DE2728564A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE2728564A1
DE2728564A1 DE19772728564 DE2728564A DE2728564A1 DE 2728564 A1 DE2728564 A1 DE 2728564A1 DE 19772728564 DE19772728564 DE 19772728564 DE 2728564 A DE2728564 A DE 2728564A DE 2728564 A1 DE2728564 A1 DE 2728564A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
springs
semiconductor component
component according
recesses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19772728564
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Egerbacher
Heinz Martin
Dieter Wunderlich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19772728564 priority Critical patent/DE2728564A1/de
Priority to JP7594878A priority patent/JPS5410673A/ja
Publication of DE2728564A1 publication Critical patent/DE2728564A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

  • Halbleiterbauelement
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit mehreren Halbleiterelementen, die in mindestens einer Aussparung eines durch Boden und Deckel abgeschlossenen Gehäuses angeordnet sind und die in thermischem Kontakt mit dem Boden stehen.
  • Ein bekanntes Halbleiterbauelement dieser Art hat ein völlig aus Isoliermaterial bestehendes Gehäuse und in mehreren Ausspalungen sind Gleichrichterelemente mit zwei Zuleitungen angeordnet, die aus Jeder Aussparung herausgeführt sind. Es ist auch bereits ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art bekannt, dessen Gehäuse aus Metall besteht. Dieses Gehäuse hat mehrere mit einem Isolierstoff ausgekleidete Ausnehmungen, in denen Jeweils ein Halbleiterelement angeordnet ist. Durch Aufeinanderstapeln soleher Halbleiterbauelemente ergibt sich eine Reihenschaltung.
  • Durch Anordnung der Halbleiterelemente in mehreren Ausnehmungen läßt sich eine Parallelschaltung von Halbleiterelementen aufbauen.
  • Die beschriebenen Halbleiterbauelemente sind als einfache Einweggleichrichter zu verwenden. Der Aufbau zum Beispiel einer Brückenschaltung erfordert entweder äußeren schaltungstechnischen Aufwand oder ist wie beim zuletzt beschriebenen Halbleiterbauelement nicht ohne größere konstruktive Änderung durchführbar.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der beschriebenen Art mit Druckkontakten so zu gestalten, daß es als Zweig einer Gleichrichterbrücke oder auch als Reihenschaltung verwendbar ist. Das Halbleiterbauelement soll gleichzeitig eine gute Wärmeabfuhr ermöglichen.
  • Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Boden aus Metall besteht, daß die Aussparung im Boden angeordnet ist, daß die Halbleiterelemente mit einem Pol Je auf einem Kontaktstreifen sitzen, der wärmeleitend mit dem Boden verbunden, elektrisch Jedoch gegen ihn isoliert ist, daß mit dem anderen Pol der Halbleiterelemente Zuführungselektroden verbunden sind, daß der Kontaktstreifen des einen Halbleiterelementes mit der Zuführungselektrode des anderen Halbleiterelementes elektrisch verbunden ist, daß die Kontaktstreifen und Zuführungselektroden mit Zuleitungen versehen sind, die durch den Deckel nach außen gefUhrt sind, daß Jedes Halbleiterelement durch eine oder mehrere Federn an die Kontaktstreifen gedrückt ist, daß die Federn außerhalb der Aussparung an zwei Stellen am Boden befestigt sind, und daß der Boden außerhalb der Aussparung mit Befestigungslöchern versehen ist, die so angeordnet sind, daß ihre Verbindungslinien über die Halbleiterelemente gehen.
  • Ausgestaltungen und zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die Erfindung wird an Hand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Figuren näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 einen Längs schnitt durch das Halbleiterbauelement und Fig. 2 die Aufsicht auf das Halbleiterbauelement nach Fig. 1.
  • Das Halbleiterbauelement weist einen metallenen Boden 1 und einen Deckel 2 auf, der aus Isolierstoff bestehen kann. Der Boden 1 ist mit Aussparungen 3, 4 versehen, die zur Aufnahme von Halbleiterelementen bestimmt sind. Die Böden der Aussparungen 4, 3 sind mit 7 beziehungsweise 3 bezeichnet. Auf dem Boden 7 liegt eine wärmeleitende, Jedoch elektrisch isolierende Schicht 9, beispielsweise aus Berylliumoxid. Auf der Schicht 9 liegen der Reihe nach ein Kontaktstreifen 11, ein Halbleiterelement 13, ein metallenes Druckstück 15, eine Zuführungselektrode 16, ein Isolierstück 17 und eine Feder 18. Auf dem Boden 8 der anderen Ausnehmung 3 liegt ebenfalls eine wärmeleitende Isolierschicht 10, auf der der Reihe nach ein Kontaktstreifen 12, ein Halbleiterelement 14, ein metallenes Druckstück 19, eine Zuführungselektrode 20, ein Isolierstück 21 und eine Feder 22 liegen. Die Druckstilcke haben Öffnungen für die Steuerelektrode und Steuerleitung, wenn die Halbleiterelemente steuerbar sind. Sind sie nicht steuerbar, können die Druckstücke weggelassen werden.
  • Der metallene Kontaktstreifen 11 ist mit der Zuführungselektrode 20 elektrisch verbunden, Beide Teile kdnnen aus einem einzigen gekröpften Blechstück bestehen. Der Kontaktstreifen 11, die Zuführungselektrode 16 und der Kontaktstreifen 12 sind mit Zuleitungen 36, 34, 35 verbunden. Diese Zuleitungen sind durch Öffnungen im Deckel 2 nach außen geführt und dienen zum Anschluß des Halbleiterbauelementes.
  • Die Federn 18 und 22 liefern den Kontaktdruck für die stromführenden Teile. Gleichzeitig sorgen sie auch für einen guten Wärmeübergang zwischen den Halbleiterelementen 13, 14 und dem metallenen Gehäuseboden 1. Wird das Halbleiterbauelement auf einen Kühlkörper festgeschraubt, so soll die Verlustwärme der Halbleiterelemente auf kurzem Weg abgeführt werden. Es ist dazu notwendig, daß der Gehäuseboden im Bereich der Aussparungen 3, 4 möglichst dünn, beispielsweise nur einige Millimeter stark ist. Zur einwandfreien Kontaktierung muß der durch die Federn 18. 22 aufgewendete Kontaktdruck Jedoch sehr hoch sein. Er liegt an den Halbleiterelementen zweckmäßigerweise zwischen 5 und 30 tI/mm2 (50 und 300 kp/cm2). Ein solch hoher Kontaktdruck würde den metallenen Boden im Bereich der Aussparungen Jedoch so verformen, daß der Wärmeübergang zwischen dem Gehäuseboden 1 und dem Kühlkörper stark verschlechtert würde.
  • Um die genannten Verformungen des Gehäusebodens zu kompensieren, weist der Gehäuseboden 1 Befestigungslöcher 29, 30, 31 auf, die außerhalb der Aussparungen angeordnet sind. Die Lage der Befestigungslöcher ist so gewählt, daß ihre Verbindungslinien 32, 33 über die Aussparungen 4, 3 hinweggehen. Wird der Gehäuseboden an den Befestigungslöchern auf einen Kühlkörper aufgeschraubt, so bewirkt der Druck des außerhalb der Aussparungen 3, 4 als im wesentlichen starr anzusehenden Cehäusebodens 1 auf den Kühlkörper eine Kompensation der Verformung des Gehäusebodens 1 im Bereich der Böden 7, 8 der Aussparungen. Man erhält also sowohl einen geringen Wärmewiderstand zwischen den Halbleiterelementen und dem Gehäuseboden 1 im Bereich der Auflageflächen der Halbleiterelemente als auch einen günstigen Wärmeübergangswiderstand zwischen dem Gehäuseboden 1 und einem damit verbundenen Kühlkörper.
  • Weist das Halbleiterbauelement zwei Halbleiterelemente auf, können die Aussparungen, die Federsysteme, ihre Befestigungen und die Befestigungslöcher zueinander spiegelbildlich symmetrisch angeordnet sein, wie dies in Fig. 2 dargestellt ist. Eine besonders günstige Anordnung erhält man dann, wenn die genannten Verbindungslinien 32, 33 die Verbindungslinien 27, 28 zwischen den zur Feder 18 gehörenden Befestigungen 23, 24 einerseits und zwischen den zur Feder 22 gehörenden Befestigungen 25, 26 anderseits wenigstens etwa im rechten Winkel schneiden. Wegen der Symmetrie der auftretenden Kräfte lassen sich die Verformungen dann gleichmäßig beseitigen. Die Kompensation der Verformungen ist besonders wirksam, wenn die Verbindungslinien 32, 33 wenigstens etwa durch das Zentrum der Aussparungen gehen Nach dem Zusammenbau der Anordnung können die Aussparungen 3, 4 sowie weitere, zur Aufnahme von elektrischen Leitern bestimmte Aussparungen 5 und 6 mit einer isolierenden Masse bis zur Höhe der Federn ausgefüllt werden, so daß die Halbleiterelemente vollständig umhüllt sind. Zur elektrischen Isolierung des Randes der Halbleiterelemente vom Gehäuseboden kann noch eine isolierende Manschette 37 vorgesehen sein. Diese kann, wie im Ausführungsbeispiel dargestellt, sämtliche Aussparungen umfassen. Die genannten Aussparungen könnten auch, da sie untereinander in Verbindung stehen, als eine einzige Aussparung angesehen werden.
  • 8 Patentansprüche 2 Figuren L e e r s e i t e

Claims (8)

  1. Patentansprdche 'Halbleiterbauelement mit mehreren Halbleiterelementen, die in mindestens einer Aussparung eines durch Boden und Deckel abgeschlossenen Gehäuses angeordnet sind und die in thermischem Kontakt mit dem Boden stehen, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß der Boden (1) aus Metall besteht, daß die Aussparung (3, 4, 5, 6) im Boden angeordnet ist, daß die Halbleiterelemente (13, 14) mit einem Pol Je auf einem Kontaktstreifen (11, 12) sitzen, der wärmeleitend mit dem Boden (1) verbunden, elektrisch Jedoch gegen ihn isoliert ist, daß mit dem anderen Pol der Halbleiterelemente Zuführungselektroden (16, 20) verbunden sind, daß der Kontaktstreifen (11) des einen Halbleiterelementes (13) mit der Zuführungselektrode (20) des anderen Halbleiterelementes (14) elektrisch verbunden ist, daß die Kontaktstreifen und Zuführungselektroden mit Zuleitungen (34, 35, 36) versehen sind, die durch den Deckel (2) nach außen geführt sind, daß Jedes Halbleiterelement durch eine oder mehrere Federn (18, 22) an die Kontaktstreifen gedrückt ist, daß die Federn (18, 22) außerhalb der Aussparung an zwei Stellen am Boden befestigt sind, und daß der Boden außerhalb der Aussparung mit Befestigungslöchern (29, 30, 31) versehen ist, die so angeordnet sind, daß ihre Verbindungslinien (32, 33) über die Halbleiterelemente (13, 14) gehen.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Boden zwei Aussparungen (3, 4) vorgesehen sind, in denen Je ein Halbleiterelement (13, 14) sitzt, daß die Aussparungen, die Federn (18, 22), ihre Befestigungen (23, 24, 25, 26) und die Befestigungslöcher (29, 30, 31) zueinander spiegelbildlich symmetrisch angeordnet sind.
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungslinie (27) der zur einen der Federn (18) gehörenden Befestigungen (23, 24) die Verbindungslinie (28) der zur anderen der Federn (22) gehörenden Befestigungen (25, 26) und die über die Halbleiterelemente (13, 14) gehenden Verbindungslinien (32, 33) der Befestigungslöcher (29, 30, 31) die Verbindungslinien (27, 28) der Befestigungen wenigstens etwa im rechten Winkel schneiden.
  4. 4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Zuführungselektroden (16, 20) und den Halbleiterelementen (13, 14) metallene Druckstüoke (15, 19) und zwischen den Federn (18, 22) und den Zuführungselektroden (16, 20) Isolierstücke (17, 21) angeordnet sind.
  5. 5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktstreifen (11) des einen Halbleiterelementes (13) und die Zuführungselektrode (20) des anderen Halbleiterelementes (14) aus einem einzigen Stück gekrdpften Blech bestehen.
  6. 6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Boden (1) weitere, zur Aufnahme von elektrischen Leitern bestimmte Aussparungen (5, 6) aufweist.
  7. 7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die in den Aussparungen angeordneten Teile bis zur Höhe der Federn in eine isolierende Masse eingebettet sind.
  8. 8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Boden (1) des Gehäuses als Kühlkörper ausgebildet ist.
DE19772728564 1977-06-24 1977-06-24 Halbleiterbauelement Withdrawn DE2728564A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772728564 DE2728564A1 (de) 1977-06-24 1977-06-24 Halbleiterbauelement
JP7594878A JPS5410673A (en) 1977-06-24 1978-06-22 Semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772728564 DE2728564A1 (de) 1977-06-24 1977-06-24 Halbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2728564A1 true DE2728564A1 (de) 1979-01-11

Family

ID=6012298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772728564 Withdrawn DE2728564A1 (de) 1977-06-24 1977-06-24 Halbleiterbauelement

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS5410673A (de)
DE (1) DE2728564A1 (de)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942401A1 (de) * 1979-10-19 1981-04-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit mehreren halbleiterkoerpern
DE3005313A1 (de) * 1980-02-13 1981-08-20 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbaueinheit
DE3028178A1 (de) * 1980-07-25 1982-02-25 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleiter-modul
DE3123036A1 (de) * 1980-06-10 1982-03-18 CKD Praha O.P., Praha Halbleitermodul
FR2503526A1 (fr) * 1981-04-03 1982-10-08 Silicium Semiconducteur Ssc Boitier et procede de montage et d'interconnexion de composants semiconducteurs de moyenne puissance en boitier unique.
DE3143336A1 (de) * 1981-10-31 1983-05-19 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleitergleichrichterbaueinheit
DE3508456A1 (de) * 1985-03-09 1986-09-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul
DE3628556C1 (en) * 1986-08-22 1988-04-14 Semikron Elektronik Gmbh Semiconductor device
US4853762A (en) * 1986-03-27 1989-08-01 International Rectifier Corporation Semi-conductor modules
FR2660826A1 (fr) * 1990-04-05 1991-10-11 Mcb Sa Boitier economique pour composants electroniques de puissance, a fixer sur dissipateur thermique et son procede de fabrication.
EP2489956A1 (de) * 2011-02-21 2012-08-22 Gerdes OHG Kühleinrichtung eines elektrischen, sich erwärmenden Bauelements
WO2017032356A1 (de) * 2015-08-25 2017-03-02 Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiterbauelementmodul mit einer ein becken ausbildenden druckplatte

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942409A1 (de) * 1979-10-19 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit mehreren halbleiterkoerpern

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942401A1 (de) * 1979-10-19 1981-04-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit mehreren halbleiterkoerpern
DE3005313A1 (de) * 1980-02-13 1981-08-20 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbaueinheit
DE3123036A1 (de) * 1980-06-10 1982-03-18 CKD Praha O.P., Praha Halbleitermodul
DE3028178A1 (de) * 1980-07-25 1982-02-25 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleiter-modul
FR2503526A1 (fr) * 1981-04-03 1982-10-08 Silicium Semiconducteur Ssc Boitier et procede de montage et d'interconnexion de composants semiconducteurs de moyenne puissance en boitier unique.
DE3143336A1 (de) * 1981-10-31 1983-05-19 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleitergleichrichterbaueinheit
US4672422A (en) * 1981-10-31 1987-06-09 Semikron Gesellschaft Fur Gleichrichterbau Und Elektronik M.B.H. Semiconductor rectifier unit
DE3508456A1 (de) * 1985-03-09 1986-09-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul
US4853762A (en) * 1986-03-27 1989-08-01 International Rectifier Corporation Semi-conductor modules
DE3628556C1 (en) * 1986-08-22 1988-04-14 Semikron Elektronik Gmbh Semiconductor device
FR2660826A1 (fr) * 1990-04-05 1991-10-11 Mcb Sa Boitier economique pour composants electroniques de puissance, a fixer sur dissipateur thermique et son procede de fabrication.
WO1991015873A1 (fr) * 1990-04-05 1991-10-17 Mcb Societe Anonyme Boitier economique pour composants electroniques de puissance a fixer sur dissipateur thermique et son procede de fabrication
EP2489956A1 (de) * 2011-02-21 2012-08-22 Gerdes OHG Kühleinrichtung eines elektrischen, sich erwärmenden Bauelements
EP2489956B1 (de) 2011-02-21 2017-04-05 Gerdes OHG Kühleinrichtung eines elektrischen, sich erwärmenden Bauelements
EP2489956B2 (de) 2011-02-21 2020-09-09 Gerdes Holding GmbH & Co. KG Kühleinrichtung eines elektrischen, sich erwärmenden Bauelements
WO2017032356A1 (de) * 2015-08-25 2017-03-02 Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiterbauelementmodul mit einer ein becken ausbildenden druckplatte
RU2693521C1 (ru) * 2015-08-25 2019-07-03 Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко Кг Модуль силового полупроводникового элемента с образующей резервуар прижимной пластиной

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5410673A (en) 1979-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2728313A1 (de) Halbleiterbauelement
DE69229030T2 (de) Solarzellenmodul
DE2728564A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2847853C2 (de) Halbleiteranordnung
DE2927072A1 (de) Konzentratorsolarzellen-reihenbauteil
EP0597254A1 (de) Schaltungsanordnung für Leistungshalbleiterbauelemente
DE2937050A1 (de) Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung
DE3542324C2 (de) Elektrische Kurzschlußvorrichtung
DE2002810C3 (de) Halbleiterdiode zum Erzeugen oder Verstarken von Mikrowellen und Verfahren zu ihrem Betrieb
DE2806099A1 (de) Halbleiter-baugruppe
DE2617335A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2807350A1 (de) Fluessigkristall-anzeigevorrichtung in baueinheit mit einem integrierten schaltkreis
DE1961042C3 (de) Halbleiterbauelement
EP0169356B1 (de) Wechsellastbeständiges, schaltbares Halbleiterbauelement
EP1220314B1 (de) Leistungshalbleitermodul
EP0715351B1 (de) Leistungs-Halbleiterbauelement
DE69106321T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer übertragbaren Zusammensetzung von einer elektronischen Schaltung für das Lesen und/oder den Betrieb und von einem Leitungsfähigen (oder nicht-)Träger.
DE102015224020A1 (de) Thermoelektrisches Modul
DE1121226B (de) Halbleiteranordnung
DE2722387A1 (de) Passive elektro-optische anzeigezelle
DE2755404A1 (de) Halbleiteranordnung
EP0372228A1 (de) Halbleiterelement mit einer Trägerplatte
DE3232157A1 (de) Halbleiter-modul
DE1764795A1 (de) Gleichrichteranordnung
DE2516006A1 (de) Elektronikeinheit

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee