DE2539996A1 - Dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte hochspannungsschaltanlage - Google Patents
Dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte hochspannungsschaltanlageInfo
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- H02B13/00—Arrangement of switchgear in which switches are enclosed in, or structurally associated with, a casing, e.g. cubicle
- H02B13/02—Arrangement of switchgear in which switches are enclosed in, or structurally associated with, a casing, e.g. cubicle with metal casing
- H02B13/035—Gas-insulated switchgear
- H02B13/0352—Gas-insulated switchgear for three phase switchgear
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- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
Description
- Dreiphasig gekapselte, druckgasiso1irte Hochspannalngsschaltanlage Die Erfindung betrifft eine dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte Hochspannungsscha1tanage, bestehend aus Schaltieldern mit einem Leistungsschalter, Trenn- und Erdungssch2lter, Wandlern sowie bedarfsweise weiteren Geraten und mindestens einer Sammelschiene.
- Wegen des geringe Raumbedarfs - nur etwa 10 % gegenüber herkömmlichen Schaltanlagen - werden vorgenannte Hochspannungsschaltanlagen, besonders in Gebieten hohen Energiebedarfs wie Großstädte und Industriezentren eingesetzt.
- In den bekannten Hochspannungsschaltanlagen sind die Phasenleiter, im Querschnitt gesehen, in den Eckpunkten eines Dreieck angeordnet. Dies bedingt, daß zur leitenden Verbindung der einzelnen Bauteile wie Sammelschiene, Trenner, Leistungsschalter, die Leiter gekröpft werden müssen, was sich als besonders aufwendig und unpraktisch erweist, zumal diese geometrische Anordnung der Leiter die Ausführung der Erdungsschalter ungünstig beeinflußt, bei denen jeder Schaltpol eigens mit einem Antrieb zu versehen ist oder aber ein gemeinsamer Antrieb sich nur umständlich verwirklichen läßt. Die vorgenannten Nachteile machen sich besonders bemerkbar bei der Realisierung von Schaltungen der Art 1 1/2-Leistungsschaltermethode, Kuppelfeld und H-Schaltung, wie sie häufig bei für den Export bestimmte Antigen angewandt werden.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Phasenleiter so anzuordnen, daß die Herstellung der leitenden Verbindungen zwischen den Bauteilen der Hochspannungsschaltanlage vereinfacht ist und sich auch günstig auf die Anordnung des Erdungsschalters auswirkt.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Phasenleiter in einer Ebene angeordnet sind und daß die Kapsel einen ovalen Querschnitt aufweist.
- Weitere vort2ilhafte Ausgestaltungcn der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
- Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß die Herstellung der leitenden Verbindungen zwischen den Bauteilen der Hochspannungsschaltanlage mit geraden Phasenleitern möglich ist, so daß die im Schaltanlagenbau vorkommen den Schaltungen ohne weiteres realisiert werden können und di Phasenleiter hierzu keinerlei Sonderbearbeitung, wie Kröpfen oder Verschränken mehr bedürfen. Außerdem wird durch die Anordnung der Phasenleiter in einer Ebene die konstrulctive Ausfüing des Erdungsschalters günstig beeinflußt, der jetzt mit einem einfachen, gemeinsamen Antrieb für die drei Schaltpole auskommt.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
- Es zeigt: Fig. 1 Einen Querschnitt durch ein Schaltfeld einer dreiphasig gekapselten, druckgasisolierten Hochspannungsschaltanlage mit Doppelsamuielschiene, Fig. 2 einen Schnitt in der Ebene II - II des in Fig. 1 dargestellten Schaltfeldes.
