DE3036177A1 - Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material - Google Patents
Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem materialInfo
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Description
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DIPI.-ING. K. SPARING L mndemannsthasse si
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DIPL-PHYS. DR. W^. H. ROHL telefon (0211) 672246
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Siltec Corporation, 3717 Haven Avenue, Menlo Park, Calif ./USA
"Vorrichtung zum Herstellen von festen Kristallen aus geschmolzenem Material"
Gemäß dem Czochralski-Verfahren, das zum langsamen Ziehen von
großen monokristallinen Körpern aus einer Schmelze aus sich verfestigendem
Halbleitermaterial dient, wobei mit einem einzigen Kristallkeim begonnen wird, übersteigt die Qualität der Kristallstruktur
diejenige, die durch andere konkurrenzfähigere Verfahren, Zonenraffinierung, efzielbar ist.
um eine ausgezeichnete Qualität der Kristalle, die von der
Halbleiterindustrie benötigt werden, zu erreichen, muß eine Anzahl
von Verfahrenvariablen in dem Czochralski-Prozeß sorgfältig überwacht und gesteuert werden. Insbesondere muß die Dotierungsmittelkcnzentraticn
in dem geschmolzenen Halbleitermaterial, aus dem der Kristall gezogen wird, sorgfältig eingestellt werden, um Konstanz während des
Wachsens des Kristalls sicherzustellen. Dies gilt insbesondere deshalb , weil die Konzentration des Dotierungsmittels in dem endgültigen
Kristall verschieden von demjenigen in dem geschmolzenen Bad aus Halbleitermaterial ist. folglich besteht während des Wachsens eines
Kristalls für das Dotierüngsmittel die Tendenz eines Verarmens oder
einer überkonzentraticn wegen des Unterschieds in den Seigerungstoeffizienten
von Halbleiter und Dotierungsmittel.
Ferner besteht für den Durchmesser des Kristalls eine Tendenz, sich während des Ziehaas zu ändern. Da der Einkristall auf einen gleichförmigen
Durchmesser nach dem Ziehen geschliffen werden muß, erf ordero.
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r-χ.
irgendwelche Änderungen in dem Durchiressermesser, wie er gezogen ist,
zusätzliche Schleif arbeit, wodurch die Kosten erhöht werden und die Gefahr des Beschädigens der Halbleiterkristallstruktur besteht. On
derartige Durchitesseränderungen zu minimalisieren, muß die Geschwindigkeit,
mit der dar sich verfestigende Kristall gezogen wird, kontinuierlich
optimiert werden.
Folglich mußten diese und andere Verfahrensparamater sehr gut überwacht werden, um eine maximale Qualität der endgültigen Halbleiterplatten
sicherzustellen, die von dem Einkristallkörper abgespalten werden. Derartige Kontrollen gingen mehr oder weniger auf Kosten der
Produktionsgeschwindigkeit, indem beispielsweise nur ein einziger Kristall aus jeder Siliziumschmelze gezogen wurde. Am Ende des Kristallziehvorganges
wurde der Ofen abgeschaltet,eine neue Charge aus festem Silizium eingefüllt, der Ofen erhitzt, um das Silizium zu schmelzen
und das gesamte Verfahren des Ziehens eines neuen Kristalls begonnen.
Wahrend diese Art eines Chargenprozesses geeignet ist, um
Siliziumplatten mit zufriedenstellend niedrigen Kosten etwa für die Halbleiterfabrikaticns zu liefern, sind die Kosten für die Siliziumplatten aber andererseits zu hoch, um ihre weitgestreute Anwendung als
photoelektrische Konverter von Sonnenlicht zu ermöglichen.
IM Halbleitertafeln herzustellen, die genügend billig, genügend gut in der Qualität und ausreichend erhältlich sind, ist es offensichtlich,
daß das bisherige chargenweise Arbeiten im Rahmen des Czochralski-Verfahrens
zugunsten eines mehr oder weniger kontinuierlichen Verfahrens aufgegeben werden muß, bei dem der Ziehtiegel mit geschmolzenem Halbleitermaterial
während des Ziehvorgangs wiederaufgefüllt wird, so daß mehr als ein Kristall ohne ein Abschalten und erneutes Chargieren des
Ofens vorgenainien werden kann. Des weiteren müssen die bereits bestehenden
Produktionskontrollen bezüglichverschiedener Verfahrensparameter auf dieses neue kontinuierliche Verfahren ausgedehnt werden,
so daß das Ergebnis eine tatsächliche Verringerung der Kosten für den Halbleitereinkristall ohne eine Qualitätsverminderung ist. Kurz gesagt,
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maß die Ausbeute an akzeptablen Einkristallen (der Prozentsatz von
denjenigen, die die Qualitätsmaßstäbe erreichen) aufrechterhalten werden, während die Effektivität und die Produktionsgeschwindigkeit
vergrößert werden.
Folglich wird eine vorrichtung benötigt, die in einfacher
kontinuierlicher und wiederholbarer ifeise ein konstantes Schmelzniveau
in dem Ziehtiegel liefert, so daß sich die Position des Fest-Flüssigübergangs
in dem Tiegel nicht ändert. Ferner muß dieses Kriterium trotz der Tatsache erhalten werden, daß der Tiegel kontinuierlich erhitzt
bleibt und die Kristalle einer nach dem anderen in einer Produktionsart erzeugt werden.
Gleichzeitig muß die Zusammensetzung des geschmolzenen Halbleitermaterials
gleichmäßig bleiben. Insbesondere darf sich die Konzentration des Dotiermgsmittels sowohl während des Wachsens eines
einzigen Kristalls oder von Kristall zu Kristall nicht ändern. Zudem muß dieses letzte Kriterium auch dann erfüllt sein, wenn die gesamte
in dem Ziehtiegel befindliche Menge aus geschmolzenem Halbleitermaterial zu Beginn der Produktion nicht ausreichend ist, um das Material für einen
gesamten Produktionslauf zu liefern, der die Herstellung von vielen
Kristallen umfaßt.
öiter Inbetrachtziehung der cfoigen Kriterien ist es offensichtlich,
daß man, wenn die Qualität in einem Massenproduktionsverfahren zur Herstellung von Kristallen aufrechtzuerhalten ist, das Ergänzen
des geschmolzenen Halbleitermaterials in dem Ziehtiegel während des Produktionslauf s vorgenommen werden muß, wobei sorgfältig die Zusammensetzung
des zugesetzten geschmolzenen Halbleitermaterials kontrolliert werden muß.
Dementsprechend ist es Aufgabe der Erfindung, eine akzeptable mcnokristalline Halbleiterqualität beizubehalten, während die verfügbare
Quantität durch kontinuierliche Produktion von Kristallen aus einem einzigen Ziehtiegel vergrößert wird.
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Weiterhin ist es Aufgabe die Erfindung, die kristalline Qualität mit Hilfe vcn mehr oder weniger konstanter Ergänzung des
geschmolzenen Halbleitermaterials in dem Ziehtiegel während der Produktion aufrechtzuerhalten.
Außerdem soll das Erhitzen ohne Änderung der Höhe des Flüssig-Fest-übergangs in dem Ziehtiegel durchgeführt werden.
Zudem soll das Ergänzen des geschmolzenen Halbleitermaterials ohne Änderung der Konzentration des Dotierungsmittels in dem gezogenen
Einkristall sowohl in einem einzelnen als auch von Kristall zu Kristall erfolgen.
Erfindungsgemäß wird daher ein Schmelzenergänzungstiegel vorgesehen,
der geschmolzenes Halbleitermaterial enthält und benachbart zu dem Ziehtiegel angeordnet und mit diesem über ein Siphonrohr verbunden
ist. Mit Hilfe des Siphonrohres kann geschmolzenes Halbleitermaterial kontinuierlich zu dem Ziehtiegel während des Produktionslaufs ohne Turbulenzen, Wellen oder andere Störungen erfolgen, die
die Qualität des im Wachsen begriffenen Kristalls in dem Ziehtiegel
beeinträchtigen könnte. Durch Sicherstellen, daß die Inertgasatmosphäre, die sowohl den Ergänzungs- als auch den Ziehtiegel umgibt, sich auf dem
gleichen Druck befindet, kann die ifcerführung vorgenommen werden,
während eine konstante Höhe des Flüssig-Fest-Übergangs bloß durch Einstellen der Höhe des geschmolzenen Halbleitermaterials in dem Ergänzungstiegel
aufrechterhalten wird, so daß diese die gleiche wie das gewünschte Niveau von geschmolzenem Halbleitermaterial in dem
Ziehtiegel ist.
Außerdem ist es Aufgabe der Erfindung, sicherzustellen, daß das Niveau aus geschmolzenem Halbleitermaterial in den beiden Tiegeln
mit einem Minimum an menschlischer überwachung durch automatische Mittel konstant gehalten wird. Zu diesem Zweck besitzt die Vorrichtung
eine optische Niveauüberwachungseinrichtung zum Erzeugen eines elektrischen Signals entsprechend der Schmelzenhöhe in einem von
beiden Tiegeln sowie eine servomechanische Steuereinrichtung zum Einstellen dieses Niveaus auf eine gewünschte vorbestimmte Höhe.
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Weiter ist es Aufgabe der Erfindung, sicherzustellen, daß geschmolzenes
Halbleitermaterial zuverlässig von dem Ergänzungstiegel zu Ziehtiegel ohne Verfestigung in der Überführungseinrichtung überführt
wird.
Zu diesem Zweck ist ein Siphonrohr vorgesehen, das eine integrale elektrische Heizeinrichtung und thermische und elektrische Isolierungen
aufweist, so daß sogar bei sehr niedrigen Durchflußraten, die bei der kontinuierlichen überführung von geschmolzenem Halbleitermaterial auftreten,
noch keine Verfestigungen auftreten.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung
und den Ansprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der beigefügten Abbildungen
näher erläutert.
Fig. 1 zeigt im Schnitt eine Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Herstellung
von Halbleiterendkristallen.
Fig. 2 zeigt ein Blockdiagramm, das eine Vielzahl von Alternativen zur Aufrechterhaltung eines
Schmelzniveaus und für Steuerungssysteme zeigt, die erfindungsgemäß verwendet werden
können.
Fig. 3 zeigt einen Schnitt der Linie 3-3 von Fig. 1.
Fig. 4 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Heizeinrichtung für das Siphonrohr der Vorrichtung
von Fig. 1.
Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung zur Eiiikristallherstellung nach dem
Czochralski-Verfahren. Ein Ziehtiegel· T aus Quarz mit etwa 25 cm Durchmesser
befindet sich in einem passenden festen Graphitmantel· 3, der von einer zylindrischen Heizeinrichtung 5 umgeben ist, die ebenfa^s aus
Graphit bestehen kann. Die Heizeinrichtung 5 kann aus einer Eeihe von stabförmigen Heizeiementen aus Graphit bestehen, die vertikal· mit Ab-
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stand zueinander angeordnet sind, um einen kreisförmigen Zylinder mit
kurzen Verbindungsgliedern aus Graphit zu bilden, um die vertikalen Heizelemente in Reihe zu schalten. Alternativ kann erst eine andere
Form einer Heizeinrichtung verwendet werden. Die Stromversorgung der Heizeinrichtung 5 erfolgt über eine externe Stromquelle 7, die mit
der Heizeinrichtung 5 über Leitungen 9 verbunden ist.
Da die Temperaturen, die für das Wachstum von Siliziumkristallen, beispielsweise bei dem Czochralski-Verfahren verwendet werden, recht
hoch in der Größenordnung von 15000C sind, umgibt eine Vielzahl von
Hitzeschilden 11, die allgemein durch ein rechteckiges Kästchen in
Fig. 1 angedeutet sind, den durch die Heizeinrichtung 5 erhitzten Bereich. Die Hitzeschilde 11 können aus Graphit oder einem hochtemperaturfesten
Material,wie Molybden, bestehen. Durch Minimalisieren der
Wärmeverluste aus dem Hechtemperaturbereich innerhalb der Heizeinrichtung
5, minimalisieren die Hitzeschilde 11 den Stromverbrauch der Heizeinrichtung
5 und vermeiden ein übermäßiges Erwärmen der Umgebung.
In dem Ziehtiegel 1 befindet sich eine Schmelze 13 aus Halbleitermaterial,
beispielsweise geschmolzenes Silizium. Ein Einkristallkörper 15 wächst langsam aus der Schmelze 13 und wird in Fig. 1 mit Hilfe eines
Ziehstabes 17 sowohl gedreht als auch aufwärts gezogen, wobei der Ziehstab
17 mit seinem oberen Ende an einer Dreh- und Hebeeinrichtung (nicht
dargestellt) befestigt ist.
Da geschmolzenes Silizium bei sehr hoher Temperatur leicht durch den Kontakt mit Sauerstoff oder Stickstoff aus der Luft reagiert, ist
die Siliziumschmelze vollständig von einem Gehäuse 19 umgeben, das hermetisch
gegenüber der Ungebungsluf t abgedichtet und mit einem Inertgas, etwa Argon, gefüllt ist. Folglich bewegt sich der Ziehstab 17
aufwärts aus dem Gehäuse 19 mit Hilfe einer hermetisch abgedichteten
Balgeinrichtung 21, die beispielsweise aus rostfreiem Stahl besteht. Am Ende eines Ziehvorgangs eines Einkristalls 15 wird der Kristall aufwärts
in den durch den Balg 21 umgebenen Bereich gezogen und ein Schieber 23 geschlossen, der den Ziehstab 17 und den Einkristall 15 von der Ilngebung
in dem Gehäuse 19 isoliert.
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Danach kann der Einkristall 15 entfernt und das Herstellen eines
nächsten Einkristalls nach Öffnen des Schiebers 23 und erneutem Einsetzen
eines Ziehstabes 17, der einen Kristallkeim, an seiner Unterseite
trägt, der mit der Oberfläche der Halbleiterschmelze 13in Berührung
gebracht wird, begonnen werden. Bekannterweise werden Siliziumrohlingeoder kristalle in einer geeigneten Güte für elektrische Zwecke nach dem
Czochralski-Verfahren hergestellt, indem ein Kristallkeim aus Silizium in die geschmolzene Masse des Siliziums eingetaucht und der Kristallkeim
langsam abgezogen wird. Wenn der Kristallkeim abgezogen wird, verfestigt sich das geschmolzene Silizium, das an diesem anhaftet, unter
Bildung einer einzigen großen kristallinen Struktur oder eines Einkristalls, der exakt die gleiche kristallograf ische Orientierung wie der Kristallkeim
aufweist, der verwendet wurde. Dies trifft selbst dann zu, wenn der endgültige Rohling oder Einkristall, der auf diese Weise gezogen wurde,
eine Länge von etwa 1m und einen Durchmesser von 10 cm aufweist.
Üblicherweise wird bei dem Czochralski-Verfahren der Durchmesser
des aus der Schmelze gezogenen Kristalls durch .änderung der Ziehrate
gesteuert, d.h. der Geschwindigkeit, mit der der Ziehstab 17 in Fig. 1 aufwärts bewegt wird. Ferner ist es üblich, wenn auch nicht dargestellt,
daß der Durchmesser des Kristalls, der gezogen wird, durch ein optisches Pyrometer überwacht wird, das auf den Miniskus 25 zwischen der festen
Kristallstruktur 15 und der Schmelze 13 zielt. Der Miniskus 25 ist leicht
festzustellen, da er als ein Ring von hellerer Farbe, entsprechend der Erstarrungswärme erscheint, die an dem Verfestigungspunkt des Halbleiters
freigesetzt wird.
Um Homogenität und Gleichmäßigkeit der Schmelze 13, aus der der Kristall 15 gezogen wird, sicherzustellen, ist es beim Czochralski-Verfahren
üblich, eine Rotation der Schmelze vorzunehmen, so daß beispielsweise ein Dotierungsmittel (Fremdatome) gleichmäßig in der Schmelze
verteilt wird. Diese Rotation dient ferner dazu, Uhgüd-chmäßigkeiten in
der Temperatur der Schmelze 13 zu verhindern. Zu diesem Zweck verläuft
eine Welle 27 durch ein dichtes lager 29 und ist mit dem Graphitmantel
3 gekoppelt, um diesen mit dem Ziehtiegel 1 aus Quarz und der darin befindlichen
Schmelze 13 zu drehen.'
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Qn ein konstantes Niveau der Schmelze 13 in dem Ziehtiegel 1 während
des Ziehvorgangs aufrecht zu erhalten,ist ein zusätzlicher Vorrat von geschmolzenem
Halbleitermaterial in Form einer Schmelze 13' in einem Quarztiegel
1' enthalten, der sich seinerseits in einem Graphitmantel 3' befindet,
der mittels einer Heizeinrichtung 5" beheizt wird. Wie im Falle des
Ziehtiegels 1 wird die Gesamtheit aus Heizeinrichtung 5', Schmelze 13' und
Tiegel 1' von Hitzeschilden 11' umschlossen, die wiederum durch ein rechteckiges
Kästchen in Fig. 1 angedeutet sind. Üblicherweise befindet sich der Tiegel 1' zum Ergänzen der Schmelze in einem Gehäuse 19' angeordnet,
das Seite an Seite zu dem Gehäuse 19 angeordnet ist. Die beiden Gehäuse
19, 19' können eine gemeinsame Wandung besitzen oder wenigstens durch Verschweißen
oder Verlöten dort, wo sie aneinanderstoßen, verbunden sein.
Geschmolzenes Silizium oder anderes Halbleitermaterial kann aus dem
Tiegel 1' zu dem Ziehtiegel 1 mit Hilfe eines Siphonrohrs 31 überführt
werden, das sich durch die gemeinsame Wandung der Gehäuse 19' und 19 mittels
eines Flansches 33 erstreckt. Das Siphonrohr 31 wird im einzelnen unter Bezugnahme
auf die Fig. 3 und 4 beschrieben. Wenn das Siphonrohr 31 einmal mit geschmolzenem Silizium gefüllt ist, dient es zum Überführen dieses Materials
von dem Tiegel 1' zum Ziehtiegel 1 in einer solchen Menge, daß das Niveau
in jedem Tiegel 1, 1' das gleiche ist, solange der atmosphärische Druck innerhalb
des Gehäuses 19' der gleiche wie in dem Gehäuse 19 ist.
On den atmosphärischen Druck in den Gehäusen 19, 19' zu kontrollieren,
während eine nicht reaktive Atmosphäre, benachbart der auf hoher Temperatur befindlichen Schmelze aus Halbleitermaterial aufrechterhalten wird, wird
eine Inertgasdrucksteuerung 35 verwendet. Die Drucksteuerung 35 besitzt ein Gaseinlaßrohr 37, das während des Betriebs mit einer unter Druck befindlichen
Inertgasquelle, beispielsweise einer Argon-Quelle,verbunden ist. Die Drucksteuerung
35 besitzt ferner ein Paar von Gaszuführleitungen 39 und 39', die
mit dem Gehäuse 19, bzw. 19' verbunden sind. Mittels der Steuerung 35 kann
Inertgas wie Argon in die Gehäuse 19 und 19' zum Zwecke eines anfänglichen
Spülens dieser Kammern zum Entfernen von Luft eingeführt werden, wonach die Leitungen 39, 39" miteinander und mit reguliertem Argon von dem Gaseinlaßrohr
37 verbunden werden kann, um genau den gleichen Inertgasdruck in jeder Kattmer aufrecht zu erhalten, so daß das geschmolzene Halbleitermaterial durch
das Siphonrohr 31 nur unter dem Einfluß einer Niveaudifferenz, die zwischen
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den beiden Halbleiterschmelzen 13 und 13' existiert, fließt.
Die Drucksteuerung 35 dient einem weiteren wichtigen Zweck: Qn das
Fließen des geschmolzenen Halbleitemiaterials durch das Siphonrohr 31
in Gang zu setzen, ist es wesentlich, eine Druckdifferenz zwischen den Atmosphären in den Gehäusen 19 und 19' zu erzeugen. Typischerweise wird
dies am Beginn eines Prodüktionszyklus getan und kann darin bestehen,
daß der Inertgasdruck in dem Gehäuse 19' beispielsweise erhöht wird, bis
geschmolzenes Silizium das Siphonrohr 31 füllt. Alternativ kann die Druckdifferenz
durch Erhöhen des Drucks in dem Gehäuse 19 über den in dem Gehäuse
19' vorgerufen werden. Es ist lediglich wichtig, daß das Siphonrohr 31 vollständig
mit geschmolzenem Halbleitermaterial gefüllt wird, damit die Anordnung fortfährt zu funktionieren.
Um eine adäquate Qualität des Einkristallkörpers 15 zu erzielen, ist
es wesentlich, eine relativ konstante Höhe der Oberfläche des geschmolzenen Halbleitermaterials 13 aufrecht zu erhalten. Da die Vorrichtung von
Fig. 1 dazu vorgesehen ist, in einer mehr oder weniger kontinuierlichen Produktionsweise verwendet zu werden, ist es nicht praktisch, das System
außer Betrieb zu stellen, um einen frischen Vorrat aus polykristallinem Silizium oder einem anderen Halbleitermaterial in Teilchen- oder Pulverform
zuzufügen, bevor jeder Einkristallkörper 15 gezogen wird. Ferner ist es nicht praktisch, die Tiegel 1 und 1' in ihrer Aufnahmekapazität groß genug
zum Aufnehmen von geschmolzenem Halbleitermaterial zum Ziehen von vielen Einkristallen auszubilden, zumal damit entsprechend große Heizeinrichtungen
5 und 5' erforderlich sind. Daher -sind bei der Vorrichtung von Fig. 1 Mittel
zum Zuführen von festem Halbleitermaterial in polykristalliner Form, das aus Teilchen oder Pulver besteht, als Fülltrichter 41 vorgesehen.
Der Fülltrichter 41 erstreckt sich oberhalb des Gehäuses 19', an dem
er angelötet oder angeschweißt ist, wo er durch eine öffnung in dem Gehäuse
19' verläuft, wobei er einen Teil des inertgasgefüllten Systems bildet.
Ein Deckel 43 ist vakuumdicht mit Hilfe von lösbaren Befestigungseinrichtungen
ist
45 auf dem Fülltrichter 41 befestigt. Innerhalb des Deckels 43 ein Bohrerantriebsmotor
47, der mittels einer lösbaren Kupplung 49 einen Bohrer 51 zum Freigeben einer bestimtiten Menge von ungeschmolzenem teilchenförmigem Halbleitermaterial
in die Schmelze 13' antreibt.■
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Eine optische Schmelzenniveaumeßeinrichtung ist in Form eines Rubinlasers
53 vorgesehen, der einen hochgradig parallelen Strahl aus rotem Licht durch eine optisch transparente vakuumdichte Öffnung 55 auf die
Oberfläche der Schmelze 13 fallen läßt, der längs eines Weges 56 zu
einer Sammellinse 57 und einem optischen Filter 59 reflektiert wird und schließlich auf einen Positionssensor 61 fällt. Die Sammellinse 57 und
das optische Filter 59 sind vakuumdicht in einer Öffnung 63 ähnlich der Öffnung 55 abgedichtet angeordnet. Die Sammellinse 57 ist so angeordnet,
daß ein Bild des erleuchteten Punktes 65 auf der Oberfläche der Schmelze 13 in der Ebene des Positionssensors 61 fokussiert wird. Das optische
Filter 59 ist ein Bandpaßfilter, das das Licht von dem Rubinlaser 53 durchläßt, während so weit wie möglich andere Lichtquellen abgeschirmt
werden, und zwar insbesondere das Licht von der Schmelze 13, die sich
auf hohen Temperaturen in der Größenordnung von 15000C befindet.
Der Positionssensor 61 kann von irgendeiner bekannten Art sein, die
ein Äusgangssignal liefert, das die Position des Auftreffens des Strahls
56 längs der Oberfläche des Sensors 61 anzeigt. Insbesondere wurden gute Resultate mit Halbleitersensoren erhalten, wie sie von der Firma United
Detecor Technology, Inc., 2644 Thirtieth Street, Santa Monica, Kalifornien,
geliefert werden.
Eine Steuerung 63 empfängt das Signal von dem Positionssensor 61, dessen
Signal natürlich eine Funktion des Auftreffpunktes des Strahls 56 auf den
Positionssensor 61 ist, die ihrerseits eine Funktion der Höhe der Schmelze 13 am Punkt 65 ist, wo der Lichtstrahl von dem Rubinlaser 53 auftrifft. In
der Steuerung 63 wird das Signal von dem Positionssensor 61 mit einem Bezugssignal
verglichen, um ein Fehlersignal in bekannter Weise zu erzeugen, aus dem die Steuerung 63 die Steuersignale zum Betätigen des Bohrerantriebmotors
47 erzeugt, um mehr teilchenförmiges Halbleitermaterial freizugeben oder um die Betätigung eines Hubmotors 65 zu beginnen, um den Tiegel 1'
mit seinem Mantel 3' anzuheben oder zu senken.
Sowohl das Ändern der Höhe des Tiegels 1' mit Hilfe des Hubmotors 65
oder die Betätigung der Schraube 51 zum Abgeben von mehr teilchenf örmigem Halbleitermaterial beeinträchtigt die Höhe der Schmelze 13' in dem Tiegel
1! und über das Siphonrohr 31 die Höhe der Schmelze 13 in dem Tiegel 1,
so daß eine Einrichtung zum Steuern der Bemessung dieser beiden Mittel der Niveaueinsizeilung benötigt wird. Dies 3cann durch Rückkopplung eines
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Signals von dem Hubmotor 65 oder der ihm zugeordneten Getriebeketteneinrichtung
(nicht dargestellt) zum Heben des Tiegels 1' vorgenommen
werden, wobei dieses Signal den Gesamthub des Tiegels 1' anzeigt.
Wenn beispielsweise in Antwort auf den Verbrauch von geschmolzenem
Halbleitermaterial in dem Tiegel 1 die Menge der Schmelze 13', die
in dem Tiegel 1' verbleibt, genügend entleert ist, so daß der Tiegel 1'
durch den Motor 65 bis zu einem Punkt angehoben worden ist, wo er eisen oberen Endschalter (nicht dargestellt) betätigt, kann die Steuerung 63
den Schraubenantriebsmotor 47 in Gang setzen, um mehr teilchenförmiges Halbleitermaterial abzugeben. Der folgliche Anstieg der Höhe der Schmelze
13" wird während des Freigebens von teilchenförmigem Halbleitermaterial
kontinuierlich durch ein Absenken des Tiegels 1' unter dem Steuern durch
die Steuerung 63 über den Motor 65 kompensiert.
Alternativ ist es möglich, das Niveau der Schmelze 13' und folglich
der Schmelze 13 einfach durch Steuern des Schraubenantriebsmotors 47 in kontinuierlicher Weise vorzunehmen, um teilchenförmiges Halbleitermaterial
in der gleichen Menge abzugeben, wie es aus dem Tiegel 1 entnommen wird. In beiden Fällen kann eine geeignete, kommerziell erhältliche Steuerung,
wie die von der Firma Leeds & Northrup als "Electromax III Controller"
vertrieben wird, verwendet werden.
In Fig. 2 ist ein schematisches Blockdiagramm der verschiedenen
Steuermöglichkeiten dargestellt, die vorhanden sind, um mit dem Schmelzniveausensorsignal
verwendet zu werden, um das Schmelzniveau zu steuern. Das Signal des Positionssensors 61 wird zur Steuerung 63 gesandt, wie bereits
vorstehend im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben wurde. Von der Steuerung 63 kann ein Signal längs der gestrichelten Linie 65 zu einem
Block 67 als "Beimischer für ungeschmolzenes Halbleitermaterial" bezeichnet, geschickt werden. Der Block 67 kann in vielfältiger Weise realisiert
werden, von denen eine in Fig. 1 in Form eines Fülltrichters 41 in Kombination mit einer elektrisch betriebenen Schraube 51 zum Abgeben von Halbleiterteilchen
dargestellt ist. unter Verwendung eines derartigen Förderers mit positiver Verstellung, wie er durch die Schraube 51 dargestellt wird,
ist es möglich, daß bei einem solchen System Teilchen kontinuierlich und in einer Menge genau gleich der Menge, in der geschmolzenes Halbleitermaterial
im Ziehtiegel 1 verbraucht wird, zuzusetzen. Anders ausgedrückt
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kann das System vollkommen proportional arbeiten.
Viele andere Einrichtungen, die nach dem gleichen Prinzip arbeiten,
um ungeschmolzenes Halbleitermaterial zum Auffüllen des Tiegels 1' in
genau der gleichen Menge wie der Verbrauch unter der Steuerung durch den Positionssensor 61 und die Steuerung 63 zuzusetzen, sind realisierbar.
Diese Realisationen des Blocks 67 sind in Fig. 2 durch die Kombination eines Motors 69 dargestellt, der eine übersetzte Flaschenzueinrichtung
71 antreibt, um einen festen Block aus ungeschmolzenem, polykristallinem Halbleitermaterial 73 in einen Tiegel wie den Tiegel 1' in Fig. 1 abzusenken
oder anzuheben.
In jedem Falle muß das feste Halbleitermaterial, das zum Ergänzen zugesetzt wird und ein oder mehrere Dotierungsmittel enthält, in demselben
Verhältnis vorhanden sein wie in dem gezogenen Kristall. In diesem Zusammenhang hat die Aufrechterhaltung des Schmelzniveaus durch Ergänzung
einen bestimmten Vorteil gegenüber bisherigen Techniken, bei denen die Schmelze während des Ziehens des Kristalls entleert wird. Wegen der Seigerungsdifferenzialkoeffizienten
von Halbleitermaterial und Dotierungsmittel war eine unvermeidliche, geringe Änderung des Dotierungsgrades in
dem gezogenen Kristall, vorhanden, wenn nicht die Dotierungsmittelkonzentration
in der Schmelze während des Ziehvorgangs eingestellt wurde. Durch Beibehaltung des Schmelzniveaus durch Nachfüllen kann jedoch die Dotierungsmittelkonzentration
in einfacher Weise konstant gehalten werden.
Eine zweite Art von Realisationen des Blocks 67 in Fig. 2 ist schematisch
durch einen Fülltrichter 75 dargestellt, der teilchenförmiges oder pulverförmiges Halbleitermaterial, das geschmolzen werden soll, enthält,
wobei das untere Ende des Fülltrichters 75 durch einen elektromagnetisch betätigten Einheitsspender 77 verschlossen ist. Der Spender 77 gibt eine
vorgewählte Menge oder Einheit aus teilchenförmigem Halbleitermaterial
bei jeder Betätigung ab. Kurz gesagt können die durch die Elemente 69 bis 73 dargestellten Ausführungsformen als porportionale, kontinuierlich analoge
Einrichtungen bezeichnet werden, während die durch die Elemente 75 und 77 repräsentierten Ausführungsformen als stufenweise oder digitale
Näherungen des Problems der Schmelzenauffüllung betrachtet werden können. In einem bestimmten Ausmaß ist diese Unterscheidung jedoch etwas künstlich.
Die Klasse der Einrichtungen, die durch die Elemente 69 bis 73 repräsentiert wird, kann beispielsweise auch stufenweise betätigt werden, wohingegen durch
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-γ- Jt.
Wahl der Größe der Eiheitszugaben durch die Elemente 75 und 77 als
sehr klein die Zugaberate sich sehr stark der Rate nähern kann, mit der das Halbleitermaterial während des Züaens des Kristalls entnommen
wird.
Die Steuerung 63 ist über ein Paar von gestrichelten Linien 81, 83
mit einem Block 79 verbunden, der als "Ergänzungstiegelhebeanordnung" bezeichnet ist. Wie im Zusammenhang mit Fig. 1 ausgeführt wurde, kann
die Steuerung 63 eine Einrichtung steuern, um den Tiegel 1' anzuheben,
wenn in dem Tiegel 1 geschmolzenes Halbleitermaterial benötigt wird. Es gibt zwei Zwecke, für die diese Steuerung verwendet werden kann:
1. In dem Fall,in dem die Einkristallziehvorrichtung für einen
Chargenbetrieb verwendet wird, wobei die Menge an geschmolzenem Halbleitermaterial, die in beiden Tiegeln verfügbar ist,
geeignet ist, das benötigte Material zum Ziehen der Einkristalle zu liefern;
2. in dem Falle, in dem die Halbleiter Zugabeeinrichtung des Blocks
67 stufenweise arbeitet, wie durch den Fülltrichter 75 und den elektromagnetisch betätigten Einheitsspender 77 beispielhaft
dargestellt ist, so daß die Ergänzungstiegelhebeanordnung zum Erneuten Einstellen des Niveaus der Schmelze in den Tiegeln
unmittelbar nach der Zugabe jeder Einheitsmenge von ungeschmolzenem Halbleitermaterial verwendet wird.
Im ersten Fall des Chargenbetriebs der Vorrichtung kann die Steuerung
63 verwendet werden, um beide Tiegel anzuheben, um die Schmelzenmenge zu
vergrößern, die zum ZL&en der Kristalle verfügbar ist.
Beim Betrieb gemäß dem zweiten Fall wird eine kontinuierliche Proporticnalsteuerung
des Schmelzenniveaus durch Bewegung des Tiegels 1' erreicht, während das ungeschmolzene Halbleitermaterial von Zeit zu Zeit,
wenn Halbleiterschmelze entnorrmen wird, stufenweise zugegeben wird. Bei
dieser Betriebsweise wird eine geeignete Einrichtung zum Auslösen der Zugabe jeder Einheitsmenge von ungeschmolzenem Halbleitermaterial durch
eine Signalrückkopplung längs der Leitung 81 von der Anordnung 97 vorgesehen.
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- γ-
Ein derartiges Signal kann am einfachsten durch Anordnung eines
oberen Endschalters in der Tiegelhubeinrichtung erzeugt werden, so daß dann, wenn der Tiegel 1' um eine bestürmte Strecke in Antwort auf den
Verbrauch von Halbleiterschinelze angehoben worden ist, die Hebeeinrichtung
ein Auslösesignal erzeugt, das zur Steuerung 63 längs der gestrichelten Linie 81 beispielsweise zurückgeführt wird. Steuersignale
von der Steuerung 63 werden der Tiegelhebeeinrichtung 79 längs der gestrichelten Linie 83 zugeführt, die eine kontunierliehe Steuerung
des Schireizniveaus entsprechend den Signalen des Positionssensors 61 ermöglichen.
In Fig. 3 sind Einzelheiten des Aufbaus des Siphonrohrs 31 dargestellt.
EinQuarzrohr 85 bildet die tatsächliche Leitung zum Transportieren von geschmolzenem Halbleitermaterial zwischen den Tiegeln
1 und 11. Das Quarzrohr 85 kann einen Äußendürchrresser von 2,54 an
und einen Innendurchmesser von 7 mm aufweisen.
Das Material des Quarzrohres 85 muß bezüglich des verwendeten Halbleitermaterials nicht-kontaminierend sein und sollte eine adequate
Festigkeit gegenüber Erosion und Abnutzung bei sehr hohen Temperaturen, die infrage komrren (in der Größenordnung von 15oo°C) besitzen. In Vorrichtungen
zur Herstellung von Silizium-Einkristallen ist Quarz das geeignetste Material. Da es notwendig ist, das Halbleitermaterial
in dem Eohr 85 immer und an allen Punkten längs des Siphonrohrs 31
in geschmolzenem Zustand zu halten, ist das Rohr 85 von einer komple:xen
thermischen Struktur umgeben.
Unmittelbar auf der Oberflache des Quarzrohrs 85 befindet sich
ein Cfoerflächenheizelement 87, das hauptsächlich aus Streifen vcn
reinem flexiblem Graphit gebildet wird, der hochgradig gerichtete Eigenschaften besitzt und ohne weiteres in einer Richtung längs des
Blattes leitet. Derartiger flexibler Graphit ist sowohl in Bandais auch in Blattform unter der Handelsbezeichnung "Grafoil" erhältlich.
Die Einzelheiten der Bildung und Formung des Oberflächenheizelementes
87 werden im Zusammenhang mit Fig. 4 erläutert. Das Heizelement 87 wird an Ort und Stelle gehalten, indem es mit einem
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- 1/- it
Cyanoacrylatzement aufgeklebt wird, wie er unter dem Handelsnamen
Eastman 91o erhältlich ist.
Unmittelbar über dem Heizelement 87 befindet sich eine Schicht aus Siliziumdioxidband, das aus einem Gewebe aus hochreinen SiCu-Fäden
besteht und als Isolierschicht dient.
Unmittelbar über der Isolierschicht 89 befindet sich eine zweite blattförmige Schicht 91 aus flexiblem Graphit und eine zweite Isolierschicht
93 aus Siliziumdioxidband. Die zweite Schicht 91 aus flexiblem Graphit, die gegenüber der Cberflächenheizeinrichtung 87 elektrisch
isoliert ist, dient einfach als elektrisch und mechanisch isolierende Schicht, um zu verhindern, daß Graphitfasern aus einer Graphitfilzschicht
95 durch die Siliziurrbandschicht 89 hindurchtreten und unerwünschte Kriechstrcnwege erzeugen.
Die Graphitfilzschicht 95 kann beispielsweise^aus zwei Schichten
aus 6,35 mm starkem Graphitfilz bestehen, die eine zusätzliche thermische
Isolierung liefern. Schließlich ist ein äußerer harter Mantel 97 aus reinem festen Graphit vorgesehen. Der Mantel 97 liefert eine
beträchtliche Steifheit und Festigkeit für die Gesamtstruktur des Siphcnrohrs 31, während gleichzeitig die thermischen Isolierungseigenschaften erfüllt werden. Bei den hohen infrage könnenden Temperaturen
ist eine gute thermische Isolierung eine Notwendigkeit, um unerwünschte kalte Stellen längs der Länge des Siphcnrchres 38 zu vermeiden,
wo sich geschmolzenes Halbleitermaterial verfestigen und zu einer BetriebsunteiJDrechung der gesamten Vorrichtung führen könnte.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, ist der lange Horizontalabschnitt des Graphitmantels 97 in Längsrichtung gespalten, um zu ermöglichen,
daß er über dem entsprechend geformten Abschnitt des Quarzrohrs 85
angeordnet werden kann. Jedoch können die vertikal aufwärts sich erstreckenden
Abschnitte an den Enden des Siphcnrchrs 31 entweder gespalten oder bequerrerweise einstückig sein, wobei diese Stücke über
die darunterliegenden Isolierschichten geschoben sind. In dem Fall,
in dem diese Konstruktion gewählt wird, können zusätzliche Schichten aus flexiblem blattförmigen Graphit zwischen dem Graphitmantel 97 und
der Graphitfilzschicht 95 oder zwischen der Graphitfilzschicht 95
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-1/-Κ
und der Schicht 93 aus Siliziumdioxidband ohne an beiden Stellen verwendet
werden, un ein leichtes Aufschieben zwischen den ineingriffzubringenden
Teilen zu ermöglichen.
In Fig. 4 ist der Aufbau des Cfoerflächenheizelementes 87 dargestellt.
Dieses besteht hauptsächlich aus vier sich in Längsrichtung erstreckenden flexiblen Graphitstreifen 99, die dann, wenn sie auf
der Außenseite des Quarzrohres 85 angeordnet sind, äquidistant um 9o° zueinander versetzt angeordnet sind und etwa 5o° des Gesamtumfangs
des Quarzrohres 85 bedecken.
Durch vier verbindende Abschnitte 1o1 aus flexiblem Graphit, wobei
jeweils ein Paar an jedem Ende des Heizelementes 97 angeordnet sind,
sind benachbarte Paare von sich in Längsrichtung erstreckenden Streifen 99 elektrisch in Reihenschaltung an den beiden Enden des Heizelementes
97 miteinander verbunden. Jedoch ist aus Fig. 4 ersichtlich, daß die Abschnitte 1o1 an den beiden Enden des Heizelementes
97 verschieden orientiert sind. Die Paare von Abschnitten 1o1 an einem Ende des Heizelementes 97 sind um 9o° bezüglich der Längsachse des
Heizelementes 87 gegenüber dem Paar von Abschnitten TOT am anderen Ende
des Heizelementes 87 versetzt.
Diese besondere Anordnung liefert eine zusätzliche Wärmezufuhr nahe
den Enden des Quarzrohrs 85, wo es aus den umgebenden Isoliermaterialien 89 bis 97 herausragt. Genau an diesen Stellen tritt am häufigsten
eine unerwünschte Verfestigung des geschmolzenen Halbleitermaterials auf, und zwar insbesondere bei sehr geringen Durchflußmengen, wie sie
normalerweise bei einer kontinuierlichen Überführung gemäß der vorliegenden
Erfindung anzutreffen sind. Durch eine Anordnung eines Paars von verbindenden Abschnitten 101 aus dem gleichen Widerstandsmaterial (flexibler
Graphit) wie die übrigen Abschnitte des Heizelementes wird der thermische Strom in Watt/cm2, der vom Heizelement 87 radial in das Quarzrohr
85 fließt, am größten an den axialen Endabschnitten des Heizelementes 87 sein.
Ein weiterer wichtiger Vorteil der Anordnung des Heizelementes 87 besteht im Betreiben des Heizelementes 87 mit Stromkontakten, die so
angeordnet sind, daß sie auf einen Durchmesser des Heizelementes 87
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fallen, der durch ein gegenüberliegendes Paar von Streifen 99 verläuft,
wie durch die mit I bezeichneten Pfeile in Fig. 1 dargestellt ist, wodurch das Heizelement 87 elektrisch in ein Paar von parallelen Schleifen
mit gleichem Widerstand geteilt wird - eine Tatsache, die unabhängig davon bleibt, wo die Strom führenden Kontakte in Längsrichtung an den
Schleifen 99 angeordnet sind. Was hierbei lediglich wichtig ist, ist, daß die Stromkontakte auf dem gleichen Durchmesser liegen, der durch
ein Paar von Streifen 99 des Heizelementes 87 verläuft.
Der Strom I wird in zwei Ströme aufgeteilt, die in Fig. 4 als I1
und i„ bezeichnet sind. Der Weg von i_ ist in Fig. 4 eingezeichnet,
da er über Leiter verläuft, die in der Perspektive von Fig. 4 sichtbar sind. Wie ohne weiteres aus einer momentanen Betrachtung ersichtlich
ist, fließt i2 längs genau einer Hälfte der Gesamtlänge des Leiters
des Heizelementes 87, wobei dies immer der Fall ist, wohin auch immer die Kontakte, die schematisch durch die Pfeile I-I bezeichnet
sind, längs der Leiter 99 verschoben sind. Entsprechend fließt der Strom i. ebenfalls längs genau einer Hälfte der gesamten Leiterlänge des Heizelementes
87 - wobei diese andere Hälfte nicht von der Stromkomponente ±2 durchflossen wird.
In der Praxis ist, obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, ein Paar von Leitern aus schwer schmelzbarem Metall wie Molybdän in
geeigneter Weise irgendwo längs des Horizontalschnitts des Syphonrohrs angeordnet und erstreckt sich einwärts in den Bereich zwischen die gespalteten
Hälften des Mantels 97 und kann an Ort und Stelle gehalten werden, indem die Leiter in Kontakt mit dem Heizelement 87 aus flexiblem Graphit
mit Siliziumdioxidband umhüllt werden. Diese Leiter können dazu verwendet werden, um das Heizelement 87 mit einer Stromquelle, etwa der Stromquelle
7 von Fig. 1 oder einer getrennten Stromquelle zu verbinden, die einen gleichgerichteten Wechselstrom und eine Leistung von etwa 1,5 kW
liefert.
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Claims (22)
- PatentansprücheKL/ Vorrichtung zur Herstellung von festen Kristallen aus einem geschmolzenen Material, gekennzeichnet durch einen Ziehtiegel zur Aufnahme einer Schmelze aus dem Material, aus dem ein sich verfestigender Kristall gezogen wird, eine Zieheinrichtung zum fortschreitenden Ziehen des sich verfesti g enden Kristalls aus der Schmelze, einen Schmelzenergänzungstiegel benachbart zu dem Ziehtiegel, Tiegelheizeinrichtungen zum Heizen der Tiegel zum Halten des Materials in geschmolzenem Zustand, eine Siphonrohreinrichtung, die sich in gemeinschaftlicher Flüssxgkeitsverbindung zwischen dem Ergänzungstiegel und dem Ziehtiegel erstreckt, um das geschmolzene Material von dem Ergänzungstiegel zu dem Ziehtiegel infolge der Entnahme von Schmelze aus dem Ziehtiegel fließen zu lassen, und durch Mittel zum Erhöhen des Niveaus der Schmelze in dem Ergänzungstiegel entsprechend der Entnahme hieraus ,um ein vorbestxmmtes Niveau des geschmolzenen Materials in dem Ziehtiegel aufrechtzuerhalten.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Mittel zum Erzeugen und Aufrechterhalten einer Inertgasatmosphäre in Kontakt mit der Cfoerf lache des geschmolzenen Materials in dem Zieh- und Ergänzungstiegel und durch Mittel zum Erzeugen einer wählbaren atmosphärischen Druckdifferenz in dem Inertgas zwischen dem Ergänzungstiegel und dem Ziehtiegel, durch die der Fluß von geschmolzenem Material durch das Siphonrohr in Gang gesetzt und gesteuert werden kann.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Siphonrohr eine Heizeinrichtung zum Verhindern einer Verfesti-130018/0648gung des geschmolzenen Materials in dem Siphcnrchr aufweist.
- 4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Niveaumeßeinrichtung zum Peststellen des Niveaus des geschmolzenen Materials in einem der Tiegel und zum Erzeugen eines elektrischen Signals entsprechend dem gemessenen Niveau scwie durch eine Niveausteuereinrichtung, die mit der Niveaumeßeinrichtung verbunden ist und hiervcn das elektrische Signal empfängt, wobei die Niveausteuereinrichtung in Antwort auf Änderungen des gemessenen Niveausignals entsprechend Änderungen des gemessenen Niveaus anspricht, um ein vorbestimmtes Niveau aufrechtzuerhalten.
- 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Niveausteuereinrichtung der Schirelzenergänzungstiegel in seiner Höhe verstellbar ist, um das gemessene Niveau auf ein vorbestiirmtes Niveau zu bringen.
- 6. Vorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine Materialergänzungseinrichtung zum Zuführen von festem kristallinen Material zu dem Schmelzenergänzungstiegel während der Verfestigung des Kristalls in dem Ziehtiegel, wobei die Niveausteuereinrichtung entsprechend Änderungen des Signals für das gemessene Niveau die Rate steuert, mit der festes kristallines Material dem Ergänzungstiegel· zugeführt wird, um das gemessene Niveau auf einem vorbestimmten Niveau zu halten.
- 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das feste kristalline Material vcn Form von Teilchen vorliegt und die Materialergänzungseinrichtung einen Fülltrichter zur Aufnahme der Teilchen aufweist, während eine lteiic±ienüberführungseinrichtung zum wahiweisen Überführen der Teiichen von dem Fülltrichter zu dem Ergänzungstiegel vorgesehen ist, während die Niveausteuereinrichtung die Teilchenüberführungseinrichtung entsprechend den Signalen des gemessenen Niveaus steuert, um das gemessene Niveau auf einem vorbestimmten Niveau zu halten.130018/0648-3- S038177
- 8. Vorrichtimg nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet/ daß die Teilchenüberführungseinrichtung einen Förderer mit positiver Verstellung umfaßt.
- 9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchenüberführungseinrichtung einen mittels eines Elektromotors betriebenen Schraubenförderer umfaßt, wobei die Niveausteuereinrichtung den Elektromotor steuert.
- 10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, gekennzeichnet durch eine elektrisch betriebene Hebeeinrichtung, diemit dem SchnBlzenergänzungstiegel verbunden ist und auf ein elektrisches Signal bei Änderung der Höhe dieses Tiegels ansprechbar ist, wobei die Niveausteuereinrichtung mit der Hebeeinrichtung verbunden ist, um dieser elektrische Signale zuzuführen, um zu bewirken, daß die Hebeeinrichtung des Höhe des Schmelzenergänzungstiegels ändert.
- 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 1o, dadurch gekennzeichnet, daß die NiveaunEßeinrichtung eine Quelle für einen lichtstrahl umfaßt, der auf die Oberfläche des geschmolzenen Materials mit schrägem Einfallswinkel gerichtet ist, während eine Einrichtung zum Auffangen des reflektierten Lichtstrahls und zum Erzeugen eines elektrischen Signals entsprechend der Höhe dieser Oberfläche vorgesehen ist.
- 12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Auffangen des Lichtstrahles einen Positionssensor umfaßt, der in dem Weg des reflektierten Lichtstrahls angeordnet ist, wobei der Positionssensor ein elektrisches Signal entsprechend der Lage des Auftreffpunktes des Lichtstrahls auf den Positionssensor erzeugt, während eine Sanmellinse in dem Weg des reflektierten Lichtstrahls zwischen dem Positionssensor und der Cfoerflache des geschmolzenen Materials angeordnet ist, wobei die Linse und der Positionssensor in bezug auf diese Cfoerflache derart angeordnet sind, daß ein Bild des Abschnitts der Oberfläche, der vcn dem Lichtstrahl beleuchtet wird, auf den Po-130018/0648036177sitionssenor fokussiert wird.
- 13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein optisches Bandpaßfilter in dem Weg des reflektierten Lichtstrahls angeordnet ist, wobei die Durchlässigkeit dieses Filters derart gewählt ist, daß sie Licht von der Lichtquelle durchläßt und Licht, das von dem geschmolzenen Material erzeugt wird, nicht durchläßt.
- 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 13 r dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung ein elektrischer Widerstandsoberflächenheizer ist, der sich längs eines Großteils der Länge des Siphonrohrs erstreckt und mit Kontakten für den Anschluß an eine externe Strahlquelle versehen ist.
- 15. -Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung eine Vielzahl vcn sich in Längsrichtung des Siphonrohrs erstreckenden, in Umfangsrichtung voneinander mit Abstand angeordneten Widerstandsstreifen, die sich über die Länge des Siphonrohrs erstrecken, und einen ersten sich in Unfangsrichtung erstreckenden Widerstandsabschnitt aufweist, der ein Paar dieser Streifen an einem Ende hiervon miteinander elektrisch verbindet.
- 16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter sich in önfangsrichtung erstreckender Widerstandsabschnitt am anderen Ende der Streifen vorgesehen ist, der ein Paar von Streifen elektrisch miteinander verbindet und eine Eeiheschaltung unter Einschluß des ersten Abschnitts bildet.
- 17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung vier Widerstandsstreifen und vier Widerstandsäbschnitte umfaßt, wobei die Streifen sich in Längsrichtung des Siphonrohrs erstrecken, während die Widerstandsabschnitte in Unfangsrichtung hiervon sich zwischen den Streifen erstrecken und die Enden der Streifen elektrisch miteinander verbinden, um einen130018/0848~5~ 303617?einzigen Reihenschaltkreis zu bilden, der die Streifen und Abschnitte umfaßt.
- 18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung aus flexiblem Graphit in Blattform gebildet ist.
- 19. tfcerführungsvorrichtung für geschmolzenes Halbleitermaterial, gekennzeichnet durch ein Rohr aus schwer schmelzbarem Material, das sich zwischen einem Paar von Tiegeln, die geschmolzenes Halbleitermaterial enthalten, erstreckt, wobei eine Cfoerflädhenheizeinriahtung sich axial längs eines Hauptteils der LÄnge des Rohrs aus schwerschmelzbarem Material erstreckt, während eine Schicht aus isolierendem Material über der Cberflächenheizeinrichtung angeordnet ist.
- 20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Cberflächenheizeinrichtung aus einer Vielzahl sich in Längsrichtung bezüglich des Rohrs aus schwerschmelzbarem Material erstreckenden, in Unfangsrichtung mit Abstand zueinander angeordneten Widerstandsstreifen und einem sich in unfangsrichtung erstreckenden Widerstandsabschnitt besteht, der ein Paar dieser Streifen an einem Ende hiervon elektrisch miteinander verbindet.
- 21. Vorrichtung nach Anspruch 19 oder 2o, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung vier Widerstandsstreifen und vier Widerstandsabschnitte umfaßt, wobei die Streifen sich in Längsrichtung des Siphonrohres erstrecken, während die Widerstandsabschnitte in Unfangsrichtung hiervon sich zwischen den Streifen erstrecken und die Enden der Streifen elektrisch miteinander verbinden, um einen einzigen Reihenschaltkreis zu bilden, der die Streifen und Abschnitte umfaßt.
- 22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Cberflächenheizeinrichtung aus blattförmigem, flexiblen Graphit gebildet ist.130018/0648
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/083,169 US4282184A (en) | 1979-10-09 | 1979-10-09 | Continuous replenishment of molten semiconductor in a Czochralski-process, single-crystal-growing furnace |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3036177A1 true DE3036177A1 (de) | 1981-04-30 |
Family
ID=22176622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803036177 Ceased DE3036177A1 (de) | 1979-10-09 | 1980-09-25 | Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4282184A (de) |
DE (1) | DE3036177A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
DE3904858A1 (de) * | 1988-03-03 | 1989-09-14 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum regeln eines schmelzbades |
DE4301072A1 (de) * | 1993-01-16 | 1994-07-21 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4396824A (en) * | 1979-10-09 | 1983-08-02 | Siltec Corporation | Conduit for high temperature transfer of molten semiconductor crystalline material |
US4410494A (en) * | 1981-04-13 | 1983-10-18 | Siltec Corporation | Apparatus for controlling flow of molten material between crystal growth furnaces and a replenishment crucible |
US4454096A (en) * | 1981-06-15 | 1984-06-12 | Siltec Corporation | Crystal growth furnace recharge |
US4659421A (en) * | 1981-10-02 | 1987-04-21 | Energy Materials Corporation | System for growth of single crystal materials with extreme uniformity in their structural and electrical properties |
US4453083A (en) * | 1981-10-26 | 1984-06-05 | Betriebsforschungsinstitut Vdeh Institut Fur Angewandte Forschung Gmbh | Apparatus for the determination of the position of a surface |
US4646009A (en) * | 1982-05-18 | 1987-02-24 | Ade Corporation | Contacts for conductivity-type sensors |
US4508970A (en) * | 1982-07-15 | 1985-04-02 | Motorola, Inc. | Melt level sensing system and method |
US4547258A (en) * | 1982-12-22 | 1985-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Deposition of silicon at temperatures above its melting point |
US4710260A (en) * | 1982-12-22 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Deposition of silicon at temperatures above its melting point |
JPS6131382A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の引上方法 |
JPS62502793A (ja) * | 1985-05-17 | 1987-11-12 | ダイアモンド・キュ−ビック・コ−ポレ−ション | 連続して引き出される単結晶シリコンインゴット |
FR2592064B1 (fr) * | 1985-12-23 | 1988-02-12 | Elf Aquitaine | Dispositif pour former un bain d'un materiau semi-conducteur fondu afin d'y faire croitre un element cristallin |
US4971650A (en) * | 1989-09-22 | 1990-11-20 | Westinghouse Electric Corp. | Method of inhibiting dislocation generation in silicon dendritic webs |
AU632886B2 (en) * | 1990-01-25 | 1993-01-14 | Ebara Corporation | Melt replenishment system for dendritic web growth |
JPH085737B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1996-01-24 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体単結晶製造装置 |
US5427056A (en) * | 1990-10-17 | 1995-06-27 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus and method for producing single crystal |
JPH10158088A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-16 | Ebara Corp | 固体材料の製造方法及びその製造装置 |
US6099596A (en) | 1997-07-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer out-of-pocket detection tool |
US6197117B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Wafer out-of-pocket detector and susceptor leveling tool |
US5934617A (en) * | 1997-09-22 | 1999-08-10 | Northcoast Technologies | De-ice and anti-ice system and method for aircraft surfaces |
US6279856B1 (en) | 1997-09-22 | 2001-08-28 | Northcoast Technologies | Aircraft de-icing system |
US6237874B1 (en) | 1997-09-22 | 2001-05-29 | Northcoast Technologies | Zoned aircraft de-icing system and method |
US6602345B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-08-05 | American Crystal Technologies, Inc., | Heater arrangement for crystal growth furnace |
US6537372B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-03-25 | American Crystal Technologies, Inc. | Heater arrangement for crystal growth furnace |
JP4698892B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2011-06-08 | 株式会社Sumco | Cz原料供給方法及び供給用治具 |
DE10204178B4 (de) * | 2002-02-01 | 2008-01-03 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial |
US8021483B2 (en) * | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
US7635414B2 (en) * | 2003-11-03 | 2009-12-22 | Solaicx, Inc. | System for continuous growing of monocrystalline silicon |
JP2005289776A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Canon Inc | 結晶製造方法および結晶製造装置 |
US7691199B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-04-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
US7465351B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
US7344594B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-03-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
DE102006050901A1 (de) * | 2005-11-17 | 2007-05-31 | Solarworld Industries Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers und zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
US20070281574A1 (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing electroluminescent material |
US20090151622A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Wilson Andrew B | Systems and methods for growing polycrystalline silicon ingots |
US8652257B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-02-18 | Lev George Eidelman | Controlled gravity feeding czochralski apparatus with on the way melting raw material |
KR101841032B1 (ko) | 2010-09-03 | 2018-03-22 | 지티에이티 아이피 홀딩 엘엘씨 | 갈륨, 인듐 또는 알루미늄으로 도핑된 실리콘 단결정 |
US8784559B2 (en) | 2010-09-09 | 2014-07-22 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method and apparatus for continuous crystal growth |
CN112567076B (zh) * | 2019-08-21 | 2021-11-16 | 眉山博雅新材料股份有限公司 | 开放式温场 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2449275A1 (de) * | 1973-10-23 | 1975-04-24 | Motorola Inc | Vorrichtung zum ziehen eines kristalls aus einer schmelze |
US4036595A (en) * | 1975-11-06 | 1977-07-19 | Siltec Corporation | Continuous crystal growing furnace |
US4156127A (en) * | 1976-04-06 | 1979-05-22 | Daikin Kogyo Co., Ltd. | Electric heating tube |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2865519A (en) * | 1952-02-14 | 1958-12-23 | Koppers Co Inc | Apparatus for transferring pulverulent material between chambers of different pressures |
US3002821A (en) * | 1956-10-22 | 1961-10-03 | Texas Instruments Inc | Means for continuous fabrication of graded junction transistors |
NL237834A (de) * | 1958-04-09 | |||
US3206286A (en) * | 1959-07-23 | 1965-09-14 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for growing crystals |
BE631173A (de) * | 1962-04-18 | 1900-01-01 | ||
US3291650A (en) * | 1963-12-23 | 1966-12-13 | Gen Motors Corp | Control of crystal size |
FR1473984A (fr) * | 1966-01-10 | 1967-03-24 | Radiotechnique Coprim Rtc | Procédé et dispositif destinés à la fabrication de composés binaires monocristallins |
US3493770A (en) * | 1966-03-01 | 1970-02-03 | Ibm | Radiation sensitive control system for crystal growing apparatus |
US3692499A (en) * | 1970-08-31 | 1972-09-19 | Texas Instruments Inc | Crystal pulling system |
US3815623A (en) * | 1971-11-04 | 1974-06-11 | Farmer Mold & Machine Works | Molten metal delivery system |
US3998598A (en) * | 1973-11-23 | 1976-12-21 | Semimetals, Inc. | Automatic diameter control for crystal growing facilities |
-
1979
- 1979-10-09 US US06/083,169 patent/US4282184A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-09-25 DE DE19803036177 patent/DE3036177A1/de not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2449275A1 (de) * | 1973-10-23 | 1975-04-24 | Motorola Inc | Vorrichtung zum ziehen eines kristalls aus einer schmelze |
US4036595A (en) * | 1975-11-06 | 1977-07-19 | Siltec Corporation | Continuous crystal growing furnace |
US4156127A (en) * | 1976-04-06 | 1979-05-22 | Daikin Kogyo Co., Ltd. | Electric heating tube |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
DE3904858A1 (de) * | 1988-03-03 | 1989-09-14 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum regeln eines schmelzbades |
DE3904858C2 (de) * | 1988-03-03 | 2001-06-07 | Leybold Ag | Verfahren zum Ziehen von Einkristallen |
DE4301072A1 (de) * | 1993-01-16 | 1994-07-21 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4282184A (en) | 1981-08-04 |
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