DE2702444B2 - Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat - Google Patents
Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein PräparatInfo
- Publication number
- DE2702444B2 DE2702444B2 DE2702444A DE2702444A DE2702444B2 DE 2702444 B2 DE2702444 B2 DE 2702444B2 DE 2702444 A DE2702444 A DE 2702444A DE 2702444 A DE2702444 A DE 2702444A DE 2702444 B2 DE2702444 B2 DE 2702444B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mask
- specimen
- preparation
- imaged
- imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
35
Die Erfindung bezieht sich auf ein korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer durch ein
Kondensorlinsensystem gleichmäßig mit einem Korpuskularstrahl beleuchteten Maske auf ein zu bestrahlendes
Präparat, mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat, bei der ein Bereich des
Präparats, in dem eine Justiermaske vorgesehen ist, durch eine Sonde aus eine Prüföffnung der Maske
durchsetzenden Korpuskeln bestrahlt ist, wobei Mittel vorgesehen sind, die von der Justiermarke ausgehende
Strahlung registrieren. Ein derartiges Gerät, wie es z. B. aus einer Arbeit von Heritage, J. Vac. Sei. Technol., 12,
1975, Seiten 1135 bis 1140 bekannt ist, dient insbesondere
zur Erzeugung von Mustern auf Halbleiterplättchen (Wafern) bei der Herstellung von integrierten Schaltungen.
Bei dem bekannten Gerät wird zur relativen Justierung von Maske und Präparat die Erregung des
Kondensorlinsensystems derart erhöht, daß die Strahlquelle — ideale Linsen vorausgesetzt — punktförmig in
die Maskenebene und damit durch das anschließende Projektionslinsensystem ebenfalls punktförmig in die
Präparatebene abgebildet wird. Oberhalb der Maske liegt ein Ablenksystem; es wird so erregt, daß die durch
den Strahl gebildete punktförmige Sonde die Prüföffnung in der Maskenebene abrastert. Dadurch entsteht in
der Präparatebene ein Bild der Prüföffnung. In der Nähe des Präparats befindet sich ein Detektor, der am Wafer
ausgelöste Sekundärelektronen registriert; das Detektorsignal wird einem Monitor zugeführt. Auf dem
Bildschirm des Monitors erscheint dann ein Bild, das sowohl die Justiermarke wie das Bild der Prüföffnung
enthält. Zur Justierung wird die Maske oder das Präparat so lange verschoben, bis das Bild der
Prüföffnung und die Justiermarke sich decken. Nach der Justierung muß die Erregung des Kondensorlinsensystems
wieder so verstellt werden, daß die Maske zur Abbildung ihrer gesamten Fläche auf das Fräparat
integral beleuchtet ist. Eine exakte Rückstellung der Kondensorlinsenerregung ist jedoch nur mit Schwierigkeiten
möglich, wenn die zu verstellende Kondensorlinse, wie es in der Regel der Fall ist, einen Eisenmantel
aufweist
Da das Kondensorlinsensystem nicht aus idealen Linsen besteht, sondern Fehler aufweist, ist das Bild der
Strahlquelle in der Maskenebene nicht punktförmig; das hat zur Folge, daß die Prüföffnung mit einer
unvermeidlichen Unscharfe in die Präparatebene abgebildet wird. Dementsprechend ist auch die Genauigkeit
der Justierung beschränkt.
Die Erfindung befaßt sich mit der Aufgabe, die in der Umstellung der Kondensorerregung liegende Fehlerquelle
zu beseitigen und die Abbildung der Prüföffnung auf die Justiermarke zu verbessern.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß eine zusätzliche Maske in Strahlrichtung gesehen über oder
unter die abzubildende Maske bewegbar ist, die die Korpuskeln des die abzubildende Maske durch das
Kondensorlinsensystem gleichmäßig beleuchtenden Korpuskularstrahls lediglich durch die Prüföffnung
treten bzw. lediglich die durch die Prüföffnung der abzubildenden Maske hindurchgetretenen Korpuskeln
des die abzubildende Maske durch das Kondensorlinsensystem gleichmäßig beleuchtenden Korpuskularstrahls
zum Präparat gelangen läßt.
Es sei darauf hingewiesen, daß es aus der DE-AS 24 60 761 bei einem korpuskularstrahloptischen Gerät
zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat bekannt ist, Teile der abzubildenden Maske durch eine über ihr
angeordnete zusätzliche Maske abzudecken, um nacheinander verschiedene Teile der Maske auf das Präparat
abzubilden.
Bei dem Gerät nach der Erfindung ist das Kondensorlinsensystem während der Justierung in
gleicher Weise erregt wie bei der betriebsmäßigen Abbildung der Maske auf das Präparat; zur Umstellung
vom Justierungszustand auf den Betriebszustand braucht nur die zusätzliche Maske aus dem Strahlengang
entfernt zu werden. Die optischen Fehler des Kondensorlinsensystems gehen in die Abbildung der
Prüföffnung auf die Präparatebene nicht ein, so daß die Schärfe der Abbildung entsprechend größer ist als bei
punktfönniger Sonde.
Zur Feststellung der relativen Lage von Prüföffnungsbild
und Justiermarke kann ebenso wie bei dem bekannten Gerät der eingangs genannten Art in der
Nähe des Präparats ein Detektor vorgesehen sein, der die von der Justiermarke ausgehende Strahlung, z. B.
Rückstreu- oder Sekundärelektronen, registriert. Das Ausgangssignal des Detektors kann nach Verstärkung
z. B. durch ein Instrument gemessen werden. Man kann jedoch auch den bei Bestrahlung über das Präparat
fließenden Strom messen, wobei sich die Rück- oder Sekundärstrahlung des Präparats als Verminderung des
Präparatstromes auswirkt.
Bei dem vorliegenden Gerät kann ebenfalls ein Ablenksystem vorgesehen sein, das die Sonde über den
Bereich des Präparats führt, mit einem dazu synchronen Fernseh-Monitor, dessen Helligkeit durch die vom
Präparat ausgehende Strahlung gesteuert ist. Während
das mit dem Monitor synchrone Ablenksystem jedoch bei dem bekannten Gerät der eingangs genannten Art
oberhalb der Maske liegt, ist es hier zwiscnen der Maske und dem Präparat angeordnet Dieses Ablenksystem
ermöglicht es, eine mehr oder weniger große Umgebung der Justiermarke abzutasten und auf dem Monitor
abzubilden; es erleichtert dadurch das Auffinden der Justiermarke ohne mechanische Verstellung der Maske
oder des Präparats.
Bei dem bekannten Gerät der eingangs genannten Art hat das oberhalb der Maske angeordnete, rasternde
Ablenksystem ledigüch die Aufgabe, die Prüföffnung abzutasten; dabei wird das Bild der Prüföffnung auf der
Präparatoberfläche nicht verschoben. Allerdings ist bei dem bekannten Gerät ein weiteres Ablenksystem
zwischen Maske und Präparat vorgesehen, das jedoch nur statisch erregt, also nicht mit dem Fernseh-Monitor
synchronisiert ist Es hat die Aufgabe, zur Teinjustierung von Maskenbild und Präparat eine mechanische
Verschiebung eines dieser beiden Elemente durch eine Ablenkung des abbildenden Strahlenbündels zu ersetzen.
Diese Aufgabe kann das bei dem vorliegenden Gerät verwendete Ablenksystem zusätzlich erfüllen.
Das Ablenksystem kann so gesteuert sein, daß die Sonde, d. h. das Bild der Prüföffnung, in Form eines
Zeilenrasters über einen flächenhaften Bereich des Präparats geführt wird. Es kann jedoch auch genügen,
die Sonde in Form eines sogenannten line scan nur über einen linienförmigen Bereich des Präparats zu führen,
wobei dann der Schnittpunkt einer derartigen Linie mit einer vorzugsweise ebenfalls linearen Justiermarke
festgestellt wird.
Die Erfindung ist unabhängig von dem abbildenden Strahlengang zwischen Maske und Präparat. Vorzugsweise
wird jedoch ein aus der Arbeit von Heritage ebenfalls bekanntes Projektionslinsensystem aus zwei
Linsen verwendet, deren gegenseitiger Abstand gleich der Summe ihrer Brennweiten ist (telezentrischer
Strahlengang). In diesem Falle liegt mit Vorteil das Ablenksystem etwa in der hinteren Brennebene der —
in Strahlrichtung gesehen — ersten Projektionslinse.
Die Zeichnung zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Das dargestellte Gerät 1 besteht aus einer Elektronenquelle 2, einem dreistufigen Kondensorlinsensystem
3 mit den Linsen a, b und cund einem Projektionslinsensystem 6, das aus einer langbrennweitigen Zwischenlinse
7 und einer kurzbrennweitigen Abbildungslinse 8 zusammengesetzt ist Die Linsen 7 und 8 sind als
magnetische Linsen ausgebildet. Sie sind vorzugsweise entgegengesetzt gleich erregt; das bedeutet, daß sie
dieselbe Amperewindungszahl besitzen und daß die Richtungen ihrer Magnetfelder zueinander entgegengesetzt
sind. Durch diese Art der Erregung in Verbindung mit dem telezentrischen Strahlengang wird erreicht, daß
im Projektionslinsensystem der Verdrehungsfarbfehler, der Vergrößerungsfarbfehler und die isotrope Verzeichnung
zu Null werden und die verbleibenden Fehler zumindest teilweise aufgehoben sind.
Mit 4 ist eine Maske bezeichnet, die verkleinert auf ein Präparat 11, z. B. ein Halbleiterplättchen, abgebildet
wird. Der Strahlengang des Projektionslinsensystems 6 ist telezentrisch; die hintere Brennebene der Zwischenlinse
7 und die vordere Brennebene der Abbildungslinse 8 fallen in der Ebene 12 zusammen, die Maske 4 liegt in
der vorderen Brennebene iO der Zwischenlinse 7 und das Präparat 11 liegt in der hinteren Brennebene 9 der
Abbildungslinse 8.
In der Nähe der Maske 4 ist eine zusätzliche Maske 13 vorgesehen, die durch einen angedeuteten Trieb 14 in
den Strahlengang eingeschwenkt oder aus ihm herausgezogen werden kann. Die Maske 4 besitzt eine Anzahl
von Nutzöffnungen 4a und mehrere Prüföffnungen 4b, von denen in der Zeichnung eine sichtbar ist. Die
zusätzliche Maske 13 besitzt nur wenigs Öffnungen üb,
die mit einer oder mehreren Prüföffnungen 4b zur Deckung gebracht werden können. In ihrer eingeschwenkten
Stellung deckt also die zusätzliche Maske 13 sämtliche Nutzöffnungen 4a der Maske 4 ab; in der
Zeichnung ist angenommen, daß sie nur eine Prüföffnung 4b frei läßt. Es wird also nur die Prüföffnung 4b auf
das Präparat abgebildet
in der Zeichnung liegt die zusätzliche Maske 13 unterhalb der abzubildenden Maske 4. Das hat den
Vorteil, daß die gesamte Maske 4 ständig bestrahlt ist und daher während der Justierung dieselbe konstante
Temperatur beibehält wie während der Abbildung.
Auf der belichteten Oberfläche des Präparats 11 befinden sich Prüfmarken, die sich gegenüber ihrer
Umgebung beispielsweise durch eine hohe Sekundäremission auszeichnen. Die von ihnen ausgehenden
Sekundärelektronen werden durch einen Detektor 16 registriert Die mit der Prüföffnung 4b korrespondierende
Prüfmarke ist mit 15 bezeichnet.
In der gemeinsamen Brennebene 12 der Linsen 7 und 8 ist ein Ablenksystem 17 angeordnet, das aus zwei
senkrecht zueinander angeordneten Spulenpaaren besteht. Bei Erregung dieses Ablenksystems wird das Bild
der Prüföffnung 4b über die Oberfläche des Präparats 11
geführt, so daß die Prüfmarke 15, falls sie nicht sofort vom abbildenden Strahl getroffen wird, durch Änderung
der Erregung des Ablenksystems 17 gesucht werden kann. Das Ausgangssignai des Detektors 16 steuert eine
Fernsehbildröhre 18, deren Ablenksystem 19 synchron mit dem Ablenksystem 17 gesteuert ist. Bei rasterförmiger
Ablenkung erhält man so unmittelbar ein Bild eines Teiles der Präparatoroberfläche mit der Prüfmarke 15;
das Präparat 11 wird dann so lange verschoben, bis die Prüfmarke 15 bei symmetrischer Abbildung in der Mitte
des Bildes liegt, also bei der Ablenkerregung Null voll getroffen wird. Zur Feinjustierung kann eine Restabweichung,
die infolge der unvermeidlichen Ungenauigkeit mechanischer Antriebe nicht durch Verschiebung des
Präparats beseitigt werden kann, durch eine konstante bleibende Erregung des Ablenksystems 17 ausgeglichen
werden.
Durch die so hergestellte Übereinstimmung des Bildes der Prüföffnung 4b mit der Prüfmarke 15 ist die
relative Lage von Maske und Präparat nur in einem Punkt festgelegt. In der Regel muß daher das erläuterte
Verfahren mit einer anderen Prüföffnung der Maske 4 und einer anderen Prüfmarke des Präparats 11
wiederholt werden. Falls die zusätzliche Maske 13 nur eine öffnung 136 besitzt, kann diese beispielsweise
durch Drehung von 13 um die optische Achse 5 des Gerätes an die Stelle der zweiten Prüföffnung 4b
gebracht werden. Die zusätzliche Maske 13 kann jedoch auch mehrere öffnungen 13b aufweisen, die bei
Drehung von 13 nacheinander mit Prüföffnungen 4feder
Maske 4 zur Deckung gelangen.
Wie bereits bemerkt, kann es vorteilhaft sein, das Präparat 11 nicht flächenhaft, sondern linear im
sogenannten line scan abzutasten. Hierfür ist dann nur ein Spulenpaar des Ablenksystems 17 erforderlich. Im
alleemeinen wird ein zweiter line scan in zum ersten line
scan senkrechter Richtung erforderlich sein, wofür das
zweite Spulenpaar des Ablenksystems 17 eingesetzt werden kann.
Die Lage des Ablenksystems 17 in der gemeinsamen Brennebene 12 der Linsen 7 und 8 ist nicht zwingend; es
kann z. B. von Vorteil sein, das Ablenksystem 17 etwa in der Mittclebene der Linse 8 anzubringen.
Zur betriebsmäßigen Abbildung der gesamten Maske auf das Präparat It ist jetzt nur noch die zusätzliche
Maske 13 aus dem Strahlengang zu entfernen; die Erregung des Kondensorlinsensystems 3 wie auch die
der Linsen 7 und 8 bleibt unverändert, so daß Fehler durch eine Umstellung der Optik zwischen Justierung
und Abbildung nicht eintreten können. Es kann zweckmäßig sein, bei der betriebsmäßigen Abbildung
die Prüföffnungen 4b abzudecken.
Die Prüfmarke 15 kann auf dem Präparat ausschließlich zum Zwecke der Justierung vorgesehen sein. Es ist
aber auch möglich, als Prüfmarken Strukturen des Präparats zu verwenden, die durch eine vorausgegangene
Bearbeitung des Präparats entstanden sind und bei dem fertigen Präparat, also z. B. in einer integrierten
Schaltung, eine Nutzfunktion haben. Ebenso ist es möglich, als Prüföffnung 4b keine besondere Öffnung in
der Maske 4 vorzusehen, sondern eine der Nutzöffnungen 4a zu verwenden.
Die Erfindung ist nicht auf Geräte mit magnetischen Linsen beschränkt; es können vielmehr auch elektrostatische
Linsen verwendet werden. Sie ist auch unabhängig von der Art der zur Abbildung verwendeten
Korpuskeln: sie kommt sowohl für elektronen- wie für ionenoptische Geräte in Betracht. Das Gerät dient vor
is allem zur verkleinernden Abbildung der Maske auf das
Präparat; der AbbildungsmaÖstab liegt in der Regel in der Größenordnung 10.
Claims (2)
1. Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung
einer durch ein Kondensorlinsensystem gleichmäßig mit einem Korpuskularstrahl beleuchteten
Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat, mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum
Präparat, bei der ein Bereich des Präparats, in dem eine Justiermarke vorgesehen ist, durch eine Sonde
aus eine Prüföffnung der Maske durchsetzenden Korpuskeln bestrahlt ist, wobei Mittel vorgesehen
sind, die von dem Präparat ausgehende Strahlung registrieren, dadurch gekennzeichnet, daß
eine zusätzliche Maske (13) in Strahlrichtung gesehen über oder unter die abzubildende Maske (4)
bewegbar ist, die die Korpuskeln des die abzubildende Maske (4) durch das Kondensorlinsensystem (3)
gleichmäßig beleuchtenden Korpuskularstrahl lediglich durch die Prüföffnung (4b) treten bzw.
lediglich die durch die Prüföffnung (4b) der abzubildenden Maske (4) hindurchgetretenen Korpuskeln
des die abzubildende Maske (4) durch das Kondensorlinsensystem (3) gleichmäßig beleuchtenden
Korpuskularstrahls zum Präparat (11) gelangen läßt.
2. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 1, mit einem Ablenksystem, das die Sonde
über den Bereich des Präparats führt, und einem dazu synchronen Fernseh-Monitor, dessen Helligkeit
durch die von dem Präparat ausgehende Strahlung gesteuert ist, dadurch gekennzeichnet, daß
das Ablenksystem (17) zwischen der abzubildenden Maske (4) und dem Präparat {11) liegt.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2702444A DE2702444C3 (de) | 1977-01-20 | 1977-01-20 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat |
NL7713613A NL7713613A (nl) | 1977-01-20 | 1977-12-08 | Met corpusculaire stralen werkende optische inrichting voor het afbeelden van een masker op een preparaat. |
FR7800138A FR2378350A1 (fr) | 1977-01-20 | 1978-01-04 | Appareil optique a faisceau corpusculaire pour former l'image d'un masque sur une preparation |
JP478478A JPS5498578A (en) | 1977-01-20 | 1978-01-19 | Device for projecting particle beam |
US05/870,637 US4164658A (en) | 1977-01-20 | 1978-01-19 | Charged-particle beam optical apparatus for imaging a mask on a specimen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2702444A DE2702444C3 (de) | 1977-01-20 | 1977-01-20 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2702444A1 DE2702444A1 (de) | 1978-07-27 |
DE2702444B2 true DE2702444B2 (de) | 1980-02-14 |
DE2702444C3 DE2702444C3 (de) | 1980-10-09 |
Family
ID=5999232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2702444A Expired DE2702444C3 (de) | 1977-01-20 | 1977-01-20 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4164658A (de) |
JP (1) | JPS5498578A (de) |
DE (1) | DE2702444C3 (de) |
FR (1) | FR2378350A1 (de) |
NL (1) | NL7713613A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0306275A2 (de) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Fujitsu Limited | Photoelektronische Bildprojektionsvorrichtung |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4385238A (en) * | 1981-03-03 | 1983-05-24 | Veeco Instruments Incorporated | Reregistration system for a charged particle beam exposure system |
US4354111A (en) * | 1981-03-10 | 1982-10-12 | Veeco Instruments Incorporated | Screen lens array system |
US4415851A (en) * | 1981-05-26 | 1983-11-15 | International Business Machines Corporation | System for contactless testing of multi-layer ceramics |
US4417203A (en) * | 1981-05-26 | 1983-11-22 | International Business Machines Corporation | System for contactless electrical property testing of multi-layer ceramics |
DE3121666A1 (de) * | 1981-05-30 | 1982-12-16 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren und einrichtung zur gegenseitigen ausrichtung von objekten bei roentgenstrahl- und korpuskularstrahl-belichtungsvorgaengen |
US4434399A (en) * | 1982-05-14 | 1984-02-28 | The University Of Rochester | Electron-optical wide band signal measurement system |
DE3410885A1 (de) * | 1984-03-24 | 1985-10-03 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie |
AT393925B (de) * | 1987-06-02 | 1992-01-10 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind |
AT393334B (de) * | 1988-01-22 | 1991-09-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur stabilisierung einer bestrahlten maske |
CN103238202B (zh) * | 2010-09-28 | 2016-11-09 | 以色列实用材料有限公司 | 粒子光学***及布置,以及用于这种***及布置的粒子光学组件 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3736425A (en) * | 1972-03-27 | 1973-05-29 | Implama Ag Z U G | Screen for ion implantation |
FR39852E (fr) * | 1972-06-30 | 1932-03-24 | Ig Farbenindustrie Ag | Procédé de production de colorants solides pour cuve |
-
1977
- 1977-01-20 DE DE2702444A patent/DE2702444C3/de not_active Expired
- 1977-12-08 NL NL7713613A patent/NL7713613A/xx unknown
-
1978
- 1978-01-04 FR FR7800138A patent/FR2378350A1/fr active Granted
- 1978-01-19 US US05/870,637 patent/US4164658A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-01-19 JP JP478478A patent/JPS5498578A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0306275A2 (de) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Fujitsu Limited | Photoelektronische Bildprojektionsvorrichtung |
EP0306275A3 (de) * | 1987-09-02 | 1991-12-27 | Fujitsu Limited | Photoelektronische Bildprojektionsvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2702444C3 (de) | 1980-10-09 |
JPS5498578A (en) | 1979-08-03 |
FR2378350B1 (de) | 1981-11-27 |
FR2378350A1 (fr) | 1978-08-18 |
DE2702444A1 (de) | 1978-07-27 |
US4164658A (en) | 1979-08-14 |
NL7713613A (nl) | 1978-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2332091C2 (de) | Verfahren zum Betrieb einer fokussierbaren und ausrichtbaren Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung und dafür bestimmte Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung | |
DE2702445C3 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat | |
DE3148091C2 (de) | Vorrichtung zum Untersuchen einer Probe in einem Rasterelektronenmikroskop | |
DE3924605C2 (de) | Rasterelektronenmikroskop | |
DE3689490T2 (de) | Elektronenstrahlprüfsonde zur Untersuchung integrierter Schaltungen. | |
DE69406739T2 (de) | Elektronenstrahlgerät | |
DE69613050T2 (de) | Strahlapparat für geladene Teilchen | |
DE10253717B4 (de) | Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten | |
DE19848070A1 (de) | Niedrigenergie-Elektronenstrahllithographie | |
DE3532781A1 (de) | Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet | |
DE3342719C2 (de) | Positionierungseinrichung in einem Projektionsbelichter | |
DE2702444C3 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat | |
DE102005052757A1 (de) | Vorrichtung zur Positionsmessung eines Objekts mit einem Laser-Interferometersystem | |
DE112014004151T5 (de) | Verfahren zur Korrektur der Neigung eines Strahls geladener Teilchen und mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung | |
DE3410885A1 (de) | Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie | |
DE102014212563B4 (de) | Messvorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Positionsänderung eines Teilchenstrahls eines Rasterteilchenmikroskops | |
DE3032818C2 (de) | ||
EP0135673B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Festlegung einer Koordinate auf einer Oberfläche eines Festkörpers | |
DE69209028T2 (de) | Ionenstrahl-Analyseverfahren | |
DE2555781C3 (de) | Elektronenstrahlapparat | |
DE102011001984A1 (de) | Maskenuntersuchungsgerät und Bilderzeugungsverfahren | |
DE3201889C2 (de) | ||
DE2635356C2 (de) | Rasterelektronenmikroskop zur Messung von Abständen zwischen Objektstrukturen | |
DE2016753C3 (de) | Vorrichtung zur Justierung des Objektfeldes in Elektronenmikroskopen | |
DE2719800C3 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |