DE2523529A1 - Impuls-steuerschaltkreis - Google Patents

Impuls-steuerschaltkreis

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Description

Dipl.-Ing. H. MITSCHERLICH Ο —8 MÖNCHEN 22
Dipl.-Ing. K. GUNSCHMANN Stainrtorf.tr.ee 10
Dr. r.r. not. W. KÖRBER
. j. scHMiDT-EVERS 2 b 2 ο ο I y S75P95
PATENTANWÄLTE
27. Mai 1975
SONY CORPORATION
7-55 Kitashinagawa
6-Chome
Shinagawa-ku
Tokyo/ Japan
Patentanmeldung
Impuls-Steuerschaltkreis
Die Erfindung "bezieht sich auf einen Impuls-Steuerschaltkreis, wie er im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegeben ist. Mehr ins einzelne gehend betrifft die Erfindung einen Impuls-Steuerschaltkreis mit einer Schaltung oder Anordnung, mit Hilfe derer die Impulsform verändert werden kann.
Dem Stand der Technik gemäß hat es sich als notwendig erwiesen, getrennte Schaltkreise zur Signalformung zu haben, um Wellen- oder Impulsformen zu erhalten, wie z. B. Sägezahnform und Dreiecksform. Es ist z. B. ein Schaltkreis vorgeschlagen-worden, in dem ein Impulssignal dem Basisanschluß eines bipolaren Transistors zugeführt wird und bei dem ein Ausgangssignal über einen Zeitkonstanten-Schaltkreis zu erhalten ist, der aus einem Widerstand und einem Kondensator besteht und der mit einem Kollektor- oder einem Emitteranschluß des Transistors verbunden ist. In diesem Schaltkreis ist es möglich, die Wellen- oder Impulsform des Ausgangssignals mittels des Widerstandswertes des Widerstandes und/oder des Kapazitätswertes des Kondensators zu verändern. Wie allgemein bekannt ist ein am Ausgangsanschluß des Transistors auftretendes Ausgangssignal bereits, aufgrund der Löcher-Speicherzeit oder -Abklingzeit des Transistors und der Speicherzeit oder Trägheit der Ladungsträger desselben
verzerrt. Diese Verzerrung kann durch Einstellung des Widerstandes und der Kapazität nicht "beseitigt werden.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Impuls-Steuerschaltkreis anzugeben, bei dem die Signalform nicht verzerrt ist aufgrund von ladungsträger-Speicherzeit und Löcher-Speicherzeit. Insbesondere soll sich mit dem aufzufindenden Impuls-Steuerschaltkreis das Eingangsimpulssignal leicht und genau in eine Sägezahnform, eine Dreiecksform oder eine andere Form umwandeln lassen, und zwar synchron mit dem Anstieg und dem Abfall des E ingangs impuls signals. Vorzugsweise soll sich bei dem Impuls-Steuerschaltkreis der G-leichspannungspegel nicht ändern.
Diese Aufgabe wird mit einem wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 umrissenen Impuls-Steuerschaltkreis gelöst, der gekennzeichnet ist, wie dies im Kennzeichen des Patentanspruches angegeben ist und weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteranspriichen hervor.
Gemäß einem Gesichtspunkt der Erfindung hat der erfindungsgemäße Impuls-Steuerschaltkreis einen ersten Feldeffekttransistor, der entsprechend einem Eingangsimpulssignal in leitenden Zustand gebracht wird, einen ersten Zeitkonstanten-Schaltkreis, der aufgeladen wird, wenn sich der Feldeffekttransistor in leitendem Zustand befindet, einen zweiten Feldeffekttransistor, der mittels der Aufladespannung des ersten Zeitkonstanten-Schaltkreises in leitenden Zustand gebracht wird, und einen zweiten Zeitkonstanten-Schaltkreis mit dem die dem ersten Zeitkonstanten-Schaltkreis zugeordnete Aufladung bzw. die Aufladung des ersten Zeitkonstanten-Schaltkreises entladen wird, wenn der zweite Feldeffekttransistor in leitenden Zustand gebracht ist.
Weitere Erläuterungen, Gesichtspunkte und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter, in den Figuren dargestellter Ausführungsbeispiele hervor.
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Fig. 1 zeigt schematisch ein Schaltbild einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Impuls-Steuerschaltkreises.
Fig. 2 zeigt eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Feldeffekttransistors mit dynamischer Triodencharakteristik, der für einen wie erfindungs gemäß en Impuls-Steuer- " schaltkreis vorteilhaft ist.
Fig. 3 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform eines Feldeffekttransistors mit dynamischer Triodencharakteristik, der vorteilhafterweise "bei einem erfindungsgemäßen Impuls-Steuerschaltkreis zu verwenden ist.
Fig. 4 zeigt ein SchauMld der Y^g-I^-Kennlinie eines N-Kanal-V-Feldeffekttransistors und eines P-Kanal-V-Feldeffekttransistors.
Fig.5A, 5B und 5C zeigen Impulsformen wie sie jeweils mit einem erfindungsgemäßen Impuls-Steuerschaltkreis zu erhalten sind.
Fig. 1 zeigt ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform eines Impuls-Steuerkreises nach der Erfindung. Eine Impulssignalquelle 10 ist in Fig. 1 über einen Anschluß 11 mit dem gleitenden Abgriff 13 eines Potentiometers 12 verbunden. Der eine endseitige Anschluß 12a des Potentiometers 12 ist über einen ersten Schaltkreis 14a für konstanten Strom und über einen Widerstand Ra mit einer ersten Quelle 15 für eine Versorgungs- -gleichspannung verbunden. Der andere endseitige Anschluß 12b des Potentiometers 12 ist über einen zweiten Schaltkreis 14b für konstanten Strom und über einen Widerstand Rb mit einer zweiten Quelle 16 für Versorgungsgleichspannung verbunden, die gegenüber der ersten Quelle 15 entgegengesetzte Polarität hat. Wie weiter unten noch erläutert,' liegen ein erster und ein zweiter Junction-Feldeffekttransistor des vertikalen Typs und Zeitkonstanten-Schaltkreise zwischen der ersten und der zweiten Quelle 15 und 16. Der erste und der zweite Schaltkreis 14a und 14b für konstanten Strom, die Widerstände Ra und Rb und das Potentiometer 12 bilden einen Vorspannungsschaltkreis für die Feldeffekttransistoren.
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Es sei nunmehr auf I1Ig. 2 verwiesen, in der eine Sennit tans icht eines Beispiels eines Feldeffekttransistors gezeigt ist, der eine triodenartige dynamische Charakteristik hat. Ein solcher Transistor kann in einem wie erfindungsgemäßen Impuls-Steuerschal tkreis verwendet werden. Der Feldeffekt-transistor hat einen vertikalen Junction- oder Üb ergangsaufbau, gebildet aus einem intrinsisch oder eigenleitenden Halbleiterbereich 21 mit niedriger Störstellenkonzentration und hohem spezifischen Widerstand. Des weiteren hat der Transistor einen Halbleiterbereich 22 eines ersten Leitungstyps (P-leitend), der ringförmige Gestalt hat und auf dem oberen Anteil des intrinsisch leitenden Bereiches 21 ausgebildet ist. Der Transistor hat weiter einen Halbleiterbereich 23 eines zweiten Leitungstyps (H-leitend), der hohe Störstellenkonzentration hat und der sich über dem ringförmigen Bereich 22 und dem intrinsisch leitenden Bereich 21 befindet, wie dies aus der Figur zu ersehen ist. Entsprechende Drain- oder Senken-(D), Gate- oder Tor-(G) und Source- oder Quellen-(S)-Anschlüsse sind jeweils auf der.oberen Oberfläche des intrinsisch leitenden Bereiches 21, dem freiliegenden Anteil des ringförmigen Bereiches 22 (P-leitend) mit erstem Leitungstyp und der oberen Oberfläche des Bereiches 23 (U-leitend) mit zweitem Leitungstyp vorgesehen.
