DE3036177A1 - Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material - Google Patents

Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material

Info

Publication number
DE3036177A1
DE3036177A1 DE19803036177 DE3036177A DE3036177A1 DE 3036177 A1 DE3036177 A1 DE 3036177A1 DE 19803036177 DE19803036177 DE 19803036177 DE 3036177 A DE3036177 A DE 3036177A DE 3036177 A1 DE3036177 A1 DE 3036177A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crucible
level
strips
melt
molten
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19803036177
Other languages
English (en)
Inventor
George Palo Alto Calif. Fiegl
Walter Newark Calif. Torbet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltec Corp
Original Assignee
Siltec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltec Corp filed Critical Siltec Corp
Publication of DE3036177A1 publication Critical patent/DE3036177A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1004Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1052Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1056Seed pulling including details of precursor replenishment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

DIPL.-ING. H. MARSCH™-™
DIPI.-ING. K. SPARING L mndemannsthasse si
[0 · POSTFACH 140268
DIPL-PHYS. DR. W^. H. ROHL telefon (0211) 672246
PATENTANWÄLTE
ZUOEZ.. TBRTRETER BEIM EUROPÄISCHEN PATENTAUT
Siltec Corporation, 3717 Haven Avenue, Menlo Park, Calif ./USA
"Vorrichtung zum Herstellen von festen Kristallen aus geschmolzenem Material"
Gemäß dem Czochralski-Verfahren, das zum langsamen Ziehen von großen monokristallinen Körpern aus einer Schmelze aus sich verfestigendem Halbleitermaterial dient, wobei mit einem einzigen Kristallkeim begonnen wird, übersteigt die Qualität der Kristallstruktur diejenige, die durch andere konkurrenzfähigere Verfahren, Zonenraffinierung, efzielbar ist.
um eine ausgezeichnete Qualität der Kristalle, die von der Halbleiterindustrie benötigt werden, zu erreichen, muß eine Anzahl von Verfahrenvariablen in dem Czochralski-Prozeß sorgfältig überwacht und gesteuert werden. Insbesondere muß die Dotierungsmittelkcnzentraticn in dem geschmolzenen Halbleitermaterial, aus dem der Kristall gezogen wird, sorgfältig eingestellt werden, um Konstanz während des Wachsens des Kristalls sicherzustellen. Dies gilt insbesondere deshalb , weil die Konzentration des Dotierungsmittels in dem endgültigen Kristall verschieden von demjenigen in dem geschmolzenen Bad aus Halbleitermaterial ist. folglich besteht während des Wachsens eines Kristalls für das Dotierüngsmittel die Tendenz eines Verarmens oder einer überkonzentraticn wegen des Unterschieds in den Seigerungstoeffizienten von Halbleiter und Dotierungsmittel.
Ferner besteht für den Durchmesser des Kristalls eine Tendenz, sich während des Ziehaas zu ändern. Da der Einkristall auf einen gleichförmigen Durchmesser nach dem Ziehen geschliffen werden muß, erf ordero.
130018/0648
r-χ.
irgendwelche Änderungen in dem Durchiressermesser, wie er gezogen ist, zusätzliche Schleif arbeit, wodurch die Kosten erhöht werden und die Gefahr des Beschädigens der Halbleiterkristallstruktur besteht. On derartige Durchitesseränderungen zu minimalisieren, muß die Geschwindigkeit, mit der dar sich verfestigende Kristall gezogen wird, kontinuierlich optimiert werden.
Folglich mußten diese und andere Verfahrensparamater sehr gut überwacht werden, um eine maximale Qualität der endgültigen Halbleiterplatten sicherzustellen, die von dem Einkristallkörper abgespalten werden. Derartige Kontrollen gingen mehr oder weniger auf Kosten der Produktionsgeschwindigkeit, indem beispielsweise nur ein einziger Kristall aus jeder Siliziumschmelze gezogen wurde. Am Ende des Kristallziehvorganges wurde der Ofen abgeschaltet,eine neue Charge aus festem Silizium eingefüllt, der Ofen erhitzt, um das Silizium zu schmelzen und das gesamte Verfahren des Ziehens eines neuen Kristalls begonnen.
Wahrend diese Art eines Chargenprozesses geeignet ist, um Siliziumplatten mit zufriedenstellend niedrigen Kosten etwa für die Halbleiterfabrikaticns zu liefern, sind die Kosten für die Siliziumplatten aber andererseits zu hoch, um ihre weitgestreute Anwendung als photoelektrische Konverter von Sonnenlicht zu ermöglichen.
IM Halbleitertafeln herzustellen, die genügend billig, genügend gut in der Qualität und ausreichend erhältlich sind, ist es offensichtlich, daß das bisherige chargenweise Arbeiten im Rahmen des Czochralski-Verfahrens zugunsten eines mehr oder weniger kontinuierlichen Verfahrens aufgegeben werden muß, bei dem der Ziehtiegel mit geschmolzenem Halbleitermaterial während des Ziehvorgangs wiederaufgefüllt wird, so daß mehr als ein Kristall ohne ein Abschalten und erneutes Chargieren des Ofens vorgenainien werden kann. Des weiteren müssen die bereits bestehenden Produktionskontrollen bezüglichverschiedener Verfahrensparameter auf dieses neue kontinuierliche Verfahren ausgedehnt werden, so daß das Ergebnis eine tatsächliche Verringerung der Kosten für den Halbleitereinkristall ohne eine Qualitätsverminderung ist. Kurz gesagt,
130018/0648
y-8-
1536177
maß die Ausbeute an akzeptablen Einkristallen (der Prozentsatz von denjenigen, die die Qualitätsmaßstäbe erreichen) aufrechterhalten werden, während die Effektivität und die Produktionsgeschwindigkeit vergrößert werden.
Folglich wird eine vorrichtung benötigt, die in einfacher kontinuierlicher und wiederholbarer ifeise ein konstantes Schmelzniveau in dem Ziehtiegel liefert, so daß sich die Position des Fest-Flüssigübergangs in dem Tiegel nicht ändert. Ferner muß dieses Kriterium trotz der Tatsache erhalten werden, daß der Tiegel kontinuierlich erhitzt bleibt und die Kristalle einer nach dem anderen in einer Produktionsart erzeugt werden.
Gleichzeitig muß die Zusammensetzung des geschmolzenen Halbleitermaterials gleichmäßig bleiben. Insbesondere darf sich die Konzentration des Dotiermgsmittels sowohl während des Wachsens eines einzigen Kristalls oder von Kristall zu Kristall nicht ändern. Zudem muß dieses letzte Kriterium auch dann erfüllt sein, wenn die gesamte in dem Ziehtiegel befindliche Menge aus geschmolzenem Halbleitermaterial zu Beginn der Produktion nicht ausreichend ist, um das Material für einen gesamten Produktionslauf zu liefern, der die Herstellung von vielen Kristallen umfaßt.