- Den beiden vorgenannten Figuren ist ein Schaltfeld 1 einer Hochspannunsgschaltanlage zu entnehmen, deren Phasenleiter 2 in einer Ebene angeordnet sind. Die Phasenleiter 2 liegen bei waagrechter Anordnung der Sammelschienen 3, 4 in einer Ebene übereinander, wobei die Phasenleiter in einem Leiterabgang 5 quer hierzu so gegeneinander versetzt angeordnet sind (Fig. 2), daß beim Übergang in eine senkrechte und anschließend waagrechte LeiterfuhruXlg 6, 7 dieselben in einer Ebene nebeneinander liegen. Entsprechend der Leiteranordnung ist die Schaltanlage mit einer Kapselung 8 ovalen Querschnitts versehen, die sich aus einzelnen Kapselteilen zusammensetzt, welche aneinandergefimEeht werden. Die einzelnen Bauteile sind so angeordnet, daß ein Leistungsschalter 9 wahlweise über Trenner 10, 11 mit einer der beiden Sammelschienen 3, 4 verbindbar ist, während vom Leisturt schalter in Richtung Abgang ein Stromwandler 12, Abgangstrenner 13 mit Spannungswandler 14 und Erdungsschalter 15 mit Kabelendverschluß 16 angefügt sind. Schaltungstechniscll stellt das vorgenannte Schaltfeld eine Doppelsammelachiene mit Abgang dar.
- Ebenso lassen sich andere Schaltungabeispiele wie 1 1/2 Leistungsschaltermethbde, Kuppelfeld oder H-Schaltllng bezüglich der Leiterverbindungen nach der Erfindung technisch einfach realisieren.
Claims (4)
1. Dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte Hochspannungsschaltanlage,
bestehend aus Schaltfeldern mit einem Leistungsschalter, Trenn- und Erdungsschalter,
Wandlern sowie bedarfsweise weiteren Gerätc-n und mit mindestens einer eammelschiene,
dadurch gekennzeichnet, daß die Pb&senleiter (2) in einer Ebene angeordnet sind,
und daß die Insel (8) einen ovalen Querschnitt aufweist.
2. Dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte Hochspamlungsschaltanlage,
bestehend aus Schaltfeldern mit einem Leistungsschalter, Trenn und Erdungsschalter,
Wandlern sowie bedarfsweise weiteren Geräten und mindestens einer Sammelschiene,
dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenleiter (2) in einer Ebene angeordnet sind,
und daß die Kapsel (8) einen runden Querschnitt aufweist.
3. Schaltanlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
bei waagrechter Anordnung der Sammelschiene die Phasenleiter (2) in einer Ebene
übereinanderliegen und daß in einem Leiterabgang (5) quer hierzu, dessen Leiter
so gegenangeordnet einander versetzt/sind, daß beim Übergang in eine senkrechte
und anschließend waagrechte Leiterführung (6 bzw. 7) die Leiter jeweils in einer
Ebene nebeneinanderliegen.
4. Schaltanlage nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der Trennerantrieb (17) im Leiterabgang (5) zwischen Sarnrnelschiene
und senkrecht2r Leiterführung (6) in der Ebene der Phasenleiter (2) angeordnet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752539996 DE2539996A1 (de) | 1975-09-09 | 1975-09-09 | Dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte hochspannungsschaltanlage |
CH1138276A CH609808A5 (en) | 1975-09-09 | 1976-09-09 | Three-phase encapsulated, compressed-gas-insulated high-voltage switching installation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752539996 DE2539996A1 (de) | 1975-09-09 | 1975-09-09 | Dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte hochspannungsschaltanlage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2539996A1 true DE2539996A1 (de) | 1977-03-17 |
Family
ID=5955924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19752539996 Ceased DE2539996A1 (de) | 1975-09-09 | 1975-09-09 | Dreiphasig gekapselte, druckgasisolierte hochspannungsschaltanlage |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH609808A5 (de) |
DE (1) | DE2539996A1 (de) |
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- 1975-09-09 DE DE19752539996 patent/DE2539996A1/de not_active Ceased
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1976
- 1976-09-09 CH CH1138276A patent/CH609808A5/xx not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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CH609808A5 (en) | 1979-03-15 |
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Legal Events
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