DE2834110C2

DE2834110C2 -

Info

Publication number: DE2834110C2
Application number: DE2834110A
Authority: DE
Inventors: Elmer Henry Terrell Tex. Us Guritz
Original assignee: Mostek Corp
Current assignee: CTU of Delaware Inc
Priority date: 1977-08-18
Filing date: 1978-08-03
Publication date: 1991-03-21
Also published as: JPS6236144Y2; IT1195018B; JPS5435785A; JPS59100269U; GB2003350B; FR2400710A1; DE2834110A1; IT7826412A0; US4142118A; GB2003350A; FR2400710B1

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Eine derartige Schaltungsanordnung ist aus der DE 25 59 397 A1 bekannt. Diese bekannte Schaltungsanordnung kann ebenfalls von einer externen Stromversorgungsquelle versorgt werden, und sie enthält erste Mittel, die in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle eine erste Spannung erzeugen. Es sind ferner zweite Mittel vorgesehen, die in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle eine zweite Spannung erzeugen, wobei die ersten und die zweiten Mittel so ausgebildet sind, daß die von den ersten Mitteln erzeugte Spannung größer wird als die von den zweiten Mitteln erzeugte Spannung, wenn die Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle unter einen bestimmten Bezugswert fällt und wobei die von den ersten Mitteln erzeugte Spannung kleiner wird als die von den zweiten Mitteln erzeugte Spannung, wenn die Versorgungsspannung der externen Stromversorgung über den bestimmten Bezugswert steigt. Ferner sind sowohl die ersten als auch die zweiten Mittel so ausgebildet, daß sie jeweils eine nicht linear verlaufende Spannungskennlinie erzeugen, wobei beide Kennlinien einen gleichartigen Krümmungsverlauf besitzen.

Aus der DE-OS 24 01 148 ist eine integrierte Schaltung bekannt, die von einer externen Stromversorgungsquelle versorgt wird. Diese bekannte integrierte Schaltung ist als Schwellenwertschaltung ausgebildet, um in Abhängigkeit eines eingangsseitig zugeführten kontinuierlich veränderbaren Eingangswertes ein binäres Steuersignal zu erzeugen. Die bekannte Schaltungsanordnung enthält erste Mittel, die in Abhängigkeit von der Spannung der externen Stromversorgungsquelle eine erste Spannung erzeugen, enthält ferner zweite Mittel, die in Abhängigkeit von der Spannung der externen Stromversorgungsquelle eine zweite Spannung erzeugen, wobei diese beiden Spannungen dann mit Hilfe von Logikschaltungen ausgewertet werden, um das genannte binäre Steuersignal zu erzeugen.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, eine Schaltungsanordnung der angegebenen Gattung zu schaffen, welche ein verbessertes Ansprechverhalten aufweist und welche als Überwachungseinrichtung in einer integrierten Schaltungsanordnung verwendet werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichnungsteil des Anspruches 1 aufgeführten Merkmale gelöst.

Ein zweiter Lösungsvorschlag der genannten Aufgabe nach der Erfindung ergibt sich aus dem Kennzeichnungsteil des Anspruches 2.

Durch die Realisierung einer linear ansteigenden Kennlinie und einer nicht linear ansteigenden Kennlinie, wobei letztere Kennlinie eine zunehmende Steilheit bei zunehmender Versorgungsspannung aufweist, ergibt sich ein schaltungstechnisch besser erfaßbarer Schnittpunkt der beiden Kennlinien und damit ein sehr viel exakteres und genaueres Ansprechverhalten. Die Schaltungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung hat daher ein vergleichsweise sehr geringes Hystereseverhalten und kann, da sie als integrierte Schaltung ausgebildet wird, besonders vorteilhaft als Überwachungsbestandteil einer beliebigen Schaltungsanordnung verwendet werden, um den Zustand einer Stromversorgungsquelle fortlaufend zu überwachen.

Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen 2 bis 11.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Hinweis auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Kurve, in welcher die Spannung während des Einsetzens einer Stromversorgung dargestellt ist, die in Verbindung mit der Schaltungsanordnung mit Merkmalen nach der Erfindung verwendet wird;

Fig. 2 ein Blockschaltbild, welches die Arbeitsweise der Schaltungsanordnung wiedergibt;

Fig. 3 bis 5 allgemeine Kennlinien von verschiedenen Bezugsspannungen als Funktion einer in Verbindung mit der Schaltungsanordnung mit Merkmalen nach der Erfindung verwendeten Versorgungsspannung;

Fig. 3a eine Schaltung zum Verwirklichen der Bezugsspannungskennlinie der Fig. 3;

Fig. 4a und 4b Schaltungen zum Verwirklichen der Bezugsspannungskennlinie der Fig. 4;

Fig. 5a und 5b Schaltungen zum Verwirklichen und Ausführen der Bezugsspannungskurve der Fig. 5;

Fig. 6 bis 8 Kombinationspaare von bei der Schaltungsanordnung mit Merkmalen nach der Erfindung verwendeten Bezugsspannungskennlinien; und

Fig. 9 zusätzliche Einzelheiten der Schaltung der Fig. 2.

In Fig. 1 ist schematisch eine typische Einschaltkennlinie einer Stromversorgung dargestellt, die in Verbindung mit einer integrierten Schaltung mit Merkmalen nach der Erfindung verwendet wird. Die Versorgungsspannung ist entsprechend der üblichen MOS/LSI-Parameter-Nomenklatur mit V_DD bezeichnet. Da die Stromversorgung der integrierten Schaltung extern ist bzw. von außen erfolgt, ist die Anstiegszeit der Versorgungsspannung V_DD in der Praxis eine Unbekannte. Um für die integrierte Schaltung gültige logische Signale zu bilden, von welchen ihre interne Arbeitsweise abhängt, muß die Spannung V_DD zuerst einen minimalen Spannungspegel V_MIN auf dem Weg zu ihrem stationären, eingeschwungenen Zustand erreichen, welcher beispielsweise nominell 5 V ist. Übliche integrierte MOS-Schaltungen geben gültige, logische Signale ab, wenn die Spannung V_DD eine minimale Spannung V_MIN von etwa 3,5 V übersteigt. Der Zeitpunkt t₁, zu welchem die Energieversorgung den Wert V_MIN erreicht, ändert sich entsprechend den Geräte- und Betriebszuständen und ist infolgedessen kein zuverlässiger Parameter, um eine Operation bzw. den Betrieb der integrierten Schaltung auszulösen. Infolgedessen wird es in Anwendungsfällen, wo ein vorzeitiger Betrieb nicht zugelassen werden kann, notwendig, daß eine Anfangsoperation nur ausgelöst wird, wenn die Versorgungsspannung V_DD auf eine vorbestimmte, mit V_X bezeichnete Spannung angestiegen ist, welche sicher über der Spannung V_MIN liegt. Die Schaltungsanordnung mit den Merkmalen nach der Erfindung fühlt, wann die Versorgungsspannung V_DD über die Spannung V_X angestiegen ist, und gibt dann ein Signal zum Auslösen einer integrierten MOS-Schaltung ab, von welcher die Schaltungsanordnung ein Teil ist.

In Fig. 2 ist eine solche in ihrer Gesamtheit mit 10 bezeichnete Fühl- und signalabgebende Schaltung dargestellt. Die Schaltung 10 weist einen ersten Teil 12 auf, welcher auf die Versorgungsspannung V_DD anspricht und welcher eine Schaltungsanordnung aufweist, um zwei Spannungen V₁ und V₂ zu erzeugen. Der Schaltungsteil 12 ist so ausgelegt, daß die Spannung V₁ größer ist als die Spannung V₂, wenn die Versorgungsspannung V_DD kleiner als die Spannung V_X und die Spannung V₂ größer als die Spannung V₁ ist, wenn die Versorgungsspannung V_DD größer als die Spannung V_X ist. Ein zweiter Teil 14 der Schaltung ist vorgesehen, um den Zustand zu fühlen, bei welchem die Spannung V₂ größer als die Spannung V₁ ist, und um dann ein Einschaltsignal 16 abzugeben, welches dann verwendet werden kann, um eine weitere, nicht dargestellte Schaltungsanordnung der integrierten Schaltung auszulösen.

Bei verschiedenen Verbindungen von MOS-Elementen können verschiedene Spannungen mit verschiedenen funktionellen Beziehungen zu der Versorgungsspannung V_DD erzeugt werden. In Fig. 3 ist eine erste Kennlinie dargestellt, bei welcher eine Spannung V_R bei zunehmender Versorgungsspannung V_DD linear ansteigt. In Fig. 4 ist eine zweite Kennlinie dargestellt, bei welcher die Spannung V_R eine zunehmende Steilheit bei zunehmender Versorgungsspannung V_DD aufweist. In Fig. 5 ist eine dritte Kennlinie dargestellt, bei welcher der Anstieg der Spannung V_R bei zunehmender Versorgungsspannung V_DD abnimmt. Zwei dieser drei Kennlinien oder andere ähnliche Kurven können ausgewählt werden, um die Spannungen V₁ und V₂ zu schaffen, wie unten noch genauer beschrieben wird.

Die lineare, in Fig. 3 dargestellte Kennlinie kann mit Hilfe einer Widerstandsschaltung geschaffen werden, wie sie beispielsweise in Fig. 3a dargestellt ist. Widerstände R₁ und R₂ können entsprechend bekannter Verfahren, vorzugsweise mit Hilfe von polykristallinen Siliziumstreifen unterschiedlicher Länge ausgebildet werden, um die geforderte Beziehung zu erreichen. Die Widerstände R₁ und R₂ werden zwischen die Versorgungsspannung V_DD und Erde geschaltet, wobei die Spannung V_R, wie dargestellt, zwischen ihnen abgenommen wird.

Die zwei nichtlinearen, in Fig. 4 und 5 dargestellten Kennlinien können mit Hilfe verschiedener Schaltungsnetzwerke geschaffen werden, für welche Beispiele in Fig. 4a, 4b, 5a und 5b dargestellt sind. Jedes dieser Netzwerke, welche zwischen die Versorgungsspannung V_DD und Erde geschaltet sind, weist zumindest einen in Reihe mit einem Verbraucher bzw. einer Last geschalteten Feldeffekttransistor auf, wobei die Spannung V_R, wie dargestellt, dazwischen abgenommen wird. Die Last, welche entweder ein Widerstand oder ein weiterer Feldeffekttransistor sein kann, hat eine ausgewählte Impedanz, um die für die Spannung V_R geforderte Kurvenform als Funktion der Versorgungsspannung V_DD zu erzeugen. Verschiedene Anordnungen von Feldeffekttransistoren und Verbrauchern sind möglich, wobei die endgültige Schaltungsausführung von dem geforderten Verlauf der Spannung V_R abhängt.

Insbesondere kann eine V_R-Kennlinie mit zunehmender Steilheit in üblicher Weise mit Hilfe der Schaltung in Fig. 4a oder 4b hergestellt werden, und eine V_R-Kennlinie mit einem abnehmenden Verlauf wird vorteilhafterweise mit Hilfe der Schaltungen in den Fig. 5a oder 5b geschaffen. Die Feldeffekttransistoren können entsprechend geschaltet sein, beispielsweise können ihre Steuerelektroden mit ihren Senkenelektroden verbunden sein, wie bei den Transistoren T₁ und T₂ dargestellt ist, in welchem Fall sie entweder in dem sogenannten Enhancement-Betrieb oder in dem Depletion-Betrieb arbeiten können. Wenn die Feldeffekttransistoren so geschaltet sind, daß ihre Steuerelektroden mit ihren Quellenelektroden verbunden sind, wie beispielsweise bei den Transistoren T₃ und T₄, müssen sie in dem Depletion-Betrieb arbeiten, damit sie anschalten.

In Fig. 6 bis 8 ist dargestellt, wie zwei Spannungen mit verschiedenen Kennlinien verwendet werden können, um der Festsetzung zu genügen, daß die Versorgungsspannung V_DD über den vorbestimmten Wert der Spannung V_X hinausgeht, die für eine betriebssichere Arbeitsweise einer integrierten MOS-Schaltung erforderlich ist. Auf jeden Fall weisen die Schaltungen, welche die Spannung V₁ und V₂ erzeugen, ausgewählte, entsprechend bemessene Schaltungselemente auf, damit sich die zwei Kurven schneiden, wenn die Versorgungsspannung V_DD auf die Spannung V_X angestiegen ist. In Fig. 6 ist eine lineare Spannung V₁ in Verbindung mit einer nichtlinearen Spannung V₂ mit einer zunehmenden Steilheit verwendet. In Fig. 7 ist eine nichtlineare, abnehmende Spannung V₁ in Verbindung mit einer linearen Spannung V₂ verwendet, während in Fig. 8 Spannungen V₁ und V₂ mit nichtlinearen Kennlinien dargestellt sind.

Bei der gegenwärtig am meisten bevorzugten Ausführungsform mit Merkmalen nach der Erfindung wird der Kurvenverlauf der Fig. 6 verwendet, da die entsprechenden Kennlinien mit den gegenwärtig zur Verfügung stehenden Methoden ohne weiteres und am leichtesten steuerbar sind. Mit anderen Worten, eine Abweichung des Schnittpunktes, durch welchen die Spannung V_X festgelegt ist, kann in einem sehr engen Bereich von etwa 3,75 V bis etwa 4,0 V gehalten werden, wenn die Schaltung in Fig. 3a verwendet wird, um die Spannung V₁ zu erzeugen, und wenn die Schaltung der Fig. 4a verwendet wird, um die Spannung V₂ zu erzeugen. Der vorerwähnte Bereich für die Spannung V_X wird bei einem Mikrorechner auf einem einzigen Chip bei Anwendung einer N-Kanal-Silicon-Gate-Technologie bevorzugt. Die Widerstände R₁ und R₂ in Fig. 3a weisen vorzugsweise polykristalline Streifen auf, deren jeweilige Längen proportional dem Verhältnis von etwa 6 : 4 sind. In Fig. 4a ist der Transistor T₁ vorzugsweise ein Enhancement-FET, wobei die Kurve in Fig. 4 anfangs der V_DD-Spannung folgt, bis der Schwellenwert des Transistors T₁ erreicht ist. Die Schwellenwertspannung liegt anfangs zwischen etwa 0,1 und 0,2 V und steigt dann auf einen stationären, eingeschwungenen Zustand von etwa 0,7 V an. Die Belastung in Fig. 4a ist vorzugsweise ein weiterer Enhancement-FET mit annähernd der gleichen Größe wie der Transistor T₁, dessen Steuerelektrode ebenfalls mit der Senkenelektrode verbunden ist. Obwohl die vorerwähnten Transistor- und Widerstandselemente gegenwärtig bevorzugt verwendet werden, kann die Schaltungsanordnung genauso vorteilhaft auch mit Hilfe einer Kombination dieser Elemente verwirklicht werden, um die Spannungskennlinien zu schaffen, die sich in einem annehmbaren Bereich schneiden, der den geforderten Wert für die Spannung V_X einschließt.

In Fig. 9 sind zusätzliche Einzelheiten einer bevorzugten Schaltungsanordnung mit Merkmalen nach der Erfindung dargestellt. Der Schaltungsteil 12 zum Erzeugen der Spannungen V₁ und V₂ weist zwei in Form von Schaltungsblöcken 18 und 20 dargestellte Schaltungen auf. Obwohl die Schaltungen 18 und 20 irgendwelche möglichen Anordnungen aufweisen können, um zwei entsprechende Kennlinien wie beispielsweise zwei der in Fig. 3 bis 5 dargestellten Kurven zu erzeugen, ist für eine bessere Steuerung über die Spannung V_X hinaus die Schaltung 18 vorzugsweise die in Fig. 3 dargestellte Schaltung und die Schaltung 20 vorzugsweise die in Fig. 4 dargestellte Schaltung. Der Schaltungsteil 14 weist vorzugsweise Differenzverstärker 22 und 24 mit einer hohen Verstärkung und Schaltungsanordnungen auf, die auf deren Ausgang ansprechen, um das Anschalt- bzw. Auslösesignal 16 zu erzeugen. Die Spannungen V₁ und V₂ bilden die Eingänge an dem ersten Differenzverstärker 22, welcher wiederum den zweiten Differenzverstärker 24 ansteuert. Mit Hilfe einer derartigen zweistufigen Differenzverstärkeranordnung kann schnell gefühlt werden, wann die Spannungen V₁ und V₂ den Schnittpunkt, der in den Fig. 6 bis 8 dargestellt ist, durchlaufen und mit ihnen kann eine starke bzw. eindeutige logische Signalanzeige geschaffen werden.

Das Ausgangssignal des Differenzverstärkers 24 hat einen Pegel, der mittels einer Quellenelektroden- bzw. Source-Folgeschaltung 26 verschoben wird, um gute logische Pegel zu schaffen. Der Ausgang der Schaltungsstufe 26 wird dann gepuffert und invertiert, wie durch die Schaltungen 28 und 30 dargestellt ist, um eine Trennung und eine Rauschfilterung zu schaffen. Das sich ergebende Signal 16, das mittels der Schaltung 10 erzeugt worden ist, stellt eine ganz sichere Anzeige dar, daß die Versorgungsspannung V_DD über den vorbestimmten Spannungspegel V_X hinaus angestiegen ist, so daß mit einer betriebssicheren Arbeitsweise der anderen Schaltungsteile der integrierten Schaltung begonnen werden kann. Die Schaltung 26 ist so ausgelegt, daß ein Einschaltsignal 16 nicht erzeugt werden kann, bevor die Versorgungsspannung V_DD unabhängig von den jeweiligen Werten der Spannungen V₁ und V₂ etwa 1,5 bis 2,0 V erreicht. Hierdurch ist sichergestellt, daß ein mögliches, vorübergehendes Überschneiden der Spannungen, was aus verschiedenen Gründen bei sehr niedrigen Werten der Versorgungsspannung V_DD vorkommen kann, nicht zu einem vorzeitigen Auslösesignal 16 führen kann. In einer integrierten Schaltung eines Mikrorechners kann das Anschaltsignal 16 zum Löschen von Registern, zum Rücksetzen einer Zeitsteuerschaltung, zum Laden der ersten Stelle eines gespeicherten Programms in ein Befehlsregister und für verschiedene andere Funktionen verwendet werden.

Obwohl vorstehend nur eine bevorzugte Ausführungsform mit Merkmalen nach der Erfindung beschrieben worden ist, können in deren Rahmen verschiedene Änderungen vorgenommen werden. Beispielsweise können statt einer integrierten Schaltung mit einem N-leitenden Kanal bei entsprechenden Abwandlungen auch integrierte Schaltungen mit P-leitenden Kanälen verwendet werden.

Claims

1. Schaltungsanordnung, die von einer externen Stromversorgungsquelle versorgt wird, mit ersten Mitteln, die in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle eine erste Spannung erzeugen, mit zweiten Mitteln, die in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle eine zweite Spannung erzeugen, wobei die ersten und die zweiten Mittel so ausgebildet sind, daß die von den ersten Mitteln erzeugte Spannung größer ist als die von den zweiten Mitteln erzeugte Spannung, wenn die Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle unter einem bestimmten Bezugswert liegt, und wobei die von den ersten Mitteln erzeugte Spannung kleiner ist als die von den zweiten Mitteln erzeugte Spannung, wenn die Versorgungsspannung der externen Stromversorgung über dem bestimmten Bezugswert liegt, dadurch gekennzeichnet, daß

a) die Schaltungsanordnung als integrierte Schaltung ausgebildet ist und
b) die ersten Mittel (18) eine mit zunehmender Versorgungsspannung (V_DD) linear ansteigende Spannung (V₁) erzeugen und daß die zweiten Mittel (20) eine mit zunehmender Versorgungsspannung (V_DD) nicht linear ansteigende Spannung (V₂) mit zunehmender Steilheit erzeugen.

2. Schaltungsanordnung, die von einer externen Stromversorgungsquelle versorgt wird, mit ersten Mitteln, die in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle eine erste Spannung erzeugen, mit zweiten Mitteln, die in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle eine zweite Spannung erzeugen, wobei die ersten und die zweiten Mittel so ausgebildet sind, daß die von den ersten Mitteln erzeugte Spannung größer ist als die von den zweiten Mitteln erzeugte Spannung, wenn die Versorgungsspannung der externen Stromversorgungsquelle unter einem bestimmten Bezugswert liegt, und wobei die von den ersten Mitteln erzeugte Spannung kleiner ist als die von den zweiten Mitteln erzeugte Spannung, wenn die Versorgungsspannung der externen Stromversorgung über dem bestimmten Bezugswert liegt, dadurch gekennzeichnet, daß

a) die Schaltungsanordnung als integrierte Schaltung ausgebildet ist und
b) die ersten Mittel (18) und die zweiten Mittel (20) zwei nicht linear verlaufende Spannungen (V₁, V₂) erzeugen, wobei die eine Spannung (V₁) mit zunehmender Versorgungsspannung (V_DD) eine abnehmende Steilheit aufweist, während die andere Spannung (V₂) mit zunehmender Versorgungsspannung (V_DD) eine zunehmende Steilheit aufweist (Fig. 8).

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Auswerteschaltung (14), welche die erste und die zweite Spannung (V₁, V₂) empfängt und ein Signal erzeugt, wenn die zweite Spannung (V₂) die erste Spannung (V₁) übersteigt.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswerteschaltung (14) mindestens einen Differenzverstärker (22; 24) aufweist, dessen einer Eingang an die ersten (18) und dessen anderer Eingang an die zweiten Mittel (20) angeschlossen ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswerteschaltung (14) einen ersten Differenzverstärker (22) aufweist, dessen einer Eingang an die ersten (18) und dessen anderer Eingang an die zweiten Mittel (20) angeschlossen ist, einen von dem ersten Differenzverstärker (22) angesteuerten zweiten Differenzverstärker (24), an dessen Ausgang Schaltungsanordnungen (26, 28 bis 30) angeschaltet sind, die ein Einschaltsignal für die anderen Teile der Schaltungsanordnung erzeugen.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnungen eine Source-Folgeschaltung (26), eine Pufferstufe (28) und eine Inverterstufe (30) enthalten.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Mittel (18) zum Erzeugen der ersten Spannung (V₁) einen Ohmschen Spannungsteiler (Fig. 3e) aufweisen, der zwischen die Versorgungsspannung (V_DD) und der Erde geschaltet ist, und daß die zweiten Mittel (20) zum Erzeugen der zweiten Spannung (V₂) eine zweite Schaltungsanordnung mit mindestens einem Feldeffekttransistor (T₁; T₂; T₃; T₄) in Reihe mit einer Last aufweisen, wobei die zweite Schaltungsanordnung zwischen die Versorgungsspannung (V_DD) und Erde geschaltet ist.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Mittel (18) zum Erzeugen der ersten Spannung (V₁) einen Ohmschen Spannungsteiler (Fig. 3e) aufweisen, der zwischen die Versorgungsspannung (V_DD) und Erde geschaltet ist, und daß die zweiten Mittel (20) zum Erzeugen der zweiten Spannung (V₂) einen ersten Feldeffekttransistor (T₁) vom Anreicherungstyp, dessen Senken- und Steuerelektroden mit der Versorgungsspannung (V_DD) verbunden sind, und einen zweiten Feldeffekttransistor (T₂) vom Anreicherungstyp aufweist, dessen Quellenelektrode mit Erde verbunden ist, und daß die zweite Spannung (V₂) an der gemeinsamen Verbindung zwischen der Quellenelektrode des ersten Feldeffekttransistors (T₁) vom Anreicherungstyp und der Senken- und Steuerelektrode des zweiten Feldeffekttransistors (T₂) vom Anreicherungstyp abgenommen wird.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Spannungsteiler erste und zweite Widerstände (R₁, R₂) aufweist, die aus polykristallinen Siliziumstreifen gebildet sind, deren Längen so gewählt sind, daß die erste Spannung (V₁) sich bei etwa 4/10 der Versorgungsspannung (V_DD) ändert.

10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Spannung (V₁) gemäß einer Kennlinie mit abfallender Neigung bei zunehmender Versorgungsspannung (V_DD) ansteigt und daß die zweite Spannung (V₂) bei Änderung der Versorgungsspannung (V_DD) gemäß einer geradlinigen Kennlinie verläuft.

11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterschied zwischen der Versorgungsspannung (V_DD) und Erdpotential etwa 5 V ist und daß die vorbestimmte Spannung in den Bereich von etwa 3,75 V bis etwa 4,0 V liegt.