DE29806651U1

DE29806651U1 - Einphasig gekapseltes Schaltfeld für eine Hochspannungsschaltanlage

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Publication number: DE29806651U1
Application number: DE29806651U
Authority: DE
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1998-04-03
Filing date: 1998-04-03
Publication date: 1998-06-25
Anticipated expiration: 2008-04-04
Also published as: FR2777127B1; CH694192A5; FR2777127A1

Description

GR 98 G 4069 DE

Beschreibung

Einphasig gekapseltes Schaltfeld für eine Hochspannungsschaltanlage
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Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Energieverteilung und ist bei der räumlichen Ausgestaltung von einphasig gekapselten Schaltfeldern einer dreiphasigen, gasisolierten Hochspannungsschaltanlage anzuwenden, deren Leistungsschalter paral-IeI nebeneinander liegend und deren weitere Bausteine oberhalb des jeweiligen Leistungsschalters angeordnet sind.

Bei Hochspannungsschaltanlagen der genannten Art wird der Polabstand der einzelnen Phasen und damit die Breite des dreiphasigen Schaltfeldes durch die Abmessungen, insbesondere den Durchmesser, der Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter bestimmt. Die Leistungsschalter sind dabei in etwa mittig in ihrem jeweiligen Kapselungsgehäuse und zueinander mit einem bestimmten Mittenabstand angeordnet. Die weiteren den Phasen eines Schaltfeldes zugeordenten Bausteine sind im übrigen oberhalb oder unterhalb des jeweils zugehörigen Leistungsschalter mittig zu einer vertikalen Ebene angeordnet. Hierzu ^} sind die Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter derart mit vertikal ausgerichteten Anschlüssen versehen, daß alle Bausteine des .Schaltfeldes in die durch die Leistungsschalter vorgegebene Polteilung eingefügt sind und auch die Außenphasen benachbarter Schaltfelder etwa denselben Polabstand haben (Zeitschrift "Braun Boveri Mitt. 4-73, Seiten 146/147).

Um die Polteilung eines einphasig gekapselten Schaltfeldes möglichst klein zu machen, ist es bereits bekannt, die Kapselungsgehäuse der drei Leistungsschalter einstückig in Form eines Gußgehäuses auszubilden (DE 89 07 711 U, DE 89 07 710 U).■

GR 98 G 4069 DE

Ausgehend von einem einphasig gekapselten Schaltfeld mit den Merkmalen des Oberbegriffes des Schutzanspruches liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die für Servicezwecke erforderliche Zugänglichkeit zu einzelnen Schaltfeldern einer Hochspannungsschaltanlage durch eine veränderte räumliche Zuordnung der Bausteine eines Schaltfeldes zu verbessern.

Bei der Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung von dem Grundgedanken aus, daß bei einphasig gekapselten Hochspannungsschaltanlagen der Polabstand der drei Phasen eines Schaltfeldes an sich durch die Abmessungen der Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter bestimmt ist, daß aber die übrigen Bausteine des Schaltfeldes durch gezielte hochspannungstechnische Maßnahmen wie Erhöhung des Gasdruckes und Optimierung des Feldverlaufes (durch entsprechende Formgebung der spannungsführenden Teile) bezüglich des Durchmessers ihres Kapselungsgehäuses kleiner bauend als das Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter ausgestaltet werden können. Dies wird im Rahmen der Erfindung gezielt ausgenutzt, indem der Mittenabstand der den beiden äußeren Leistungsschaltern zugeordneten vertikalen Ebenen von der dem mittleren Leistungsschalter zugeordneten vertikalen Ebene kleiner ist als der Mittenabstand der beiden äußeren Leistungsschalter vom mittleren Leistungsschalter. Auf diese Weise sind die Bausteine der drei Phasen eines Schaltfeldes einander eng benachbart, während sich zwischen den beiden nebeneinander angeordneten äußeren Phasen zweier benachbarter Schaltfelder ein größerer Abstand ergibt. Dadurch wird die Zugänglichkeit zwischen benachbarten Schaltfeldern wesentlich verbessert.

Konstruktiv wird die Erfindung zweckmäßig dadurch realisiert, daß die Mittelachsen der Anschlüsse der beiden Kapselungsgehäuse der außen liegenden Leistungsschalter zur Mittelachse des jeweiligen Leistungsschalters horizontal versetzt angeordnet sind. In diese Ausgestaltung können auch stirnseitig

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an den Kapselungsgehäusen der Leistungsschalter vorgesehene Anschlußflansche für Bausteine des Schaltfeldes, beispielsweise Erdungsschalter, einbezogen werden und demzufolge den gleichen kleineren Mittenabstand aufweisen. 5

Bei dieser Ausgestaltung eines Schaltfeldes weisen also die Leistungsschalter eine größere Polteilung als die weiteren Bausteine des Schaltfeldes auf.

Ein Ausführungsbeispiel für die neuartige Ausgestaltung des Schaltfeldes ist in den Figuren 1 bis 3 dargestellt. Dabei zeigt

Figur 1 eine Draufsicht auf die drei nebeneinander angeordneten Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter, Figur 2 einen vertikalen Schnitt durch ein Schaltfeld und Figur 3 eine Draufsicht auf zwei nebeneinander angeordnete Schaltfelder.

Figur 1 zeigt ein sogenanntes Blockgehäuse 1, das zur Aufnahme der drei Leistungsschalter eines einphasig gekapselten Schaltfeldes dient und gemäß der DE 89 07 711 U ausgebildet ist. Das Blockgehäuse ist mit drei Gehäuseteilen 11, 12 und 13 für die einzelnen Leistungsschalter versehen. Jedem Gehäuseteil ist ein erster Anschlußflansch 14 und ein zweiter An-Schlußflansch 15 zugeordnet, durch die hindurch Zugang zu den Stromanschlüssen 18 und 19 der einzelnen Leistunsschalter gegeben ist. Jedes Gehäuseteil ist weiterhin an dem einen Ende mit einem stirnseitigen Anschlußflansch 16 und am anderen Ende mit einem stirnseitigen Anschlußflansch 17 versehen. Über die Anschlußflansche 17 werden die Antriebe für die Leistungsschalter angekoppelt.

Die Figur zeigt weiterhin einen Abstand f, der den Mittenabstand der beiden äußeren Leistungsschalterpole vom mittleren Leistungsschalterpol bezeichnet. Weiterhin ist ein Abstand a

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definiert. Dieser Abstand bezeichnet den Mittenabstand der Anschlußflansche 14, 15 und 16 der beiden äußeren Gehäuseteile 11 und 13 von der Mittelachse der Gehäuseflansche 14, 15 und 16 des mittleren Gehäuseteiles 12, wobei diese Mittelachse mit der Mittelachse des mittleren Leistungsschalters übereinstimmt. Der Abstand a ist kleiner gewählt als der Abstand f, d.h. daß die Anschlußflansche 14, 15 und 16 der beiden äußeren Gehäuseteile 11 und 13 nicht mittig sondern nach innen seitlich versetzt zu den jeweiligen Gehäuseteilen angeordnet sind. Dadurch wird erreicht, daß die auf die Anschlußflansche 14 und 15 aufgesetzten weiteren Bausteine des Schaltfeldes eine kleinere Polteilung als die in dem Blockgehäuse 1 angeordneten Leistungsschalter aufweisen.

Gemäß Figur 2, die einen Blick auf die sammelschienenseitigen Bausteine eines einphasig gekapselten Schaltfeldes zeigt, sind an die Anschlußflansche 15 des Blockgehäuses 1 jeweils zunächst ein Schottisolator 2, sodann ein Sammelschienentrenner 3, sodann ein Zwischenstück 4 und ein weiterer Sammelschienentrenner 5 aufgesetzt. Hier ist auch die seitlich versetzte Anordnung der Anschlußflansche 15 bezüglich der vertikalen Mittelebene der Gehäuseteile 11 und 13 des Blockgehäuses 1 zu erkennen, wobei die Polteilung a der Bausteine 2 bis 5 kleiner ist als die Polteilung f der die Leistungsschalter aufnehmenden Gehäuseteile 11, 12 und 13.

Figur 3 zeigt zwei nebeneinander angeordnete Schaltfelder 10 und 20, die jeweils die Feldbreite b aufweisen. Zusätzlich zu den Bausteinen gemäß Figur 2 sind hier eine dreiphasig gekapselte Sammelschiene 6 mit den Trennschalterantrieben 61, ferner die Leistungsschalterantriebe 7 sowie weitere Kapselungsbausteine 8 schematisch dargestellt.

In die Figur ist weiterhin die Polteilung a der über jedem Blockgehäuse angeordneten weiteren Bausteine des Schaltfeldes

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eingezeichnet sowie ein Abstand d, der größer als die Polteilung a, aber auch größer als die in Figur· 1 und 2 gezeigte Polteilung f der Leistungsschalter ist. Der Abstand d symbolisiert den Mittenabstand der beiden benachbarten Außenphasen der beiden nebeneinander liegenden Schaltfelder. - Weiterhin ist ein Abstand e eingezeichnet, der den Zugangsfreiraum zwischen den beiden benachbarten Schaltfeldern 10 und 20 symbolisiert.

Claims

GR 98 G 4069 DE Schutzansprüche

1. Einphasig gekapseltes Schaltfeld für eine dreiphasige, gasisolierte Hochspannungsschaltanlage,

bei dem die drei Leistungsschalter in ihrem jeweiligen Kapselungsgehäuse parallel nebeneinander mit einem vorgegebenen Mittenabstand angeordnet sind,

bei dem die Kapselungsgehäuse der drei Leistungsschalter zum Anschluß weiterer Bausteine des Schaltfeldes mit vertikal ausgerichteten Anschlüssen versehen sind und bei dem die weiteren einer Phase zugeordneten Bausteine des Schaltfeldes jeweils oberhalb des zugehörigen Leistungsschalters mittig zu einer vertikalen Ebene angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Mittenabstand (a) der den beiden äußeren Leistungsschaltern (11,13) zugeordneten vertikalen Ebenen von der dem mittleren Leistungsschalter (12) zugeordneten vertikalen Ebene kleiner ist als der Mittenabstand (f) der beiden äußeren Leistungsschalter (11,13) vom mittleren Leistungsschalter

(12) .

2. Schaltfeld nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Mittelachsen der Anschlüsse (14,15) der beiden Kapselungsgehäuse (11,13) der außenliegenden Leistungsschalter zur Mittelachse des jeweiligen Kapselungsgehäuses horizontal versetzt angeordnet sind.

3. Schaltfeld nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Kapselungsgehäuse (11,12,13) der Leistungsschalter auch stirnseitig mit einem Anschlußflansch (16) für einen weiteren Baustein versehen sind,

dadurch gekennzeichnet, daß auch die stirnseitig angeordneten Anschlußflansche (16) den kleineren Mittenabstand (a) aufweisen.