Der in Fig. 2 dargestellte Junction-Feldeffekttransistor hat eine dynamische Charakteristik wie eine Triode. Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines solchen Feldeffekttransistors ist in Fig. 3 dargestellt, in der gleiche Bezugszeichen übereinstimmende Einzelheiten bezeichnen. Wie ersichtlich, gleicht die Ausführungsform nach Fig. 3 stark der Ausfuhrungsform des Feldeffekttransistors nach Fig. 2, jedoch mit den zusätzlichen Ausgestaltungen des ringförmigen Bereiches 22 (P-leitend) des ersten Leitungstyps, der mit einem im Inneren befindlichen gitter- oder maschenartigen Aufbau versehen ist, wie dies aus der Figur zu erkennen ist. Dementsprechend ist zu sehen, wie der zweite (N-leitende) Bereich 22 mit hoher Störstellendichte sich sowohl über den ringförmigen und den gitter- oder maschenförmigen ersten (P-leitenden) Bereich 22 als auch über den in-
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trinsiseh leitenden Bereich 21 erstreckt. Die Gitter- oder Maschenform stellt eine Grenze zwischen dem intrinsisch leitenden Bereich und dem darüber liegenden zweiten (N-leitenden) Bereich mit hoher Störstellendichte dar. Außerdem "befindet sich ein zusätzlicher (N-leitender) Halbleiterb'ereich 24 des zweiten Leitungstyps mit hoher Störstellenkonzentration auf der unteren Oberfläche des intrinsisch leitenden Harbleiterbereich.es Auf diesem Bereich 24 ist der Drain- oder Senkenanschluß D ausgebildet.
Im allgemeinen ist die scheinbare Steilheit gm eines Junction-Feldeffekttransistors:
^n Gm
^ = 1 + Rc - Gm
in der Gm die wahre oder tatsächliche Steilheit und Rc ein äquivalenter innerer Widerstand des Feldeffekttransistors zwischen Quellenanschluß und Senkenanschluß ist. Der Widerstand Rc ist ein zusammengesetzter Widerstand, bestehend aus dem Widerstand zwischen dem Quellenanschluß und dem innerhalb des Feldeffekttransistors befindlichen Kanal, dem Widerstand des Kanals selbst und dem Widerstand zwischen dem Kanal und dem S enkenans chluß.
Vergleichsweise zu einem Junction-Feldeffekttransistor bekannter Art ist ein wie in Fig. 3 dargestellter Feldeffekttransistor durch relativ geringe Trennung oder relativ geringen Abstand zwischen Source oder der Quelle S und dem Kanal ausgezeichnet, der sich in dem P-leitenden Bereich 22 ausbildet. Außerdem hat ein Feldeffekttransistor nach Fig. 3 eine relativ kurze Kanallänge. Es ist dementsprechend der Widerstand Rc des in Fig. 3 dargestellten Junction-Feldeffekttransistors mit vertikalem Übergang sehr viel kleiner als der Widerstand Rc eines bekannten Feldeffekttransistors und die wahre oder tatsächliche Steilheit Gm ist hoch. Das Produkt RcGm ist im allgemeinen kleiner als 1. Somit liegt, wie aus der obigen
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Gleichung entnehmbar, die scheinbare Steilheit gm des Feldeffekttransistors mit vertikalem Übergang, wie er in Fig. 3 dargestellt ist und für die vorliegende Erfindung verwendet wird, nahe bei dem Wert der wahren'oder tatsächlichen Steilheit Gm, abhängig von der Breiten- oder Dickenvariation der Verarmungsschicht.
Es ist zu .ersehen, daß durch Vertauschung des Halbleitercharakters des Halbleiterbereiches 22 mit erstem Leitungstyp und dem Halbleiterbereich 23 mit zweitem Leitungstyp, wie in Fig. 3 gezeigt, ein Feldeffekttransistor mit umgekehrter Polarität erhalten wird.
Die Ströme fließen bei einem wie oben angegebenen Feldeffekttransistor aufgrund seines Aufbaues und aufgrund des Potentials bzw. der Spannung zwischen Quelle und Senke in vertikaler Richtung. Der Feldeffekttransistor ist kein stromsteuerndes Element, bei dem Minoritäts-Ladungsträger wie beim bipolaren Transistor ausgenutzt werden. Er ist vielmehr ein spannungssteuerndes Element unter Verwendung von Majoritäts-Ladungsträgern. Dementsprechend hat ein solcher Feldeffekttransistor keine Ladungsspeicherung, außerordentlich kurze Schaltzeit und geringe Speicher- oder Abklingzeit. Das Ergebnis ist, daß Schaltver-' Zerrungen für hohe Frequenzen unterdrückt sind und der hohe Harmonische betreffende Verzerrungs- oder Klirrfaktor gering ist.
Fig. 4 zeigt eine Charakteristik oder Kennlinienfeld eines oben erwähnten Feldeffekttransistors. Auf der Abszisse der Fig. 4 ist die Gate- oder Tor-Spannung V^s und auf der Ordinate der Drain- oder Senken-Strom I, aufgetragen. Wie aus Fig. 4 ersichtlich, entspricht dieses Kennlinienfeld dem U - I -Kennlinienfeld einer Vakuum-Triodenröhre. Das Kenn-
g a
linienfeld ist verschieden von demjenigen eines Transistors. Da der oben beschriebene Feldeffekttransistor keinen Ladungs-Speichereffekt oder Ladungs-Abklingeffekt und hohe Schaltge- · ' schwindigkeit hat, ist er besonders gut verwendbar für die Er-.
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zeugung von Impulssignalen mit kurzzeitigem Anstieg und/oder Abfall bzw. steiler Anstiegs- und/oder Abfallflanke.
Der Feldeffekttransistor ist nach IT-Kanal und nach P-Kanal entsprechend den Polaritäten der Torspannung Y^ und dem Senkenstrom I, zu unterscheiden.
Es sei wieder auf Fig. 1 verwiesen und der Toranschluß & eines N-Kanal-Feldeffekttransistors 30, wie er oben beschrieben ist, ist mit dem negativen Anschluß der Quelle 16 für Yersorgungsgleichspannung verbunden, und zwar über den festen Anschluß 12b des Potentiometers 12, den zweiten Schaltkreis 14b für konstanten Strom und den Widerstand R, . Dem Toranschluß & eines N-Ka-
nal-Feldeffekttransistors 30 wird eine Torspannung zugeführt. Ein Senkenanschluß D des N-Kanal-Feldeffekttransistors 30 ist mit dem positiven Anschluß der. Quelle 15 für Gleichspannung verbunden. Ein Quellenanschluß S des N-Kanal-Feldeffekttransistors 30 ist mit einem ersten Zeitkonstanten-Schaltkreis, gebildet aus einem veränderbaren Widerstand 32a und einem Kondensator 33, und weiter mit einem Ausgangs ans chluß 34 verbunden. Ein Toranschluß G- eines P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 ist mit dem positiven Anschluß einer Quelle 15 für Gleichspannung über den festen Anschluß 12a des Potentiometers 12, den ersten Schaltkreis 14a für konstanten Strom und den Widerstand Ra verbunden. Eine Torspannung wird dem Toranschluß G des P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 zugeführt. Ein Senkenanschluß D des P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 ist mit dem negativen Anschluß der Quelle 16 für Gleichspannung verbunden. Ein Quellenanschluß S des P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 ist mit einem zweiten Zeitkonstanten-Schaltkreis, gebildet durch einen veränderbaren Widerstand 32b und den Kondensator 33, und weiter mit dem Aus gangs ans chluß 34 verbunden.
Anhand der Fig. 1 wird nachfolgend die Betriebsweise eines solchen Impuls-Steuerschaltkreises beschrieben. Durch die Schaltkreise 14a und 14b für konstanten Strom wird der durch das Potentiometer 12 hindurchfließende Strom konstant gehalten. Wenn kein
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Eingangsimpuls an den Anschluß 11 angelegt ist, sind die Torspannungen der Feldeffekttransistoren 30 und 35 durch den G-leitabgriff 13 des Potentiometers 12 derart festgelegt, daß an dem Ausgangsanschluß 34 das Potential Full herrscht.
Wenn, wie in Fig. 1 gezeigt, ein positives Impulssignal 40 dem Grleitabgriff 13 des Potentiometers 12 über den Anschluß 11 von einer Impuls-Signalquelle 10 her zugeführt wird, gelangt . dieses an die Toranschlüsse G- der Feldeffekttransistoren. 30 und 35. Dieses Impulssignal 40 addiert sich zu den Vorspannungen derart, daß der F-Kanal-Feldeffekttransistor 30 leitend geschaltet wird. Das verstärkte Impulssignal wird dem ersten Zeitkonstänten-Schaltkreis zugeführt, der durch den veränderbaren Widerstand 32a und den Kondensator 33 gebildet wird, wobei dieses Impulssignal vom Quellenanschluß S des N-Kanal-Feldeffekttransistors 30 herkommt, womit der Kondensator 33 aufgeladen wird.