öiter Inbetrachtziehung der cfoigen Kriterien ist es offensichtlich, daß man, wenn die Qualität in einem Massenproduktionsverfahren zur Herstellung von Kristallen aufrechtzuerhalten ist, das Ergänzen des geschmolzenen Halbleitermaterials in dem Ziehtiegel während des Produktionslauf s vorgenommen werden muß, wobei sorgfältig die Zusammensetzung des zugesetzten geschmolzenen Halbleitermaterials kontrolliert werden muß.
Dementsprechend ist es Aufgabe der Erfindung, eine akzeptable mcnokristalline Halbleiterqualität beizubehalten, während die verfügbare Quantität durch kontinuierliche Produktion von Kristallen aus einem einzigen Ziehtiegel vergrößert wird.
13001-8/0648
303617?
Weiterhin ist es Aufgabe die Erfindung, die kristalline Qualität mit Hilfe vcn mehr oder weniger konstanter Ergänzung des geschmolzenen Halbleitermaterials in dem Ziehtiegel während der Produktion aufrechtzuerhalten.
Außerdem soll das Erhitzen ohne Änderung der Höhe des Flüssig-Fest-übergangs in dem Ziehtiegel durchgeführt werden.
Zudem soll das Ergänzen des geschmolzenen Halbleitermaterials ohne Änderung der Konzentration des Dotierungsmittels in dem gezogenen Einkristall sowohl in einem einzelnen als auch von Kristall zu Kristall erfolgen.
Erfindungsgemäß wird daher ein Schmelzenergänzungstiegel vorgesehen, der geschmolzenes Halbleitermaterial enthält und benachbart zu dem Ziehtiegel angeordnet und mit diesem über ein Siphonrohr verbunden ist. Mit Hilfe des Siphonrohres kann geschmolzenes Halbleitermaterial kontinuierlich zu dem Ziehtiegel während des Produktionslaufs ohne Turbulenzen, Wellen oder andere Störungen erfolgen, die die Qualität des im Wachsen begriffenen Kristalls in dem Ziehtiegel beeinträchtigen könnte. Durch Sicherstellen, daß die Inertgasatmosphäre, die sowohl den Ergänzungs- als auch den Ziehtiegel umgibt, sich auf dem gleichen Druck befindet, kann die ifcerführung vorgenommen werden, während eine konstante Höhe des Flüssig-Fest-Übergangs bloß durch Einstellen der Höhe des geschmolzenen Halbleitermaterials in dem Ergänzungstiegel aufrechterhalten wird, so daß diese die gleiche wie das gewünschte Niveau von geschmolzenem Halbleitermaterial in dem Ziehtiegel ist.
Außerdem ist es Aufgabe der Erfindung, sicherzustellen, daß das Niveau aus geschmolzenem Halbleitermaterial in den beiden Tiegeln mit einem Minimum an menschlischer überwachung durch automatische Mittel konstant gehalten wird. Zu diesem Zweck besitzt die Vorrichtung eine optische Niveauüberwachungseinrichtung zum Erzeugen eines elektrischen Signals entsprechend der Schmelzenhöhe in einem von beiden Tiegeln sowie eine servomechanische Steuereinrichtung zum Einstellen dieses Niveaus auf eine gewünschte vorbestimmte Höhe.
-5 -
130018/0648
03617?
Weiter ist es Aufgabe der Erfindung, sicherzustellen, daß geschmolzenes Halbleitermaterial zuverlässig von dem Ergänzungstiegel zu Ziehtiegel ohne Verfestigung in der Überführungseinrichtung überführt wird.
Zu diesem Zweck ist ein Siphonrohr vorgesehen, das eine integrale elektrische Heizeinrichtung und thermische und elektrische Isolierungen aufweist, so daß sogar bei sehr niedrigen Durchflußraten, die bei der kontinuierlichen überführung von geschmolzenem Halbleitermaterial auftreten, noch keine Verfestigungen auftreten.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung und den Ansprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der beigefügten Abbildungen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt im Schnitt eine Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterendkristallen.
Fig. 2 zeigt ein Blockdiagramm, das eine Vielzahl von Alternativen zur Aufrechterhaltung eines Schmelzniveaus und für Steuerungssysteme zeigt, die erfindungsgemäß verwendet werden können.
Fig. 3 zeigt einen Schnitt der Linie 3-3 von Fig. 1.
Fig. 4 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Heizeinrichtung für das Siphonrohr der Vorrichtung von Fig. 1.
Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung zur Eiiikristallherstellung nach dem Czochralski-Verfahren. Ein Ziehtiegel· T aus Quarz mit etwa 25 cm Durchmesser befindet sich in einem passenden festen Graphitmantel· 3, der von einer zylindrischen Heizeinrichtung 5 umgeben ist, die ebenfa^s aus Graphit bestehen kann. Die Heizeinrichtung 5 kann aus einer Eeihe von stabförmigen Heizeiementen aus Graphit bestehen, die vertikal· mit Ab-
130018/0648
stand zueinander angeordnet sind, um einen kreisförmigen Zylinder mit kurzen Verbindungsgliedern aus Graphit zu bilden, um die vertikalen Heizelemente in Reihe zu schalten. Alternativ kann erst eine andere Form einer Heizeinrichtung verwendet werden. Die Stromversorgung der Heizeinrichtung 5 erfolgt über eine externe Stromquelle 7, die mit der Heizeinrichtung 5 über Leitungen 9 verbunden ist.
Da die Temperaturen, die für das Wachstum von Siliziumkristallen, beispielsweise bei dem Czochralski-Verfahren verwendet werden, recht hoch in der Größenordnung von 15000C sind, umgibt eine Vielzahl von Hitzeschilden 11, die allgemein durch ein rechteckiges Kästchen in Fig. 1 angedeutet sind, den durch die Heizeinrichtung 5 erhitzten Bereich. Die Hitzeschilde 11 können aus Graphit oder einem hochtemperaturfesten Material,wie Molybden, bestehen. Durch Minimalisieren der Wärmeverluste aus dem Hechtemperaturbereich innerhalb der Heizeinrichtung 5, minimalisieren die Hitzeschilde 11 den Stromverbrauch der Heizeinrichtung 5 und vermeiden ein übermäßiges Erwärmen der Umgebung.
In dem Ziehtiegel 1 befindet sich eine Schmelze 13 aus Halbleitermaterial, beispielsweise geschmolzenes Silizium. Ein Einkristallkörper 15 wächst langsam aus der Schmelze 13 und wird in Fig. 1 mit Hilfe eines Ziehstabes 17 sowohl gedreht als auch aufwärts gezogen, wobei der Ziehstab 17 mit seinem oberen Ende an einer Dreh- und Hebeeinrichtung (nicht dargestellt) befestigt ist.
Da geschmolzenes Silizium bei sehr hoher Temperatur leicht durch den Kontakt mit Sauerstoff oder Stickstoff aus der Luft reagiert, ist die Siliziumschmelze vollständig von einem Gehäuse 19 umgeben, das hermetisch gegenüber der Ungebungsluf t abgedichtet und mit einem Inertgas, etwa Argon, gefüllt ist. Folglich bewegt sich der Ziehstab 17 aufwärts aus dem Gehäuse 19 mit Hilfe einer hermetisch abgedichteten Balgeinrichtung 21, die beispielsweise aus rostfreiem Stahl besteht. Am Ende eines Ziehvorgangs eines Einkristalls 15 wird der Kristall aufwärts in den durch den Balg 21 umgebenen Bereich gezogen und ein Schieber 23 geschlossen, der den Ziehstab 17 und den Einkristall 15 von der Ilngebung in dem Gehäuse 19 isoliert.
