DE2635245C2 - Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Indiumoxidmuster auf einem isolierenden Träger und ihre Verwendung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Indiumoxidmuster auf einem isolierenden Träger und ihre VerwendungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender, im wesentlichen aus
Indiumoxid bestehender Muster auf isolierenden Trägern nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und auf
eine Verwendung derartiger Muster als Elektroden.
Diese durchsichtigen Muster finden in elektrochro-■uien
Wiedergabepaneeten und in mit einer Flüssigkristallschicht
versehenen Wiedergabepaneelen Anwcndung, wie sie u. a. in den US-PS 34 51 741 bzw. 33 22 485
beschrieben sind. Die leitenden Schichten können aus nichtdotiertem Indiumoxid oder aus Indiumoxid bestehen,
das zur Einstellung eines bestimmten Oberflächen-Widerstandes mit einem anderen Oxid. z. B. SnO? oder
Sb2Oj, dotiert ist. Die Schichten können auf einem
durchsichtigen Substrat durch Hydrolyse oder Pyrolyse von Verbindungen der genannten Metalle, durch
Aufdampfen oder durch Kathodenzerstäubung angebracht werden. Das gewünschte Muster kann dann
durch Phoioätzen unter Verwendung eines Photolacks erhalten werden, wobei das sich außerhalb des
gewünschten Musters befindende Oxidmaterial von dem Substrat entfernt wird.
Als Ätzbad kann eine wässerige Lösung von Chlorwasserstoffsäure (37%; Ätzzeit etwa 39 Minuten
bei Zimmertemperatur) verwendet werden. Hierbei ergibt sich der Nachteil, daß dieses Bad beim Ätzen von
Indiumoxidschichten auf z. B. Glas oft nach kurzer Zeit
passiviert wird, d.h, daß die Ätzgeschwindigkeit allmählich niedriger wird, bis keine Reaktion mehr
auftritt, wobei die Säurekonzentration des Bades kaum niedriger geworden ist
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender, im
wesentlichen aus Indiumoxid bestehender Muster auf isolierenden Trägern zu schaffen, das die genannten
Nachteile nicht aufweist so daß eine Passivierung gar nicht erst auftritt und bei welchem ό>
erreichbare Ätzgeschwindigkeit erheblich weniger abhängig ist von der Art und Weise, wie das Indiumoxid aufgebracht
wurde, als bei der bekannten Ätzlösung.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Bad neben gelöster Säure Ferrichlorid in einer
Menge zwischen 0,01 Mol/l und der Sättigungskonzentration enthält.
Ein Bad, das 37 Gew.-% HCI enthält und in dem pro Liter 30 g FeCIj gelöst ist entfernt bei Zimmertemperatur
eine In2O3-Schicht mit einer Dicke von 0,1 μιη in
15 Minuten. Das Bad behält seine Wirksamkeit bei einer
Vielzahl von Eintauchbehandlungen von Trägern, von denen das Indiumoxid entfernt werden muß.
Auf gleiche Weise verhält sich ein Ätzbad mit 18 Gew.-% HCI, in dem pro Liter 53 g FeCI3 (0,"7 Mol)
gelöst ist Dieses Ätzbad entfernt bei 45°C eine 0,1 μπι
dicke li|2O3-Schicht in etwa 10 Minuten.
Ein Ätzbad mit l8Gew.-% HCl und 66 g/l FeCI3
entfernt bei 45°C eine 0,1 μιτι dicke Indiumoxidschicht
in I^ bis 8 Minuten, je nach der Art und der Konzentration der Dotierung und dem Anbringungsverfahren
der Schicht.
Ein auf 45° C erhitztes Bad, das fediglich 18 Gew.-%
HCI enthält, entfernt zwar ebenfalls in etwa 8 Minuten eine 0,1 μπι dicke In2O3-Schicht, aber dieses Bad ist nach
dem Ätzen nur einer einzigen Probe durch Passivierung bereits völlig unwirksam.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender, im wesentlichen aus Indiumoxid bestehender Muster
auf isolierenden Trägern, bei dem auf dem Träger > zunächst eine gleichmäßige, mindestens zu
80 Mol.-% aus Indiumoxid bestehende Schicht angebracht, die Schicht mit einem gegen Ätzmittel
beständigen Oberzug gemäß dem Negativ des gewünschten Musters versehen, die unüberzogene in
Schicht durch Lösen in einem säurehaltigen Bad entfernt und auch der gegen Ätzmittel beständige
Oberzug entfernt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß das Bad neben gelöster Säure Ferrichlorid in einer Menge zwischen 0,01 Mol/l und
der Sättigungskonzentration enthält
2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet,
daß das Bad aus einer Lösung von HCl in Wasser besteht, die pro Liter 66 g FeCb enthält
3. Verwendung eines nach dem Verfahren gemäß den Ansprüchen I oder 2 hergestellten elektrisch
leitenden, im wesentlichen aus Indiumoxid bestehenden Musters als Elektrode.
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