DE2747607A1

DE2747607A1 - Schaltungsanordnung zur ansteuerung eines bistabilen relais

Info

Publication number: DE2747607A1
Application number: DE19772747607
Authority: DE
Inventors: Sepp Dipl Ing Antonitsch; Heinz Dipl Phys Ritter; Hans Sauer; Wolf Ing Grad Steinbichler
Original assignee: SDS Elektro GmbH
Current assignee: Panasonic Electric Works Europe AG
Priority date: 1977-10-24
Filing date: 1977-10-24
Publication date: 1979-04-26
Anticipated expiration: 1997-10-25
Also published as: ZA785968B; DE2747607C2; BR7807000A; US4257081A; CA1117641A; SU860720A1

Description

SDS Elektro GmbH £ 77/1o/1

Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Relais

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Relais, dessen Erregerspule mit einem Kondensator in Serie liegt, bei der die Serienschaltung von Spule und Kondensator zur Erregung des Relais und gleichzeitigen Aufladung des Kondensators an Erregerspannung gelegt wird und bei fehlender Erregerspannung durch einen mit seinem Ausgangskreis zu ihr parallelgeschalteten Halbleiterschalter kurzschließbar ist, wodurch das Relais in seine Ausgangsstellung zurückschaltet.

Eine Schaltungsanordnung zum Umschalten eines bistabilen Relais mit Hilfe eines Halbleiterschalters ist zum Beispiel aus dem Buch "Relais Lexikon" von H. Sauer, 1. Auflage 1975, Seite 12, bekannt. Beim Anlegen der Erregerspannung wird ein erster, in Serie zu Spule und Kondensator liegender Transistor leitend, das Relais spricht an und der Kondensator wird geladen. Legt man ein positives Steuersignal an den Eingang eines zweiten Transistors, dann wird der erste Transistor gesperrt und ein dritter, parallel zu Spule und Kondensator liegender Transistor leitend. Durch diesen dritten Transistor wird der Kondensator entladen und das Relais schaltet zurück. Springt das Steuersignal auf den Wert Null, dann werden der zweite und der dritte Transistor wieder gesperrt, der erste Transistor leitend, der Kondensator wird wieder aufgeladen, womit das Relais umschaltet.

Eine derartige Schaltungsanordnung ist für den Betrieb bistabiler Relais zweckmäßig, wenn die Polarität der Erregerspannung unverändert bleibt. Das Relais beharrt dabei nach Aufladung des Kondensators in seiner Schaltstellung, unabhängig davon, ob die Erregerspannung abgeschaltet wird oder nach wie vor anliegt. Eine in Serie geschaltete Diode verhindert bei fehlender Erregerspannung

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eine schleichende Entladung des Kondensators. Ein Zurückschalten des Relais wird erst durch den positiven Steuerimpuls am Eingang des zweiten Transistors ausgelöst. Nachdem dieser Impuls aus der Erregerspannung nicht gewonnen werden kann, wenn diese abgeschaltet ist, ergibt sich hier die Notwendigkeit einer externen Steuersignalquelle.

Aus der DAS 2 624 913 ist darüber hinaus eine Schaltungsanordnung zur Ansteuerung bistabiler Relais bekannt, durch die sich diese wie monostabile Relais verhalten, also bei Ausfall der Erregerspannung selbsttätig in die Ausgangslage zurückschalten. Dies wird dadurch erreicht, daß zwischen dem Verbindungspunkt von Erregerspule und Kondensator einerseits und die Steuerelektrode des Halbleiterschalters andererseits eine von der Erregerspannung gespeiste Auswerteschaltung eingeschaltet ist, die den Halbleiterschalter bei Vorliegen der Erregerspannung sperrt und bei deren Wegfall leitfähig steuert. Zur Verhinderung einer unbeabsichtigten Entladung des Kondensators ist auch hierbei eine Diode in den Strompfad eingeschaltet. Ein Serienwiderstand im gleichen Pfad dient sowohl als Kurzschlußsicherung für den Halbleiterschalter als auch bei entsprechender Bemessung zur Erzielung eines definierten Spannungsabfalls, womit Relais mit wirtschaftlich herstellbarer Niederspannungswicklung an höheren Spannungen, z.B. der Netzspannung zu betreiben sind. Demgegenüber führt aber die zur Erzielung des monostabilen Schaltverhaltens des Relais benötigte Auswerteschaltung zu einem relativ hohen Aufwand an Bauteilen.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß das bei Wegfall der Erregerspannung gewünschte selbsttätige Zurückschalten des bistabilen Relais mit geringerem Aufwand an Bauteilen realisierbar ist als bei der bekannten Anordnung.

