DE2922010A1

DE2922010A1 - Elektronische schutzschaltung

Info

Publication number: DE2922010A1
Application number: DE19792922010
Authority: DE
Inventors: Eric Lambert Hendrik Nuver
Original assignee: Esquire Inc
Current assignee: Esquire Inc
Priority date: 1978-06-14
Filing date: 1979-05-30
Publication date: 1979-12-20
Also published as: ES481442A1; MX146567A; AU523138B2; US4213164A; IT7949394A0; AU4781879A; FR2428932A1; BE876989A; GB2023361B; CA1129495A; GB2023361A

Description

Die Erfindung betrifft Schutzschaltungen zur Verwendung mit einer normalerweise stabilen Spannungsquelle zur Versorgung eines Systems mit Hochleistungs-Gasentladungslampen, welches empfindlich ist gegen Beschädigungen durch ein auch nur kurzzeitiges Überschreiten eines Spannungs-Grenzwertes der Versorgungsspannung und das sogar die Überspannung nur einer Polarität oder Phase einer Wechselspannung wahrnimmt.

Es sind viele Sicherungen, Schaltkreisunterbrecher und ähnliches bekannt, die bei Überspannung eine hereinkommende VersorgungsSpannung abschalten, um Beeinträchtigungen einer empfindlichen elektrischen Einrichtung und/oder Schaltung zu verhindern. Diese Schutzeinrichtungen sind

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zufriedenstellend, wenn die zu schützenden Einrichtungen und Schaltkreiskomponenten selbst wenigstens für kurze Zeitspannen eine Überspannung aushalten können, ohne merkliche Beschädigungen zu erfahren, wie sie beim Anlegen von hohen Spannungen bei gleichzeitig hohen Stromwerten durch Kurzschluß verursacht werden können.

Es gibt jedoch auch Schaltkreise und Einrichtungen, die nicht einmal momentane Überspannungsbedingungen dulden können, für die daher derartige Schutzeinrichtungen und/oder Schaltungen nicht zur Verhinderung von Beschädigungen ausreichen. Es gibt viele andere Anlagen, bei denen, obwohl die geschützten Einrichtungen oder Bauteile Überspannungsstöße aushalten können, die Lebensdauer oder nachfolgende Wirkweise bis zu einem gewissen Grad beeinträchtigt wird, wenn sie einer momentanen Überspannung ausgesetzt worden sind. D. h. eine Überspannung wird nicht ihren Ausfall, aber eine Herabminderung ihrer Betriebsfähigkeit bewirken.

Eine Situation, die eine unerwartete Überspannung erzeugen kann, ist das Schließen von elektrischen Speichern, wie Kondensatoren oder Drosseln, die sich entladen oder zur unrechten Zeit einen Strom oder Spannung in die Versorgungsleitung zurückführen können, wodurch die entsprechenden Einrichtungen sogar mit einer Überspannung oder einem Überstrom gespeist werden, selbst wenn die Spannungsquelle oder Versorgungsspannung innerhalb der Grenzen bleibt. Eine Schaltung, die unter derarti-

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gen Bedingungen einen Schutz bietet, ist in der Fig. 7 der deutschen Patentanmeldung P 27 04 311.4 des gleichen Anmelders vorgeschlagen. Ein durch die Helligkeit einer lichtemittierenden Diode gesteuerter Fototransistor ist parallel zum Gleichstromausgang geschaltet und begrenzt die, an einen Triac angelegte Gate-Spannung. Diese Übertragungseinstellung ¹¹ reguliert "den Ausgang, obwohl keine Regelung des Wechselstromeingangs an der Versorgungsquelle vorhanden ist. Gegenüber Spannungen des Wechselstromeinganges ist der Schaltkreis durch die Gate-Steuerung eines anderen Triacs geschützt, der eine Spule betätigt, die so geschaltet ist, daß sie ihre Kontakte in Reihe zur Versorgungsleitung öffnen kann.

Obwohl die Versorgungsleitung bei ständiger Überspannung nicht durch den Schaltkreis unterbrochen wird, ist ihr Betrieb bei Grenzspannungsbedingungen stockend. Weiterhin erzeugt die Gleichspannungszeitschaltverbindung für den Fall, daß der Gleichstromausgang über einem vorbestimmten Gefahrenniveau liegt, eine Regelung, wobei jedoch nicht sichergestellt ist, daß ein plötzlicher Spannungsanstieg das Öffnen des Versorgungsschaltkreises zur Folge hat. D. h. es wird kein absoluter Schutz erreicht.

In der durch den gleichen Anmelder am 3.6,1977 eingereichten US-Patentanmeldung 803 365 ist ein Schaltkreis zur Wahrnehmung von Überspannungen bei Wechselstrom beschrieben, der eine Brükkenschaltung zur ersten Umwandlung von Wechselstrom in Gleichstrom und ein Paar Fotodioden-Fototransistoren (optische Kupp-

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lung.) zum Schalten eines gate-gesteuerten Halbleiters aufweist, und damit geeignete Triggersignale zum Betätigen der Stromv.ers orgungs schalter erzeugt werden.

Obwohl sich diese Schaltung als Verbesserung der bisher bekannten Schaltungen erwiesen hat, hat die Zwischenschaltung der Brücke zu Verzögerungen bei der Feststellung von Überspannung, bevor die eigentliche Schutzschaltung anfängt, geführt. Weiterhin hat sich der Schaltkreis bis zu einem unbefriedigendem Maß als anfällig gegen Streuspannungen erwiesen. Die Gate-Isolierung zwischen den Polrichtungen hat sich alles in allem nicht als zufriedenstellend erwiesen und zwischen den Gate- und den Hauptklemmensignalen des gate-gesteuerten Halbleiters wurde eine ungenügende Isolierung festgestellt, wodurch ein gelegentlicher Ausfall der Gate-Steuerung erzeugt wurde.

Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen verbesserten elektronischen Schutzschaltkreis zu schaffen, der bezüglich der Feststellung von Überspannungen bei Wechselspannung weder eine Brücke noch eine optische Kupplung '.0 benötigt.

Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen verbesserten elektronischen Schutzschaltkreis zu schaffen, der einen gate-gesteuerten Halbleiter so verwendet, als ob Gate und Hauptklemme zueinander isoliert sind.

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Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen verbesserten elektronischen Schutzschaltkreis zu schaffen, der eine Spannungsteilerschaltung zur effektiven Aufnahme von Überspannungen einer Polrichtung verwendet, während vor der Gate-Steuerung eines Halbleiters eine langsam wirkende" Unterbrecherschaltung verwendet wird, um vorzeitige Triggerung aufgrund von Streusignalen zu verhindern.

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein elektronischer Schutzschaltkreis, der unabhängig voneinander beide Polrichtungen einer Wechselspannung, insbesondere der Versorgungsspannung einer Versorgungsquelle, und eine Gleichspannung, insbesondere die Ausgangsspannung einer Spannungsquelle, die eine Speichereinrichtung betreibt, welche die Ausgangsspannung einer Gleichspannungsversorgungsquelle beeinflussen kann, überwacht. Das Wechselspannungs-Überwachungssystem besteht aus einer Widerstandeteilerschaltung zur unabhängigen Ermittlung von Überspannungen der jeweiligen Polrichtung, wobei ein entsprechender Transistor, dessen Gate- und Hauptklemmen zueinander isoliert sind, über eine separate, für jede Polrichtung vorhandene, langsam wirkende Unterbrecherschaltung gate-gesteuert wird und die mit einer Entladungsschaltung verbunden ist, um ein Ausgangssignal zu erzeugen, wenn die entsprechende, überwachte Spannung einen vorbestimmten Wert überschreitet.

Zum besseren Verständnis der oben beschriebenen und anderer Funktionsweisen, Verbesserungen und Gegenstände der Erfindung, wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand der

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Zeichnungen, die einen Teil dieser Erfindung darstellen, beschrieben. Es wird angemerkt, daß die Zeichnungen nur eine typische Ausführungsform der Erfindung darstellen, und deshalb nicht als Begrenzung anzusehen sind, da auch andere, in gleicher Weise wirksame Ausführungsformen der Erfindung denkbar sind.

Es zeigt:

Fig. 1 das schematische Schaltbild einer Spannungsversorgung, die in Verbindung mit Triggersignalen von einer Schutzschaltung der bevorzugten Ausführungsform gemäß Fig. 2 betreibbar ist, und

Fig. 2 das schematische Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform einer Schutzschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung.

In der Fig. 1 ist der Wetzteil einer Spannungsversorgung, die durch die im nachfolgenden beschriebene Schutzeinrichtung geschützt wird, dargestellt. Grundlegend wandelt der Schaltkreis die am Eingang anliegende Wechselspannung einer Spannungsquelle, die über einen Isoliertransformator 10 angelegt sein kann, in eine gewünschte Gleichspannung, die an den Ausgang über einen Ausgangskondensator 12 angelegt wird.

Bevor die Eingangsspannung die Drossel 16, hinter der ein variabler Widerstand 20 (Varistor) die Leitungen verbindet, passiert, wird sie im Transformator 10 transformiert und weiter

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im Stufentransformator 14 erhöht. Während der Induktionszeit begrenzt die Drossel 16 den Eingangsstrom und mit dem variablen Widerstand 20 zusammen hält sie die bei der angelegten Wechselspannung möglicherweise vorhandenen Übergangsströme zurück.

Die gegeneinander gerichteten SCR 22 und 24 liegen parallel zur Wechselspannungsleitung der Stromversorgung, wobei die Kathode des SCR 22 mit der mit Y bezeichneten Leitung und die Kathode des SCR 24 mit der mit X bezeichneten Leitung verbunden ist. Das Gate des SCR 22 ist. mit der Klemme a und das Gate des SCR 24 ist mit der Klemme b verbunden, um in der im nachfolgenden beschriebenen Weise von außen getriggert zu werden. Wie jedoch zu sehen ist, werden durch das Anlegen eines Triggersignals an den SCR die Leitungen X und Y kurzgeschlossen und dadurch ein Überstrom für die Überspannungsschutzeinrichtung erzeugt, die manchmal als Überspannungsschalter oder Sicherung 26 ausgebildet sein kann, welche in der Leitung zur mittleren Klemme des Transformators 14 angeordnet ist.

Mit den Leitungen X und Y ist ein Gleichrichter in Form einer Brückenschaltung verbunden, wobei die Grundbrücke gegeneinandergerichtete Dioden 28 und 30 aufweist, die zwischen den Leitungen X und Y geschaltet sind und gegeneinander gerichtete SCR 32 und 34 vorgesehen sind, die voreinander an den Leitungen X und Y anliegen. Der Ausgang der Brückenschaltung befindet sich am gemeinsamen Verbindungspunkt der Dioden

t5 und dem gemeinsamen Verbindungspunkt der SCR. Es muß noch an-

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gemerkt werden, daß jeder SCR parallel zu einer Reihenschaltung, bestehend aus Widerstand und Kondensator zur Erzeugung einer Dämpfwirkung.,geschaltet ist. Das Gate des SCR 32 und das Gate des SCR 34· sind mit den entsprechenden Klemmen m und η verbunden. Diese Verbindungen dienen für den, durch einen äußeren Schaltkreis gesteuerten Phasenbetrieb des SCR. Eine derartige Phasensteuerung ist zum Variieren des Gleichstromausganges des gesamten Schaltkreises zweckmäßig, der an eine in gewünschter Weise geschaltete Last angelegt wird, die eine derartige Behandlung erhalten soll. Eine derartige Last kann ein Lampenschaltkreis sein. Der Ausgang ist durch die Sicherungen 36 und 38 geschützt.

Obwohl bei der Darstellung der bevorzugten Ausführungsform eine komplexe Brückenschaltung gezeigt worden ist, können andere Gleichrichter mit Brückenschaltungen, wie z. B, eine konventionelle Brücke mit vier Dioden in den abwechselnden Versorgungseinrichtungen angeordnet sein.

In der Fig. 2 ist ein Schutzschaltkreis dargestellt, der einen Triggerimpuls an eine der Klemmen a oder b bei einer festgestellten überspannung anlegt. Es wird angemerkt, daß die Schaltung wie dargestellt so geschaltet ist, daß sie ein vorbestimmtes Niveau an den Klemmen X und Y des Schaltkreises gemäß der Fig. 1 aufnimmt. Die an die Klemme Y angelegte Ver-

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sorgungswechselspannung mit einer ersten Polrichtung bewirkt, daß sich über Diode 40 am Widerstand 42 eine Spannung aufbaut und über Diode 44 die Ladung in dem Kondensator 46, wie durch die Zenerdioden 48 und 49 vorbestimmt, gespeichert wird.

An den Klemmen X und Y liegen die Widerstände 110, 112 und 114, die die Einrichtungen zur Spannungsteilung und zur Erfassung von Überspannungen für den nachfolgenden Schaltkreis darstellen. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 110 und 112 stellt einen zweckmäßigen Punkt zum Erfassen einer Überspannung mit positiver Polrichtung und der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 112 und 114 stellt einen zweckmäßigen Punkt zur Erfassung einer Überspannung mit negativer Polrichtung dar.

Deshalb sind SBS 116 und Lastwiderstand 118 in Reihe zueinander und parallel zum Widerstand 110 geschaltet. SBS 117 und Lastwiderstand 119 sind deshalb in Reihe zueinander und parallel zum Widerstand 114 geschaltet. Die Verbindung zwischen SBS 116 und Widerstand 118 ergibt die Basissteuerschaltung für den Transistor 50 und die Verbindung zwischen SBS 117 und Widerstand 119 ergibt cli^e Basissteuerschaltung für den Transistor 92.

SBS 116 und SBS 117 sind Unterbrecherhalbleitereinrichtungen, mit einer Ansprechzeit von ungefähr einer halben Mikrosekunde. Eine extrem scharfe, leicht oberhalb dem vorbestimmten Niveau zur Erzeugung der Unterbrecherleitung liegende Streuspannungsspitze bewirkt solange keine Unterbrechung als ihre Dauer nicht

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größer als eine halbe Mikrosekunde ist. Eine Spannung mit dieser Zeitdauer stellt eine aktuelle Überspannung dar, für die die Schaltung ausgelegt ist und gegen die der angelegte zu betreibende Schaltkreis zu schützen ist. Mit anderen Worten, SBS 116 und SBS 117 sind relativ langsam wirkende Bauteile.

Der Verbindungspunkt zwischen der Diode 44 und dem Kondensator 46 ist mit dem Gate des PUT 54 über die parallele Netzschaltung von Widerstand 56 und Kondensator 60, verbunden.

Der Verbindungspunkt zwischen den Zenerdioden 48 und 49 ist mit der Anode des PUT 54 verbunden. Durch diese Schaltung kann die Anode bei einer Spannung, die wesentlich niedriger als die Vorspannung des Gate ist, vorgespannt werden. Beispielsweise kann die an die Anode angelegte Vorspannung 13 V betragen, während die an das Gate angelegte Vorspannung 26 V beträgt. Auf diese Art und Weise ist jedes Störsignal an der Anode zum Ansteuern des Gate des PUT isoliert.

Wie zu sehen ist, wird, wenn eine Überspannung erfaßt ist, die ein leitend werden des Transistors 50 bewirkt, dem PUT eine Gate-Spannung zugeführt, um dessen leitend werden zu bewirken und damit eine Entladung der am Kondensator 46 gebildeten Ladung zu bewirken. Die Kathode des PUT 54 ist mit dem Gate des SCR 62 verbunden. Die Kathode des SCR 62 ist mit der Klemme b und die Anode mit dem Widerstand 64, einem Teil der Spannungsteilerschaltung mit Widerstand 66, verbunden.

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Der Verbindungspunkt der Spannungsteilerschaltung ist mit dem Kondensator 68 verbunden, der eine, mit der Leitung X verbundene Speichereinrichtung darstellt. Der Widerstand 66 ist mit der Leitung Y rückverbunden. Die Kathode des PUT 54 ist mit dem Kondensator 70 und dem Widerstand 72 zur Erzeugung einer Unempfindlichkeit gegen Störsignale verbunden und die Kathode des SCR 62 ist zum gleichen Zweck mit dem Kondensator 74 und dem Widerstand 76 verbunden.

Wie zu sehen ist, kann mit dem Anlegen einer Gate-Spannung an den SCR 62 durch den PUT 54 die Ladung des Kondensators 68 über den SCR an die Klemme b entladen werden. Weiterhin kann die Spannung,die durch die Zenerdiode 49 errichtet ist, und die an die Anode des PUT 54 angelegt wird, weiter über die Klemmen des SCR 62 ebenfalls an die Klemme b gelegt werden. Dies ist das Gesamttriggersignal, welches an die Klemme b durch den Spannungsversorgungsteil gemäß der Fig. 1 angelegt wird.

In gleicher Weise baut die entgegengesetzte Polrichtung der an den Klemmen X und Y angelegten Wechselspannung am Kondensator 84 eine, durch die Zenerdioden 96 und 98 vorbestimmte Ladung auf. Das Entladen des Kondensators 84 erfolgt von der

Zenerdiode 98 über PUT 86 und SCR 88 bei leitend werden von Transistor 92. Mit dem leitend werden von SCR 88 wird der Kondensator 94 als Hinzufügung zum an die Klemme a angelegten Triggersignal entladen. Dies ist das Triggersignal, welches an die Klemme a, des in der Fig. 1 gezeigten Versorgungsteils, angelegt wird.

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Bezüglich dem gerade beschriebenen Erfassungsschaltkreis, bewirkt ein Ausgang mit einer gegebenen Polrichtung einen Ausgang, der die Unterbrechung eines der SBS 116 oder 117 bewirkt. Eine Überspannung in beiden Polrichtungen bewirkt die Unterbrechung beider SBS 116 und 117 und das leitend werden beider entsprechender Transistoren 92 und 50. Abhängig davon, welcher der Kondensatoren 46 und 84 entladen wird, ergibt sich an einer der beiden oder beiden Klemmen b und a ein Ausgangssignal. Wenn beide Polrichtungen der erfaßten, an den Klemmen X und Y anliegenden Spannung über einen vorbestimmten Wert liegen, erhalten beide Klemmen b und a ein Ausgangstriggersignal. Wie vorstehend schon bemerkt, bewirken diese Ausgangstriggersignale eine Gate-Steuerung an den SCR 22 und 24, um die Öffnung einer Überstrome inrichtung 26 im Netzteil einer Spannungsversorgung zu bewirken.

Die Fototransistoren 52 und 90 funktionieren in bezug auf die Gate-Steuerung der entsprechenden PUT 54 und 86 auf die gleiche Weise wie die Transistoren 50 und 92. Die Triggerung dieser Fototransistoren erfolgt in Abhängigkeit von der Erfassung von Gleichspannung oder Überspannungen, wie unten beschrieben.

Die in der Fig. 2 gezeigte Schutzschaltung kann ebenfalls Gleichspannungen, die einen vorbestimmten Wert überschreiten, erfassen. Die überwachte Gleichspannung ist an die Spannungsteilerschaltung, bestehend aus den Widerständen 120 und 122,

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mit Widerstand 122 parallel zum SBS 124, Fotodiode 126 und Fotodiode 128, angelegt. Anzapfwiderstand 130 liegt über den Fotodioden 126 und 128. Die Fotodiode 126 ist so geschaltet, daß sie in Verbindung mit dem Fototransistor 52 arbeitet. Wenn daher die Gleichspannung über ein,durch den Schaltkreis gesetztes,vorbestimmtes Maß ansteigt, wird der SBS 124 leitend, was bewirkt, daß die Dioden 126 und 128 ein leitend werden der Fototransistoren 90 und 52 bewirken. Hieraus resultiert, daß ein aus den an den entsprechenden Kondensatoren 84 und 46 aufgebauten Ladungen bestehendes Triggersignal an die Klemmen a und b angelegt wird.

Es kann wünschenswert sein, die Ausgangsgleichspannung des in der Fig. 1 gezeigten Schaltkreises zu erfassen, da diese Spannung an die durch den Schaltkreis gemäß der Fig. 2 zu erfassenden Gleichspannungsklemmen angelegt wird.

Beispielsweise kann die Einschaltzeit der SCR 32 und 34, die durch die Signale, die an die entsprechenden Klemmen m und η angelegt werden, bestimmt ist, so bemessen sein, daß die Gleichstromausgangsspannung über ein gewünschtes Betriebsniveau unabhängig davon, ob die am Gesamtschaltkreis anliegende Wechselspannung angestiegen ist oder nicht, ansteigt.

Es wird weiterhin angemerkt, daß die das Aufladen der Kondensatoren 46 und 84 bewirkende Wechselspannung unabhängig von der Wechselspannung sein kann, die für den Überspannungsschutz erfaßt wird. Zweckmäßigerweise jedoch ist diese die gleiche We-

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Chselspannung wie die an die Klemmen X und Y der Fig. 1 angelegte Wechselspannung.

Obwohl die Erfindung anhand einer bestimmten Ausführungsform gezeigt und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf diese beschränkt, da diese durch den Fachmann abgeändert wird und werden kann. Beispielsweise wurde die Schaltung in Verbindung mit der Erfassung des Amplitudenwertes, der einen vorbestimmten Wert überschreitet, beschrieben. Die Schaltung kann auch zur Erfassung der Wechselgeschwindigkeit, die eine bestimmte Geschwindigkeit überschreitet verwendet werden, wie z. B. einen Zustand, der noch nicht eine große Amplitude erreicht hat, sich dieser aber zu schnell nähert. Ein derartiger vereinfachter Schaltkreis kann aus Zenerdioden bestehen, deren Kathoden miteinander verbunden sind, und deren Anoden über Kondensatoren verbunden sind. Eine schnelle Wechselgeschwindigkeit wird dann eine sehr große Amplitude erzeugen, die den vorbestimmten Erfassungswert für den Schaltkreis gemäß der Fig. 2 überschreitet, während eine normale Wechselgeschwindigkeit nicht eine derartig große Amplitudenspannung erzeugen wird.

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Claims

Patentansprüche

( 1.^Elektronische Schutzschaltung zur Erzeugung eines Triggerimpulses für einen, bei Ansteigen der Versorgungsspannung über einen vorbestimmten Amplitudenwert zu schützenden Schaltkreis, gekennzeichnet durch eine Ladungsspeicherschaltung, die auf das Speichern einer Ladung einer ersten Polrichtung einer angelegten Wechselspannung anspricht, einer Spannungsteiler- und Schalteinrichtung, die auf wenigstens eine Polrichtung der eine vorbestimmte Amplitude überschreitende Versorgungsschaltung ansprechen, und ein gate-gesteuerter Halbleiter mit der Ladungsspeicherschaltung, dem Spannungsteiler und der Schalteinrichtung so verbunden ist, daß wenn der gate-gesteuerte Halbleiter angesteuert ist, die in der LadungsSpeicherschaltung gespeicherte Ladung als nach außen gehendes Triggersignal angelegt wird.
2. Elektronische Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Ladungsspeicherschaltung eine Diode (44) aufweist; und zu dieser in Reihe und entgegengesetzt gepolt eine Zenerdiodenschaltung (48, 49) geschaltet ist, welche mit dem Gate-Kreis und dem Anodenkreis des gategesteuerten Halbleiters (54) verbunden ist, die Zenerdiodenschaltung (48, 49) eine Isolierschaltung zum Trennen des Gate-Kreises und des Anodenkreises aufweist, die Gate-Ansteuerung des gate-gesteuerten Halbleiters (54) ein weiteres Gate-Signal an den Gate-Schaltkreis anlegt, und ein nach außen gehender Triggerimpuls von dem Anodenkreis durch den Halbleiter (54) läuft, wenn der gate-gesteuerte Halbleiter angesteuert ist.
3. Elektronische Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Ladungsspeicherschaltung eine Diode (44) aufweist, zu der in Reihe und entgegengesetzt gepolt eine erste Zenerdiode (48) und eine zweite Zenerdiode (49)geschaltet sind, wobei die erste Zenerdiode (48) mit höherer Spannung mit dem Gate-Schaltkreis und die zweite Zenerdiode (49) mit dem Anodenschaltkreis des gate-gesteuerten Halbleiters (54) verbunden ist, durch das Ansteuern des gate-gesteuerten Halbleiters (54) ein weiteres Gate-Signal an den Gate-Schaltkreis angelegt wird, und ein nach außen gehendes Triggersignal vom Anodenschaltkreis durch den Halbleiter (54) geht, wenn der gate-gesteuerte Halbleiter angesteuert ist.
4. Elektronische Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Spannungsteilerschal-

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tung und die Schalteinrichtung einen ersten, zweiten und dritten Widerstand (110, 112, 114) aufweisen, die eine vorbestimmte Amplitude erster Polrichtung überschreitende Versorgungseinrichtung durch einen ersten Verbindungspunkt zwischen dem ersten und zweiten Widerstand (110 und 112) und die, eine vorbestimmte Amplitude zweiter Polrichtung überschreitende Versorgungsspannung an einem zweiten Verbindungspunkt zwischen dem zweiten und dritten Widerstand (112 und 114) erfaßt wird.
5. Elektronische Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß mit dem ersten Verbindungspunkt eine erste, langsam wirkende Halbleiter-Unterbrechereinrichtung (116) und mit dem zweiten Verbindungspunkt eine zweite, langsam wirkende Halbleiter-Unterbrechereinrichtung (117) verbunden ist.

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