Wenn der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32a und die Kapazität des Kondensators 33 außerordentlich klein sind, wird ein Anfangsanteil oder eine Anstiegsflanke eines am Ausgangsanschluß 34 auftretenden Ausgangssignals 41 gegenüber dem Anfangsanteil oder der Anstiegsflanke des Impulssignals 40 nicht verzerrt. Der Kondensator 33, der auf eine gewisse Spannung aufgeladen ist, wird nicht entladen, bis der Pegeldes Eingangsimpulssignals 40 abfällt.
Mit dem Abfall des Pegels des Eingangsimpulssignals 40 wird der eine Feldeffekttransistor 30 in gesperrten Zustand gebracht, während der andere Feldeffekttransistor 35 in leitenden Zustand kommt, da die Auflade spannung des Kondensators 33 dem Quellenanschluß S des Feldeffekttransistors 35 über den veränderbaren Widerstand 32b zugeführt wird. Dementsprechend wird die Aufladung des Kondensators 33 über den veränderbaren Widerstand 32b' und den Feldeffekttransistor 35 in die Quelle 16 für negative Spannung entladen. Wenn der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32b und dementsprechend die Entladezeitkonstante
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außerordentlich klein sind, wird ein Endanteil oder eine Abfallflanke des am Ausgangsanschluß 34 auftretenden Ausgangssignals 41 vergleichsweise zum Endanteil oder zur Abfallflanke des EingangsSignaIs 40 nicht verzerrt.
Das Eingangsimpulssignal 40 kann in eine Sägezahnform, in eine Dreiecksform oder in jegliche andere Form umgesetzt werden, und zwar entsprechend den Widerstandswerten der veränderbaren Widerstände 32a und 32b. Wenn z. B. der Widerstandswert, des veränderbaren Widerstandes 32a höher ist und der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32b niedriger ist, wird der Kondensator 33 entsprechend dem Anstieg des Impulssignals 40 allmählich aufgeladen und entsprechend dem Abfall des Impulssignals 40 nahezu linear entladen. Dementsprechend wird das Eingangsimpulssignal 40 in eine wie in Fig. 5A mit 42 gekennzeichnete Form umgewandelt. Wenn der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32a noch höher und der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32b noch niedriger ist, erhält man am Ausgangsanschluß 34 eine wie in Fig. 5B gezeigte Form.43. Wenn sowohl der Widerstandswert des Widerstandes 32a als auch der des Widerstandes 32b weiter höher sind, erhält man am Ausgangsanschluß 34 eine wie in Fig. 5C gezeigte Form 44. Nebenbei bemerkt können verschiedene Wellen- oder Impulsformen durch Veränderung der Widerstandswerte jeweils der veränderbaren Widerstände 32a und 32b für Aufladung und Entladung erhalten werden.
Es ist ersichtlich, daß das Eingangsimpulssignal nicht nur mit hoher Wiedergabetreue zu erhalten ist, sondern daß auch eine Umwandlung in verschiedene Wellenformen, wie z. B. Sägezahnform' oder Dreiecksform, durch Einstellung der Zeitkonstanten erreicht werden kann, und zwar ohne Änderung von Verbindungen in der Schaltung, wobei diese Schaltung einen ersten Feldeffekttransistor hat, der entsprechend einem Eingangssignal in leitenden Zustand zu schalten ist, einen ersten Zeitkonstanten-Schaltkreis mit einem veränderbaren Widerstand und einem Kondensator hat, .der in leitendem Zustand des ersten Feldeffekttransistors auf-
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geladen wird, einen zweiten Feldeffekttransistor hat, der mittels der Aufladespannung des ersten Zeitkonstanten-Schaltkreises in leitenden Zustand gebracht wird, und die einen zweiten Zeitkonstanten-Schaltkreis mit einem veränderbaren Widerstand und einem Kondensator hat, der seine dem ersten Zeitkonstanten-Schaltkreis zugehörige Ladung abgibt, wenn der zweite Feldeffekttransistor leitend geworden ist. Der Kondensator 33 kann veränderbar sein, so wie es der Einzelfall fordert.
Obwohl die Erfindung lediglich an bevorzugten Ausführungsformen beschrieben worden ist, lassen sich für den Fachmann aufgrund dieser Darlegungen im Rahmen des Erfindungsgedankens weitere Variationen ohne weiteres finden und angeben.
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Claims (14)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    ί1J Impuls-Steuerschaltkreis mit einem Eingangsanschluß zum Anlegen eines Impulssignals, mit einem ersten Feldeffekttransistor, der durch das Impulssignal in leitenden Zustand zu "bringen ist und mit einem ersten Zeitkonstanten-Schaltkreis, der aufgeladen wird, wenn der erste Feldeffekttransistor leitend gemacht ist, gekennzeichnet durch einen zweiten Feldeffekttransistor (35), der mittels der Aufladespannung des ersten Zeitkonstanten-Schaltkreises (32a,33) in leitenden Zustand zu bringen ist, durch einen zweiten Zeitkonstanten-Schaltkreis (32b,33) mit dem die Aufladung des ersten Zeitkonstanten-Schaltkreises (32a,33) bei leitendem Zustand des zweiten Feldeffekttransistors (35) entladen wird, und durch einen Ausgangsanschluß (34), an dem ein Aus gangs signal (4-1) zu erhalten ist, das eine Impuls- oder Wellenform hat, die von den Zeitkonstanten des ersten und des zweiten Zeitkonstanten-Schaltkreises (32a,33;32b,33) abhängt.
  2. 2. Impuls-Steuerschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Feldeffekttransistor (30,35) jeweils in Reihe geschaltet sind mit einer ersten und einer zweiten Quelle (15,16) für Gleichspannungsversorgung, wobei sich diese Quellen (15,16) bezüglich der Polarität voneinander unterscheiden, und daß der erste und der zweite Zeitkonstanten-Schaltkreis (32a,33;32b,33) zwischen dem ersten und dem zweiten Feldeffekttransistor (30,35) liegen,
  3. 3. Impuls-Steuerschaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Feldeffekttransistor (30;35) Quellen-S-, Senken-D- und Toranschlüsse(G-)haben, wobei die Quellenanschlüsse (S) jeweils mit dem ersten bzw. zweiten Zeitkonstanten-Schaltkreis (32a,33;32b,33) verbunden· sind und die Toranschlüsse mit einem Yorspannungsschaltkreis verbunden sind, der einen zwischen der ersten und der zweiten Quelle (15,16) liegenden Schaltkreis (I4a,14b) für konstanten
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    Strom und der einen Widerstand (12) hat, der in Reihe mit dem Schaltkreis (I4a,14b) für konstanten Strom liegt.
  4. 4. Impuls-Steuerschaltkreis nach Anspruch 39 dadurch gekennzeichnet, daß der eine (End-)Anschluß des Widerstandes (12b) der mit dem Schaltkreis ( 14b) für konstanten Strom verbunden ist, mit dem Toranschluß (G-) des ersten Feldeffekttransistors (30) und daß der andere (End-)Anschluß dieses Widerstandes (12) mit dem Toranschluß (G-) des zweiten Feldeffekttransistors (35) "verbunden ist und dadurch, daß der Widerstand (12) einen G-leitabgriff (13) hat, der mit dem Eingangs ans chluß (11) verbunden ist.
  5. 5. Impuls-Steuerschaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Feldeffekttransistor (3O;35) zueinander entgegengesetzte Polarität haben bzw. komplementär sind und Quellen-S-, Senken-D- und Toranschlüsse (G) haben, wobei der Senkenanschluß des ersten Feldeffekttransistors (30) mit einer ersten Quelle (15) für Gleichspannungsversorgung, der Senkenanschluß des zweiten Feldeffekttransistors (35) mit einer zweiten Quelle (16) für Gleichspannungsversorgung, die zur ersten Quelle (15) entgegengesetzte Polarität hat, und die Quellenanschlüsse des ersten und des zweiten Feldeffekttransistors (30;35) jeweils mi"fc dem ersten bzw. mit dem zweiten Zeitkonstanten-Schaltkreis (32a,33; 32b,33) verbunden sind.
  6. 6. Impuls-Steuerschaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Zeitkonstanten-Schaltkreis (32a,33) einen ersten Widerstand (32a) und einen Kondensator (33) hat und daß der zweite Zeitkonstanten-Schaltkreis (32b,33) einen zweiten Widerstand (32b) und den erwähnten Kondensator (33) hat.
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  7. 7. Impuls-Steuerschaltkreis nach. Anspruch 6, dadurch, gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Widerstände (32a,32b) veränderbaren Widerstandswert hat.
  8. 8. Impuls-Steuerschaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensator (33) veränderbaren Kapazitätswert hat.
  9. 9. Impuls-S teuer schaltkreis nach, einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und/oder der zweite Feldeffekttransistor (30;35) Junction-Feldeffekttransistoren mit dynamischer Triodencharakteristik sind und daß diese Feldeffekttransistoren (30;35) zueinander komplementär sind.
  10. 10. Impuls-Steuerschaltkreis nach. Anspruch 9, dadurch, gekennzeichnet, daß der erste Feldeffekttransistor (30) einen vertikalen Junction-Aufbau hat, der gebildet ist durch'einen intrinsisch leitenden Halbleiterbereich (21) mit niedriger Störstellenkonzentratiqn und hohem Widerstand, durch einen Halbleiterbereich (22) mit einem ersten Leitungstyp, wobei dieser Bereich (22) eine vorgegebene Gestalt hat und auf dem oberen Anteil des intrinsisch leitenden Halbleiterbereiches
    (21) ausgebildet ist, und durch einen Halbleiterbereich (23) mit zweitem Leitungstyp mit hoher Störstellenkonzentration, wobei dieser Halbleiterbereich (23) sich über den Halbleiterbereich
    (22) mit erstem Leitungstyp und über den intrinsisch leitenden Halbleiterbereich (21) erstreckt, und dadurch, daß der zweite Feldeffekttransistor (35) einen vertikalen Junction-Aufbau hat, der gebildet ist durch einen intrinsisch leitenden Halbleiterbereich (21) mit niedriger Störstellenkonzentration und hohem Widerstand, durch einen Halbleiterbereich (22) mit zweitem Leitungstyp, wobei dieser Halbleiterbereich (22) eine vorgegebene Gestalt hat und auf dem oberen Anteil des intrinsjsch leitenden Halbleiterbereiches (21) ausgebildet ist, und durch einen Halbleiterbereich (23) mit erstem Leitungstyp -und hoher Störstellenkonzentration, wobei sich dieser Halbleiterbereich (23) über den Halbleiterbereich (22) mit zweitem
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    Leitungstyp und über den intrinsisch leitenden Halbleiterbereich (21) erstreckt.
  11. 11. Impuls-Steuerschaltkreis mit einem ersten Feldeffekttransistor einer ersten Polarität, mit einem zweiten Feldeffekttransistor mit einer zweiten (dazu komplementären) Polarität, mit einer ersten Spannungsquelle einer ersten Polarität, mit einer zweiten Spannungsquelle einer zweiten Polarität, wobei der erste undter zweite Feldeffekttransistor in Reihe miteinander zwischen der ersten und der zweiten Spannungsquelle liegen, mit einem Vorspannungsschaltkreis zur Bildung von Vorspannungen für den ersten und den zweiten Feldeffekttransistor, mit einer Impulssignalquelle zur Zuführung eines Impulssignals an die Feldeffekttransistoren und mit einem ersten Zeitkonstanten-Schaltkreis, der mit dem ersten Feldeffekttransistor verbunden ist und der einen ersten Widerstand und einen Kondensator hat, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Zeitkonstanten-Schaltkreis (32b,33) vorgesehen ist, der mit dem zweiten Feldeffekttransistor (35) verbunden ist und der einen zweiten Widerstand (32b) und den erwähnten Kondensator (33) hat, wobei dieser Kondensator (33) über den ersten Widerstand (32a) aufgeladen wird, wenn der erste Feldeffekttransistor (30) sich abhängig von dem Impulssignal in leitendem Zustand befindet und wobei der Kondensator (33) über den zweiten Widerstand (32b) entladen wird, wenn sich der zweite Feldeffekttransistor (35) abhängig von der Auflade spannung des Kondensator (33) in lei- tendem Zustand befindet.
  12. 12. Impuls-Steuerschaltkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der ersten und zweiten Widerstände (32a,32b) ein veränderbarer Widerstand ist.
  13. 13. Impuls-Steuerscnaltkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensator (33) veränderbare Kapazität hat.
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  14. 14. Impuls-Steuerschaltkreis nach Anspruch 11, 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die "beiden Feldeffekttransistoren (30,35) Junction-Feldeffekttransistoren mit vertikalem Junction-Aufbau und mit dynamischer Triodencharakteristik sind.
    DeA Patentanwalt
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