DE2901735A1 - Festkoerperabbildungsvorrichtung - Google Patents
FestkoerperabbildungsvorrichtungInfo
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Description
BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf eine Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung
zur Verwendung in Fernsehkameras usw. Sie richtet sich insbesondere auf eine Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung,
welche eine Anzahl von Bildelementen sowie Horizontal- und Vertikalabtastschaltungen aufweist,
die in einem Hauptflächenbereich eines Halbleiterkörper
angeordnet sind.
Im einzelnen bezieht sie sich auf eine Festkörpervorrichtung, welche Bildelemente aufweist, bei welchen
aus Photodioden darin gespeicherte optische Information ausgelesen wird.
Eine Festkörper-Abbildungsvorrichtung zur Verwendung in einer Fernsehkamera muß ein Auflösungsvermögen besitzen,
das demjenigen einer Bildaufnahmeröhre gleichwertig ist, wie sie heute für das Fernsehen verwendet wird. Sie muß
daher ungefähr 500 χ 500 photoelektrische Wandlerelemente, Schalttransistoren für die X-Y-Adressierung, welche den
photoelektrischen Wandlerelementen entsprechen, und eine X-Abtastschaltung und eine Y-Abtastschaltung, welche die
Schalttransistoren ein- und ausschalten und jeweils aus ungefähr 500 Stufen bestehen, aufweisen. Dementsprechend
wird eine Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung üblicherweise unter Verwendung der MOS-LSI-Technologie hergestellt,
mit welcher sich vergleichsweise einfach eine hohe Integrationsdichte erreichen läßt.
Fig. 1 dient der Erläuterung der Grundzüge einer solchen
bekannten Festkörper-Abbildungsvorrichtung. In der Figur bezeichnet 1 eine Horizontalabtastschaltung für die
X-Adressierung, während 2 eine Vertikalabtastschaltung für
die Y-Adressierung bezeichnet. 3 bezeichnet einen Vertikal-
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schalttransistor, welcher durch die Schaltung 2 ein- und ausgeschaltet
wird und als Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
ausgebildet ist (im folgenden als "MOST" abgekürzt) . 4 bezeichnet eine Photodiode, welche den Sourceübergang
des Schalttransistors 3 ausnützt. Bei 5 ist eine Vertikalausgangsleitung gezeigt, an welche die Drains der
Schalttransistoren 3 gemeinsam angeschlossen sind. 6 bezeichnet einen Horizontalschalttransistor, welcher durch
die Horizontalabtastschaltung ein- und ausgeschaltet wird.
Er ist als MOST ausgebildet, dessen Drain mit einer Horizontalausgangsleitung
7 und dessen Source mit der Vertikalausgangsleitung 5 verbunden ist. Eine Video-Spannungsquelle
8 ist über einen Widerstand 9 mit der Horizontalausgangsleitung 7 verbunden. Die Horizontal- und Vertikalabtastschaltung
schalten die Schalttransistoren 6 und 3 aufeinanderfolgend ein und aus, um über den Widerstand 9 Photoströme
aus den Photodioden, die in einer zweidxmensionalen regelmäßigen Gruppierung angeordnet sind, auszulesen. Da
die Signale der Photodioden dem optischen Bi Id eines darauf projizierten Objekts entsprechen, läßt sich mit obigem
Vorgang ein Video-Signal herleiten. Ein Merkmal der Festkörper-Abbildungsvorrichtung
dieser Art besteht in einer einfachen Integration dank der Tatsache, daß die Sources
der Schalt-MOSTs für die photoelektrische Wandlung verwendet
werden können und daß die MOS-Schieberegister ebenfalls
als Abtastschaltungen verwendet werden können.
Bei der oben beschriebenen Festkörper-Abbildungsvorrichtung besteht jedoch das Problem, daß Ladungen, die durch
Photoanregung im Bereich intensiven einfallenden Lichts erzeugt werden, in die Umgebung überströmen, mit dem Ergebnis,
daß weiße Flecken, die die Diffusion wiedergeben, sich auf einem Monitor ausbreiten und daß ein vertikaler weißer
Streifen erscheint. Der weiße Fleck entspricht dem Fall,
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daß überströmende Ladungen in die angrenzende Photodiode
diffundiert sind, während der vertikale Streifen dem Fall entspricht, daß Ladungen in die Vertikalausgangsleitungen
diffundiert sind. Insbesondere der Vertikalstreifen ist ein wiedergegebenes Bild, welches im tatsächlichen optischen
Abbild nicht enthalten ist, und führt damit zu einem
unnatürlichen Eindruck. Diese Erscheinung wird allgemein als "Blooming" bezeichnet und stellt einen ernsten Umstand
dar, der die Praktikabilität dieser Festkörper-Abbildungsvorrichtung
beeinträchtigt. Beispielsweise kann die Vorrichtung nicht im Freien verwendet werden, wo die Intensität
des einfallenden Lichts hoch ist. Selbst im Inneren eines Gebäudes tritt das Blooming-Phänomen auf, wenn Metall mit
einem hohen Reflexionsfaktor, ein weißer Gegenstand usw.
aufgenommen werden. Deshalb ist das Anwendungsfeld stark eingeschränkt.
Als Ergebnis einer Messung an einem Flächensensor, der zu Versuchszwecken hergestellt worden ist j haben die
Erfinder herausgefunden, daß das Blooming auf die im folgenden
beschriebene Ursache zurückgeht. Fig. 2A zeigt eine Schnittansicht eines Bildelements, welches eine Grundeinheit
des in Fig. 1 gezeigten Aufbaus bildet. 10 bezeichnet einen Halbleiterkörper eines ersten Leitungstyps (beispielsweise
des P-Leitungstyps), in welchem die Elemente integriert sind. 11 bezeichnet einen Vertikalschalt-MOST,
welcher aus einem Isolationsfilm 12, einer Gate-Elektrode 13, einer Source 14 und einer Drain 15 aufgebaut ist.
Source und Drain sind aus Diffusionsschichten eines Fremdstoffes eines zweiten Leitungstyps (beispielsweise des
N-Leitungstyps) aufgebaut. Ein Source-übergang (NP-übergang)
wird als Photodiode verwendet. Die Drain ist mit einer Aluminium-Verbindungsleitung 16 für eine Vertikalausgangsleitung
verbunden.
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Die Fign. 2B, 2C und 2D sind zur Figur 2A gehörige Energieband-Diagramme. In den Diagrammen betrifft "C.B."
Elektronen bzw. bezeichnet ein Leitungsband, während "V.B." Löcher betrifft bzw. ein Valenzband bezeichnet.
' Wenn der Schalt-MOST 11 durch einen von der Vertikalabtastschaltung
gelieferten Impuls des Pegels "1" leitend gemacht wird F wird die Photodiode 14 durch die Video-Spannungsguelle
8 auf eine Video-Spannung Vv aufgeladen. Wenn der Impuls auf Pegel "0" zurückkehrt, wird die
Spannung der Diode, die durch die auf dem einfallenden Licht basierenden photoangeregten Ladungsträger rückwärts
vorgespannt ist, entladen. Im Anfangszustand bei Beginn der Entladung werden die Potentiale der Photodiode und der
Drain in der in Fig. 2B dargestellten Situation gehalten.
Hierbei bezeichnet V, eine eingebaute Spannung (im allgemeinen +0,8 V oder dergleichen), welche durch den Diodenübergang
ausgebildet wird. Vp /"qi>\ bezeichnet die "0"-Pegel-Spannung
des Abtastimpulses, wobei diese Spannung dem Auslege- bzw. rechnerischen Wert von 0,5 V bis 1,0 V
einer Polaritätsinverterschaltung, die den Bildabtaster
bildet, entspricht. Wenn das Potential der Photodiode um -0,5 V bis -1,0V ansteigt, wird die Diodenspannung entsprechend
der einfallenden Lichtmenge entladen und das Potential Vv» (Vv'
< Vv) der Diode (Schicht 14) nimmt ab
(Fig. 2C). Wenn die Lichtmenge weiter zunimmt, überschreitet das Diodenpotential Vv" (Vv"
< Vv') das Potential des Halbleiterkörpers (Fig. 2D) und die in der Diode erzeugten
Elektroden durchlaufen eine unter dem Gate des MOST 11 liegenden Abschnitt und fließen in die mit der
Signalausgangsleitung verbundene Drain 15.
Andererseits hält das Potential der Drain 15 einen Wert von V +Vj3-Vp ("Q") über die ganzen Zeiten hinweg,
weil eine zur Vertikalausgangsleitung mit den damit ge-
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meinsam verbundenen Drains parasitäre Kapazität mehrere
zehnmal größer als die Ladungsspeicherkapazität der Photodiode ist und während jeder Horizontalabtastdauer auf die
Video-Spannung aufgeladen wird. Dementsprechend wirkt die Drain bzw. die Vertikalausgangsleitung als Speicherkapazität,
die Ladungen absorbiert, welche als Folge des Potentialanstiegs der Diode nicht in der Diode gespeichert werden
können, und führt damit das Blooming herbei.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Festkörper-Abbildungsvorrichtung
zu schaffen, welche eine Einrichtung zur Unterdrückung des auf intensives einfallendes
Licht zurückgehenden Blooming aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Festkörper-Abbildungsvorrichtung
gelöst, welche in einer Rauptfläche eines Halbleitersubstrats eines bestimmten Leitungstyps in zwei Dimensionen angeordnete photoelektrische Wandlerelfimente,
Vertikalschalt-MOS-Feldeffekttransistoren und
Horizontalschalt-MOS-Feldeffekttransistoren, welche die
photoelektrischen Wandlerelemente auswählen, und Vertikal- und Horizontal-Abtastschaltungen, welche die Schalttransistoren
ein- und ausschalten, aufweist und dadurch gekennzeichnet ist, daß die Vertikalschalt-MOS-Feldeffekttransistoren,
welche nicht ausgewählt sind, in einen tieferen Abschaltzustand gelegt werden, das heißt, daß die Abschnitte
der Hauptfläche des Halbleitersubstrats, die unter den Gate-Elektroden dieser Vertikalschalt-MOS-Feldeffekttransistoren
liegen, auf einen Ladungsanhäufungspegel gesetzt werden.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung beschrieben.
Auf dieser ist bzw. sind
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Fig. 1 ein schematisches Schaltbild, welches den allgemeinen Aufbau einer Festkörper-Abbildungsvorrichtung
zeigt,
Fig. 2a eine Schnittansicht, welche den Aufbau eines
Bildelements (Photodiode und Vertikalschalt-MOST)
einer bekannten Festkörper-Abbildungsvorrichtung zeigt,
Fign. 2B, graphische Darstellungen von Energiebändern im
C un in Fig. 2A gezeigten Bildelement, wobei Fig. 2B
den Anfangszustand der Photodiode, Fig. 2C den
entladenen Zustand der Photodiode und Fig. 2D den Zustand beim Auftreten des Blooming zeigt,
15
Fig. 3 eine Schnittansicht des Aufbaus eines Bildelements einer Festkörper-Abbildungsvorrichtung -gemäß einer
ersten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 4A ein schematisches Schaltbild, welches den Aufbau
einer Festkörper-Abbildungsvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt,
Fig. 4B eine Schnittansicht, welche den Aufbau eines Bildelements der Festkörper-Abbildungs
vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt,
Fig. 4C ein schematisches Schaltbild, welches ein Beispiel einer Vertikalabtastschaltung zur Verwendung in
der Festkörper-Abbildungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt,
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Fig. 4D eine graphische Darstellung, welche Abtast-Ausgangsimpulse
der Abtastschaltung der Fig. 4C zur Verwendung in der Festkörper-Abbildungsvorrichtung
gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt,
Fig. 4E eine graphische Darstellung von Energiebändern
im Bildelement der Festkörper-Abbildungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung,
wobei der entladene Zustand einer Photo
diode gezeigt ist, und
Fig. 5 eine Schnittansicht, welche den Aufbau eines Bildelements einer Festkörper-Abbildungsvorrichtung
gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung
zeigt.
Im folgenden wird die Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf ihre Ausführungsformen beschrieben.
Mit den folgenden Ausführungsformen werden Abbildungsvorrichtungen aus N-Kanal-MOSTs beschrieben, das gleiche
gilt jedoch auch für Abbildungsvorrichtungen aus P-Kanal- ■
MOSTs, wenn die verschiedenen anzulegenden Spannungen sowie die Polaritäten der Leitungstypen umgekehrt werden.
Ferner wird in der folgenden Darstellung von MOSTs ausgegangen, die Erfindung läßt sich aber auch auf Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
(MISFETs) ausdehnen, bei welchen ein von einem Oxidfilm verschiedener Isolationsfilm
(beispielsweise aus S13S4) als Gate-Isolationsfilm
verwendet wird.
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Fig. 3 zeigt eine erste Ausfuhrungsform einer Festkörper-Abbildungsvorrichtung
gemäß der Erfindung. 17 bezeichnet ein Siliziumsubstrat des N-Leitungstyps. 18 und
19 bezeichnen trog-diffundierte Schichten des P-Leitungstyps, welche in einem Oberflächenbereich des Substrats 17
ausgebildet sind und von welchen der Trog 18 für die Integration von Auswahl3chalttransistoren und Photodioden darin
und der Trog 19 für die Integration von Abtastschaltungen darin dient. Bei 20 und 22 sind Elektroden (üblicherweise
aus Aluminium) gezeigt, mit denen die einzelnen P-Diffusions schichten 18 und 19 auf bestimmte Spannungen gelegt
werden. Die Elektroden 20 und 22 liegen über in Teilen eines Isolationsfilms 21 vorgesehenen Ätzlöchern in Berührung
mit P-diffundierten Schichten 23 und 24, die in
ihrer Fremdstoffkonzentration höher als die P-diffundierten Schichten 18 und 19 liegen. Ein MOST 25 ist ein Vertikal
schal t-MOST, welcher aus einer Gate-Elektrode 26
(üblicherweise aus polykristallinem Silizium), einer mit einer Signalausgangsleitung 27 (üblicherweise aus Aluminium)
verbundenen Drain 28 und einer Source 29 aufgebaut ist. Die Source 29 des MOST 25 wird als Photodiode ausgenützt. Die
Drain 28 und die Source 29 sind hier aus N-diffundierten Schichten ausgebildet, deren Fremdstoffkonzentration höher
liegt als diejenige der trog-diffundierten Schichten des P-Leitungstyps. Die Photodiode 29 und der MOST 25 bilden
ein Bildelement.
Der Blooming-Unterdrückungseffekt dieser Abbildungsvorrichtung
wird nun erläutert. Da der P-Diffusionstrog 19,
in welchem die Abtastschaltungen integriert sind, keine Beziehung zur Unterdrückung des Blooming hah, wird dieser
üblicherweise über die Elektrode 22 an Erdpotential (0 V) gelegt. Im Gegensatz dazu liegt an dem P-Diffusionstrog 18,
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in welchem die einzelnen Photodioden integriert sind, eine positive Spannung Va, um einen Abschnitt unterhalb der
Gate-Elektrode des Vertikalschalt-MOST auf einen Ladungsanhäufungspegel
zu setzen.
Die Spannung V muß jedoch niedriger als die in Video-Spannung Vv sein, um zu verhindern, daß die übergänge zwischen dem Trog und der Source 29, der als Photodiode dient, und zwischen dem Trog und der Drain 28 zur Lieferung eines Signals in einen vorwärtsvorgespannten Zustand fallen. Ferner wird eine positive Spannung, die höher als die an den P-diffundierten Trog 18 gelegte ist, an das Substrat 17 gelegt, um den übergang zwischen dem Trog 18 und dem Substrat 17 in einen sperrvorgespannten Zustand zu legen (die Elektrode zum Anlegen der Spannung an das Substrat ist in der Figur weggelassen). Dementsprechend wird die Energie von Elektronen unterhalb der Gate-Elektrode, verglichen mit der entsprechenden Energie in der Photodiode, um eine Spannung orVw selbst in dem Fall höher, wenn die Photodiode durch einfallendes Licht vollkommen entladen worden ist.
Die Spannung V muß jedoch niedriger als die in Video-Spannung Vv sein, um zu verhindern, daß die übergänge zwischen dem Trog und der Source 29, der als Photodiode dient, und zwischen dem Trog und der Drain 28 zur Lieferung eines Signals in einen vorwärtsvorgespannten Zustand fallen. Ferner wird eine positive Spannung, die höher als die an den P-diffundierten Trog 18 gelegte ist, an das Substrat 17 gelegt, um den übergang zwischen dem Trog 18 und dem Substrat 17 in einen sperrvorgespannten Zustand zu legen (die Elektrode zum Anlegen der Spannung an das Substrat ist in der Figur weggelassen). Dementsprechend wird die Energie von Elektronen unterhalb der Gate-Elektrode, verglichen mit der entsprechenden Energie in der Photodiode, um eine Spannung orVw selbst in dem Fall höher, wenn die Photodiode durch einfallendes Licht vollkommen entladen worden ist.
= va + Vb - Vp(»0»)
Mit Wahl von V zu +0,5 V und mit den am meisten üblichen Werten
für V"k und vn(»o") von 0,8 V bzw. 1,0 V ergibt sich aus
Gleichung(1) ein Wert von 0,3 V für die Spannung cTvw· Andererseits
ist die Anzahl ne von Elektronen, welche"die
Spannung 0rVw übersteigen können und durch den unter der Gate-Elektrode
26 liegenden Abschnitt in die Signalliefer-Drain 28 fließen, durch die folgende Gleichung gegeben, wenn ng
die Anzahl der in der Photodiode 29 erzeugten Elektronen bezeichnet:
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Vw
ne = nO exp (~ k~T)
wobei k die Boltzmann-Konstante und T die absolute Temperatür
bezeichnet. Für <fVw = 0,3 V und Raumtemperatur (T ^ 300K)
ergibt sich für die Anzahl von einfließenden Elektronen im Verhältnis zur Anzahl der erzeugten Elektronen also für ne/
ng durch Auswertung der Gleichung (2) ein Wert von 4,5 · 10~~
Durch Anlegen der positiven Spannung von ungefähr 0,5 V an den Trog, wie gemäß der Erfindung, läßt sich die Anzahl der
Elektronen, die in die Signalliefer-Drain fließen, auf ungefähr 1/10000 der Anzahl im Rahmen des Standes der Technik
senken, so daß es möglich wird, das Auftreten des Blooming-Phänomens
in augenfälliger Weise zu verhindern.
Wenn die Fremdstoffkonzentration des Substrats in der oben beschriebenen Abbildungsvorrichtung ungefähr 10^^
Atome/cm3 beträgt, ist es wünschenswert, daß die !'-Fremdstoffkonzentration
der Tröge 18 und 19 3·1015-5·1016
Atome/cm3 beträgt, daß die Fremdstoffkonzentration der P-diffundierten
Schichten 23 und 24 ungefähr 1018 Atome/cm3 beträgt, um einen ausreichenden Kontakt mit den entsprechenden
Elektroden 20 und 22 herzustellen, und daß die N-Fremd-
1Q 20 stoffkonzentration der Source und der Drain 10 - 10
Atome/cm3 beträgt. Diese Zahlen sind Werte, wie sie gegenwärtig bei der Herstellung von Komplementär- MOS-ICs verwendet
werden, so daß sich die beschriebene Abbildungsvorrichtung leicht nach den Herstellungsverfahren von Komplementär-
MOS-Vorrichtungen herstellen läßt.
Bei dieser Ausführungsform wurde der Fall betrachtet,
daß die Abtastschaltung und die Photodiode in getrennten Trögen, die in ein und demselben Substrat vorgesehen sind,
integriert sind, um die Funktion der Abtastschaltung nicht zu beeinträchtigen. Das Blooming läßt sich natürlich aber
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selbst dann unterdrücken, wenn die Tröge nicht vorgesehen sind und sowohl die Abtastschaltung als auch die Photodiode
in einem Substrat des P-Leitungstyps integriert sind. In diesem Fall wird eine positive Spannung an das Substrat gelegt.
Es muß verhindert werden, daß der übergang zwischen der Source oder Drain, die die Abtastschaltung bilden, und
dem Substrat in Vorwärtsrichtung vorgespannt wird, und die Obergrenze der angelegten Spannung kann die eingebaute
Spannung (0,8 V) nicht überschreiten. Dementsprechend ist der Aufbau der Abbildungsvorrichtung einfacher als der Trogaufbau
gemäß Fig. 3, in welchem Maße auch das Herstellungsverfahren vereinfacht ist. Der Blooming-Unterdrückungseffekt
ist jedoch geringer.
Ausführungsform 2;
Bei der vorstehenden Ausführungsform 1 wird das Blooming
durch Anlegen einer positiven Spannung an dem im Substrat ausgebildeten Trog oder an das Substrat selbst unterdrückt.
Eine ähnliche Unterdrückung des Blooming läßt sich selbst dann durchführen, wenn, umgekehrt wie bei dem vorstehenden
System, eine negative Spannung an die Gate-Elektrode des
Vertikalschalt-MOST gelegt wird, das heißt, die "0"-Pegel-Spannung
des Abtastimpulses, welchen der Vertikalabtaster liefert, wird bezüglich des Substrats zu einer negativen
Spannung gemacht.
Die Fign. 4A bis 4D zeigen einen weiteren Aufbau der Festkörper-Abbildungsvorrichtung gemäß der Erfindung. In
Fig. 4A bezeichnet 30 eine Vertikalabtastschaltung, 31 eine Referenzspannungsquelle für die Schaltung 30 und 32 eine Verbindungsleitung
zum Anlegen einer Referenzspannung. MOSTs sind Vertikalschalt-MOSTs, deren Gates34 mit Ausgangsleitungen
Oyi, 0y2 ··· der entsprechenden Stufen der Abtastschaltung
verbunden sind. Eine Diode 35 ist eine Photodiode, wel-
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ehe die Source des Schalttransistors 33 ausnützt. 36 bezeichnet
die Drains der Schalt-MOSTs 33, wobei diese gemeinsam
mit einer Vertikalausgangsleitung 37 verbunden sind. Fig. 4B zeigt den Schnittaufbau (d,h., den integrierten
Schaltungsaufbau) der in Fig. 4A gezeigten Schaltungsanordnung. Ein MOST 33' ist ein Vertikalschalt-MOST, welcher
eine Gate-Elektrode 34' (üblicherweise aus polykristallinem Silizium) hat. Bei 35' ist eine Source gezeigt, welche aus
einer Diffusionsschicht ausgebildet ist, welche einen Leitungstyp (beispielsweise N-Typ) hat, der demjenigen eines
Substrats 38 (beispielsweise P-Siliziumsubstrat) entgegengesetzt ist, und eine Photodiode bildet. Bei 36' ist eine
Drain gezeigt, welche als Diffusionsschicht mit dem gleichen Leitungstyp, wie ihn der Diodenbereich hat, ausgebildet
und mit einer Vertikalausgangsleitung (üblicherweise aus Aluminium) 37' verbunden ist. 32' bezeichnet eine Verbir.dungsleitung
zum Anlegen einer Referenzspannung (üblicherweise aus Aluminium), wobei diese Verbindungsleitung mit einer
N-Diffusionsschicht 3 9 verbunden ist, welche als Source (oder Drain) eines MOST (siehe Fig. 4C) dient, der den Vertikalabtaster
30 aufbaut. 40 bezeichnet einen Isolationsfilm (aus SiÜ2 oder dergleichen). Fig. 4C zeigt ein Beispiel für
die in Fig. 4A dargestellte Vertikalabtastschaltung 30. 41 bezeichnet eine Polaritätsumkehrschaltung, welche aus einer
Serienschaltung, bestehend aus einem Last-MOST 42 und einem Treiber-MOST 43, aufgebaut ist. Ein MOST 44 ist ein übertragungs-MOST,
welcher durch zwei Phasen von Taktimpulsen, die durch Taktimpulsgeneratoren 45 und 46 erzeugt werden,
ein- und ausgeschaltet wird. 47 bezeichnet eine Spannungsquelle, welche die Last-MOSTs betreibt und die "1"-Pegel-Spannung
der an den Ausgängen Oy], Oy2 >
··· der einzelnen SLufen erhaltenen Abtastimpulse steuert. 48 bezeichnet
eine Referenzspannungsquelle, welche mit den Sources (oder' Drains)der Treiber-MOSTs gemeinsam verbunden ist und eine
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neue "O"-Pegel-Spannung ντντ(»ο") der Abtastimpulse setzt.
Ein durch einen Eingangsimpulsgenerator 49 erzeugter Eingangsimpuls
wird dem übertragungs-MOST 44 der ersten Stufe
der Schaltung eingegeben. Durch Aufgabe der Taktimpulse auf die entsprechenden Stufen der Abtastschaltung wird der
Eingangsimpuls in Abtastimpulse P . , P V9' ··· umgewandelt,
welche immer um eine Dauer des Taktimpulses verzögert sind
und an den Ausgängen O ., O 2/ ··· der einzelnen Stufen
(Fig. 4D) erhalten werden. Wegen des Last-MOST mit niedrigem gm (Steilheit) stimmt dabei die Anstiegszeit mit der
Ladeimpulsform überein, während die Abfallzeit wegen des
Treiber-MOST mit hohem gm mit der Entladeimpulsform übereinstimmt.
Die "1""Pegelspannung ist gleich einem Wert, der durch das Abziehen der Schwellenspannung V^ des Last-MOST
von der durch die Spannungsquelle 47 gelieferten Spannung Vdd 9ewonnen wird. Sei ßR das g -Verhältnis zwischen dem
Tj. eiber-MO ST und dem Last-MOST, dann ist die "0"-Pegel-Spannung
Vp znQii» durch die folgende Gleichung gegeben:
Vp("0") = Vdd * "ßi" <3)
Im allgemeinen ist V-, -, ungefähr 10 V und ßR ungefähr 10 bis
20 V, so daß die Spannung Vp/iiQn\ von 0 V um ungefähr 0,5
bis 1,0 V ansteigt. Wenn die Spannung Vs der Referenzspannungsquelle
auf einen negativen Wert eingestellt wird, kann die Komponente des Anstiegs der Spannung Vp ("Q") weggehoben werden,
wobei bei Einstellung der Spannung V auf eine unter -0,5 V liegende negative Spannung die Komponente des Anstiegs
der Spannung Vp (»ο") ϊ-η vollkommener Weise weggehoben werden
kann. Sei Vn("o") die neue "O"-Pegel-Spannung dank des Vorsehens
der Referenzspannungsquelle, dann gilt,daß V^j (»q") =
= Vp zn Qπ \ - Vg. Indem man Vs in Minusrichtung tiefer macht,
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kann dementsprechend Vn^"ο") noch weiter abgesenkt werden.
Aufgrund des Vorhandenseins des Übergangs 39 ist es jedoch unmöglich eine Spannung anzulegen, deren Absolutwert
größer als derjenige der eingebauten Spannung (ungefähr 0,8 V) des Übergangs ist. In diesem Zustand nimmt die
Oberfläche des Halbleitersubstrats unterhalb der Gate-Elektrode den Ladungsanhäufungspegel an. Dementsprechend
wird die Energie des Gate-Bereichs für Elektronen vergleichen mit derjenigen der Photodiode um ^Vg selbst
dann höher, wenn die Photodiode durch das einfallende Licht vollkommen entladen worden ist (Vv = 0 V) (siehe
Fig. 4E).
-rVs = -Vs + Vb - Vp(»0») (4)
15
Bei Wahl der Spannung der Referenzspannungsquelle zu -0,5 V und dar Werte von Vb und V (»o») zu 0,8 V bzw. 1,0 V wird
nach Gleichung (4) die Differenzspannung ^V0 0,3 V. Daher
kann ähnlich wie im Fall der Ausführungsform der Fig. 3 die Anzahl der in die signalliefernde Drain fließenden Elektronen
auf ungefähr 1/10000 derjenigen im Stande der Technik vermindert werden. Das eben beschriebene System ist auch
auf die Abbildungsvorrichtung des in Fig. 3 gezeigten Trogaufbaus anwendbar. Durch Einstellen der Spannung des Trogs
19 auf einen tieferen Wert in Minusrichtung als die
Spannung des Trogs 18 läßt sich ein größerer Effekt hinsichtlich der Unterdrückung des Blooming erreichen. Das
heißt, es kann, wenn V^ die Potentialdifferenz des Troges
19 in Bezug auf den Trog 18 bezeichnet, eine Differenzspannung
ifv_ gemäß der folgenden Gleichung erreicht werden,
und man erzielt einen Unterdrückungseffekt, der im Ausmaß von V-, größer ist, ohne daß man durch die Referenzspannung
beschränkt ist, welche auf ungefähr 0,8 V begrenzt ist.
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Vs + Vd + Vb - V P(»O")
Ausführungsform 3;
5
5
Bei der oben beschriebenen ersten und zweiten Ausführungsform wird die Flächedes Halbleitersubstrats unterhalb
der Gate-Elektrode auf den Anreicherungspegel derart gesetzt,
daß (1) eine positive Spannung an den Trog angelegt wird, in dem die Photodiode integriert ist oder daß (2)
die Abtastschaltung mit einer Referenzspannungsguelle versehen
und die "O"-Pegel-Spannung des Abtastimpulses auf einen negativen Wert gesetzt wird. Außer über die Spannungseinstellung
läßt sich praktisch das gleiche Potential wie der Anreicherungspegel derart ausbilden, daß, wie in Fig.
dargestellt, die Fremdstoffkonzentration der Fläche des
Substrats unter der Gate-Elektrode hoch gemacht wird, um dadurch die Löcher der Majoritätsträger zu vermehren. 50
bezeichnet eine P-Fremdstoffschicht, welche in der Oberfläche
des Substrats 38 unter der Gate-Elektrode 34' ausgebildet ist und eine größere P-Fremdstoffkonzentration
hat als das Substrat. Die Fremdstoffschicht 50 läßt sich einfach durch ein Ionenimplantationsverfahren nach Vollendung
der Herstellung einer Source und einer Drain und vor der Ausbildung der Gate-Elektrode ausbilden und kann ihre
Fremdstoffkonzentration bei ungefähr 3 · 10^ Atome/cm3
höher als die Fremdstoff konzentration des Substrats (üblicherweise
ungefähr 10*'^ Atome/cm3 ) eingestellt haben.
Mit Erhöhung der Konzentration dieser Fremdstoffschicht
kann der Ansammlungsgrad intensiviert und der Effekt der
Erfindung verstärkt werden. Da jedoch ein MOST 33' bei
der üblichen "1"-Pegel-Spannung (ungefähr 10 V) arbeiten
muß, ist es günstig, die Schwellenspannung des MOST 33'
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auf unter ungefähr 2 V einzuschränken, und zweckmäßig, die Fremstoffkonzentratxon auf unter ungefähr 10' Atome/cm3
einzuschränken.
Wie oben im einzelnen in Verbindung mit den Ausführungsformen beschrieben, kann die Festkörper-Abbildungsvorrichtung
gemäß der Erfindung augenfällig vermindern oder vollkommen verhindern, daß Elektronen aus einer Photodiode über einen
Abschnitt unter einer Gate-Elektrode in eine Drain zur Lieferung eines Ausgangssignals fließen, und zwar dadurch (i)
daß eine positive Spannung an einen Trog, indem die Photodiode integriert ist, gelegt wird oder (ii) daß die "0"-Pegel-Spannung
eines Vertikalabtastxmpulses auf einen negativen Wert eingestellt wird oder (iii) daß die Fremdstoffkonzentration
des unter der Gate-Elektrode liegenden Ab-Schnitts eines Vertikalschalt-MOST höher als diejenige des
Substrats gemacht wird. Ferner kann, was die Herstellung der Festkörper-Abbildungsvorrichtung gemäß der Erfindung
anbelangt, die Ausführungsform der Fig. 3 ohne weiteres nach genau dem gleichen Verfahren hergestellt werden, wie
es das herkömmliche Herstellungsverfahren für Komplementär-MOS-Transistoren
ist, die Ausführungsform der Fign. 4A bis
4D nach dem herkömmlichen Herstellungsverfahren für N-Kanal-MOS-Transistoren
und die Ausführungsform der Fig. 5 nach
dem Herstellungsverfahren für N-Kanal-MOS-Transistoren mit
zusätzlicher Ionenimplantation oder dergleichen.
Bei den vorstehenden Ausführungsformen wurden N-Kanal-MOSTs
als die konstituierenden Elemente betrachtet. Geht man von P-Kanal-MOSTs als den konstituierenden Elementen
aus, müssen die Leitungstypen von Fremdstoffen des Trogs, des Substrats, der Source und der Drain sowie die Polaritäten
der anzulegenden Spannungen umgekehrt werden. Natürlich ist die Erfindung auch auf eine Festkörper-Abbildungsvorrichtung
anwendbar, welche eine Photodiode und einen MOST für einen photoelektrischen Wandlerabschnitt und eine
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BBD (bucket brigade device = Eimerketten-Schaltung) als
Abtastschaltung, usw. verwendet.
Das Verfahren der Ableitung von Signalen ist nicht auf das System der Fig. 1 beschränkt, es ist vielmehr
manchmal eine Anzahl von Signalleitungen 7 vorgesehen (beispielsweise sind drei Signalleitungen für das Licht
der Primärfarben vorgesehen, wenn die Vorrichtung für eine Farbfernsehrkamera verwendet wird).
Abhängig vom Abtastsystem oder dem Signalableitungssystem
ist der Horizontal-MOST 7 manchmal in jeder photoelektrischen
Wandlereinheit (Bildelement) vorgesehen und ein weiterer Schalt-MOST zwischen dem Vertikalschalt-MOST
3 und der Vertikalabtastschaltung 2 angeordnet.
Ki/fg
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eerse
ite
Claims (1)
- PATENTANWÄLTESCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHU BEL-HOPF EBBIN6HAUS FINCKMARIAHILFPLATZ 2 & 3, MÜNCHEN 9O POSTADRESSE: POSTFACH 9ü Of 6O, D-800O MÖNCHEN 9528U173SHITACHI7 LTD. undHITACHI DENSHI KABUSHIKI KAISHA 17. Januar 1979FestkörperabbildungsvorrichtungPATENTANSPRÜCHEFestkörperabbildungsvorrichtung, welche in einem Hauptflächenbereich eines Halbleitersubstrats eines ersten Leitungstyps eine Anzahl von in zwei Dimensionen angeordneten photoelektrischen Wandlerelementen, eine Anzahl von Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und eine Anzahl von Horizontalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, welche die photoelektrischen Wandlerelemente auswählen, und Vertikal- und Horizontal-909830/0699 AL INSPECTEDan- undabtastschaltungen, welche die Schalttransistoren einausschalten, aufweist, dadurch gekennzeichnet , daß eine Einrichtung vorgesehen ist, welche die nicht ausgewählten Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (25, 33') in einen tieferen .Abschaltzustand setzt, dasheißt, eine Einrichtung, wslche die unter den Gateelektroden (26, 34') der nicht ausgewählten Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren liegenden Hauptflächenbereiche in einen Ansammlungspegel setzt.
102. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet , daß die photoelektrischen Wandlerelemente und die Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (25) in einem Trogbereich(18) angeordnet sind, welcher in einem Hauptflächenbereich des Substrats (17) vorgesehen ist und einen zu dem des Substrats entgegengesetzten Leitungstyps hat, und daß die Einrichtung zum Setzen in einen Ansammiungspegel eine Einrichtung zum Anlegen einer bestimmten Spannung an den Trogbereich ist.3. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 2 , dadurch gekennzeichnet , daß die Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (25) N-Kanalelemente sind, daß der Trogbereich (18) ein P-Leitungsbereich ist und daß die an den Trogbereich zu Ie-909830/0699gende Spannung eine positive Spannung ist, welche niedriger als eine Video-Spannung und eine an das Substrat gelegte Spannung ist.4. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Vertikalschal t-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren P-Kanal-Elemente sind/ daß der Trogbereich ein N-Leitungsbereich ist und daß die an den Trogbereich zu legende Spannung eine negative Spannung ist, welche höher als eine Videospannung und eine an das Substrat gelegte Spannung ist.5. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Legen der unter den Gate-Elektroden der Vertikalschal t-Metall-Isolator- Halbleiter-Feldeffekttransistor en liegenden Hauptflachenbereichein einen Ansammlungspegel eine Einrichtung zum Anlegen einer bestimmten Spannung an das Substrat ist.6. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren N-Kanal-Elemente sind, daß das Substrat P-Leitungstyp hat und daß die an das Substrat zu legende Spannung eine posi-909830/G6992 3 ΰ 17 3 Stive Spannung ist, deren Absolutwert höchstens 0,8 V beträgt.7. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 5 , dadurch gekennzeichnet , daß die Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren P-Kanal-Elemente sind, daß das Substrat N~Leitungstyp hat und daß die an das Substrat zu legende Spannung eine negative Spannung ist, deren Absolutwert höchstens 0,8 V beträgt.8. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Legen der unter den Gate-Elektroden (34") der Vertikal schalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (331) liegenden Hauptflächenbereiche des Halbleiter-Substrats (38) in einem Ansammlungspegel eine Einrichtung zum Anlegen einer "O"-Pegel-Spannung eines bestimmten Wertes an die Gate-Elektroden der Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren ist (Fig. 4B).9. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Vertikalschalt-Metal1-1solator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (331) N-Kanal-Eleraente sind, daß das Substrat (38) P-Leitungstyp hat und daß die bestimmte Spannung eine negative Spannung ist, deren Absolutwert höchstens 0,8 V beträgt.909830/0699 ORIGINAL INSPECTED0O. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren P-Kanal-E leinen te sind, daß das Substrat N-Leitungstyp hat und daß die bestimmte Spannung eine positive Spannung ist, deren Absolutwert höchstens 0,8 V beträgt.11. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Legen der unter den Gate-Elektroden (34') der Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistören liegenden Hauptflächenbereiche des Halbleitersubstrats (38) in einen Ansammlungspegel die Tatsache umfaßt, daß eine Fremdstoffkonzentration der unter den Gate-Elektroden lieqenden Hauptflächenbereiche des Halbleitersubstrats höher als dieieniqe des Substrats gemacht ist (Fia. 5).12. Festkörper-Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Fremdstoffkonzentration der unter den Gate-Elektroden (34') der Vertikalschalt-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (33') liegenden Hauptflächenbereiche des Halbleitersubstrats (38) in einen Bereich zwischen 3 · 10^ und 10^ Atome/cm3 fällt.909830/0699
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53005224A JPS6017196B2 (ja) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2901735A1 true DE2901735A1 (de) | 1979-07-26 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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FR (1) | FR2415398A1 (de) |
GB (1) | GB2013026B (de) |
NL (1) | NL7900496A (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0012029A1 (de) * | 1978-12-01 | 1980-06-11 | Hitachi, Ltd. | Festkörper-Abbildungsvorrichtung |
DE3005956A1 (de) * | 1980-02-16 | 1981-09-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur darstellung von bildinhalten mit lichtemittierenden dioden |
DE3138294A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit steuerung oder regelung der integrationszeit |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6033340B2 (ja) * | 1979-02-19 | 1985-08-02 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
JPS6033342B2 (ja) * | 1979-06-04 | 1985-08-02 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
DE3044341C2 (de) * | 1980-11-25 | 1984-10-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Fototransistor |
US4433343A (en) * | 1981-12-22 | 1984-02-21 | Levine Michael A | Extrinsic infrared detector with dopant site charge-neutralization |
US4727406A (en) * | 1982-02-12 | 1988-02-23 | Rockwell International Corporation | Pre-multiplexed detector array |
US4862237A (en) * | 1983-01-10 | 1989-08-29 | Seiko Epson Corporation | Solid state image sensor |
JP2601271B2 (ja) * | 1987-04-28 | 1997-04-16 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH03181282A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像デバイス |
US5045680A (en) * | 1990-01-18 | 1991-09-03 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit optoelectronic toggle F/F |
JPH05267695A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像装置 |
US5587596A (en) * | 1995-09-20 | 1996-12-24 | National Semiconductor Corporation | Single MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range |
JP4200545B2 (ja) | 1998-06-08 | 2008-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム |
US6359293B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-03-19 | Agere Systems Guardian Corp. | Integrated optoelectronic device with an avalanche photodetector and method of making the same using commercial CMOS processes |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2600962B2 (de) * | 1975-01-13 | 1977-10-20 | RCA Corp, New York, N Y (V St A) | Verfahren und vorrichtung zur steuerung der ueberstrahlung bei halbleiterbildwandlern |
DE2609731B2 (de) * | 1975-03-10 | 1978-02-23 | Matsushita Electronics Corp, Kadoma, Osaka (Japan) | Festkoerper-abbildungsvorrichtung |
DE2833218A1 (de) * | 1977-08-01 | 1979-02-08 | Hitachi Ltd | Festkoerper-abbildungsvorrichtung |
DE2745046B2 (de) * | 1976-10-06 | 1980-05-29 | Hitachi, Ltd., Tokio | Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung |
DE2847992C2 (de) * | 1977-11-07 | 1981-10-01 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3660667A (en) * | 1970-06-22 | 1972-05-02 | Rca Corp | Image sensor array in which each element employs two phototransistors one of which stores charge |
US3683193A (en) * | 1970-10-26 | 1972-08-08 | Rca Corp | Bucket brigade scanning of sensor array |
JPS5389617A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-07 | Hitachi Ltd | Driving method of solid image pickup element |
GB1595253A (en) * | 1977-01-24 | 1981-08-12 | Hitachi Ltd | Solid-state imaging devices |
JPS5396720A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
CN1047835C (zh) * | 1994-11-04 | 1999-12-29 | 拜尔公司 | 隔热体 |
-
1978
- 1978-01-23 JP JP53005224A patent/JPS6017196B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-01-16 CA CA319,704A patent/CA1129081A/en not_active Expired
- 1979-01-17 DE DE2901735A patent/DE2901735C2/de not_active Expired
- 1979-01-18 FR FR7901200A patent/FR2415398A1/fr active Granted
- 1979-01-22 NL NL7900496A patent/NL7900496A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-01-22 US US06/005,567 patent/US4223330A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-01-22 GB GB792245A patent/GB2013026B/en not_active Expired
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2600962B2 (de) * | 1975-01-13 | 1977-10-20 | RCA Corp, New York, N Y (V St A) | Verfahren und vorrichtung zur steuerung der ueberstrahlung bei halbleiterbildwandlern |
DE2609731B2 (de) * | 1975-03-10 | 1978-02-23 | Matsushita Electronics Corp, Kadoma, Osaka (Japan) | Festkoerper-abbildungsvorrichtung |
DE2745046B2 (de) * | 1976-10-06 | 1980-05-29 | Hitachi, Ltd., Tokio | Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung |
DE2833218A1 (de) * | 1977-08-01 | 1979-02-08 | Hitachi Ltd | Festkoerper-abbildungsvorrichtung |
DE2847992C2 (de) * | 1977-11-07 | 1981-10-01 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Rundfunktechnische Mitteilungen 21 (1977), H.2, S.77-85 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0012029A1 (de) * | 1978-12-01 | 1980-06-11 | Hitachi, Ltd. | Festkörper-Abbildungsvorrichtung |
DE3005956A1 (de) * | 1980-02-16 | 1981-09-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur darstellung von bildinhalten mit lichtemittierenden dioden |
DE3138294A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit steuerung oder regelung der integrationszeit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6017196B2 (ja) | 1985-05-01 |
JPS5498521A (en) | 1979-08-03 |
FR2415398A1 (fr) | 1979-08-17 |
GB2013026A (en) | 1979-08-01 |
GB2013026B (en) | 1982-05-19 |
FR2415398B1 (de) | 1984-07-20 |
DE2901735C2 (de) | 1983-10-27 |
NL7900496A (nl) | 1979-07-25 |
US4223330A (en) | 1980-09-16 |
CA1129081A (en) | 1982-08-03 |
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