130018/0648
Danach kann der Einkristall 15 entfernt und das Herstellen eines nächsten Einkristalls nach Öffnen des Schiebers 23 und erneutem Einsetzen eines Ziehstabes 17, der einen Kristallkeim, an seiner Unterseite trägt, der mit der Oberfläche der Halbleiterschmelze 13in Berührung gebracht wird, begonnen werden. Bekannterweise werden Siliziumrohlingeoder kristalle in einer geeigneten Güte für elektrische Zwecke nach dem Czochralski-Verfahren hergestellt, indem ein Kristallkeim aus Silizium in die geschmolzene Masse des Siliziums eingetaucht und der Kristallkeim langsam abgezogen wird. Wenn der Kristallkeim abgezogen wird, verfestigt sich das geschmolzene Silizium, das an diesem anhaftet, unter Bildung einer einzigen großen kristallinen Struktur oder eines Einkristalls, der exakt die gleiche kristallograf ische Orientierung wie der Kristallkeim aufweist, der verwendet wurde. Dies trifft selbst dann zu, wenn der endgültige Rohling oder Einkristall, der auf diese Weise gezogen wurde, eine Länge von etwa 1m und einen Durchmesser von 10 cm aufweist.
Üblicherweise wird bei dem Czochralski-Verfahren der Durchmesser des aus der Schmelze gezogenen Kristalls durch .änderung der Ziehrate gesteuert, d.h. der Geschwindigkeit, mit der der Ziehstab 17 in Fig. 1 aufwärts bewegt wird. Ferner ist es üblich, wenn auch nicht dargestellt, daß der Durchmesser des Kristalls, der gezogen wird, durch ein optisches Pyrometer überwacht wird, das auf den Miniskus 25 zwischen der festen Kristallstruktur 15 und der Schmelze 13 zielt. Der Miniskus 25 ist leicht festzustellen, da er als ein Ring von hellerer Farbe, entsprechend der Erstarrungswärme erscheint, die an dem Verfestigungspunkt des Halbleiters freigesetzt wird.
Um Homogenität und Gleichmäßigkeit der Schmelze 13, aus der der Kristall 15 gezogen wird, sicherzustellen, ist es beim Czochralski-Verfahren üblich, eine Rotation der Schmelze vorzunehmen, so daß beispielsweise ein Dotierungsmittel (Fremdatome) gleichmäßig in der Schmelze verteilt wird. Diese Rotation dient ferner dazu, Uhgüd-chmäßigkeiten in der Temperatur der Schmelze 13 zu verhindern. Zu diesem Zweck verläuft eine Welle 27 durch ein dichtes lager 29 und ist mit dem Graphitmantel 3 gekoppelt, um diesen mit dem Ziehtiegel 1 aus Quarz und der darin befindlichen Schmelze 13 zu drehen.'
130018/0648
Qn ein konstantes Niveau der Schmelze 13 in dem Ziehtiegel 1 während des Ziehvorgangs aufrecht zu erhalten,ist ein zusätzlicher Vorrat von geschmolzenem Halbleitermaterial in Form einer Schmelze 13' in einem Quarztiegel 1' enthalten, der sich seinerseits in einem Graphitmantel 3' befindet, der mittels einer Heizeinrichtung 5" beheizt wird. Wie im Falle des Ziehtiegels 1 wird die Gesamtheit aus Heizeinrichtung 5', Schmelze 13' und Tiegel 1' von Hitzeschilden 11' umschlossen, die wiederum durch ein rechteckiges Kästchen in Fig. 1 angedeutet sind. Üblicherweise befindet sich der Tiegel 1' zum Ergänzen der Schmelze in einem Gehäuse 19' angeordnet, das Seite an Seite zu dem Gehäuse 19 angeordnet ist. Die beiden Gehäuse 19, 19' können eine gemeinsame Wandung besitzen oder wenigstens durch Verschweißen oder Verlöten dort, wo sie aneinanderstoßen, verbunden sein.
Geschmolzenes Silizium oder anderes Halbleitermaterial kann aus dem Tiegel 1' zu dem Ziehtiegel 1 mit Hilfe eines Siphonrohrs 31 überführt werden, das sich durch die gemeinsame Wandung der Gehäuse 19' und 19 mittels eines Flansches 33 erstreckt. Das Siphonrohr 31 wird im einzelnen unter Bezugnahme auf die Fig. 3 und 4 beschrieben. Wenn das Siphonrohr 31 einmal mit geschmolzenem Silizium gefüllt ist, dient es zum Überführen dieses Materials von dem Tiegel 1' zum Ziehtiegel 1 in einer solchen Menge, daß das Niveau in jedem Tiegel 1, 1' das gleiche ist, solange der atmosphärische Druck innerhalb des Gehäuses 19' der gleiche wie in dem Gehäuse 19 ist.
On den atmosphärischen Druck in den Gehäusen 19, 19' zu kontrollieren, während eine nicht reaktive Atmosphäre, benachbart der auf hoher Temperatur befindlichen Schmelze aus Halbleitermaterial aufrechterhalten wird, wird eine Inertgasdrucksteuerung 35 verwendet. Die Drucksteuerung 35 besitzt ein Gaseinlaßrohr 37, das während des Betriebs mit einer unter Druck befindlichen Inertgasquelle, beispielsweise einer Argon-Quelle,verbunden ist. Die Drucksteuerung 35 besitzt ferner ein Paar von Gaszuführleitungen 39 und 39', die mit dem Gehäuse 19, bzw. 19' verbunden sind. Mittels der Steuerung 35 kann Inertgas wie Argon in die Gehäuse 19 und 19' zum Zwecke eines anfänglichen Spülens dieser Kammern zum Entfernen von Luft eingeführt werden, wonach die Leitungen 39, 39" miteinander und mit reguliertem Argon von dem Gaseinlaßrohr 37 verbunden werden kann, um genau den gleichen Inertgasdruck in jeder Kattmer aufrecht zu erhalten, so daß das geschmolzene Halbleitermaterial durch das Siphonrohr 31 nur unter dem Einfluß einer Niveaudifferenz, die zwischen
130018/0648
f P36177
den beiden Halbleiterschmelzen 13 und 13' existiert, fließt.
Die Drucksteuerung 35 dient einem weiteren wichtigen Zweck: Qn das Fließen des geschmolzenen Halbleitemiaterials durch das Siphonrohr 31 in Gang zu setzen, ist es wesentlich, eine Druckdifferenz zwischen den Atmosphären in den Gehäusen 19 und 19' zu erzeugen. Typischerweise wird dies am Beginn eines Prodüktionszyklus getan und kann darin bestehen, daß der Inertgasdruck in dem Gehäuse 19' beispielsweise erhöht wird, bis geschmolzenes Silizium das Siphonrohr 31 füllt. Alternativ kann die Druckdifferenz durch Erhöhen des Drucks in dem Gehäuse 19 über den in dem Gehäuse 19' vorgerufen werden. Es ist lediglich wichtig, daß das Siphonrohr 31 vollständig mit geschmolzenem Halbleitermaterial gefüllt wird, damit die Anordnung fortfährt zu funktionieren.
Um eine adäquate Qualität des Einkristallkörpers 15 zu erzielen, ist es wesentlich, eine relativ konstante Höhe der Oberfläche des geschmolzenen Halbleitermaterials 13 aufrecht zu erhalten. Da die Vorrichtung von Fig. 1 dazu vorgesehen ist, in einer mehr oder weniger kontinuierlichen Produktionsweise verwendet zu werden, ist es nicht praktisch, das System außer Betrieb zu stellen, um einen frischen Vorrat aus polykristallinem Silizium oder einem anderen Halbleitermaterial in Teilchen- oder Pulverform zuzufügen, bevor jeder Einkristallkörper 15 gezogen wird. Ferner ist es nicht praktisch, die Tiegel 1 und 1' in ihrer Aufnahmekapazität groß genug zum Aufnehmen von geschmolzenem Halbleitermaterial zum Ziehen von vielen Einkristallen auszubilden, zumal damit entsprechend große Heizeinrichtungen 5 und 5' erforderlich sind. Daher -sind bei der Vorrichtung von Fig. 1 Mittel zum Zuführen von festem Halbleitermaterial in polykristalliner Form, das aus Teilchen oder Pulver besteht, als Fülltrichter 41 vorgesehen.
