DE3536447A1 - Kurzschluss- und ueberlastfeste transistorausgangsstufe - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine kurzschluß- und überlastfeste Transistorausgangsstufe mit einem in Reihe mit einem Meßwiderstand angeordneten Transistor, der eine Last speist und von einer Treiber­ schaltung angesteuert wird.

Es ist bereits eine Ansteuerschaltung für eine kurzschlußfeste Aus­ gabestufe bekannt, die einen bipolaren Ausgangstransistor enthält, der von einer Darlington-Stufe angesteuert wird. In Reihe mit dem bipolaren Ausgangstransistor, der eine Relaisspule speist, ist ein Meß­ widerstand angeordnet, an dem eine dem Laststrom proportionale Spannung abgegriffen wird, die einer Auswerteschaltung zugeführt wird. Die Darlington-Stufe ist eingangsseitig mit drei Stromquellen verbunden, von denen eine an eine positive Betriebsspannung und eine an ein ne­ gatives Potential gelegt ist. Diese beiden Stromquellen werden im Überlastfall von der Auswerteschaltung gesteuert. Die dritte Strom­ quelle wird über das Ansteuersignal der Ausgabestufe von dem nega­ tiven Potential getrennt, so daß der Strom der ersten Stromquelle nicht in die dritte Stromquelle, sondern in die Basis des Darlington- Transistors fließt, der den Ausgangstransistor leitend steuert (DE-PS 31 50 703).

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Transistorausgangs­ stufe der eingangs beschriebenen Gattung derart weiterzuentwickeln, daß sie trotz hoher Ausgangsströme wenig Ansteuerleistung benötigt und im Kurzschlußfalle schnell auf einen für die Transistorausgangs­ stufe ungefährlichen Ausgangsstrom eingestellt wird.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Anspruch 1 beschrie­ benen Maßnahmen gelöst. Durch den Einsatz eines Metalloxid-Feld­ effekttransistors als Ausgangstransistor wird trotz hoher Ausgangs­ ströme nur ein geringer Ansteuerstrom benötigt. Damit wird zugleich die Verlustleistung in den Ansteuerstromkreisen vermindert. Die An­ steuerstromkreise können deshalb als integrierte Schaltung ausge­ bildet werden. Im Kurzschlußfalle speist die Überwachungs- und Steuer­ anordnung ein Strombegrenzungspotential unmittelbar in die Gate-Elek­ trode ein, so daß der über den MOSFET fließende Strom sehr schnell begrenzt wird. Im Überlastfall setzt die zeitverzögerte Strombegren­ zung erst ein, wenn nach dem Abklingen von durch kapazitive Belastung hervorgerufenen Stromspitzen festgestellt wird, daß der zulässige Ausgangsstrom überschritten wird.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist die Treiberstufe mit einem Betriebsspannungsanschluß an ein die Betriebsspannung der Transistoraus­ gangsstufe um die Gate-Source-Sättigungsspannung des MOSFET übersteigendes positives Potential gelegt und mit dem anderen Betriebsspannungsan­ schluß einerseits über eine gegenüber der Polarität der Betriebs­ spannung in Sperrichtung gepolte Diode mit dem Anschluß für die Last und andererseits über eine gegenüber dem negativen Potential der Betriebsspannung in Durchlaßrichtung gepolte Diode mit dem negativen Pol der Betriebsspannungsquelle verbunden. Mit dieser Anordnung wird eine Sättigung des MOSFET beim Einschalten und eine schnelle Entregung beim Abschalten induktiver Lasten erreicht. Durch das Ansteuersignal wird über die Treiberstufe ein höheres Potential als Betriebspotential des MOSFET der Gate-Elektrode zugeführt. Der MOSFET wird daher stark gesättigt, so daß eine möglichst niedrige Drain- Source-Spannung entsteht. Damit werden die Verlustleistungen des MOSFET auch bei höheren Strömen gering. Wenn induktive Lasten oder induktivitätsbehaftete Lasten mit dem MOSFET abgeschaltet werden, treten am Anschluß für die Last negative Spannungen auf. Diese Span­ nungen werden zur Beaufschlagung der Gate-Elektrode mit negativem Potential ausgenutzt, um den MOSFET zur Schnellentregung induktiver Lasten heranzuziehen. Vorzugsweise ist die zwischen dem negativen Pol der Betriebsspannungsquelle und dem einen Betriebs­ spannungsanschluß angeordnete Diode eine Zener-Diode. Mit der Zener-Diode wird die beim Abschalten von induktiven Lasten am Betriebsspannungsanschluß auftretende Spannung auf einen für die Treiberschaltung und die Drain-Source-Strecke des MOSFET ungefähr­ lichen, jedoch für die schelle Entregung induktiver Lasten optimalen Wert begrenzt.

