DE2726667A1 - Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben - Google Patents
Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselbenInfo
- Publication number
- DE2726667A1 DE2726667A1 DE19772726667 DE2726667A DE2726667A1 DE 2726667 A1 DE2726667 A1 DE 2726667A1 DE 19772726667 DE19772726667 DE 19772726667 DE 2726667 A DE2726667 A DE 2726667A DE 2726667 A1 DE2726667 A1 DE 2726667A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- coating
- semiconductor component
- mask
- semiconductor
- passivation layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 9
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
- H01L21/0212—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC the material being fluoro carbon compounds, e.g.(CFx) n, (CHxFy) n or polytetrafluoroethylene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Reciprocating Pumps (AREA)
Description
Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. 6 Prankfurt/Main 70, Theodor-Stern-Kai 1
-3-
3. Juni 1977 FBE 76/22
"Oberflachenpassiviertes Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
desselben"
Die Erfindung bezieht sich auf oberflächenpassivierte Halbleiterbauelemente
mit einer Halbleiterscheibe, bei der pn-Übergänge schneidende Oberflächenteile mit einer organischen
Passivierungsschicht bedeckt sind, sowie auf Verfahren zum Herstellen eines oberflächenpassivierten Halbleiterbauelementes,
insbesondere Herstellung der Oberflächenpassivierung.
Es sind zum größten Teil oberflächenpassivierte Halbleiterbauelemente
mit Halbleitern aus Silizium bekannt, bei welchen die Halbleiteroberfläche mit einer anorganischen Passivierungsschicht
zum Schutz der an die Oberfläche stoßenden pn-Ubergänge bedeckt ist. Derartige Schutzschichten, z.B. aus
Siliziumdioxid (SiO2), sind mittels der bekannten Diffusionsmaskentechnik
hergestellt (BE-PS 570 582), indem die Diffusionsmaske nach Ausführung des Diffusionsprozesses auf der
Halbleiteroberfläche belassen wird, sofern diese Maske nicht durch die Diffusion verunreinigt ist (US-PS 1 197 548).
Es können Passivierungsschichten, ohne vorübergehend als Diffusionsmaske verwendet zu werden, auch mittels besonderer
Verfahren hergestellt sein, z.B. nach DT-AS 1 137 14-0
809851/0352
- S.. - PBE 76/22
eine Schutzschicht aus verschiedenartigen anorganischen und/ oder organischen Stoffen wie Silikonkautschuk, Gläser und
Polyimide. Halbleiterbauelemente aus Silizium, deren Oberfläche, wie vorangehend erläutert, mit einer anorganischen
Passivierungsschicht versehen ist, können nicht bei hohen Betriebsspannungen im nicht hermetischen Gehäuse betrieben werden.
Ferner sind auch oberflächenpassivierte Halbleiterbauelemente aus Silizium, z.B. durch DT-AS 1 292 756 und DT-OS
2 322 34-7 bekannt, bei denen die Halbleiteroberfläche mit einer rein organischen Passivierungsschicht z.B. aus Silikonlack
bzw. Polyimid und Polyhydantoin oder aus einer, organischen Schichtfolge bedeckt ist. Diese Schutzschichten werden
mittels spezieller Verfahren hergestellt, die verhältnismäßig aufwendig sind. Es sind derartige Schutzschichten überdies permeabel
gegenüber Wasserdampf, so daß die betreffenden Bauelemente bei ihrer Anwendung gekapselt sein müssen.
Die Erfindung sucht für Halbleiterbauelemente der eingangs angegebenen
Art eine Oberflächenpassivierung mittels einer Passivierungsschicht, welche einfach herstellbar ist und die
Oberfläche des Halbleiters gegenüber Einflüssen der Atmosphäre abschirmt, damit Halbleiterbauelemente ohne Gehäuse oder in
nicht hermetisch dichten Gehäusen angewendet werden können.
Eine solche Passivierungsschicht besteht erfindungsgemäß aus einem teilfluorierten Kohlenwasserstoffpolymer und ist als
zusammenhängend verschmolzener Überzug ausgebildet, welcher durch Beschichtung mit einem Pulver, das überwiegend Teilchen
mit einer Korngröße kleiner als 30 ,um enthält, hergestellt
ist.
Weiteren Ausbildungen der Erfindung gemäß ist die Pulverbeschichtung
aus einem Copolymer!sat von Tetrafluoräthylen und Äthylen zusammengesetzt. Zur Herstellung einer solchen Passivierungsschicht
für ein oberflachenpassiviertes Halbleiterbau-
•08851/0352
- > - PBE 76/22
element wird erfindungsgemäß in der Weise verfahren, daß bei einem mit einer vorgesehenen Zonenstruktur ausgebildeten
sowie mit geschliffener und geätzter Oberfläche vorbereiteten Halbleiterbauelement aus Silizium die Elektroden
mit einer Maske aus Teflon bedeckt werden, alsdann das Bauelement auf wenig mehr als 280 0C erhitzt wird und die
unmaskierte Oberfläche des Bauelements mit einem Pulver aus einem teilfluorierten Kohlenwasserstoffpolymer beschichtet
wird, und daraufhin diese Beschichtung nach dem Abnehmen der Maske 4 bis 10 Minuten lang auf 320 0C gehalten wird und
nach dieser Behandlung der hergestellte Überzug auf Zimmertemperatur abgekühlt wird.
Nach einer bevorzugten Ausführungsweise gemäß der Erfindung
wird eine Beschichtung auf die unmaskierte Oberfläche der geerdeten und nicht erhitzten Bauelemente elektrostatisch
aufgesprüht und es wird daraufhin diese Beschichtung nach dem Abnehmen der Maske bei 320 0C geschmolzen und der dann
hergestellte Überzug auf Zimmertemperatur abgekühlt.
Diese Ausführungsweise zum Herstellen einer Passivierungsschicht bei einem Halbleiterbauelement aus Silizium ist
nachstehend als Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher beschrieben.
Zur Anwendung und Durchführung des Herstellungsverfahrens wird zunächst das Halbleiterbauelement vorbereitet, d.h. es
werden nach dem Ausbilden einer Zonenstruktur in einer Siliziumscheibe und der Elektroden sowie nach dem Anschleifen
einer Randfläche der Scheibe diese Randfläche geätzt, in entionisiertem Wasser gespült und in einem Ofen getrocknet.
Das daraufhin anzuwendende Verfahren wird folgendermaßen durchgeführt:
Das Halbleiterbauelement 1 wird mit seiner ganzflächigen Hauptelektrode A auf einem Teflonblock 2 montiert, durch
welchen ein diese Hauptelektrode kontaktierender Erdungsleiter
809851/0352
(θ
FBE 76/22
E hindurchgeführt ist. Die übrigen Elektroden K, G, die in der der Montagefläche gegenüberliegenden Hauptfläche des
Bauelements planar angeordnet sind, werden mit einer zentrierten Maske 3 aus Teflon bedeckt.
Es wird nun die unmaskierte Randfläche 11 mit Hilfe einer auf -70 kV gehaltenen Sprühpistole 4- mit einem Pulver, das
aus einem Copolymerisat von Tetrafluoräthylen und Äthylen besteht, elektrostatisch besprüht und beschichtet. Dabei
wird die Maske aus Teflon ebenfalls besprüht. Auf der Randfläche haftet das Sprühgut sofort und vorzüglich. Von der
Teflonmaske hingegen läßtes sich später leicht (z.B. durch Abblasen) entfernen. Es kann alsdann die Maske aus Teflon
von der Hauptfläche und den Elektroden abgenommen werden, und an diese gelangtes Sprühgut kann mit Hilfe eines Gasstrahls
(z.B. Stickstoff) entfernt werden. Schließlich wird das Halbleiterbauelement 1 über 280 0G auf ungefähr 320 0C
erhitzt. Die Temperatur wird bei 320 0C höchstens 10 Minuten
lang etwa konstant gehalten, wobei die bereits zusammenhängende Beschichtung 5 zusammenschmilzt und als hermetischer
Überzug ausgebildet wird. Anschließend läßt man das Ganze auf Zimmertemperatur abkühlen. Mehrere Bauelemente, die auf
einem entsprechend großen Teflonblock in Kreisausnehmungen montiert sind, können nach diesem Verfahren gleichzeitig passiviert
werden. Die Sprühgutmenge in der Sprühpistole kann jeweils derart bemessen werden, daß der hergestellte Überzug
eine gewünschte Dicke zwischen 30 /um und 70 /um erhält. Zur
Passivierung einzelner Bauelemente ist ein wie folgt modifiziertes Verfahren anwendbar. Es wird demnach ein zu passivierendes
Bauelement noch vor der Beschichtung seiner unmaskierten Oberfläche auf 280 0C bis 300 0C in einem Ofen erhitzt
und dann die soweit erhitzte Scheibe mit einem Pulver, einem Copolymerisat aus Tetrafluoräthylen und Äthylen beschichtet.
Dieses organische Beschichtungspulver schmilzt bei Temperaturen um 280 0C und bildet einen zusammenhängenden glatten
809851/0352
FBE 76/22
Überzug. Die Maske aus Teflon wird von dem schmelzenden Beschichtungspulver
nicht angegriffen. Nach dem Abnehmen der Maske wird die Beschichtung 5 bis 10 Minuten lang bei 320 0C
behandelt und anschließend auf Zimmertemperatur abgekühlt. Es genügt, den schmelzenden Überzug den Teil der Randfläche
bedecken zu lassen, an welchem pn-Übergänge an die Randfläche stoßen.
Die thermische Behandlung von 5 bis 10 Minuten Dauer ist hinreichend,
damit sich der schmelzflüssige Überzug zusammenhängend ausbilden kann. Beim Abkühlen des Überzugs auf Zimmertemperatur
verfestigt sich dieser, ohne zu schrumpfen und ohne die Haftfestigkeit auf der Halbleiteroberfläche zu verlieren.
Überzüge aus den angegebenen teilfluorierten Kohlenwasserstoffen haben die vorteilhafte Eigenschaft, daß sie für Wasser
und Feuchtigkeit weder aufnahmefähig noch durchlässig sind und daher als beständiges Passivierungsmittel auf Halbleiteroberflächen
in nicht hermetisch gekapselten Gehäusen anwendbar sind. Sie sind außerdem gute Isolatoren und sind
auch thermisch hoch belastbar. Das Material des Beschichtungspulvers ist in technisch hoher Reinheit verfügbar.
Die beschriebenen Verfahren sind auch zur Oberflächenpassivierung von planaren Halbleiterbauelementen anwendbar.
809851/0352
Leerseite
Claims (5)
- - 6. - PBE 76/22Patentansprüche! 1)Joberflächenpassiviertes Halbleiterbauelement mit einer —Halbleiterscheibe, bei der pn-Übergänge schneidende Oberflächenteile mit einer organischen Passivierungsschicht bedeckt sind, dadurch gekennzeichnet, daß diese Passivierungsschicht aus einem teilfluorierten Kohlenwasserstoffpolymer besteht und als zusammenhängend verschmolzener Überzug ausgebildet ist, welcher durch Beschichtung mit einem Pulver, das überwiegend Teilchen mit einer Korngröße kleiner als 30 /um enthält, hergestellt ist.
- 2) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Pulverbeschichtung aus einem Copolymerisat von Tetrafluoräthylen und Äthylen zusammengesetzt ist.
- 3) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht mindestens 30 /um dick ist.
- 4) Verfahren zum Herstellen eines oberflachenpassivierten Halbleiterbauelements nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem mit einer Zonenstruktur und mit Elektroden ausgebildeten sowie mit geschliffener und geätzter Oberfläche (11) vorbereiteten Halbleiterbauelement (1) aus Silizium die Elektroden mit einer Maske (3) aus Teflon bedeckt werden, alsdann das Halbleiterbauelement auf wenig mehr als 280 0C erhitzt und die unmaekierte Oberfläche (11) des Bauelements mit einem Pulver aus einem teilfuorierten Kohlenwasserstoffpolymer beschichtet wird, daß daraufhin diese Beschichtung (5) nach dem Abnehmen der Maske (3) 4 bis 10 Minuten lang auf 320 0C gehalten wird und nach dieser Behandlung der hergestellte Überzug auf Zimmertemperatur abgekühlt wird.809851/0352ORIGINAL INSPECTED- 7\ - FBE 76/22
- 5) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (5) auf die unmaskierte Oberfläche (11) des geerdeten und nicht erhitzten Bauelements (1) elektrostatisch aufgesprüht wird und daß daraufhin diose BeSchichtung nach dem Abnehmen der Maske (3) bei 320 0G geschmolzen und der dann hergestellte Überzug auf Zimmertemperatur abgekühlt wird.809851/0352
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772726667 DE2726667A1 (de) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben |
US05/909,810 US4172698A (en) | 1977-06-14 | 1978-05-26 | Pressure gas operated pump |
JP6930978A JPS545658A (en) | 1977-06-14 | 1978-06-08 | Semiconductor element inactivated on surface and method of producing same |
SE7806727A SE7806727L (sv) | 1977-06-14 | 1978-06-09 | Ytpassiverat halvledarelement och forfarande for dess tillverkning |
US05/915,355 US4220962A (en) | 1977-06-14 | 1978-06-14 | Surface passivated semiconductor device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772726667 DE2726667A1 (de) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2726667A1 true DE2726667A1 (de) | 1978-12-21 |
Family
ID=6011444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772726667 Ceased DE2726667A1 (de) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4172698A (de) |
JP (1) | JPS545658A (de) |
DE (1) | DE2726667A1 (de) |
SE (1) | SE7806727L (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2515874A1 (fr) * | 1981-11-05 | 1983-05-06 | Comp Generale Electricite | Procede d'encapsulation plastique de cellules solaires |
US6893679B2 (en) * | 1998-06-15 | 2005-05-17 | Dsm N.V. | Process for preparing a composite material by vapor depositing a barrier layer on a substrate |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1597371A (en) * | 1977-02-05 | 1981-09-09 | Molins Ltd | Monitoring flow of rod-like articles |
JPS55130133A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
US4242941A (en) * | 1979-05-14 | 1981-01-06 | Wilden Pump & Engineering Co. | Actuator valve |
US4326380A (en) * | 1980-01-09 | 1982-04-27 | Rittmaster Peter A | Hydraulic engine |
JPS6018145B2 (ja) * | 1980-09-22 | 1985-05-09 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置 |
US4480969A (en) * | 1981-11-12 | 1984-11-06 | The Coca-Cola Company | Fluid operated double acting diaphragm pump housing and method |
US4634350A (en) * | 1981-11-12 | 1987-01-06 | The Coca-Cola Company | Double acting diaphragm pump and reversing mechanism therefor |
US4682937A (en) * | 1981-11-12 | 1987-07-28 | The Coca-Cola Company | Double-acting diaphragm pump and reversing mechanism therefor |
FR2525697B1 (fr) * | 1982-04-21 | 1986-03-28 | Utilisation Ration Gaz | Pompe volumetrique a deux etages pour gaz de petrole liquefies en phase liquide, et procede d'injection de carburant pour moteur de vehicule automobile utilisant une telle pompe |
US4705458A (en) * | 1982-07-30 | 1987-11-10 | Bellofram Corporation | Fluid operated pump |
US4478560A (en) * | 1982-09-23 | 1984-10-23 | The Warren Rupp Company | Fluid-operated reciprocating pump |
US4827832A (en) * | 1982-11-22 | 1989-05-09 | Product Research And Development | Valve system for a reciprocating device |
US5240390A (en) * | 1992-03-27 | 1993-08-31 | Graco Inc. | Air valve actuator for reciprocable machine |
IL101516A (en) * | 1992-04-07 | 1994-07-31 | Abraham Moshe | Pressure booster |
US5334003A (en) * | 1993-01-25 | 1994-08-02 | The Aro Corporation | Air valving mechanism, in combination with a double diaphragm pump subassembly |
US5470209A (en) * | 1993-10-13 | 1995-11-28 | Shurflo Pump Manufacturing Co. | Offset reciprocable device |
US5505593A (en) * | 1993-10-13 | 1996-04-09 | Shurflo Pump Manufacturing Co. | Reciprocable device with switching mechanism |
US5545016A (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-13 | Standard-Keil Industries, Inc. | Plural chamber pneumatic pump having a motive fluid exhaust valve |
US5758563A (en) * | 1996-10-23 | 1998-06-02 | Holcom Co. | Fluid driven reciprocating pump |
DE19737363C1 (de) * | 1997-08-27 | 1999-03-11 | Siemens Ag | Kalibrierwafer |
US6062427A (en) * | 1998-08-27 | 2000-05-16 | Du Investments L.L.C. | Beer keg and pre-mixed beverage tank change-over device |
US6099264A (en) * | 1998-08-27 | 2000-08-08 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Pump controller |
DE19946562C2 (de) * | 1999-09-29 | 2003-10-30 | Oliver Timmer | Kompakt-Doppelmembranpumpe |
US6343539B1 (en) | 1999-11-10 | 2002-02-05 | Benjamin R. Du | Multiple layer pump diaphragm |
US6475558B2 (en) * | 2001-02-26 | 2002-11-05 | Volvo Trucks North America, Inc. | Vehicle electrical ground and process |
DE10124334A1 (de) | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zur pneumatischen Steuerung und Regelung von Druckmittelströmen |
US20040045430A1 (en) * | 2002-09-09 | 2004-03-11 | Vangstad Michael D. | Reciprocating hydraulic motor utilizing a ramped valve yoke with a tripping spring |
US6862972B2 (en) * | 2002-12-23 | 2005-03-08 | James Morrison | Additive injection device |
US7380566B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-06-03 | Jon Selander | Dewatering system and method for a subsurface vault |
GB2470348B (en) * | 2009-04-29 | 2011-06-08 | Flotronic Pumps Ltd | Double-diaphragm pump with unidirectional valve arrangement |
GB2478784B (en) * | 2010-03-19 | 2017-01-25 | Finishing Brands Holdings Inc | Improvements in diaphragm pumps |
US9004881B2 (en) * | 2012-04-20 | 2015-04-14 | Simmons Development, Llc | Modular fluid-driven diaphragm pump and related methods |
JP6062179B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-01-18 | 株式会社テクノ高槻 | センタリング機能付きセンタープレート搭載電磁駆動型流体ポンプ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1913308A (en) * | 1930-09-18 | 1933-06-06 | Trico Products Corp | Windshield cleaner |
US2187972A (en) * | 1938-03-21 | 1940-01-23 | Byron Jackson Co | Pumping apparatus |
US2626527A (en) * | 1948-12-15 | 1953-01-27 | Bendix Aviat Corp | Snap action valve mechanism for reciprocating pistons |
US2798440A (en) * | 1954-02-26 | 1957-07-09 | Ernest A Hall | Fuel feed pump |
US2864342A (en) * | 1955-08-29 | 1958-12-16 | Lynn J Ziegelmeyer | Hydraulically operated motor and control means therefor |
US3167083A (en) * | 1961-09-05 | 1965-01-26 | Peninsular Distributing Compan | Sequence valve |
NL300939A (de) * | 1962-12-21 | 1965-09-27 | ||
US3684592A (en) * | 1969-09-30 | 1972-08-15 | Westinghouse Electric Corp | Passivated surfaces and protective coatings for semiconductor devices and processes for producing the same |
US3741689A (en) * | 1971-08-05 | 1973-06-26 | Rupp Co Warren | Air operated diaphragm pump |
US3782863A (en) * | 1971-11-16 | 1974-01-01 | Rupp Co Warren | Slide valve apparatus |
US4017886A (en) * | 1972-10-18 | 1977-04-12 | Hitachi, Ltd. | Discrete semiconductor device having polymer resin as insulator and method for making the same |
US3920793A (en) * | 1973-04-02 | 1975-11-18 | Du Pont | Corrosion-resistant perfluorocarbon polymer coated metal substrate and process for preparing the same |
US3936569A (en) * | 1973-12-12 | 1976-02-03 | Allied Chemical Corporation | Metals coated with 3,3,3-trifluoro-2-trifluoromethyl propene/vinylidene fluoride copolymer compositions |
JPS5619086B2 (de) * | 1974-03-08 | 1981-05-06 | ||
US4013807A (en) * | 1975-03-26 | 1977-03-22 | Systemation Div. Of Koerper Engineering Associates, Inc | Coating electronic components by means of fluidized bed |
US4008984A (en) * | 1975-10-23 | 1977-02-22 | Scholle William R | Pump apparatus |
-
1977
- 1977-06-14 DE DE19772726667 patent/DE2726667A1/de not_active Ceased
-
1978
- 1978-05-26 US US05/909,810 patent/US4172698A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-06-08 JP JP6930978A patent/JPS545658A/ja active Pending
- 1978-06-09 SE SE7806727A patent/SE7806727L/xx unknown
- 1978-06-14 US US05/915,355 patent/US4220962A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2515874A1 (fr) * | 1981-11-05 | 1983-05-06 | Comp Generale Electricite | Procede d'encapsulation plastique de cellules solaires |
US6893679B2 (en) * | 1998-06-15 | 2005-05-17 | Dsm N.V. | Process for preparing a composite material by vapor depositing a barrier layer on a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS545658A (en) | 1979-01-17 |
US4220962A (en) | 1980-09-02 |
US4172698A (en) | 1979-10-30 |
SE7806727L (sv) | 1978-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2726667A1 (de) | Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben | |
DE69635745T2 (de) | Elektrostatische Haltevorrichtung und Herstellungsverfahren derselben | |
DE2730566C3 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0075874A2 (de) | Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitender Schichten | |
CH631291A5 (de) | Verfahren zur stabilisierenden oberflaechenbehandlung von halbleiterkoerpern. | |
DE3490105T1 (de) | Verbesserungen an Belägen, die geeignet sind, hohen thermischen Belastungen zu widerstehen, und insbesondere an Belägen für Satelliten und Raumschiffe, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Beläge | |
DE1032405B (de) | Flaechenhalbleiter mit guter Waermeableitung | |
DE2332822B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von diffundierten, kontaktierten und oberflächenpassivierten Halbleiterbauelementen aus Halbleiterscheiben aus Silizium | |
DE2548060C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DD201627A5 (de) | Verfahren zum bilden elektrisch leitender durchdringungen in duennfilmen | |
DE9215889U1 (de) | Oberflächenschutzmaterial für elektronische Bauelemente | |
DE1496545A1 (de) | Glasgemenge,insbesondere als Material fuer Passivierungs- und Schutzschichten fuer Festkoerperbauelemente | |
DE1915294A1 (de) | Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe | |
DE2136201C3 (de) | Verfahren zum Anbringen metallischer Zuleitungen an einem elektrischen Festkörper-Bauelement | |
DE2436600A1 (de) | Verfahren zur erzielung einer oberflaechenstabilisierenden schutzschicht bei halbleiterbauelementen | |
EP2025209B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines schaltungsträgers | |
DE2550512A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer metallisierung auf einem substrat | |
DE1237400C2 (de) | Verfahren zum Vakuumaufdampfen eines feuchtigkeitsfesten isolierenden UEberzuges aufHalbleiterbauelemente, insbesondere auf Halbleiterbauelemente mit pn-UEbergang | |
DE3012161A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines temperaturbestaendigen maskenmittels, entsprechend diesem verfahren erhaltenes maskenmittel sowie verwendung desselben | |
DE1186950C2 (de) | Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper | |
DE2751517A1 (de) | Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement mit einer halbleiterscheibe und verfahren zur herstellung desselben | |
WO1999011105A1 (de) | Verfahren zur herstellung elektrisch leitfähiger strukturen | |
DE2700463A1 (de) | Verfahren zum passivieren von halbleiterelementen | |
DE1514106C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halblei teranordnungen | |
DD263159A1 (de) | Verfahren zur passivierung von halbleiter-leistungsbauelementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
8131 | Rejection |