DE2525075C3 - Spannungs-Vervielfacherschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Spannungs-Vervielfacherschaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1,

In vielen Fällen, z. B. bei elektronischen Uhren, ist die verfügbare Versorgungsspannung für den Betrieb gewisser Schaltungen oder anderweitiger Verbraucher zu niedrig. Man braucht daher Spannungsvervielfacherschaltungen, um Spannungen zu gewinnen, die größer sind als die von der Hauptspannungsversorgung verfügbaren Spannungen. Eine Spannungsvervieifacherschaltung der eingangs genannten Art ist aus der US-PS 37 90 812 bekannt. Der Kondensator der bekannten Schaltung wird während eines gegebenen

Zeitintervalls mittels des ersten Transistors, der die eine Platte des Kondensators mit einem positiven Potential (z. B. +V Volt) verbindet, und des dritten Transistors, der die andere Platte des Kondensators mit einem zweiten Potential (z. B. — KVoIt) verbindet, aufgeladen. Eine Spannungsverstärkung wird dadurch erzielt, daß das zweite Potential an die eine Platte des Kondensators gelegt und an der anderen Platte des Kondensators ein erhöhtes oder verstärktes Potential erzeugt wird, das außerhalb des Bereiches der Versorgungsspannung ι ο liegt Dabei ist der dritte Transistor als Diode geschaltet, die während des Lade-jyklus des Kondensators einen verhältnismäßig niederohmigen Leitungsweg bildet und verhindert, daß das £ai der anderen Platte des Kondensators erzeugte erhöhte Potential während des Spannungsverstärkungsteils des Zyklus über einen niederohmigen Weg an das zweite Potential angeklemmt wird.

Eine Schwierigkeit bei einer derartigen Schaltungsanordnung ergibt sich aus dem Vorhandensein eines Schwellenspannungsabfalls AV oder Vs^J am als Diode geschalteten Transistor, wodurch das Potentlil oder die Spannung an der anderen Platte des Kondensators gegenüber dem zwetien Potential durch den genannten Spannungsabfall (Vt oder Vbe) verschoben wird. Auf diese Weise verringert sich die an der anderen Platte des Kondensators erzeugte erhöhte Ausgangsspannung um den Betrag des Schwellenspannungsabfalls, was dann nachteilig ist, wenn die Versorgungs-Spannung an sich niedrig ist, da in diesem Fall viele Stufen erforderlich sind, um eine merkliche und brauchbare Spannungsverstärkung zu erzielen.

Bei dem als Diode geschalteten Transistor, der im Spannungsfolgerbetrieb arbeitet, erhöht die effektive Impedanz sich in dem Maße, wie sich der Kondensator auflädt Als Folge davon ist eine längere Zeitdauer nötig, um den Kondensator voll aufzuladen.

Aus der DE-OS 20 64 977 ist es in Verbindung mit . einer Schaltungsanordnung zur Pegelwiederherstellung an sich bekannt, zwei Feldeffekttransistoren entgegen- *o gesetzter Leitfähigkeitsart in Reihe zu schalten und ihre Gate-Elektroden gemeinsam anzusteuern.

Aus der US-PS 3529 231 ist eine Spannungsvervielfacherschaltung bekannt, die aus zwei im Gegentakt arbeitenden Spannungsvervielfacherschaltungen zusammengesetzt ist Die bekannte Schaltung macht von bipolaren, nichtkomplementären Transistoren Gebrauch, die mit Hilfe von Transformatoren stromgesteuert werden. Die bekannte Schattung kann infolge dieser Transformatoren nicht ä!s integrierte Schaltung ausge- so führt werden und eignet sich deshalb z. B. nicht für die Verwendung in Uhren.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Spannungsvervielfacherschaltung der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß sich eine von den Schwellspannungen der Transistoren unabhängige vervielfachte Ausgangsspannung ergibt

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Kennzeichenteils des Patentanspruchs 1 gelöst Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind «> in den Unteransprüchen enthalten. Der erfindungsgemäß verwendete fünfte Transistor besitzt eine Doppelfunktion. Dieser Transistor arbeitet in Source-Schaltung und verbindet den Ausgangsanschluß ohne ins Gewicht fallenden Spannungsabfall mit dem ersten Eingangsan-Schluß. Zweitens liefert der fünfte Transistor in Verbindung mit dem vkrien Transistor die notwendige invertierte Gate-Ansteuerung für den dritten Transistor, die andernfalls komplementäre Steuersignale oder einen zusätzlichen Inverter zur Schaffung komplementärer Signale erfordern würde. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Schaltung besteht darin, daß infolge der Verwendung komplementärer Transistoren praktisch keine Ruheverluste auftreten. Zwischen den Spannungsanschlüssen in Reihe liegende Transistoren sind niemals gleichzeitig leitend, so daß kein Gleichstromweg zwischen den Spannungsanschlüssen vorhanden ist Dies steht im Gegensatz zu der erwähnten bekannten Schaltung (US-PS 37 90 812) bei der während eines Teils der Anschaltdauer des ersten Transistors auch der zweite Transistor angeschaltet ist und einen Gleichstrompfad zwischen den Spannungsanschlüssen herstellt, so daß eine Verlustleistung auftritt

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert Ia der Zeichnung, in deren Figuren gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, zeigt

F i g. 1 das Schaltschema einer c-rfindungsgemäßen Spannungsvervielfacherschaltung,

Fig.2 ein Diagramm mit Spannungsverläufen an verschiedenen Eingängen und Ausgängen der Schaltungen nach F i g. 1 und 4,

F i g. 3 das Schaltschema einer anderen Ausführungsform aer erfindungsgemäßen Schaltung,

Fig.4 das Schaltschema einer erfindungsgemäßen Schaltung, bei der Impulssignale erzeugt und einer Zählerschaltung zugeleitet werden,

Fig.5 das Schaltschema einer erfindungsgemäßen Schaltung zum Erzeugen von positiven oder negativen Bezugspegeln,

Fig.6 und 7 teilweise in Blockform dargestellte Schaltschemata erfindungsgemäßer Spannungsvervielfacherschaltungen zum Erzeugen von Gleichstrom (Gleichstrom-Ausgangspegeln).

Bei den hier zur Erläuterung der Erfindung verwendeten Transistoren handelt es sich um Arreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistoren, die in einer Siliciummasse (Körper oder Substrat aus Silicium) ausgebildet sind. Statt dessen kann man aber auch Bipolartransistoren, Verarmungs-Feldeffekttransistoren oder auf einem Isoliersubstrat ausgebildete Transistoren verwenden. Die P-Kanal-Transistoren (Transistoren vom P-Leitungstyp) sind dabei in einem N-Substrat ausgebildet Sie sind mit dem Buchstaben P und einer Bezugsnummer bezeichnet und in den verschiedenen Figuren der Zeichnung an ihrem Substratanschluß mit einem vom Körper des Transistors wegweisenden Pfeil oder an ihrer Source-Elektrode mit einem auf den Körper des Transistors hinweisenden Pfeil versehen. Die N-Kanal-Transistoren (Transistoren vom N-Leitungstyp) sind in P-Wannen ausgebildet, die in das N-Substrat eindiffundiert sind. Sie sind mit dem Buchstaben N und einer Bezugsnummer bezeichnet und in den Figuren der Zeichnung entweder an ihrem Substratanschluß mit einem auf den Körper des Transistors hinweisenden Pfeil oder an ihrer Source-Elektrode mit einem vom Transistor wegweisenden Pfeil versehen. Im allgemeinen sollte das Substrat eines P-Kanal-Transistors an das am meisten positive Potential, das der Source- oder Drain-Elektrode des Transistors zugeleitet wird, angeschlossen sein, während das Substrat eines N-Kanal-Transistors an das am meisten negativ» Potential, das der Source- oder Drain-Elektrode des Transistors zugeleitet wird, angeschlossen sein sollte.

Anreicherunas-Isolierschicht-Feldeffekttransistoren

sind zweiwegleitend (bidirektional), d. h., sie können Strom in beiden Richtungen leiten. Damit eine Leitung stattfinden kann, muß die anliegende Gate-Source-Spannung (Vas) die Gate- oder Steuerelektrode gegenüber der Source-Elektrode in Durchlaßrichtung ' spannen und größer sein als die Schwellenspannung (Vt) des Transistors. Ein Isolierschicht-Feldeffekttransistor kann dadurch einwegleitend (unidirektional) gemacht werden, daß man seine Gate-Elektrode mit seiner Drain-Elektrode zusammenschaltet. Der Isolierschicht- ic Feldeffektransistor leitet dann wie eine Diode, indem er bei der einen Polarität der Gate-Source-Spannung Strom durchläßt und bei der entgegengesetzten Polarität der Spannung den Stromfluß sperrt. Die minimale Source-Drain-Spannung eines als Diode ^r> geschalteten Isolierschicht-Feldeffekttransistors ist gleich der Schwellenspannung Vt des Transistors. Dies gilt auch dann für einen Isolierschicht-Feldeffekttransistor, wenn er normalerweise als Source-Folger betrieben wird. Dagegen hat der Isolierschicht-Feldeffekt- ·?» transistor, wenn er in Source-Schaltung betrieben wird, eine verhältnismäßig niedrige EIN-Impedanz zwischen Source und Drain.

Die Schaltung nach F i g. 1 enthält eine komplementäre Inverter- oder Umkehrstufe mit Transistoren PX und !'■> N 1. Der Transistor P\ ist mit seiner Source-Elektrode und seinem Substrat an einen Anschluß 10 und mit seiner Drain-Elektrode an einen Anschluß 12 angeschaltet. Der Transistor N1 ist mit seiner Drain-Elektrode an den Anschluß 12 und mit seiner Source-Elektrode und i" seinem Substrat an einen Anschluß 14 angeschaltet. Ein Transistor P2 ist mit seiner Source-Elektrode und seinem Substrat an den Anschluß 10 mit seiner Drain-Elektrode an einen Anschluß 16 angeschaltet, an welchem ein Ausgangssignal, bezeichnet als »A«, ^v> erzeugt wird. Ein Transistor N2 ist mit seiner Drain-Elektrode an den Anschluß 16 mit seiner Source-Elektrode und seinem Substrat an einen Anschluß 17 angeschaltet, an welchem ein mit »B« bezeichnetes Ausgangssignal erzeugt wird. An die Anschlüsse 16 und 17 sind Leiter 18 bzw. 20 angeschlossen. Die Elektroden ii und ii bilden die Enden des Kanals (Leitungsweges) eines Transistors Λ/3. Die Elektrode 11 und das Substrat des Transistors Λ/3 sind an einen Anschluß 17 angeschaltet, die Elektrode 13 ist an den Anschluß 14 angeschaltet, und die Gate-Elektrode des Transistors Λ/3 ist an den Anschluß 16 angeschaltet

Zwischen den Anschlüssen 12 und 17 liegt ein Kondensator C Die Bemessung der Kapazität des Kondensators hängt von der Ladungsmenge ab, die den an die Leiter 18 und 20 angeschlossenen Verbraucherschaltungen (nicht gezeigt) zugeleitet werden muß. Der Kondensator kann als integriertes Bauelement auf dem Schaltungsplättchen oder als diskretes (einzelnes) Bauelement außerhalb des Schaltungsplättchens ausgebildet seia Bei der nachstehenden Erläuterung wird der mit dem Anschluß 12 verbundene Anschluß des Kondensators CaIs »Anschluß X« oder ».Y<vbezeichnet, während der mit dem Anschluß 17 verbundene ^M Anschluß als »Anschluß Yh oder »y« bezeichnet wird.

Eine Versorgungsspannungsquelle 15 von VVoIt ist mit ihrem positiven Pol an den Anschluß 10 und mit ihrem negativen Pol an den Masseanschluß 14 angeschlossen. Damit die Schaltung funktionieren kann, muß die Spannung Vden Wert der Schwellenspannungen der in der Schaltung verwendeten Transistoren übersteigen. Ein Eingangssignal Q wird den Gate-Elektroden der Transistoren ΡΧ,ΝΧ, P2 und Λ/2 zugeleitet. Das Signal Q wechselt, wie in F i g. 2 gezeigt, in seinem Spannungswert zwischen + VVoIt und Masse und kann ein periodisch wiederkehrendes V. '.signal oder ein aperiodisches Impulssignal oder eine aperiodische Impulsfolge sein.

Wenn das Signal Q auf niedrig (Massepotential) schaltet, werden die Transistoren Wl und /V2 ausgeschaltet (nichtleitend) und die Transistoren PX und P2 eingeschaltet (leitend). Bei eingeschaltetem Transistor P2 gelangt die Spannung +KVoIt zum Anschluß 16 und zur Gate-Elektrode des Transistors N3. Der Transistor Λ/3 wird voll eingeschaltet und arbeitet in Source-Schaltung unter Anklemmung des Anschlusses 17 und dem Anschluß Vdes Kondensators C an Masse. Der Kondensator C wird über die Transistoren Pl und N 3 auf die vollen V Volt aufgeladen, wobei der Anschluß Xauf + VVoIt gelangt. Bei dieser Arbeitsweise verhalten sich die Transistoren wie extrem niederohmige Schalter ohne Schwellenspannungsverschiebung oder -abfall. Wenn beispielsweise die Transistoren PX und /V3 für eine Zeitdauer T eingeschaltet werden, die länger ist als drei Zeitkonstanten (r), wobei r gleich dem Produkt aus C und der Summe der EIN-lmpedanzen der Transistoren PX und Λ/3 ist, 5o wird der Kondensator Cauf mindestens 96% von V aufgeladen. Bemißt man das Zeitintervall T größer oder länger als 5r, so kann vorausgesetzt werden, daß C auf den vollen Wert der Versorgungsspannung aufgeladen wird.

Wenn das Signal Q auf hoch (+ V Volt) schaltet, werden die Transistoren PX und P2 ausgeschaltet (nichtleitend) und die Transistoren NX und Λ/2 eingeschaltet (leitend). Bei Ausschaltung des Transistors P 2 wird die Einschaltspannung von der Gate-Elektrode des Transistors Ni entfernt. Durch die Ausschaltung der Transistoren Pl und Λ/3 werden die Anschlüsse X und Vdes Kondensators Cvpn den Anschlüssen 10 bzw. 14 getrennt oder isoliert. Wenn der Transistor NX einschaltet, klemmt er den Anschluß X des Kondensators C an Masse an. Dies ist gleichwertig mit einer

Spannungsstufe von V Volt Amplitude. Die Spannung an Y schaltet dann negativ auf - V Volt, wie im Spannungsverlauf fl(F i g. 2) gezeigt

Der Transistor N 2 wird hart eingeschaltet und leitet im Source-Schaltungsbetrieb unter Anklemmung des Anschlusses 16 an den Anschluß 17, so daß die Spannung am Anschluß 16 von + V Volt auf - V Volt schaltet. Durch dieses Signal - VVoIt wird der Transistor N 3 in den Ausschaltzustand gespannt oder in diesem Zustand gehalten.

Das Ein- und Ausschalten des Transistors N3 mit Hilfe der Transistoren P2 und N2 ist von großer Wichtigkeit Der Transistor Pl liefert im eingeschalteten Zustand ein Einschaltsignal für den Transistor N 3 und stellt außerdem im Leiter 18 einen Spannungswert von + V Volt ein. Der Transistor N3 leitet, wenn er eingeschaltet ist, im Source-Schaltungsbetrieb und bewirkt eine sehr gute Anklemmung zwischen Masse und dem Anschluß Y. Aufgrund der Möglichkeit, während des Ladeintervalls den Anschluß Y auf Massepotential (Nullpotential) zu legen, kann die anschließend an Y erzeugte negative Spannung im wesentlichen gleich — WoIt sein, wenn der Anschluß X von + VVoIt auf Massepotential geschaltet wird. Das heißt an Y ist keine positive Restspannung vorhanden, die sich von der über den Kondensator gekoppelten

Spannungsstufe von - VVoIt subtrahieren würde. Das Problem der Ausschaltung des von Haus aus bilateralen (zweiseitigen) Schalters N3 beim Schalten der Spannung an seiner Elektrode ti auf negativ wird durch die Verwendung des Transistors N 2 gelöst. Bei ausgeschal- -. tetem Transistor Λ/3 kann die Spannung an K auf - V Volt schalten, und die Spannung zwischen den Anschien 10 und 17 beträgt 2V Volt, d.h., das Doppelte der Amplitude der Spannung der Versorgungsspannungsquelle 15. Wenn somit Pi und P2 m ausschalten und /Vl und /V2 einschalten, schaltet die Spannung (B) am Anschluß 17 von 0 Volt auf - VVoIt und die Spannung am Anschluß 16 von + VVoIt auf - V Volt. Die Amplitude des Signals A beträgt daher ungefähr 2 VVoIt, wie in F i g. 2 gezeigt. ι -,

Durch die Anschaltung des Substrats des Transistors Λ/3 an den Anschluß 17 wird ein einwandfreies Arbeiten der Schaltung sichergestellt. Wenn der Transistor Λ/3

IpitPl i«t A\p .Snanminir am Anschluß 17 nipmals weniuer

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positiv als die Spannung am Anschluß 14. Das .> <> P-Substrat und das der Elektrode 13 entsprechende Gebiet bilden eine durchlaßgespannte »parasitäre« Diode. Da jedoch diese Diode parallel zum Kanal oder Leitungsweg des Transistors Λ/3 liegt, trägt sie zur Leitung des Ladestromes für den Kondensator C bei. >■-> Wenn der Transistor N3 ausgeschaltet ist und die Spannung am Anschluß 17 negativ schaltet, ist es wichtig, daß das Substrat von Λ/3 mit der Elektrode 11, die jetzt als Source arbeitet, verbunden ist, um sicherzustellen, daß keine Leitungs- oder Kriechstrom- «> wege ivischen den Anschlüssen 14 und 17 bestehen. Wäre das Substrat von Λ/3 an Masse angeschaltet, so würde das Gebiet P-Substrat-Elektrode 11 «ine parasitäre Diode bilden, die Strom in der Durchlaßrichtung vom Anschluß 14 zum Anschluß 17 leitet, so daß die Entwicklung der vollen negativen Spannung verhindert würde.

Wenn Q wieder auf niedrig schaltet, werden die Transistoren P\,P2 eingeschaltet, A auf + Vgeschaltet und der Transistor Λ/3 eingeschaltet, die Transistoren Ni und N 2 ausgeschaltet und der Kondensator C aufgeladen, wie oben beschrieben, um etwaige durch Ableitung verlorengegangene Ladung wiederherzustellen.

Es kann also, wie gezeigt, ein impulsförmiges Signal B erzeugt werden, das die gleiche Amplitude hat wie die Betriebsspannung, dessen Spannungsbereich jedoch außerhalb des Bereiches der Betriebsspannung liegt. Ferner wird, wie ebenfalls gezeigt, ein impulsförmiges Signal A erzeugt, das die doppelte Amplitude der Betriebsspannung hat.

Die Schaltung nach F i g. 3 stellt das Komplement der Schaltung nach F i g. 1 dar, wobei die P-Kanal-Transistoren nach F i g. 1 durch N-Kanal-Transistoren und die N-Kanal-Transistoren durch P-Kanal-Transistoren ersetzt sind und die gesamte Transistoranordnung zwischen den Anschlüssen 10 und 14 umgekehrt ist In der Schaltung nach F i g. 3 werden Spannungen erzeugt, die positiver sind als die am meisten positive Versorgungsspannung (+V). Im Gegensatz dazu werden in der Schaltung nach F i g. 1 Spannungen erzeugt, die negativer sind als die am meisten negative Versorgungsspannung (Massepotential). In der Schaltung nach Fig.3 werden, wenn Q auf hoch (+V) schaltet, die Transistoren N1 und N2 eingeschaltet, und bei ieitendem Transistor 7V'2 wird der Transistor P3 eingeschaltet Der Anschluß X wird an Masse angeklemmt, und der Kondensator C lädt sich auf — V Volt auf. Dadurch wird Kauf + VVoIl gelegt. Wenn Q auf niedrig schaltet, werden /Vl und /V2 ausgeschaltet und Pl und P2 eingeschaltet. Eine positive Spannungsstufe von + VVoIt gelangt an X. Da die Spannung an C sich nicht augenblicklich ändern kann, schaltet das Potential von Kvon + Vauf +2VVoIt. Der Transistor P2 koppelt die +2 Volt von Kauf die Gate-Elektrode des Transistors PX wodurch dieser ausgeschaltet oder im Ausschaltzustand gehalten wird, so daß der Kondensator C sich nicht zum Anschluß 10 entladen kann. Das Potential von K schwingt also von + V auf + 2VVoIt, und die Spannung an den Drain-Elektroden von P2 und /V2 schwingt zwischen O Volt und +2V Volt.

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 4 enthält zwei Spannungsvervielfacherschaltungen 21 und 23 sowie eine dynamische Binärzählerstufe 25, die durch von den Schaltungen 21 und 23 erzeugte Impulssignale betätigt wird. Der A.üfbeu '?der d^pr Sch?.!uinffpn ?1 und 23 entspricht der Schaltung nach Fig. 1. Die Schaltungselemente und Schaltungspunkte (Anschlüsse) der Schaltungen 21 und 23, die den Schaltungselementen und Schaltungspunkten der Schaltung nach F i g. 1 entsprechen, sind mit den gleichen Bezugsnummern unter Anfügung der Buchstaben a bzw. b bezeichnet. Die Ausgangsanschlüsse 16a und 17a, an denen die Ausgangssignale A b?w. B erzeugt werden, sind an die Leiter 18 bzw. 20 angeschlossen. Die Ausgangsanschlüsse 160 und 17b, an denen die Ausgangssignale A bzw. E erzeugt werden, sind an Leiter 22 bzw. 24 angeschlossen.

Die Arbeitsweise der Schaltungen 21 und 23 entspricht der oben beschriebenen Arbeitsweise der Schaltung nach F i g. 1 und braucht daher hier nicht noch einmal im einzelnen erläutert zu werden.

Taktimpulse Q gelangen über einen Leiter 43 zu den Gate-Elektroden der Transistoren Pia, /VIa, P2a, /V2a. Taktirnpulse Q (das Komplement von Q) werden an den Drain-Elektroden der Transistoren Pia und /VIa erzeugt. Diese gelangen über einen an den Anschluß 12a angeschlossenen Leiter 45 zu den Gate-Elektroden der Transistoren PXb, Nib, P2b und N2b. Statt dessen könnten Q und 1^ auch durch voneinander unabhängige Einrichtungen erzeugt werden. Entsprechend der Änderung des Taktimpulses Q werden an den Ausgangsanschlüssen 18 und 20 Signale A bzw. B erzeugt Entsprechend dem Taktimpuls Q werden jn den Ausgangsanschlüssen 22 und 24 Signale Äbzw. B erzeugt, welche die Komplemente der Signale A bzw. B darstellen. Die Spannungsverläufe dieser Signale sind in F i g. 2 gezeigt.

Der Binärzählerteil 25 enthält drei Gruppen oder Reihen von Transistoren, bezeichnet mit den römischen Ziffern I, II und III.

In der ersten Gruppe (I) liegen die Kanäle der Transistoren P5, P 4, N4 und NS in Reihe, und in der zweiten Gruppe (II) liegen die Kanäle der Transistoren PT, P6, N6 und Nl in Reihe. Die Transistoren PS und P7 sind mit ihren Source-Elektroden an den Leiter 10 angeschlossen. Die Drain-Elektroden der Transistoren P4 und NA, die den Ausgang O\ der Gruppe I bilden, sind mit den Gate-Elektroden der Transistoren P6 und N% verbunden. Die Gate-Elektroden der Transistoren P5 und N7 und die Source-Elektrode des Transistors /V 5 sind an den Leiter 18 angeschlossen, dem das Signal A zugeleitet wird. Die Gate-Elektroden der Transistoren F/ und NS und die Source-Eiektrode des Transistors N 7 sind an den Leiter 22 angeschlossen, dem das Signal A zugeleitet wird

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In der dritten Gruppe (III) liegt der Transistor PS mn seinem Kanal zwischen den Anschlüssen 10 und 27. Der Transistor Λ/8 liegt mit seinem Kanal zwischen dem Anschluß 27 und dem Leiter 22, und der Transistor Λ/9 liegt mit seinem Kanal zwischen dem Anschluß 27 und dem Leiter 18. Die Drain-Elektroden der Transistoren P6 und N6, dt»· den Ausgang (Οι) der zweiten Gruppe bilden, sind mit den Gate-Elektroden der Transistoren PS, NS und Λ/9 verbunden. Der Anschluß 27, an dem das Ausgangssignal (O₃) dei¹ dritten Gruppe von Transistoren erzeugt wird, ist mit den Gate-Elektroden der Transistoren PA und NA verbunden. Die Transistoren PS, NS und Λ/9 bilden eine quasistatische komplementäre Umkehrstufe.

Die Arbeitsweise der Schaltungsanordnung nach Fjg.4 als Binärzähler ist wie folgt: Wenn A = + Vund A = -V, geschieht folgendes: a) Die Gruppe I von Transistoren ist nichtleitend (die Transistoren P5 und N5 sind ausgeschaltet und das Ausgangssignal O\ behält unabhängig vom Wert der Eingangsgröße Os seinen früheren Wert bei); b) die Gruppe Il von Transistoren ist leitend und erzeugt an ihrem Ausgang (Ch) die Umkehrung des Signals (O\) an ihrem Eingang; c) die Gruppe III von Transistoren arbeitet_ stets als komplementäre Umkehrstufe. Entweder ist A niedrig, in welchem Falle die Transistoren PS und NS eine komplementäre Umkehrstufe bilden (der Transistor Λ/9 ist sperrgespannt, da A hoch ist), oder A ist niedrig, in welchem Falle die Transistoren PS und N9 eine komplementäre Umkehrstufe bilden (der Transistor NS ist sperrgespannt, da A hoch ist).

Wenn A= - Vund A= + V, so ergibt sich folgendes:

a) Die Gruppe I von Transistoren ist leitend. Die Transistoren P5 und Λ/5 sind eingeschaltet, und die Transistoren PA und NA erzeugen an ihren Drain-Elektroden ein Ausgangssignal O\, das die Umkehrung des ihren Gate-Elektroden zugeleiteten Signals Os darstellt.

b) Die Gruppe II von Transistoren ist nichtleitend, da die Transistoren P 7 und Λ/7 ausgeschaltet sind. Das Ausgangssignal Ch bleibt auf seinen vorherigen Pegel eingestellt, c) Die Gruppe III von Transistoren PS und iV3 arocitet al·» umkehrstufe. Der Tfansisiur /VS b!ciui bei Anliegen von A= + VVoIt an seiner Source-Elektrode unabhängig von dem an seiner Gate-Elektrode liegenden Signal (— Voder + Vjgesperrt.

1. Es sei jetzt angenommen, daß Oi anfänglich auf + V Volt liegt und daß A= + V (hoch) und A= - V (niedrig). In der Gruppe I sind die Transistoren P 5 und N5 gesperrt und Oi bleibt unabhängig vom Wert von Os hoch. In der Gruppe II sind die Transistoren P 7 und N 7 eingeschaltet Oi hoch hat zur Folge, daß der Transistor PS ausgeschaltet und der Transistor Λ/6 eingeschaltet sind. Dies har zur Folge, daß Oi infolge Stromleitung durch die Transistoren N6 und Nl auf - V Volt schaltet Bei Oi auf - V Volt wird der Transistor PS eingeschaltet und der Transistor NS ausgeschaltet Wie oben erwähnt, wird der Transistor Λ/9 bei + VVoIt an seiner Source-EIektrode ohne Rücksicht auf das Signal bei Oi ausgeschaltet Bei eingeschaltetem Transistor PS gelangen + V Volt zum Anschluß 27 und schaltet das Signal Ob auf hoch.

2 Es sei jetzt angenommen, daß A auf —V Volt (niedrig) und A auf + V Volt (hoch) schalten. In der Gruppe I werden die Transistoren PS und N5 eingeschaltet Bei Oj hoch an den Gate-Elektroden der Transistoren PA und NA ist der Transistor PA ausgeschaltet und der Transistor NA eingeschaltet Dies hat zur Folge, daß das Signal O₁ infolge Stromleitung durch die Trans'.-.toren /V4 und Λ/5 zum Leiter 18 auf - V Volt schaltet. Durch den Wechsel des Signals O\ von hoch auf niedrig wird das Signal Oi nicht geändert, da in der Gruppe Il die Transistoren P7 und N7 '' ausgeschaltet und die Transistoren der Gruppe II nichtleitend sind. Bei auf seinem vorherigen Pegel verbleibendem Signal Ch bleibt das Signal Oi hoch.

3. Es sei jetzt angenommen, daß A auf +V Volt (hoch) und A" auf - VVoIt (niedrig) zurückschalten. Die Transistoren P5 und Λ/5 in der Gruppe I werden ausgeschaltet, und das Signal OI bleibt niedrig. Die Transistoren P7 und N7 in der Gruppe II werden eingeschaltet. Bei Oi niedrig an den Gate-Elektroden der Transistoren P6 und A/6 wird der Transistor Λ/6 ausgeschaltet und der Transistor P6 eingeschaltet. Dies hat zur Folge, daß das Signal O₂ auf + VVoIt ansteigt. Durch die Beaufschlagung der Gate-Elektroden der Transistoren PS und NS mit + V Volt wird PS eingeschaltet und NS ausgeschaltet. Dadurch wechselt

'" aufgrund des Leitungsweges des Transistors Λ/8 zum Leiter 22 das Potential am Anschluß 27 auf - V Volt. Somit wird das Signal Oj niedrig.

4. Es sei jetzt angenommen, daß A einen Übergang auf — VVoIt (niedrig) und A einen Übergang auf + V Volt (hoch) vollziehen. Bei Os niedrig geht das Signal 0\ auf hoch, während das Signal O₁ auf dem Pegel, auf den es vor dem Übergang von A von niedrig auf hoch eingestellt worden ist, verbleibt und das Signal Os niedrig bleibt. Die Signalpegel an den Anschlüssen O\, Oi und Os entsprechen nunmehr den Signalpegeln, von denen oben in Abschnitt 1. ausgegangen wurde. Das heißt, die ursprünglichen Schaltungszustände sind wiederhergestellt.

Aus der obigen Erläuterung ergibt sich, daß die

Signale^, Oi und Os für je zwei Übergänge der Signale A und A ihren Zustand einmal ändern. Das heißt, die Schaltungsanordnung teilt effektiv die Taktfrequenz (A und A) durch den Faktor 2. Jede beliebige der Signalgrößen O\, Oi und Os, vorzugsweise jedoch Os, kann dann einer nachgeschalteten Stufe von gleichem Schaltungsaufbau wie die Schaltung 25 oder einer andersartigen Schaltung, weiche uic Taktfrequenz.

weiter herunterteilt, zugeleitet werden.

Zu beachten ist, daß das Impulsspannungssignal A und seine Umkehrung A dazu verwendet werden können, eine Dauerspannung oder ununterbrochene Spannungszufuhr zu simulieren. Beispielsweise wird in der dritten Gruppe der Zählerstufe eine quasistatische Umkehrstufe dadurch gebildet, daß zwei N-Kanal-Tran-

sistoren (NS, N%) an die Impulszufuhrleitungen angeschlossen sind. Die mit ihren Gate-Elektroden gemeinsam an einen einzigen Schaltungspunkt angeschlossenen Transistoren sind funktionsmäßig einem einzigen Transistor, der an eine Gleichstromversorgung angeschlossen ist, äquivalent Die Zählerstufe 25 erfordert nicht eine negative DauerspannungsVersorgung. Jedoch könnte eine solche negative Dauerspannungsversorgung dadurch gewonnen werden, daß man einen Transistor (nicht gezeigt) zwischen die Drain-Elektrode des Transistors N5 und den Leiter 22 sowie zwischen die Drain-Elektrode des Transistors N 7 und den Leiter 18 schaltet und den Gate-Elektroden dieser Transistoren das Komplement des ihren Source-Elektroden zugeleiteten Signals zuleitet

In der Schaltungsanordnung nach F i g. 4 werden mit Hilfe der Versorgungsspannung + V komplementäre Impulsspannungen erzeugt, deren Amplituden die der Versorgungsspannung übersteigen. Die Amplitude der

komplementären Spannungen reicht aus, um Zählschaltungen zu betätigen, die bei der niedrigeren Betriebsspannung u. U. nicht arbeitsfähig sind. Ferner wird die Frequenz der komplementären Spannungen durch die Zählschaltungen herunterdividiert.

In der Schaltung nach Fig.5 ist eine Stufe 41 zum Erzeugen eines Ausgangssignals (— Vs) vorgesehen, das ungefähr gleiche Amplitude, jedoch die entgegengesetzte Polarität hat wie das der Schaltung zugeleitete Eingangssignal (Vs). Die Schaltungsanordnung enthält außerdem eine Stufe 43 zum Weiterleiten von entweder Vsoder - Vsaneinen Ausgang55.

Die Stufe 41 entspricht in ihrem Aufbau der Schaltung nach Fig. 1, mit folgenden Ausnahmen: 1) Der Kanal des Transistors Pl ist zwischen einen Spannungsanschluß 47 und den Anschluß 12 geschaltet. 2) Der Kanal eines Transistors Λ/11 ist parallel zum Kanal des Transistors Pl geschaltet. Die Gate-Elektrode des Transistors /V13 ist an den AnschluLS 16 angeschlossen. Die Transisto^ren NU und Pl sind so eingerichtet, daß sie teilweise als komplementäre Transistor-Torschaltung arbeiten, um sicherzustellen, daß die Spannung am Anschluß 47 schnell auf den Anschluß 12 gekoppelt wird. 3) An den Anschluß 47 ist eine Signalquelle 48 angeschlossen, die Eingangssignale Vs anliefert, von denen vorausgesetzt ist, daß sie positiv gegenüber Massepotential (Nullpotential) sind.

Die Stufe 43 enthält einen Transistor Λ/41, der als mit seinem Kanal zwischen die Anschlüsse 17 und 55 geschaltete Torschaltung arbeitet. Eine komplementäre Umkehrstufe wird durch Transistoren P42 und N42 gebildet. Diese Transistoren P 42 und N 42 sind mit ihren Source-Elektroden an die Anschlüsse 10 bzw. 55 und mit ihren Drain-Elektroden an die Gate-Elektrode eines Transistors /V51 angeschlossen. Die Kanäle des Transistors N5i sowie eines Transistors P51 liegen parallel zwischen den Anschlüssen 12 und 55. Die Transistoren P51 und NSi bilden eine komplementäre Torschaltung 51. Den Gate-Elektroden der Transistoren Pl, Nl, P2, NX NAi, P42, N 42 und P51 wird ein Steuersignal Φ zugeleitet, das dem Signal Q entsprechen üi'iu, wie ZuVOi', cm Taktsignal uucl ein Stcucrimpulssignal sein kann, das der Schaltung wahlweise oder periodisch zugeleitet wird.

Wenn das Signal Φ auf niedrig (0 Volt) geht, werden die Transistoren Pl und P 2 eingeschaltet. Bei eingeschaltetem Transistor P2 geht die Spannung am Anschluß 16 auf VVoIt, und die Transistoren N3 und NU werden eingeschaltet. Bei eingeschalteten Transistoren Pl und NU wird das Signal V_s über einen niederohmigen Weg gekoppelt, wodurch der Kondensator Cauf Vs Volt aufgeladen wird, indem X auf VsVoIt und Küber N 3 an Masse gelegt werden.

Bei Φ niedrig ist der Transistor N4i ausgeschaltet, so daß der Anschluß 55 vom Anschluß 17 entkoppelt ist Der Transistor N42 ist ausgeschaltet, und der Transistor P42 ist eingeschaltet Bei eingeschaltetem Transistor P42 gelangen zur Gate-Elektrode des Transistors N5i ungefähr + V Volt, wodurch dieser Transistor eingeschaltet wird. Durch Φ niedrig wird der Transistor P51 eingeschaltet, so daß das am Anschluß 12 anstehende Signal + Vs über die Torschaltung 51 auf den Ausgang 55 gekoppelt wird. Das Ausgangssignal e_o ist daher gleich + V*

Wenn das Signal Φ auf hoch (+ VVlIt) geht, werden die Transistoren Pl und P2 ausgeschaltet und die Transistoren Ni und N2 eingeschaltet Durch das Einschalten von Ni wechselt das Potential von X von + Vs Volt auf 0 Volt. Die negativ gerichtete Potentialstufe (+ Vs auf 0 Volt) an X wird über den Kondensator C gekoppelt, so daß das Potential von Y und die Spannung am Anschluß 17 von 0 Volt auf - Vs Volt

*> schalten. Die Spannung — VsVoIt am Anschluß 17 wird über den Kanal des Transistors /V 2 auf die Gate-Elektroden der Transistoren N3 und NU gekoppelt, wodurch diese Transistoren ausgeschaltet werden. Bei Φ hoch ist der Transistor N4i eingeschaltet und koppelt über seinen niederohmigen Kanal das Signal vom Anschluß 17 auf den Anschluß 55, so daß das Signal am Anschluß 55 auf - VsVoIt schaltet Das Ausgangssignal e„ ist daher gleich — Vs· Durch Φ hoch werden die Transistoren P42 und P51 ausgeschaltet und der

^r> Transistor N 42 eingeschaltet Bei eingeschaltetem Transistor N42 werden durch den niederohmigen Kanal des Transistors N42 die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode des Transistors Λ/51 auf ungefähr der gleichen Spannung gehalten, wodurch die Ausschaltung

²⁽¹ des Transistors Λ/51 und der Torschaltung 51 sichergestellt ist.

Es wird also, wenn Φ niedrig ist, ein Signal + Vs Volt auf den Ausgang 55 gekoppelt und wenn Φ hoch ist, ein Signal der gleichen Amplitude, jedoch der entgegenge-

" setzten Polarität (- V_s)am Ausgang55 erzeugt.

F i g. 5 veranschaulicht die Anwendung der Erfindung auf einen Präzisions-Bezugsspannungsgeber für bilaterale Impulsspannungen, der in einen Analog-Digital-Wandler eingebaut werden kann. Ein geringfügiger

^Jn Unterschied gegenüber den vorherigen Ausführungsbeispielen besteht darin, daß - Vs (wobei 0< Vs< V) erzeugt wird statt — VVoIt. Zu beachten ist, daß Vs ein extrem niederamplitudiges Signal sein kann.
In Fig.5 entnehmen die Schaltkreise (Pi, /Vl, P42,

« /V42) und die Torschaltungen (7V41, Λ/51, P51) nur einen vernachlässigbar geringen Strom und wird das Signal — Vsnicht belastet.

In der Schaltung nach Fig.6 werden die an den Ausgängen der Stufen 21 uiid 23 nach F i g. 4 erzeugten Impulssignale B und B unter Erzeugung eines Gleichspannungspegels vereinigt Die im gestrichelten Rechteck 52 uargesiciuc Schaltung nach F ι g. 6 cnum'ii zwei Blöcke 21 und 23, die in ihrem Schaltung' aufbau mit den gleichbezifferten Blöcken in Fig.4 identisch sind. Die Schaltung enthält außerdem einen Transistor NS3, der mit seinem Kanal zwischen den Leiter 20 und den Anschluß 65 geschaltet ist sowie einen Transistor N55, der mit seinem Kanal zwischen den Leiter 24 und den Anschluß 65 geschaltet ist Die Gate-Elektroden der Transistoren N S3 und N 55 sind an die Leiter 22 bzw. 18 angeschlossen.

Aus dem Taktsignal Q werden am Anschluß 18 das Signal A und am Anschluß 20 das Signal B erzeugt Entsprechend werden_aus dem Taktsignal Q am Anschluß 21 das Signal A und anvAnschluß 24 das Signal B erzeugt Die Signale A, B, A und B sind in F i g. 2 dargestellt _

Wenn B den Wert - VVoIt hat so hat das Signal A im Leiter 22 den Wert + VVoIt Der Transistor N53 ist bei + V Volt an seiner Gate-Elektrode voll eingeschaltet und koppelt - VVoIt vom Leiter 20 juif den Anschluß 65. Während dieses Zeitintervalls hat Aden Wert 0 Volt und das Signal A im Leiter 18 den Wert — VVoIt und der Transistor N 55 ist in den Ausschaltzustand gesperrt_

Wenn flden Wert - VVoIt hat, so hat das Signal A in Leiter 18 den Wert + VVoIt Der Transistor N 55 ist voll eingeschaltet und koppelt Ober seinen Kanal das

Signal - V Volt auf den Anschluß 65, Während dieses Zeitintervalls hat B den Wert 0 Volt und A den Wert - V Volt, wodurch der Transistor N 53 in den Ausschaltzustand gesperrt wird. Es koppelt also jeweils während eines gegebenen Zeitintervalls der Transistor N53 und während des anschließenden Zeitintervalls der Transistor N55 das Signal - V Volt auf den Anschluß 65. Somit wird am Anschluß 65 ein negativer Gleichspannungspegel von - V Volt erzeugt Die verfügbare Gleichspannung zwischen den Anschlüssen 10 und 65 beträgt folglich 2 VVoIt

Die Schaltung nach F i g. 6 kann, wie in F i g. 7 gezeigt, mit gleichartigen Schaltungsstufen in Kaskade geschaltet werden, um zunehmend ansteigende Gleichspannungen zu erzeugen. In Fig.7 ist die Ziffer 6 den Bezugsnummern derjenigen Schaltungselemente angefügt, die gleichartigen Schaltungselementen in Fig.6 entsprechen. Die den Anschlüssen 106 und 146 zugeleiteten Spannungen betragen + V Volt bzw. - V Volt, statt + VVoIt bzw. 0 Volt wie in F i g. 6. Das dem Anschluß 436 zugeleitete Taktsignal (Qa) sollte eine Amplitude haben, die der des in F i g. 2 gezeigten und im Leiter 18 anwesenden Signals A entspricht Das heißt die Amplitude des Taktsignals (Qa) muß zwischen + \ Volt und -V Volt wechseln. Dies ist analog dei Schaltung nach F i g. 6, wo das Taktsignal Q zwischer + V Volt und 0 Volt wechselt, wenn der Betriebsspan nungsbereich zwischen + VVoIt und 0 Volt beträgt Dai Signal Qa kann von der Schaltung im Block 21( gewonnen _werden, oder man kann statt dessen hierfüi das Signal A verwenden, das von der Schiltung im Blocl 52 nach F i g. 6 erzeugt wird.

Die Ausgangsspannung (+ V und -V) eines Span nungsverdopplers (52) kann als Speisespannung füi einen zweiten Spannungsverdoppler (526) verwende werden. Die Ausgangsspannung (+V und — IV) de: zweiten Spannungsverdopplers kann in entsprechende! Weise als Speisespannung für einen dritten Spannungs verdoppler (nicht gezeigt) verwendet werden. Außer dem können die Taktimpulse (Qa) für den Betrieb eine: nachgeschalteten Spannungsverdopplers aus dem von vorausgehenden Spannungsverdoppler erzeugten Im pulssigna! (A) oder aus unabhängigen Steuerimpulse! gewonnen werden.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Spznnungs-Vervielfacherschaltung mit einem ersten und einem zweiten Feldeffekttransistor, die mit einem ersten Ende ihrer jeweiligen Leitungswege an einen ersten Anschluß eines Kondensators und mit dem zweiten Ende ihrer jeweiligen Leitungswege an einen ersten bzw. einen zweiten Spannungsanschluß, zwischen denen die zu vervielfältigende Spannung anliegt, angeschlossen sind, mit einem dritten und einem vierten Feldeffekttransistor, die mit ersten Enden ihrer jeweiligen Leitungswege an den zweiten Anschluß des Kondensators und mit den zweiten Enden ihrer jeweiligen Leitungswege an den zweiten Spannungsanschluß bzw. an einen Ausgangsanschluß angeschlossen sind, mit einer Steuerschaltung und einem Steuersignaleingangsanschluß, der mit der Gate-Elektrode des ersten Transistors verbunden ist, um bei einem Wert des an den Steuersignaleingangsanschluß angelegten Steuersignals die Leitungswege des ersten und dritten Transistors in einen leitenden Zustand zu versetzen, während jene des zweiten und vierten Transistors in einem Sperrzustand sind, und um die Leitungszustände der Transistoren bei einem zweiten Wert des Steuersignals umzukehren, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschaltung einen fünften Feldeffekttransistor (P2 in Fig. 1 und 5; N2 in F i g. 3) derselben Leitfähigkeitsart wie der erste Transistor (P 1 in F i g. 1 und 5; N1 in F i g. 3) aufweist, daß der Leitungsweg des fünften Transistors zwischen dem Ausgat-.gsanschluß (A) und einem Versorgungsspam.ungsanschluß (10 in F i g. 1 und 5; 14 in Fig.3) liegt, iaß zwischen den Gate-Elektroden des ersten, des zweiten, des vierten und des fünften Transistors (Pi, Ni, N2, P2; Ni, Pi, P2, N2) eine erste Verbindung vorhanden ist, daß zwischen dem Ausgangsanschluß (A) und der Gate-Elektrode des dritten Transistors (N3; P3) « eine zweite Verbindung vorhanden ist, daß der erste Transistor und der zweite Transistor entgegengesetzter Leitfähigkeitsart sind und daß der fünfte Transistor entgegengesetzter Leitfähigkeitsart wie der dritte und der vierte Transistor ist. ^4S

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Versorgungsspannungsanschluß und der erste Spannungsanschluß (10 in F ig. 1; 14 in F i g. 3) identisch sind.

3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein sechster Transistor (N 11 in F i g. 5) mit seinem Leitungsweg zwischen den ersten Spannungsanschluß (47) und den ersten Anschluß (X) des Kondensators geschaltet ist, und daß der Steuerelektrode des sechsten Transistors ein Signal rageleitet wird, durch welches dieser Transistor leitend gemacht wird, wenn der erste Transistor (P 1) leitend ist

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Anschluß (X) te* Kondensa- ^M tors fCj während erster beabstandeter Zeitintervalle an einen zweiten Ausgangsanschluß (55 in Fig.5) angeschaltet wird und daß der andere Anschluß (Y) des Kondensators während der dazwischenliegenden Zeitintervalle an diesen zweiten Ausgangsan- Schluß angeschaltet wird.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des sechsten Transistors (N U) mit der Gate-Elektrode des vierten Transistors (N3) und dem ersten Ausgangs- · anschluß (16) verbunden ist.

6. Schaltung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch einen siebenten als Torschaltung arbeitenden Transistor (N41), dessen Leitungsweg zwischen den zweiten Anschluß (Y) des Kondensators (C) und den zweiten Ausgangsanschluß (55) geschaltet ist, durch eine von der Reihenschaltung eines achten ü;id eines neunten Transistors (P42, N42) entgegengesetzter Leitfähigkeitsart gebildete komplementäre Umkehrstufe zwischen dem Versorgungsspannungsanschluß (10) und dem zweiten Ausgangsanschluß und durch eine von der Parallelschaltung eines zehnten und eines elften Transistors (NSX, PSi) entgegengesetzter Leitfähigkeitsan gebildete komplementäre Torschaltung (51) zwischen dem ersten Anschluß (X) des Kondensators und dem zweiten Ausgangsanschluß, wobei die Steuerelektroden des siebten, des achten, des neunten und des elften Transistors mit dem Steuersignaleingangsanschluß verbunden sind, während die Steuerelektrode des zehnten Transistors mit dem Verbindungspunkt zwischen den Leitungswegen des achten und des neunten Transistors verbunden ist

7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweiten, gleichartige Spannungs-Vervielfacherschaltung (23 in Fig.6) mit der ersten Spannungs-Vervielfacherschaltung so verbunden ist, daß die entsprechenden Transistoren in den beiden Schaltungen (21, 23) gegensinnig zueinander leitend und nicht leitend geschaltet werden, daß ein Synchronschalter die Ausgänge beider Schaltungen zur Erzeugung eines Gleichstromausgangs abwechselnd mit einem weiteren Ausgangsanschluß (65) verbindet, und daß der Synchronschalter einen ersten, vom Ausgang (22) der zweiten Schaltung (23) gesteuerten Schalter (N53) und einen zweiten, vom Ausgang (18) der ersten Schaltung (21) gesteuerten Schalter aufweist, wobei der erste Schalter selektiv den zweiten Anschluß (20) des Kondensators (C) der ersten Schaltung (21) und den weiteren Ausgangsanschluß (65) verbindet, während der zweite Schalter selektiv den zweiten Anschluß (24) des Kondensators (C)der zweiten Schaltung (23) mit dem weiteren Ausgangsanschluß (65) verbindet

8. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat des dritten Feldeffekttransistors (N 3 in F i g. 1 und 5 bzw. P3 in F i g. 3) mit dem zweiten Anschluß (Y)des Kondensators fQ verbunden ist