Der Fülltrichter 41 erstreckt sich oberhalb des Gehäuses 19', an dem er angelötet oder angeschweißt ist, wo er durch eine öffnung in dem Gehäuse 19' verläuft, wobei er einen Teil des inertgasgefüllten Systems bildet. Ein Deckel 43 ist vakuumdicht mit Hilfe von lösbaren Befestigungseinrichtungen
ist
45 auf dem Fülltrichter 41 befestigt. Innerhalb des Deckels 43 ein Bohrerantriebsmotor 47, der mittels einer lösbaren Kupplung 49 einen Bohrer 51 zum Freigeben einer bestimtiten Menge von ungeschmolzenem teilchenförmigem Halbleitermaterial in die Schmelze 13' antreibt.■
- 10 -
130018/0648
303617?
Eine optische Schmelzenniveaumeßeinrichtung ist in Form eines Rubinlasers 53 vorgesehen, der einen hochgradig parallelen Strahl aus rotem Licht durch eine optisch transparente vakuumdichte Öffnung 55 auf die Oberfläche der Schmelze 13 fallen läßt, der längs eines Weges 56 zu einer Sammellinse 57 und einem optischen Filter 59 reflektiert wird und schließlich auf einen Positionssensor 61 fällt. Die Sammellinse 57 und das optische Filter 59 sind vakuumdicht in einer Öffnung 63 ähnlich der Öffnung 55 abgedichtet angeordnet. Die Sammellinse 57 ist so angeordnet, daß ein Bild des erleuchteten Punktes 65 auf der Oberfläche der Schmelze 13 in der Ebene des Positionssensors 61 fokussiert wird. Das optische Filter 59 ist ein Bandpaßfilter, das das Licht von dem Rubinlaser 53 durchläßt, während so weit wie möglich andere Lichtquellen abgeschirmt werden, und zwar insbesondere das Licht von der Schmelze 13, die sich auf hohen Temperaturen in der Größenordnung von 15000C befindet.
Der Positionssensor 61 kann von irgendeiner bekannten Art sein, die ein Äusgangssignal liefert, das die Position des Auftreffens des Strahls 56 längs der Oberfläche des Sensors 61 anzeigt. Insbesondere wurden gute Resultate mit Halbleitersensoren erhalten, wie sie von der Firma United Detecor Technology, Inc., 2644 Thirtieth Street, Santa Monica, Kalifornien, geliefert werden.
Eine Steuerung 63 empfängt das Signal von dem Positionssensor 61, dessen Signal natürlich eine Funktion des Auftreffpunktes des Strahls 56 auf den Positionssensor 61 ist, die ihrerseits eine Funktion der Höhe der Schmelze 13 am Punkt 65 ist, wo der Lichtstrahl von dem Rubinlaser 53 auftrifft. In der Steuerung 63 wird das Signal von dem Positionssensor 61 mit einem Bezugssignal verglichen, um ein Fehlersignal in bekannter Weise zu erzeugen, aus dem die Steuerung 63 die Steuersignale zum Betätigen des Bohrerantriebmotors 47 erzeugt, um mehr teilchenförmiges Halbleitermaterial freizugeben oder um die Betätigung eines Hubmotors 65 zu beginnen, um den Tiegel 1' mit seinem Mantel 3' anzuheben oder zu senken.
Sowohl das Ändern der Höhe des Tiegels 1' mit Hilfe des Hubmotors 65 oder die Betätigung der Schraube 51 zum Abgeben von mehr teilchenf örmigem Halbleitermaterial beeinträchtigt die Höhe der Schmelze 13' in dem Tiegel 1! und über das Siphonrohr 31 die Höhe der Schmelze 13 in dem Tiegel 1, so daß eine Einrichtung zum Steuern der Bemessung dieser beiden Mittel der Niveaueinsizeilung benötigt wird. Dies 3cann durch Rückkopplung eines
- 11 -
130018/0648
3 Q 36177
Signals von dem Hubmotor 65 oder der ihm zugeordneten Getriebeketteneinrichtung (nicht dargestellt) zum Heben des Tiegels 1' vorgenommen werden, wobei dieses Signal den Gesamthub des Tiegels 1' anzeigt.
Wenn beispielsweise in Antwort auf den Verbrauch von geschmolzenem Halbleitermaterial in dem Tiegel 1 die Menge der Schmelze 13', die in dem Tiegel 1' verbleibt, genügend entleert ist, so daß der Tiegel 1' durch den Motor 65 bis zu einem Punkt angehoben worden ist, wo er eisen oberen Endschalter (nicht dargestellt) betätigt, kann die Steuerung 63 den Schraubenantriebsmotor 47 in Gang setzen, um mehr teilchenförmiges Halbleitermaterial abzugeben. Der folgliche Anstieg der Höhe der Schmelze 13" wird während des Freigebens von teilchenförmigem Halbleitermaterial kontinuierlich durch ein Absenken des Tiegels 1' unter dem Steuern durch die Steuerung 63 über den Motor 65 kompensiert.
Alternativ ist es möglich, das Niveau der Schmelze 13' und folglich der Schmelze 13 einfach durch Steuern des Schraubenantriebsmotors 47 in kontinuierlicher Weise vorzunehmen, um teilchenförmiges Halbleitermaterial in der gleichen Menge abzugeben, wie es aus dem Tiegel 1 entnommen wird. In beiden Fällen kann eine geeignete, kommerziell erhältliche Steuerung, wie die von der Firma Leeds & Northrup als "Electromax III Controller" vertrieben wird, verwendet werden.
In Fig. 2 ist ein schematisches Blockdiagramm der verschiedenen Steuermöglichkeiten dargestellt, die vorhanden sind, um mit dem Schmelzniveausensorsignal verwendet zu werden, um das Schmelzniveau zu steuern. Das Signal des Positionssensors 61 wird zur Steuerung 63 gesandt, wie bereits vorstehend im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben wurde. Von der Steuerung 63 kann ein Signal längs der gestrichelten Linie 65 zu einem Block 67 als "Beimischer für ungeschmolzenes Halbleitermaterial" bezeichnet, geschickt werden. Der Block 67 kann in vielfältiger Weise realisiert werden, von denen eine in Fig. 1 in Form eines Fülltrichters 41 in Kombination mit einer elektrisch betriebenen Schraube 51 zum Abgeben von Halbleiterteilchen dargestellt ist. unter Verwendung eines derartigen Förderers mit positiver Verstellung, wie er durch die Schraube 51 dargestellt wird, ist es möglich, daß bei einem solchen System Teilchen kontinuierlich und in einer Menge genau gleich der Menge, in der geschmolzenes Halbleitermaterial im Ziehtiegel 1 verbraucht wird, zuzusetzen. Anders ausgedrückt
130018/0648
' 303617?
kann das System vollkommen proportional arbeiten.
Viele andere Einrichtungen, die nach dem gleichen Prinzip arbeiten, um ungeschmolzenes Halbleitermaterial zum Auffüllen des Tiegels 1' in genau der gleichen Menge wie der Verbrauch unter der Steuerung durch den Positionssensor 61 und die Steuerung 63 zuzusetzen, sind realisierbar. Diese Realisationen des Blocks 67 sind in Fig. 2 durch die Kombination eines Motors 69 dargestellt, der eine übersetzte Flaschenzueinrichtung 71 antreibt, um einen festen Block aus ungeschmolzenem, polykristallinem Halbleitermaterial 73 in einen Tiegel wie den Tiegel 1' in Fig. 1 abzusenken oder anzuheben.
In jedem Falle muß das feste Halbleitermaterial, das zum Ergänzen zugesetzt wird und ein oder mehrere Dotierungsmittel enthält, in demselben Verhältnis vorhanden sein wie in dem gezogenen Kristall. In diesem Zusammenhang hat die Aufrechterhaltung des Schmelzniveaus durch Ergänzung einen bestimmten Vorteil gegenüber bisherigen Techniken, bei denen die Schmelze während des Ziehens des Kristalls entleert wird. Wegen der Seigerungsdifferenzialkoeffizienten von Halbleitermaterial und Dotierungsmittel war eine unvermeidliche, geringe Änderung des Dotierungsgrades in dem gezogenen Kristall, vorhanden, wenn nicht die Dotierungsmittelkonzentration in der Schmelze während des Ziehvorgangs eingestellt wurde. Durch Beibehaltung des Schmelzniveaus durch Nachfüllen kann jedoch die Dotierungsmittelkonzentration in einfacher Weise konstant gehalten werden.
Eine zweite Art von Realisationen des Blocks 67 in Fig. 2 ist schematisch durch einen Fülltrichter 75 dargestellt, der teilchenförmiges oder pulverförmiges Halbleitermaterial, das geschmolzen werden soll, enthält, wobei das untere Ende des Fülltrichters 75 durch einen elektromagnetisch betätigten Einheitsspender 77 verschlossen ist. Der Spender 77 gibt eine vorgewählte Menge oder Einheit aus teilchenförmigem Halbleitermaterial bei jeder Betätigung ab. Kurz gesagt können die durch die Elemente 69 bis 73 dargestellten Ausführungsformen als porportionale, kontinuierlich analoge Einrichtungen bezeichnet werden, während die durch die Elemente 75 und 77 repräsentierten Ausführungsformen als stufenweise oder digitale Näherungen des Problems der Schmelzenauffüllung betrachtet werden können. In einem bestimmten Ausmaß ist diese Unterscheidung jedoch etwas künstlich. Die Klasse der Einrichtungen, die durch die Elemente 69 bis 73 repräsentiert wird, kann beispielsweise auch stufenweise betätigt werden, wohingegen durch
130018/0648
-γ- Jt.
Wahl der Größe der Eiheitszugaben durch die Elemente 75 und 77 als sehr klein die Zugaberate sich sehr stark der Rate nähern kann, mit der das Halbleitermaterial während des Züaens des Kristalls entnommen wird.
Die Steuerung 63 ist über ein Paar von gestrichelten Linien 81, 83 mit einem Block 79 verbunden, der als "Ergänzungstiegelhebeanordnung" bezeichnet ist. Wie im Zusammenhang mit Fig. 1 ausgeführt wurde, kann die Steuerung 63 eine Einrichtung steuern, um den Tiegel 1' anzuheben, wenn in dem Tiegel 1 geschmolzenes Halbleitermaterial benötigt wird. Es gibt zwei Zwecke, für die diese Steuerung verwendet werden kann:
1. In dem Fall,in dem die Einkristallziehvorrichtung für einen Chargenbetrieb verwendet wird, wobei die Menge an geschmolzenem Halbleitermaterial, die in beiden Tiegeln verfügbar ist, geeignet ist, das benötigte Material zum Ziehen der Einkristalle zu liefern;
2. in dem Falle, in dem die Halbleiter Zugabeeinrichtung des Blocks 67 stufenweise arbeitet, wie durch den Fülltrichter 75 und den elektromagnetisch betätigten Einheitsspender 77 beispielhaft dargestellt ist, so daß die Ergänzungstiegelhebeanordnung zum Erneuten Einstellen des Niveaus der Schmelze in den Tiegeln unmittelbar nach der Zugabe jeder Einheitsmenge von ungeschmolzenem Halbleitermaterial verwendet wird.
Im ersten Fall des Chargenbetriebs der Vorrichtung kann die Steuerung 63 verwendet werden, um beide Tiegel anzuheben, um die Schmelzenmenge zu vergrößern, die zum ZL&en der Kristalle verfügbar ist.
Beim Betrieb gemäß dem zweiten Fall wird eine kontinuierliche Proporticnalsteuerung des Schmelzenniveaus durch Bewegung des Tiegels 1' erreicht, während das ungeschmolzene Halbleitermaterial von Zeit zu Zeit, wenn Halbleiterschmelze entnorrmen wird, stufenweise zugegeben wird. Bei dieser Betriebsweise wird eine geeignete Einrichtung zum Auslösen der Zugabe jeder Einheitsmenge von ungeschmolzenem Halbleitermaterial durch eine Signalrückkopplung längs der Leitung 81 von der Anordnung 97 vorgesehen.
- 14 -
130018/0648
- γ-
Ein derartiges Signal kann am einfachsten durch Anordnung eines oberen Endschalters in der Tiegelhubeinrichtung erzeugt werden, so daß dann, wenn der Tiegel 1' um eine bestürmte Strecke in Antwort auf den Verbrauch von Halbleiterschinelze angehoben worden ist, die Hebeeinrichtung ein Auslösesignal erzeugt, das zur Steuerung 63 längs der gestrichelten Linie 81 beispielsweise zurückgeführt wird. Steuersignale von der Steuerung 63 werden der Tiegelhebeeinrichtung 79 längs der gestrichelten Linie 83 zugeführt, die eine kontunierliehe Steuerung des Schireizniveaus entsprechend den Signalen des Positionssensors 61 ermöglichen.
In Fig. 3 sind Einzelheiten des Aufbaus des Siphonrohrs 31 dargestellt. EinQuarzrohr 85 bildet die tatsächliche Leitung zum Transportieren von geschmolzenem Halbleitermaterial zwischen den Tiegeln 1 und 11. Das Quarzrohr 85 kann einen Äußendürchrresser von 2,54 an und einen Innendurchmesser von 7 mm aufweisen.
Das Material des Quarzrohres 85 muß bezüglich des verwendeten Halbleitermaterials nicht-kontaminierend sein und sollte eine adequate Festigkeit gegenüber Erosion und Abnutzung bei sehr hohen Temperaturen, die infrage komrren (in der Größenordnung von 15oo°C) besitzen. In Vorrichtungen zur Herstellung von Silizium-Einkristallen ist Quarz das geeignetste Material. Da es notwendig ist, das Halbleitermaterial in dem Eohr 85 immer und an allen Punkten längs des Siphonrohrs 31 in geschmolzenem Zustand zu halten, ist das Rohr 85 von einer komple:xen thermischen Struktur umgeben.
Unmittelbar auf der Oberflache des Quarzrohrs 85 befindet sich ein Cfoerflächenheizelement 87, das hauptsächlich aus Streifen vcn reinem flexiblem Graphit gebildet wird, der hochgradig gerichtete Eigenschaften besitzt und ohne weiteres in einer Richtung längs des Blattes leitet. Derartiger flexibler Graphit ist sowohl in Bandais auch in Blattform unter der Handelsbezeichnung "Grafoil" erhältlich. Die Einzelheiten der Bildung und Formung des Oberflächenheizelementes 87 werden im Zusammenhang mit Fig. 4 erläutert. Das Heizelement 87 wird an Ort und Stelle gehalten, indem es mit einem
- 15-
130018/0648
- 1/- it
Cyanoacrylatzement aufgeklebt wird, wie er unter dem Handelsnamen Eastman 91o erhältlich ist.
Unmittelbar über dem Heizelement 87 befindet sich eine Schicht aus Siliziumdioxidband, das aus einem Gewebe aus hochreinen SiCu-Fäden besteht und als Isolierschicht dient.
Unmittelbar über der Isolierschicht 89 befindet sich eine zweite blattförmige Schicht 91 aus flexiblem Graphit und eine zweite Isolierschicht 93 aus Siliziumdioxidband. Die zweite Schicht 91 aus flexiblem Graphit, die gegenüber der Cberflächenheizeinrichtung 87 elektrisch isoliert ist, dient einfach als elektrisch und mechanisch isolierende Schicht, um zu verhindern, daß Graphitfasern aus einer Graphitfilzschicht 95 durch die Siliziurrbandschicht 89 hindurchtreten und unerwünschte Kriechstrcnwege erzeugen.
Die Graphitfilzschicht 95 kann beispielsweise^aus zwei Schichten aus 6,35 mm starkem Graphitfilz bestehen, die eine zusätzliche thermische Isolierung liefern. Schließlich ist ein äußerer harter Mantel 97 aus reinem festen Graphit vorgesehen. Der Mantel 97 liefert eine beträchtliche Steifheit und Festigkeit für die Gesamtstruktur des Siphcnrohrs 31, während gleichzeitig die thermischen Isolierungseigenschaften erfüllt werden. Bei den hohen infrage könnenden Temperaturen ist eine gute thermische Isolierung eine Notwendigkeit, um unerwünschte kalte Stellen längs der Länge des Siphcnrchres 38 zu vermeiden, wo sich geschmolzenes Halbleitermaterial verfestigen und zu einer BetriebsunteiJDrechung der gesamten Vorrichtung führen könnte.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, ist der lange Horizontalabschnitt des Graphitmantels 97 in Längsrichtung gespalten, um zu ermöglichen, daß er über dem entsprechend geformten Abschnitt des Quarzrohrs 85 angeordnet werden kann. Jedoch können die vertikal aufwärts sich erstreckenden Abschnitte an den Enden des Siphcnrchrs 31 entweder gespalten oder bequerrerweise einstückig sein, wobei diese Stücke über die darunterliegenden Isolierschichten geschoben sind. In dem Fall, in dem diese Konstruktion gewählt wird, können zusätzliche Schichten aus flexiblem blattförmigen Graphit zwischen dem Graphitmantel 97 und der Graphitfilzschicht 95 oder zwischen der Graphitfilzschicht 95
- 16 -
130018/0648
-1/-Κ
und der Schicht 93 aus Siliziumdioxidband ohne an beiden Stellen verwendet werden, un ein leichtes Aufschieben zwischen den ineingriffzubringenden Teilen zu ermöglichen.
In Fig. 4 ist der Aufbau des Cfoerflächenheizelementes 87 dargestellt. Dieses besteht hauptsächlich aus vier sich in Längsrichtung erstreckenden flexiblen Graphitstreifen 99, die dann, wenn sie auf der Außenseite des Quarzrohres 85 angeordnet sind, äquidistant um 9o° zueinander versetzt angeordnet sind und etwa 5o° des Gesamtumfangs des Quarzrohres 85 bedecken.
Durch vier verbindende Abschnitte 1o1 aus flexiblem Graphit, wobei jeweils ein Paar an jedem Ende des Heizelementes 97 angeordnet sind, sind benachbarte Paare von sich in Längsrichtung erstreckenden Streifen 99 elektrisch in Reihenschaltung an den beiden Enden des Heizelementes 97 miteinander verbunden. Jedoch ist aus Fig. 4 ersichtlich, daß die Abschnitte 1o1 an den beiden Enden des Heizelementes 97 verschieden orientiert sind. Die Paare von Abschnitten 1o1 an einem Ende des Heizelementes 97 sind um 9o° bezüglich der Längsachse des Heizelementes 87 gegenüber dem Paar von Abschnitten TOT am anderen Ende des Heizelementes 87 versetzt.
Diese besondere Anordnung liefert eine zusätzliche Wärmezufuhr nahe den Enden des Quarzrohrs 85, wo es aus den umgebenden Isoliermaterialien 89 bis 97 herausragt. Genau an diesen Stellen tritt am häufigsten eine unerwünschte Verfestigung des geschmolzenen Halbleitermaterials auf, und zwar insbesondere bei sehr geringen Durchflußmengen, wie sie normalerweise bei einer kontinuierlichen Überführung gemäß der vorliegenden Erfindung anzutreffen sind. Durch eine Anordnung eines Paars von verbindenden Abschnitten 101 aus dem gleichen Widerstandsmaterial (flexibler Graphit) wie die übrigen Abschnitte des Heizelementes wird der thermische Strom in Watt/cm2, der vom Heizelement 87 radial in das Quarzrohr 85 fließt, am größten an den axialen Endabschnitten des Heizelementes 87 sein.
Ein weiterer wichtiger Vorteil der Anordnung des Heizelementes 87 besteht im Betreiben des Heizelementes 87 mit Stromkontakten, die so angeordnet sind, daß sie auf einen Durchmesser des Heizelementes 87
- 17 -
130018/0648
fallen, der durch ein gegenüberliegendes Paar von Streifen 99 verläuft, wie durch die mit I bezeichneten Pfeile in Fig. 1 dargestellt ist, wodurch das Heizelement 87 elektrisch in ein Paar von parallelen Schleifen mit gleichem Widerstand geteilt wird - eine Tatsache, die unabhängig davon bleibt, wo die Strom führenden Kontakte in Längsrichtung an den Schleifen 99 angeordnet sind. Was hierbei lediglich wichtig ist, ist, daß die Stromkontakte auf dem gleichen Durchmesser liegen, der durch ein Paar von Streifen 99 des Heizelementes 87 verläuft.
Der Strom I wird in zwei Ströme aufgeteilt, die in Fig. 4 als I1 und i„ bezeichnet sind. Der Weg von i_ ist in Fig. 4 eingezeichnet, da er über Leiter verläuft, die in der Perspektive von Fig. 4 sichtbar sind. Wie ohne weiteres aus einer momentanen Betrachtung ersichtlich ist, fließt i2 längs genau einer Hälfte der Gesamtlänge des Leiters des Heizelementes 87, wobei dies immer der Fall ist, wohin auch immer die Kontakte, die schematisch durch die Pfeile I-I bezeichnet sind, längs der Leiter 99 verschoben sind. Entsprechend fließt der Strom i. ebenfalls längs genau einer Hälfte der gesamten Leiterlänge des Heizelementes 87 - wobei diese andere Hälfte nicht von der Stromkomponente ±2 durchflossen wird.
In der Praxis ist, obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, ein Paar von Leitern aus schwer schmelzbarem Metall wie Molybdän in geeigneter Weise irgendwo längs des Horizontalschnitts des Syphonrohrs angeordnet und erstreckt sich einwärts in den Bereich zwischen die gespalteten Hälften des Mantels 97 und kann an Ort und Stelle gehalten werden, indem die Leiter in Kontakt mit dem Heizelement 87 aus flexiblem Graphit mit Siliziumdioxidband umhüllt werden. Diese Leiter können dazu verwendet werden, um das Heizelement 87 mit einer Stromquelle, etwa der Stromquelle 7 von Fig. 1 oder einer getrennten Stromquelle zu verbinden, die einen gleichgerichteten Wechselstrom und eine Leistung von etwa 1,5 kW liefert.
130018/0648

