DE2944029A1 - Verfahren zur herstellung eines sinterkoerpers aus keramikmasse fuer einen spannungsabhaengigen widerstand - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines sinterkoerpers aus keramikmasse fuer einen spannungsabhaengigen widerstandInfo
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Description
.3- 29AA029
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
eines Sinterkörpers aus einer Keramikmasse für einen spannungsabhängigen Widerstand. Die Masse umfaßt eine
Hauptkomponente an Zinkoxid und eine geringere Komponente an einem Übergangsmetall, wie Co, Mn, Ni, oder einer Erdalkalikomponente
oder einer Seltenerdkomponente usw.. Im einzelnen betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung
eines Sinterkörpers aus einer Keramikmasse für einen nichtlinearen Widerstand, der eine bemerkenswert große Spannungsabhängigkeit und große Entladekapazität aufweist.
Die Verwendung von Halbleitern und Halbleiterschaltungen in
Meßinstrumenten, Steuereinrichtungen, Übertragungseinrichtungen und Stromquelleninstrumenten hat in letzter Zeit
wegen der bemerkenswerten Entwicklung von Halbleitern und Halbleiterschaltungen, wie Thyristoren, Transistoren und
IC oder dergl., zugenommen. Die Entwicklung hat dazu geführt, daß eine Miniaturisierung und hohe Funktionsfähigkeit dieser
Instrumente erreicht wurde. Andererseits hat die Entwicklung von Stehspannung, Stoßspannungswiderstand und Rauschwiderstand
bei diesen Instrumenten mit der allgemeinen Entwicklung derselben nicht Schritt gehalten. Es ist daher wichtig, derartige
Einrichtungen und ihre Teile gegen abnorme Spannungsstöße oder abnormes Rauschen zu schützen oder die Spannungen
bei diesen Schaltungen zu stabilisieren.
Es besteht daher ein Bedarf, wirtschaftliche Substanzen zu entwickeln, aus denen spannungsabhängige Widerstände hergestellt
werden können, welche ausgezeichnete Nlchtlinearität
bezüglich der Spannung und ausgezeichnete Ladekapazität aufweisen und sich durch eine lange Lebensdauer auszeichnen.
Für die genannten Zwecke sind als spannungsabhängige Widerstände (die auch als Varistoren bezeichnet werden) beispielsweise
SiC-Varistoren und Si-Diodenvarietoren sowie Zener-
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dioden verwendet worden. Kürzlich sind Varistoren vorgeschlagen worden, die eine Hauptkomponente Zinkoxid und
ein Additiv umfassen.
Die Stromspannungscharakteristik eines Varistors wird im allgemeinen durch die folgende Gleichung dargestellt:
wobei V eine an den Varistor anliegende Spannung bezeichnet, I den durch den Varistor fließenden Strom angibt und C
eine Konstante bezeichnet, die von der Spannung abhängt, wenn der Strom fließt. Der Exponent α kann durch folgende Gleichung
dargestellt werden:
wobei V1 und V2 jeweils bei Fließen des Stroms I1 oder I2
anliegende Spannungen bezeichnen.
Ein Widerstand mit α = 1 ist ein Ohmscher-Widerstand. Mit
größerem α-Wert nimmt die Nichtllnearität zu. Im allgemeinen
wird ein möglichst großer α-Wert angestrebt. Der optimale C-Wert hängt von der Verwendung des Varistors ab, und es ist
vorteilhaft, einen Sinterkörper aus einer Keramikmasse zu schaffen, weil dabei der C-Wert leicht in einem weiten Bereich
eingestellt werden kann. Es wird also vorteilhafterweise eine Substanz verwendet, mit der leicht ein C-Wert
in einem breiten Bereich erhalten werden kann.
Herkömmliche Siliciumcarbid-Varistoren können erhalten werden,
indem man Siliciumcarbidpulver zusammen mit einem keramischen Bindematerial sintert. Die Nichtlinearität der SiIiciumcarbid-Varistoren
hängt von der Spannungsabhängigkeit des Kontaktwiderstands zwischen den Siliciumcarbid-Körnern
ab. Folglich kann der C-Wert des Varistors eingestellt wer-
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den, indem man die Dicke in Richtung des Stromflusses durch
den Varistor variiert. Der nichtlineare Exponent α ist jedoch relativ klein, beispielsweise 3 bis 7« Außerdem ist es
notwendig, das Material in einer nlchtoxidierenden Atmosphäre zu sintern. Die Nichtlinearität des Siliciumvaristors
hängt andererseits von dem p-n-Ubergang des Siliciums ab, und es ist daher unmöglich, den C-Wert in einem breiten Bereich
einzustellen.
Die Nichtlinearität bei dem Zenerdioden-Varistor hängt ebenfalls von dem p-n-übergang des Siliciums ab. Die Spannungsabhängigkeit ist folglich bemerkenswert groß, es ist jedoch
schwierig, Elemente für hohe Spannung herzustellen. Außerdem ist die Entladekapazität gering und die Standfestigkeit gegenüber
Spannungsstoß ungünstigerweise schwach.
In jüngster Zeit sind Varistoren entwickelt und praktisch angewendet
worden, die eine Hauptkomponente aus Zinkoxiden und eine geringere Komponente aus übergangsmetallen, wie
Kobalt, Mangan und Nickel, umfassen. Bei diesen Varistoren wird die Nichtlinearität durch den Sinterkörper selbst bewirkt,
und der Index α ist größer als 30. Die Entladekapazität ist jedoch nicht immer zufriedenstellend, um den bezweckten
Schutz der Schaltung oder des Elements zu gewährleisten. Das Anwendungsgebiet derartiger Varistoren 1st
daher begrenzt.
Es ist vorgeschlagen worden, die Entladekapazität dadurch zu verbessern, daß man ein gesintertes Produkt mit einem glasartigen
Material beschichtet und es bei hoher Temperatur hitzebehandelt, um es zu verteilen. Dieses Verfahren weist
jedoch folgende Nachteile auf.
(1) Die Arbeitsgänge bei der Herstellung nehmen zu, wodurch sich die Herstellungskosten erhöhen;
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(2) die Massenfertigung kann nicht leicht ausgeführt werden, weil die Teile nach dem Beschichten mit dem glasartigen
Material leicht durch das glasartige Material miteinander verklebt werden; und
(3) die Diffusion des Glases wird in hohem Maße von der Temperaturverteilung in dem Ofen beeinflußt, wodurch es
schwierig ist, Produkte mit einheitlicher Charakteristik bei geringem Ausschußverhältnis herzustellen.
Die Kosten der Teile sind daher bemerkenswert hoch, und Teile, die eine hohe Entladekapazität aufweisen, sind bisher ungünstigerweise
nicht marktfähig.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, die Nachteile der herkömmlichen
Zinkoxidtyp-Varistoren zu überwinden. Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, die Entladekapazität der Varistoren
um das Mehrfache zu verbessern,ohne zusätzliche Schritte bei der Herstellung zu benötigen.
Die erfindungsgemäßen Aufgaben werden dadurch gelöst, daß man ein Verfahren zur Herstellung eines Sinterkörpers aus einer
Keramikmasse für einen spannungsabhängigen Widerstand schafft, das aus folgenden Schritten besteht: Sintern einer
geformten Oxidhalbleitermasse, die eine Hauptkomponente an Zinkoxiden und eine geringere Komponente eines Übergangsmetalls
usw. umfaßt, bei 1100 bis 14000C; Halten der Masse in einer
Inertgasatmosphäre, wie N2* Ar usw., mit einem Sauerstoffgehalt
von 0,1 bis 21 VoI-Ji, vorzugsweise 0,5 bis 10 VoI-Ji,
bei einer Temperatur, die niedriger als die Sintertemperatur ist; und daraufhin Abkühlen der Masse in einer Inertgasatmosphäre,
wie N2, Ar usw., mit einem Sauerstoffgehalt von weniger
als 0,02 Vol-96 auf eine Temperatur von 800 bis 1200°C.
Das der Herstellung einer Keramikmasse für einen spannungsabhängigen
Widerstand gemäß der vorliegenden Erfindung zu-
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grundeliegende Konzept wird durch die Fig. 1 veranschaulicht. Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es, die in
Fig. 1 gezeigten vielstufigen Sinterschritte durchzuführen. Zunächst wird die geformte Oxidhalberleitermasse bei einer
Temperatur von 1100 bis 14OO°C gesintert, wie es durch 1 gezeigt
wird. Als Atmosphäre kann bei dem Sintern Luft, eine reduzierende Atmosphäre oder eine Inertgasatmosphäre vorhanden
sein. Im zweiten Schritt wird gemäß 2 das Sinterprodukt bei einer Temperatur gehalten, die niedriger als die Sintertemperatur
ist, und zwar vorzugsweise 50 bis 250°C niedriger als die Sintertemperatur (Konstanthaltungstemperatür). Dieser
Vorgang dauert vorzugsweise 10 Minuten bis 4 Stunden und die Atmosphäre wird bei dem Punkt a in Fig. 1 gewechselt, und
zwar auf ein Inertgas, das einen Sauerstoffgehalt von 0,1 bis 21 VoI-*, vorzugsweise 0,5 bis 10 Vol-#, aufweist. Die
Konstanthaltungstemperatur liegt vorzugsweise in einem Bereich von 1000 bis 1300°C.
Das Produkt wird, wie durch 3 gezeigt, abgekühlt.-An dem
Punkt b während des Abkühlens wird die Atmosphäre auf Inertgasatmosphäre
umgestellt, die einen Sauerstoffgehalt von weniger als 0,02 Vol-# aufweist. Die Temperatur bei dem
Wechseln der Atmosphären liegt vorzugsweise in einem Bereich von 800 bis 1200°C. Der Abkühlungsschritt 3 kann als Tempern
oder als Abschrecken durchgeführt werden. Nach dem Abkühlen auf weniger als 7000C kann die Inertgasatmosphäre gegebenenfalls
durch Luft ersetzt werden.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die geformte Oxidhalbleitermasse,
umfassend eine Hauptkomponente an Zinkoxiden und eine geringere Komponente an übergangsmetallen usw.,
mittels eines spezifischen, mehrschrittigen Verfahrens gesintert. Dabei kann eine Entladekapazität von z. B. mehr als
8000 A/cm3 erhalten werden, was mit dem herkömmlichen Sinterverfahren
nicht möglich ist. Die Entladekapazität bedeutet
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einen maximalen Stromfluß, der vor Und nach Beaufschlagung mit einem Impulsstrom in Wellenform von 8 χ 20/usec eine Veränderung
von Vq 1 (Spannung bei einem Stromfluß von 0,1 mA)
von weniger als 1096 aufweist.
Die Bestandteile (Komponenten) der geformten Oxidhalbleitor
masse sind in den US-PSen 4 077 915 und 4 I60 748 der Anmelderin
beschrieben.
Die Hauptkomponente ist Zinkoxid. Die Nebenbestandteile können Ubergangsmetallkomponenten, Erdalkalimetallkomponenten
und Seltenerdkomponenten sein. Der Gehalt der Übergangsmetallkomponenten,
wie z. B. Ni, Mn oder Co, liegt vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 20 Mol-96 als MO (M » Über gang sme tall).
Der Gehalt an Erdalkalimetallkomponente, wie z.B. Ca, Mg, Ba oder Sr, liegt vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 5 Mol-96
als M1O (M1 = Erdalkalimetall). Der Gehalt an der Seltenerdmetallkomponente
liegt im Bereich von 0,01 bis 5 Mol-96 als R2°3 (R = Seltenerdmeta:iL1) ·
Bei den folgenden Beispielen wird die Stufe des Aufsaugens (Eindringens) 2 in einem Schritt durchgeführt. Das Aufsaugen
2 kann jedoch auch in zwei oder mehreren Schritten bei Eindringtemperaturen, wie 1200 und 1100°C, durchgeführt werden.
Der erfindungsgemäße Effekt ist bei dem mehrstufigen Verfahren weiterhin bemerkbar.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen und Vergleichsbeispielen näher erläutert.
Beispiel 1
Die Rohmaterialien der Oxide werden gemäß den in Tabelle 1 zusammengestellten Mengen eingewogen und in einer Naßkugelmühle
20 h vermischt. Die Mischung wird getrocknet und bei
0 3 ·■; 0 2 7 / 0 5 8
29U029
700 bis 12000C calciniert. Dann wird sie in einer Naßkug«lmlihle
pulverisiert und wiederum getrocknet und mit Polyvinylalkohol als Bindemittel versetzt. Die Mischung wird
granuliert und mittels eines Preßformverfahrens zu einer Scheibe alt einem Durchmesser von 16 mm und einer Dicke von
1,2 mn verformt.
Der Formkörper wird 2 h bei 13200C gesintert. Das Sinterprodukt
wird dann 2 h in der Inertgasatmosphäre gehalten, die gemäß Tabelle 2 unterschiedliche Sauerstoffgehalte aufweist,
und zwar bei einer Temperatur, die geringer als die Sintertemperatur (12OO°C) ist. Das Produkt wird abgekühlt.
Bei Erreichen von 900°C wird die Atmosphäre gewechselt, und zwar auf eine Inertgasatmosphäre, die einen Sauerstoffgehalt
von weniger als 0,02 VoI-Jt aufweist. Das Produkt wird weiterhin
bis auf Zimmertemperatur abgekühlt. An beide Selten des Sinterkörpers wird Jeweils eine Elektrode angeschlossen, und
es werden die StromspannungscharakterlstikaCa) und die Entladekapazitäten
gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt.
MoI-*
ZnO | CoO | Gd2O3 | BaO | Al2O3 |
87,4 | 11 | 0,5 | 1,0 | 0,1 |
Nr. Atmosphären-Beibehaltungs- zität stufe (%)
11 40 7000
2 5 50 6000
3 10 60 4000
4 keiner 40 900
Nr. 4: Vergleichsbeispiel - Der Formkörper wurde 2 h bei 13200C gesintert und abgekühlt.
Ο3Γ027/0584
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Wie aus Tabelle 2 deutlich wird, weisen die erfindungsgemäßen
Proben Nr. 1 bis 3 eine überlegene Entladekapazität gegenüber der Probe Nr. 4 auf, welche in Luft gesintert wurde.
Bei dem Beispiel 1st als Ubergangsmetallkomponente eine Kobaltverbindung
einverleibt. Jedoch werden die gleichen Ergebnisse auch erhalten durch Einverleiben einer Nickel- oder
Manganverbindung anstelle der Kobaltverbindung.
In dem Beispiel ist als Seltenerdmetallkomponente eine Gadoliniumverbindung
einverleibt. Man erhält jedoch die gleichen Ergebnisse auch durch Einverleiben einer Lanthan-, Praseodym-,
Neodym-, Samarium-, Europium-, Dysprosium-, Terbium-, Holmium-, Erbium-, Thulium-, Ytterbium- oder Lutetiumverbindung
anstelle der Gadoliniumverbindung. Als Erdalkalimetallkomponente ist in dem Beispiel eine Bariumverbindung einverleibt.
Die gleichen Ergebnisse werden jedoch auch erhalten, wenn man eine Calcium- oder Strontiumverbindung anstelle der Bariumverbindung
einverleibt.
Der gesinterte Formkörper von Beispiel 1 wird bei einer Konstanthal
tungstemperatür von 1CX)O bis 13000C gehalten, wobei
Varistoren erhalten werden. Deren Entladekapazitäten werden gemessen und in Flg. 2 dargestellt. Das Sintern wird
2 h bei 1320°C wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die Atmosphäre
in dem Konstanthaltungsschritt weist einen Sauerstoffgehalt
von 5% auf. Wie aus Fig. 2 deutlich wird, hängt die Entladekapazität in hohem Maße von der Kons tanthaltungs temperatur ab.
Wie oben beschrieben, besteht die Erfindung darin, die Entladekapazität
eines spannungsabhängigen Widerstands, der eine Hauptkomponente an Zinkoxid aufweist, bemerkenswert zu verbessern.
Die Verbesserung wird dadurch erreicht, daß man die Temperatur und die Atmosphäre währen«? des Sintems in
mehreren Schritten ändert.
0027/0584
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung eines Sinterkörpers aus
Keramikmasse für einen spannungsabhängigen Widerstand, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Oxidhalbleitermasse, umfassend
eine Hauptkomponente an Zinkoxid und eine geringere Komponente, bei 1100 bis 1AOO0C sintert; daraufhin eine InertgasatmoSphäre
mit einem Sauerstoffgehalt von 0,1 bis 21 Vol-56 während einer spezifischen Zeit auf den Sinterkörper
einwirken läßt; die Atmosphäre bei 800 bis 12000C auf eine
Inertgasatmosphäre mit einem Sauerstoffgehalt von weniger als 0,02 Vol-96 wechselt; und den Sinterkörper abkühlt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Oxidhalbleitermasse mehr als 70 MoI-Ji Zinkoxid umfaßt.
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_2_ 29Λ4029
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidhalbleitermasse eine Ubergangsmetallkomponente
umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidhalbleitermasse eine Seltenerdmetallkomponente
umfaßt.
5. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidhalbleitermasse eine Erdalkalimetallkomponente
umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Sauerstoffgehalt in der Inertgasatmosphäre im Bereich von 0,5 bis 10 Vol-# liegt.
7. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Ubergangsmetallkomponente im Bereich von
0,1 bis 20 Mo1-% als MO (M = Übergangsmetall) liegt.
8. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Gehalt an der Seltenerdmetallkomponente im Bereich von 0,01 bis 5 Mol-% als R9O, (R = Seltenerdmetall) liegt.
9. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Erdalkalimetallkomponente im Bereich von
0,1 bis 5 Mol-96 als MO (M1 = Erdalkalimetall) liegt.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das Einwirken in zwei oder mehr Schritten durchfuhrt.
03Ü027/058A
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53161384A JPS5823722B2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | 電圧非直線性抵抗体磁器の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2944029A1 true DE2944029A1 (de) | 1980-07-03 |
DE2944029C2 DE2944029C2 (de) | 1988-04-14 |
Family
ID=15734058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792944029 Granted DE2944029A1 (de) | 1978-12-25 | 1979-10-31 | Verfahren zur herstellung eines sinterkoerpers aus keramikmasse fuer einen spannungsabhaengigen widerstand |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4254070A (de) |
JP (1) | JPS5823722B2 (de) |
DE (1) | DE2944029A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3916630A1 (de) * | 1989-05-22 | 1990-11-29 | Siemens Ag | Verfahren zur entbinderung von presskoerpern, bestehend aus feingemahlenen oxidkeramischen werkstoffen, denen organische bestandteile zugesetzt sind |
US7633374B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-12-15 | Epcos Ag | Positive temperature coefficient (PTC) component and method for the production thereof |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4338223A (en) * | 1979-05-30 | 1982-07-06 | Marcon Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a voltage-nonlinear resistor |
US4386021A (en) * | 1979-11-27 | 1983-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent resistor and method of making the same |
US4474718A (en) * | 1981-07-27 | 1984-10-02 | Electric Power Research Institute | Method of fabricating non-linear voltage limiting device |
US4472296A (en) * | 1982-06-21 | 1984-09-18 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Bulk, polycrystalline switching materials for threshold and/or memory switching |
DE3231546C2 (de) * | 1982-08-25 | 1985-01-10 | Dentsply International Inc., York, Pa. | Verfahren und Vorrichtung zum Brennen dentaler, metallkeramischer Gegenstände |
GB8326982D0 (en) * | 1983-10-08 | 1983-11-09 | Plessey Co Plc | Atmospheric sensor |
JPS60128022A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-08 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | サンル−フ用ウエザ−ストリツプ |
CA1280275C (en) * | 1985-05-08 | 1991-02-19 | Larry A. Wank | Process for densifying a ceramic part |
FR2643015B1 (fr) * | 1989-02-14 | 1991-04-19 | Air Liquide | Procede d'elaboration d'une atmosphere pour la fabrication d'elements composites a haute performance par moulage au sac |
JP3493384B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2004-02-03 | Tdk株式会社 | 電圧非直線性抵抗素子およびその製造方法 |
JPH07320908A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Tdk Corp | 酸化亜鉛系バリスタの製造方法および酸化亜鉛系バリスタ |
JP4840168B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4077915A (en) * | 1975-09-18 | 1978-03-07 | Tdk Electronics Co., Ltd. | Non-linear resistor |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL108198C (de) * | 1954-03-12 | |||
US3585261A (en) * | 1968-09-12 | 1971-06-15 | Ampex | Producing hot pressed ferrites utilizing thoria as a parting compound |
US3953371A (en) * | 1973-11-12 | 1976-04-27 | General Electric Company | Controlled grain size metal oxide varistor and process for making |
JPS5320318B2 (de) * | 1973-12-20 | 1978-06-26 | ||
US4094061A (en) * | 1975-11-12 | 1978-06-13 | Westinghouse Electric Corp. | Method of producing homogeneous sintered ZnO non-linear resistors |
US4142996A (en) * | 1977-10-25 | 1979-03-06 | General Electric Company | Method of making homogenous metal oxide varistor powders |
-
1978
- 1978-12-25 JP JP53161384A patent/JPS5823722B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-10-30 US US06/089,401 patent/US4254070A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-10-31 DE DE19792944029 patent/DE2944029A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4077915A (en) * | 1975-09-18 | 1978-03-07 | Tdk Electronics Co., Ltd. | Non-linear resistor |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3916630A1 (de) * | 1989-05-22 | 1990-11-29 | Siemens Ag | Verfahren zur entbinderung von presskoerpern, bestehend aus feingemahlenen oxidkeramischen werkstoffen, denen organische bestandteile zugesetzt sind |
US7633374B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-12-15 | Epcos Ag | Positive temperature coefficient (PTC) component and method for the production thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5823722B2 (ja) | 1983-05-17 |
DE2944029C2 (de) | 1988-04-14 |
US4254070A (en) | 1981-03-03 |
JPS5587401A (en) | 1980-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TDK CORPORATION, TOKYO, JP |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
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