kammer (16) ausgebildete Öffnung (66, 67) in einer Position für den Hindurchgang von Wafern (102), die in die Waferstationen (100) geladen oder daraus entladen werden, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Stationen (100) erste Anschlagmittel (126) aufweisen, die mit einer Kante des auf der Waferaufnahmeoberfläche angeordneten Wafers (102) in Eingriff bringbar sind, daß der Träger (50) unter einem Winkel gegen die Vertikale derart angeordnet ist, daß ein durch die Öffnung (66, 67) der Kammer (16) eingeladener Wafer (102) durch Schwerkraft längs der Waferaufnahmeoberfläche einer Station (100) bis zu den ersten Anschlagmitteln (126) gleitet und daß die Antriebsmittel (30) betätigbar sind, um eine benachbarte Station (100) zu der Öffnung (66, 67) zu transportieren.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
zweite Anschlagmittel (132), die mit der Kante des Wafers (102)
in Eingriff bringbar sind, und zwar in einem Punkt
oder Punkten im wesentlichen diametral entgegenge
setzt zu dem Punkt oder Punkten des Eingriffs mit den
ersten Anschlagmitteln (126).
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die ersten Anschlagmittel (126) elastisch aus
gebildet sind und in der Lage sind, sich auszulenken
(zu verbiegen), wenn die Kontaktierung durch ein Wafer (102)
erfolgt, welches längs der Waferaufnahmeoberfläche
gleitet.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der Träger (50) eine Scheibe (86) aufweist,
und zwar in der Form eines flachen Tellers mit einem
Randteil (98), der unter einem Winkel bezüglich der Drehachse
der Scheibe (86) geneigt ist, und daß die Waferstation
(100) auf der Innenoberfläche des Randteils (98) ausgebildet
ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß jede der Waferstationen (100) ein kreisförmig vertieftes
Gebiet (106), ausgebildet in der Oberfläche des Randteils (98)
aufweist, und daß die ersten Anschlagmittel (126) ein erstes
Paar von elastischen Gliedern (128, 130) aufweisen, die mit gleichem
Abstand um den Radius der Scheibe (86) angeordnet sind, und
zwar das vertiefte Gebiet (106) schneidend in einer Position
zum Eingriff mit der Kante des Wafers (102), wenn dieses längs
der Waferaufnahmeoberfläche gleitet.
6. Vorrichtung nach
Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweiten Anschlagmittel (132) ein zweites
Paar von elastischen Gliedern aufweisen, die mit einem
gleichen Abstand angeordnet sind um einen Radius der
Scheibe (86), der das vertiefte Gebiet (106) schneidet.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß das erste Paar von Anschlagmitteln (126)
ein im wesentlichen L-förmiges Glied aufweist, daß
jeder Schenkel (128, 130) des L-förmigen Glieds eine Wafereingriffsoberfläche,
benachbart zu dem Ende deselben aufweist, und daß
die Schenkel (128, 130) in der Lage sind, sich dann auszulenken,
wenn eine Kraft daran durch ein Wafer (102) angelegt
wird.
8. Vorrichtung nach
Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schenkel (128, 130) ein sich verjüngendes Auslegefederglied
bilden, welches benachbart zum Schnitt
mit den Schenkeln (128, 130) breiter ausgebildet ist.
9. Vorrichtung nach einem der
Ansprüche 6-8, dadurch gekennzeichnet,
daß jedes des zweiten Paars von Anschlagmitteln (132)
ein Federglied (136) aufweist, welches mit der Kante eines
Wafers (102) in Eingriff bringbar ist, daß das Federglied (136)
durch ein Paar von mit Abstand angeordneten parallelen
Federblättern (137) definiert ist, daß durch ein Verbindungselement
(134) verbunden sind, und zwar in Eingriff bringbar
mit der Kante eines Wafers (102), und daß die Blätter (137)
unter Winkeln bezüglich der Radien des Wafers (102) angeordnet
sind.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 9,
gekennzeichnet durch Mittel (12, 14) zur Definition eines
Ionenstrahls (20), gerichtet gegen die Oberfläche der
Scheibe (86), wobei der Strahl (20) auf die Wafer (102) an den Stationen
(100) auftrifft, wobei das durch den Strahl (20) definierte
Bild in der Form eines Rechtecks vorliegt, und wobei
Mittel vorgesehen sind, um die Scheibe (86) bezüglich
des Strahls (20)in einer Richtung senkrecht zum Strahl (20) zu
bewegen, wobei schließlich Mittel (12) vorhanden sind, um
den rechteckigen Strahl (20) mit einem schrägen Winkel
zum Radius der Scheibe (86) zu orientieren.
11. Ionenimplantationsvorrichtung mit einer Vorrichtung zum
Einladen von Halbleiterwafern nach Anspruch 10, die folgendes aufweist:
Mittel (12, 14) zur Erzeugung eines fokussierten Ionenstrahls (20), einer evakuierten Targetkammer (16), angeordnet in einer Position zur Unterbrechung des Strahls (20),
einer Targetscheibe (86), angeordnet zur Drehung innerhalb der Targetkammer (16),
eine oder mehrere Halbleiterwaferstationen (100), ausgebildet auf einer Oberfläche der Targetscheibe (86), und
Mittel (14) zur Leitung des Ionenstrahls gegen die Targetscheibe, dadurch gekennzeichnet, daß die Targetscheibe (86) eine Vielzahl von Halbleiterwaferstationen (100) darauf ausgebildet aufweist, wobei jede der Stationen (100) durch eine flache Waferaufnahmeoberfläche, gebildet auf einer Oberfläche der Scheibe (86) definiert ist, und wobei jeder der Stationen (100) erste Anschlagmittel (126) aufweist, und zwar erfaßbar durch nur eine Kante eines auf der Waferaufnahmeoberfläche angeordneten Wafers (102).
Mittel (12, 14) zur Erzeugung eines fokussierten Ionenstrahls (20), einer evakuierten Targetkammer (16), angeordnet in einer Position zur Unterbrechung des Strahls (20),
einer Targetscheibe (86), angeordnet zur Drehung innerhalb der Targetkammer (16),
eine oder mehrere Halbleiterwaferstationen (100), ausgebildet auf einer Oberfläche der Targetscheibe (86), und
Mittel (14) zur Leitung des Ionenstrahls gegen die Targetscheibe, dadurch gekennzeichnet, daß die Targetscheibe (86) eine Vielzahl von Halbleiterwaferstationen (100) darauf ausgebildet aufweist, wobei jede der Stationen (100) durch eine flache Waferaufnahmeoberfläche, gebildet auf einer Oberfläche der Scheibe (86) definiert ist, und wobei jeder der Stationen (100) erste Anschlagmittel (126) aufweist, und zwar erfaßbar durch nur eine Kante eines auf der Waferaufnahmeoberfläche angeordneten Wafers (102).
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten Anschlagmittel (126) elastisch sind und sich
dann verbiegen können, wenn sie durch ein Wafer (102) auf
der Waferaufnahmeoberfläche berührt werden.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Targetscheibe (86) unter einem Winkel gegenüber
der Vertikalen angeordnet ist, wobei jede der Stationen
(100) zweite Anschlagmittel (132) aufweist, die durch nur
eine Kante des Wafers (102) erfaßbar sind, und wobei die
Kante im wesentlichen diametral entgegengesetzt zur
durch die ersten Anschlagmittel (126) erfaßten Kante angeordnet
ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11, 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet, daß die Targetscheibe (86) einen
flachen Teller aufweist, und zwar mit einem Randteil (98),
geneigt gegenüber einem Winkel bezüglich der Drehachse
davon, wobei die Stationen (100) auf der Innenoberfläche
des Randteils ausgebildet sind.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11, 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Anschlagmittel (126)
ein sich verjüngendes Blattfederelement aufweisen,
und zwar angeordnet an der Scheibe (86), benachbart zu der
Waferstation (100).
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten Anschlagmittel (126) eine Vielzahl von sich
verjüngenden Blattfederelementen aufweisen, und zwar
verteilt um einen Radius der Scheibe (86), wobei die Vielzahl
von verjüngten Blattelementen betätigbar ist, um
die Position des Wafers (102) an der Station (100) aufrechtzuerhalten,
wenn das Wafer (102) Körperkräften ausgesetzt ist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweiten Anschlagmittel (132) ein Federglied aufweisen,
und zwar einschließlich eines Paars von mit Abstand
angeordneten parallelen Federblattelementen (137),
verbunden durch ein integrales Verbindungselement (134) in
Eingriff bringbar mit dem Wafer (102), wobei die Blätter (137)
unter einem Winkel gegenüber dem Radius des Wafers (102)
angeordnet sind.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweiten Anschlagmittel (132) eine Vielzahl von Federgliedern
(136) aufweisen, und zwar verteilt um einen Radius
der Scheibe (86), wobei eine Vielzahl von Federgliedern betätigbar
ist, um die Position des Wafers (102) an der Station
(100) beizubehalten, wenn das Wafer (102) Körperkräften ausgesetzt
ist.
19. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Target- oder Zielscheibe (86) für eine Vielzahl von
Segmenten definiert ist, und zwar einschließlich Mit
teln zur Verbindung der Segmente zur Definition einer
einheitlichen Scheibenstruktur.
20. Vorrichtung nach Anspruch 11, 12 oder 13, dadurch
gekennzeichnet, daß der Ionenstrahl (20) ein Bild in der
Form eines langgestreckten Rechtecks definiert, wobei
das Rechteckbild schräg bezüglich einem Radius der
Scheibe (86) orientiert ist.
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