Claims (22)

  1. Patentansprüche
    KL/ Vorrichtung zur Herstellung von festen Kristallen aus einem geschmolzenen Material, gekennzeichnet durch einen Ziehtiegel zur Aufnahme einer Schmelze aus dem Material, aus dem ein sich verfestigender Kristall gezogen wird, eine Zieheinrichtung zum fortschreitenden Ziehen des sich verfesti g enden Kristalls aus der Schmelze, einen Schmelzenergänzungstiegel benachbart zu dem Ziehtiegel, Tiegelheizeinrichtungen zum Heizen der Tiegel zum Halten des Materials in geschmolzenem Zustand, eine Siphonrohreinrichtung, die sich in gemeinschaftlicher Flüssxgkeitsverbindung zwischen dem Ergänzungstiegel und dem Ziehtiegel erstreckt, um das geschmolzene Material von dem Ergänzungstiegel zu dem Ziehtiegel infolge der Entnahme von Schmelze aus dem Ziehtiegel fließen zu lassen, und durch Mittel zum Erhöhen des Niveaus der Schmelze in dem Ergänzungstiegel entsprechend der Entnahme hieraus ,um ein vorbestxmmtes Niveau des geschmolzenen Materials in dem Ziehtiegel aufrechtzuerhalten.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Mittel zum Erzeugen und Aufrechterhalten einer Inertgasatmosphäre in Kontakt mit der Cfoerf lache des geschmolzenen Materials in dem Zieh- und Ergänzungstiegel und durch Mittel zum Erzeugen einer wählbaren atmosphärischen Druckdifferenz in dem Inertgas zwischen dem Ergänzungstiegel und dem Ziehtiegel, durch die der Fluß von geschmolzenem Material durch das Siphonrohr in Gang gesetzt und gesteuert werden kann.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Siphonrohr eine Heizeinrichtung zum Verhindern einer Verfesti-
    130018/0648
    gung des geschmolzenen Materials in dem Siphcnrchr aufweist.
  4. 4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Niveaumeßeinrichtung zum Peststellen des Niveaus des geschmolzenen Materials in einem der Tiegel und zum Erzeugen eines elektrischen Signals entsprechend dem gemessenen Niveau scwie durch eine Niveausteuereinrichtung, die mit der Niveaumeßeinrichtung verbunden ist und hiervcn das elektrische Signal empfängt, wobei die Niveausteuereinrichtung in Antwort auf Änderungen des gemessenen Niveausignals entsprechend Änderungen des gemessenen Niveaus anspricht, um ein vorbestimmtes Niveau aufrechtzuerhalten.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Niveausteuereinrichtung der Schirelzenergänzungstiegel in seiner Höhe verstellbar ist, um das gemessene Niveau auf ein vorbestiirmtes Niveau zu bringen.
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine Materialergänzungseinrichtung zum Zuführen von festem kristallinen Material zu dem Schmelzenergänzungstiegel während der Verfestigung des Kristalls in dem Ziehtiegel, wobei die Niveausteuereinrichtung entsprechend Änderungen des Signals für das gemessene Niveau die Rate steuert, mit der festes kristallines Material dem Ergänzungstiegel· zugeführt wird, um das gemessene Niveau auf einem vorbestimmten Niveau zu halten.
  7. 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das feste kristalline Material vcn Form von Teilchen vorliegt und die Materialergänzungseinrichtung einen Fülltrichter zur Aufnahme der Teilchen aufweist, während eine lteiic±ienüberführungseinrichtung zum wahiweisen Überführen der Teiichen von dem Fülltrichter zu dem Ergänzungstiegel vorgesehen ist, während die Niveausteuereinrichtung die Teilchenüberführungseinrichtung entsprechend den Signalen des gemessenen Niveaus steuert, um das gemessene Niveau auf einem vorbestimmten Niveau zu halten.
    130018/0648
    -3- S038177
  8. 8. Vorrichtimg nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet/ daß die Teilchenüberführungseinrichtung einen Förderer mit positiver Verstellung umfaßt.
  9. 9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchenüberführungseinrichtung einen mittels eines Elektromotors betriebenen Schraubenförderer umfaßt, wobei die Niveausteuereinrichtung den Elektromotor steuert.
  10. 10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, gekennzeichnet durch eine elektrisch betriebene Hebeeinrichtung, diemit dem SchnBlzenergänzungstiegel verbunden ist und auf ein elektrisches Signal bei Änderung der Höhe dieses Tiegels ansprechbar ist, wobei die Niveausteuereinrichtung mit der Hebeeinrichtung verbunden ist, um dieser elektrische Signale zuzuführen, um zu bewirken, daß die Hebeeinrichtung des Höhe des Schmelzenergänzungstiegels ändert.
  11. 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 1o, dadurch gekennzeichnet, daß die NiveaunEßeinrichtung eine Quelle für einen lichtstrahl umfaßt, der auf die Oberfläche des geschmolzenen Materials mit schrägem Einfallswinkel gerichtet ist, während eine Einrichtung zum Auffangen des reflektierten Lichtstrahls und zum Erzeugen eines elektrischen Signals entsprechend der Höhe dieser Oberfläche vorgesehen ist.
  12. 12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Auffangen des Lichtstrahles einen Positionssensor umfaßt, der in dem Weg des reflektierten Lichtstrahls angeordnet ist, wobei der Positionssensor ein elektrisches Signal entsprechend der Lage des Auftreffpunktes des Lichtstrahls auf den Positionssensor erzeugt, während eine Sanmellinse in dem Weg des reflektierten Lichtstrahls zwischen dem Positionssensor und der Cfoerflache des geschmolzenen Materials angeordnet ist, wobei die Linse und der Positionssensor in bezug auf diese Cfoerflache derart angeordnet sind, daß ein Bild des Abschnitts der Oberfläche, der vcn dem Lichtstrahl beleuchtet wird, auf den Po-
    130018/0648
    036177
    sitionssenor fokussiert wird.
  13. 13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein optisches Bandpaßfilter in dem Weg des reflektierten Lichtstrahls angeordnet ist, wobei die Durchlässigkeit dieses Filters derart gewählt ist, daß sie Licht von der Lichtquelle durchläßt und Licht, das von dem geschmolzenen Material erzeugt wird, nicht durchläßt.
  14. 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 13 r dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung ein elektrischer Widerstandsoberflächenheizer ist, der sich längs eines Großteils der Länge des Siphonrohrs erstreckt und mit Kontakten für den Anschluß an eine externe Strahlquelle versehen ist.
  15. 15. -Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung eine Vielzahl vcn sich in Längsrichtung des Siphonrohrs erstreckenden, in Umfangsrichtung voneinander mit Abstand angeordneten Widerstandsstreifen, die sich über die Länge des Siphonrohrs erstrecken, und einen ersten sich in Unfangsrichtung erstreckenden Widerstandsabschnitt aufweist, der ein Paar dieser Streifen an einem Ende hiervon miteinander elektrisch verbindet.
  16. 16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter sich in önfangsrichtung erstreckender Widerstandsabschnitt am anderen Ende der Streifen vorgesehen ist, der ein Paar von Streifen elektrisch miteinander verbindet und eine Eeiheschaltung unter Einschluß des ersten Abschnitts bildet.
  17. 17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung vier Widerstandsstreifen und vier Widerstandsäbschnitte umfaßt, wobei die Streifen sich in Längsrichtung des Siphonrohrs erstrecken, während die Widerstandsabschnitte in Unfangsrichtung hiervon sich zwischen den Streifen erstrecken und die Enden der Streifen elektrisch miteinander verbinden, um einen
    130018/0848
    ~5~ 303617?
    einzigen Reihenschaltkreis zu bilden, der die Streifen und Abschnitte umfaßt.
  18. 18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung aus flexiblem Graphit in Blattform gebildet ist.
  19. 19. tfcerführungsvorrichtung für geschmolzenes Halbleitermaterial, gekennzeichnet durch ein Rohr aus schwer schmelzbarem Material, das sich zwischen einem Paar von Tiegeln, die geschmolzenes Halbleitermaterial enthalten, erstreckt, wobei eine Cfoerflädhenheizeinriahtung sich axial längs eines Hauptteils der LÄnge des Rohrs aus schwerschmelzbarem Material erstreckt, während eine Schicht aus isolierendem Material über der Cberflächenheizeinrichtung angeordnet ist.
  20. 20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Cberflächenheizeinrichtung aus einer Vielzahl sich in Längsrichtung bezüglich des Rohrs aus schwerschmelzbarem Material erstreckenden, in Unfangsrichtung mit Abstand zueinander angeordneten Widerstandsstreifen und einem sich in unfangsrichtung erstreckenden Widerstandsabschnitt besteht, der ein Paar dieser Streifen an einem Ende hiervon elektrisch miteinander verbindet.
  21. 21. Vorrichtung nach Anspruch 19 oder 2o, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung vier Widerstandsstreifen und vier Widerstandsabschnitte umfaßt, wobei die Streifen sich in Längsrichtung des Siphonrohres erstrecken, während die Widerstandsabschnitte in Unfangsrichtung hiervon sich zwischen den Streifen erstrecken und die Enden der Streifen elektrisch miteinander verbinden, um einen einzigen Reihenschaltkreis zu bilden, der die Streifen und Abschnitte umfaßt.
  22. 22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Cberflächenheizeinrichtung aus blattförmigem, flexiblen Graphit gebildet ist.
    130018/0648
DE19803036177 1979-10-09 1980-09-25 Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material Ceased DE3036177A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/083,169 US4282184A (en) 1979-10-09 1979-10-09 Continuous replenishment of molten semiconductor in a Czochralski-process, single-crystal-growing furnace

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3036177A1 true DE3036177A1 (de) 1981-04-30

Family

ID=22176622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803036177 Ceased DE3036177A1 (de) 1979-10-09 1980-09-25 Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4282184A (de)
DE (1) DE3036177A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3306515A1 (de) * 1983-02-24 1984-08-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen
DE3904858A1 (de) * 1988-03-03 1989-09-14 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum regeln eines schmelzbades
DE4301072A1 (de) * 1993-01-16 1994-07-21 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4396824A (en) * 1979-10-09 1983-08-02 Siltec Corporation Conduit for high temperature transfer of molten semiconductor crystalline material
US4410494A (en) * 1981-04-13 1983-10-18 Siltec Corporation Apparatus for controlling flow of molten material between crystal growth furnaces and a replenishment crucible
US4454096A (en) * 1981-06-15 1984-06-12 Siltec Corporation Crystal growth furnace recharge
US4659421A (en) * 1981-10-02 1987-04-21 Energy Materials Corporation System for growth of single crystal materials with extreme uniformity in their structural and electrical properties
US4453083A (en) * 1981-10-26 1984-06-05 Betriebsforschungsinstitut Vdeh Institut Fur Angewandte Forschung Gmbh Apparatus for the determination of the position of a surface
US4646009A (en) * 1982-05-18 1987-02-24 Ade Corporation Contacts for conductivity-type sensors
US4508970A (en) * 1982-07-15 1985-04-02 Motorola, Inc. Melt level sensing system and method
US4547258A (en) * 1982-12-22 1985-10-15 Texas Instruments Incorporated Deposition of silicon at temperatures above its melting point
US4710260A (en) * 1982-12-22 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Deposition of silicon at temperatures above its melting point
JPS6131382A (ja) * 1984-07-20 1986-02-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体単結晶の引上方法
JPS62502793A (ja) * 1985-05-17 1987-11-12 ダイアモンド・キュ−ビック・コ−ポレ−ション 連続して引き出される単結晶シリコンインゴット
FR2592064B1 (fr) * 1985-12-23 1988-02-12 Elf Aquitaine Dispositif pour former un bain d'un materiau semi-conducteur fondu afin d'y faire croitre un element cristallin
US4971650A (en) * 1989-09-22 1990-11-20 Westinghouse Electric Corp. Method of inhibiting dislocation generation in silicon dendritic webs
AU632886B2 (en) * 1990-01-25 1993-01-14 Ebara Corporation Melt replenishment system for dendritic web growth
JPH085737B2 (ja) * 1990-10-17 1996-01-24 コマツ電子金属株式会社 半導体単結晶製造装置
US5427056A (en) * 1990-10-17 1995-06-27 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Apparatus and method for producing single crystal
JPH10158088A (ja) * 1996-11-25 1998-06-16 Ebara Corp 固体材料の製造方法及びその製造装置
US6099596A (en) 1997-07-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Wafer out-of-pocket detection tool
US6197117B1 (en) 1997-07-23 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Wafer out-of-pocket detector and susceptor leveling tool
US5934617A (en) * 1997-09-22 1999-08-10 Northcoast Technologies De-ice and anti-ice system and method for aircraft surfaces
US6279856B1 (en) 1997-09-22 2001-08-28 Northcoast Technologies Aircraft de-icing system
US6237874B1 (en) 1997-09-22 2001-05-29 Northcoast Technologies Zoned aircraft de-icing system and method
US6602345B1 (en) 1999-06-29 2003-08-05 American Crystal Technologies, Inc., Heater arrangement for crystal growth furnace
US6537372B1 (en) * 1999-06-29 2003-03-25 American Crystal Technologies, Inc. Heater arrangement for crystal growth furnace
JP4698892B2 (ja) * 2001-07-06 2011-06-08 株式会社Sumco Cz原料供給方法及び供給用治具
DE10204178B4 (de) * 2002-02-01 2008-01-03 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial
US8021483B2 (en) * 2002-02-20 2011-09-20 Hemlock Semiconductor Corporation Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods
US7635414B2 (en) * 2003-11-03 2009-12-22 Solaicx, Inc. System for continuous growing of monocrystalline silicon
JP2005289776A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Canon Inc 結晶製造方法および結晶製造装置
US7691199B2 (en) * 2004-06-18 2010-04-06 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
US7465351B2 (en) * 2004-06-18 2008-12-16 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
US7344594B2 (en) * 2004-06-18 2008-03-18 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
DE102006050901A1 (de) * 2005-11-17 2007-05-31 Solarworld Industries Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers und zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
US20070281574A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent material
US20090151622A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Wilson Andrew B Systems and methods for growing polycrystalline silicon ingots
US8652257B2 (en) 2010-02-22 2014-02-18 Lev George Eidelman Controlled gravity feeding czochralski apparatus with on the way melting raw material
KR101841032B1 (ko) 2010-09-03 2018-03-22 지티에이티 아이피 홀딩 엘엘씨 갈륨, 인듐 또는 알루미늄으로 도핑된 실리콘 단결정
US8784559B2 (en) 2010-09-09 2014-07-22 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method and apparatus for continuous crystal growth
CN112567076B (zh) * 2019-08-21 2021-11-16 眉山博雅新材料股份有限公司 开放式温场

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2449275A1 (de) * 1973-10-23 1975-04-24 Motorola Inc Vorrichtung zum ziehen eines kristalls aus einer schmelze
US4036595A (en) * 1975-11-06 1977-07-19 Siltec Corporation Continuous crystal growing furnace
US4156127A (en) * 1976-04-06 1979-05-22 Daikin Kogyo Co., Ltd. Electric heating tube

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2865519A (en) * 1952-02-14 1958-12-23 Koppers Co Inc Apparatus for transferring pulverulent material between chambers of different pressures
US3002821A (en) * 1956-10-22 1961-10-03 Texas Instruments Inc Means for continuous fabrication of graded junction transistors
NL237834A (de) * 1958-04-09
US3206286A (en) * 1959-07-23 1965-09-14 Westinghouse Electric Corp Apparatus for growing crystals
BE631173A (de) * 1962-04-18 1900-01-01
US3291650A (en) * 1963-12-23 1966-12-13 Gen Motors Corp Control of crystal size
FR1473984A (fr) * 1966-01-10 1967-03-24 Radiotechnique Coprim Rtc Procédé et dispositif destinés à la fabrication de composés binaires monocristallins
US3493770A (en) * 1966-03-01 1970-02-03 Ibm Radiation sensitive control system for crystal growing apparatus
US3692499A (en) * 1970-08-31 1972-09-19 Texas Instruments Inc Crystal pulling system
US3815623A (en) * 1971-11-04 1974-06-11 Farmer Mold & Machine Works Molten metal delivery system
US3998598A (en) * 1973-11-23 1976-12-21 Semimetals, Inc. Automatic diameter control for crystal growing facilities

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2449275A1 (de) * 1973-10-23 1975-04-24 Motorola Inc Vorrichtung zum ziehen eines kristalls aus einer schmelze
US4036595A (en) * 1975-11-06 1977-07-19 Siltec Corporation Continuous crystal growing furnace
US4156127A (en) * 1976-04-06 1979-05-22 Daikin Kogyo Co., Ltd. Electric heating tube

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3306515A1 (de) * 1983-02-24 1984-08-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen
DE3904858A1 (de) * 1988-03-03 1989-09-14 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum regeln eines schmelzbades
DE3904858C2 (de) * 1988-03-03 2001-06-07 Leybold Ag Verfahren zum Ziehen von Einkristallen
DE4301072A1 (de) * 1993-01-16 1994-07-21 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze

Also Published As

Publication number Publication date
US4282184A (en) 1981-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3036177A1 (de) Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material
DE4106589C2 (de) Kontinuierliches Nachchargierverfahren mit flüssigem Silicium beim Tiegelziehen nach Czochralski
EP0124938B1 (de) Kalter Tiegel für das Erschmelzen nichtmetallischer anorganischer Verbindungen
DE19607098C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum gerichteten Erstarren einer Schmelze aus Silizium zu einem Block in einem bodenlosen metallischen Kaltwandtiegel
DE2752308C2 (de) Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen
DE68913237T2 (de) Siliciumgiessvorrichtung.
DE19622659C2 (de) Vertikalofen zur Züchtung von Einkristallen
DE2451921C3 (de) Verfahren und integrierte Ofenanlage zum kontinuierlichen Erzeugen von einzelnen Gußstücken
EP0021385A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumstäben
DE68916157T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus Halbleitermaterialien.
DE69202996T2 (de) Verfahren zur automatischen Steuerung der Züchtung des Halsteiles eines Einkristalles.
EP2242874B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von kristallinen körpern durch gerichtete erstarrung
DE2635093A1 (de) Vorrichtung zum ziehen eines halbleiter-einkristalls
EP0462494A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Giessen von Siliciumblöcken mit Kolumnarstruktur als Grundmaterial für Solarzellen
DE3325242C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Verbindungshalbleiter-Einkristalls
EP0217158A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliciumstäben
DE4435764C2 (de) Schwebeschmelzvorrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben
DE10220964B4 (de) Anordnung zur Herstellung von Kristallstäben mit definiertem Querschnitt und kolumnarer polykristalliner Struktur mittels tiegelfreier kontinuierlicher Kristallisation
DE10392918T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristallhalbleiters und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallhalbleiters
DE10339402B4 (de) Schmelzvorrichtung mit einem Schmelztiegel sowie Verfahren zum Zuführen von Granulat in eine im Schmelztiegel vorhandene Schmelze
DE102006052961B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls
DE112010004657B4 (de) Einkristall-Herstellungsvorrichtung und ein Einkristall-Herstellungsverfahren
DE2635373C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Züchtung von Einkristallen bestimmter Form
DE1961521C3 (de) Kristallzieheinrichtung
DE1251272B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Stabes durch Aufziehen aus einer Schmelze

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection