DE4301072A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer SchmelzeInfo
- Publication number
- DE4301072A1 DE4301072A1 DE4301072A DE4301072A DE4301072A1 DE 4301072 A1 DE4301072 A1 DE 4301072A1 DE 4301072 A DE4301072 A DE 4301072A DE 4301072 A DE4301072 A DE 4301072A DE 4301072 A1 DE4301072 A1 DE 4301072A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- crucible
- conveyor
- crystal
- controller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1056—Seed pulling including details of precursor replenishment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung
zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze unter
Vakuum oder unter Schutzgas mit einer Vorrichtung mit
einem Tiegel, der in einer Vakuumkammer angeordnet und
durch die Wärmestrahlung von Heizelementen erhitzbar ist
und bei der ein Ziehelement oberhalb der im Tiegel be
findlichen Schmelze vorgesehen ist, mit dem der Einkris
tall von der Schmelzenoberfläche aus nach oben zu her
ausziehbar ist und bei der eine Zuführung vorgesehen ist,
deren Einfüllöffnung oberhalb des Tiegels endet und über
die das Chargiergut von einer Nachchargiervorrichtung aus
mit einem Förderer in den Tiegel während des Ziehvorgangs
nachfüllbar ist und mit Meßfühlern oder - Geräten die
laufend die kennzeichnenden Größen des Kristall-Ziehpro
zesses in einen Regler einspeisen, der den Förderer an
steuert.
Bekannt ist bereits eine Anlage zum Ziehen von Kristallen
aus einer Schmelze, mit einer optischen Vorrichtung zur
Überwachung und/oder Steuerung des Durchmessers des an
wachsenden Teiles des Kristalles (DOS 2 149 093). Die
optische Vorrichtung enthält dazu Photozellen, deren
Signale über Verstärker in einen PID-Regler eingegeben
werden, der wiederum an einen Hochfrequenzgenerator an
geschlossen ist, der der Leistungsregelung dient, und
der im übrigen den Heizstrom für die, den Schmelzentiegel
umschließenden Heiz-Spule liefert. Die Höhe des Schmelz
bad-Spiegels wird also bei dieser Vorrichtung bereits als
Regelgröße für den Heizstrom verwendet.
Bekannt sind weiterhin ein Verfahren und eine Anordnung
zur Überwachung und Regelung von Kristallzüchtungsprozes
sen (DD 2 53 437), bei denen die Temperaturverteilung,
sowie deren Veränderungen in der Nähe der Erstarrungs
front meßtechnisch so erfaßt werden, daß eine entspre
chende Korrektur nach dem Vergleich mit einer, für den
jeweiligen Kristallzüchtungsvorgang typischen Tempera
turverteilung erfolgen kann. Nach dieser Erfindung, wird
die von einem aus einer Schmelze wachsenden Kristall und
die von der Schmelze selbst emittierte Wärmestrahlung
mittels einer linear - oder flächenhaften Photosensoren
anordnung, die sich in einem optischen Abbildungssystem
befindet und aus mindestens zwei räumlich getrennten
Einzelelementen besteht, abgetastet, wobei Differenzsig
nale entstehen, deren Größe proportional der Temperatur
änderung in dem begrenzten Bereich ist, womit Tempera
turverteilungen ermittelt werden, die mit der vorgege
benen Temperaturverteilung ständig in Übereinstimmung
gebracht werden.
Ein Rechner ermöglicht dabei die Korrektur des nichtline
aren Zusammenhangs zwischen Temperatur und Größe des
Signals, so daß jedem Signalwert eine reale Temperatur
entspricht.
Es sind auch ein Meßverfahren und eine Meßordnung für den
Durchmesser von Einkristallen beim Tiegel ziehen bekannt
(DE 29 23 240), bei denen eine optische Erfassung des
Helligkeitsprofils an der Übergangsstelle Schmelze/Ein
kristall und eine Anzeige der räumlichen Lage des Hel
ligkeitsprofils im Verhältnis zu einem Bezugspunkt auf
einer Anzeigevorrichtung benutzt werden. Die Bilder der
Übergangsstelle Schmelze/Einkristall bzw. deren Intensi
tätssignale werden einer Auswerteschaltung für die Durch
messerbestimmung aufgeschaltet bzw. beeinflussen über
diese, die Ziehparameter, also beispielsweise quantitativ
die Höhe des Schmelzenspiegels im Tiegel, oder qualitativ
den Einschmelzvorgang des Ausgangsmaterials, welches in
Granulat - oder Brockenform vorliegt.
Diese bekannten Auswerteschaltungen befriedigen in der
Praxis jedoch nicht, da der Ziehprozeß sich insgesamt
außerordentlich komplex darstellt und auch von einer
Reihe von Effekten bzw. Erfahrungswerten abhängt, die von
den herkömmlichen Regelschaltungen nicht richtig, oder
nicht schnell genug verarbeitet werden können, da sie
nicht numerischen Gleichungen oder klassisch mathemati
scher Logik entsprechen, bzw. oftmals auf mehrdeutigen
Meßwerten aufbauen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, deshalb ein
Verfahren und eine Vorrichtung zur Überwachung von Kris
tallzüchtungsprozessen zu schaffen, die starke, z. Teil
störende, komplexe und nicht - lineare Wechselwirkungen
im Prozeß zwischen zunächst unabhängig voneinander gere
gelten Prozeßparametern berücksichtigen. Insbesondere
sollen die Vorrichtung und das Verfahren den Vibrator der
Nachchargiervorrichtung so steuern, daß die Temperatur
des Schmelzenbads und der Schmelzenstand in engsten
Grenzen konstant gehalten werden, so daß der Kristall
vollständig gleichmäßig und homogen aus der Schmelze
wächst.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren
und Vorrichtung gelöst bei der die mit Hilfe der Meß
fühler oder Meßgeräte ermittelten Größen des Kristall
ziehprozesses, wie beispielsweise die Schmelzenbadhöhe
und die Schmelzentemperatur, als Eingangssignale laufend
dem Regler zugeführt werden, dem ein Fuzzy-Prozessor im
plementiert ist, der entlang einer empirisch ermittelte
Größen berücksichtigenden Regelstruktur das Stellsignal
für den Förderer ausgibt.
Einzelheiten und weitere Merkmale ergeben sich aus den
anhängenden Patentansprüchen.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausführungsmög
lichkeiten zu; eine davon ist in den anhängenden Zeich
nungen näher dargestellt und zwar zeigen:
Fig. 1 das Blockschaltbild einer Nachchargiereinrich
tung mit einer als Fuzzy-Control ausgebildeten
Regelschaltung,
Fig. 2 die Darstellung eines für die Regelschaltung
gemäß Fig. 1 typischen Kennfeldes,
Fig. 3 eine Kristallziehanlage im Längsschnitt bei der
die Regelschaltung gemäß Fig. 1 zum Einsatz ge
langt und bei der die, die beiden Parameter
Schmelzbadhöhe und Schmelzbadtemperatur über
eine Lager - Meßeinrichtung bzw. ein Pyrometer
bestimmt werden.
Die Kristallziehvorrichtung besteht im wesentlichen aus
einem auf der doppelwandigen Kesselbodenplatte 3 des
Vorrichtungsgestells aufgesetzten, ebenfalls doppelwan
digen Kessel 4, der eine Vakuumkammer 52 bildet, einem im
Kessel 4 angeordneten, auf der Kesselbodenplatte 3 gela
gerten Stützrohr 5 mit einer dieses umschließenden Wär
medämmung 6, einer vom Stützrohr 5 gehaltenen, ringförmi
gen Wanne 7, mit in dieser gelagerten Graphitfilzplatten
8, zwei an der Kesselbodenplatte 3 gehaltenen Stromzufüh
rungen 9, für einen oberhalb der Wanne 7 gehaltenen Boden
heizer 10, zwei weiteren, in der Kesselbodenplatte 3
gehaltenen Stromzuführungen 11, mit denen jeweils Spann
backen 12 verschraubt sind, die ihrerseits einen Stirn-
oder Zylinderheizer 13 tragen, einem Schmelztiegel 14,
einem sich auf der Wanne 7 abstützenden Strahlschutzrohr
15 mit seitlicher Wärmedämmung 16, einer vom Strahlschutz
rohr 15 getragenen Abdeckplatte 17 mit einer oberen stirn
seitigen Wärmedämmung 18 und einer Durchführung 19, mit
einem Schutzglas 21, einer Hülse 20, einem Zuführrohr 23
für das Chargengut, einem durch die Abdeckplatte 17, 17a,
18 hindurchgeführten Einfülltrichter 24 und der drehbaren
und Tiegelwelle 25 zur Halterung des Tiegeltragbolzens
26.
Der von den beiden Stromzuführungen 9 gehaltene Bodenhei
zer 10 besteht aus zwei einander gegenüberliegend ange
ordneten Heizerfüßen 31 und den zwei mit diesen verbun
denen, jeweils mäanderförmig ausgeformten Heizschlangen
33 (von denen nur die eine dargestellt ist). Die Heiz
schlangen 33 bilden zusammen im Zentrum des Bodenheizers
10 eine Öffnung 35, durch die sich der Tiegeltragbolzen
26 hindurcherstreckt, der mit seinem oberen Ende mit dem
Stütztiegel 14 fest verbunden ist und über den der Tie
geleinsatz 28 mit seinem Stütztiegel 14 in eine Drehbe
wegung versetzt werden kann. Der Stirnheizer 13 ist aus
einem kreisringförmigen, mit radial verlaufenden Schlit
zen 36 versehenen ringförmigen, flachen Teil 38 und einem
hohlzylindrischen Seitenteil 39 gebildet. Das hohlzylin
drische Teil 39 ist an zwei einander gegenüberliegenden
Partien mit sich nach unten zu erstreckenden Heizerfüßen
40 versehen, die jeweils in Ausnehmungen 41 eingreifen,
die in den von den Stromzuführungen 11 gehaltenen beiden
Spannbacken 12 vorgesehen sind. Um einen sicheren Strom
übergang des Stirnheizers 13 in den beiden Ausnehmungen
41 der Spannbacken 12 zu gewährleisten, sind zusätzliche
Keile 42 in die trapezförmigen Ausnehmungen 41 einge
trieben.
Das Strahlschutzrohr 15 weist vier rechteckige Ausspar
ungen 43, 43a, . . . auf, die - gleichmäßig auf dem Umfang
des Strahlschutzrohrs 15 verteilt - an dessen unterem
Rand angeordnet sind. Durch diese Aussparungen 43, 43a,
. . . sind zum einen die Spannbacken 12 und zum anderen die
Heizerfüße 31 des Bodenheizers 10 hindurchgeführt. Wei
terhin ist das Strahlschutzrohr 15 mit einer schräg ver
laufenden Bohrung 45 versehen, die mit dem Schutzglas 21
der Abdeckplatte 17, 17a und dem Schutzglas 46 des in der
Wand des Kessels 4 befestigten Stutzens 47 fluchtet.
Weitere Öffnungen in der Seitenwand des Strahlschutzroh
res 15 gestatten einen unbehinderten Gasdurchtritt vom
oberen Abschnitt des Innenraums des Kessels 4 in den
unteren Abschnitt. Der Kessel 4 ist im übrigen im Bereich
seiner Deckelpartie 4a mit einem Kragen 48 versehen, der
den Durchtritt des Ziehelements 49 gestattet. Weiterhin
sind in der Deckelpartie 4a des Kessels 4 ein zweiter
Stutzen 50 mit einem Schauglas 51, ein dritter Stutzen 63
mit einer Optik 64 und einer Lichtquelle 65, ein vierter
Stutzen 66 mit einer Optik 67 und einem Sensor 68 und ein
fünfter Stutzen 82 mit einer Optik 83 und einem Signalge
ber 80 vorgesehen.
An die zwei Stromzuführungen 9 ist der Bodenheizer 10,
der mäanderförmig geschlitzt ist, über Graphitmuttern 27
angeschraubt. Der Bodenheizer 10 hat die Aufgabe, den
Tiegel 14, 28 bzw. die Schmelze von der unteren Stirn
seite her zu beheizen. An zwei zusätzlichen Stromzufüh
rungen 11 ist ein zweiter Heizkörper 13, der als Topf
heizer ausgeführt ist, über Spannbacken 12 befestigt. Die
obere Stirnheizung verbessert das Aufschmelzen des zuge
führten Chargengutes. Der Stirnheizer 13 kann im Falle
einer Siliziumschmelze mit SiC beschichtet bzw. abgedeckt
sein, um zu vermeiden, daß Graphitteilchen in die
Schmelze fallen und Kohlenstoff-Verunreinigungen ergeben.
Die strichliert eingezeichnete Linie zeigt einen Argon-
Gasstrom, der über den Kragen 48, durch die zentrale
Öffnung 53, über die Schmelze hinweg bzw. um den Tiegel
14 herum, durch die Öffnungen 48 hindurch nach unten zu
geleitet und über den Rohrstutzen 60 abgezogen werden
kann.
Im Zentrum der Heizeinrichtung befindet sich der Graphit
tiegel 14 der in den Tiegel 28, der aus einem nicht mit
der Schmelze reagierenden Werkstoff gebildet ist, einge
setzt ist.
Um eine Badberuhigung beim Chargieren während des Zieh
vorgangs zu gewährleisten, ist ein zusätzlicher Ring 29,
der ebenfalls aus einem nicht mit der Schmelze reagie
renden Werkstoff gebildet ist, in den Tiegel 28 einge
setzt. In den Ring 29 befinden sich am unteren Ende Aus
brüche 30, durch die das aufgeschmolzene Chargengut in
die Mitte des Tiegeleinsatzes 28 fließen kann.
Um beide Heizer 10, 13 herum ist eine Wärmedämmung 8, 16,
18 angebracht, die aus in der Wanne 7 gelagerten Gra
phitfilzplatten 8, einer seitlichen Wärmedämmung 16, die
als Zylinder ausgebildet und auf das Strahlschutzrohr 15
aufgeschoben ist, und einer oberen stirnseitigen, kreis
ringförmigen Wärmedämmung 18 besteht. Die oberen Abdeck
platten 17, 17a stützen sich - zusammen mit der Wärme
dämmung 18 - an der zylindrischen Innenfläche des Kessels
4 ab.
Am Deckelteil 4a des Kessels 4, neben dem Kragen 48 für
die Durchführung des Ziehelements 49, ist ein Führungs
rohr 32 befestigt, in dem eine Stange 34 längsverschieb
lich gelagert ist, deren oberes Ende als Schraubenspindel
37 ausgebildet ist, die mit einer Antriebswelle 57 im
Eingriff steht, die wiederum von einer Motor-Getriebe
einheit 54 antreibbar ist. Das tiegelseitige (untere)
Ende der Stange 34 ist mit einem Spannfutter 58 versehen,
in das ein Dünnstab 56 aus einem hochdotiertem Werkstoff,
mit dem Durchbruch 22 der Durchführung 20 und dem Schlitz
36 fluchtend, eingespannt ist.
Um die Zusammensetzung der Schmelze konstant halten zu
können, ist der hochdotierte Dünnstab 56 mit Hilfe der
Motor-Getriebeeinheit 54 lotrecht nach unten zu in die
Schmelze absenkbar bzw. nach oben zu aus dieser heraus
fahrbar. Beim Eintauchen des Dünnstabs 56 in das
Schmelzbad wird das eingetauchte Ende des Dünnstabs 56
abgeschmolzen, wodurch die Zusammensetzung der Schmelze
reguliert bzw. konstant gehalten werden kann.
Der Füllstand der Schmelze im Tiegeleinsatz 28 wird von
einer Vorrichtung überwacht, die aus einem Signalgeber 65
(einer Laserlichtquelle) besteht, der auf den Stutzen 63
mit Optik 64 aufgesetzt ist und dessen Meßstrahl (Laser
strahl) auf die Schmelzenoberfläche 55 gerichtet ist. Die
Reflexion des Meßstrahls (des Laserstrahls) wird dann von
dem Impulsnehmer 68 (Laserlichtempfänger), der auf den
Stutzen 66 aufgesetzt ist, empfangen und im elektrischen
Schaltkreis oder Regler 74 ausgewertet (eine Vorrichtung
zum Überwachen des Füllstands eines Schmelzenbads ist
näher beschrieben in der DE 39 04 858 A1). Ebenso werden
die Signale des Pyrometers 80 der vom Stutzen 82 mit
Optik 83 gehalten ist über die Signalleitung zur Auswer
tung in den Regler 74 eingegeben. Die Vorrichtung kann
nun Signale erzeugen, die dem momentanen Schmelzenstand
und der momentanen Schmelzentemperatur entsprechen und
diese an einen Granulatförderer oder eine Rüttelvorrich
tung im unteren Behälter 76 weiterleiten.
Das Nachchargieren des Schmelzenguts erfolgt über das Zu
führrohr 23 und den Einfülltrichter 24 von der
Nachchargiervorrichtung 72 her in der Weise, daß der Schmelzen
zustand bzw. die Badhöhe möglichst konstant gehalten
werden. Um diese Konstanz zu erreichen, wird die in der
Zeichnung rein schematisch dargestellte Nachchargiervor
richtung 72 in Abhängigkeit der von den Meßfühlern- oder
Meßgeräten 63 bis 68 und 80, 82, 83 abgegebenen Ein
gangssignale über ein von einem Regler 74 verarbeitbares
Programm elektrisch zu einem Ausgangssignal verarbeitet.
Die Nachchargiervorrichtung selbst besteht aus einem
oberen Behälter 75, in dem sich das Chargiergut in Gra
nulatform befindet, einem unteren Behälter 76 mit einer
Rüttelvorrichtung oder einem Förderer, über den das
Chargiergut in das Zuführrohr 23 eingeleitet wird, und
einem in ein beide Behälter 75, 76 miteinander verbin
denden Rohrstück eingeschaltetes Schleusenventil 71 mit
der zugehörigen Betätigungsvorrichtung 76. (Eine Nachchar
giervorrichtung des in Frage stehenden Typs ist in allen
Einzelheiten im Europäischen Patent 0 314 858 näher
beschrieben).
Der Regler 74 berücksichtigt nun nicht nur die von den
beiden Sensoren 68 und 80 ermittelten Parameter, Badtem
peratur und Badhöhe, sondern auch Elemente die Intuition
und empirische Kenntnisse mit einschließen. Während die
bisher verwendeten Regler neu abgeglichen werden mußten,
wenn sich während des Betriebs der Arbeitspunkt verschob,
ermöglicht der Regler 74 ein "Feed-forward"-Verfahren
und übernimmt in diesem Sinne die Aufgaben eines erfah
renen Bedieners der Anlage. Bei dem Programmregler 74
handelt es sich um einen Fuzzy-Controller der die
menschliche Erfahrungen bzw. das Feed-forward-Konzept
einschließt und so einerseits die Qualität des Kristalls
verbessert und andererseits die erfahrene Bediener-Person
überflüssig macht.
Die herausragenden Bedingungen für eine maximale Qualität
des Kristalls sind:
- - Eine absolut gleichmäßige Ziehgeschwindigkeit des Kristalls,
- - eine absolut konstante Schmelzenbadtemperatur und
- - eine absolut gleichmäßige Schmelzenbadhöhe.
Diese Bedingungen lassen sich im wesentlichen nur errei
chen, wenn die Nachchargiervorrichtung 72 immer nur so
viel Granulat aus dem oberen Behälter 75 nachchargiert,
wie der aufwachsende Kristall dem Schmelzenbad 55 gerade
eben entzogen hat. Eine praktische Schwierigkeit besteht
nur darin, daß das jeweils nachchargierte Granulat die
Bad-Temperatur beeinflußt, d. h. die Badtemperatur nach
dem Chargieren absenkt und es eine bestimmte Zeit dauert,
bis sich die Soll-Temperatur wieder eingestellt hat. Das
in Fig. 2 dargestellte Kennfeld entlang dem der Regler 74
arbeitet, ist so aufgebaut, daß in allerkleinsten Schrit
ten nur jeweils so viel Granulat nachchargiert wird, daß
es zu keiner für den Ziehprozeß nachteiligen wesentlichen
Temperatur-Absenkung kommen kann. Auf der x-Achse sind in
diesem Falle die Badhöhe, auf der y-Achse die Badtempera
tur und auf der z-Achse die Förderrate bildlich darge
stellt. Da die Förderrate möglichst konstant gehalten
werden soll, ist ein Regler, der die Betätigungseinrich
tung 70 des Schleusenventils 71 nur in großen Schritten
mit "ganz auf" bzw. "ganz zu" ansteuert, ungeeignet, da
dies zu einem sich "auf schaukelnden" Prozeß führen würde,
d. h. zu einem Prozeß der starken "Schwingungen" unterwor
fen sein würde, so daß der Kristall ungleichmäßig wachsen
würde. Wie das Kennfeld nach Fig. 2 nun zeigt, würde sich
ausgehend von einem "Idealzustand" (der sich etwa im
Zentrum des Kennfelds befindet) bei einem Temperatur-An
stieg eine Förderraten-Erhöhung ergeben und ebenso auch,
wenn die Badhöhe abnimmt; dagegen wird die Förderrate
abnehmen, wenn die Temperatur sinkt und wenn die Badhöhe
steigt. Der verwendete Regler 74 ist mit einem
Fuzzy-Tech-Baustein 3/86 DX-Prozessor der Fa. Inform Aachen ausge
stattet (für solche Anwendungen sind eine Vielzahl von
Fuzzy-Prozessoren auf dem Markt verfügbar (z. B. des Typs
Togai FC 110/3 oder des Typs Omron EP-3000/4). Als Tempe
raturmesser 80 findet ein Zweifarbenpyrometer (der Fa.
Ircon) und als Strahlenquelle 65 ein Laser (der Fa. Ibel)
Verwendung. Wie Fig. 3 zeigt, gehen die Meßdaten der Sen
soren 80 und 68 über die Signalleitungen 77, 78 und 81 in
den Regler 74 ein, wobei die Ansteuerung des Rüttlers
bzw. Förderers 76 über die Signalleitung 79 erfolgt. Wie
Fig. 1 zeigt besteht der Regler 74 aus einem Datenbus 90
über den - in an sich bekannter Weise - die Analog-Digi
tal Wandler 85, 86, der Mikoprozessor 87 und der Fuzzy-
Baustein vernetzt sind. Der AD-Ausgangs-Wandler 85 steu
ert das Stellglied 89 an, das wiederum den Förderer steu
ert, der das Granulat über das Förderrohr 23 in den ring
förmigen Außenbereich des Schmelzenbads rieseln läßt.
Langjährige Prozeßbeobachtungen haben gezeigt, daß eine
Prozeßstabilität nur erreicht werden kann, wenn alle
Regelkreise einer Kristallvorrichtung zu einer hierarch
ischen Regelstruktur in mehreren Ebenen verknüpft werden.
Im wesentlichen sind dies die folgenden Regelweisen:
Heizerleistung | |
- Spannung der Stromversorgung | |
Heizertemperatur | - Heizerleistung |
Schmelzbadtemperatur | - Heizertemperatur |
Wachstumsgeschwindigkeit | - Heizertemperatur |
mittlere Ziehgeschwindigkeit | - Heizertemperatur |
Kristalldurchmesser | - Ziehgeschwindigkeit |
Schmelzbadhöhe | - Granulat-Förderer |
Die vorstehend beschriebene Vorrichtung betrifft nur den
zuletzt genannten Regelkreis, wobei jedoch sinngemäß auch
für alle anderen Regelkreise gilt, daß deutlich Wechsel
wirkungen zwischen den einzelnen Parametern bestehen, so
daß die entsprechenden Eingangsignale über einen Fuzzy-
Prozessor verarbeitet werden können.
Bei dem oben beschriebenen Regelkreis (Schmelzbadhöhe-
Förderer) besteht folgende Kausalkette zum Kristall
wachstum:
- a) Während des Ziehprozesses erfolgt eine kleine, aber meßbare Absenkung des Schmelzspiegels.
- b) Damit entsteht eine Sollwert-Istwert-Differenz der Badhöhe (L) und es erfolgt eine Reaktion des Schmelzbadhöhenreglers durch eine entsprechende Stellgrößenänderung (Ansteuerung des Förderers F).
- c) Die Badhöhen-Differenz wird durch eine erhöhte För derrate des Förderers ausgeglichen (was auch der ge wünschten Funktion des Höhen-Regelkreises entspri cht).
- d) Zusätzlich tritt jedoch eine unerwünschte Beein flussung des Temperatur-Gleichgewichts auf: Die erhöhte Förderrate von unaufgeschmolzenem Granulat bewirkt eine Abkühlung der Außenschmelze in der Heizzone, was sich dann
- e) aufgrund der thermischen Kopplung der Heizzonen auch auf die innere Heizzone auswirken kann und hier u. Umständen ein verstärktes Kristallwachstum aufgrund der etwas kühleren Schmelzbadtemperatur verursacht.
- f) Dies führt zu einer Druchmesser-Vergrößerung des wachsenden Kristalls, welche von der Durchmesser- Regelung durch Erhöhung der Ziehgeschwindigkeit wieder ausgeglichen wird.
- g) Die mittlere Ziehgeschwindigkeitserhöhung aufgrund der kühleren Schmelzbadtemperatur in der inneren Heizzone wird mittelfristig durch eine Anhebung der Heizerleistung wieder ausgeglichen. Bei ungünstigen Prozeßbedingungen oder ungeeigneter Reglerabstimmung innerhalb des Gesamtsystems kann nun das ganze Sys tem in unerwünschte Schwingungen geraten.
Erfindungsgemäß ist deshalb eine Verknüpfung von
Höhen-Regelung und Temperatur-Regelung vorgesehen,
welche nach dem Prinzip einer Fuzzy-Regelstruktur
arbeitet. Die Reaktion der auf die beschriebene
Weise gekoppelten Regelkreise verlaufen weich und
flexibel. Sowohl das langsame "Wegdriften" einzelner
Parameter, als auch das Aufschaukeln zu schwer kon
trollierbaren Schwingungen werden auf die beschrie
bene Weise vermieden.
Auflistung der Einzelteile
3 Kesselbodenplatte
4, 4′ Kessel
5 Stützrohr
6 Wärmedämmung
7 Schmelzgut-Auffangwanne
8 Graphitfilzplatten
9 Stromzuführung
10 Bodenheizer; ringförmiger, flacher erster Heizkörper
11 Stromzuführung
12 Spannbacke
13 Stirnheizer, Zylinderheizer, zweiter Heizkörper
14 Stütztiegel
15 Strahlschutzrohr
16 Wärmedämmung
17, 17a Abdeckplatte
18 Wärmedämmung
19 Durchführung
20 Hülse
21 Schutzglas
22 Durchbruch
23 Zuführrohr
24 Einfülltrichter
25 Tiegelwelle
26 Tiegeltragbolzen
27 Graphitmutter
28 Tiegeleinsatz
29 Ring
30 Ausbruch
31 Heizerfuß
32 Führungsrohr
33 Heizschlange
34 Stange
35 Öffnung
36 Schlitz
37 Schraubenspindel
38 ringförmiges, flaches Heizelement
39 hohlzylindrischer Heizer, Seitenteil
40 Heizerfuß
41 Ausnehmung
42 Keil
43, 43a Aussparung
45 Schrägbohrung
46 Schauglas
47 Stutzen
48 Kragen
49 Ziehelement
50 Stutzen
51 Schauglas
52 Vakuumkammer
53 zentrale Öffnung
54 Motor-Getriebeeinheit
55 Oberfläche der Schmelze
56 Si-Stab (hochdotiert)
57 Antriebswelle
58 Spannfutter
59 ringförmiger, flacher zweiter Heizkörper
60 Rohrstutzen
61 Einkristall
62 Zuführeinrichtung; Wind- oder Hubwerk
63 Stutzen
64 Schauglas
65 Signalgeber, Laserlichtquelle
66 Stutzen
67 Optik
68 Signalgeber, Laserlichtempfänger
69 Ventilkappe
70 Betätigungseinrichtung
71 Schleusenventil
72 Nachchargiervorrichtung
73 Tiegelrand
74 elektrischer Schaltkreis, Programmregler
75 oberer Behälter
76 unterer Behälter mit regelbarem Granulatförderer bzw. einem Rüttler
77 elektrische Signalleitung
78 elektrische Signalleitung
79 elektrische Signalleitung
80 Pyrometer, Signalgeber
81 elektrische Signalleitung
82 Stutzen
83 Optik
84 Fuzzy-Prozessor
85 AD-Wandler
86 AD-Wandler
87 Mikro-Prozessor
88 Speicher
89 Stellglied
90 Datenbus
4, 4′ Kessel
5 Stützrohr
6 Wärmedämmung
7 Schmelzgut-Auffangwanne
8 Graphitfilzplatten
9 Stromzuführung
10 Bodenheizer; ringförmiger, flacher erster Heizkörper
11 Stromzuführung
12 Spannbacke
13 Stirnheizer, Zylinderheizer, zweiter Heizkörper
14 Stütztiegel
15 Strahlschutzrohr
16 Wärmedämmung
17, 17a Abdeckplatte
18 Wärmedämmung
19 Durchführung
20 Hülse
21 Schutzglas
22 Durchbruch
23 Zuführrohr
24 Einfülltrichter
25 Tiegelwelle
26 Tiegeltragbolzen
27 Graphitmutter
28 Tiegeleinsatz
29 Ring
30 Ausbruch
31 Heizerfuß
32 Führungsrohr
33 Heizschlange
34 Stange
35 Öffnung
36 Schlitz
37 Schraubenspindel
38 ringförmiges, flaches Heizelement
39 hohlzylindrischer Heizer, Seitenteil
40 Heizerfuß
41 Ausnehmung
42 Keil
43, 43a Aussparung
45 Schrägbohrung
46 Schauglas
47 Stutzen
48 Kragen
49 Ziehelement
50 Stutzen
51 Schauglas
52 Vakuumkammer
53 zentrale Öffnung
54 Motor-Getriebeeinheit
55 Oberfläche der Schmelze
56 Si-Stab (hochdotiert)
57 Antriebswelle
58 Spannfutter
59 ringförmiger, flacher zweiter Heizkörper
60 Rohrstutzen
61 Einkristall
62 Zuführeinrichtung; Wind- oder Hubwerk
63 Stutzen
64 Schauglas
65 Signalgeber, Laserlichtquelle
66 Stutzen
67 Optik
68 Signalgeber, Laserlichtempfänger
69 Ventilkappe
70 Betätigungseinrichtung
71 Schleusenventil
72 Nachchargiervorrichtung
73 Tiegelrand
74 elektrischer Schaltkreis, Programmregler
75 oberer Behälter
76 unterer Behälter mit regelbarem Granulatförderer bzw. einem Rüttler
77 elektrische Signalleitung
78 elektrische Signalleitung
79 elektrische Signalleitung
80 Pyrometer, Signalgeber
81 elektrische Signalleitung
82 Stutzen
83 Optik
84 Fuzzy-Prozessor
85 AD-Wandler
86 AD-Wandler
87 Mikro-Prozessor
88 Speicher
89 Stellglied
90 Datenbus
Claims (2)
1. Verfahren zum Ziehen von Einkristallen (61) aus
einer Schmelze unter Vakuum oder unter Schutzgas mit
einer Vorrichtung mit einem Tiegel (14, 28), der in
einer Vakuumkammer (52) angeordnet und durch die
Wärmestrahlung von Heizelementen (10, 59) erhitzbar
ist und bei der ein Ziehelement (49) oberhalb der im
Tiegel befindlichen Schmelze vorgesehen ist, mit dem
der Einkristall (61) von der Schmelzenoberfläche
(55) aus nach oben zu herausziehbar ist und bei der
eine Zuführung (23) vorgesehen ist, deren Einfüll
öffnung (24) oberhalb des Tiegels (14, 28) endet und
über die das Chargiergut von einer Nachchargiervor
richtung (72) aus mit einem Förderer (76) in den
Tiegel (14, 28) während des Ziehvorgangs nachfüllbar
ist und mit Meßfühlern oder - Meßgeräten (80, 65)
die laufend die kennzeichnenden Größen des Kristall
ziehprozesses in einen Regler (74) einspeisen, der
den Förderer (76) ansteuert, dadurch gekennzeichnet,
daß die mit Hilfe der Meßfühler oder Meßgeräte (65,
68, 80) ermittelten Größen des Kristall-Ziehprozes
ses, wie beispielsweise die Schmelzenbadhöhe und die
Schmelzentemperatur, als Eingangssignale laufend dem
Regler (74) zugeführt werden, dem ein Fuzzy-Prozes
sor implementiert ist, der entlang einer empirisch
ermittelte Größen berücksichtigenden Regelstruktur
das Stellsignal für den Förderer ausgibt.
2. Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen (61) aus
einer Schmelze unter Vakuum oder unter Schutzgas mit
einem Tiegel (14, 28) der in einer Vakuumkammer (52)
angeordnet und durch die Wärmestrahlung von Heiz
elementen (10, 59) erhitzbar ist und bei der ein
Ziehelement (49) oberhalb der im Tiegel befindlichen
Schmelze vorgesehen ist, mit dem der Einkristall
(61) von der Schmelzenoberfläche (55) aus nach oben
zu herausziehbar ist und bei der ein Zuführrohr (23)
vorgesehen ist, dessen Einfülltrichter (24) oberhalb
des Tiegels (14, 28) endet und über das das Chargier
gut von einer Nachchargiervorrichtung (72) aus mit
einem Förderer (76) in den Tiegel (14, 28) während
des Ziehvorgangs nachfüllbar ist, und mit Meßfühlern
oder - Geräten (80, 65) die laufend die kennzeichnen
den Größen des Kristall-Ziehprozesses in einen Regler
(74) einspeisen der den Förderer (76) ansteuert,
dadurch gekennzeichnet, daß die mit Hilfe der Meßfüh
ler oder Meßgeräte (65, 68, 80) ermittelten Größen
des Kristall-Ziehprozesses, wie beispielsweise die
Schmelzenbadhöhe und die Schmelzentemperatur, als
Eingangssignale laufend dem Regler (74) zugeführt
werden, dem ein Fuzzy-Prozessor implementiert ist,
der entlang einer empirisch ermittelte Größen berück
sichtigenden Regelstruktur das Stellsignal für den
Förderer ausgibt.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4301072A DE4301072B4 (de) | 1993-01-16 | 1993-01-16 | Verfahren zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
IT93MI002338A IT1266667B1 (it) | 1993-01-16 | 1993-11-04 | Procedimento e dispositivo per il tiraggio di monocristalli da una massa fusa |
JP6002143A JPH06256088A (ja) | 1993-01-16 | 1994-01-13 | 溶融液から単結晶を引き上げる方法及び装置 |
US08/183,005 US5485802A (en) | 1993-01-16 | 1994-01-18 | Method and apparatus for pulling monocrystals from a melt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4301072A DE4301072B4 (de) | 1993-01-16 | 1993-01-16 | Verfahren zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4301072A1 true DE4301072A1 (de) | 1994-07-21 |
DE4301072B4 DE4301072B4 (de) | 2006-08-24 |
Family
ID=6478343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4301072A Expired - Fee Related DE4301072B4 (de) | 1993-01-16 | 1993-01-16 | Verfahren zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5485802A (de) |
JP (1) | JPH06256088A (de) |
DE (1) | DE4301072B4 (de) |
IT (1) | IT1266667B1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0792952A1 (de) * | 1996-02-27 | 1997-09-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Verfahren zur Herstellung Silizium-Einkristallen durch das kontinuierlichen Czochralski-Verfahren |
EP0821082A1 (de) * | 1996-06-27 | 1998-01-28 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung des Kristallwachstums |
WO1999063134A1 (de) * | 1998-06-04 | 1999-12-09 | Leybold Systems Gmbh | Einrichtung und verfahren zum züchten von kristallen |
DE19654220B4 (de) * | 1995-12-28 | 2011-06-09 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Einkristall-Ziehvorrichtung |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08337490A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶及びその製造方法 |
JP3840683B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2006-11-01 | 株式会社Sumco | 単結晶引上方法 |
JPH09194289A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-29 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 単結晶引上装置 |
US5863326A (en) * | 1996-07-03 | 1999-01-26 | Cermet, Inc. | Pressurized skull crucible for crystal growth using the Czochralski technique |
US5900060A (en) * | 1996-07-03 | 1999-05-04 | Cermet, Inc. | Pressurized skull crucible apparatus for crystal growth and related system and methods |
DE19806949A1 (de) * | 1998-02-19 | 1999-08-26 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren zum Steuern von Kristallzüchtungsprozessen |
CN1142328C (zh) * | 2001-11-02 | 2004-03-17 | 中国科学院理化技术研究所 | 化合物Na3La9B8O27非线性光学晶体及其制法和用途 |
JP5073257B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-11-14 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶製造装置及び方法 |
US8778804B2 (en) * | 2009-01-30 | 2014-07-15 | Fei Company | High selectivity, low damage electron-beam delineation etch |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU599403A1 (ru) * | 1975-01-21 | 1980-04-05 | Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности | Система автоматического регулировани диаметра кристалла, выращиваемого из расплава |
DE3036177A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-30 | Siltec Corp., Menlo Park, Calif. | Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material |
SU968106A1 (ru) * | 1981-03-06 | 1982-10-23 | Предприятие П/Я В-8584 | Устройство дл программного регулировани температуры кристаллизатора |
EP0170856A1 (de) * | 1984-07-06 | 1986-02-12 | General Signal Corporation | Verfahren zum Ziehen von Halbleitereinkristallen aus untiefen Tiegeln gemäss dem Czochralskiverfahren |
DE3904858A1 (de) * | 1988-03-03 | 1989-09-14 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum regeln eines schmelzbades |
SU1700112A1 (ru) * | 1989-05-26 | 1991-12-23 | Государственный всесоюзный центральный научно-исследовательский институт комплексной автоматизации | Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава |
EP0499220A1 (de) * | 1991-02-14 | 1992-08-19 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Verfahren zur automatischen Steuerung der Züchtung des Halsteiles eines Einkristalles |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2149093C3 (de) * | 1971-10-01 | 1975-07-24 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze |
DE2923240A1 (de) * | 1979-06-08 | 1980-12-18 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Messverfahren und messanordnung fuer den durchmesser von einkristallen beim tiegelziehen |
US4710258A (en) * | 1984-11-30 | 1987-12-01 | General Signal Corporation | System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace |
US5180562A (en) * | 1987-10-03 | 1993-01-19 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for pulling monocrystals |
DE3737051A1 (de) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Leybold Ag | Vorrichtung fuer die kontinuierliche zufuhr von schmelzgut |
JPH02208280A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-17 | Nec Corp | イメージ炉 |
JP2678383B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1997-11-17 | 信越半導体 株式会社 | 単結晶上装置 |
JPH0774117B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1995-08-09 | 信越半導体株式会社 | ヒータの温度パターン作成方法及びこの温度パターンを用いたSi単結晶育成制御装置 |
US5204334A (en) * | 1990-10-18 | 1993-04-20 | Ciba-Geigy Corporation | Benzoheterocyclylalkylaminoalkanediphosphonic acids, compositions thereof, and use thereof in the treatment of calcium metabolism disorders |
DE4123336A1 (de) * | 1991-07-15 | 1993-01-21 | Leybold Ag | Kristallziehverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung |
-
1993
- 1993-01-16 DE DE4301072A patent/DE4301072B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-04 IT IT93MI002338A patent/IT1266667B1/it active IP Right Grant
-
1994
- 1994-01-13 JP JP6002143A patent/JPH06256088A/ja active Pending
- 1994-01-18 US US08/183,005 patent/US5485802A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU599403A1 (ru) * | 1975-01-21 | 1980-04-05 | Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности | Система автоматического регулировани диаметра кристалла, выращиваемого из расплава |
DE3036177A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-30 | Siltec Corp., Menlo Park, Calif. | Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material |
SU968106A1 (ru) * | 1981-03-06 | 1982-10-23 | Предприятие П/Я В-8584 | Устройство дл программного регулировани температуры кристаллизатора |
EP0170856A1 (de) * | 1984-07-06 | 1986-02-12 | General Signal Corporation | Verfahren zum Ziehen von Halbleitereinkristallen aus untiefen Tiegeln gemäss dem Czochralskiverfahren |
DE3904858A1 (de) * | 1988-03-03 | 1989-09-14 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum regeln eines schmelzbades |
SU1700112A1 (ru) * | 1989-05-26 | 1991-12-23 | Государственный всесоюзный центральный научно-исследовательский институт комплексной автоматизации | Способ автоматического управлени процессом получени профилированных кристаллов из расплава |
EP0499220A1 (de) * | 1991-02-14 | 1992-08-19 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Verfahren zur automatischen Steuerung der Züchtung des Halsteiles eines Einkristalles |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JP 02-208 280. In: Derwent-Ref.Nr.90-294929(39) * |
JP 04-264091. In: Japio * |
Proc. SPIE - Int.Soc.Opt.Eng.(USA)Vol.1710(1), S.598-607,Vol.2,1992, In: Inspec.Ref.Nr.4378788 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19654220B4 (de) * | 1995-12-28 | 2011-06-09 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Einkristall-Ziehvorrichtung |
EP0792952A1 (de) * | 1996-02-27 | 1997-09-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Verfahren zur Herstellung Silizium-Einkristallen durch das kontinuierlichen Czochralski-Verfahren |
US5733368A (en) * | 1996-02-27 | 1998-03-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon monocrystal using continuous czochralski method |
EP0821082A1 (de) * | 1996-06-27 | 1998-01-28 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung des Kristallwachstums |
WO1999063134A1 (de) * | 1998-06-04 | 1999-12-09 | Leybold Systems Gmbh | Einrichtung und verfahren zum züchten von kristallen |
DE19824838A1 (de) * | 1998-06-04 | 1999-12-09 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Kristallen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5485802A (en) | 1996-01-23 |
IT1266667B1 (it) | 1997-01-09 |
ITMI932338A1 (it) | 1995-05-04 |
JPH06256088A (ja) | 1994-09-13 |
DE4301072B4 (de) | 2006-08-24 |
ITMI932338A0 (it) | 1993-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4301072A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze | |
DE69205253T2 (de) | Vorrichtung für die Zuführung von granuliertem Schüttgut für einen Halbleitendeinkristallziehungsapparat. | |
DE3036177A1 (de) | Vorrichtung zum herstellen von festen kristallen aus geschmolzenem material | |
DE69202996T2 (de) | Verfahren zur automatischen Steuerung der Züchtung des Halsteiles eines Einkristalles. | |
DE112008002267B4 (de) | Positionsmessvorrichtung und Positionsmessverfahren in einer Halbleitereinkristallherstellungsvorrichtung | |
DE2752308A1 (de) | Vorrichtung zum zuechten von einkristallen aus einer schmelze bei zufuehrung von zerkleinertem chargenmaterial | |
DE4218123C2 (de) | Vorrichtung für die kontinuierliche Zuführung von Chargengut für einen Schmelztiegel und deren Verwendung | |
DE60006713T2 (de) | Verfahren zum steuern des wachstums eines halbleiterkristalls | |
DE112015003609T5 (de) | Silizium-Einkristall-Zuchtvorrichtung und Silizium-Einkristall-Zuchtverfahren, das diese verwendet | |
DE2635093A1 (de) | Vorrichtung zum ziehen eines halbleiter-einkristalls | |
DE1519850C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einer Schmelze | |
DE102009056638B4 (de) | Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium mit einem Abschnitt mit gleich bleibendem Durchmesser | |
DE602004001510T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zur herstellung eines einkristallstabs | |
EP2886519B1 (de) | Vertikal-tiegelziehverfahren zur herstellung eines glaskörpers mit hohem kieselsäuregehalt | |
DE3882121T2 (de) | Verfahren zur Kontrolle einer Schmelzzone. | |
DE102006052961B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls | |
DE10220964B4 (de) | Anordnung zur Herstellung von Kristallstäben mit definiertem Querschnitt und kolumnarer polykristalliner Struktur mittels tiegelfreier kontinuierlicher Kristallisation | |
DE10239104B4 (de) | Kristallzüchtungsofen, nämlich Vertical-Bridgman- oder Vertical-Gradient-Freeze-Kristallzüchtungsofen mit einem Mantelheizer und Verfahren zur Regelung der Heizleistung des Mantelheizers | |
DE112005000397T5 (de) | Verfahren zum Herstellen von Einkristall-Halbleitern | |
DE3904858C2 (de) | Verfahren zum Ziehen von Einkristallen | |
DE3785669T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur steuerung der schmelzzone eines halbleiterstabes. | |
EP1895030A2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Herstellung eines Rohres | |
DE2247651C3 (de) | Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers eines Halbleiterstabes | |
EP0310739A2 (de) | Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen | |
EP3252006A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur vakuumreinigung von silicium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG, 63450 |
|
8141 | Disposal/no request for examination | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8170 | Reinstatement of the former position | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: UNAXIS DEUTSCHLAND HOLDING GMBH, 63450 HANAU, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH, 63450 HANAU, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH, 35614 ASSLAR, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20110802 |