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Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der Halbleiterschalter mit seinem Eingangskreis zu einem in Serie zu Erregerspule und Kondensator liegenden Widerstandselement parallelgeschaltet ist und daß nach erfolgter Aufladung des Kondensators und abgeschalteter Erregerspannung ein am Widerstandselement auftretender Spannungsabfall den Halbleiterschalter leitfähig steuert.

Durch diese Maßnahmen erreicht man, daß die bei der bekannten Anordnung benötigte Auswerteschaltung vollständig eingespart und damit eine besonders einfach und raumsparend aufzubauende Anordnung geschaffen ist. Als Widerstandselement kann im einfachsten Falle ein ohmscher Widerstand vorgesehen sein, bevorzugt findet jedoch ein Element mit nichtlinearer Kennlinie, z.B. eine in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung geschaltete Diode Verwendung, weil dann die spannungsmäßige Beanspruchung des Eingangskreises des Halbleiterschalters z.B. auf den Wert der Schwellenspannung der Diode begrenzt, der Ladestrom des Kondensators jedoch nahezu unbeeinträchtigt bleibt.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung werden in den Unteransprüchen angegeben.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden an Hand der Figuren beschrieben. Im einzelnen zeigen:

Fig. 1 eine Schaltungsanordnung mit einer Diode als Widerstandselement, zu der die Basis-Emitterstrecke eines Transistors parallelgeschaltet ist,

Fig. 2 eine Schaltungsanordnung mit definierter Abfallspannung und

Fig. 3 und 4 Anordnungen mit festgelegten Anzugs- und Abfallspannungen für die verwendeten Relais

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Bei der in Fig. 1 dargestellten Anordnung ist ein ohmscher Widerstand R1 zu den Anschlüssen der Erregerspannung U parallelgeschaltet und mit einem seiner Anschlüsse mit der als Widerstandselement dienenden Diode D1 verbunden, die in Durchlaß richtung zur Erregerspannung U geschaltet ist. Als Halbleiterschalter ist ein Transistor T1 mit seiner Basiselektrode an den Verbindungspunkt von Diode D1 und ohmschen Widerstand R1 gelegt und ausgangsseitig an die nicht miteinander verbundenen Anschlüsse der Diode D1 und des ohmschen Widerstandes R1 angeschaltet.

Die Erregerspannung wird durch Schließen des Schalters S angelegt, wobei das Relais RIs durch den Ladestrom des Kondensators C1 erregt wird. Der Transistor T1 wird eingangsseitig in Höhe der Schwellenspannung der Diode D1 in Sperrichtung beansprucht und ist somit gesperrt. Nach erfolgter Ladung des Kondensators C1 fließt nur noch der zu dessen Nachladung erforderliche Strom sowie ein durch den Basiswiderstand R1 bedingter Strom. Wird nun der Schalter S geöffnet bzw. die Erregerspannung U abgeschaltet, die Diode D1 sperrt nun, so wird die Emitterelektrode des Transistors T1 positiv gegenüber dessen Basiselektrode. Der Transistor T1 wird hiermit durchgesteuert, so daß sich der Kondensator C1 über die Erregerspule RIs des Relais entladen kann. Hierdurch schaltet das bistabile Relais in seine Ausgangsstellung zurück. Bei monostabilem Schaltverhalten entnimmt vorliegende Anordnung der ErregerSpannungsquelle, von den Verlusten im Basiswiderstand R1 und Kondensator C1 abgesehen, nur zur Aufladung des Kondensators C1 Energie. Der geringe Aufwand an Bauelementen ermöglicht außerdem einen wirtschaftlichen und raumsparenden Aufbau. Bevorzugt wird die gesamte Anordnung in dem für das Relais vorgesehene Gehäuse mit untergebracht.

Anstelle der Diode D1 kann als Widerstandselement prinzipiell auch ein ohmscher Widerstand verwendet sein. Gewähr vor einer langsamen Entladung des Kondensators C1 bietet jedoch die Diode D1. Auch ist durch sie der Spannungsabfall am Eingangskreis des Transistors T1

während der Aufladung des Kondensators C1 auf ihre Schwellenspannung und damit auf ein unschädliches Maß begrenzt. Zur Ladung des Kondensators C1 wird die Erregerspannung U außerdem nur um die Schwellenspannung der Diode D1 verringert. Die Diode D2 dient bei falscher Polarität der Erregerspannung U als Schutz für den Transistor T1.

Bei der in Fig. 2 gezeigten Anordnung ist der Diode D1 eine Zenerdiode ZD1 in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung U vorgeschaltet. Die Diode D1 ist von einem ohmschen Widerstand R2 überbrückt und als Halbleiterschalter ist eine aus zwei Transistoren T2, T3 entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps bestehende Kippstufe vorgesehen. Die Kollektorelektrode des einen Transistors ist jeweils mit der Basiselektrode des anderen Transistors verbunden. Durch die Zenerspannung ist bei diesem Ausführungsbeispiel ein definierter Wert für die Abfallspannung des Relais festgelegt. Die Abfallspannung ergibt sich dabei als Differenz aus der Erregerspannung U und der Zenerspannung U^di· Wird die Erregerspannung U über den Schalter S eingeschaltet, so fließt der Ladestrom des Kondensators C1 über die Zenerdiode ZD1, die Diode D1 und die Erregerspule RIs. Das Relais wird hierdurch erregt und schaltet um. An den Dioden ZD1 und DI treten hierbei wiederum Spannungsabfälle in der Höhe deren Schwellenspannungen auf. Der pnp-Transistor T2 wird hierdurch gesperrt, wie dies bei der Anordnung von Fig. 1 bereits beschrieben wurde. Dementsprechend ist auch der npn-Transistor T3 gesperrt.

Nach erfolgter Ladung des Kondensators C1 beschränkten Stromfluß wiederum im wesentlichen auf die Nachladung des Kondensators C1 und auf einen Strom durch den Widerstand R1. Dieser Reststrom kann hierbei allerdings wesentlich kleiner gehalten werden als im Falle der Fig. 1 weil der Basiswiderstand R1 infolge der höheren Gesamtverstärkung der aus den Transistoren T2, T3 gebildeten Kippstufe größer bemessen werden kann. Durch den Widerstand R2 bildet sich an Anode und Kathode der Diode D1 das gleiche Potential aus, wodurch die Sperrung der Kippstufe T2, T3 sichergestellt bleibt.

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Sinkt nun die Erregerspannung U etwas ab, so bleibt das an der Kathode der Zenerdiode ZD1 anstehende Potential im wesentlichen erhalten, weil die Zenerdiode ZD1 in Sperrichtung beansprucht wird. Erst wenn die Erregerspannung U so weit abgesunken ist, daß der Spannungsabfall an der Zenerdiode ZD1 die Zenerspannung ^uZDi erreicht, wird diese leitend. Durch den nun an Diode D1 und Widerstand R2 auftretenden Spannungsabfall wird der Transistor T2, sein Basisstrom kann nun über die Zenerdiode ZD1 und den ohmschen Widerstand R1 fließen, und damit auch der zu ihm komplementäre Transistor T3 durchgesteuert. Der Kondensator C1 entlädt sich nun über die Erregerspule RIs, wodurch das Relais in seine Ausgangsstellung zurückschaltet.

Neben dem Vorteil eines gegenüber der Schaltung nach Fig. 1 verringerten Verluststromes ergibt sich bei der Schaltung nach Fig. durch die Realisierung einer definierten Abfallspannung, daß Schwankungen in der Erregerspannung U von deren Maximalwert bis zur Abfallspannung zugelassen werden können, ohne daß ein unbeabsichtigtes Zurückschalten des Relais erfolgt.

Wie Fig. 3 zeigt, läßt sich eine definierte Abfallspannung aber auch dadurch erreichen, daß ein aus zwei ohmschen Widerständen (R3, R4) bestehender Spannungsteiler zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschaltet ist. Einer der Teilerwiderstände (R3) ist mit der an der Erregerspannung U liegenden Anode der Diode D1 verbunden. Der Halbleiterschalter ist mit seiner Steuerelektrode an den Mittelabgriff des Spannungsteilers R3, R4 gelegt und ausgangsseitig an die dem einen Teilerwiderstand R3 abgewandten Anschlüsse des Widerstandselementes und des anderen Teilerwiderstandes R4 angeschaltet. Die Abfallspannung des Relais ist in diesem Falle durch das Verhältnis der Teilerwiderstände R3, R4 festgelegt. Der Schalter, eine aus komplementären Transistoren T2, T3 aufgebaute Kippstufe, bei der jeweils die Kollektorelektrode des einen Kippstufentransistors mit der Basiselektrode des anderen Kippstufentransistors verbunden ist und bei

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der die Emitterelektrode des einen Transistors T2 an die Kathode der Diode D1 und die Emitterelektrode des anderen Transistors T3 an den gemeinsamen Fußpunkt der Schaltungsanordnung angeschlossen ist, wird nach der in der bereits beschriebenen Weise erfolgten Aufladung des Kondensators C1 leitend, wenn die Erregerspannung U auf den Wert der gewünschten Abfallspannung abgesunken ist. Zur definierten Festlegung des Schaltpunktes und zur Verhinderung des unbeabsichtigten Durchschaltens der Kippstufe beim Auftreten von Spannungsspitzen ist dem Kippstufentransistor ein weiterer npn-Transisitor T 4 vorgeschaltet, derart, daß dessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des Kippstufentransistors T3, dessen Basiselektrode mit dem Mittelabgriff des Spannungsteilers R3, R4 und dessen Emitterelektrode mit dem gemeinsamen Fußpunkt der Schaltungsanordnung verbunden ist.

Um auch eine definierte Anzugsspannung zu erhalten, ist vorgesehen, daß der als Widerstandselement dienenden Diode D1 eine weitere, aus komplementären Transistoren T5, T6 aufgebaute Kippstufe vorgeschaltet ist und daß an die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors T6 eine Referenzspannung angelegt ist, derart, daß die Kippstufe erst dann leitend wird, wenn die Erregerspannung U die Höhe der Referenzspannung überschreitet. Die Referenzspannung gibt hierbei die gewünschte Anzugsspannung vor. Sobald die Erregerspannung U die Referenzspannung überschreitet, wird die Kippstufe T5, T6 leitend. Der Ladestrom des Kondensators C1 kann nun über die Diode D1 und die Erregerspule RIs fließen, so daß das Relais anspricht. Unterschreitet die Erregerspannung U die Referenzspannung,

so sperrt die Kippstufe T5, T6. Zur Erzielung der Referenzspannung ist zwischen der Basiselektrode des ersten Transistors T6 und dem gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung die Serienschaltung eines ohmschen Widerstandes R7 und einer in Sperrichtung zur Erregerspannung gepolten Zenerdiode ZD2 eingeschaltet.

um zu erreichen, daß die Restströme der Transistoren T5, T6 klein gehalten werden und ein unbeabsichtigtes Umschalten der Kippstufe vermieden wird, sind die Basis-Emitterstrecken der Transistoren T5, T6

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mit ohmschen Widerständen R5, R6 überbrückt. Der Kondensator C2 zwischen Basis- und Emitterelektrode des Transistors T6 ist vorgesehen, um beim Einschalten der Erregerspannung U ein zu frühes Durchschalten der Kippstufe T5, T6 zu verhindern.

Damit die Schaltungsanordnung auch mit Wechselspannung zu betreiben ist, ist ein Gleichrichter D2 eingeschaltet. Bei Gleichspannungsbetrieb dient er als Verpolungsschutz. Zusätzlich ist noch ein Kondensator C4 im Eingangskreis des Halbleiterschalters T4, T3, T2 angeordnet, dessen Kapazität so groß gewählt ist, daß die resultierende Entladezeitkonstante größer als die Zeitdauer der durch die Gleichrichtung bedingten Spannungseinbrüche ist.

Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 ist der Diode D1 ein weiterer Halbleiterschalter vorgeschaltet, der im Leitfähigkeitstyp komplementär zu dem parallel zur Serienschaltung von Erregerwicklung RIs und Kondensator C1 liegenden ersten Halbleiterschalter ist. Ferner ist ein Spannungsteiler zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung U eingeschaltet, an dessen einen Abgriff die Steuerelektroden der Halbleiterschalter zu deren wechselweisen Ansteuerung angelegt sind. Das Potential am Abgriff des Spannungsteilers ist dabei so gewählt, daß bei anliegender Erregerspannung U der weitere Halbleiterschalter leitet, so daß der Ladestrom des Kondensators C1 über die Diode D1 und die Erregerspule Rls fließt und der erste Halbleiterschalter sperrt. Bei fehlender Erregerspannung U wird der weitere Halbleiterschalter gesperrt und der erste leitend, wobei sich der Kondensator in der beschriebenen Weise entlädt.

Im einzelnen ist in Fig. 4 als erster Halbleiterschalter ein npn-Transistor T8 und als zweiter Halbleiterschalter ein pnp-Transistor T9 vorgesehen. Der npn-Transistor T8 ist kollektorseitig mit der Kathode der Diode D1, emitterseitig mit dem gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung verbunden. Der pnp-Transistor T9 ist mit seiner Kollektorelektrode an der Anode der Diode D1 und seiner

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Emitterelektrode an einen Anschluß der Erregerspannung ü gelegt. Der Spannungsteiler besteht aus einem ohmschen Widerstand R 1o sowie einem weiteren, zwischen dem Abgriff und dem gemeinsamen Massepotential eingeschalteten Widerstand. Beide Transistoren T8, T9 sind basisseitig mit dem Abgriff des Spannungsteilers verbunden, wobei jeweils zwischen den Abgriff des Spannungsteilers und die Basiselektroden der Transistoren T8, T9 ohmsche Widerstände R8, R9 eingeschaltet sind.

Der in Fig. 4 nicht dargestellte weitere Widerstand des Spannungsteilers ist durch den Ausgangskreis eines von der Erregerspannung U gespeisten Schmitt-Triggers T7, T1o gebildet. An den Eingang dieses Schmitt-Triggers ist eine aus der Erregerspannung U abgeleitete Referenz-spannung angelegt, derart, daß die Umschaltepunkte des Schmitt-Triggers die Ansprech- bzw. Abfallspannung des Relais bestimmen.

Damit das Emitterpotential des Transistors T8 bei leitendem Transistor T 1o eindeutig über dessen Kollektorpotential liegt, und somit Transistor T8 sicher sperrt, sind zwei Dioden D4, D5 in Durchlaßrichtung zwischen dessen Emitterelektrode und Massepotential eingeschaltet. Eine Diode D3 in der Kollektorzuleitung des Transistors T8 verhindert eine unbeabsichtigte, schleichende Aufladung des Kondensators C1 über die Widerstände Rio, R8.

Bei langsam ansteigender Erregerspannung U ist zunächst der Transistor T7 durchgesteuert, somit der Transistor T1o gesperrt. Der gemeinsame Spannungsteilerabgriff hat positiveres Potential als die Emitterelektrode des Transistores T8, so daß dieser leitend und T9 gesperrt ist. Es ist somit sichergestellt, daß der Kondensator C1 entladen ist.

Wenn infolge steigender Erregerspannung U die Summe aus der Basis-Emitter spannung des Transistors T7 und dem Spannungsabfall am Widerstand R 14 die Zenerspannung U₂d3 an der Basiselektrode von

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T7 überschreitet, dann wird der Transistor T7 gesperrt und Transistor T 1o leitend. An diesem ersten Umschaltpunkt des Schmitt-Triggers bekommt der gemeinsame Spannungsteilerabgriff negativeres Potential als die Emitterelektroden der Transistoren T8, T9, wodurch T9 leitend und T8 gesperrt wird. Nun fließt der Ladestrom des Kondensators C1 und das Relais wird erregt.

Bei sinkender Erregerspannung U wird der zweite Umschaltpunkt des Schmitt-Triggers erreicht, wenn die Summe aus den Spannungsabfällen an der Basis-Emitterstrecke des Transistors T7 und am Widerstand R7 die Zenerspannung U_ZD3 unterschreitet. Nun wird wieder Transistor T7 leitend und Transistor T 1o gesperrt. Dies hat zur Folge, daß Transistor T9 gesperrt und Transistor T8 leitend wird, wodurch der Kondensator C1 entladen wird und das Relais zurückschaltet.

Der Kondensator C3 am Eingang der Schaltungsanordnung gewährleistet einwandfreies Schalten des Schmitt-Triggers auch bei Erregerspannungen U, deren Schaltflanken hohe Steilheit besitzen. Im übrigen sind durch die Wahl der Zenerspannung U_ZD3 die Umschaltpunkte des Triggers, damit Anzug- und Abfallspannung des Relais auch bei schleichender Erregerspannung exakt festgelegt. Sie unterscheiden sich lediglich durch die bei Schmitt-Triggern übliche Hysteresepannung.

16 Ansprüche
4 Figuren

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Leerseite

Claims

2747507 Patentansprüche 77/1o/1

1. Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Relais, dessen Erregerspule mit einem Kondensator in Serie liegt, bei der die Serienschaltung von Spule und Kondensator zur Erregung des Relais und gleichzeitigen Aufladung des Kondensators an Erregerspannung gelegt wird und bei fehlender Erregerspannung durch einen mit seinem Ausgangskreis zu ihr parallelgeschalteten Halbleiterschalter kurzschließbar ist, wodurch das Relais in seine Ausgangsstellung zurückschaltet, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterschalter mit seinem Eingangskreis zu einem in Serie zu Erregerspule (RIs) und Kondensator (C1) liegenden Widerstandselement parallelgeschaltet ist und daß nach erfolgter Aufladung des Kondensators (C1) und abgeschalteter Erregerspannung (U) ein am Widerstandselement auftretender Spannungsabfall den Halbleiterschalter leitfähig steuert.

2. Schaltunganordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein ohmscher Widerstand (R1) zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschaltet und mit einem seiner Anschlüsse mit dem Widerstandselement verbunden ist, und daß der Halbleiterschalter mit seiner Steuerelektrode am Verbindungspunkt von Widerstandselement und ohmschem Widerstand (R1) liegt und ausgangsseitig an die nicht miteinander verbundenen Anschlüsse des Widerstandselementes und des ohmschen Widerstandes (R1) angeschaltet ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandselement, eine in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) geschaltete Diode (D1) und als Halbleiterschalter ein pnp-Transistor (TI) verwendet ist, und daß der Transistor (TD mit seiner Emitterelektrode mit der Kathode

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der Diode (D1) verbunden ist. (Fig. 1).

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandselement eine Zenerdiode (ZD1) in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) vorgeschaltet ist, daß ein ohmscher Widerstand (R1) zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschaltet und mit einem seiner Anschlüsse mit der Anode der Zenerdiode (ZD1) verbunden ist, daß der Halbleiterschalter mit seiner Steuerelektrode am Verbindungspunkt des Widerstandselementes mit der Kathode der Zenerdiode (ZDl) liegt und ausgangsseitig an die nicht mit der Zenerdiode (ZD1) verbundenen Anschlüsse des Widerstandselementes und des ohmschen Widerstandes (R1) angeschaltet ist und daß die Höhe der Zenerspannung durch die Differenz aus der Erregerspannung und der gewünschten Abfallspannung des Relais festgelegt ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandselement eine von einem ohmschen Widerstand (R2) überbrückte Diode (D1) in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) eingeschaltet und als Halbleiterschalter eine aus zwei Transistoren (T2, T3) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps bestehende Kippstufe verwendet ist, derart, daß die Basiselektrode des einen Transistors (pnp) (T2) zum Verbindungspunkt von Zenerdiode (ZD1) und Diode (D1) geführt und mit der Kollektorelektrode des anderen Transistors (npn) (T3) und die Kollektorelektrode des einen Transistors (T2) mit der Basiselektrode des anderen Transistors (T3) verbunden ist, und daß der eine Transistor (T2) mit seiner Emitterelektrode an die Kathode der Diode (D1) und der andere Transistor (T3) emitterseitig an den Verbindungspunkt des zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschalteten Widerstandes und der Serienschaltung von Erregerspule (RIs) und Kondensator (Cl) angeschaltet ist (Fig.2).

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6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus zwei ohmschen Widerständen (R3, R4) bestehender Spannungsteiler zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschaltet ist, daß der eine der Teilerwiderstände (R3) mit dem an der Erregerspannung liegenden Anschluß des Widerstandselementes verbunden ist und daß der Halbleiterschalter mit seiner Steuerelektrode am Mittelabgriff des Spannungsteilers (R3, R4) liegt und ausgangsseitig an die dem einen Teilerwiderstand (R3) abgewandten Anschlüsse des Widerstandselementes und des anderen Teilerwiderstandes (R4) angeschaltet ist. (Fig. 3).

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandselement eine in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) geschaltete Diode (D1) und als Halbleiterschalter eine aus komplementären Transistoren (T2, T3) aufgebaute Kippstufe vorgesehen ist, daß jeweils die Kollektorelektrode des einen Kippstufentransistors (pnp) (T2) mit der Basiselektrode des anderen Kippstufentransistors (npn) (T3) verbunden ist und daß die Emitterelektrode des einen Transistors (T2) an die Kathode der Diode (D1) und die Emitterelektrode des anderen Transistors (T3) an den gemeinsamen Fußpunkt der Schaltungsanordnung angeschlossen ist. (Fig.3).

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kippstufentransistor (T3) ein weiterer Transistor (npn) (T4) vorgeschaltet ist, derart, daß dessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des Kippstufentransistors (T3), dessen Basiselektrode mit dem Mittelabgriff des Spannungsteilers (R3, R4) und dessen Emitterelektrode mit dem gemeinsamen Fußpunkt der Schaltungsanordnung verbunden ist. (Fig.3)

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9. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandselement eine weitere, aus komplementären Transistoren (T5, T6) aufgebaute Kippstufe vorgeschaltet ist und daß an die Basisleketrode des ersten Kippstufentransistors (T6) eine Referenzspannung angelegt ist, derart, daß die Kippstufe erst dann leitend wird, wenn die Erregerspannung die Höhe der Referenzspannung überschreitet.

10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des ersten Kippstufentransistors (pnp) (T6) mit der Basiselektrode des zweiten Kippstufentransistors (npn) (T5) und die Kollektorelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) mit der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) verbunden ist, daß die Basis-Emitterstrecken beider Transistoren (T5, T6) mit je einem ohmschen Widerstand (R5, R6) überbrückt sind und daß zwischen der an einem Anschluß der Erregerspannung liegenden Emitterelektrode des ersten Transistors (T6) und dessen Basiselektrode ein Kondensator (C2) eingeschaltet ist. (Fig. 3)

11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9 oder 1o, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung der Referenzspannung zwischen der Basiselektrode des ersten Transistors (T6) und dem gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung die Serienschaltung eines ohmschen Widerstandes (R7) und einer in Sperrichtung zur Erregerspannung gepolten Zenerdiode (ZD2) eingeschaltet ist. (Fig. 3)

12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandselement ein weiterer Halbleiterschalter vorgeschaltet ist, daß dieser Halbleiterschalter im Leitfähigkeitstyp komplementär zu dem parallel zur Serienschaltung von Erregerwicklung (RIs) und Kondensator (C1) liegenden ersten Halbleiterschalter ist, daß ein Spannungsteiler zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung eingeschaltet ist und daß die Steuerelektroden der Halbleiterschalter zu deren wechselweisen Ansteuerung an einen Abgriff des Spannungsteilers gelegt sind.

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13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandselement eine in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung gepolte Diode (D1), als erster Halbleiterschalter ein npn-Transistor (T8) und als zweiter Halbleiterschalter ein pnp-Transistor (T9) vorgesehen sind, daß der npn-Transistor (T8) kollektorseitig mit der Kathode der Diode (D1), emitterseitig mit dem gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung verbunden ist, daß der pnp-Transistor (T9) mit seiner Kollektorelektrode an der Anode der Diode (D1) und seiner Emitterelektrode an einem Anschluß der Erregerspannung (U) liegt, daß als Spannungsteiler ein ohmscher Widerstand R 1ο sowie ein weiterer, zwischen dem Abgriff und dem gemeinsamen Massepotential eingeschalteter Widerstand vorgesehen sind und daß die beiden Transistoren (T8, T9) basisseitig mit dem Abgriff des Spannungsteilers verbunden sind.

14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Abgriff des Spannungsteilers und die Basiselektroden der Transistoren (T8_f T9) ohmsche Widerstände (R8, R9) eingeschaltet sind.

15. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle des weiteren Widerstandes des Spannungsteilers der Ausgangskreis eines von der Erregerspannung (U) gespeisten sogenannten Schmitt-Triggers (T7, T1o) eingeschaltet ist, daß an den Eingang des Schmitt-Triggers eine aus der Erregerspannung (U) abgeleitete Referenzspannung angelegt ist, und daß die Umschaltepunkte des Schmitt-Triggers die Ansprechbzw. Abfallspannung des Relais bestimmen.

16. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Erregerspannung (U) über einen Gleichrichter (D2) zugeführt und ein Kondensator (C4) in den Eingangskreis des Halbleiterschalters eingeschaltet ist und daß die Kapazität des Kondensators (C4) so gewählt ist, daß die resultierende Entladezeitkonstante größer als die Zeitdauer der durch die gewählte Art der Gleichrichtung bedingten Spannungseinbrüche ist.

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