DE2947821C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2947821C2 DE2947821C2 DE2947821A DE2947821A DE2947821C2 DE 2947821 C2 DE2947821 C2 DE 2947821C2 DE 2947821 A DE2947821 A DE 2947821A DE 2947821 A DE2947821 A DE 2947821A DE 2947821 C2 DE2947821 C2 DE 2947821C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tin
- solution
- bath
- copper
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Bad zum stromlosen Abscheiden von
Zinn auf einer katalytischen Oberfläche, bestehend aus einer
Lösung, die ein Zinn(II)-Salz in stark alkalischem Milieu enthält,
und ein Verfahren unter Anwendung dieses Bades.
Aus der US-PS 28 22 325 ist ein Verzinnungsbad bekannt, das
bei Siedetemperatur angewendet wird, wobei ein Kontakt mit
einem unedlen Metall, z. B. Aluminium, notwendig ist. Das Bad
enthält Kaliumstannat, also ein Salz von vierwertigem Zinn.
In der US-PS 32 74 021 ist ein Verzinnungsbad für Aluminium
beschrieben. Auch hier handelt es sich um Stannat-Salz, also
vierwertiges Zinn. Außerdem handelt es sich hier um ein Austauschbad,
wobei unedles Aluminium gegen weniger unedles Zinn
ausgetauscht wird.
Der Arbeit von R. Scholder und R. Pätsch in Z. anorg. allg.
Chemie 216 (1933) S. 176-184 ist zu entnehmen, daß bei unter
der Mutterlauge gehaltenem festem Natriumhydroxostannit bei
Zimmertemperatur schon nach 12 Stunden eine starke Graufärbung
(Abscheidung von Sn) beobachtet wurde.
Kupferschichten können entweder mit Hilfe von Thioharnstoff
oder dessen Derivate enthaltenden sauren Lösungen oder in alkalischen
cyanidhaltigen Lösungen gegen dünne Zinnschichten ausgetauscht
werden. Die Abscheidung hört auf, sobald keine Kupferatome
mehr sichtbar sind. Daher ist dieses Verfahren für eine
zweckmäßige Abschirmung von Kupfer gegen schädliche Einflüsse
der Atmosphäre nicht geeignet.
Außerdem sind aus der US-PS
36 37 386 stromlose Verzinnungsbäder mit dem V2+/V3+-Redoxpaar
oder dem Cr2+/Cr3+-Redoxpaar als Reduktionsmittel bekannt.
Mit diesen Bädern können zwar dickere Zinnschichten
erzeugt werden, aber die Bäder sind äußerst unstabil, wodurch
sie für eine praktische Anwendung weniger gut geeignet sind.
Aus der CH-PS 2 84 092 ist ein Verfahren zum Verzinnen der
Lauffläche von Lagerschalen und Lagerbuchsen bekannt. Nach
diesem Verfahren wird die betreffende Oberfläche etwa 30 bis
60 Minuten mit einer wässerigen alkalischen Zinn(II-)Salzlösung
bei der Siedetemperatur in Berührung gehalten. Auf
diese Weise wird auf dem Kupfer oder der Kupferlegierung
eine dünne Zinnschicht erzeugt. Die Erzeugung dickerer Schichten
(bis zu 5 µm) ist bei Temperaturen über 100°C und mit
einem Al- oder Zn-Kontakt möglich. Das letztere Verfahren ist
sehr unpraktisch. Wenn mit einer stark alkalischen Lösung bei
der Siedetemperatur während so langer Zeit gearbeitet werden
muß, so ist dies für eine groß-technische praktische Anwendung
wenig attraktiv. Außerdem ist es bekannt, daß Zinn sich ohne
kathodische Spannung in siedender Lauge löst.
Bisher wurde angenommen, daß auch bei diesen Lösungen ein Austausch
stattfindet. In der vorgenannten schweizerischen Patentschrift
wird daher nur eine Abscheidung auf Kupfer oder Kupferlegierungen
erwähnt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Bad zum stromlosen
Abscheiden von Zinn zu schaffen, mit dem innerhalb kurzer
Zeit gleichmäßige Zinnschichten erhalten werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
eingangs genannte Lösung mindestens 0,20 Mol/l zweiwertiges
Zinnsalz enthält.