Eine besonders günstige Ausführungsform ist im Anspruch 4 beschrieben. Mit den im Anspruch 4 angegebenen Maßnahmen kann der MOSFET bei von außen auf die Stufe über die Last bzw. die Verbindungsleitungen zur Last eingekoppelten negativen Störspannungen vor Zerstörung geschützt werden. Negative Störspannungspulse, die am Anschluß der Transistor­ ausgangsstufe auftreten, führen zu einer Umkehr der Polaritäten der Spannungen an den Eingängen der ersten Überwachungseinrichtung, so daß die der Strombegrenzung dienende erste Überwachungseinrichtung unwirksam wird. Damit wird eine Zerstörung durch Überschreitung der zulässigen Sperrspannungen vermieden.

Eine andere bevorzugte Ausführungsform wird im Anspruch 5 erläutert. Mit dieser Ausführungsform läßt sich eine auf einem Überstrom beruhende Störung erfassen, indem im Störungsfalle ein Speicher gesetzt wird, während zugleich die Ansteuerung des MOSFET unterbrochen wird. Die Störung kann mittels einer dem Speicher nachgeschalteten optischen und/oder akustischen Einrichtung gemeldet werden. Durch die Zurück­ setzung des Speicher wird nach der Beseitigung der Störung die Aus­ gangsstufe wieder für den Betrieb freigegeben.

Vorzugsweise wird das positive Betriebspotential für die Treiberschal­ tung aus der Betriebsspannung für die Last mit einem Rechteckgenera­ tor und einer Spannungserhöhungsschaltung erzeugt, als deren einer Kondensator die Kapazität zwischen der Gate-Elektrode und der Source- Elektrode des MOSFET ausgenutzt wird, wobei die Gate-Elektrode über einen von der Treiberschaltung an negatives Betriebspotential anschaltbaren widerstand mit einer Diode der Spannungserhöhungsschaltung verbunden ist. Bei dieser Anordnung wird die Aufladung der Gate-Source-Kapazität beim Umschalten des MOSFET vom nichtleitenden in den leitenden Zustand durch den Widerstand mitbestimmt. Die Kapazität lädt sich nicht sofort auf. Durch die gemäß einer vorgegebenen Zeitkonstante ablaufende Aufladung wird eine Abflachung der Anstiegsflanken der Lastströme erzielt. Dies ist für die Beanspruchung der Transistorausgangsstufe, insbesondere bei kapazitiven Lasten am Ausgang, günstig.

Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in einer Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher beschrieben, aus dem sich weitere Merkmale sowie Vorteile ergeben.

Es zeigen:

Fig. 1 ein Blockschaltbild einer kurzschluß- und überlastfesten Transistorausgangsstufe,

Fig. 2 Einzelheiten der in Fig. 1 dargestellten Transistorausgangs­ stufe.

Ein Leistungs-MOSFET 1 ist mit seiner Drain-Elektrode an den positi­ ven Pol 2 einer Betriebsspannungsquelle 3 angeschlossen. Die Source- Elektrode des MOSFET 1 ist mit einem Meßwiderstand 4 verbunden, der in Reihe mit der Drain-Source-Stecke des MOSFET 1 an einen Ausgang 5 der in Fig. 1 dargestellten Transistorausgangsstufe 6 angeschlossen ist. An den Ausgang 5 ist mit einem Anschluß die eine induktive Last 7 gelegt. Der andere Anschluß der Last 7 ist mit dem negativen Pol 8 der Betriebsspannungsquelle 3 verbunden. Der Pol 8 ist z. B. an Masse gelegt. Die Gate-Elektrode des MOSFET 1 ist sowohl mit dem Ausgang einer Treiberschaltung 9 als auch mit dem Ausgang einer ersten Überwachungseinrichtung 10 verbunden. Die Treiberschaltung 9 steht eingangsseitig mit einer UND-Torschaltung 11 in Verbindung, die zwei Eingänge 12, 13 aufweist, von denen der Eingang 12 mit einem Ansteuersignal zur Steuerung des MOSFET 1 in den leitenden Zustand beaufschlagbar ist.

Die erste Überwachungseinrichtung 10 ist mit einem ersten, nicht be­ zeichneten Eingang an das mit der Source-Elektrode des MOSFET 1 ver­ bundene Ende des Widerstands 4 und mit einem zweiten, nicht bezeich­ neten Eingang mit dem einen Ende eines Widerstands 14 verbunden, dessen anderes Ende zusammen mit dem Widerstand 4 an den Ausgang 5 angeschlossen ist.

Die Treiberschaltung 9 ist mit ihrem Betriebsspannungsanschluß 15 für positive Spannung über eine Spannungserhöhungsschaltung 16 mit dem Pol 2 verbunden. Der Betriebsspannungsanschluß 17 der Treiber­ schaltung 9 für negative Spannung ist über eine gegenüber dem Poten­ tial des Pols 2 in Durchlaßrichtung gepolte Diode 18 mit dem Wider­ stand 14 bzw. dem einen Eingang der ersten Überwachungseinrichtung 10 verbunden. Weiterhin ist der Betriebsspannungsanschluß 17 mit der Anode einer Zener-Diode 19 verbunden, deren Kathode an den Pol 8 angeschlossen ist. Eine zweite Überwachungseinrichtung 20 enthält zwei, nicht näher bezeichnete Eingänge, von denen einer mit der Drain-Elektrode des MOSFET 1 und einer mit dem an den Ausgang 5 ange­ schlossenen Ende des Widerstands 4 verbunden ist. Die zweite Über­ wachungseinrichtung 20 speist ausgangsseitig einen Eingang einer UND-Torschaltung 21, deren anderer Eingang mit dem Ausgang der UND- Torschaltung 11 verbunden ist. Der Ausgang der UND-Torschaltung 21 ist an den Eingang eines Zeitverzögerungsglieds 22 gelegt, dessen Ausgang mit dem Setzeingang eines Speichers 23 verbunden ist, dessen Rücksetzeingang 24 wahlweise mit einem extern erzeugten Rücksetzsi­ gnal beaufschlagbar ist. Der Ausgang des Speichers 23 ist mit dem Eingang der UND-Torschaltung 11 verbunden. Die Überwachungseinrichtung 10 spricht an, wenn die an ihren Ein­ gängen anstehende Spannung eine gewisse Schwelle überschreitet, d. h. wenn die Spannung an der Source-Elektrode des MOSFET 1 um einen Schwellenwert höher als die Spannung am Anschluß 5 ist. Durch das Ansprechen der ersten Überwachungsschaltung 10 wird das Potential der Gate-Elektrode des MOSFET 1 so beaufschlagt, daß der Strom über den MOSFET auf einen konstanten Grenzwert geregelt wird.

Eine einfache Realisierungsmöglichkeit für die Überwachungseinrichtung 10 besteht darin, einen bipolaren Transistor zu verwenden, der mit seiner Basis an die Source-Elektrode des MOSFET 1 gelegt ist und dessen Emitter über den Wider­ stand 14 mit dem Anschluß 5 verbunden ist, während der Kollektor an die Gate-Elektrode des MOSFET 1 angeschlossen ist. Über den MOSFET 1 fließen beispielsweise 2 A, die zur Betätigung eines Magnetventils benötigt werden. Der Widerstand 4 ist so bemessen, daß bei einem Kurzschluß am Ausgang 5 ein Spannungsabfall am Widerstand 4 auf­ tritt, der die Basis-Emitter-Schwellenspannung überschreitet und damit den Transistor leitend steuert. Bei einem Nennstrom von 2 A überschreitet der Spannungsabfall am Widerstand 4 die Schwellenspan­ nung nicht, so daß der Transistor nichtleitend ist. Im Kurzschluß­ fall gelangt ein niedriges PotentiaI über die Emitter-Kollektor- Strecke des Transistors zur Gate-Elektrode des MOSFET 1 und verur­ sacht damit eine Begrenzung des über den MOSFET 1 fließenden Stroms auf einen zulässigen Wert. Die Beaufschlagung der Gate-Elektrode des MOSFET 1 ist in diesem Falle unabhängig von dem Ausgangspo­ tential der Treiberschaltung 9, d. h. die erste Überwachungseinrich­ tung 10 zieht das für die Steuerung des MOSFET 1 in den leitenden Zustand von der Treiberschaltung 9 erzeugte Signal auf den niedrigen Pegel herab, der für die Strombegrenzung notwendig ist.

Die Spannungserhöhungsschaltung 16 versorgt den Betriebsspannungsan­ schluß 15 der Treiberschaltung 9 mit einem Potential, das mindestens um die Gate-Source-Sättigungsspannung des MOSFET 1 höher als die Betriebsspannung der Spannungsquelle 3 ist. Wenn ein die Einschaltung des MOSFET 1 in den leitenden Zustand auslösendes Signal über den Eingang 12 der UND-Torschaltung 11 zur Treiberschaltung 9 gelangt, wird dieses höhere Potential an die Gate-Elektrode des MOSFET 1 gelegt. Der MOSFET 1 wird daher gesättigt, so daß der Spannungsabfall an der Drain-Source-Strecke gering ist. Hierbei ergeben sich auch nur kleine Verlustleistungen, wodurch eine unerwünscht hohe Erwärmung des MOSFET 1 vermieden wird.

Um den MOSFET 1 in den nichtleitenden Zustand zu steuern, wird das Potential am Betriebsspannungsanschluß 15 durch den Wegfall des über den Eingang 12 eingespeisten Ansteuersignal gesperrt, während zugleich eine leitende Verbindung zwischen der Gate-Elektrode des MOSFET 1 und dem Betriebsspannungsanschluß 17 hergestellt wird. Bei Lasten, die zumindest teilweise induktiv sind, treten durch die Verminderung des Laststroms negative Spannungen am Anschluß 5 auf.

Diese negativen Spannungen gelangen über den Widerstand 14 und die Diode 18 zur Zener-Diode 19, die für einen bestimmten negativen Pegel sorgt, der über den Betriebsspannungsanschluß 17 und die Treiberschaltung 9 die Gate-Elektrode des MOSFET 1 beaufschlagt. Eine negative durch die Zenerdiode 19 begrenzte Gate-Spannung begrenzt auch die negativen Spannungen am Anschluß 5. Mit der negativen Spannung ist eine schnellere Entregung induktiver Lasten verbunden, so daß wiederum der Übergang des MOSFET 1 in den nichtleitenden Zustand schneller abläuft. Ein wesentlicher Vorteil der oben beschriebenen Anordnung ist demnach darin zu sehen, daß ohne eine eigene negative Betriebsspannungsquelle der MOSFET 1 schneller in den nichtleitenden Zustand umschaltet. Die Treiber­ schaltung 5 besteht zweckmäßigerweise aus einem bipolaren Transistor, dessen Emitter-Kollektor-Strecke zwischen dem Betriebsspannungsan­ schluß 17 und dem Betriebsspannungsanschluß 15 angeordnet ist, während der Ausgang über einen Widerstand mit dem Betriebsspannungsanschluß 15 verbunden ist. Die Basis dieses bipolaren Transistors ist an den Ausgang der UND-Torschaltung 11 angeschlossen. Je nach dem, ob das Ansteuersignal vorhanden ist oder nicht, wird der bipolare Tran­ sistor nichtleitend oder leitend gesteuert, wodurch die leitende Verbindung zwischen dem Betriebsspannungsanschluß 15 oder dem Be­ triebsspannungsanschluß 17 hergestellt wird.

Wenn bei sperrendem MOSFET 1 eine negative Störspannung beispielsweise über die Leitungen zu der Last 7 eingekoppelt wird, führt dies bei der oben erläuterten Anordnung zur Spannungsbegrenzung, um in einem solchen Fall einen Spannungsdurchbruch des MOSFET 1 zu vermeiden. An der ersten Überwachungseinrichtung 10 kehrt sich im Falle einer eingekoppelten negativen Störspannung auf den Ausgang 5 die Polarität der Spannungen an den Eingängen im Vergleich zur Betriebsweise bei leitendem MOSFET 1 um. Deshalb gibt die Überwachungseinrichtung 10 ein Ausgangssignal mit hohem Pegel ab, durch das der MOSFET 1 leitend gesteuert wird. Damit wird die Spannungsbeanspruchung des MOSFET 1 auf unschädliche Werte herabgesetzt.

Die an der Drain-Source-Strecke des MOSFET 1 und dem Meßwiderstand 4 abfallende Spannung hängt von der Höhe des Stroms ab, der bei lei­ tendem MOSFET 1 fließt. Die zweite Überwachungseinrichtung 20, die als Schmitt-Trigger ausgebildet sein kann, ist in ihrer Ansprechschwelle auf einen Spannungsabfall eingestellt, der bei einem für den MOSFET 1 unzulässig hohen Dauerstrom an der Drain-Source-Strecke und dem Meßwider­ stand 4 auftritt. In diesem Fall gibt die zweite Überwachungsschal­ tung ein Ausgangssignal ab, das in Verbindung mit dem Ausgangssignal der UND-Torschaltung 11 bei vorhandenem Ansteuersignal am Eingang 12 die UND-Torschaltung 21 durchlässig steuert. Hierdurch wird das Zeit­ glied 22 angestoßen, durch das nach Ablauf einer eingestellten Ver­ zögerungszeit der Speicher 23 gesetzt wird. Das Ausgangssignal des Speichers 23 sperrt die UND-Torschaltung 11, so daß die Treiberschal­ tung 9 ein Sperrsignal an die Gate-Elektrode des MOSFET 1 abgibt. Durch die Sperrung des MOSFET 1 wird der Stromfluß und damit der unzu­ lässig hohe Überstrom abgeschaltet. Kurzzeitige Stromimpulse, die den Wert des zulässigen Dauerstroms überschreiten, kommen aufgrund von kapazi­ tiven Ladeströmen beim Einschalten zustande. Diese Ströme führen nicht zur Zerstörung des MOSFET 1. Um zu verhindern, daß der MOSFET 1 bei solchen Strömen abgeschaltet wird, ist das Zeitverzöge­ rungsglied 22 vorgesehen, dessen Verzögerungszeit auf die Dauer dieser Ströme abgestimmt ist.

Die zweite Überwachungseinrichtung 20 enthält vorzugsweise einen bipo­ laren Transistor, dessen Basis mit einer konstanten Spannung beauf­ schlagt wird, während der Emitter über eine Diode an den Anschluß 5 gelegt ist. Die Basisspannung ist so eingestellt, daß der Transistor bei zulässigen Strömen im MOSFET 1 sperrt. Bei Überströmen wird der Transistor leitend und beaufschlagt die UND-Torschaltung 21 mit einem Signal, das diese durchlässig steuert.

Die in Fig. 2 näher dargestellte Spannungserhöhungsschaltung 16 ent­ hält einen Rechteckgenerator 24, der von der Betriebsspannungsquelle 3 mit Betriebsspannung versorgt wird. Die vom Generator 24 erzeugten Rechtecksignale werden über einen Kondensator 25, zwei Dioden 26, 27 zugeführt, von denen eine mit ihrer Anode an den Pol 2 der Betriebs­ spannungsquelle 3 gelegt ist. Die Kathode der Diode 26 und die Anode der Diode 27 ist jeweils mit einer Seite des Kondensators 25 verbunden. Der Diode 27 sind zwei in Reihe angeordnete Widerstände 28, 29 nach­ geschaltet. An den Widerstand 29 ist die Gate-Elektrode des MOSFET 1 angeschlossen, dessen Drain-Elektrode an das Potential des Pols 2 gelegt ist. Die gemeinsame Verbindungsstelle der Widerstände 28, 29 ist an den Betriebsspannungsanschluß 15 gelegt. Durch den Konden­ sator 25, die Gate-Drain-Kapazität des MOSFET 1 und die Dioden 26, 27 wird eine Spannungserhöhungsschaltung gebildet.

Der Ladezustand der Gate-Drain-Kapazität des MOSFET 1 wird im übri­ gen durch die Treiberschaltung 9 und die erste Überwachungseinrich­ tung 10 bestimmt. Wenn eine Entladung z. B. über die Treiberschal­ tung 9 oder die Überwachungseinrichtung 10 stattgefunden hat, dann wird die Aufladung infolge der Widerstände 28, 29 allmählich vor sich gehen. Es wird deshalb die Flanke des über den MOSFET 1 fließen­ den Stroms etwas abgeflacht. Dies ist für die Arbeitsweise der oben beschriebenen Schaltung günstig.

Claims (9)

1. Kurzschluß- und überlastfeste Transistorausgangsstufe mit einem in Reihe mit einem Meßwiderstand angeordneten Transistor, der eine Last speist und von einer Treiberschaltung angesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine vom Spannungsabfall am Meßwiderstand (4) beaufschlagte erste Überwachungseinrichtung (10) mit ihrem Ausgang zusammen mit dem Ausgang der Treiberschaltung (9) an die Gate-Elektrode des als MOSFET (1) ausgebildeten Transistors gelegt ist und daß eine von mindestens dem Spannungsabfall zwischen Drain- und Source-Elektrode des MOSFET (1) beaufschlagte zweite Überwachungs­ einrichtung (20) mit ihrem Ausgangssignal zumindest über ein Zeit­ verzögerungsglied (22) in einer bei Überströmen das Ansteuersi­ gnal der Treiberschaltung (9) sperrenden Torschaltung (11) mit dem Ansteuersignal verknüpft ist.

2. Transistorausgangsstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung (9) mit einem Betriebsspannungsanschluß (15) an eine die Betriebsspannung der Transistorausgangsstufe um die Gate-Source-Sättigungsspannung des MOSFET (1) übersteigendes positives Potential gelegt und mit dem anderen Betriebsspannungseingang (17) einerseits über eine gegenüber der Polarität der Betriebsspan­ nung in Sperrichtung gepolte erste Diode (18) an den Anschluß (5) für die Last (7) und andererseits über eine gegenüber dem negativen Potential der Betriebsspannungsquelle (3) in Durchlaßrichtung ge­ polte zweite Diode (19) angeschlossen ist.

3. Transistorausgangsstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Diode eine Zener-Diode (19) ist.

4. Transistorausgangsstufe nach Ansprüchen 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Eingang der ersten Überwachungseinrichtung (10) über einen Widerstand (14) an den Anschluß (5) für die Last (7) gelegt ist und daß die erste Überwachungseinrichtung (10) bei Umkehr der Polari­ täten der Spannungen an dem mit dem Anschluß (5) für die Last (7) ver­ bundenen Eingang und an dem mit dem Meßwiderstand (4) verbundenen Ein­ gang kein den MOSFET (1) sperrendes Signal abgibt.

5. Transistorausgangsstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang der zweiten Überwachungseinrichtung (20) in konjunk­ tiver Verknüpfung (21) mit dem Ausgangssignal einer UND-Torschaltung (11) an das Zeitverzögerungsglied (22) gelegt ist, an dessen Ausgang der Setzeingang eines von außen wahlweise zurücksetzbaren Speichers (23) angeschlossen ist, dessen Ausgang auf einen Eingang der UND-Tor­ schaltung (11) zurückgeführt ist, deren anderer Eingang (12) von einem Ansteuersignal beaufschlagbar ist und deren Ausgang mit der Treiberschaltung (9) verbunden ist.

6. Transistorausgangsstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das positive Potential für die Treiberschaltung (9) aus der Betriebsspannung für die Last (7) mit einem Rechteckgenerator und einer Spannungserhöhungsschaltung (16) erzeugt wird, als deren einer Kondensator die Kapazität zwischen Gate- und Source-Elektrode des MOSFET (1) ausgenutzt wird, wobei die Gate-Elektrode über einen von der Treiberschaltung (9) an negativeres Betriebspotential an­ schaltbaren Widerstand (28, 29) mit einer Diode (27) der Spannungs­ erhöhungsschaltung (16) verbunden ist.

7. Transistorausgangsstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Überwachungseinrichtung (10) ein bipolarer Tran­ sistor ist, dessen Kollektor mit der Gate-Elektrode des MOSFET (1) verbunden ist, während jeweils die Basis an die Source-Elektrode und der Emitter über einen Widerstand (14) an den Anschluß für die Last (7) gelegt sind.

8. Transistorausgangsstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung (9) ein bipolarer Transistor ist, dessen Basis mit der UND-Torschaltung (11) verbunden ist, während jeweils der Kollektor an einen Abgriff von Spannungsteilerwiderständen in der Spannungserhöhungsschaltung und der Emitter an die zweite Diode angeschlossen sind.

9. Transistorausgangsstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Überwachungseinrichtung ein bipolarer Transistor ist, dessen Emitter über eine Diode an den Anschluß (5) für die Last (7) gelegt ist, während die Basis mit einer gleichbleibenden Spannung beaufschlagt ist und daß der Kollektor mit der UND-Tor­ schaltung (21) verbunden ist.