Es wurde gefunden, daß bei der Zinnabscheidung auf einer
Kupferoberfläche mit Hilfe des Bades nach der Erfindung
keine Kupferionen in Lösung gehen. Die Metallabscheidung
kann also nicht auf einem Austausch beruhen. Es konnte festgestellt
werden, daß eine Disproportionierung nach der
Gleichung
stattfindet. Der gefundene überraschend große Einfluß der
Konzentration von Zinn(II)-Ionen auf die Zinnabscheidung
wird damit ebenfalls klar:
V 1 = k [HSnO2 -]²,
wobei V 1 die Reaktionsgeschwindigkeit und k eine Konstante darstellt.
V 1 = k [HSnO2 -]²,
wobei V 1 die Reaktionsgeschwindigkeit und k eine Konstante darstellt.
Das Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Zinn wird mit dem
erfindungsgemäßen Bad ausgeführt, das bei einer Temperatur
zwischen 60 und 95°C angewendet wird.
Wenn eine Lösung mit einer Konzentration an Zinn(II)-Salz nach
der vorgenannten schweizerischen Patentschrift, und zwar 35 g
SnCl2 · 2 H₂O (= 0,155 Mol/l) und 55 g NaOH, nicht bei 100°C,
sondern bei 83°C angewendet wird und dies mit einer Ausführungsform
nach der Erfindung mit 60 g SnCl2 · 2 H₂O
(= 0,266 Mol/l) und 80 g NaOH bei einer Temperatur von 83°C
verglichen wird, stellt sich heraus, daß mit der zuerst genannten
Lösung nach 2 Stunden noch keine wahrnehmbare Zinnmenge
abgeschieden worden ist, während mit dem Bad nach der
Erfindung innerhalb von 15 Minuten eine ausgezeichnete gleichmäßige
Zinnschicht erhalten wird.
Besonders vorteilhaft bei der Anwendung des Verzinnungsbades
nach der Erfindung ist die Möglichkeit, Zinn selektiv gemäß
einem Muster ohne wahrnehmbaren Schleier außerhalb des Musters
abzuscheiden.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens zur Verzinnung
mittels des erfindungsgemäßen Bades wird die Badtemperatur
zwischen 75 und 90°C eingestellt.
Zur Vergrößerung der Löslichkeit des Zinn(II)-Salzes ist es
vorteilhaft, Natrium- oder Kaliumsalze von Carbonsäuren als
Komplexbildner zu verwenden; Beispiele hierfür sind tertiäres
Natriumcitrat und KNa-Tartrat.
Zum selben Zweck können vorteilhafterweise auch Lösungsmittel,
wie Äthylenglykol, Glycerin oder Polyäthylenglykole, zugesetzt
werden.
Durch diese Maßnahmen wird einer unerwünschten Bildung von ungelöstem
SnO entgegengewirkt. In manchen Fällen wird auch die
Struktur des gebildeten Zinns verbessert.
Die Abscheidungsgeschwindigkeit des Zinns wird dadurch vergrößert,
daß der Lösung zuvor Zinn(IV)-Ionen, z. B. in Form von SnCl4 · 4 H2O,
in einer Konzentration von 0,005 bis 0,03 Mol/l zugesetzt werden.
Die Reaktion geht an einer auf diese Lösung katalytisch wirkenden
Oberfläche vor sich. Diese katalytische Oberfläche kann
sowohl eine Schicht aus Metall, wie Kupfer, Kupferlegierungen
und Zinn selbst, das z. B. auf andere Weise in Form einer dünnen
Schicht abgeschieden worden ist, als auch eine Schicht aus einem
Nichtleiter, z. B. Glas, sein, auf dem auf bekannte Weise katalytische
Keime angebracht worden sind.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung wird durch Zusatz
eines starken Reduktionsmittels, wie ein Hypophosphit oder
ein Borazan, die Zinnabscheidung schneller in Gang gesetzt.
Dazu enthält das Bad mindestens 0,1 Mol/l eines solchen Reduktionsmittels.
Dieser Effekt beruht wahrscheinlich auf
einer Depassivierung der zu überziehenden Oberfläche durch
Wasserstoffentwicklung.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Ausführungsbeispiele
näher erläutert.
Eine wässerige Lösung (Lösung A), die in Stickstoffatmosphäre
hergestellt und gelagert wird, enthält
120 gtertiäres Natriumcitrat
150 mlsauerstofffreies entionisiertes Wasser
40 gZinn(II)-chlorid.
Eine Kupferfolie mit einem Flächeninhalt von etwa 19 cm2 wird
bei einer Temperatur von 85°C 4 Stunden in eine Lösung folgender
Zusammensetzung (Lösung B) getaucht:
65 mlsauerstofffreies entionisiertes Wasser
8 gNatriumhydroxid
35 mlder Lösung A.
Eine andere Kupferfolie mit demselben Flächeninhalt wird bei
derselben Temperatur in eine der Lösung B gleiche Lösung gebracht,
der außerdem 10 g Natriumhypophosphit zugesetzt worden
ist (Lösung C). Obgleich beide Kupferfolien innerhalb 10 Minuten
mit einer gleichmäßigen Zinnschicht überzogen werden, hat
sich nach 4 Stunden auf der Kupferfolie aus der Lösung B
7,2 mg Zinn abgeschieden, während die Folie, die in die
Lösung C gebracht worden ist, mit 34,3 mg Zinn verstärkt
worden ist.
Statt des Hypophosphits kann mit Erfolg auch eine 1gew.-%ige
Lösung von Dimethylaminoboren verwendet werden.
Eine Kupferfolie mit einem Flächeninhalt von 18 cm2 wird bei
einer Temperatur von 85°C 4 Stunden mit einer Lösung der folgenden
Zusammensetzung behandelt:
8 gNatriumhydroxid
65 mlsauerstofffreies entionisiertes Wasser
10 gNatriumhypophosphit
500 mgZinn(IV)-chlorid
35 mlder Lösung A nach Beispiel 1.
Nach Entfernung des lockeren Zinns, das sich an der Oberfläche
der Folie abgeschieden hat, stellt sich heraus, daß das Gewicht
der verzinnten Kupferfolie um 56,8 mg zugenommen hat. Wird die
Lösung auf eine Temperatur von 75°C gebracht, so wird nach
4 Stunden auf eine Kupferfolie mit einem Flächeninhalt von
16 cm2, 31,8 mg Zinn abgeschieden.
Eine Kupferfolie mit einem Flächeninhalt von 20 cm2 wird bei
einer Temperatur von 85°C 4 Stunden in einer Lösung der folgenden
Zusammensetzung verstärkt:
5 gKaliumjodid
8 gNatriumhydroxid
70 mlsauerstofffreies entionisiertes Wasser
10 gNatriumhypophosphit
500 mgZinn(IV)-chlorid
30 mgder Lösung A nach Beispiel 1.
Es stellt sich heraus, daß das Gewicht der Kupferfolie infolge
Zinnabscheidung um 84,9 mg zugenommen hat.
Eine mit SiC einseitig aufgerauhte Glasplatte mit einem Flächeninhalt
von 6 cm2 wird dadurch aktiviert, daß sie bei Zimmertemperatur
nacheinander den folgenden Behandlungen unterworfen
wird:
1 Minute Eintauchen in eine Lösung von 0,1 g Zinn(II)-chlorid und 0,1 ml konzentrierter Salzsäure in 1 Liter entionisiertem Wasser,
1 Minute Spülen mit entionisiertem Wasser,
1 Minute Eintauchen in eine Lösung von 1 g Silbernitrat in 1 Liter entionisiertem Wasser,
1 Minute Spülen mit entionisiertem Wasser,
1 Minute Eintauchen in eine Lösung von 0,1 mg Palladiumchlorid in 1 Liter entionisiertem Wasser und 3,5 ml konzentrierter Salzsäure und
1 Minute Spülen mit entionisiertem Wasser.
1 Minute Eintauchen in eine Lösung von 0,1 g Zinn(II)-chlorid und 0,1 ml konzentrierter Salzsäure in 1 Liter entionisiertem Wasser,
1 Minute Spülen mit entionisiertem Wasser,
1 Minute Eintauchen in eine Lösung von 1 g Silbernitrat in 1 Liter entionisiertem Wasser,
1 Minute Spülen mit entionisiertem Wasser,
1 Minute Eintauchen in eine Lösung von 0,1 mg Palladiumchlorid in 1 Liter entionisiertem Wasser und 3,5 ml konzentrierter Salzsäure und
1 Minute Spülen mit entionisiertem Wasser.
Die mit Palladium aktivierte Glasoberfläche wird dann bei einer
Temperatur von 80°C in einer Lösung folgender Zusammensetzung
verstärkt:
65 mlentionisiertes Wasser
8 gNatriumhydroxid
10 gNatriumhypophosphit
35 mlder Lösung A nach Beispiel 1.
Auf der katalysierten Glasoberfläche scheidet sich 52 mg Zinn
ab.
Eine wässerige Lösung der Zusammensetzung
120 gtertiäres Natriumcitrat
140 mlentionisiertes Wasser
40 gZinn(II)-chlorid
1,6 gNatriumhydroxid
wird an der Luft hergestellt und gelagert. Von dieser Lösung
wird 35 ml einer Lösung der folgenden Zusammensetzung zugesetzt:
5 gKaliumfluorid
65 mlentionisiertes Wasser
19 gNatriumhypophosphit.
Obgleich ein gewisser Niederschlag gebildet wird, wird die
nun erhaltene Lösung bei einer Temperatur von 83°C zur Verzinnung
von Kupferfolie und einem selektiv angebrachten
Kupfermuster verwendet, das durch stromlose Verkupferung auf
einem Substrat aus einem Epoxidharz mit einer oberen Schicht
aus Titandioxidkörnern, dispergiert in einem Epoxidkleber,
erhalten wird. Nach 5 Stunden hat sich auf der Kupferfolie
mit einem Flächeninhalt von 15 cm2 42,3 mg Zinn abgeschieden,
während das selektive Kupfermuster ohne irgendwelche Schleierbildung
mit einer schönen Zinnschicht versehen worden ist.
Ein selektiv angebrachtes Kupfermuster, das durch stromlose
Verkupferung auf einem Substrat aus einem Epoxidharz mit
einer oberen Schicht aus Titandioxidkörnern, dispergiert in
einem Epoxidkleber, erhalten worden ist, wird bei einer Temperatur
von 83°C mit einer Lösung der folgenden Zusammensetzung
behandelt:
50 mlWasser
50 mgÄthylenglykol
15 gZinn(II)-chlorid
14 gNatriumhydroxid
10 gNatriumhypophosphit
500 mgZinn(IV)-chlorid.
Innerhalb 30 Minuten hat sich eine gleichmäßige Zinnschicht
auf dem Kupfermuster abgeschieden.
Statt des Äthylenglykols kann auch Glycerin oder ein Polyäthylenglykol
mit einem Molekulargewicht von 285 bis 315
verwendet werden.
Eine mit SiC einseitig aufgerauhte Glasplatte mit einem
Flächeninhalt von 5 cm2 wird auf die im Beispiel 4 beschriebene
Weise bekeimt. Diese aktivierte Glasoberfläche wird zusammen
mit einer Kupferfolie mit einem Flächeninhalt von 9 cm2
bei einer Temperatur von 80°C mit einer Lösung der nachstehenden
Zusammensetzung behandelt:
8 gNatriumhydroxid
90 mlentionisiertes Wasser
10 gNatriumhypophosphit
5 gZinn(II)-fluorid.
Nach etwa 2 Stunden haben sich auf der Glasoberfläche 9,6 mg
Zinn und auf der Kupferfolie 15 mg Zinn abgeschieden. Die
verzinnte Kupferfolie weist eine glänzende Oberfläche auf
und läßt sich gut verlöten.
Claims (6)
1. Bad zum stromlosen Abscheiden von Zinn auf einer
katalytischen Oberfläche, bestehend aus einer Lösung, die ein
Zinn(II-)Salz in stark alkalischem Milieu enthält,
dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung mindestens 0,20 Mol/l
zweiwertiges Zinn enthält.
2. Bad nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß es als Komplexbildner für Zinn(II-)
Ionen Kalium- oder Natriumsalze von Carbonsäuren enthält.
3. Bad nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß es Glykole, Glycerin oder Polyäthylenglykole
enthält.
4. Bad nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß es Zinn(IV)-Ionen in einer Konzentration
von 0,005 bis 0,03 Mol/l enthält.
5. Bad nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß es mindestens 0,1 Mol/l eines starken
Reduktionsmittels, wie ein Hypophosphit oder ein Borazan,
enthält.
6. Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Zinn auf
einer katalytischen Oberfläche unter Anwendung eines Bades nach
einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß das Bad bei einer Temperatur zwischen
60 und 95°C, vorzugsweise zwischen 75 und 90°C, angewendet
wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7811816,A NL184695C (nl) | 1978-12-04 | 1978-12-04 | Bad voor het stroomloos neerslaan van tin op substraten. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2947821A1 DE2947821A1 (de) | 1980-06-19 |
DE2947821C2 true DE2947821C2 (de) | 1988-04-21 |
Family
ID=19831991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792947821 Granted DE2947821A1 (de) | 1978-12-04 | 1979-11-28 | Bad zum stromlosen abscheiden von zinn |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4269625A (de) |
JP (1) | JPS5579864A (de) |
AT (1) | AT364890B (de) |
CA (1) | CA1124008A (de) |
DE (1) | DE2947821A1 (de) |
ES (1) | ES8104430A1 (de) |
FI (1) | FI66026C (de) |
FR (1) | FR2443512A1 (de) |
GB (1) | GB2039534B (de) |
IT (1) | IT1126457B (de) |
NL (1) | NL184695C (de) |
SE (1) | SE445744B (de) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4508601A (en) * | 1982-09-07 | 1985-04-02 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Process for producing a thin tin and zinc plated steel sheet |
NL8403033A (nl) * | 1984-10-05 | 1986-05-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het autokatalytisch vertinnen van voorwerpen van koper of een koperlegering. |
IL85555A (en) * | 1988-02-25 | 1991-11-21 | Bromine Compounds Ltd | Method and medium for the coating of metals with tin |
NO304746B1 (no) * | 1989-05-04 | 1999-02-08 | Ad Tech Holdings Ltd | Gjenstand som motstÕr mikrobiologisk vekst bestÕende av et ikke-ledende subtrat som er belagt med et trat som er belagt medfremgangsmate for a avsette |
DE69327163T2 (de) * | 1992-06-02 | 2000-04-20 | Ibiden Co Ltd | Mit loetmetall vorbeschichtete leiterplatte und verfahren zur herstellung |
US5562950A (en) * | 1994-03-24 | 1996-10-08 | Novamax Technologies, Inc. | Tin coating composition and method |
DE19653765A1 (de) * | 1996-12-23 | 1998-06-25 | Km Europa Metal Ag | Innen verzinntes Kupferrohr und Verfahren zur Beschichtung eines Kupferrohrs |
WO2004073890A1 (en) * | 1999-04-22 | 2004-09-02 | Demaso Arthur J | Process for providing bond enhancement and an etch resist in the fabrication of printed circuit boards |
US6838114B2 (en) * | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
US6955725B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US6818249B2 (en) * | 2003-03-03 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US7335396B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
JP2005022956A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セラミックの金属化 |
US7235138B2 (en) | 2003-08-21 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces |
US7344755B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
US7422635B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
US7056806B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
US7282239B2 (en) * | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US7323231B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
US7647886B2 (en) * | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
US7906393B2 (en) * | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
US7584942B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
US7156470B1 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-02 | Wright James P | Wheel trim hub cover |
US20060237138A1 (en) * | 2005-04-26 | 2006-10-26 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for supporting microelectronic devices during plasma-based fabrication processes |
EP1793013B1 (de) * | 2005-12-05 | 2017-07-19 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metallisierung von Dielektrika |
FI123373B (fi) * | 2008-06-06 | 2013-03-15 | Outotec Oyj | Tiivistyslaite |
FI122225B (fi) | 2009-08-04 | 2011-10-14 | Outotec Oyj | Tiivistyslaite |
CN103282545B (zh) | 2010-09-03 | 2015-08-26 | Omg电子化学品有限责任公司 | 无电镍合金镀液及其沉积过程 |
CN102925878B (zh) * | 2012-10-25 | 2014-09-24 | 南京大地冷冻食品有限公司 | 一种常温化学锡镀液 |
FI124937B (fi) | 2012-12-20 | 2015-03-31 | Outotec Oyj | Tiivistyslaite |
EP2971267B1 (de) | 2013-03-15 | 2020-10-14 | United Technologies Corporation | Bimetallische verzinkungsverarbeitung zur verbesserten haftung von aluminium auf aluminiumlegierungen |
US20150101935A1 (en) | 2013-10-14 | 2015-04-16 | United Technologies Corporation | Apparatus and method for ionic liquid electroplating |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US921943A (en) * | 1907-06-27 | 1909-05-18 | Meaker Co | Process for electrically coating with tin or allied metals. |
CH284092A (de) * | 1950-03-16 | 1952-07-15 | Braunschweiger Huettenwerk Ges | Verfahren zum Verzinnen der Lauffläche von Lagerschalen oder Lagerbüchsen. |
US2822325A (en) * | 1955-02-11 | 1958-02-04 | Metal & Thermit Corp | Process of, and composition for cleaning and tinning |
US3072498A (en) * | 1961-02-28 | 1963-01-08 | Texaco Inc | Method of tin plating copper |
US3274021A (en) * | 1962-04-27 | 1966-09-20 | M & T Chemicals Inc | Stannate coating bath and method of coating aluminum with tin |
US3403035A (en) * | 1964-06-24 | 1968-09-24 | Process Res Company | Process for stabilizing autocatalytic metal plating solutions |
US3637386A (en) * | 1967-05-02 | 1972-01-25 | Philips Corp | Metallizing solution for intensifying layers of metallic, imaged nuclei |
US3616291A (en) * | 1969-09-16 | 1971-10-26 | Vulcan Materials Co | Stannous solutions containing hydroxy carboxylic acid ions their preparation and their use in plating tin on conductive surfaces particularly on aluminum |
US3870526A (en) * | 1973-09-20 | 1975-03-11 | Us Army | Electroless deposition of copper and copper-tin alloys |
JPS54141341A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Shinko Electric Ind Co | Nonelectrolytic tin plating solution |
-
1978
- 1978-12-04 NL NLAANVRAGE7811816,A patent/NL184695C/xx not_active IP Right Cessation
-
1979
- 1979-09-28 FR FR7924249A patent/FR2443512A1/fr active Granted
- 1979-11-13 US US06/093,484 patent/US4269625A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-11-27 CA CA340,706A patent/CA1124008A/en not_active Expired
- 1979-11-28 DE DE19792947821 patent/DE2947821A1/de active Granted
- 1979-11-30 FI FI793761A patent/FI66026C/fi not_active IP Right Cessation
- 1979-11-30 AT AT0761579A patent/AT364890B/de not_active IP Right Cessation
- 1979-11-30 IT IT27764/79A patent/IT1126457B/it active
- 1979-11-30 GB GB7941506A patent/GB2039534B/en not_active Expired
- 1979-11-30 SE SE7909906A patent/SE445744B/sv not_active IP Right Cessation
- 1979-12-01 JP JP15500079A patent/JPS5579864A/ja active Granted
- 1979-12-01 ES ES486519A patent/ES8104430A1/es not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2443512B1 (de) | 1983-11-25 |
SE445744B (sv) | 1986-07-14 |
NL7811816A (nl) | 1980-06-06 |
FI66026C (fi) | 1984-08-10 |
SE7909906L (sv) | 1980-06-05 |
IT7927764A0 (it) | 1979-11-30 |
FI793761A (fi) | 1980-06-05 |
AT364890B (de) | 1981-11-25 |
FR2443512A1 (fr) | 1980-07-04 |
IT1126457B (it) | 1986-05-21 |
ES486519A0 (es) | 1981-04-16 |
NL184695C (nl) | 1989-10-02 |
US4269625A (en) | 1981-05-26 |
ES8104430A1 (es) | 1981-04-16 |
FI66026B (fi) | 1984-04-30 |
GB2039534A (en) | 1980-08-13 |
DE2947821A1 (de) | 1980-06-19 |
ATA761579A (de) | 1981-04-15 |
GB2039534B (en) | 1983-04-13 |
NL184695B (nl) | 1989-05-01 |
JPS629670B2 (de) | 1987-03-02 |
CA1124008A (en) | 1982-05-25 |
JPS5579864A (en) | 1980-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2947821C2 (de) | ||
DE2630151C2 (de) | ||
AT271127B (de) | Verfahren und Bad zur Herstellung eines Iridiumüberzuges | |
DE2738151C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von beschichtetem Stahlblech | |
DE3002166A1 (de) | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungsplatten | |
DE889099C (de) | Verfahren und Bad zum UEberziehen von Gegenstaenden aus Aluminium und Aluminiumlegierungen | |
DE2014285B2 (de) | Verfahren fuer die vorbereitung von aluminium oder aluminiumlegierungsflaechen zur stromlosen vernickelung | |
DE2017327A1 (de) | Verfahren zur Beschichtung von Metall | |
DE2928699C2 (de) | ||
DE2659680C2 (de) | Verfahren zum Aktivieren von Oberflächen | |
DE2635245C2 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Indiumoxidmuster auf einem isolierenden Träger und ihre Verwendung | |
DE2555257A1 (de) | Katalysatorloesung | |
DE2917019C2 (de) | Verfahren zur Metallisierung von Verbundmaterial und dazu geeignete Badzusammensetzung | |
CH660883A5 (de) | Thallium enthaltendes mittel zum abloesen von palladium. | |
DE2257378B2 (de) | Verfahren und Mittel zur Vorbehandlung von stromlos zu metallisierenden, nichtleitenden Trägeroberflächen | |
DE1255434B (de) | Verfahren zum stromlosen Abscheiden von UEberzuegen aus Zinn auf Gegenstaende aus Blei oder einer Bleilegierung | |
DE633091C (de) | Verfahren zur Vorbehandlung von Aluminium und Aluminiumlegierungen zwecks Aufbringung von galvanischen Niederschlaegen | |
DE2414650B2 (de) | Stromlos arbeitendes wässriges Verkupferungsbad | |
DE2000410C3 (de) | Ruthenium enthaltende Elektrolytlösung und ihre Herstellung | |
DE2448148C3 (de) | ||
DE692124C (de) | Verfahren zur elektrolytischen Oxydation von Eisen und Stahl | |
DE2330619C3 (de) | 16.09.72 Japan 47-94826 Wäßriges galvanisches Bad und Verfahren zum Abscheiden von Silberlegierungen | |
DE1446224B2 (de) | Saure waessrige loesung zum sensibilisieren von oberflaechen zur anschliessenden stromlosen metallabscheidung | |
CH680449A5 (de) | ||
DE1796217C2 (de) | Zyanidfreies, Natriumzinkat enthaltendes Glanzzinkbad |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |